CN117645280A - 复合材料的制备方法、发光器件与显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种复合材料的制备方法、发光器件与显示装置，所述制备方法包括步骤：提供金属氧化物和氢硫酸，将金属氧化物和氢硫酸混合反应以获得复合材料，氢硫酸用于钝化金属氧化物的表面缺陷，有效提高金属氧化物的性能稳定性，在所述发光器件中，采用所述制备方法制得的复合材料作为载流子功能材料，能够提高载流子功能层的性能稳定性，有效改善了载流子功能层与发光层之间的界面激子淬灭问题，从而提高了发光器件的发光效率和使用寿命，所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。

Description

复合材料的制备方法、发光器件与显示装置
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种复合材料的制备方法、发光器件与显示装置。
背景技术
金属氧化物是指金属元素和氧元素结合形成的化合物，将金属氧化物纳米化后，金属氧化物因尺寸小、比表面积大、表面活性中心多的特性而具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子点尺寸效应和宏观量子隧道效应，从而广泛应用于高效催化剂、电池、光电器件、超级电容器、储能器件、磁性器件以及光学器件中。
金属氧化物属于无机化合物，具有良好的化学稳定性和热稳定性，并且金属氧化物具有宽带隙特性，能够用作载流子功能材料。但是，金属氧化物的表面存在较多的缺陷态，例如氧空位等，一般情况下，金属氧化物中缺陷态的数量越多，金属氧化物的导电性能越强，但是缺陷态的数量过多，会使金属氧化物的性能稳定性下降。
因此，如何提高金属氧化物的性能稳定性对金属氧化物的应用与发展具有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种复合材料的制备方法、发光器件与显示装置，以改善金属氧化物的性能稳定性。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种复合材料的制备方法，包括步骤：提供金属氧化物和氢硫酸，将所述金属氧化物和所述氢硫酸混合反应以获得复合材料。
进一步地，在所述混合反应中，所述氢硫酸：所述金属氧化物的质量比为1：(50～200)。
进一步地，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种。
进一步地，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至10nm。
进一步地，所述将所述金属氧化物和所述氢硫酸混合反应以获得复合材料的步骤，包括：
将所述金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第一预设温度的条件下，向所述金属氧化物溶液中通入硫化氢气体，混合反应以获得所述复合材料；
或者，将所述金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第二预设温度的条件下，将所述金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应以获得所述复合材料。
进一步地，所述第一预设温度为20℃至50℃，或者所述第二预设温度为20℃至50℃；
和/或，所述溶剂选自水、乙醇、丙醇、丁醇、已醇、正辛烷、正己烷或乙二醇单甲醚中的至少一种。
进一步地，所述向所述金属氧化物溶液中通入硫化氢气体的步骤是在隔绝氧气的环境下进行；
或者，所述将所述金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应的步骤是在隔绝氧气的环境下进行。
本申请还提供了一种发光器件，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
载流子功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间，和/或设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，所述载流子功能层中的至少部分膜层的材料包括如第一方面中任意一种所述的制备方法制得的复合材料。
进一步地，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；
和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种。
进一步地，载流子功能层包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间，所述电子传输层的材料包括如第一方面中任意一种所述的制备方法制得的复合材料。
进一步地，所述载流子功能层包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；
对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层更靠近所述发光层。
进一步地，所述空穴传输层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种；
和/或，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面中任意一种所述的发光器件。
本申请提供了一种复合材料的制备方法、发光器件与显示装置，具有如下技术效果：
在所述复合材料的制备方法中，采用氢硫酸作为钝化剂以钝化金属氧化物的表面缺陷，即氢硫酸会电离产生H+和S2-，S2-会与金属氧化物表面的金属离子(例如Zn2+)相结合，而H+会与金属氧化物表面游离的羟基结合，从而有效减少金属氧化物的表面缺陷，有效提高金属氧化物的性能稳定性。
在所述发光器件中，采用所述复合材料的制备方法制得的复合材料(即经氢硫酸钝化处理的金属氧化物)作为载流子功能材料，能够提高载流子功能层的性能稳定性，有效改善了载流子功能层与发光层之间的界面激子淬灭问题，从而提高了发光器件的发光效率和使用寿命。
