CN116987298A - 薄膜、发光器件与显示装置 - Google Patents

薄膜、发光器件与显示装置 Download PDF

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CN116987298A CN202210419148.3A CN202210419148A CN116987298A CN 116987298 A CN116987298 A CN 116987298A CN 202210419148 A CN202210419148 A CN 202210419148A CN 116987298 A CN116987298 A CN 116987298A
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Abstract

本申请公开一种薄膜、发光器件与显示装置，所述薄膜的材料包括导电聚合物，导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000，所述薄膜具有理想的抗溶剂特性。

Description

薄膜、发光器件与显示装置
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种薄膜、发光器件与显示装置。
背景技术
发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，其广泛应用于显示、照明等技术领域。发光器件通常为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。为了进一步地提高发光器件的综合性能，可以在阳极与发光层之间设置空穴功能层。
溶液法制备发光器件具有无需真空制程、易实现大面积化、成本低等优点。然而，当采用溶液法制备依次层叠设置的多个功能层(例如三个功能层以上)时，相邻功能层之间易发生互溶的问题，影响器件性能。
发明内容
本申请提供了一种薄膜、发光器件与显示装置，以改善薄膜的抗溶剂性能。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种薄膜，所述薄膜的材料包括导电聚合物，所述导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种；
其中，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000。
进一步地，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃；
和/或，所述导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2。
进一步地，所述芳香胺基结构单元选自三苯胺基结构单元；
和/或，所述杂芳基结构单元选自咔唑基结构单元或包含噻吩基结构单元中的至少一者。
进一步地，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为120℃至200℃。
进一步地，在所述导电聚合物中，超过10％重量的聚合物的分子量为所述导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍；
并且，不超过5％重量的聚合物的分子量小于所述导电聚合物的重均分子量的0.3倍，或者不超过5％重量的聚合物的分子量大于所述导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
进一步地，所述导电聚合物的重复单元选自：
其中，R1至R20彼此独立地选自氢原子、碳原子数为1个至20个的烷基、芳基或杂芳基，n、m、p、y和z分别代表摩尔分数；
在结构式(Ⅰ)中，m、n以及p三者之和为1，且0.5＜n＜0.9，且0.1＜m＜0.4，且0＜p＜0.1；
在结构式(Ⅲ)中，y和z两者之和为1，且0＜y＜0.5，且0.5＜z＜1。
第二方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
其中，所述空穴功能层的材料包括如第一方面中任意一种所述的薄膜。
进一步地，所述发光器件还包括：电子功能层，设置于所述发光层与所述阴极之间；
所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，当所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层时，所述电子传输层靠近所述发光层，且所述电子注入层靠近所述阴极；
所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl、ZnOF或ZnMgLiO中的至少一种，所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm；
所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是氟化锂，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
进一步地，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
第三方面，本申请还提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层；
其中，所述导电聚合物包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000；
当所述发光器件为正置型结构时，所述叠层结构为包含阳极的基板，所述空穴功能层形成于所述阳极的一侧；
当所述发光器件为倒置型结构时，所述叠层结构为包含阴极和发光层的基板，所述空穴功能层形成于所述发光层远离所述阴极的一侧。
进一步地，所述包含导电聚合物的溶液的溶剂选自氯苯、甲苯，二甲苯、环己基苯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、氯萘、邻苯二甲酸酐或溴苯中的至少一种。
进一步地，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述空穴功能层远离阳极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层。
第四方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面中任意一种所述的发光器件，或第三方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。
本申请提供了一种薄膜、发光器件与显示装置，具有如下技术效果：
本申请中薄膜的材料包括导电聚合物，导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，且导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃，且导电聚合物的重均分子量为60000至150000，且导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2，提高了薄膜的抗溶剂性能。
