CN116813668A - 化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置 - Google Patents

化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置 Download PDF

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CN116813668A CN202210265523.3A CN202210265523A CN116813668A CN 116813668 A CN116813668 A CN 116813668A CN 202210265523 A CN202210265523 A CN 202210265523A CN 116813668 A CN116813668 A CN 116813668A
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Abstract

本申请公开一种化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置，所述化合物包含A基团和B基团，A基团含有能够稳定配位结合于纳米金属氧化物表面的P＝O键，B基团为具有吸电子功能的含氮杂环基团；所述发光器件的电子传输层包含纳米金属氧化物和所述化合物，所述化合物能够与纳米金属氧化物之间形成稳定的配位结合，从而降低了纳米金属氧化物的表面缺陷，提高了电子传输层的稳定性，并且确保电子传输层具有理想的电子注入与传输性能，有效地提升了发光器件的稳定性和发光效率，所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。

Description

化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置。
背景技术
发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
为了提高发光器件的光电性能，可在发光器件中配置其他功能层，例如：在发光层与阴极之间设置电子传输层，纳米金属氧化物是用于制备电子传输层的常见材料之一，纳米金属氧化物具有电子迁移率较高、宽带隙的特性，但是纳米金属氧化物的表面存在较多的缺陷态，导致纳米金属氧化物的稳定性不理想，且对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。
因此，如何提高纳米金属氧化物的稳定性对发光器件的应用与发展具有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置，以改善发光器件的稳定性和发光效率。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种化合物，所述化合物具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
在通式(Ⅰ)中，A选自如下基团：
B选自含有氮原子的杂环基团；n为大于等于1的正整数。
进一步地，所述A选自如下基团：
进一步地，所述B选自如下基团：
进一步地，所述n为1或2。
进一步地，所述化合物选自：
第二方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，所述电子传输层的材料包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为纳米金属氧化物，所述第二化合物为如第一方面中任意一种所述的化合物。
进一步地，所述第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种；所述第一化合物的粒径为2nm至15nm。
进一步地，所述第一化合物选自ZnMgO，所述ZnMgO的粒径为5nm至8nm。
进一步地，在所述电子传输层中，所述第一化合物：所述第二化合物的质量比为1：(0.001～0.01)。
进一步地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
进一步地，所述发光器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；
所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，当所述空穴功能层包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；
所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面中任意一种所述的发光器件。
本申请提供了一种化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置，具有如下技术效果：
在本申请的化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构，所述化合物包含A基团和B基团，其中，A基团含有能够稳定配位结合于纳米金属氧化物表面的P＝O键，B基团为具有吸电子功能的含氮杂环基团，使得所述化合物具有良好的配位能力以及电子传输特性。
在本申请的发光器件中，电子传输层的材料包含纳米金属氧化物和通式(Ⅰ)所示结构的化合物，通式(Ⅰ)所示结构的化合物能够与纳米金属氧化物之间形成稳定的配位结合，从而降低了纳米金属氧化物的表面缺陷，提高了电子传输层的稳定性，并且确保电子传输层具有理想的电子注入与传输性能，有效地提升了发光器件的稳定性和发光效率。
将本申请的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的第一种发光器件的结构示意图。
图2为本申请实施例中提供的第二种发光器件的结构示意图。
图3为本申请的实施例1中制得的化合物的核磁共振分析图谱。
图4为本申请的实施例3中提供的第三种发光器件的结构示意图。
图5为本申请的实验例1中第一种电子传输材料和第二种电子传输材料放置0天的溶液浑浊程度效果图，其中，Y代表第一种电子传输材料，X代表第二种电子传输材料。
