CN1179918C - 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 - Google Patents
以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1179918C CN1179918C CNB031281834A CN03128183A CN1179918C CN 1179918 C CN1179918 C CN 1179918C CN B031281834 A CNB031281834 A CN B031281834A CN 03128183 A CN03128183 A CN 03128183A CN 1179918 C CN1179918 C CN 1179918C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- hot pressing
- tic
- adjurant
- block body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
一种以Si为助剂热压制备单相致密Ti3AlC2块体材料的方法。该方法以TiC粉、Ti粉、Si粉和Al粉为原料,四种原料的摩尔比为TiC∶Ti∶Al∶Si=2∶1∶0.95~1.05∶0.15~0.25。原料粉末混合均匀后,在通有Ar气做为保护气氛的热压炉中烧结,烧结温度为1200~1500℃,保温时间1~8小时,压力为20~80MPa。本法制得的产物中Ti3AlC2含量高达98wt%以上,Ti3AlC2块体材料的致密度达到99%。本发明的工艺简单,适合于工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及新型陶瓷碳化铝钛(Ti3AlC2)材料的制备,特别涉及一种以Si作为反应助剂原位热压固-液相反应制备碳化铝钛块体材料的方法。
背景技术
Ti3AlC2是一种上世纪九十年代才被发现的新型层状三元化合物。它兼具有金属和陶瓷的许多优点,如优异的导电、导热性,可加工性,良好的抗破坏能力,高熔点,高模量(杨氏模量297GPa,剪切模量124GPa),高强度和低密度(4.25g/cm3)等。这是一种能广泛应用于电子信息、新能源、航空航天等高技术领域的新型结构及功能材料。但Ti3AlC2的制备困难,一直限制了它的研究和应用。文献(1)J.Am.Ceram.Soc.,83,No.4,2000.以Ti、Al4C3和石墨的混合粉末为原料,在1400℃,70MPa下热压16小时,得到致密的Ti3AlC2块体材料。由于Al4C3粉末吸附了较多水分,最后的反应产物中包含有4%的Al2O3。文献(2)J.Euro.Ceram.Soc.23,2003.以Al粉、Ti粉和石墨为原料,采用燃烧合成方法制备了Ti3AlC2材料,反应产物中包含有大量的杂质相Ti2AlC和TiC。文献(3)J.Mater.Chem..12,No.3,2002.以Al粉、Ti粉和石墨为原料,在1500℃,25MPa下热压5小时,产物经过热处理可得到单相致密的Ti3AlC2块体材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适合于工业化生产的单相致密Ti3AlC2块体材料的制备方法。
本发明提供了一种原位热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法,该方法以Si为助剂,并按以下步骤制备:1、以TiC粉、Ti粉、Al粉和Si粉为原料;按四种原料的摩尔比为TiC∶Ti∶Al∶Si=2∶1∶0.95~1.05∶0.15~0.25配料;2、粉末混合均匀后,在通有Ar气做为保护气氛的热压炉中,以20~60℃/min的升温速率升至1200~1500℃,原位热压1~8小时,热压压力为20~80MPa。
按本法制备的产物,根据内标法测定烧结产物中Ti3AlC2含量高达98wt.%以上,由Archimedes法测得Ti3AlC2块体材料的致密度达到99%。
本发明的实质是利用一种反应热压制备Ti3SiC2材料。由于Al的熔点低,在较低温度下,Al会熔化并和Si一起形成的Al-Si液相合金,可促进反应合成。
本发明的创新之处在于掺加少量的Si抑制Ti2AlC的生成,同时原始粉料中以TiC取代元素单质粉Ti和C可以减少反应产物中TiC的含量。整个制备过程选用的原材料简单,充分利用原料之间的高温自蔓延反应,使得合成能在很短的时间内完成。
附图说明
图1为本法制备的产物Ti3SiC2试样的X-射线衍射图谱。
具体实施方式
下面通过实施例详述本发明。
实施例1
将摩尔比为TiC∶Ti∶Al∶Si=2∶1∶0.95∶0.25的混合粉末150克,放入石墨模具中,在Ar气保护气氛的热压炉中烧结。升温速度为50℃/min,烧结温度为1300℃,压力为30MPa,保温2小时。块体材料的致密度为99%,Ti3AlC2含量为98.2wt%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥750MPa,三点弯曲强度σb≥350MPa,KIC≥5MPa·m1/2。
实施例2
将摩尔比为TiC∶Ti∶Si∶Al=2∶1∶1.05∶0.15的混合粉末250克,放入石墨模具中,在Ar气保护气氛的热压炉中烧结。升温速度为50℃/min,烧结温度为1400℃,压力为60MPa,保温6小时。块体材料的致密度为99.8%,Ti3AlC2含量为99.5wt%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥750MPa,三点弯曲强度σb≥370MPa,KIC≥5MPa·m1/2。
Claims (1)
1、一种热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法,其特征在于该方法以Si为助剂,并按以下步骤制备:
1)以TiC粉、Ti粉、Al粉和Si粉为原料;按四种原料的摩尔比为TiC∶Ti∶Al∶Si=2∶1∶0.95~1.05∶0.15~0.25配料,
