CN117430092A - 复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，薄膜的材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，卤化铋的铋离子连接于金属氧化物的表面，在通电的条件下，复合材料存在Bi3+‑Bi+的动态循环反应现象，从而可调节金属氧化物的电子迁移率，复合材料可采用溶液法制得，复合材料能够用于制备光电器件的电子传输层以促进光电器件的载流子传输平衡，将包含复合材料的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备。
背景技术
金属氧化物是指金属元素和氧元素结合形成的化合物，将金属氧化物纳米化后，金属氧化物因尺寸小、比表面积大、表面活性中心多的特性而具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子点尺寸效应和宏观量子隧道效应，从而广泛应用于高效催化剂、电池、发光器件、超级电容器、储能器件、磁性器件以及光学器件中。
以发光器件为例，发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，金属氧化物可用于制备发光器件的电子传输层，基于金属氧化物的高导电性和宽带隙特性，能够有效提升发光器件的的电子注入水平，从而有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。
但是目前，对于特定金属氧化物制得的电子传输层存在电子迁移速率不可调节或调节范围极窄的缺点，导致部分发光器件存在载流子传输失衡的问题，例如QLED存在电子传输速率远高于空穴传输速率的问题，从而对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。因此，如何实现金属氧化物的电子迁移速率可调对发光器件的应用与发展具有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，以实现金属氧化物的电子迁移速率可调节。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种复合材料，所述复合材料包括经卤化铋修饰的纳米金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述纳米金属氧化物的表面。
可选地，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
可选地，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；
和/或，所述卤化铋的卤素离子配位结合于所述金属氧化物的表面。
可选地，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl、ZnOF或ZnMgLiO中的至少一种；
和/或，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm。
可选地，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。
可选地，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)。
第二方面，本申请提供了一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
沉积包含卤化铋和金属氧化物的溶液；以及
对沉积的所述溶液进行干燥处理，获得所述复合材料。
可选地，在所述溶液中，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)；
和/或，所述溶液的溶剂选自有机醇；
和/或，所述溶剂中卤化铋和金属氧化物的总浓度为30mg/mL～40mg/mL；
和/或，所述干燥处理包括热处理工序。
可选地，所述溶液的溶剂选自乙醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、辛醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇或2-甲氧基丁醇中的至少一种；
和/或，所述热处理的温度为80℃至180℃，所述热处理的时间为5min至60min。
第三方面，本申请提供了一种光电器件，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，电子传输层包括如第一方面中任意一种所述的复合材料，或者包括如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的复合材料。
可选地，所述发光层的材料有机发光材料或量子点；
所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；
和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种；
和/或，所述电子传输层的厚度为10nm至100nm。
可选地，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；
对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层靠近所述发光层；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，所述过渡金属氧化物选自Ni Ox、MoOx、WOx、CrOx或CuOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuSx中的至少一种；
和/或，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种。
第四方面，本申请提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第三方面中任意一种所述的光电器件。
本申请提供了一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，具有如下技术效果：
本申请的复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，卤化铋中的铋离子能够通过静电力作用与金属氧化物表面的阴离子相结合以悬挂于金属氧化物的表面，在通电的条件下，复合材料存在Bi3+-Bi+的动态循环反应现象，从而可调节金属氧化物的电子迁移率。
本申请中复合材料的制备方法为溶液法，具有操作简便、工艺条件易控制、便于批量化生产的优点。
在本申请的光电器件中，电子传输层的材料包括所述复合材料或所述的制备方法制得的复合材料，适用于电子传输速率高于空穴传输速率的光电器件，相较于采用金属氧化物制得的电子传输层，采用经卤化铋修饰的金属氧化物制得的电子传输层具有电子迁移率可调的优点，光电器件在运作状态下，当电子从阴极注入至电子传输层时，由于电子传输层存在Bi3+-Bi+的动态循环反应现象，所以能够延缓电子从阴极注入至电子传输层，使得电子注入水平降低，从而促进了电子-空穴传输平衡，进而提升光电器件的光电性能和使用寿命。