图6为本申请的实验例1中第一种电子传输材料和第二种电子传输材料放置15天的溶液浑浊程度效果图，其中，Y代表第一种电子传输材料，X代表第二种电子传输材料。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种化合物，所述化合物具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
在通式(Ⅰ)中，A选自如下基团：
B选自含有氮原子的杂环基团；
n为大于等于1的正整数。
对于通式(Ⅰ)所示的化合物，A含有P＝O键，P＝O键能够与其他化合物(例如纳米金属氧化物)之间形成稳定的配位结合；B具有吸电子功能，从而赋予通式(Ⅰ)所示的化合物具有电子注入与传输特性。
在本申请的一些实施例中，A选自如下基团：
在本申请的一些实施例中，B选自如下基团：
在本申请的一些实施例中，n为1或2，即通式(Ⅰ)所示的化合物为醇溶性高的有机小分子化合物。
在本申请的一些实施例中，化合物选自：
本申请实施例还提供了一种发光器件，如图1所示，发光器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及电子传输层14，其中，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，电子传输层14设置于阴极12与发光层13之间。
其中，电子传输层14的材料包括第一化合物和第二化合物，第一化合物为纳米金属氧化物，第二化合物为上述通式(Ⅰ)所示的化合物。第二化合物中P＝O键能够与纳米金属氧化物之间形成稳定的配位结合，从而降低纳米金属氧化物的表面缺陷，提高电子传输层14的稳定性；此外，第二化合物中含有具有吸电子功能的含氮杂环基团，以确保电子传输层14具有理想的电子注入与传输性能，有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。
以发光器件为QLED为例，现有QLED的效率与寿命亟待进一步地提高，尤其是蓝色QLED，蓝色QLED中发光层的禁带宽度远大于红色QLED或绿色QLED中发光层的禁带宽度，导致蓝色QLED的电子注入与空穴注入更加困难，并且激子复合发光的能级大于电子传输层(例如电子传输层的材料为纳米ZnMgO)的缺陷能级，从而导致激子能量转移至纳米ZnMgO的缺陷能级上，极大地降低了激子复合发光的效率及寿命。而在本申请实施例的发光器件中，由于电子传输层包含能够与纳米金属氧化物稳定配位结合的第二化合物，所以有效降低了纳米金属氧化物的表面缺陷，从而提高了电子传输层的稳定性，并减少了复合激子能量的转移；此外，第二化合物含有具有吸电子功能的含氮杂环基团，从而确保电子传输层具有理想的电子注入与传输性能，因此，相较于现有的发光器件，本申请实施例的发光器件发光效率更高，且工作寿命更长。
在电子传输层中，第一化合物可以是未掺杂的纳米金属氧化物，也可以是掺杂的纳米金属氧化物。在本申请的一些实施例中，第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种。第一化合物的粒径例如可以是2nm至15nm。
为了进一步地提高发光器件的综合性能，在本申请的一些实施例中，第一化合物选自ZnMgO，ZnMgO的粒径为5nm至8nm。第一化合物的粒径过大或过小均对发光器件的综合性能提升效果有限，若第一化合物的粒径过大，则第一化合物的表面缺陷过多，需要加入大量的第二化合物来钝化面缺陷，并且易发生团聚现象；若第一化合物的粒径过小，则第一化合物的导电性能有限，从而对电子传输层的电子注入与传输效果提升程度有限。
为了进一步地提高发光器件的综合性能，在本申请的一些实施例中，电子传输层中第一化合物：第二化合物的质量比为1：(0.001～0.01)。电子传输层中第二化合物的含量过高或过低均对发光器件的综合性能提升效果有限，若第二化合物的含量过低，则对第一化合物的表面缺陷钝化程度有限，从而电子传输层的稳定性提升程度有限；若第二化合物的含量过高，则对电子传输层的电子注入与传输水平提升程度有限。
在本申请实施例的发光器件中，阳极11、阴极12和发光层13的材料可以是本领域常见的材料，例如：
阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2或TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是40nm至160nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至120nm。
发光层13的材料选自有机发光材料或量子点。发光层13的厚度例如可以是20nm至60nm。有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种。
量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。量子点的粒径例如可以是5nm至10nm。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺或1,2-乙二胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
为了获得更佳的光电性能和使用寿命，在本申请的一些实施例中，如图2所示，发光器件1还包括空穴功能层15，空穴功能层15设置于阳极11与发光层13之间。空穴功能层15包括空穴注入层和/或空穴传输层，当空穴功能层包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，空穴传输层靠近发光层，且空穴注入层靠近阳极。空穴功能层15的厚度例如可以是20nm至100nm。