将本申请的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的第一种发光器件的结构示意图。
图2为本申请实施例中提供的第二种发光器件的结构示意图。
图3为本申请实施例中提供的第三种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种复合材料的制备方法，包括步骤：提供金属氧化物和氢硫酸，将金属氧化物和氢硫酸混合反应以获得复合材料。
对上述制备方法需要说明的是，采用氢硫酸作为钝化剂以钝化金属氧化物的表面缺陷，即氢硫酸会电离产生H+和S2-，S2-会与金属氧化物表面的金属离子(例如Zn2+)相结合，而H+会与金属氧化物表面游离的羟基结合，从而有效减少金属氧化物的表面缺陷，有效提高金属氧化物的性能稳定性。
在本申请的一些实施例中，氢硫酸：金属氧化物的质量比为1：(50～200)，以有效减少金属氧化物的表面缺陷的同时，提高钝化后的金属氧化物的分散性能。氢硫酸：金属氧化物的质量比例如可以是1：(50～60)、1：(60～80)、1：(80～100)、1：(100～120)、1：(120～130)、1：(120～140)、1：(140～160)、1：(160～180)、或者1：(180～200)，示例为1：50、1：80、1：100、1：120、1：150或1：200。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物为纳米金属氧化物，金属氧化物的平均粒径为2nm至10nm，以确保金属氧化物具有理想的导电性的同时，提高金属氧化物的溶液加工性能。金属氧化物的平均粒径例如可以是2nm至4nm、4nm至6nm、6nm至8nm、或者8nm至10nm，示例为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。
在本申请的一些实施例中，所述将所述金属氧化物和所述氢硫酸混合反应以获得复合材料的步骤，包括步骤：将金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第一预设温度的条件下，向金属氧化物溶液中通入硫化氢气体，混合反应以获得复合材料。
在本申请的一些实施例中，第一预设温度为20℃至50℃，例如可以是20℃至30℃、30℃至40℃、或者40℃至50℃，示例为20℃、30℃、40℃、或者50℃。
为了保证硫化氢气体在金属氧化物溶液中具有理想的溶解度，并防止硫化氢气体溢出，以及避免氧气影响氢硫酸对金属氧化物的钝化效果，在本申请的一些实施例中，所述向金属氧化物溶液中通入硫化氢气体的步骤是在隔绝氧气的环境下进行。隔绝氧气的环境例如可以是惰性气体氛围环境下，惰性气体包括但不限于是氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，溶剂包括所有能使金属氧化物在其中分散性能良好的化合物，包括但不限于是水、乙醇、丙醇、丁醇、已醇、正辛烷、正己烷或乙二醇单甲醚中的至少一种。金属氧化物溶液中金属氧化物的浓度为20mg/mL至100mg/mL，例如可以是20mg/mL至30mg/mL、30mg/mL至40mg/mL、40mg/mL至50mg/mL、50mg/mL至60mg/mL、60mg/mL至80mg/mL、或者80mg/mL至100mg/mL，示例为30mg/mL。
在本申请的一些实施例中，在所述向金属氧化物溶液中通入硫化氢气体，混合反应以获得复合材料的步骤之后，还包括步骤：将复合材料进行固液分离，收集的液体为纯化的复合材料。固液分离包括但不限于是沉降分离或过滤分离，其中，沉降分离包括但不限于是重力沉降、离心沉降或电磁力沉降中的至少一种，过滤分离包括但不限于是反渗透、膜滤、纳滤、超滤或微滤中的至少一种，固液分离示例为离心沉降。
在本申请的一些实施例中，所述将金属氧化物和氢硫酸混合反应以获得复合材料的步骤，包括：将金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第二预设温度的条件下，将金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应以获得复合材料。其中，溶剂参照前文描述。
在本申请的一些实施例中，第二预设温度为20℃至50℃，例如可以是20℃至30℃、30℃至40℃、或者40℃至50℃，示例为20℃、30℃、40℃、或者50℃。
为了避免氧气影响氢硫酸对金属氧化物的钝化效果，在本申请的一些实施例中，金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应的步骤是在隔绝氧气的环境下进行。隔绝氧气的环境参照前文描述。
在本申请的一些实施例中，在所述将金属氧化物和氢硫酸混合反应以获得复合材料的步骤之后，复合材料的制备方法还包括步骤：将复合材料进行固液分离，收集的液体为纯化的复合材料。固液分离参照前文描述。
为了获得薄膜形态的复合材料，在本申请的一些实施例中，复合材料的制备方法还包括步骤：提供基板，在基板的一侧形成复合材料湿膜，然后干燥处理，获得复合材料薄膜。
其中，基板可以是单层结构或叠层结构，当基板为单层结构时，基板可以是刚性衬底或柔性衬底，复合材料薄膜形成于基板的一侧；当基板为叠层结构时，基板可以是预制器件，预制器件例如可以包括层叠设置的衬底和底电极，复合材料薄膜形成于底电极远离衬底的一侧。
复合材料湿膜的形成方式包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸中的至少一种。
“干燥处理”包括所有能使位于基板的一侧的复合材料湿膜获得更高能量而转变为固态膜层的工序，包括但不限于是热处理或真空干燥处理，其中，热处理可以是恒温式热处理，也可以是非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)，热处理的温度例如可以是80℃至150℃。