所述薄膜能够用于制备发光器件的空穴功能层，当采用溶液法制备发光器件的空穴功能层和空穴功能层的相邻层时，有效改善空穴功能层与相邻层之间的“互溶”现象。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的第一种发光器件的结构示意图。
图2为本申请实施例中提供的第二种发光器件的结构示意图。
图3为本申请实施例中提供的第三种发光器件的结构示意图。
图4为本申请实验例1中未经氯苯溶剂处理的导电聚合物A和经氯苯溶剂处理的导电聚合物A的荧光发射光谱图。
图5为本申请实验例1中未经氯苯溶剂处理的导电聚合物B和经氯苯溶剂处理的导电聚合物B的荧光发射光谱图。
图6为本申请实验例2中实施例9、实施例13以及对比例中发光器件的电流密度-电流效率特性曲线图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种薄膜，薄膜的材料包括导电聚合物，所述导电聚合物的重复单元包括芴基结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，其中，导电聚合物的重均分子量为60000至150000。
可以理解的是，导电聚合物为高分子材料，导电聚合物可以是均聚物或共聚物，当导电聚合物为共聚物时，导电聚合物可以是交替共聚物、无归共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。在本申请的一些实施例中，导电聚合物为交替共聚物。
如本申请所用，“重复单元”是指导电聚合物的高分子链上化学组成和结构均重复出现的最小基本单位，其是构成高分子链并决定高分子以一定方式连接起来的原子组合，高分子链中重复单元的重复次数即为聚合度。
如本申请所用，“结构单元”是指导电聚合物的重复单元中包括的最小的不能再分的结构单位，当结构单元与重复单元一致时，聚合度、结构单元数和重复单元数三者均相等。
如本申请所用，“芴基”既包括未发生取代的芴基，又包括一个或多个氢原子任选地被其他基团取代的芴基，其他基团例如可以是烷基，允许存在多重取代度。
如本申请所用，“芳香胺基”是指具有一个或多个芳香性取代基的胺基，即-NH2、-NH或氮原子连接至芳基上；“芳基”既包括未发生取代的芳基，又包括一个或多个氢原子任选地被其他基团取代的芳基，“未发生取代的芳基”是指芳香环上仅包含碳原子的芳香基团，包括但不限于是苯基、1-萘基、2-萘基或联苯基；“取代的芳基”是指芳香环上仅包含碳原子的芳香基团上的一个氢原子或多个氢原子任选地被其他基团取代，其他基团例如可以是卤素原子或烷基，允许存在多重取代度。
如本申请所用，“杂芳基”是指芳基中一个或多个碳原子独立地被一个或多个杂原子(例如N、O、P和/或S)替代，例如杂芳基具有3至20个碳原子，又如杂芳基具有5至15个碳原子，又如杂芳基具有5至9个碳原子，杂芳基可以是未取代的，也可以是其上的一个氢原子或多个氢原子任选地被其他基团取代，其他基团例如可以是烷基、卤素等，允许存在多重取代度。在本申请的一些实施例中，杂芳基例如可以是噻吩基或咔唑基。
如本申请所用，“重均分子量”是指聚合物中以重量统计平均的分子量值。
导电聚合物的重均分子量过高或过低均对发光器件的光电性能提升程度有限，若导电聚合物的重均分子量低于60000，则薄膜的交联程度有限，从而薄膜的抗溶剂特性提高程度有限；若导电聚合物的重均分子量高于150000，则导电聚合物分散于溶剂中制得的导电聚合物溶液粘度过高，不利于施工，使得成膜质量下降，例如：若采用喷墨打印法制备薄膜，则喷墨打印设备可能无法兼容粘度过高的导电聚合物溶液。
薄膜能够用于制备发光器件的空穴功能层，例如空穴传输层。以发光器件为QLED为例，由于作为发光层材料的量子点是无机纳米颗粒，量子点经过配体修饰后在溶剂(例如乙醇)中具有良好的溶解特性与稳定性，而溶液法制备发光层具有无需真空制程、易实现大面积化、成本低等优点，所以发光层通常采用溶液法制备；对于正置型结构的QLED，需先制备空穴功能层，再制备发光层，若均采用溶液法制备空穴功能层和发光层，则空穴功能层与发光层会发生互溶的现象，导致空穴注入水平下降，而QLED本身就存在空穴注入水平低于电子注入水平的问题，“互溶”现象会加剧QLED的载流子注入不平衡问题，从而导致QLED的综合性能下降。本申请实施例的薄膜具有理想的抗溶剂特性，有效改善了“互溶”现象，有利于提高发光器件的光电性能。
为了进一步地提高薄膜的抗溶剂特性，在本申请的一些实施例中，导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃，导电聚合物的玻璃化转变温度例如可以是80℃至100℃、100℃至120℃、120℃至200℃、200℃至220℃、或220℃至250℃。
为了进一步地提高薄膜的抗溶剂特性，在本申请的一些实施例中，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2。如本申请所用，“数均分子量”是指聚合物中以分子数统计平均的分子量值。导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值是指导电聚合物的分散指数，用于评价导电聚合物的分子量分布，通过限定导电聚合物的分散指数以实现准确调控，从而提高应用有薄膜的发光器件的重复性与稳定性。
在本申请的一些实施例中，芳香胺基结构单元选自三苯胺基结构单元。
在本申请的一些实施例中，杂芳基结构单元选自咔唑基结构单元或包含噻吩基结构单元中的至少一者。
为了更进一步地提高薄膜的抗溶剂特性，并且进一步地实现精细调控以确保应用有薄膜的发光器件的重复性与稳定性，在本申请的一些实施例中，在导电聚合物中，超过10％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍；并且，不超过5％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，或者不超过5％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
在本申请的一些实施例中，导电聚合物的重复单元选自：
其中，R1至R20彼此独立地选自氢原子、碳原子数为1个至20个的烷基、芳基或杂芳基，n、m、p、y和z分别代表摩尔分数；
在结构式(Ⅰ)中，m、n以及p三者之和为1，且0.5＜n＜0.9，且0.1＜m＜0.4，且0＜p＜0.1；
在结构式(Ⅲ)中，y和z两者之和为1，且0＜y＜0.5，且0.5＜z＜1。
如本申请所用，“烷基”是指一类仅含有碳原子和氢原子的链状有机基团，既包括未发生取代的烷基，又包括一个或多个氢原子任选地被其他基团取代的烷基，其他基团例如可以是卤素原子，允许存在多重取代度，烷基例如可以是甲基、乙基、正丙基或异丙基中的至少一种。
可以理解的是，对于具有相同通式的一类导电聚合物，本领域人员知晓如何通过控制反应条件来获得不同聚合度的聚合物，例如：通过调控单体的反应时间。
本申请实施例还提供了一种薄膜的制备方法，包括步骤：提供基板，在基板的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得薄膜。
具体的，“基板”可以是单层结构，也可以是叠层结构。