空穴传输层的材料包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(简称为PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](简称为Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(简称为PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称为TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简称为CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称TPD，CAS号为65181-78-4)或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称NPB，CAS号为123847-85-8)中的至少一种；此外，空穴传输层的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是NiO、WO3、MoO3或CuO中的至少一种。
空穴注入层的材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的一种或多种，其中，过渡金属氧化物可以是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
需要说明的是，发光器件还可以包括其他层结构，例如发光器件还可以包括电子注入层，电子注入层设置于电子传输层与阴极之间，电子注入层的材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
发光器件中各个层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备膜层时，需增设干燥处理工序，“干燥处理工序”包括所有能使湿膜获得更高能量而转变为干膜的工序，例如可以是热处理，其中，“热处理”可以是恒温式热处理，也可以是非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)。
可以理解的是，发光器件的制备方法还可以包括其他步骤，例如：在制备完成发光器件的各个层之后，需对发光器件进行封装处理。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种所述的发光器件。所述显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种化合物及其制备方法，所述化合物的结构式如下：
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
S1.1、合成中间体1：在氮气氛围下，将3g(10.5mmol)的2,6-二溴萘溶于200mL的无水四氢呋喃中，获得2,6-二溴萘-四氢呋喃溶液，冷却至-78℃后，通过注射器向2,6-二溴萘-四氢呋喃溶液中加入4.8mL的正丁基锂-正己烷溶液(正丁基锂的浓度2.4mol/L)；-78℃混合搅拌50min后，通过注射器加入12.6mmol的氯二苯基膦，然后置于室温下搅拌反应过夜；待反应结束，加入乙醇终止反应，减压去除溶剂以获得反应混合物；采用二氯甲烷萃取反应混合物，收集有机层；采用无水硫酸镁干燥有机层，过滤，减压除去溶剂后采用硅胶柱进行分离纯化操作，分离纯化操作中所使用的洗脱剂为石油醚和二氯甲烷的混合剂(石油醚：二氯甲烷的体积比为1：1)，获得的白色固体即为中间体1，产率为81％(3.3g)，其中，步骤S1.1中涉及的反应式如下式(1.1)所示：
S1.2、合成中间体2：取2.7g步骤S1.1制得的中间体1，并溶于30mL的二氯甲烷以制得中间体1-二氯甲烷溶液，向中间体1-二氯甲烷溶液中加入10mL的双氧水和10mL的乙醇，室温下搅拌反应过夜；待反应结束后，向反应混合物中加入亚硫酸钠水溶液以还原过量的双氧水，然后采用二氯甲烷萃取，并收集有机层；采用无水硫酸镁干燥有机层，过滤，减压除去溶剂后采用硅胶柱进行分离纯化操作，分离纯化操作中所使用的洗脱剂为石油醚和乙酸乙酯的混合剂(石油醚：乙酸乙酯的体积比为1：1)，获得白色固体即为中间体2，产率为96％(2.7g)，其中，步骤S1.2中涉及的反应式如下式(1.2)所示：
S1.3、合成中间体3：在氮气氛围下，将80mg(0.11mmol)的1,1-双二苯基膦二茂铁二氯化钯、1.26g(4.98mmol)的双戊酰二硼、977mg(9.95mmol)的醋酸钾、30mL的1,4-二氧六环和1.35g(3.32mmol)的中间体2混合以获得混合物；将混合物加热至80℃，并在80℃下反应3h，获得反应物；将反应物冷却至室温，减压除去溶剂后加入去离子水，然后采用二氯甲烷萃取，收集有机相；采用无水硫酸镁干燥有机层，过滤，减压除去溶剂后采用硅胶柱进行分离纯化操作，分离纯化操作中所使用的洗脱剂为石油醚和乙酸乙酯的混合剂(石油醚：乙酸乙酯的体积比为1：1)，获得白色固体即为中间体3，产率为83％(1.25g)，其中，步骤S1.3中涉及的反应式如下式(1.3)所示：
S1.4、合成化合物：在氮气氛围下，将4.5mg(0.02mmol)的醋酸钯、11.2mg(0.04mmol)的三环己基膦、289mg(0.64mmol)的中间体3、150mg(0.58mmol)的3-溴-1,10-菲啰啉、2mL的碳酸钠水溶液(浓度为2mol/L)、30mL的甲苯和8mL的乙醇混合以获得混合物，在混合物中；将混合物加热至100℃，并在100℃下搅拌反应过夜，获得反应物；将反应物冷却至室温，减压除去溶剂后加入去离子水，然后采用二氯甲烷萃取，收集有机相；采用无水硫酸镁干燥有机层，过滤，减压除去溶剂后采用硅胶柱进行分离纯化操作，分离纯化操作中所使用的洗脱剂为石油醚和乙酸乙酯的混合剂(石油醚：乙酸乙酯的体积比为1：1)，获得白色固体即为所述化合物，产率为68％(200mg)，制得的所述化合物的核磁共振分析图谱如图3所示，其中，步骤S1.4中涉及的反应式如下式(1.4)所示：
实施例2
本实施例提供了一种化合物及其制备方法，所述化合物的结构式如下：
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
S2.1、参照步骤S1.1进行；
S2.2、参照步骤S1.2进行；
S2.3、参照步骤S1.3进行；