本申请实施例还提供了一种发光器件，如图1所示，发光器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及载流子功能层14，其中，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，载流子功能层14设置于阳极11与发光层13之间和/或载流子功能层14设置于阴极12与发光层13之间，载流子功能层14中的至少部分膜层的材料包括复合材料的制备方法制得的复合材料。
在本申请实施例的发光器件中，采用经氢硫酸钝化的金属氧化物作为载流子功能材料，能够提高载流子功能层14的性能稳定性，有效改善了载流子功能层14与发光层13之间的界面激子淬灭问题，从而提高了发光器件的发光效率和使用寿命。
以发光器件为QLED为例，电子传输层的性能是QLED的电子注入能力和界面漏电流大小的关键影响因素之一，采用金属氧化物(例如纳米ZnO、镁掺杂的纳米ZnO)作为电子传输层的材料，能够有效改善电子传输层的电子迁移率和能级，促进载流子的注入，但是金属氧化物的表面缺陷会引起发光层与电子传输层之间的激子淬灭，从而对QLED的使用寿命造成不利影响，尤其是蓝色QLED；此外，在蓝色QLED中，电子注入水平远高于空穴注入水平，导致蓝色QLED具有严重的电子-空穴传输不平衡的问题，并且激子复合发光的能级大于金属氧化物的缺陷能级，从而导致激子能量转移至金属氧化物的缺陷能级上，极大地降低了激子复合发光的效率及寿命。在本申请实施例的发光器件1中，可采用复合材料的制备方法制得的复合材料作为电子传输层的材料，能够有效改善发光层与电子传输层之间的界面激子淬灭问题，有效促进了QLED的电子-空穴传输平衡，进而提高了QLED的发光效率和延长了QLED的使用寿命。
在本申请实施例的发光器件1中，阳极11、阴极12和发光层13的材料可以是本领域常见的材料，例如：
阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2或TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是40nm至160nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至120nm。
发光层13的材料选自量子点，量子点的平均粒径例如可以是5nm至10nm，发光层13的厚度例如可以是20nm至60nm。量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺或1,2-乙二胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，继续参阅图1，载流子功能层14包括电子功能层141，电子功能层141设置于阴极12与发光层13之间。电子功能层141包括电子注入层和/或电子传输层，对于包含电子注入层和电子传输层的电子功能层141，电子注入层较电子传输层更靠近阴极12，电子传输层较电子注入层更靠近发光层13，电子注入层的厚度例如可以为10nm至60nm，电子传输层的厚度例如可以为10nm至60nm。
在本申请的一些实施例中，电子功能层141的材料包括复合材料的制备方法制得的复合材料。
当电子功能层141为电子传输层时，电子传输层的材料为经氢硫酸钝化的具有电子传输特性的金属氧化物，具有电子传输特性的金属氧化物包括但不限于是ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种。
当电子功能层141为电子注入层时，电子注入层的材料为经氢硫酸钝化的具有电子注入特性的金属氧化物。
当电子功能层141包括电子注入层和电子传输层时，可以仅电子注入层的材料为复合材料的制备方法制得的复合材料，也可以仅电子传输层的材料为复合材料的制备方法制得的复合材料，也可以电子注入层和电子传输层的材料均为复合材料的制备方法制得的复合材料。
为了获得更佳的光电性能和使用寿命，在本申请的一些实施例中，如图2所示，载流子功能层14还包括空穴功能层142，空穴功能层142设置于阳极11与发光层13之间。空穴功能层142包括空穴注入层和/或空穴传输层，当空穴功能层142包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，空穴传输层较空穴注入层更靠近发光层13，且空穴注入层较空穴传输层更靠近阳极11。空穴功能层142的厚度例如可以是20nm至100nm。
当空穴功能层142为空穴传输层时，空穴传输层的材料为经氢硫酸钝化的具有空穴传输特性的金属氧化物，具有空穴传输特性的金属氧化物包括但不限于是NiO、WO3、MoO3或CuO中的至少一种。
当空穴功能层142为空穴注入层时，空穴注入层的材料为经氢硫酸钝化的具有空穴注入特性的金属氧化物，具有空穴注入特性的金属氧化物包括但不限于是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种。
当空穴功能层142包括空穴注入层和空穴传输层时，可以仅空穴注入层的材料为复合材料的制备方法制得的复合材料，也可以仅空穴传输层的材料为复合材料的制备方法制得的复合材料，也可以空穴注入层和空穴传输层的材料均为复合材料的制备方法制得的复合材料。
需要说明的是，对于包含电子功能层141和空穴功能层142的发光器件1，电子功能层141或空穴功能层142中的至少一者的材料包括复合材料的制备方法制得的复合材料，以QLED为例，可以是空穴功能层142的材料包括复合材料的制备方法制得的复合材料，例如空穴传输层的材料包括经氢硫酸钝化的具有空穴传输特性的金属氧化物，且电子功能层141的材料为常规的电子功能材料；或者，也可以是电子功能层141的材料包括复合材料的制备方法制得的复合材料，例如电子传输层的材料包括经氢硫酸钝化的具有电子传输特性的金属氧化物，且空穴功能层142的材料为常规的空穴功能材料。
