CN116437686A - 发光器件、发光器件的制备方法及显示装置 - Google Patents

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CN116437686A CN202111652012.9A CN202111652012A CN116437686A CN 116437686 A CN116437686 A CN 116437686A CN 202111652012 A CN202111652012 A CN 202111652012A CN 116437686 A CN116437686 A CN 116437686A
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Abstract

本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，发光器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于发光层与阳极之间的空穴功能层，其中，空穴功能层包括层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层靠近阳极，第二子层靠近发光层，第一子层主要具有空穴传导和电子阻挡的作用，第二子层主要具有电子阻挡和防水特性，从而提高了发光器件的综合性能，将所述发光器件或所述制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。

Description

发光器件、发光器件的制备方法及显示装置
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置。
背景技术
发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
目前，发光器件存在载流子注入不平衡的问题，以QLED为例，QLED的电子注入通常大于空穴注入，造成发光层出现电子积累的现象，从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，并且部分电子会朝向阳极转移，对发光器件的光电性能和使用寿命造成极为不利的影响，导致发光器件在运作过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。
因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，以改善因载流子注入不平衡而导致发光器件的使用寿命不佳的问题。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
空穴功能层，设置于所述发光层与所述阳极之间；
其中，所述空穴功能层包括层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层靠近阳极，所述第二子层靠近发光层；所述第一子层的材料包括化合物A和化合物B，所述第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐；
所述化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料；
所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
Figure BDA0003447354320000021
在通式(Ⅰ)中，R1、R2以及R3彼此独立地选自包含羟基、烃基、烃氧基、芳基或杂芳基中至少一者的基团。
进一步地，所述空穴传输材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；
所述空穴注入材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
进一步地，所述R1、R2以及R3彼此独立地选自羟基、烷基或烷氧基中的至少一种。
进一步地，所述化合物B选自三甲基硅醇、三乙基硅醇、三苯硅醇、二甲基硅烷二醇、二丙基硅二醇或二苯基硅二醇中的至少一种。
进一步地，在所述第一子层中，所述化合物B：所述化合物A的质量比为1：(4～6)；和/或
在所述第二子层中，所述化合物B的盐：所述化合物A的质量比为1：(4～6)；和/或
所述第二子层：所述第一子层的厚度比为1：(4～6)。
进一步地，所述发光器件还包括：电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl或纳米ZnOF中的至少一种；
所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm。
进一步地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
第二方面，本申请提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括步骤：提供包含底电极的基板，在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极；
当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极，包括如下步骤：
在所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层，所述底电极为阳极；
在所述空穴功能层远离所述底电极的一侧形成发光层；
在所述发光层远离所述空穴功能层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阴极；
或者，当所述发光器件为倒置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成第一子层、第二子层、发光层和顶电极，包括步骤：
在所述底电极的一侧形成发光层，所述底电极为阴极；
在所述发光层远离所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层；
在所述空穴功能层远离所述发光层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阳极；
其中，所述第一子层靠近阳极，所述第二子层靠近发光层；所述第一子层的材料包括化合物A和化合物B，所述第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐；
所述化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料；
所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
Figure BDA0003447354320000041