将本申请的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的一种复合材料的制备方法的流程示意图；
图2为本申请实施例中提供的第一种光电器件的结构示意图；
图3为本申请实施例中提供的第二种光电器件的结构示意图；
图4为本申请实施例中提供的第三种光电器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种复合材料，复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，卤化铋的铋离子连接于金属氧化物的表面。
在本申请的一些实施例中，复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
在复合材料中，卤化铋的铋离子具有“离子配体”的作用，具体表现为：金属氧化物的表面存在氢氧根等阴离子，铋离子能够通过静电力作用与金属氧化物表面的阴离子相结合以悬挂于金属氧化物的表面，在通电的条件下，复合材料存在Bi3+-Bi+的动态循环反应现象，即：Bi3+能够吸收电子而被还原成Bi2+，Bi2+能够吸收电子而被还原成Bi+；Bi+能够释放电子而氧化形成Bi2+，Bi2+能够释放电子而氧化形成Bi3+，从而可调节金属氧化物的电子迁移率，此外，有利于提升金属氧化物的稳定性。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物选自纳米金属氧化物，纳米金属氧化物可以是未掺杂的纳米金属氧化物，也可以是掺杂的纳米金属氧化物，纳米金属氧化物例如选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种，需要说明的是，对于掺杂的纳米金属氧化物，提供的化学式仅示明了元素组成，并未示明各个元素的含量，例如：ZnMgO仅表示由Zn、Mg和O三种元素组成。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm，金属氧化物的平均粒径例如处于2nm至5nm、5nm至8nm、8nm至10nm、10nm至12nm、或者12nm至15nm的范围内，示例金属氧化物的平均粒径为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、或者15nm。可以理解的是，复合材料中的金属氧化物可以是多个相同尺寸和形状的金属氧化物纳米颗粒组成的集合，也可以是多种不同尺寸和形状的金属氧化物纳米颗粒组成的集合。
为了进一步地提升复合材料的稳定性，在本申请的一些实施例中，卤化铋的卤素离子配位结合于所述金属氧化物的表面。由于金属氧化物的表面存在大量缺陷，例如氧缺陷等，卤化铋中的卤素离子可配位结合于金属氧化物的氧空位处，有效地减少了氧空位的数量，从而降低了金属氧化物的表面缺陷态，进而提升金属氧化物的稳定性。
在本申请的一些实施例中，卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。可以理解的是，薄膜中的卤化铋可以是单种卤化铋，也可以是多种不同的卤化铋的混合物，例如薄膜中的卤化铋为三氯化铋，又如薄膜中的卤化铋为三氯化铋和三碘化铋的混合物。
本申请实施例还提供了一种复合材料的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
S1、沉积包含卤化铋和金属氧化物的溶液；
S2、对沉积的所述溶液进行干燥处理，获得复合材料。
具体的，复合材料的形态包括但不限于是薄膜，复合材料为薄膜时，步骤S1例如包括步骤：提供基板，在基板的一侧施加包含卤化铋和纳米金属氧化物的溶液，溶液的施加方式包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸中的至少一种。其中，基板可以单层结构，也可以是多层结构，例如基板为单层结构，基板可以是刚性衬底或柔性衬底，刚性衬底的材料例如可以是玻璃、陶瓷或金属，柔性衬底的材料例如可以是聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基酯、或纺织纤维中的至少一种；又如，基板为多层结构，基板可以是包含阳极和发光层的预制器件，复合材料形成于发光层远离阳极的一侧；或者基板可以是包含阴极的预制器件，复合材料形成于阴极的一侧。
为了进一步地提高复合材料的性能稳定性，在本申请的一些实施例中，在所述溶液中，金属氧化物：卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)，金属氧化物：卤化铋的质量比例如可以是1：(0.01～0.03)、1：(0.03～0.05)、1：(0.05～0.08)、1：(0.08～0.1)、1：(0.1～0.13)、1：(0.13～0.15)、或者1：(0.15～0.2)。
为了确保卤化铋和金属氧化物在溶液中具有良好的分散性能，在本申请的一些实施例中，溶剂中卤化铋和金属氧化物的总浓度为30mg/mL～40mg/mL，例如可以是30mg/mL～32mg/mL、32mg/mL～34mg/mL、34mg/mL～36mg/mL、36mg/mL～38mg/mL、或者38mg/mL～40mg/mL。
为了进一步地确保卤化铋和金属氧化物在溶液中具有良好的分散性能，并且不会影响卤化铋和金属氧化物的理化性质，在本申请的一些实施例中，所述溶液的溶剂选自有机醇，例如选自乙醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、辛醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇或2-甲氧基丁醇中的至少一种。
在步骤S2中，“干燥处理”包括所有能使沉积的所述溶液获得更高能量而转变为干膜的工序，包括但不限于是热处理或真空干燥处理，其中，热处理包括但不限于是恒温式热处理工序或非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)工序。
在本申请的一些实施例中，干燥处理包括热处理工序，热处理的温度可以是80℃至180℃，热处理的温度例如为80℃至100℃、100℃至120℃、120℃至150℃、或者150℃至180℃；热处理的时间可以是5min至60min，热处理的时间例如为5min至15min、15min至30min、30min至40min、或者40min至60min。作为示例，干燥处理为恒温热处理，恒温热处理的温度为80℃，恒温热处理的时间为30min。
本申请实施例还提供了一种光电器件，如图2所示，如图2所示，光电器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及电子传输层14，其中，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，电子传输层14设置于阴极12与发光层13之间，其中，电子传输层14的材料包括上述任意一种所述的复合材料，或者包括上述任意一种所述的制备方法制得的复合材料。