“施加”的方式可以是溶液法，包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸。
“干燥处理”包括所有能使湿膜获得更高能量而转变为干膜的工序，例如可以是热处理、室温静置晾干等，其中，“热处理”可以是恒温式热处理，也可以是非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)。在本申请的一些实施例中，“干燥处理”是指置于100℃至250℃的条件下恒温热处理10min至30min。
本申请实施例还提供了一种发光器件，如图1所示，如图1所示，发光器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及空穴功能层14，其中，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，空穴功能层14设置于阳极11与发光层13之间，其中，空穴功能层14的材料包括本申请实施例中任意一种所述的薄膜。
在本申请实施例的发光器件中，阳极11、阴极12以及发光层13的材料可以是本领域常见的材料，例如：
阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2或TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是40nm至200nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至200nm。
发光层13的材料选自有机发光材料或量子点。发光层13的厚度例如可以是10nm至50nm。有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种。
量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。量子点的粒径例如可以是5nm至10nm。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，单一组分量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料或核壳结构量子点的壳的材料包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺或1,2-乙二胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
在本申请的至少一个实施例中，空穴功能层14包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，其中，空穴注入层靠近阳极11，空穴传输层靠近发光层13。空穴传输层的材料为本申请实施例中任意一种所述的薄膜，空穴传输层的厚度例如可以是10nm至50nm。
空穴注入层的厚度例如可以是10nm至60nm。空穴注入层的材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的一种或多种，其中，过渡金属氧化物可以是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
为了进一步地提升发光器件的综合性能，在本申请的一些实施例中，如图2所示，发光器件1还包括：电子功能层15，设置于阴极12与发光层13之间。电子功能层15包括电子传输层和/或电子注入层，当电子功能层15包括层叠设置的电子传输层和电子注入层时，电子传输层靠近发光层，电子注入层靠近阴极。
电子传输层的厚度例如可以是10nm至100nm。电子传输层的材料包括但不限于是纳米金属氧化物，纳米金属氧化物可以是未掺杂的纳米金属氧化物，也可以是掺杂的纳米金属氧化物，纳米金属氧化物的平均粒径例如可以是2nm至15nm。在本申请的一些实施例中，第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种，需要说明的是，对于掺杂的纳米金属氧化物，提供的化学式仅示明了元素组成，并未示明各个元素的含量，例如：ZnMgO仅表示由Zn、Mg和O三种元素组成。
电子注入层的厚度例如可以是10nm至100nm。电子注入层的材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
本申请实施例还提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供叠层结构，在叠层结构的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层。
具体的，导电聚合物如前文所述的任意一种导电聚合物。
当发光器件为正置型结构时，叠层结构例如可以是包含阳极的基板，空穴功能层形成于所述阳极的一侧。
进一步地，包含导电聚合物的溶液的溶剂选自氯苯、甲苯，二甲苯、环己基苯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、氯萘、邻苯二甲酸酐或溴苯中的至少一种。
进一步地，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述空穴功能层远离阳极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为正置型结构时，所述制备方法包括如下步骤：
S1、提供衬底，在衬底的一侧制备形成阳极；
S2、在阳极远离衬底的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层；
S3、在空穴功能层远离阳极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层；
S4、在发光层远离空穴功能层的一侧制备形成电子功能层；
S5、在电子传输层远离发光层的一侧制备形成阴极。
当发光器件为倒置型结构时，叠层结构例如可以是包含阴极和发光层的基板，空穴功能层形成于发光层远离阴极的一侧。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为倒置型结构时，所述制备方法包括如下步骤：
S1’、提供衬底，在衬底的一侧制备形成阴极；
S2’、在阴极远离衬底的一侧制备形成电子功能层；
S3’、在电子传输层远离阴极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层；
S4’、在发光层远离电子传输层的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层；
S5’、在空穴功能层远离发光层的一侧制备形成阳极。
需要说明的是，除了空穴功能层之外，发光器件中其他各个膜层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备膜层时，需增设干燥处理工序，以使湿膜转变为干膜。
可以理解的是，发光器件的制备方法还可以包括其他步骤，例如：在制备完成发光器件的各个层之后，需对发光器件进行封装处理。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种所述的发光器件或任意一种所述发光器件的制备方法制得的发光器件。所述显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，所述薄膜的材料为导电聚合物，导电聚合物的重复单元具有如下式(1.1)所示的结构：