S2.4、合成化合物：在氮气氛围下，将23mg(0.02mmol)的四(三苯基膦)钯、331mg(0.73mmol)的中间体3、93mg(0.32mmol)的4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑、2mL的碳酸钠水溶液(浓度为2mol/L)、30mL的甲苯和8mL的乙醇混合以获得混合物，在混合物中；将混合物加热至90℃，并在90℃下搅拌反应过夜，获得反应物；将反应物冷却至室温，减压除去溶剂后加入去离子水，然后采用二氯甲烷萃取，收集有机相；采用无水硫酸镁干燥有机层，过滤，减压除去溶剂后采用硅胶柱进行分离纯化操作，分离纯化操作中所使用的洗脱剂为石油醚和乙酸乙酯的混合剂(石油醚：乙酸乙酯的体积比为1：1)，获得白色固体即为所述化合物，产率为80％(200mg)，制得的所述化合物的1H-NMR检测数据为：1HNMR(300MHz,DMSO):d＝7.58-7.75(m,22H),8.21-8.31(m,8H),8.2(d,2H,J＝10.11Hz),8.74(s,2H)ppm。
实施例3
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件为正置型结构的量子点发光二极管，如图4所示，在由下至上的方向上，发光器件1包括依次设置的衬底10、阳极11、空穴功能层15、发光层13、电子传输层14以及阴极12，其中，空穴功能层15由层叠设置的空穴注入层151和空穴传输层152组成，空穴注入层151靠近阳极11，空穴传输层152靠近发光层13。
发光器件1中各个层的材料与厚度如下：
衬底10的材料为玻璃，衬底10的厚度为0.7mm；
阳极11的材料为ITO，阳极11的厚度为130nm；
阴极12的材料为Al，阴极12的厚度为150nm；
发光层13的材料为ZnCdS/ZnS量子点(表面连接有辛硫醇配体)，量子点的平均粒径为4nm，发光波长为470nm，峰宽为21nm，发光颜色为蓝色，发光层13的厚度为15nm；
电子传输层14的材料由第一化合物和第二化合物组成，第一化合物：第二化合物的质量比为1：0.005，第一化合物为纳米ZnMgO(Mg的掺杂质量百分比为5％)，且纳米ZnMgO的粒径为6nm；第二化合物为实施例1制得的化合物，电子传输层14的厚度为40nm；
空穴注入层151的材料为PEDOT:PSS，厚度为45nm；
空穴传输层152的材料为TFB，厚度为25nm。
本实施例中发光器件的制备方法包括如下步骤：
S3.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，用棉签蘸取少量肥皂水擦拭ITO层表面以去除表面肉眼可见的杂质，然后将包括ITO的衬底依次采用去离子水超声清洗15min、丙酮超声清洗15min、乙醇超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理15min，获得包括阳极的衬底；
S3.2、在常温常压的大气环境下，在步骤S3.1的阳极远离衬底的一侧旋涂PEDOT：PSS水溶液，然后置于150℃下恒温热处理20min，获得空穴注入层；
S3.3、在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂TFB-氯苯溶液，然后置于230℃下恒温热处理30min，获得空穴传输层；
S3.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧旋涂浓度为20mg/mL的ZnCdS/ZnS量子点-正辛烷溶液，然后置于100℃下恒温热处理10min，获得发光层；
S3.5、将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将10μL的所述有机小分子溶液与1mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)混合获得电子传输材料溶液，在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂所述电子传输材料溶液，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层；
S3.6、在气压为4×10-6mbar的真空环境下，在步骤S3.5的电子传输层远离发光层的一侧蒸镀Al，获得阴极，然后采用紫外固化胶封装，获得发光器件。
实施例4
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物：第二化合物的质量比由“1：0.005”替换为“1：0.001”。
相较于实施例3所述的发光器件的制备方法，本实施例中发光器件的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S3.5替换为“将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将10μL的所述有机小分子溶液与5mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)混合获得电子传输材料溶液，在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂所述电子传输材料溶液，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层”。
实施例5
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物：第二化合物的质量比由“1：0.005”替换为“1：0.01”。
相较于实施例3所述的发光器件的制备方法，本实施例中发光器件的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S3.5替换为“将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将20μL的所述有机小分子溶液与1mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)混合获得电子传输材料溶液，在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂所述电子传输材料溶液，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层”。