其中，常规的空穴传输材料包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(简称为PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](简称为Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(简称为PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称为TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简称为CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称TPD，CAS号为65181-78-4)或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称NPB，CAS号为123847-85-8)中的至少一种；此外，空穴传输层的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是NiO、WO3、MoO3或CuO中的至少一种。
常规的空穴注入材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的一种或多种，其中，过渡金属氧化物可以是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
常规的电子注入材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
常规的电子传输材料包括但不限于是ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种。
需要说明的是，发光器件中各个膜层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种所述的发光器件。所述显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，所述制备方法包括如下步骤：
S1.1、在常温常压的大气环境下，提供5mm的玻璃衬底，在玻璃衬底的一侧溅射ITO以获得厚度为150nm的ITO层，用棉签蘸取少量肥皂水擦拭ITO层表面以去除表面肉眼可见的杂质，然后将包括ITO的衬底依次采用去离子水超声清洗15min、丙酮超声清洗15min、乙醇超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理15min，获得包括阳极的玻璃衬底；
S1.2、在常温常压的大气环境下，在步骤S1.1的阳极远离玻璃衬底的一侧旋涂PEDOT：PSS水溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得厚度为35nm的空穴注入层；
S1.3、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂TFB-氯苯溶液，然后置于140℃下恒温热处理30min，获得厚度为20nm的空穴传输层；
S1.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧喷墨打印浓度为20mg/mL的CdSe/ZnS量子点-正辛烷溶液，然后置于10-7Pa下真空干燥30min，获得厚度为30nm的发光层，其中，CdSe/ZnS量子点的表面连接有TOP配体，CdSe/ZnS量子点的平均粒径为6nm，CdSe/ZnS量子点的发光波长为480nm、峰宽为20nm以及发光颜色为蓝色；
S1.5、提供浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液，取10mL的纳米ZnO-乙醇溶液置于带有搅拌子的三口烧瓶内，并匀速搅拌，接着采用氮气排空气法排净空气后，在25℃下，保持匀速搅拌，向三口烧瓶内的纳米ZnO-乙醇溶液中缓慢通入硫化氢气体，直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120，继续匀速搅拌30min，然后过滤并收集液体，收集的液体为电子传输材料溶液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印电子传输材料溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得厚度为50nm的电子传输层；
S1.6、在气压为4×10-6mbar的真空环境下，在步骤S1.6的电子传输层远离发光层的一侧蒸镀Ag，获得厚度为100nm的阴极，然后采用环氧树脂和玻璃板封装，获得如图3所示结构的发光器件。
请参阅图3，在由下至上的方向上，发光器件1包括依次层叠设置的玻璃衬底10、阳极11、空穴功能层142、发光层13、电子功能层141以及阴极12组成，其中，空穴功能层142由层叠设置的空穴注入层1421和空穴传输层1422组成，且空穴注入层1421较空穴传输层1422更靠近阳极11，空穴传输层1422较空穴注入层1421更靠近发光层13。
实施例2
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120”替换为“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：50”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例3
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120”替换为“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：200”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例4
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120”替换为“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：40”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例5