在通式(Ⅰ)中，R1、R2以及R3彼此独立地选自包含羟基、烃基、烃氧基、芳基或杂芳基中至少一者的基团。
进一步地，当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层的步骤，包括如下步骤：
在所述底电极的一侧施加包含化合物A和化合物B的混合液，然后干燥成膜，获得空穴功能前驱层；
在所述空穴功能前驱层远离所述底电极的一侧施加碱液，热处理获得包含第一子层和第二子层的空穴功能层。
进一步地，在所述混合液中，所述化合物B：所述化合物A的质量比为1：(4～6)。
进一步地，所述碱液选自质量分数为0.5％至1.0％的氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液或氢氧化锂水溶液中的至少一种。
进一步地，所述热处理的温度为75℃至85℃，且所述热处理的时间为20min至40min。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面中任意一种所述的发光器件，或者包括如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。
本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，具有如下技术效果：
在本申请的发光器件中，空穴功能层包括层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层靠近阳极，第二子层靠近发光层，其中，第一子层主要具有空穴传导和电子阻挡的作用，从而抑制过量的电子朝向阳极转移，改善因过量电子积累对发光器件的综合性能的不利影响，促进发光器件的电子-空穴传输平衡；第二子层主要具有电子阻挡和防水特性，抑制过量的电子朝向阳极转移的同时，降低水分子对发光层的侵蚀影响，从而提高发光器件的光电性能和稳定性，并延长发光器件的使用寿命。
将本申请的发光器件或本申请中发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的第一种发光器件的结构示意图。
图2为本申请实施例中提供的第二种发光器件的结构示意图。
图3为本申请实施例中提供的第三种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种发光器件，如图1所示，发光器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及空穴功能层14，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，空穴功能层14设置于发光层13与阳极11之间，其中，空穴功能层14包括层叠设置的第一子层141和第二子层142，第一子层141靠近阳极11，第二子层142靠近阴极12，第一子层141的材料包括化合物A和化合物B，第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐，化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料，化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
Figure BDA0003447354320000061
在通式(Ⅰ)中，R1、R2以及R3彼此独立地选自包含羟基、烃基、烃氧基、芳基或杂芳基中至少一者的基团。
其中，“烃基”是指仅含碳和氢两种原子的基团，是由饱和烃或不饱和烃失去一个氢原子后剩下的自由基，包括但不限于是烷基、烯基或炔基中的至少一种，并且烃基上的一个氢原子或多个氢原子能够任选地被取代，允许存在多重取代度。
“烃氧基”是指结构式为Rx-O-的基团，Rx为烃基。
“芳基”是指芳香环上仅包含碳原子的芳香基团，包括但不限于是于苯基、1-萘基、2-萘基或联苯基，芳基可以具有单个环或多个稠环，例如芳基具有6至20个碳原子，又如芳基具有6至14个碳原子，又如芳基具有6 10至10个碳原子；芳基可以是未取代的，也可以芳基上的一个氢原子或多个氢原子任选地被取代，允许存在多重取代度，芳基包括但不限于是苯基、萘基或联苯基。
“杂芳基”是指芳基的至少一个碳原子被非碳原子替代，非碳原子例如可以是氮原子、氧原子或硫原子，杂芳基上的一个氢原子或多个氢原子能够任选地被取代，允许存在多重取代度。杂芳基例如具有3至20个碳原子，又如杂芳基具有5至15个碳原子，又如杂芳基具有5至9个碳原子。杂芳基包括但不限于是噻吩基、呋喃基、吡咯基、二唑基、三唑基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吲哚基、吡咯并咪唑基、吡咯并吡咯基、噻吩并吡咯基、噻吩并噻吩基、呋喃并吡咯基、呋喃并呋喃基、噻吩并呋喃基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、苯并咪唑基、邻二氮萘基、菲啶基、伯啶基、喹唑啉酮基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基。
需要说明的是，化合物B至少包含一个硅原子，并且与硅原子直接相连的羟基的数量至少为一个且至多为四个，例如与硅原子直接相连的羟基的数量为一个、两个或三个。化合物B的盐是化合物B与碱反应制得，其中，碱中的金属原子与化合物B中羟基的氧原子键合，以碱为NaOH且化合物B仅含一个羟基为例，反应式如下式(Ⅱ)所示：
Figure BDA0003447354320000071
在本申请实施例中，第一子层包含化合物B，化合物B可以在化合物A中形成携带负电荷羟基的镶嵌物，使得第一子层的间隙携带一定的负电荷，从而抑制过量的电子朝向阳极转移，改善因过量电子积累对发光器件的综合性能的不利影响，有利于促进发光器件的电子-空穴传输平衡；对于化合物B，与硅原子直接相连的羟基的数量越多，在化合物A中形成的镶嵌物所携带的负电荷越多，使得第一子层抑制过量电子朝向阳极转移和电子积累的能力越强，从而进一步地提高发光器件中的电子传导能力与空穴传导能力的匹配度，进而进一步地提高发光器件的综合性能；此外，第二子层包含化合物B的盐，化合物B的盐具有理想的防水特性，即第二子层相当于发光层的防水膜层，从而降低水分子对发光层的侵蚀影响，并且进一步地阻止过量的电子朝向阳极转移，避免过量的电子入侵第一子层而损伤第一子层，有效地提高了第一子层的空穴传导能力，从而进一步地提高发光器件的光电性能和使用寿命。