在本申请实施例的光电器件中，电子传输层14的厚度例如可以是10nm至100nm，基于电子传输层14的材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，即：金属氧化物的表面连接有卤化铋的铋离子(Bi3+)，相较于采用金属氧化物制得的电子传输层，采用经卤化铋修饰的金属氧化物制得的电子传输层具有电子迁移率可调的优点，光电器件在运作状态下，当电子从阴极注入至电子传输层时，由于电子传输层存在Bi3+-Bi+的动态循环反应现象，所以能够延缓电子从阴极注入至电子传输层，使得电子注入水平降低，有效改善了电子传输速率高于空穴传输速率的光电器件所存在的载流子传输失衡问题，有效促进了电子-空穴传输平衡，进而提升光电器件的光电性能和使用寿命。
在本申请实施例的光电器件中，阳极11、阴极12以及发光层13的材料可以是本领域常见的材料，例如：
阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2或TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是20nm至200nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至200nm。
发光层13的材料例如选自有机发光材料或量子点，对应光电器件1为OLED或QLED，发光层13的厚度例如可以是10nm至50nm。其中，有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种，量子点的平均粒径例如可以是5nm至10nm，量子点的平均粒径示例为5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，单一组分量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料或核壳结构量子点的壳的材料包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺、1,2-乙二胺或十八胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
为了进一步地提升光电器件的光电性能和使用寿命，在本申请的一些实施例中，如图3所示，光电器件1还包括空穴功能层15，空穴功能层15包括空穴注入层151和/或空穴传输层152。
在本申请实施例的光电器件中，空穴功能层15可以是单层结构，也可以是叠层结构，空穴功能层15的厚度例如可以是10nm至120nm。例如空穴功能层15为单层结构，空穴功能层15仅为空穴注入层151或空穴传输层152。又如，空穴功能层为叠层结构，请参阅图3，空穴功能层15由层叠设置的空穴注入层151和空穴传输层152组成，空穴注入层151较空穴传输层152靠近阳极11，空穴传输层152较空穴注入层151靠近发光层13。
空穴注入层151的厚度例如为10nm至60nm，空穴注入层151的材料例如选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自Ni Ox、MoOx、WOx、CrOx或CuOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuSx中的至少一种。
空穴传输层152的厚度例如为10nm至60nm，空穴传输层152的材料例如选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD，CAS号为65181-78-4)以及N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB，CAS号为123847-85-8)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种。
可以理解的是，本申请实施例的光电器件还可以包括其他功能层，例如电子注入层，电子注入层的厚度例如可以是10nm至100nm，电子注入层的材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
需要说明的是，除了电子传输层(溶液法制备)，光电器件中其他各个膜层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备膜层时，需增设干燥处理工序，以使湿膜转变为干膜。
可以理解的是，光电器件的制备方法还可以包括其他步骤，例如：在制备完成光电器件的各个膜层之后，需对光电器件进行封装处理。
本申请实施例还提供了一种电子设备，电子设备包括本申请实施例中任意一种所述的光电器件。电子设备例如可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，所述光电器件为正置型结构的量子点发光二极管，如图4所示，在由下至上的方向上，光电器件1包括依次层叠设置的衬底10、阳极11、空穴功能层15、发光层13、电子传输层14以及阴极12，其中，空穴功能层15由层叠设置的空穴注入层151和空穴传输层152组成，空穴注入层151较空穴传输层152靠近阳极11，空穴传输层152较空穴注入层151靠近发光层13。
光电器件1中各个层的材料与厚度如下：
衬底10的材料为玻璃，衬底10的厚度为1mm；
阳极11的材料为ITO，阳极11的厚度为80nm；
阴极12的材料为Al，阴极12的厚度为100nm；
发光层13的材料为CdSeS/ZnS蓝色量子点，CdSeS/ZnS蓝色量子点的表面连接有辛硫醇配体，每1mg的CdSeS/ZnS蓝色量子点对应连接有0.2mmol的辛硫醇配体，发光层13的厚度为20nm；
电子传输层14的材料为经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O，纳米Zn0.95Mg0.05O的平均粒径为5nm，三氯化铋的氯离子和铋离子分别连接于纳米Zn0.95Mg0.05O的表面，电子传输层14的厚度为30nm；
空穴注入层151的材料为PEDOT:PSS，空穴注入层151的厚度为30nm；
空穴传输层152的材料为TFB，空穴传输层152的厚度为30nm。
本实施例中光电器件的制备方法包括如下步骤：
S1.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，用棉签蘸取少量肥皂水擦拭ITO层表面以去除表面肉眼可见的杂质，然后将包括ITO的衬底依次采用去离子水超声清洗15min、丙酮超声清洗15min、乙醇超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理5min，获得包括阳极的衬底；
S1.2、在常温常压的大气环境下，在步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧旋涂PEDOT：PSS水溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴注入层；