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120”替换为“直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：300”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例6
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“向三口烧瓶内的纳米ZnO-乙醇溶液中缓慢通入硫化氢气体，直至硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：120”替换为“向三口烧瓶内的纳米ZnO-乙醇溶液中缓慢滴加质量分数为1％的氢硫酸，直至氢硫酸：纳米ZnO的质量比为1：120”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例7
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液”替换为“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为2nm)-乙醇溶液”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例8
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液”替换为“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为10nm)-乙醇溶液”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例9
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液”替换为“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为15nm)-乙醇溶液”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
实施例10
本实施例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液”替换为“浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为1.5nm)-乙醇溶液”。
本实施例中发光器件的结构组成参照图3。
对比例1
本对比例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本对比例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5替换为“在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得厚度为50nm的电子传输层”。
本对比例中发光器件的结构组成参照图3。
对比例2
本对比例提供了一种发光器件的制备方法及制得的发光器件，相较于实施例1的制备方法，本对比例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5替换为“提供浓度为30mg/mL的纳米ZnO(平均粒径为5nm)-乙醇溶液，取10mL的纳米ZnO-乙醇溶液置于带有搅拌子的三口烧瓶内，并匀速搅拌，接着采用氮气排空气法排净空气后，在25℃下，保持匀速搅拌，向三口烧瓶内的纳米ZnO-乙醇溶液中缓慢加入质量分数为1％的硫化胺水溶液，直至硫化胺：纳米ZnO的质量比为1：120，继续匀速搅拌30min，然后过滤并收集液体，收集的液体为电子传输材料溶液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印电子传输材料溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得厚度为50nm的电子传输层”。
实验例
对实施例1至实施例10以及对比例1和对比例2的发光器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley 2400以及Keithley6485搭建的效率测试系统)检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)、功率效率、电流效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命。
其中，外量子效率的测试方法为积分球测试法，并计算获得在电压为0V至8V的通电条件下的最大外量子效率(EQEmax)；电流效率的测试方法为：设定发光面积为2mm×2mm＝4mm2，间断地采集驱动电压为0V至8V范围内发光器件的亮度值，初始采集亮度的电压值为3V，每隔0.2V采集一次，每次采集的亮度值除以对应的电流密度即获得该次采集条件下的发光器件的电流效率，从而获得在电压为0V至8V的通电条件下的最大电流效率。寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个发光器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并计算获得各个发光器件在1000尼特(nit)的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95-1K,h)。实施例3至实施例13以及对比例的发光器件的性能检测数据详见下表1：
表1实施例1至施例10以及对比例1和对比例2的发光器件的性能检测数据一览表
由表1可知，实施例1至实施例10中发光器件的综合性能明显优于对比例1和对比例2中发光器件的综合性能。以实施例6为例，实施例6中发光器件的EQEmax是对比例1中发光器件的EQEmax的2.1倍，且实施例6中发光器件的最大电流效率是对比例1中发光器件的最大电流效率的2.1倍，且实施例6中发光器件的T95-1K是对比例1中发光器件的T95-1K的2.1倍；实施例6中发光器件的EQEmax是对比例2中发光器件的EQEmax的1.9倍，且实施例6中发光器件的最大电流效率是对比例2中发光器件的最大电流效率的1.9倍，且实施例6中发光器件的T95-1K是对比例2中发光器件的T95-1K的2.1倍。由此说明，相较于采用未经钝化处理的纳米金属氧化物作为发光器件中电子传输层的材料，采用经硫化氢钝化作为发光器件中电子传输层的材料，有效地提高了发光器件的发光效率，并延长了发光器件的使用寿命。
由实施例1至实施例5中发光器件的性能检测数据可知，实施例1中发光器件的综合性能最佳，实施例4和实施例5中发光器件的综合性能差于实施例1至实施例3中发光器件的综合性能，由此说明，优选硫化氢：纳米ZnO的质量比为1：(50～200)，有效减少纳米ZnO的表面缺陷的同时，提高钝化后的纳米ZnO的分散性能，从而提高电子传输层的成膜质量，进而进一步地提高了发光器件的发光效率和延长了发光器件的使用寿命。
由实施例1、实施例7至实施例10中发光器件的性能检测数据可知，实施例1中发光器件的综合性能最佳，实施例9和实施例10中发光器件的综合性能差于实施例1、实施例7和实施例8中发光器件的综合性能，由此说明，优选纳米ZnO的平均粒径为2nm至10nm，以确保纳米ZnO具有理想的导电性的同时，提高电子传输材料溶液制备电子传输层的成膜质量，并提高纳米ZnO的稳定性，从而进一步地减少电子传输层与发光层之间的激子淬灭，进而进一步地提高了发光器件的发光效率和延长了发光器件的使用寿命。
由实施例1与对比例2中发光器件的性能检测数据可知，对比例2中发光器件的综合性能差于实施例1中发光器件的综合性能，原因可能在于：当采用硫化胺作为纳米ZnO的钝化剂时，不但硫会结合于纳米ZnO的表面，胺基也会结合于纳米ZnO的表面，从而对发光器件的发光效率和使用寿命造成不利影响。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件的制备方法、发光器件与显示装置，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供金属氧化物和氢硫酸，将所述金属氧化物和所述氢硫酸混合反应以获得复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述混合反应中，所述氢硫酸：所述金属氧化物的质量比为1：(50～200)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种，和/或，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至10nm。
4.根据权利要求1至3任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述将所述金属氧化物和所述氢硫酸混合反应以获得复合材料的步骤，包括：
将所述金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第一预设温度的条件下，向所述金属氧化物溶液中通入硫化氢气体，混合反应以获得所述复合材料；
或者，将所述金属氧化物分散于溶剂中以获得金属氧化物溶液，然后在第二预设温度的条件下，将所述金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应以获得所述复合材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为20℃至50℃，或者所述第二预设温度为20℃至50℃；
和/或，所述溶剂选自水、乙醇、丙醇、丁醇、已醇、正辛烷、正己烷或乙二醇单甲醚中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述向所述金属氧化物溶液中通入硫化氢气体的步骤是在隔绝氧气的环境下进行；
或者，所述将所述金属氧化物溶液和氢硫酸混合反应的步骤是在隔绝氧气的环境下进行。
7.一种发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
载流子功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间，和/或设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，所述载流子功能层中的至少部分膜层的材料包括如权利要求1至6任一项中所述的制备方法制得的复合材料。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料或所述核壳结构量子点的壳的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；
和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种。
9.根据权利要求7或8所述的发光器件，其特征在于，所述载流子功能层包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间，所述电子传输层的材料包括如权利要求1至7任一项中所述的制备方法制得的复合材料。
10.根据权利要求7或8所述的发光器件，其特征在于，所述载流子功能层包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；
对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层更靠近所述发光层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种；
和/或，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：如权利要求7至11任一项中所述的发光器件。
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