2)原料粉末混合均匀后,置于石墨模具中,在通有Ar气做为保护气氛的热压炉中,以20~60℃/min的升温速率升温至1200~1500℃,原位热压1~8小时,热压压力为20~80MPa。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB031281834A CN1179918C (zh) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB031281834A CN1179918C (zh) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1460660A CN1460660A (zh) | 2003-12-10 |
CN1179918C true CN1179918C (zh) | 2004-12-15 |
Family
ID=29591143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031281834A Expired - Fee Related CN1179918C (zh) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1179918C (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1298675C (zh) * | 2004-10-28 | 2007-02-07 | 中国科学院金属研究所 | 一种氧化铝颗粒增强铝碳化钛基复合材料及其制备方法 |
CN100357179C (zh) * | 2005-04-29 | 2007-12-26 | 北京交通大学 | 一种钛铝碳化物粉料及其以锡为反应助剂的合成方法 |
CN100460362C (zh) * | 2006-06-30 | 2009-02-11 | 中国科学院金属研究所 | 瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺 |
CN100439291C (zh) * | 2006-08-18 | 2008-12-03 | 中国科学院金属研究所 | 扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺 |
CN100465134C (zh) * | 2007-02-09 | 2009-03-04 | 上海大学 | 低温无压烧结制备致密Ti3AlC2陶瓷的方法 |
CN114315357B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-03-24 | 长安大学 | 一种C/C-Ti3AlC2复合材料及其制备方法 |
-
2003
- 2003-06-20 CN CNB031281834A patent/CN1179918C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1460660A (zh) | 2003-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100506692C (zh) | 一种高纯Ti2AlC粉体材料的制备方法 | |
CN106834878B (zh) | 一种微波烧结制备内生性高熵合金基复合材料的方法 | |
CN1273410C (zh) | 原位热压合成致密Ti3SiC2-Al2O3复合块体材料的方法 | |
CN110282983B (zh) | 一种无中间相的高硬度TiB2-B4C陶瓷复合材料制备方法及其应用 | |
CN105734390A (zh) | 一种高熵合金结合的立方氮化硼聚晶复合材料的制备方法 | |
CN106882965A (zh) | 一种常压制备高纯钛二铝碳粉体材料的方法 | |
CN107555998A (zh) | 高纯度Fe2AlB2陶瓷粉体及致密块体的制备方法 | |
CN101152979A (zh) | 一种原位热压/固液相反应制备Ti2AlN块体材料的方法 | |
CN1179918C (zh) | 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 | |
CN100422113C (zh) | 一种硅铝碳化钛锆固溶体材料及其制备方法 | |
CN100371300C (zh) | 热压制备高纯度碳化铝钛块体材料的方法 | |
CN104086178A (zh) | 一种铌钛铝碳固溶体陶瓷材料及其制备方法 | |
CN1179917C (zh) | 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法 | |
CN1179916C (zh) | 以Al为助剂原位热压反应制备单相致密碳化硅钛块体材料的方法 | |
JP3906361B2 (ja) | 金属性セラミック粉末の製造法 | |
CN1108392C (zh) | 一种原位热压/固-液相反应制备钛铝碳块体材料的方法 | |
KR100882923B1 (ko) | 기계가공성을 갖는 Cr₂AlC 소결체의 저가 제조방법 | |
JP4362582B2 (ja) | 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 | |
CN103601188A (zh) | 高熔点导电硬陶瓷材料钽的碳化物的制备方法 | |
CN1120817C (zh) | 一种原位热压固-液相反应制备钛碳化硅体材料的方法 | |
Rangaraj et al. | Reactive hot pressing of titanium nitride–titanium diboride composites at moderate pressures and temperatures | |
JP5308296B2 (ja) | チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 | |
CN102212732A (zh) | 一种铜增强三硅化五钛基复合材料及其制备方法 | |
CN1242083C (zh) | 一种Ti3AlC2复合材料增强剂的制备方法 | |
CN1919793A (zh) | 放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |