CN116437690A - 发光器件的制备方法、发光器件及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置，所述制备方法包括步骤：在制备完成电子传输前驱层之后，先对电子传输前驱层进行热处理，然后在电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜，最后干燥处理钝化湿膜，获得电子传输层，所述制备方法有效地提高了电子传输层的稳定性，有利于提高发光器件的光电性能和稳定性，并延长发光器件的使用寿命，将所述发光器件的制备方法制得的发光器件或所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置。
背景技术
发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
为了提高发光器件的光电性能，可在发光器件中配置其他功能层，例如：在发光层与阴极之间设置电子传输层，纳米金属氧化物是用于制备电子传输层的常见材料之一，纳米金属氧化物具有电子迁移率较高、宽带隙的特性，但是纳米金属氧化物的稳定性不理想，导致发光器件的性能稳定性差。
因此，如何提高纳米金属氧化物的稳定性对发光器件的应用与发展具有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置，以改善发光器件的光电性能。
本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板，在所述基板的一侧形成电子传输前驱层，所述电子传输前驱层的材料包括纳米金属氧化物，获得叠层结构；
在第一惰性气体的氛围下，对所述叠层结构进行热处理；
在第二惰性气体的氛围下，在所述叠层结构中所述电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜；
对所述钝化湿膜进行干燥处理，获得电子传输层；
其中，当所述发光器件为正置型结构时，所述基板包括层叠设置的阳极和发光层，所述电子传输前驱层形成于所述发光层远离所述阳极的一侧；
当所述发光器件为倒置型结构时，所述基板包括阴极，所述电子传输前驱层形成于所述阴极的一侧。
进一步地，所述热处理的温度为150℃至300℃，所述热处理的时间为5min至60min。
进一步地，所述制备方法还包括步骤：将包含所述钝化湿膜的所述叠层结构静置；所述静置的时间为10min至60min。
可选地，所述对所述钝化湿膜进行干燥处理，包括步骤：在保护气体氛围下，采用不高于所述热处理的温度加热所述钝化湿膜；
所述加热的温度为50℃至300℃，所述加热的时间为5min至60min。
可选地，所述钝化湿膜的材料包括胺类化合物、羧酸类化合物、巯基类化合物或卤化物中的至少一种。
进一步地，所述胺类化合物选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺或丁胺中的至少一种；所述羧酸类化合物选自乙酸锌、乙酸或丙酸中的至少一种；所述卤化物选自氯化物、溴化物或碘化物中的至少一种。
进一步地，所述胺类化合物选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺或丁胺中的至少一种；所述巯基类化合物选自碳原子数为1至5的巯基类化合物，所述碳原子数为1至5的巯基类化合物自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇或巯基丁醇中的至少一种；所述羧酸类化合物选自乙酸锌、乙酸或丙酸中的至少一种；所述卤化物选自氯化物、溴化物或碘化物中的至少一种。
可选地，所述纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl或纳米ZnOF中的至少一种；所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm。
进一步地，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体彼此独立地选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
进一步地，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极；
或者，当所述发光器件为倒置型结构时，所述制备方法还包括如下步骤：
在所述电子传输层远离所述阴极的一侧形成发光层；
在所述发光层远离所述电子传输层的一侧形成阳极。
进一步地，当所述发光器件为倒置型结构时，所述制备方法还包括如下步骤：
在所述发光层远离所述电子传输层的一侧形成空穴功能层；
在所述空穴功能层远离所述发光层的一侧形成阳极。
进一步地，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，当所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；
所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
进一步地，所述制备方法还包括步骤：将包含所述钝化湿膜的所述叠层结构进行真空处理。
进一步地，所述真空处理的气压为10-6mbar至10-2mbar，所述真空处理的时间为10min至30min。
第二方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件采用如第一方面中任意一种所述的制备方法制得，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间。
进一步地，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件，或者包括如第二方面中任意一种所述的发光器件。
本申请提供了一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置，具有如下技术效果：
在本申请的发光器件的制备方法中，在制备完成电子传输前驱层之后，先对电子传输前驱层进行热处理以去除与纳米金属氧化物结合不稳定的配体，然后在电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜以对电子传输前驱层进行表面处理，减少纳米金属氧化物的表面缺陷态，从而提高纳米金属氧化物的稳定性，最后干燥处理钝化湿膜以获得电子传输层，去除残留溶剂的同时，有效提高电子传输层的稳定性。
采用所述制备方法制得的发光器件，有利于提高发光器件的光电性能和稳定性，并延长发光器件的使用寿命。
将本申请的发光器件的制备方法制得的发光器件或本申请的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中提供的一种发光器件的制备方法的流程示意图。
图2为本申请实施例中提供的第一种发光器件的结构示意图。
图3为本申请实施例中提供的第二种发光器件的结构示意图。
图4为本申请实施例中提供的第三种发光器件的结构示意图。
图5本申请实验例中实施例1、实施例2、实施例5以及对比例中发光器件的电流密度-电压特性曲线图，其中，实施例1-T1d表示实施例1中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例1-T30d表示实施例1中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例2-T1d表示实施例2中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例2-T30d表示实施例2中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例5-T1d表示实施例5中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例5-T30d表示实施例5中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；对比例-T1d表示对比例中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，对比例-T30d表示对比例中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线。
图6为本申请实验例中实施例3、实施例4、实施例6以及对比例中发光器件的电流密度-电压特性曲线图，其中，实施例3-T1d表示实施例3中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例3-T30d表示实施例3中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例4-T1d表示实施例4中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例4-T30d表示实施例4中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例6-T1d表示实施例6中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例6-T30d表示实施例6中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；对比例-T1d表示对比例中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，对比例-T30d表示对比例中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线。
图7为本申请实验例中实施例7、实施例8、实施例9以及对比例中发光器件的电流密度-电压特性曲线图其中，实施例7-T1d表示实施例7中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例7-T30d表示实施例7中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例8-T1d表示实施例8中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例8-T30d表示实施例8中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；实施例9-T1d表示实施例9中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，实施例9-T30d表示实施例9中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线；对比例-T1d表示对比例中发光器件在封装完成状态下的电流密度-电压特性曲线，对比例-T30d表示对比例中发光器件在封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天状态下的电流密度-电压特性曲线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。
需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例提供了一种发光器件的制备方法，如图1所示，所述制备方法包括如下步骤：
S1、提供基板，在基板的一侧形成电子传输前驱层，所述电子传输前驱层的材料包括纳米金属氧化物，获得叠层结构；
在步骤S1中，当发光器件为正置型结构时，基板包括层叠设置的阳极和发光层，电子传输前驱层形成于发光层远离阳极的一侧。可以理解的是，基板还可以包括其他层结构，在本申请的一些实施例中，基板包括依次层叠设置的衬底、阳极和发光层；在本申请的另一些实施例中，基板包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴功能层和发光层，空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，例如：基板包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层和发光层。
当发光器件为倒置型结构时，基板包括阴极，电子传输前驱层形成阴极的一侧。可以理解的是，基板还可以包括其他层结构，在本申请的一些实施例中，基板包括依次层叠设置的衬底和阴极；在本申请的另一些实施例中，基板包括依次层叠设置的衬底、阴极和电子注入层。
采用纳米金属氧化物制备电子传输层具有明显的优势，基于纳米金属氧化物具有电子迁移率较高、宽带隙的特性，从而赋予电子传输层理想的电子传导能力和对空穴的阻挡能力。通常采用金属盐和碱溶液作为原料来合成纳米金属氧化物，制得的纳米金属氧化物的表面连接有配体，配体例如是羟基、羧基等，从而赋予纳米金属氧化物在溶液中的良好分散性能以便于溶液法加工。但是，纳米金属氧化物易产生晶格缺陷，即：连接于纳米金属氧化物表面的部分配体稳定性较低，例如受热会脱落于纳米金属氧化物表面，导致环境条件会明显影响纳米金属氧化物的性能，因此，纳米金属氧化物具有性能不稳定高的缺点，使得采用纳米金属氧化物制备的电子传输层的性能稳定性较低，从而造成发光器件的稳定性不理想，对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。
在本申请实施例中，纳米金属氧化物可以是未掺杂的金属氧化物纳米颗粒，也可以是掺杂的金属氧化物纳米颗粒。在本申请的一些实施例中，纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl以及纳米ZnOF中的至少一种。纳米金属氧化物的粒径例如可以是2nm至15nm。
电子传输前驱层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备电子传输前驱层时，需增设干燥处理工序，以使溶液法制得的湿膜转变为干膜，“干燥处理”包括所有能使湿膜获得更高能量而转变为干膜的工序，例如可以是热处理，其中，“热处理”可以是恒温式热处理，也可以是非恒温式热处理(例如温度呈梯度式变化)。此外，当采用溶液法制备电子传输前驱层时，用于制备电子传输前驱层的溶液是包含纳米金属氧化物的溶液，所述溶液的溶剂包括但不限于是乙醇、丁醇或乙二醇单甲醚中的至少一种。
S2、在第一惰性气体的氛围下，对步骤S1的叠层结构进行热处理；
步骤S2旨在通过高温的方式以有效去除纳米金属氧化物表面连接的稳定性较低的配体，若电子传输前驱层是采用溶液法制备，则步骤S2还能进一步地去除电子传输前驱层中的溶剂。
在本申请的一些实施例中，热处理的温度为150℃至300℃，热处理的时间为5min至60min。
S3、在第二惰性气体的氛围下，在完成步骤S2的叠层结构中电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜；
步骤S3旨在钝化纳米金属氧化物的表面，从而提高纳米金属氧化物的性能稳定性，进而提高电子传输层的性能稳定性。钝化湿膜的制备方法为溶液法，即：在电子传输前驱层的一侧施加钝化溶液，并且钝化溶液覆盖电子传输前驱层的一侧，钝化溶液例如可以是稀盐酸。
在本申请的一些实施例中，钝化湿膜的材料包括胺类化合物、羧酸类化合物、巯基类化合物或卤化物中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，胺类化合物选自碳原子数为1至10的胺类化合物，例如乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺或丁胺中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，羧酸类化合物选自碳原子数为1至10的羧酸类化合物，例如乙酸锌、乙酸或丙酸中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，卤化物选自氯化物、溴化物或碘化物中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，巯基类化合物选自碳原子数为1至10的巯基类化合物。
在本申请的一些实施例中，钝化湿膜的材料包括碳原子数为1至5的巯基类化合物，例如选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇或巯基丁醇中的至少一种。相较于胺类化合物和卤化物，碳原子数为1至5的巯基类化合物极性较弱，对电子传输层的电学性能影响较弱；相较于羧酸类化合物，碳原子数为1至5的巯基类化合物与纳米金属氧化物之间的结合能力较强；此外，碳原子数为1至5的巯基类化合物分子体积小，对纳米金属氧化物表面的钝化更加密集、更加充分，并且不会增大相邻纳米颗粒之间的间距而降低导电性。
可以理解的是，钝化湿膜还可以包括溶剂，所述溶剂包括但不限于是水、乙醇、丙醇、丁醇、已醇、正辛烷、正己烷或乙二醇单甲醚中的至少一种。
需要说明的是，步骤S2中的第一惰性气体和步骤S3中的第二惰性气体是指化学性质不活泼，且不会与发光器件中各个层的材料发生反应，且具有隔绝氧气和水特性的一类气体；第一惰性气体和第二惰性气体可以相同，也可以不相同。在本申请的一些实施例中，第一惰性气体和第二惰性气体彼此独立地选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，发光器件的制备方法还包括步骤：将包含钝化湿膜的所述叠层结构静置。进一步地，静置的时间为10min至60min。
S4、对钝化湿膜进行干燥处理，获得电子传输层。
步骤S4旨在去除钝化后膜层中残留的溶剂，并提高钝化后膜层的稳定性。
在本申请的一些实施例中，步骤S4包括：在保护气体氛围下，采用不高于步骤S2中热处理的温度加热钝化湿膜。
在本申请的一些实施例中，所述加热的温度为50℃至300℃，所述加热的时间为5min至60min。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为正置型结构时，发光器件的制备方法还包括步骤：在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为倒置型结构时，发光器件的制备方法还包括如下步骤：
在电子传输层远离阴极的一侧形成发光层；
在发光层远离电子传输层的一侧形成阳极。
在本申请的一些实施例中，当发光器件为倒置型结构时，发光器件的制备方法还包括如下步骤：
在发光层远离电子传输层的一侧形成空穴功能层；
在空穴功能层远离发光层的一侧形成阳极。
其中，空穴功能层包括但不限于是空穴传输层或空穴注入层中的至少一种，当空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，空穴传输层靠近所述发光层，且空穴注入层靠近所述阳极。
空穴传输层的材料包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(简称为PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](简称为Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(简称为PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称为TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简称为CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称TPD，CAS号为65181-78-4)或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称NPB，CAS号为123847-85-8)中的至少一种，此外，空穴传输层的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是NiO、WO3、MoO3或CuO中的至少一种。空穴传输层的厚度例如可以是10nm至50nm。
空穴注入层的材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，过渡金属氧化物可以是NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。空穴注入层的厚度例如可以是10nm至50nm。
在本申请的一些实施例中，发光器件的制备方法还包括步骤：将包含钝化湿膜的叠层结构进行真空处理，以先初步去除钝化湿膜的溶剂，有利于改善电子传输层的薄膜形貌和提高发光器件的稳定性。
在本申请的一些实施例中，真空处理的气压为10-6mbar至10-2mbar，真空处理的时间为10min至30min。
在本申请的一个实施例中，在步骤S3与步骤S4之间，发光器件的制备方法还包括步骤：将包含钝化湿膜的叠层结构静置10min至60min，然后将包含钝化湿膜的叠层结构进行真空处理，真空处理的气压为10-6mbar至10-2mbar，真空处理的时间为10min至30min。
在本申请的一个实施例中，所述发光器件为正置型结构，所述发光器件的制备方法包括如下步骤：
S111、提供衬底，在衬底的一侧形成阳极；
S112、在阳极远离衬底的一侧形成空穴注入层；
S113、在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层；
S114、在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层；
S115、在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输前驱层，所述电子传输前驱层的材料包括纳米金属氧化物，获得叠层结构；
S116、在保护气体氛围下，将步骤S115的叠层结构在150℃至300℃下热处理5min至60min；
S117、在保护气体氛围下，在完成步骤S116的叠层结构中电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜，静置10min至60min；
S118、在保护气体氛围下，采用50℃至300℃恒温加热钝化湿膜5min至60min，获得电子传输层；
S119、在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极。
在本申请的另一个实施例中，所述发光器件为正置型结构，相较于步骤S111至步骤S119的制备方法，区别之处仅在于：在步骤S117与步骤S118之间增加“将包括钝化湿膜的叠层结构置于10-6mbar至10-2mbar的真空环境下处理10min至30min”的步骤。
在本申请的另一个实施例中，所述发光器件为倒置型结构，所述发光器件的制备方法包括如下步骤：
S211、提供衬底，在衬底的一侧形成阴极；
S212、在阴极远离衬底的一侧形成电子传输前驱层，所述电子传输前驱层的材料包括纳米金属氧化物，获得叠层结构；
S213、在保护气体氛围下，将步骤S212的叠层结构在150℃至300℃下热处理5min至60min；
S214、在保护气体氛围下，在完成步骤S213的叠层结构中电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜，静置10min至60min；
S215、在保护气体氛围下，采用50℃至300℃恒温加热钝化湿膜5min至60min，获得电子传输层；
S216、在电子传输层远离阴极的一侧形成发光层；
S217、在发光层远离电子传输层的一侧形成空穴传输层；
S218、在空穴传输层远离发光层的一侧形成空穴注入层；
S219、在空穴注入层远离空穴注入层的一侧形成阳极。
在本申请的另一个实施例中，所述发光器件为倒置型结构，相较于步骤S211至步骤S219的制备方法，区别之处仅在于：在步骤S214与步骤S215之间增加“将包括钝化湿膜的叠层结构置于10-6mbar至10-2mbar的真空环境下处理10min至30min”的步骤。
对上述制备方法需要说明的是，除电子传输层之外，发光器件中其他各个层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法。可以理解的是，发光器件的制备方法还可以包括其他步骤，例如：在制备完成发光器件的各个层之后，需对发光器件进行封装处理，又如：制备方法还包括在阴极与电子传输层之间制备电子注入层的步骤。
本申请实施例还提供了一种发光器件，所述发光器件是采用本申请实施例的制备方法制得，如图2所示，发光器件1包括阳极11、阴极12、发光层13以及电子传输层14，阳极11与阴极12相对设置，发光层13设置于阳极11与阴极12之间，电子传输层14设置于发光层13与阴极12之间。
在本申请实施例中，阳极11和阴极12的材料可以是本领域常见的材料，例如：阳极11和阴极12的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，例如选自氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11或阴极12也可以选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是40nm至160nm，阴极12的厚度例如可以是20nm至120nm。
在本申请的一些实施例中，发光层13的材料选自有机发光材料或量子点。发光层13的厚度例如可以是20nm至60nm。
有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种。
量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。量子点的粒径例如可以是5nm至10nm。
对于单一组分量子点和核壳结构量子点，量子点的组分包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-。
为了获得更佳的光电性能和使用寿命，在本申请的一些实施例中，如图3所示，在图2所示发光器件的基础上，发光器件1还包括空穴功能层15，空穴功能层15设置于阳极11于发光层13之间。空穴功能层包括但不限于是空穴传输层或空穴注入层中的至少一种，在本申请的一实施例中，空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层设置于阳极与发光层之间，空穴传输层设置于空穴注入层与发光层之间。空穴功能层15的厚度例如可以是20nm至100nm。