实施例6
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物：第二化合物的质量比由“1：0.005”替换为“1：0.0005”。
相较于实施例3所述的发光器件的制备方法，本实施例中发光器件的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S3.5替换为“将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将10μL的所述有机小分子溶液与10mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)混合获得电子传输材料溶液，在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂所述电子传输材料溶液，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层”。
实施例7
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物：第二化合物的质量比由“1：0.005”替换为“1：0.05”。
相较于实施例3所述的发光器件的制备方法，本实施例中发光器件的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S3.5替换为“将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将100μL的所述有机小分子溶液与1mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)混合获得电子传输材料溶液，在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂所述电子传输材料溶液，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层”。
实施例8
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第二化合物替换为“实施例2制得的化合物”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
实施例9
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物替换为“粒径为6nm的纳米ZnO”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
实施例10
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物替换为“粒径为5nm的纳米ZnMgO(Mg的掺杂质量百分比为5％)”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
实施例11
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物替换为“粒径为8nm的纳米ZnMgO(Mg的掺杂质量百分比为5％)”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
实施例12
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物替换为“粒径为3nm的纳米ZnMgO(Mg的掺杂质量百分比为5％))”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
实施例13
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3所述的发光器件，本实施例中发光器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料中第一化合物替换为“粒径为10nm的纳米ZnMgO(Mg的掺杂质量百分比为5％)”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例3进行。
对比例
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例3的发光器件，本对比例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的材料为粒径是6nm的纳米ZnMgO。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S3.5替换为“在常温常压的氮气环境下，在步骤S3.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂纳米ZnMgO-乙醇溶液(浓度为40mg/mL)，然后置于100℃下恒温热处理15min，获得电子传输层”。
实验例1
本实验例对两种电子传输材料的稳定性进行了比较分析，第一种电子传输材料为浓度是40mg/mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液，纳米ZnMgO的粒径为6nm；第二种电子传输材料为包含实施例1制得的化合物和纳米ZnMgO(粒径为6nm)的溶液，制备方法为：将实施例1制得的化合物溶于乙醇以制得浓度为20mg/mL的有机小分子溶液，将所述有机小分子溶液和浓度为40mg/mL的纳米ZnMgO-乙醇溶液按照所述有机小分子溶液：所述纳米ZnMgO-乙醇溶液的体积比为1：1000混合即得第二种电子传输材料。
取等体积的第一种电子传输材料和第二种电子传输材料，将第一种电子传输材料置于一容器内静置，并将第二种电子传输材料置于另一规格相同的容器内静置，比较两者静置15天的溶液浑浊度。
由图5和图6可知，两者放置15天后，第一种电子传输材料明显变浑浊，而第二种电子传输材料依然保持澄清，说明：第一种电子传输材料稳定性较差，经过长时间的放置出现纳米颗粒聚集的现象，可能是因为纳米ZnMgO表面的配体(例如羟基等)脱落而致；在第二种电子传输材料中，由于实施例1制得的化合物与纳米ZnMgO形成稳定的配位，所以未出现纳米颗粒聚集的现象。