式(1.1)所示的重复单元由芴结构单元和三苯胺基结构单元组成，且C4H9基团为正丁基。所述导电聚合物的重均分子量为86000，重均分子量/数均分子量的比值为1.5，玻璃化转变温度为100℃；在导电聚合物中，30％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，2.5％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，2.5％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法包括如下步骤：
S1.1、将导电聚合物分散于氯苯中，配置成浓度为10mg/mL的导电聚合物-氯苯溶液；
S1.2、提供基板，在常温常压的大气环境下，在基板的一侧旋涂步骤S1.1制得的导电聚合物-氯苯溶液，然后置于150℃恒温热处理20min，获得厚度为25nm的薄膜。
实施例2
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物的聚合度不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(1.1)所示的结构，导电聚合物的重均分子量为60000，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值为1.4，导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃；在导电聚合物中，50％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，2％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，2％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法参照实施例1进行。
实施例3
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物的聚合度不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(1.1)所示的结构，导电聚合物的重均分子量为150000，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值为2，导电聚合物的玻璃化转变温度为200℃；在导电聚合物中，20％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，2％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，2％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法参照实施例1进行。
实施例4
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物的聚合度不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(1.1)所示的结构，导电聚合物的重均分子量为120000，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值为1.6，导电聚合物的玻璃化转变温度为180℃；在导电聚合物中，25％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，1.5％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，1.5％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法参照实施例1进行。
实施例5
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物的聚合度不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(1.1)所示的结构，导电聚合物的重均分子量为43000，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值为3.6，导电聚合物的玻璃化转变温度为60℃；在导电聚合物中，5％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，10％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，10％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法参照实施例1进行。
实施例6
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物的聚合度不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(1.1)所示的结构，导电聚合物的重均分子量为80000，导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值为1.5，导电聚合物的玻璃化转变温度为95℃；在导电聚合物中，5％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，10％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，10％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
本实施例中薄膜的制备方法参照实施例1进行。
实施例7
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(7.1)所示的结构：
本实施例中导电聚合物的重均分子量为100000，重均分子量/数均分子量的比值为2.0，玻璃化转变温度为190℃；在导电聚合物中，15％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，2％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，2％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
实施例8
本实施例提供了一种薄膜及其制备方法，相较于实施例1的薄膜，本实施例的薄膜的区别之处仅在于：导电聚合物不相同，本实施例中导电聚合物的重复单元具有式(8.1)所示的结构：
