CN117940613A - 带镀膜的端子材及端子材用铜板 - Google Patents
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Abstract
一种带镀膜的端子材，其可用作电连接用端子或连接器用触头，所述带镀膜的端子材具有由铜或铜合金构成的基材和形成于该基材上的镀膜，镀膜具有由锡或锡合金构成的锡层，通过EBSD法对从基材与镀膜的界面起沿基材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，基材的板厚中心部的中心部KAM值为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜的密接性优异的带镀膜的端子材及端子材用铜板。本申请基于2021年9月2日在日本申请的专利申请2021-142948号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
在由铜或铜合金构成的板材上实施镀锡而获得的带镀膜的端子材可用作电连接用端子或连接器用触头的材料。
例如，在专利文献1中记载有一种镀Sn铜合金材料，其以含有0.3％～15质量％的Ni的铜合金为母材，在其表面具有基于回流焊或熔融镀Sn的Sn镀层，该Sn镀层由距表层侧起厚度0.5μm以下的Sn层和平均截面直径为0.05～1.0μm且平均纵横比为1以上的柱状晶体的Cu-Sn合金层构成，该Sn镀层(Sn层和Cu-Sn合金层)的厚度为0.2～2.0μm。
在专利文献2中记载有一种弯曲性和插拔性优异的连接器用镀敷材料，其由厚度0.3～1.0μm的镀合金的中间层和经回流焊处理的镀Sn或Sn合金表层构成，所述中间层相对于铜或铜合金的母材含有2～10质量百分比的磷且其余部分由镍及不可避免的杂质构成，该中间层通过在阴极电流密度2～20A/dm2的条件下进行镀敷而成。
在专利文献3中公开了一种铜合金板，其为了提高Ni-P-Sn系铜合金板的镀锡密接性，在完成热处理之后通过机械研磨使表面清洁化，并使表层的加工变质层的厚度为0.4μm以下。
专利文献1：日本特开2002-298963号公报
专利文献2：日本特开2001-181888号公报
专利文献3：日本特开2010-236038号公报
实施镀锡的这些镀敷材也用作汽车的连接器用触头，根据汽车的使用环境，剧烈的振动或热被施加到连接器，因此有时镀层的密接力不足会成为问题。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种带镀膜的端子材及端子材用铜板，其不仅提高制造初期的密接性，而且即使在使用时施加了热负载时也可防止镀膜的剥离而提高耐热性，并且也可抑制弯曲加工时的裂纹的产生。
本发明的带镀膜的端子材具有由铜或铜合金构成的基材和形成于该基材上的镀膜，
所述镀膜具有由锡或锡合金构成的锡层，
通过EBSD法对从所述基材与所述镀膜的界面起沿所述基材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，所述基材的板厚中心部的中心部KAM值为所述表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
KAM(Kernel Average Misorientation：内核平均取向差)值为通过EBSD(Electron Back Scattered Diffraction：电子背散射衍射)法测量的相邻的测量点之间的取向差的平均值，并且表示晶体取向的局部变化，KAM值越大，表示应变越大。
在该带镀膜的端子材中，表面部KAM值设定得比中心部KAM值大，因此该带镀膜的端子材处于在基材中的与镀膜的界面附近选择性地赋予应变的状态，该界面附近的强度得到提高，镀膜的密接力会增大。在表面部KAM值小于0.15°时，应变较小且界面附近的强度差，因此无法期待密接力的提高。若为0.90°以上，则应变变得过大，由于该影响导致基材的铜与被膜中的锡的相互扩散速度变得过快而诱发柯肯达尔空洞(Kirkendall void)，从而密接性会降低。
并且，中心部KAM值为基材原始的KAM值，与表面部KAM值相比相对较低，在不损害基材原始的物性的情况下仅对表面部选择性地赋予应变。在该中心部KAM值小于表面部KAM值的0.1倍时，对表面的应变的赋予相对于基材的内部变得过多，在施加弯曲加工时，应力集中在表面附近而镀敷容易剥离。若大于0.6倍，则应变的积蓄会波及到基材内部，因此在实施弯曲加工时，基材容易产生裂纹。
这些KAM值即使在高温环境下变化也较小，不仅提高制造初期的密接性，而且即使在使用时施加了热负载时也可防止镀膜的剥离而提高耐热性，并且也可抑制弯曲加工时的裂纹的产生。
在该带镀膜的端子材中，所述表面部的平均晶体粒径可以为0.5μm以上且3.0μm以下。
若表面部的平均晶体粒径较大，则抑制镀膜中的锡向基材的铜的扩散，从而铜与锡的相互扩散均衡而能够抑制柯肯达尔空洞的产生，其结果有效防止镀膜的剥离。
若该平均晶体粒径微细到小于0.5μm，则缺乏抑制锡的扩散的效果，若大于3.0μm，则反而铜的扩散变多而有可能产生空洞。
并且，所述中心部的平均晶体粒径可以大于所述表面部的平均晶体粒径，并且为1.5μm以上且10μm以下。
在本发明的带镀膜的端子材中，所述基材可以为含有0.2质量％以上且2.0质量％以下的Mg的含Mg铜合金。
含Mg铜合金通常由于强度高而适合于端子材，但是它们本身缺乏镀膜的密接性。通过采用本发明的端子材，能够提高镀膜的密接性。
本发明的端子材用铜板为由铜或铜合金构成的板材，通过EBSD法对从表面起沿板材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，所述板材的板厚中心部的中心部KAM值为所述表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
若对该端子材用铜板实施镀敷，则与该镀膜的密接性良好，能够抑制剥离。
对于该端子材用铜板而言，可以为含有0.2质量％以上且2.0质量％以下的Mg的含Mg铜合金板。
含Mg铜合金通常由于强度高而适合于端子材，但是它们本身缺乏镀膜的密接性。通过应用本发明，能够提高镀膜的密接性。
根据本发明，通过将表面部KAM值及表面部与中心部的KAM值的比率设在规定范围内，提高镀膜的密接性，不仅提高制造初期的密接性，而且即使在使用时施加了热负载时也可防止镀膜的剥离而提高耐热性。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的镀膜端子材的第一实施方式的剖视图。
图2是示意性地表示本发明的镀膜端子材的第二实施方式的剖视图。
具体实施方式
对本发明的实施方式进行说明。
如图1所示，第一实施方式的带镀膜的端子材1为如下的端子材：在基材2的表面形成有镀膜3，该基材2的表面部S1的KAM值(称为表面部KAM值)及表面部KAM值与板厚中心部的中心部KAM值的比率被设定在特定的范围内。
[基材]
基材2为由铜或铜合金构成的板材(端子材用铜板)，并且可以含有0.2质量％以上且2.0质量％以下的Mg。例如，由于含Mg铜合金的机械强度较高，因此能够优选使用，该含Mg铜合金包含0.3质量％以上且1.2质量％以下的Mg和0.001质量％以上且0.2质量％以下的P，其余部分由Cu及不可避免的杂质构成。也能够应用包含大于1.2质量％且2.0质量％以下的Mg且其余部分由Cu及不可避免的杂质构成的含Mg铜合金。作为这种含Mg铜合金，可以举出Mitsubishi Materials Corporation制的含有Mg的铜合金“MSP”系列(MSP1、MSP5、MSP8)。
关于该基材2，通过EBSD法对从其表面起深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，基材2的板厚中心部的KAM值(称为中心部KAM值)为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
并且，关于该基材2，表面部(从表面起深度1μm的范围)的平均晶体粒径为0.5μm以上且3.0μm以下，中心部的平均晶体粒径大于所述表面部的平均晶体粒径，优选为1.5μm以上且10μm以下。
关于这些晶体粒径，使用与KAM值的测量相同的EBSD法进行测量。
基于EBSD法的KAM值及晶体粒径的测量以如下方式实施。
在使用耐水研磨纸、金刚石磨粒对沿着基材2的轧制方向(RD方向)且包括镀膜3的纵截面(向TD方向观察的面)进行机械研磨之后，使用Ar离子截面加工装置(Hitachi High-Tech Corporation.制的离子研磨装置IM4000)进行了测量面的加工。在使用了用于算出内核平均取向差(Kernel Average Misorientation，KAM)及晶体粒径的电子背散射衍射的晶体取向测量中，使用了EBSD测量装置(Hitachi High-Tech Corporation.制的扫描电子显微镜SU5000、EDAX/TSL公司制的OIM Data Collection)和分析软件(EDAX/TSL公司制的OIMData Analysis ver.7.3)。EBSD测量装置的电子束的加速电压为15kV，测量视场为3μm×5μm(镀敷厚度方向×镀敷面水平方向)，晶体取向测量的测量点间隔(Step Size：步长)为0.01μm。使用分析软件对由EBSD测量装置获得的数据进行处理，并将相邻的测量点之间的晶体取向之差为5°以上的部位视为晶界来测量KAM值及晶体粒径。
分别算出从基材2与镀膜3的界面起沿基材的厚度方向深度1μm的范围和基材的板厚中心部的晶体粒径及KAM值的平均值。
[镀膜]
在本实施方式中，形成于基材2上的镀膜3具有由铜和锡的合金构成的铜锡合金层4和其上的由锡或锡合金构成的锡层5。另外，在图1等中仅放大示出基材2的单面，但是存在镀膜3仅形成于基材2的单面的情况和形成于基材2的双面的情况。
镀膜3的各层4、5的厚度并无特别限定，例如铜锡合金层4的厚度形成为0.1μm～1.5μm，锡层5的厚度形成为0.1μm～3.0μm。
另外，表面部KAM值为从基材2与铜锡合金层4的界面起沿基材2的厚度方向至深度1μm为止的范围内的值，并且为在厚度1μm的部分测量的KAM值的平均值。在图1中由符号S1表示的范围为表面部，由B1表示的位置为表面部S1与镀膜3的界面。
另外，也有时在基材2与铜锡合金层4之间根据需要形成由镍或镍合金构成的镍层。在图1中示出不具有镍层的实施方式，在图2中示出具有镍层的第二实施方式。
在该图2所示的第二实施方式的带镀膜的端子材11中，关于形成于基材2的表面的镀膜6，依次形成有由镍或镍合金构成的镍层7、由铜和锡的合金构成的铜锡合金层4及由锡或锡合金构成的锡层5。镍层7能够防止来自基材2的铜的扩散，提高耐热性。
在具有该镍层7的带镀膜的端子材11中，从基材2与镍层7的界面B2起沿基材2的厚度方向深度1μm的范围S2的KAM值为表面部KAM值，该范围S2的晶体粒径为表面部的晶体粒径。
这些表面部KAM值、表面部的晶体粒径、中心部KAM值及中心部的晶体粒径与不具有镍层的带镀膜的端子材1的情况相同。
[制造方法]
对制造如上述构成的带镀膜的端子材1的方法进行说明。以下，以图1所示的带镀膜的端子材1的制造方法为中心进行说明，根据需要对图2所示的带镀膜的端子材11的制造方法进行说明。
(基材制造工序)
对由铜或铜合金构成的铜铸块实施热轧、冷轧、退火、精冷轧等来制造铜母板，并对该铜母板实施表面加工，从而制造基材(本发明的端子材用铜板)。
该表面加工为通过对铜母板的表面进行机械加工来对表面部S1选择性地赋予应变的加工。具体而言，优选为湿式喷砂法。
湿式喷砂法为通过将水与研磨剂的混合液(浆料)喷射到铜母板的表面而对表面进行加工的方法。由于研磨剂与水混合，因此研磨剂和从铜母板的表面刮取的粒子也与水一起流动而不会残留在铜母板的表面。优选使用球状磨粒作为研磨剂。
在干式喷砂法中，研磨剂有时会渗入铜母板的表面而残留，因此不优选。
并且，也能够实施抛光研磨等机械研磨。其中，在抛光研磨等机械研磨的情况下，铜母板的表面容易成为微细组织且晶体粒径及KAM值不会成为所期望的值。在通过抛光研磨对表面赋予应变的情况下，需要通过蚀刻等去除微细组织等的后加工。湿式喷砂法也不需要后加工。
在通过该湿式喷砂法对铜母板的表面部S1赋予应变之后，根据需要实施化学研磨处理。
在化学研磨处理中，例如使用硫酸浓度50g/L、过氧化氢浓度5g/L、氯化物离子浓度30mg/L的溶液(化学研磨液)，在浴温30℃对铜母板进行1分钟的浸渍处理。在通过实施该化学研磨处理过度赋予应变的情况下，去除应变过度部分。关于是否过度赋予应变，能够根据以下的基于EBSD法的KAM值的测量结果来判断。
由于应变过度部分位于铜母板的表面，因此能够通过以适当的厚度对铜母板进行化学研磨来去除。在化学研磨处理中，除了将铜母板浸渍于化学研磨液中的处理以外，也能够通过向铜母板喷雾喷射化学研磨液等的方法来进行。
关于以上述方式对铜母板实施表面加工的基材2(端子材用铜板)，通过EBSD法对从其表面起深度1μm的范围内的表面部S1进行测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，基材2的板厚中心部的中心部KAM值为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。另外，中心部KAM值与铜母板的厚度中心部的KAM值大致相同。该厚度中心部为在厚度方向上从表面起到总厚度的40％的位置与到总厚度的60％的位置之间的区域。
另外，关于基材2的表面部KAM值及中心部KAM值，在对基材2形成镀膜3之前和之后测量值没有变化。
并且，该基材2的表面部S1的平均晶体粒径为0.5μm以上且3.0μm以下，中心部的平均晶体粒径大于表面部S1的平均晶体粒径，并且大多为1.5μm以上且10μm以下。
(镀敷处理工序)
接着，进行镀敷处理以在该基材2的表面形成镀膜3。
作为镀敷处理，在通过对基材2的表面进行脱脂、酸洗等处理来去除污垢及自然氧化膜之后，在其上依次实施镀铜处理、镀锡处理，并进行回流焊处理。另外，镀层形成于基材2的双面。
镀铜处理只要使用通常的镀铜浴即可，例如能够使用以硫酸铜(CuSO4)及硫酸(H2SO4)为主成分的硫酸铜浴等。镀敷液的温度为20～50℃，电流密度为1～30A/dm2。
作为用于形成镀锡层的镀敷液，只要使用通常的镀锡浴即可，例如能够使用以硫酸(H2SO4)和硫酸第一锡(SnSO4)为主成分的硫酸浴。镀敷液的温度为15～35℃，电流密度为1～30A/dm2。
在回流焊处理中，在设为还原性气氛的加热炉内，例如以240℃～300℃对镀敷后的处理材加热3秒～15秒钟之后进行冷却。
通过该回流焊处理，在镀锡层熔融为止的期间，镀铜层的铜优先向锡的晶界中扩散而生成金属间化合物，从而形成铜锡合金层4。镀锡层会残留一部分，在铜锡合金层4上形成锡层5，从而在基材2的表面形成由铜锡合金层4、锡层5构成的镀膜3。并且，由于镀铜层会残留一部分，有时在铜锡合金层与基材之间形成铜层。此时，铜层的晶体组织以转印基材的表面状态的方式生长，因此在形成镀膜3之后测量表面部KAM值的情况下，可以在从铜锡合金层与铜层的界面起沿厚度方向深度1μm的范围内的表面部测量KAM值作为表面部KAM值。
另外，镍层7根据需要形成于基材2的表面，但是在设置该镍层7的情况下，在镀铜处理之前进行镀镍处理。用于形成镀镍层的该镀镍处理只要使用通常的镀镍浴即可，例如能够使用以硫酸(H2SO4)和硫酸镍(NiSO4)为主成分的硫酸浴。镀敷液的温度为20℃以上且60℃以下，电流密度为5～60A/dm2。
镀镍层的膜厚例如为0.05μm以上且1.0μm以下。
在该带镀膜的端子材1中，表面部KAM值设定得比中心部KAM值大，因此该带镀膜的端子材1处于在基材2与镀膜3的界面B1附近选择性地赋予应变的状态，该界面附近的强度得到提高而接合部的强度得到提高，其结果镀膜3的密接力会增大。在表面部KAM值小于0.15°时，应变较小且界面附近的强度差，因此无法期待密接力的提高。若为0.90°以上，则基材2的铜与镀膜3中的锡的相互扩散速度变得过快而诱发柯肯达尔空洞，从而密接性会降低。
并且，中心部KAM值为基材2原始的KAM值，与表面部KAM值相比相对较低，在不损害基材2原始的物性的情况下仅在表面部S1选择性地赋予应变。在该中心部KAM值小于表面部KAM值的0.1倍时，对表面的应变的赋予相对于基材的内部变得过多，在施加弯曲加工时，应力集中在表面附近而镀敷容易剥离。若大于0.6倍，则应变的积蓄会波及到基材内部，因此在实施弯曲加工时，基材容易产生裂纹。
此时，KAM值即使在高温环境下变化也较小，不仅提高制造初期的密接性，而且即使在使用时施加了热负载时也可防止镀膜的剥离而提高耐热性，并且也可抑制弯曲加工时的裂纹的产生。
表面部KAM值的优选的值为0.30°以上且0.60°以下，中心部KAM值与表面部KAM值的比率优选为0.2倍以上且0.4倍以下。
另外，不仅基材2的表面部S1的KAM值被设定为较大的值，而且整体的KAM值被设定为较大的值，这例如通过增大轧制时的压下率等来实现，但是此时，基材2原始的材料特性也会发生变化，因此不优选。
并且，若表面部S1的平均晶体粒径较大，则抑制镀膜3中的锡向基材2的铜的扩散，从而铜与锡的相互扩散均衡而能够抑制柯肯达尔空洞的产生，其结果有效防止镀膜3的剥离。
若该平均晶体粒径微细到小于0.5μm，则缺乏抑制锡的扩散的效果，若大于3.0μm，则相反铜的扩散变多而有可能产生空洞。因此，表面部S1的平均晶体粒径优选为0.5μm以上且3.0μm以下，更优选为0.6μm以上且1.5μm以下。
另外，在实施方式中，作为基材2的含Mg铜合金，例示出Mitsubishi MaterialsCorporation制的“MSP”系列(MSP1、MSP5、MSP8)，但是也可以使用同样为MitsubishiMaterials Corporation制的铜合金且除了含Mg铜合金以外的Cu-Ni-Si系合金(MAX2251)、Cu-Fe-P系合金(TAMAC194)、Cu-Zr系合金(C151)、Cu-Cr-Zr系合金(MZC1)、Cu-Zn-Ni-Sn系合金(MNEX10)。
实施例
关于表面部的KAM值和平均粒径的控制，通过依次实施基于物理处理的适当的应变赋予处理和用于去除应变过度部分的化学研磨处理来实现。
准备表1所示的组成的铜合金的板材作为基材，通过对表面进行湿式喷砂处理来实施应变赋予处理，并对其实施了化学研磨处理，所述化学研磨处理在进行用于去除喷砂处理中所使用的研磨磨粒的碱性电解脱脂之后，选择性地去除应变过度部分。作为比较例，制作了未进行湿式喷砂处理的板材、仅实施湿式喷砂处理而未进行化学研磨处理的板材。之后，对该板材进行酸洗，并实施了镀铜。根据样品，在镀镍之后实施了镀铜。在该镀铜之后实施镀锡并进行回流焊处理，从而制作了表1所示的各样品。
此时，镀锡层的厚度为1μm，镀铜层的厚度为0.5μm，镀镍层的厚度为0.5μm。在实施例1～实施例9中，在空气压力0.4MPa、投射角45°的条件下喷射含有浓度5体积％的粒子尺寸40μm的球形氧化锆的浆料，进行湿式喷砂处理。
在化学研磨处理中，使用硫酸浓度50g/L、过氧化氢浓度5g/L、氯化物离子浓度30mg/L的溶液，在浴温30℃进行1分钟的浸渍处理，从而去除了应变过度部分。
基材的中心部的KAM值及晶体粒径取决于所准备的基材本身的KAM值及晶体粒径，因此准备了KAM值及晶体粒径不同的材料的基材。关于表面部的KAM值及晶体粒径，由于通过所准备的基材和应变赋予处理及化学研磨处理来确定，因此以成为所期望的KAM值及晶体粒径的方式调整了湿式喷砂处理及化学研磨处理的时间。
[表1]
关于这些样品，通过前述方法分别测量表面部及中心部的KAM值及晶体粒径，并实施了密接性试验。
[KAM值及晶体粒径的测量]
在使用耐水研磨纸、金刚石磨粒对沿着各试样的轧制方向(RD方向)且包括镀层的纵截面(向TD方向观察的面)进行机械研磨之后，使用Ar离子截面加工装置(Hitachi High-Tech Corporation.制的离子研磨装置IM4000)进行了测量面的加工。在使用了用于计算内核平均取向差(Kernel Average Misorientation，KAM)及晶体粒径的电子背散射衍射的晶体取向测量中，使用了EBSD测量装置(Hitachi High-Tech Corporation.制的扫描电子显微镜SU5000、EDAX/TSL公司制的OIM Data Collection)和分析软件(EDAX/TSL公司制的OIMData Analysis ver.7.3)。EBSD测量装置的电子束的加速电压为15kV，测量视场为3μm×5μm(镀敷厚度方向×镀敷面水平方向)，晶体取向测量的测量点间隔(Step Size：步长)为0.01μm。使用分析软件对由EBSD测量装置获得的数据进行处理，并将相邻的测量点之间的晶体取向之差为5°以上的部位视为晶界来测量了KAM值及晶体粒径。
关于晶体粒径，根据晶粒的长径(在中途不与晶界接触的条件下向晶粒内拉得最长的直线的长度)和短径(在与长径呈直角相交的方向上，在中途不与晶界接触的条件下向晶粒内拉得最长的直线的长度)的平均值来算出。
关于KAM值，算出晶粒内的特定的测量点与同一晶粒内的相邻的测量点之间的取向差的平均值，并根据配置于测量视场内的所有晶粒内的平均值来算出。
算出从与镀膜的界面起沿基材的厚度方向深度1μm的范围和基材的板厚的中心部各自的KAM值及晶体粒径的平均值。
[密接性试验]
在大气气氛中，在150℃的温度下对样品加热240小时之后，通过JIS H 8504的胶带试验方法对镀膜的密接性进行了评价。并且，为了严格进行试验，在贴胶带之前用锋利的刀具在镀膜面上切取边长为2mm的正方形的切口，然后贴附了胶带。剥离胶带，将镀膜粘在胶带上而从原材料剥离(整体的50％以上剥离)的样品设为“D”，将镀膜从原材料剥离一定量(小于整体的50％且5％以上)的样品设为“C”。将镀膜从原材料剥离但为微小剥离(小于整体的5％)的样品设为“B”，将镀膜没有粘在胶带上而未剥离的样品设为“A”。若评价为“C”以上，则实用上没有问题。
[弯曲加工性试验]
关于弯曲加工性，将试样沿BadWay：轧制垂直方向切割成宽度10mm×长度60mm，按照JIS Z 2248中所规定的金属材料弯曲试验方法，以弯曲半径R与按压配件的厚度t之比R/t＝1进行180°弯曲试验，并用光学显微镜以倍率50倍观察了在弯曲部的表面及截面上是否确认到裂纹等。将未确认到裂纹等且表面状态在弯曲的前后也没有太大变化的样品设为“A”，将虽然确认到表面的光泽降低等状态变化但无法确认到裂纹的产生的样品设为“B”，将虽然确认到裂纹但未确认到镀敷剥离的样品设为“C”，将确认到镀敷本身的剥离的样品设为“D”。
另外，对加热样品之后的密接性进行了评价，但是只要加热后的密接性的评价良好，则可以说加热之前即刚制造之后的密接性也优异，因此未实施加热前的试验。
[表2]
如表2所示，可知表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°、中心部KAM值为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下的实施例的样品的密接性试验的评价均为“C”以上，加热后的镀膜的密接性优异。弯曲加工性为“C”以上而弯曲加工性也优异。其中，表面部的平均粒径为0.5μm以上且3.0μm以下的实施例5～实施例9的密接性试验的评价为“B”以上，较为优异。这些实施例5～实施例9的中心部的平均晶体粒径在1.5μm以上且10μm以下的范围内。并且，具有镍层的实施例5的密接性试验的评价为“A”，尤其优异。
另外，如上述，对样品进行加热之前即刚制造之后的密接性成为比表2的密接性试验结果优异的结果。
相对于此，在比较例1中，表面部KAM值较小，为0.10°，并且中心部KAM值与表面部KAM值的倍率较大，为0.7倍，相反在比较例2中，表面部KAM值较大，为1.00°，KAM值的倍率较小，为0.05，在比较例3中，表面部KAM值较大，为1.50°，KAM值的倍率也较大，为10.0倍，因此在密接性试验中均确认到镀膜的剥离。在比较例1中，由于中心部KAM值与表面部KAM值的倍率较大，因此在弯曲加工时也产生裂纹而较差。
并且，在比较例4～比较例5中，虽然表面部KAM值在0.15°以上且小于0.90°的范围内，但是在比较例4及比较例5中，中心部KAM值与表面部KAM值的倍率均较大，在弯曲加工时产生裂纹而较差。并且，在比较例2和比较例6中，由于其倍率较小，为0.05倍、0.07倍，因此由于弯曲加工时的影响导致镀敷的剥离产生。相反，在比较例7及比较例8中，中心部KAM值与表面部KAM值的倍率为0.1倍以上且0.6倍以下，但是在比较例7中，表面部KAM值较小，为0.12，在比较例8中，表面部KAM值较大，为1.00，因此分别在密接性试验中确认到镀膜的剥离。
产业上的可利用性
作为具有镀膜的电连接用端子或连接器用触头的材料，能够提供一种带镀膜的端子材及端子材用铜板，其不仅提高制造初期的密接性，而且即使在使用时施加了热负载时也可防止镀膜的剥离而提高耐热性，并且也可抑制弯曲加工时的裂纹的产生。
符号说明
1、11带镀膜的端子材
2 基材
3、6 镀膜
4 铜锡合金层
5 锡层
7 镍层
S1、S2表面部
B1、B2界面
Claims (6)
1.一种带镀膜的端子材，其特征在于，
具有由铜或铜合金构成的基材和形成于该基材上的镀膜，
所述镀膜具有由锡或锡合金构成的锡层，
通过EBSD法对从所述基材与所述镀膜的界面起沿所述基材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，所述基材的板厚中心部的中心部KAM值为所述表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
2.根据权利要求1所述的带镀膜的端子材，其特征在于，
所述表面部的平均晶体粒径为0.5μm以上且3.0μm以下。
3.根据权利要求2所述的带镀膜的端子材，其特征在于，
所述中心部的平均晶体粒径大于所述表面部的平均晶体粒径，并且为1.5μm以上且10μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的带镀膜的端子材，其特征在于，
所述基材为含有0.2量％以上且2.0质量％以下的Mg的含Mg铜合金。
5.一种端子材用铜板，其特征在于，
所述端子材用铜板为由铜或铜合金构成的板材，通过EBSD法对从表面起沿板材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，所述板材的板厚中心部的中心部KAM值为所述表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
6.根据权利要求5所述的端子材用铜板，其特征在于，
所述端子材用铜板为含有0.2质量％以上且2.0质量％以下的Mg的含Mg铜合金。
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