在本申请的一些实施例中，R1、R2以及R3彼此独立地选自羟基、烷基或烷氧基中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，化合物B选自三甲基硅醇、三乙基硅醇、三苯硅醇、二甲基硅烷二醇、二丙基硅二醇或二苯基硅二醇中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，空穴传输材料包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(简称为PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](简称为Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(简称为PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称为TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简称为CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称TPD，CAS号为65181-78-4)或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称NPB，CAS号为123847-85-8)中的至少一种；此外，空穴传输材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是NiO、WO3、MoO3或CuO中的至少一种。
空穴注入材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的一种或多种，其中，过渡金属氧化物可以是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
本申请的一些实施例中，在第一子层中，化合物B：化合物A的质量比为1：(4～6)。第一子层中化合物B的含量过高或过低，均对发光器件的综合性能的提升效果有限，若化合物B的含量过低，则对化合物A的改性效果有限；若化合物B的含量过高，则对整个空穴功能层的空穴传导能力提升效果有限。
在本申请的一些实施例中，在第二子层中，化合物B的盐：化合物A的质量比为1：(4～6)。第二子层中化合物B的盐含量过高或过低，均对发光器件的综合性能的提升效果有限，若化合物B的盐含量过低，则第二子层的防水效果和电子阻挡效果有限；若化合物B的盐含量过高，则对整个空穴功能层的空穴传导能力提升效果有限。
在本申请的一些实施例中，第二子层：第一子层的厚度比为1：(4～6)。第二子层的厚度过厚或过薄，均对发光器件的综合性能的提升效果有限，若第二子层的厚度过厚，则对整个空穴功能层的空穴传导能力提升效果有限；若第二子层的厚度过薄，则第二子层的防水效果和电子阻挡效果有限。
在本申请实施例中，阳极11、阴极12和发光层13的材料可以是本领域常见的材料，例如：
阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2或TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是40nm至160nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至120nm。
发光层13的材料包括有机发光材料或量子点。发光层13的厚度例如可以是20nm至60nm。有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种。
量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。量子点的粒径例如可以是5nm至10nm。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，量子点的组分包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
可以理解的是，当发光层的材料包括量子点时，发光层的材料还包括连接于量子点表面的配体，配体包括但不限于是胺类配体、羧酸类配体、硫醇类配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂或聚乙烯基吡啶中的至少一种，胺类配体例如选自油胺、正丁胺、正辛胺、八胺或1,2-乙二胺中的至少一种，羧酸类配体例如选自油酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、花生酸、十酸、十一烯酸、十四酸或硬脂酸中的至少一种，硫醇类配体例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、苯硫醇、辛硫醇、八烷基硫醇、十二烷基硫醇或十八烷基硫醇中的至少一种，(氧)膦配体选自三辛基膦或三辛基氧膦中的至少一种。
为了获得更佳的光电性能和使用寿命，在本申请的一些实施例中，如图2所示，在图1所示发光器件的基础上，发光器件1还包括电子功能层15，电子功能层15设置于阴极12与发光层13之间。电子功能层包括但不限于是电子传输层或电子注入层中的至少一种，在本申请的一实施例中，电子功能层包括层叠设置的电子注入层和电子传输层，电子注入层设置于阴极与发光层之间，电子传输层设置于电子注入层与发光层之间。电子功能层15的厚度例如可以是20nm至100nm。
电子注入层的材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的一种或多种。
电子传输层的材料包括不限于是纳米金属氧化物，纳米金属氧化物可以是未掺杂的金属氧化物纳米颗粒，也可以是掺杂的金属氧化物纳米颗粒。在本申请的一些实施例中，纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl或纳米ZnOF中的至少一种。纳米金属氧化物的表面可以连接有配体，也可以不连接配体，配体包括但不限于是碳原子数为2至8的羧酸配体或碳原子数为2至8的胺基配体中的至少一种，碳原子数为2至8的羧酸配体例如选自醋酸根、丙酸根或丙烯酸根中的至少一种，碳原子数为2至8的胺基配体例如选自乙醇胺、二乙醇胺或二甘醇胺中的至少一种。纳米金属氧化物的粒径例如可以是2nm至15nm。
需要说明的是，在本申请实施例的发光器件中，第一子层可以是空穴传输层或空穴注入层。当第一子层为空穴传输层时，空穴功能层还可以包括空穴注入层，例如：发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、第一子层、第二子层、发光层和阴极。此外，发光器件还可以包括其他层结构，例如衬底。
本申请实施例还提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括步骤：提供包含底电极的基板，在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极。
当发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极，包括如下步骤：
S11、在底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层，所述底电极为阳极；
S12、在步骤S11的空穴功能层远离底电极的一侧形成发光层；