本实施例中导电聚合物的重均分子量为95000，重均分子量/数均分子量的比值为1.4，玻璃化转变温度为125℃；在导电聚合物中，40％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，2.5％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍，2％重量的聚合物的分子量大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍
实施例9
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件为正置型结构的量子点发光二极管，如图3所示，在由下至上的方向上，发光器件1包括依次层叠设置的衬底10、阳极11、空穴功能层14、发光层13、电子功能层15以及阴极12，其中，空穴功能层14由层叠设置的空穴注入层141和空穴传输层142组成，空穴注入层141靠近阳极11，空穴传输层142靠近发光层13，电子功能层15为电子传输层。
发光器件1中各个层的材料与厚度如下：
衬底10的材料为玻璃，衬底10的厚度为0.5mm；
阳极11的材料为Ag/ITO，阳极11的厚度为Ag，其中，Ag层的厚度为100nm，ITO层的厚度为10nm；
阴极12的材料为Ag，阴极12的厚度为25nm；
发光层13的材料为核壳结构量子点CdZnSe/ZnSe/ZnS(粒径是10nm，表面连接有油酸配体，发光颜色为绿色)，发光层13的厚度为20nm；
电子功能层15的材料为纳米Zn0.9Mg0.1O(平均粒径是7nm)，电子功能层15的厚度为30nm；
空穴注入层141的材料为PEDOT:PSS，空穴注入层141的厚度为25nm；
空穴传输层142的材料为实施例1制得的薄膜，空穴传输层142的厚度为25nm。
本实施例中发光器件的制备方法包括如下步骤：
S9.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，用棉签蘸取少量肥皂水擦拭ITO层表面以去除表面肉眼可见的杂质，然后将包括ITO的衬底依次采用去离子水超声清洗15min、丙酮超声清洗15min、乙醇超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理15min，获得包括阳极的衬底；
S9.2、在常温常压的大气环境下，在步骤S9.1的阳极远离衬底的一侧旋涂PEDOT：PSS水溶液，然后置于150℃下恒温热处理20min，获得空穴注入层；
S9.3、参照步骤S1.1和S1.2进行，获得空穴传输层；
S9.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S9.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧旋涂浓度为20mg/mL的CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点-正辛烷溶液，然后置于100℃下恒温热处理10min，获得发光层；
S9.5、在常温常压的氮气环境下，在步骤S9.4远离发光层的一侧旋涂浓度为30mg/mL的纳米Zn0.9Mg0.1O-乙醇溶液，然后置于150℃下恒温热处理20min，获得电子传输层；
S9.6、在气压为4×10-6mbar的真空环境下，在步骤S9.4的电子传输层远离发光层的一侧蒸镀Ag，获得阴极，然后采用紫外固化胶封装，获得发光器件。
实施例10
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例2制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例11
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例3制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例12
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例4制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例13
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例5制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例14
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例6制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例15
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例7制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
实施例16
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将空穴传输层的材料由实施例1制得的薄膜替换为“实施例8制得的薄膜”。
本实施例中发光器件的制备方法参照实施例9进行。
对比例
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例9的发光器件，本对比例的发光器件的区别之处仅在于：空穴传输层的材料为TFB。
较于实施例9的制备方法，本对比例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S9.3替换为“在常温常压的氮气环境下，在空穴注入层远离阳极的一侧旋涂浓度为10mg/mL的TFB-氯苯溶液，然后置于150℃恒温热处理20min，获得空穴传输层”。
实验例1
本实验例比较了实施例1中薄膜和实施例6中薄膜的耐溶剂特性，其中，实施例1中薄膜的材料为导电聚合物A，实施例6中薄膜的材料为导电聚合物B，耐溶剂特性实验包括如下步骤：
S10.1、分别检测获得导电聚合物A和导电聚合物B的荧光发射光谱图；
S10.2、将导电聚合物A分散于氯苯以配置成浓度为10mg/mL的导电聚合物A-氯苯溶液，并将导电聚合物B分散于氯苯以配置成浓度为10mg/mL的导电聚合物B-氯苯溶液，分别检测获得导电聚合物A-氯苯溶液和导电聚合物B-氯苯溶液的荧光发射光谱图。
检测结果如图4和图5所示，相较于未经氯苯溶剂处理的导电聚合物A(标记为A1)，经氯苯溶剂处理的导电聚合物A(标记为A2)荧光强度略有降低；相较于未经氯苯溶剂处理的导电聚合物B(标记为B1)，经氯苯溶剂处理的导电聚合物B(标记为B2)荧光强度同样降低，且降低幅度明显大于经氯苯溶剂处理的导电聚合物A，说明实施例1中薄膜的抗溶剂特性优于实施例6中薄膜。
实验例2
对实施例9至实施例16以及对比例的发光器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley 2400以及Keithley 6485搭建的效率测试系统)检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)、功率效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命。