S1.3、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂TFB-氯苯溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输层；
S1.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧喷墨打印浓度为30mg/mL的CdSeS/ZnS蓝色量子点-正辛烷溶液，然后置于80℃下恒温热处理10min，获得发光层；
S1.5、将三氯化铋溶于浓度为30mg/mL的纳米Zn0.95Mg0.05O-乙醇溶液，震荡以充分分散均匀，获得电子传输材料溶液，在电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30，然后在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印电子传输材料溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得电子传输层；
S1.6、将包含电子传输层的预制器件置于气压为4×10-6mbar的蒸镀仓中，通过掩膜板在步骤S1.5的电子传输层远离发光层的一侧热蒸镀Al，获得阴极，然后采用紫外固化胶封装，获得光电器件。
实施例2
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：电子传输层中连接于纳米Zn0.95Mg0.05O表面的氯离子和铋离子的含量不相同。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30”替换为“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为0.5：30”。
实施例3
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：电子传输层中连接于纳米Zn0.95Mg0.05O表面的氯离子和铋离子的含量不相同。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30”替换为“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为1：30”。
实施例4
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：电子传输层中连接于纳米Zn0.95Mg0.05O表面的氯离子和铋离子的含量不相同。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30”替换为“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为5：30”。
实施例5
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：电子传输层中连接于纳米Zn0.95Mg0.05O表面的氯离子和铋离子的含量不相同。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30”替换为“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为0.2：30”。
实施例6
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：电子传输层中连接于纳米Zn0.95Mg0.05O表面的氯离子和铋离子的含量不相同。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为3：30”替换为“电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为8：30”。
实施例7
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：将电子传输层中的“纳米Zn0.95Mg0.05O”替换为“平均粒径为5nm的纳米ZnO”。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“纳米Zn0.95Mg0.05O”全部替换为“平均粒径为5nm的纳米ZnO”。
实施例8
本实施例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本实施例的光电器件的区别之处仅在于：将电子传输层的材料由“经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O”替换为“经三碘化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O”，对于经三碘化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O，碘离子和铋离子分别连接于纳米Zn0.95Mg0.05O的表面。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5中“三氯化铋”全部替换为“三碘化铋”。
对比例1
本对比例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本对比例的光电器件的区别之处仅在于：将实施例1中电子传输层的材料由“经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O”替换为“平均粒径为5nm的Zn0.95Mg0.05O”。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本对比例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5替换为“在常温常压的氮气环境下，在发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印浓度为30mg/mL的纳米Zn0.95Mg0.05O-乙醇溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得电子传输层”。
对比例2
本对比例提供了一种光电器件及其制备方法，相较于实施例1的光电器件，本对比例的光电器件的区别之处仅在于：将实施例1中电子传输层的材料由“经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O”替换为“平均粒径为5nm的ZnO”。
相较于实施例1中光电器件的制备方法，本对比例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.5替换为“在常温常压的氮气环境下，在发光层远离空穴传输层的一侧喷墨打印浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得电子传输层”。
实验例