S13、在步骤S12的发光层远离空穴功能层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阴极。
当当发光器件为倒置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极，包括如下步骤：
S21、在底电极的一侧形成发光层，所述底电极为阴极；
S22、在步骤S21的发光层远离底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层；
S23、在步骤S22的空穴功能层远离发光层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阳极。
对上述制备方法需要说明的是，第一子层靠近阳极，第二子层靠近发光层，第一子层的材料包括化合物A和化合物B，第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐，其中，化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料，化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料，化合物B具有通式(Ⅰ)所示的结构；化合物B的盐是化合物B与碱反应制得，碱中的金属原子与化合物B中羟基的氧原子键合。
发光器件中各个层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备膜层时，需增设干燥处理工序，“干燥处理工序”包括所有能使湿膜获得更高能量而转变为干膜的工序，例如可以是热处理，其中，“热处理”可以是恒温式热处理，也可以是非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)。
可以理解的是，发光器件的制备方法还可以包括其他步骤，例如：在制备完成发光器件的各个层之后，需对发光器件进行封装处理。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为正置型结构时，所述空穴传输层的制备方法包括如下步骤：
S101、在底电极的一侧施加包含化合物A和化合物B的混合液，然后干燥成膜，获得空穴功能前驱层；
S102、在步骤S101的空穴传输前驱层远离底电极的一侧施加碱液，热处理获得包含第一子层和第二子层的空穴功能层。
在步骤S101中，混合液的施加方式包括但并不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，步骤S101中干燥成膜是指在100℃至250℃的温度下，恒温热处理5min至30min，以使湿膜转变为干膜状态。
在本申请的一些实施例中，混合液中化合物B：化合物A的质量比为1：(4～6)。
在步骤S102中，碱液的施加方式包括但并不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸中的至少一种，确保碱液整面覆盖第一子层远离底电极的一侧。经热处理，空穴功能前驱层表面的化合物B会与碱液反应生成化合物B的盐，从而形成层叠设置的第一子层和第二子层。
在本申请的一些实施例中，碱液选自质量分数为0.5％至1.0％的氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液或氢氧化锂水溶液中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，步骤S102中热处理的温度为75℃至85℃，热处理的时间为20min至40min。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种所述的发光器件或本申请实施例中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。所述显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(VirtualReality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件为正置型结构的量子点发光二极管，如图3所示，在由下至上的方向上，发光器件1包括依次设置的衬底10、阳极11、空穴功能层14、发光层13、电子功能层15以及阴极12，其中，空穴功能层14包括层叠设置的空穴注入层143、第一子层141和第二子层142，空穴注入层143设置于阳极11与发光层13之间，第一子层141设置于空穴注入层143与发光层13之间，第二子层142设置于第一子层141与发光层13之间。
发光器件1中各个层的材料与厚度如下：
衬底10的材料为玻璃，衬底10的厚度为2mm；
阳极11的材料为ITO，阳极11的厚度为120nm；
阴极12的材料为Ag，阴极12的厚度为60nm；
发光层13的材料为表面连接有辛硫醇配体的CdSeS/ZnS绿色量子点，每1mg的量子点含有0.2mmol的辛硫醇配体，发光层13的厚度为70nm；
第一子层141的材料包括TFB和三甲基硅醇(CAS号为：1066-40-6)，第一子层141的厚度为60nm；
第二子层142的材料包括TFB和三甲基硅氧基钠(CAS号为：18027-10-6)，第二子层142的厚度为10nm；
空穴注入层143的材料为PEDOT：PSS，空穴注入层143的厚度为80nm；
电子功能层15的材料为粒径是2nm至5nm的纳米ZnO，电子功能层15的厚度为50nm；
本实施例中发光器件的制备方法包括如下步骤：
S1.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，用棉签蘸取少量肥皂水擦拭ITO层表面以去除表面肉眼可见的杂质，然后将包括ITO的衬底依次采用去离子水超声清洗15min、丙酮超声清洗15min、乙醇超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理15min，获得包括阳极的衬底；
S1.2、在常温常压的大气环境下，在步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧旋涂PEDOT：PSS水溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴注入层；
S1.3、将浓度为10mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三甲基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层；
S1.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧旋涂浓度为30mg/mL的CdSeS/ZnS绿色量子点-正辛烷溶液，然后置于100℃下热处理5min，获得发光层；
S1.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得电子功能层；
S1.5、在气压为4×10-6mbar的真空环境下，在步骤S1.5的电子功能层远离发光层的一侧蒸镀Ag，获得阴极，然后采用紫外固化胶封装，获得发光器件。
实施例2
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：第一子层中三甲基硅醇的含量不相同，且第二子层中三甲基硅氧基钠的含量不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为6mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三甲基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例3
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：第一子层中三甲基硅醇的含量不相同，且第二子层中三甲基硅氧基钠的含量不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为16mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三甲基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例4
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将第一子层中的“TFB”替换为“粒径为70nm的NiO”，并将第一子层中的“三甲基硅醇”替换为“三乙基硅醇”；将第二子层中的“TFB”替换为“粒径为10nm的纳米NiO”，并将第二子层中的“三甲基硅氧基钠”替换为“三乙基硅氧基钠”。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为10mg/mL的纳米NiO-乙醇溶液和2mg/mL的三乙基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例5
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将第一子层中的“三甲基硅醇”替换为“三乙基硅醇”，并将第二子层中的“三甲基硅氧基钠”替换为“三乙基硅氧基钠”。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三乙基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例6
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：将第一子层中的“三甲基硅醇”替换为“二甲基硅烷二醇”，并将第二子层中的“三甲基硅氧基钠”替换为“二甲基硅烷二醇钠”。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为10mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的二甲基硅烷二醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例7
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：第一子层中三甲基硅醇的含量不相同，且第二子层中三甲基硅氧基钠的含量不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为8mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三甲基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
实施例8
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：第一子层中三甲基硅醇的含量不相同，且第二子层中三甲基硅氧基钠的含量不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将浓度为12mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液和2mg/mL的三甲基硅醇等体积混合，获得混合液；在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂所述混合液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输前驱层；在空穴传输前驱层远离空穴注入层的一侧施加质量分数为0.5％的NaOH溶液，然后置于80℃下恒温热处理30min，获得包含第一子层和第二子层的空穴传输层”。
对比例
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本对比例的发光器件的区别之处仅在于：空穴传输层为单层结构，厚度为70nm，且空穴传输层的材料为TFB。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.4替换为“在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂浓度为10mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液，然后置于150℃下热处理30min，获得空穴传输层”。
实验例
对实施例1至实施例8以及对比例的发光器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley 2400以及Keithley 6485搭建的效率测试系统)检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)、功率效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命。
其中，外量子效率的测试方法为积分球测试法，并计算获得在1000尼特(nit)的亮度下，T100条件下的外量子效率和T50条件下的外量子效率；寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个发光器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并计算获得各个发光器件在1000尼特(nit)的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95-1K,h)，实施例1至实施例8以及对比例的发光器件的性能检测数据详见下表1：
