CN1179917C - 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法 - Google Patents

以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1179917C
CN1179917C CNB031281826A CN03128182A CN1179917C CN 1179917 C CN1179917 C CN 1179917C CN B031281826 A CNB031281826 A CN B031281826A CN 03128182 A CN03128182 A CN 03128182A CN 1179917 C CN1179917 C CN 1179917C
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
discharge plasma
block material
adjuvant
plasma sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031281826A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1460659A (zh
Inventor
朱教群
梅炳初
徐学文
刘俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CNB031281826A priority Critical patent/CN1179917C/zh
Publication of CN1460659A publication Critical patent/CN1460659A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1179917C publication Critical patent/CN1179917C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

一种以Si为助剂放电等离子烧结单相致密Ti3AlC2材料的方法。该方法以Ti、C、Si和Al为原料,按四种原料的摩尔比为Ti∶C∶Al∶Si=3∶2∶0.95~1.05∶0.15~0.25配料。原料混合均匀后,在放电等离子烧结系统的真空室中烧结,烧结温度为1100~1250℃,保温时间10~30分钟,压力为20~80MPa。本法制得产物中Ti3AlC2含量高达98wt%以上,块体材料的致密度达到99%,本发明的工艺简单,是一种制备Ti3AlC2材料的新工艺。

Description

以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法
技术领域
本发明涉及新型陶瓷碳化铝钛(Ti3AlC2)材料的制备,特别涉及一种以Si作为反应助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法。
背景技术
Ti3AlC2是一种上世纪九十年代才被发现的新型层状三元化合物。它兼具有金属和陶瓷的许多优点,如优异的导电、导热性,可加工性,良好的抗破坏能力,高熔点,高模量(杨氏模量297GPa,剪切模量124GPa),高强度和低密度(4.25g/cm3)等。这是一种能广泛应用于电子信息、新能源、航空航天等高技术领域的新型结构/功能材料。但Ti3AlC2的制备困难一直限制了它的研究和应用。文献(1)J.Am.Ceram.Soc.,83,No.4,2000.以Ti、Al4C3和石墨的混合粉末为原料,在1400℃,70MPa下热压16小时,得到致密的Ti3AlC2块体材料。由于Al4C3粉末吸附了较多水分,最后的反应产物中包含有4%的Al2O3。文献(2)J.Euro.Ceram.Soc.23,2003.以Al粉、Ti粉和石墨为原料,采用燃烧合成方法制备了Ti3AlC2材料,反应产物中包含有大量的杂质相Ti2AlC和TiC。文献(3)J.Mater.Chem..12,No.3,2002.以Al粉、Ti粉和石墨为原料,在1500℃,25MPa下热压5小时,产物经过热处理可得到单相致密的Ti3AlC2块体材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单相致密Ti3AlC2块体材料的制备新方法。
为了实现本发明目的,提供一种放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法,该方法以Si为助剂,并按以下步骤制备:1)以Ti粉,Si粉,Al粉和石墨为原料,四种原料按摩尔比Ti∶Al∶Si∶C=3∶0.95~1.05∶0.15~0.25∶2配料,2)原料粉末混合均匀后,装入石墨模具中,在放电等离子烧结系统(Dr SINTER1050)中的真空环境下进行烧结,以50~200℃/min的升温速率升温至1100~1250℃,在20~80℃MPa的轴向压力下保温10~30分钟。
本发明的实质是利用一种反应制备Ti3SiC2材料。由于Al的熔点低,在较低温度下,Al会熔化并和Si一起形成的Al-Si液相合金,促进的反应合成。由内标法测定烧结产物中Ti3AlC2含量高达98wt%以上,由Archimedes法测得Ti3AlC2块体材料的致密度达到99%。
本发明的创新之处在于掺加少量的Si抑制Ti2AlC的生成,同时原始粉料中以TiC取代元素单质粉Ti和C可以减少反应产物中TiC的含量。整个制备过程选用的原材料简单,充分利用了烧结工艺的特点使原料之间产生高温自蔓延反应,从而使合成能在很短的时间内完成。
附图说明
图1为本方法制备的产物Ti3AlC2试样的X-射线衍射图谱。
具体实施方式
下面通过实施例详述本发明。
实施例1
原料粉末按摩尔比为Ti∶C∶Al∶Si=3∶2∶0.95∶0.25混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为80℃/min,烧结温度为1100℃,压力为30MPa,保温10分钟。块体材料的致密度为99%,Ti3AlC2含量为98wt%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥750MPa,三点弯曲强度σb≥370MPa,KIC≥5MPa·m1/2
实施例2
原料粉末按摩尔比为Ti∶C∶Al∶Si=3∶2∶1.05∶0.15混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为80℃/min,烧结温度为1250℃,压力为60MPa,保温30分钟。块体材料的致密度为99.5%,Ti3AlC2含量为99wt%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥750MPa,三点弯曲强度σb≥370MPa,KIC≥5MPa·m1/2