其中，外量子效率的测试方法为积分球测试法。寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个发光器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并计算获得各个发光器件在1000尼特(nit)的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(LT95@1000nit,h)。电流效率的测试方法为：设定发光面积为2mm×2mm＝4mm2，间断地采集驱动电压为0V至8V范围内发光器件的亮度值，初始采集亮度的电压值为3V，每隔0.2V采集一次，每次采集的亮度值除以对应的电流密度即获得该次采集条件下的发光器件的电流效率，从而获得在电压为0V至8V的通电条件下的最大电流效率。
各个发光器件的最大电流效率(CE@max,cd/A)的性能检测数据详见下表1：
表1实施例9至实施例16以及对比例的发光器件的性能检测数据一览表
由表1可知，实施例9至实施例16中发光器件的光电性能明显优越于对比例的发光器件，以实施例1为例，实施例1中发光器件的CE@max是对比例中CE@max的2.4倍，充分说明：采用本申请实施例的薄膜作为发光器件的空穴传输层材料，能够提高空穴传输层的抗溶剂特性，当均采用溶液法制备发光器件的空穴传输层和发光层时，能够改善空穴传输层与发光层之间的“互溶”问题，从而提高发光器件的光电性能。
由实施例9至实施例13的实验数据可知，实施例9至实施例12中发光器件的最大电流效率显著高于实施例13中发光器件的最大电流效率，且由图6可知，在相同的通电条件下，实施例9中发光器件的电流效率明显优于实施例13中发光器件的电流效率，因此，优选空穴传输层中导电聚合物的重均分子量为60000至150000，说明：导电聚合物的重均分子量过低对发光器件的光电性能提升程度有限，若导电聚合物的重均分子量低于60000，则空穴传输层的交联程度有限，从而空穴传输层的抗溶剂特性提高程度有限。
由实施例9至实施例12以及实施例14至实施例16的实验数据可知，实施例14中发光器件的最大电流效率低于实施例9至实施例12、实施例15以及实施例16中发光器件的最大电流效率，说明：在导电聚合物中，优选超过10％重量的聚合物的分子量为导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍，且不超过5％重量的聚合物的分子量小于导电聚合物的重均分子量的0.3倍或者大于导电聚合物的重均分子量的1.7倍，能够进一步地提高空穴传输层的抗溶剂特性，从而有利于提升发光器件的光电性能。
以上对本申请实施例所提供的一种薄膜、发光器件与显示装置，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括导电聚合物，所述导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种；
其中，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃；
和/或，所述导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2。
3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述芳香胺基结构单元选自三苯胺基结构单元；
和/或，所述杂芳基结构单元选自咔唑基结构单元或包含噻吩基结构单元中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为120℃至200℃。
5.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，在所述导电聚合物中，超过10％重量的聚合物的分子量为所述导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍；
并且，不超过5％重量的聚合物的分子量小于所述导电聚合物的重均分子量的0.3倍，或者不超过5％重量的聚合物的分子量大于所述导电聚合物的重均分子量的1.7倍。
6.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电聚合物的重复单元选自：
其中，R1至R20彼此独立地选自氢原子、碳原子数为1个至20个的烷基、芳基或杂芳基，n、m、p、y和z分别代表摩尔分数；
在结构式(Ⅰ)中，m、n以及p三者之和为1，且0.5＜n＜0.9，且0.1＜m＜0.4，且0＜p＜0.1；
在结构式(Ⅲ)中，y和z两者之和为1，且0＜y＜0.5，且0.5＜z＜1。
7.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
其中，所述空穴功能层的材料包括如权利要求1至6任一项中所述的薄膜。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：电子功能层，设置于所述发光层与所述阴极之间；
所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，当所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层时，所述电子传输层靠近所述发光层，且所述电子注入层靠近所述阴极；
所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl、ZnOF或ZnMgLiO中的至少一种，所述纳米金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm；
所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是氟化锂，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
10.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层；
其中，所述导电聚合物包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000；
当所述发光器件为正置型结构时，所述叠层结构为包含阳极的基板，所述空穴功能层形成于所述阳极的一侧；
当所述发光器件为倒置型结构时，所述叠层结构为包含阴极和发光层的基板，所述空穴功能层形成于所述发光层远离所述阴极的一侧。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述包含导电聚合物的溶液的溶剂选自氯苯、甲苯，二甲苯、环己基苯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、氯萘、邻苯二甲酸酐或溴苯中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述空穴功能层远离阳极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7至9任一项中所述的发光器件，或如权利要求10至12任一项中所述的制备方法制得的发光器件。
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