表1实施例1至实施例8以及对比例的发光器件的性能检测数据一览表
Figure BDA0003447354320000171
由表1可知，实施例1至实施例8中发光器件的综合性能均明显优越于对比例的发光器件，以实施例6为例，实施例6中发光器件在T100条件下的EQE-1K是对比例中发光器件在T100条件下的EQE-1K的1.2倍，且实施例6中发光器件在T50条件下的EQE-1K是对比例中发光器件在T50条件下的EQE-1K的1.3倍，且实施例6中发光器件的T95-1K是对比例中发光器件的T95-1K的2.8倍。
由实施例1至实施例3以及实施例7和实施例8可知，第一子层中三甲基硅醇的含量过高(如实施例2)或过低(如实施例3)，均对发光器件的发光效率和使用寿命提升效果有限，优选步骤S1.3的所述混合液中，三甲基硅醇：TFB的质量比为1：(4～6)，更有利于提高制得的发光器件的综合性能。
由实施例1与实施例6可知，实施例6中发光器件的综合性能优于实施例1中发光器件的综合性能，说明相较于采用三甲基硅醇掺杂于第一子层且采用三甲基硅氧基钠掺杂于第二子层，采用二甲基硅烷二醇掺杂于第二子层且采用二甲基硅烷二醇钠掺杂于第二子层更有利于提高发光器件的综合性能。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
空穴功能层，设置于所述发光层与所述阳极之间；
其中，所述空穴功能层包括层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层靠近阳极，所述第二子层靠近发光层；所述第一子层的材料包括化合物A和化合物B，所述第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐；
所述化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料；
所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
Figure FDA0003447354310000011
在通式(Ⅰ)中，R1、R2以及R3彼此独立地选自包含羟基、烃基、烃氧基、芳基或杂芳基中至少一者的基团。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的至少一种；
所述空穴注入材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述R1、R2以及R3彼此独立地选自羟基、烷基或烷氧基中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述化合物B选自三甲基硅醇、三乙基硅醇、三苯硅醇、二甲基硅烷二醇、二丙基硅二醇或二苯基硅二醇中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述第一子层中，所述化合物B：所述化合物A的质量比为1：(4～6)；和/或
在所述第二子层中，所述化合物B的盐：所述化合物A的质量比为1：(4～6)；和/或
所述第二子层：所述第一子层的厚度比为1：(4～6)。
6.根据权利要求1至5任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl或纳米ZnOF中的至少一种；
所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm。
7.根据权利要求1至5任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
8.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：提供包含底电极的基板，在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极；
当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成空穴功能层、发光层和顶电极，包括如下步骤：
在所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层，所述底电极为阳极；
在所述空穴功能层远离所述底电极的一侧形成发光层；
在所述发光层远离所述空穴功能层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阴极；
或者，当所述发光器件为倒置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成第一子层、第二子层、发光层和顶电极，包括步骤：
在所述底电极的一侧形成发光层，所述底电极为阴极；
在所述发光层远离所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层；
在所述空穴功能层远离所述发光层的一侧形成顶电极，所述顶电极为阳极；
其中，所述第一子层靠近阳极，所述第二子层靠近发光层；所述第一子层的材料包括化合物A和化合物B，所述第二子层的材料包括化合物A和化合物B的盐；
所述化合物A为空穴传输材料或空穴注入材料；
所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
Figure FDA0003447354310000031
在通式(Ⅰ)中，R1、R2以及R3彼此独立地选自包含羟基、烃基、烃氧基、芳基或杂芳基中至少一者的基团。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成包含第一子层和第二子层的空穴功能层的步骤，包括如下步骤：
在所述底电极的一侧施加包含化合物A和化合物B的混合液，然后干燥成膜，获得空穴功能前驱层；
在所述空穴功能前驱层远离所述底电极的一侧施加碱液，热处理获得包含第一子层和第二子层的空穴功能层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述混合液中，所述化合物B：所述化合物A的质量比为1：(4～6)。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述碱液选自质量分数为0.5％至1.0％的氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液或氢氧化锂水溶液中的至少一种。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为75℃至85℃，且所述热处理的时间为20min至40min。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至7任一项中所述的制备方法制得的发光器件，或如权利要求8至12任一项中所述的发光器件。
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