对实施例1至实施例8以及对比例1和对比例2的光电器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley 2400以及Keithley6485搭建的效率测试系统)检测获得各个光电器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)、功率效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个光电器件的使用寿命。
寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个光电器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并通过衰减拟合公式计算获得各个光电器件在1000nit的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95@1000nit,h)。
各个光电器件的性能检测数据详见下表1：
表1实施例1至实施例8以及对比例1和对比例2的光电器件的性能检测数据一览表
由表1可知，实施例1至实施例6以及实施例8中光电器件的综合性能优于对比例1中光电器件的综合性能，且实施例7中光电器件的综合性能优于对比例2中光电器件的综合性能。以实施例1和对比例1为例，实施例1中光电器件的最大外量子效率是对比例1中光电器件的最大外量子效率的1.2倍，实施例1中光电器件的最大亮度是对比例1中光电器件的最大亮度的1.2倍，实施例1中光电器件的T95是对比例1中光电器件的T95的1.5倍，且实施例1中光电器件的T95@1000nit是对比例1中光电器件的T95@1000nit的2.0倍，由此可知：相较于采用纳米金属氧化物制备电子传输层，采用经卤化铋修饰的纳米金属氧化物制备电子传输层更有利于提高光电器件的发光效率和使用寿命。
由实施例1至实施例6中光电器件的性能检测数据可知，实施例5和实施例6中光电器件的综合性能差于实施例1至实施例4中光电器件的综合性能，因此，在制备电子传输层的过程中，优选电子传输材料溶液中三氯化铋：纳米Zn0.95Mg0.05O的质量比为(0.5～5)：30，以使三氯化铋有效钝化纳米Zn0.95Mg0.05O表面缺陷态的同时，确保电子传输层具有理想的电子传输性能。
由实施例1与实施例7中光电器件的性能检测数据可知，实施例7中光电器件的综合性能差于实施例1中光电器件的综合性能，由此可知，相较于采用经三氯化铋修饰的纳米ZnO作为电子传输材料，采用经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O作为电子传输材料更有利于提高光电器件的发光效率、亮度和使用寿命。
由实施例1与实施例8中光电器件的性能检测数据可知，实施例8中光电器件的综合性能差于实施例1中光电器件的综合性能，由此可知，相较于采用经三碘化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O作为电子传输材料，采用经三氯化铋修饰的纳米Zn0.95Mg0.05O作为电子传输材料更有利于提高光电器件的发光效率、亮度和使用寿命。
以上对本申请实施例所提供的一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (13)
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为经卤化铋修饰的金属氧化物，所述卤化铋的铋离子连接于所述金属氧化物的表面。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自纳米金属氧化物；
和/或，所述卤化铋的卤素离子配位结合于所述金属氧化物的表面。
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl、ZnOF或ZnMgLiO中的至少一种；
和/或，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm。
5.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述卤化铋选自三氯化铋、三溴化铋、三碘化铋或三氟化铋中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)。
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
沉积包含卤化铋和金属氧化物的溶液；以及
对沉积的所述溶液进行干燥处理，获得所述复合材料。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述溶液中，所述金属氧化物：所述卤化铋的质量比为1：(0.01～0.2)；
和/或，所述溶液的溶剂选自有机醇；
和/或，所述溶剂中卤化铋和金属氧化物的总浓度为30mg/mL～40mg/mL；
和/或，所述干燥处理包括热处理工序。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述溶液的溶剂选自乙醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、辛醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇或2-甲氧基丁醇中的至少一种；
和/或，所述热处理的温度为80℃至180℃，所述热处理的时间为5min至60min。
10.一种光电器件，其特征在于，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
其中，所述电子传输层的材料包括如权利要求1至6任一项中所述的复合材料，或者包括如权利要求7至9任一项中所述的制备方法制得的复合材料。
11.根据权利要求10所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料有机发光材料或量子点；
所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；
和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种；
和/或，所述电子传输层的厚度为10nm至100nm。
12.根据权利要求10所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；
对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层靠近所述发光层；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx、CrOx或CuOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuSx中的至少一种；
和/或，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种。
13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求10至12任一项中所述的光电器件。
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