实验例2
对实施例3至实施例13以及对比例的发光器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley 2400以及Keithley 6485搭建的效率测试系统)检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)、功率效率、电流效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命。
其中，外量子效率的测试方法为积分球测试法，并计算获得在电压为0V至8V的通电条件下的最大外量子效率(EQEmax)；电流效率的测试方法为：设定发光面积为2mm×2mm＝4mm2，间断地采集驱动电压为0V至8V范围内发光器件的亮度值，初始采集亮度的电压值为3V，每隔0.2V采集一次，每次采集的亮度值除以对应的电流密度即获得该次采集条件下的发光器件的电流效率，从而获得在电压为0V至8V的通电条件下的最大电流效率。寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个发光器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并计算获得各个发光器件在1000尼特(nit)的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95-1K,h)。实施例3至实施例13以及对比例的发光器件的性能检测数据详见下表1：
表1实施例3至实施例13以及对比例的发光器件的性能检测数据一览表
由表1可知，实施例3至实施例13中发光器件的综合性能均明显优越于对比例的发光器件，以实施例8为例，实施例8中发光器件的EQEmax是对比例中发光器件的EQEmax的1.8倍，且实施例8中发光器件的最大电流效率是对比例中发光器件的最大电流效率的2.1倍，且实施例8中发光器件的T95-1K是对比例中发光器件的T95-1K的10.8倍，说明：在电子传输层中添加第二化合物，能够降低纳米金属氧化物的表面缺陷，从而提高电子传输层的稳定性，有利于提高发光器件的综合性能。
由实施例3至实施例7中发光器件的性能数据可知，在发光器件的电子传输层中，第一化合物：第二化合物的质量比优选为1：(0.001～0.01)，即实施例3至实施例5中发光器件的综合性能均优于实施例6和实施例7。若电子传输层中第二化合物的含量过低(例如实施例6)，则对纳米金属氧化物的稳定性提升效果有限；若电子传输层中第二化合物的含量过高(例如实施例7)，则对电子传输层的电子注入与传输水平提升程度有限。
由实施例3与实施例9可知，在发光器件的电子传输层中，相较于第一化合物选自纳米ZnO，第一化合物选自纳米ZnMgO更有利于提高发光器件的综合性能。
由实施例3、实施例10至实施例13中发光器件的性能数据可知，在发光器件的电子传输层中，当第一化合物选自纳米ZnMgO时，优选纳米ZnMgO的粒径为5nm至8nm，有利于在降低纳米ZnMgO的表面缺陷与确保电子传输层具有理想的电子迁移率之间保持平衡，即实施例3、实施例10和实施例11中发光器件的综合性能优于实施例12和实施例13的发光器件。若纳米ZnMgO的粒径过小(例如实施例12)，则纳米ZnMgO的导电性能有限，从而对电子传输层的电子注入与传输效果提升程度有限；若纳米ZnMgO的粒径过大(例如实施例13)，则纳米ZnMgO的表面缺陷过多，造成第二化合物对纳米ZnMgO的表面缺陷钝化效果有限。
以上对本申请实施例所提供的一种化合物、包含化合物的发光器件以及显示装置，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
在通式(Ⅰ)中，A选自如下基团：
B选自含有氮原子的杂环基团；
n为大于等于1的正整数。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述A选自如下基团：
3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述B选自如下基团：
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述n为1或2。
5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自：
和/或
6.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，所述电子传输层的材料包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为纳米金属氧化物，所述第二化合物为如权利要求1至5任一项中所述的化合物。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种；所述第一化合物的粒径为2nm至15nm。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述第一化合物选自ZnMgO，所述ZnMgO的粒径为5nm至8nm。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，在所述电子传输层中，所述第一化合物：所述第二化合物的质量比为1：(0.001～0.01)。
10.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
11.根据权利要求6至10任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；
所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，当所述空穴功能层包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；
所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求6至11任一项中所述的发光器件。
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