Claims (1)

1.一种放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法,其特征在于:以Si为助剂并按以下步骤制备:
1)以Ti粉,Si粉,Al粉和石墨为原料;按四种原料的摩尔比为Ti∶Al∶Si∶C=3∶0.95~1.05∶0.15~0.25∶2配料,
2)原料粉末混合均匀后,置于石墨模具中,在放电等离子烧结系统中的真空环境下进行烧结。以50~200℃/min的升温速率升至1100~1250℃,在20~80MPa的轴向压力下保温10~30分钟。
CNB031281826A 2003-06-20 2003-06-20 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法 Expired - Fee Related CN1179917C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031281826A CN1179917C (zh) 2003-06-20 2003-06-20 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031281826A CN1179917C (zh) 2003-06-20 2003-06-20 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1460659A CN1460659A (zh) 2003-12-10
CN1179917C true CN1179917C (zh) 2004-12-15

Family

ID=29591142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031281826A Expired - Fee Related CN1179917C (zh) 2003-06-20 2003-06-20 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1179917C (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100357179C (zh) * 2005-04-29 2007-12-26 北京交通大学 一种钛铝碳化物粉料及其以锡为反应助剂的合成方法
CN100460362C (zh) * 2006-06-30 2009-02-11 中国科学院金属研究所 瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺
CN100439291C (zh) * 2006-08-18 2008-12-03 中国科学院金属研究所 扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺
CN100465134C (zh) * 2007-02-09 2009-03-04 上海大学 低温无压烧结制备致密Ti3AlC2陶瓷的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1460659A (zh) 2003-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100506692C (zh) 一种高纯Ti2AlC粉体材料的制备方法
CN106834878B (zh) 一种微波烧结制备内生性高熵合金基复合材料的方法
CN1211312C (zh) 陶瓷复合材料和多孔陶瓷材料及其生产方法
Sato et al. Reaction synthesis of Ti3SiC2 from mixture of elemental powders
WO1997018162A9 (en) Synthesis of 312 phases and composites thereof
CN105734390A (zh) 一种高熵合金结合的立方氮化硼聚晶复合材料的制备方法
CN1273410C (zh) 原位热压合成致密Ti3SiC2-Al2O3复合块体材料的方法
US5773733A (en) Alumina-aluminum nitride-nickel composites
CN100418923C (zh) 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法
CN109180161A (zh) 一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法
CN105777162A (zh) 一种掺杂Y2O3的BaZrO3耐火材料
CN1179918C (zh) 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法
CN1179917C (zh) 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法
JP2002128569A (ja) 高熱伝導窒化ケイ素セラミックス並びにその製造方法
CN101824576A (zh) 一种锆铝硅碳-碳化硅复合材料及其制备方法
JPH02129070A (ja) 炭化珪素粉末と共に充填されたオルガノポリシロキサンからのひじょうに強化された物体
JP3906361B2 (ja) 金属性セラミック粉末の製造法
CN1179916C (zh) 以Al为助剂原位热压反应制备单相致密碳化硅钛块体材料的方法
JP4362582B2 (ja) 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法
KR100882923B1 (ko) 기계가공성을 갖는 Cr₂AlC 소결체의 저가 제조방법
JP5308296B2 (ja) チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法
Rangaraj et al. Reactive hot pressing of titanium nitride–titanium diboride composites at moderate pressures and temperatures
JP2002285258A (ja) 金属−セラミックス複合材料及びその製造方法
CN1422827A (zh) 一种氮化物/氧化铝基复合陶瓷材料及其制备工艺
JPS5925751B2 (ja) 緻密質窒化珪素磁器の製造法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee