CN117858531A - 复合材料、光电器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供复合材料、光电器件及其制备方法，涉及显示领域。本发明提供复合材料，复合材料包括金属氧化物和甘油基金属化合物。本发明提供的复合材料的热稳定性好。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及复合材料、光电器件及其制备方法。
背景技术
目前的金属氧化物在光照和高温(>60℃)条件下的储存稳定性较差，导致金属氧化物的使用场景受限。经分析，导致金属氧化物在光照和高温下储存稳定性较差的主要原因为金属氧化物的热稳定性和光稳定性较差。
一方面，当储存温度高于60℃时，金属氧化物容易发生老化，导致材料性能下降；另一方面是由于在光照下，金属氧化物容易发生光水合反应，使材料失效。
发明内容
本发明的目的在于提供复合材料，该复合材料的热稳定性好。
本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：
本发明提供复合材料，复合材料包括金属氧化物和甘油基金属化合物。
可选的，在本发明的一些实施例中，复合材料由金属氧化物和甘油基金属化合物组成。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物中的金属元素选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种；和/或
金属氧化物选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物为甘油锌。
可选的，在本发明的一些实施例中，金属氧化物为金属氧化物纳米颗粒，金属氧化物纳米颗粒的平均粒径为3～5nm。
可选的，在本发明的一些实施例中，金属氧化物和/或甘油基金属化合物的表面键结有疏水基团。
可选的，在本发明的一些实施例中，疏水基团选自于乙烯基、硝基、卤素原子中的一种或多种。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物与金属氧化物之间的摩尔比为1～9：100。
另外，本发明提供光电器件，光电器件包括阴极、阳极和设于所述阴极和所述阳极之间的功能层，功能层包括电子传输层，电子传输层包括上述的复合材料。
可选的，在本发明的一些实施例中，功能层还包括发光层，所述发光层设置于所述电子传输层与所述阳极之间；
其中，阴极的材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种，其中，金属材料选自于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种，碳材料选自于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种，金属氧化物选自于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；和/或
发光层的材料选自于单一组分和/或核壳结构的II-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的III-V族化合物、单一组分和/或核壳结构的IV-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的I-III-VI族化合物、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点、有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；
其中，II-VI族化合物选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中的一种或多种，IV-VI族化合物选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的一种或多种，I-III-VI族化合物选自于CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的一种或多种；
无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；
有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；
有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中，B选自有机胺阳离子，有机胺阳离子选自于CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；和/或
阳极的材料选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。
另外，本发明提供光电器件的制备方法，包括：
提供第一基板和第一成膜溶液，第一基板包括阳极和发光层，第一成膜溶液包括溶剂和溶质，溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在发光层的远离阳极的一侧沉积第一成膜溶液，形成电子传输层；以及
在电子传输层上形成阴极；
或者
提供设置有阴极的第二基板和第二成膜溶液，第二成膜溶液包括溶剂和溶质，溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在阴极上沉积第二成膜溶液，形成电子传输层；以及
在电子传输层上依次形成发光层和阳极。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物中的金属元素选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种；和/或
金属氧化物选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物为甘油锌。
可选的，在本发明的一些实施例中，甘油基金属化合物与金属氧化物之间的摩尔比为1～9：100；和/或
第一成膜溶液中的溶剂选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种；和/或
第二成膜溶液中的溶剂选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种。
相对于现有技术，本发明包括以下有益效果：
本发明提供的复合材料中，甘油金属氧化物的引入，能够有效地提高复合材料的热稳定性，使复合材料即使经过60℃以上高温储存或在60℃以上的高温下工作时仍然能够保持良好的性能。此外，甘油基金属化合物还具有无毒无害、环境友好以及成本低廉等优点，有利于大规模的量产应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是实施例6中硝基在ZnO表面键结的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供的技术方案将在以下内容进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本发明的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语“第一”、“第二”等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。
本发明提供复合材料，复合材料包括金属氧化物和甘油基金属化合物。
通过金属氧化物与甘油基金属化合物的配合，能够提升复合材料的热稳定性与储存稳定性。将复合材料应用至光电器件的电子传输层中时，光电器件在效率和寿命等性能方面表现更加优秀。
在一些实施例中，甘油基金属化合物中的金属元素可以选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种。即甘油金属化合物可以选自甘油锌、甘油锡、甘油铟、甘油铁、甘油铬、甘油钛、甘油钨、甘油镉、甘油铜、甘油钼中的一种或多种。
在一些实施例中，电子传输材料可以选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
优选地，甘油基金属化合物为甘油锌。
在一些实施例中，金属氧化物为金属氧化物纳米颗粒，金属氧化物纳米颗粒的平均粒径为3～5nm。
在一些实施例中，金属氧化物和/或甘油基金属化合物的表面键结有疏水基团。
进一步地，疏水基团选自于乙烯基、硝基、卤素原子中的一种或多种。
在一些实施例中，疏水基团可以是以配体的形式键结在金属氧化物和/或甘油基金属化合物的表面。金属氧化物和/或甘油基金属化合物的表面键结疏水基团之后，可以阻止金属氧化物和/或甘油基金属化合物在光照条件下发生光水合反应，提升复合材料的光稳定性。在一些实施例中，可以是仅金属氧化物的表面键结有疏水基团，也可以是仅甘油基金属化合物表面键结有疏水基团，还可以是金属氧化物和甘油基金属化合物的表面均键结有疏水基团。优选金属氧化物的表面键结有疏水基团，或者优选金属氧化物、甘油基金属化合物的表面均键结有疏水基团。
在一些实施例中，疏水基团选自于乙烯基、硝基、卤素原子中的一种或多种。
在一些实施例中，可以对金属氧化物进行配体交换，使金属氧化物的表面键结疏水基团。
需要说明的是，为了通过配体交换的方式使金属氧化物的表面键结有疏水基团，可以是先对金属氧化物进行配体交换，使金属氧化物的表面键结有疏水基团后再与甘油基金属化合物混合；也可以将甘油基金属化合物、金属氧化物混合后，再进行配体交换。
具体地，配体交换包括：将金属氧化物、用于配体交换的试剂以及极性有机溶剂混合。
进一步地，用于配体交换的试剂可以根据疏水基团类型的不同而不同。例如在疏水基团为硝基的情况下，用于配体交换的试剂可以是氨基金属化合物(例如氨基钠)，但需要说明的是，利用氨基金属化合物进行配体交换时，引入的基团为氨基，为了使氨基转化为硝基，可以加入氧化剂，氧化剂可以选自于双氧水、过硫酸盐中的一种或多种。在疏水基团为乙烯基的情况下，用于配体交换的试剂可以选自但不限于氯乙烯。在疏水基团为卤素原子的情况下，用于配体交换的试剂可以选自但不限于碱金属卤盐。
在一些实施例中，甘油基金属化合物与金属氧化物之间的摩尔比为1～9：100。
在一些实施例中，可以混合金属氧化物以及甘油基金属化合物，以获得上述复合材料。
在一些实施例中，混合金属氧化物以及甘油基金属化合物时，可以直接提供金属氧化物与甘油基金属化合物，并且将金属氧化物与甘油基金属化合物混合。进一步地，金属氧化物以及甘油基金属化合物的混合可以在极性有机溶剂中进行。其中，极性有机溶剂可以选自但不限于甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇中的一种或多种。
在一些实施例中，将金属氧化物、用于配体交换的试剂以及极性有机溶剂混合可以包括：将金属氧化物与极性有机溶剂混合，得到阳离子溶液；将阳离子溶液与用于配体交换的试剂混合，得到配体交换溶液；以及将配体交换溶液与甘油混合。
在一些实施例中，将金属氧化物、用于配体交换的试剂以及极性有机溶剂混合也可以包括：将金属氧化物、甘油以及极性有机溶剂同时混合得到混合溶液，再将前述混合溶液于用于配体交换的试剂混合。
另外，本发明提供光电器件，光电器件包括阴极、阳极和设于阴极和阳极之间的功能层，功能层包括电子传输层，电子传输层的材料包括上述复合材料，或者电子传输层的材料包括上述制备方法制得的复合材料。
在一些实施例中，光电器件可以为发光二极管、太阳能电池、光电探测器中的一种。
在一些实施例中，光电器件可以为发光二极管，发光二极管可以为有机发光二极管、量子点发光二极管、微米发光二极管中的一种。优选地，发光二极管可以为量子点发光二极管。进一步地，发光二极管可以为正置结构的发光二极管，也可以为倒置结构的发光二极管；发光二极管可以为顶发射器件，也可以为底发射器件，还可以为双面发射器件，在此不作限定。
在一些实施例中，功能层可以包括发光层，发光层可以设置在电子传输层和阳极之间，进一步地，光电器件可以包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。光电器件还可以包括电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等其他功能层，在此不作限定。
在一些实施例中，阳极的材料可以选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。其中，Cd:ZnO中的“：”表示掺杂。
在一些实施例中，空穴注入层的材料可以选自于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)、铜酞菁(CuPc)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HATCN)、NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种，所述x的取值范围为1～3中的一种或多种。在一些实施例中，空穴传输层还可以为其他金属硫系化合物。
在一些实施例中，空穴传输层的材料可以选自于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(POLY-TPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(DCBP)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)中的一种或多种。
在一些实施例中，若发光二极管为量子点发光二极管，则发光层材料可以包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点。量子点的平均粒径例如可以是5nm至10nm，例如为5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。
当量子点为单一组分量子点或核壳结构量子点时，单一组分量子点的材料、或者核壳结构量子点的核的材料、或者核壳结构量子点的壳的材料包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。需要说明的是，对于前述单一组分量子点的材料、或者核壳结构量子点的核的材料、或者核壳结构量子点的壳的材料，提供的化学式仅示明了元素组成，并未示明各个元素的含量，例如：CdZnSe仅表示由Cd、Zn和Se三种元素组成，若表示各个元素的含量，则对应为CdxZn1-xSe，0<x<1。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机钙钛矿量子点，有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中，B选自有机胺阳离子，有机胺阳离子包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺、1,2-乙二胺或十八胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
在一些实施例中，若发光二极管为有机发光二极管，则发光层的材料可以为有机发光材料。
进一步地，发光层的材料可以为红光发光材料，也可以为绿光发光材料，还可以为蓝光发光材料，在此不作限定。
在一些实施例中，电子传输材料可以选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
在一些实施例中，阴极的材料可以选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。进一步地，金属材料可以包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg。碳材料可以包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维。金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO。进一步地，当阴极材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的多种时，阴极可以为掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，具体地，复合电极可以包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2。上述AZO/Ag/AZO的表述表示AZO之间夹有Ag。
另外，本发明提供光电器件的制备方法，包括：
提供第一基板和第一成膜溶液，所述第一基板包括阳极和发光层，所述第一成膜溶液包括溶剂和溶质，所述溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在所述发光层的远离所述阳极的一侧沉积所述成膜溶液，形成电子传输层；以及
在所述电子传输层上形成阴极。
需要说明的是，通过该方法制备的光电器件为正置结构的光电器件，进一步地，阳极和发光层之间还可以包括空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层等其他功能层；发光层和电子传输层之间也可以还设有电子阻挡层等其他膜层，在此不作限定。可以理解的是，当制备正置结构的光电器件时，形成电子传输层后，还可以进一步在电子传输层上形成电子注入层、阴极、封装层等膜层，形成完整的光电器件。
在一些实施例中，光电器件的制备方法，包括：
提供设置有阴极的第二基板和第二成膜溶液，所述第二成膜溶液包括溶剂和溶质，所述溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在所述阴极上沉积所述成膜溶液，形成电子传输层；以及
在电子传输层上依次形成有机发光层和阳极。
需要说明的是，通过该方法制备的光电器件为倒置结构的光电器件，在所述阴极上沉积成膜溶液中的“上”为广义的上，例如，在一些实施例中，阴极上还设置有电子注入层，此时成膜溶液是直接沉积在电子注入层之上的，但仍然可以视为在阴极上沉积成膜溶液。可以理解的是，在制备倒置结构的光电器件时，在形成电子传输层后，还可以在电子传输层上进一步形成发光层、空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层、阳极等膜层，形成完整的光电器件。
在一些实施例中，所述第一基板的制备方法可以包括：形成阳极，在阳极上形成发光层。
进一步地，可以是提供衬底基板，并且通过蒸镀、气相沉积(CVD)、溅射(Sputter)等方式制备阳极。需要说明的是，制备在阳极上形成发光层中的“上”，为广义的上，例如在一些实施例中，阳极上已经依次层叠形成有空穴注入层和空穴传输层，此时发光层直接形成在空穴传输层的表面，但仍然可以理解为形成在阳极上。进一步地，形成发光层可以利用蒸镀、喷墨打印、旋涂等方法，在此不作限定。
在一些实施例中，甘油基金属化合物中的金属元素可以选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种。
在一些实施例中，金属氧化物可以选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
在一些实施例中，甘油基金属化合物可以优选为甘油锌。
在一些实施例中，甘油基金属化合物与金属氧化物之间的摩尔比可以为1～9：100。
在一些实施例中，第一成膜溶液中的溶剂可以选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种。
第二成膜溶液中的溶剂可以选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种。
可以理解的是，第一成膜溶液和第二成膜溶液的溶剂可选择的范围相同，但可以各自选自不同的溶剂。
实施例1
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为1：100。
实施例2
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。
实施例3
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为5：100。
实施例4
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为7：100。
实施例5
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为9：100。
实施例6
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有硝基，硝基在ZnO表面的示意图参见图1。
实施例7
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有乙烯基。
实施例8
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有F原子。
实施例9
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有Cl原子。
实施例10
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有Br原子。
实施例11
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有硝基和Br原子。
实施例12
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有乙烯基和Br原子。
实施例13
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有乙烯基和硝基。
实施例14
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌和氧化锌，其中，甘油锌和氧化锌的摩尔比为3：100。其中氧化锌表面键结有乙烯基、硝基以及Br原子。
实施例15
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌、ZnO以及SnO2，其中，甘油锌、ZnO以及SnO2的摩尔比是3：50：50。
实施例16
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锌以及WO3，WO3和甘油锌的表面键结有硝基，其中，甘油锌以及WO3的摩尔比是3：80。
实施例17
本实施例提供一种复合材料，该复合材料包括甘油锡以及SnO2，其中甘油锡和SnO2的摩尔比为3：80。
实施例18
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例1提供的复合材料O。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供衬底，通过真空蒸镀Ag/ITO/Ag复合电极，在衬底上形成阳极；
步骤2：在阳极上旋涂MCC，制备空穴注入层；
步骤3：在空穴注入层上旋涂TFB，制备空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上旋涂ZnSe/CdZnSe/CdZnS，制备量子点发光层；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；其中成膜溶液的溶质为实施例1提供的的复合材料；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例19
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例2提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，本实施例的制备方法将实施例18步骤5中成膜溶液的溶质更换为实施例2提供的复合材料，其他步骤与实施例18提供的制备方法相同。
实施例20
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例3提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，本实施例的制备方法将实施例18步骤5中成膜溶液的溶质更换为实施例3提供的复合材料，其他步骤与实施例18提供的制备方法相同。
实施例21
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例4提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，本实施例的制备方法将实施例18步骤5中成膜溶液的溶质更换为实施例4提供的复合材料，其他步骤与实施例18提供的制备方法相同。
实施例22
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例5提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，本实施例的制备方法将实施例18步骤5中成膜溶液的溶质更换为实施例5提供的复合材料，其他步骤与实施例18提供的制备方法相同。
实施例23
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例6提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例6提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：
将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与氨基钠混合后加入双氧水，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入硝基，其中，氨基钠与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例24
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例7提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例7提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与氯乙烯混合，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入乙烯基，其中，氯乙烯与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例25
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例8提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例8提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaF混合，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入F原子，其中，NaF与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例26
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例9提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例9提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaCl混合，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入Cl原子，其中，NaCl与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例27
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例10提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例10提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaBr混合，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入Br原子，其中，NaBr与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例28
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例11提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例11提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaBr以及氨基钠混合后加入双氧水，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入硝基和Br原子，其中，NaBr与ZnO的摩尔比为3：100，氨基钠与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例29
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例12提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例12提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaBr以及氯乙烯混合，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入Br原子和乙烯基，其中，NaBr与ZnO的摩尔比为3：100，氯乙烯与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例30
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例13提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例13提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与氯乙烯以及氨基钠混合后加入双氧水，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入硝基和乙烯基，其中，氯乙烯与ZnO的摩尔比为3：100，氨基钠与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例31
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料包括为实施例14提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例14提供的复合材料，复合材料中的ZnO经过配体交换，配体交换包括：将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与NaBr、氯乙烯以及氨基钠混合后加入双氧水，得到混合溶液，以此在ZnO表面引入硝基、Br原子以及乙烯基，其中，NaBr与ZnO的摩尔比为3：100，氯乙烯与ZnO的摩尔比为3：100，氨基钠与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例32
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料包括为实施例15提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1～4：与实施例18提供的制备方法中的步骤1～4相同；
步骤5：在量子点发光层上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；成膜溶液的溶质为实施例15提供的复合材料；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例33
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例1提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供衬底，通过真空蒸镀ITO复合电极，在衬底上形成阳极；
步骤2：在阳极上喷墨打印TFB，制备空穴传输层；
步骤3：在空穴传输层上喷墨打印ZnSe/CdZnSe/CdZnS，制备量子点发光层；
步骤4：在量子点发光层上喷墨打印用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；其中成膜溶液的制备包括：
将二水合乙酸锌和乙醇混合后搅拌，得到0.04g/mL的二水合乙酸锌乙醇溶液；
将上述二水合乙酸锌乙醇溶液和乙醇胺混合，乙醇胺与二水合乙酸锌乙醇溶液的体积比为1：150；
将加入了乙醇胺的二水合乙酸锌乙醇溶液在60℃下搅拌10min，得到ZnO溶液；
静置放置超过24h后将上述ZnO溶液配制为30mg/mL的ZnO乙醇溶液；
将30mg/mL的ZnO乙醇溶液与甘油锌混合，其中甘油锌与ZnO的摩尔比为3：100；
步骤5：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例34
本实施例提供一种有机发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为实施例16提供的复合材料。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供衬底，通过真空蒸镀Ag电极，在衬底上形成阳极；
步骤2：在阳极上喷墨打印PEDOT：PSS，制备空穴注入层；
步骤3：在空穴注入层上喷墨打印PVK，制备空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上蒸镀Alq3，制备有机发光层；
步骤5：在有机发光层上喷墨打印用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；其中成膜溶液的溶质包括实施例16提供的复合材料；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
实施例35
本实施例提供一种有机发光二极管，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、有机发光层、空穴传输层以及阳极，其中电子传输层的材料为实施例17提供的复合材料。
本实施例还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供衬底，在衬底上蒸镀Ag，制得阴极；
步骤2：在制得的阴极上旋涂用于制备电子传输层的成膜溶液，制备电子传输层；其中成膜溶液的溶质为实施例17提供的复合材料；
步骤3：在制得的电子传输层上蒸镀Alq3，制备有机发光层；
步骤4：在有机发光层上旋涂PVK制备空穴传输层；
步骤5：在空穴传输层上蒸镀ITO，制备阳极。
对比例1
本实施例提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中电子传输层的材料为ZnO。
本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供衬底，通过真空蒸镀Ag/ITO/Ag复合电极，在衬底上形成阳极；
步骤2：在阳极上旋涂MCC，制备空穴注入层；
步骤3：在空穴注入层上旋涂TFB，制备空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上旋涂ZnSe/CdZnSe/CdZnS，制备量子点发光层；其中ZnSe/CdZnSe/CdZnS中的“/”表示核壳结构，即CdZnSe作为中间层包覆内核的ZnSe，CdZnS作为外层包覆中间层CdZnSe；
步骤5：在量子点发光层上旋涂ZnO制备电子传输层；
步骤6：在电子传输层上蒸镀Ag，形成阴极。
在80℃的温度条件下对实施例16～29以及对比例1的发光二极管器件的亮度在1000nit下的寿命以及发光效率进行测试，结果参见表1。
表1发光二极管器件在80℃、亮度1000nit下的发光效率与寿命
表中CE@1000nit表示发光二极管在80℃、亮度1000nit下的效率，单位Cd/A。
LT95@1000nit表示发光二极管在80℃、亮度1000nit下，亮度衰减至原亮度95％时所用的时间，单位h。
从表中可以看出，甘油基金属化合物的加入能很好地提升器件的发光效率与寿命，有效缓解电子传输层在高温测试下老化导致的器件性能下降。同时在电子传输材料表面引入疏水基团作为表面配体，能进一步提升器件的发光效率与寿命，并且引入多种疏水基团的效果要好于引入单种疏水基团的效果。
测试实施例16～28以及对比例1的发光二极管在光照条件下的光稳定性(每个条件选取25片器件，每个器件测试4个点，即每个条件测试100个数据)。测试方法为：在持续光照下测试器件发光区域工作2h、24h和48h时测试点的猝灭率，器件发光区域测试点的猝灭率越低，证明器件光稳定性越好，器件中电子传输材料越难发生光水合反应，测试结果参见表2。
表2
从表中数据引入疏水基团后，器件测试点的猝灭率有很大幅度的降低。并且随着测试时间增加，一般发光二极管器件的猝灭率上升，但引入有疏水基团的发光二极管器件发光的猝灭率几乎不变。说明引入疏水基团能有效阻止光水合反应对电子传输材料的不利影响，进而提升其光学稳定性。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (13)
1.复合材料，其特征在于，所述复合材料包括金属氧化物和甘油基金属化合物。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由金属氧化物和甘油基金属化合物组成。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述甘油基金属化合物中的金属元素选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种；和/或
所述金属氧化物选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述甘油基金属化合物为甘油锌。
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述甘油基金属化合物与所述金属氧化物之间的摩尔比为1～9：100；和/或
所述金属氧化物为金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒的平均粒径为3～5nm。
6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物和/或所述甘油基金属化合物的表面键结有疏水基团。
7.根据权利要求6所述的复合材料，其特征在于，所述疏水基团选自于乙烯基、硝基、卤素原子中的一种或多种。
8.光电器件，其特征在于，所述光电器件包括阴极、阳极、设于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括电子传输层，所述电子传输层包括如权利要求1至7任一项中所述的复合材料。
9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述功能层还包括发光层，所述发光层设置于所述电子传输层与所述阳极之间；
其中，所述阴极的材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种，其中，所述金属材料选自于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种，所述碳材料选自于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种，所述金属氧化物选自于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料选自于单一组分和/或核壳结构的II-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的III-V族化合物、单一组分和/或核壳结构的IV-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的I-III-VI族化合物、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点、有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；
其中，所述II-VI族化合物选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的一种或多种，所述I-III-VI族化合物选自于CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的一种或多种；
所述无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；
所述有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；
所述有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中，B选自有机胺阳离子，所述有机胺阳离子选自于CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M选自于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种，X为卤素阴离子；和/或
所述阳极的材料选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。
10.光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基板和第一成膜溶液，所述第一基板包括阳极和发光层，所述第一成膜溶液包括溶剂和溶质，所述溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在所述发光层的远离所述阳极的一侧沉积所述第一成膜溶液，形成电子传输层；以及
在所述电子传输层上形成阴极；
或者
提供设置有阴极的第二基板和第二成膜溶液，所述第二成膜溶液包括溶剂和溶质，所述溶质包括金属氧化物和甘油基金属化合物；
在所述阴极上沉积所述第二成膜溶液，形成电子传输层；以及
在所述电子传输层上依次形成发光层和阳极。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述甘油基金属化合物中的金属元素选自于Zn、Sn、In、Fe、Cr、Ti、W、Cd、Cu、Mo元素中的一种或多种；和/或
所述金属氧化物选自于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2中的一种或多种。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述甘油基金属化合物为甘油锌。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述甘油基金属化合物与所述金属氧化物之间的摩尔比为1～9：100；和/或
所述第一成膜溶液中的溶剂选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种；和/或
所述第二成膜溶液中的溶剂选自于乙醇、丙醇、2-丙醇、正丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或多种。
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