需要说明的是，本申请实施例的发光器件还可以包括其他层结构，例如发光器件还可以包括电子注入层，电子注入层设置于电子传输层与阴极之间，电子注入层的材料包括但不限于是碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是LiF，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的一种或多种。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种所述的制备方法制得的发光器件或本申请实施例中任意一种所述的发光器件。所述显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(VirtualReality,VR)头盔等。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件为正置型结构的量子点发光二极管，如图4所示，在由下至上的方向上，发光器件1包括依次设置的衬底10、阳极11、空穴注入层151、空穴传输层152、发光层13、电子传输层14以及阴极12。
发光器件1中各个层的材料与厚度如下：
衬底10的材料为玻璃，厚度为0.4mm；
阳极11的材料为ITO，厚度为40nm；
阴极12的材料为Ag，厚度为100nm；
发光层13的材料为CdSeS/CdZnSeS/ZnSe/ZnS量子点，厚度为20nm；
电子传输层14的材料为纳米ZnO，厚度为30nm；
空穴注入层151的材料为PEDOT:PSS，厚度为20nm；
空穴传输层152的材料为TFB，厚度为30nm。
本实施例中发光器件的制备方法包括如下步骤：
S1.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，然后将包括ITO的衬底依次采用丙酮超声清洗15min、清洁剂超声清洗15min、去离子水超声清洗15min以及异丙醇超声清洗15min，烘干后采用紫外-臭氧表面处理15min，获得包括阳极的衬底；
S1.2、在常温常压的空气环境下，在阳极远离衬底的一侧旋涂PEDOT:PSS水溶液(CAS号为155090-83-8)，然后置于150℃下热处理15min，获得空穴注入层；
S1.3、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂浓度为8mg/mL的TFB(CAS号为223569-31-1)-氯苯溶液，然后置于150℃下恒温热处理30min，获得空穴传输层；
S1.4、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧旋涂浓度为20mg/mL的CdSeS/CdZnSeS/ZnSe/ZnS量子点-正辛烷溶液，然后置于100℃下热处理5min，获得发光层；
S1.5、在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液，然后置于100℃下热处理15min，获得包含电子传输前驱层的叠层结构，其中，浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液的制备方法为：提供60mL的2-甲氧基乙醇，向其中加入20mmol的四甲基氢氧化胺，混匀后加入15mmol的乙酸锌并搅拌混合3h，获得包含纳米ZnO的溶液，然后采用乙酸乙酯和乙醇清洗包含纳米ZnO的溶液，获得提纯的纳米ZnO，将纳米ZnO分散于乙醇中制得浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液；
S1.6、在常温常压的氮气环境下，将叠层结构置于200℃下热处理30min；
S1.7、在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂乙醇胺以形成钝化湿膜，静置10min；
S1.8、在常温常压的氮气环境下，将完成步骤S1.7的叠层结构置于180℃下热处理30min，获得电子传输层；
S1.9、在步骤S1.8的电子传输层远离发光层的一侧蒸镀Ag，获得阴极，然后采用环氧树脂和盖玻片封装获得发光器件。
实施例2
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，本实施例中发光器件的结构组成与实施例1相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：在步骤S1.7和步骤S1.8之间增设步骤“将完成步骤S1.7的叠层结构置于气压为10-3mbar的真空环境下静置10min”。
实施例3
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂2-巯基乙醇以形成钝化湿膜，静置10min”。
实施例4
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
相较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂2-巯基乙醇以形成钝化湿膜，静置10min”，并在步骤S1.7和步骤S1.8之间增设步骤“将完成步骤S1.7的叠层结构置于气压为10-3mbar的真空环境下静置10min”。
实施例5
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂质量百分比为10％的羟基十二胺-乙醇溶液以形成钝化湿膜，静置10min”。
实施例6
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂质量百分比为30％的巯基辛醇-乙醇溶液以形成钝化湿膜，静置10min”。
实施例7
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂质量百分比为5％的乙酸-乙醇溶液以形成钝化湿膜，静置10min”。
实施例8
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂质量百分比为10％的十二酸-丁醇溶液以形成钝化湿膜，静置10min”。
实施例9
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：将步骤S1.7替换为“在常温常压的氮气环境下，在完成步骤S1.6的叠层结构中电子传输前驱层的一侧旋涂浓度为10mg/mL的ZnCl2-乙醇溶液以形成钝化湿膜，静置10min”。
对比例
本实施例提供了一种发光器件及其制备方法，相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：电子传输层的组成不相同。
较于实施例1的制备方法，本实施例的制备方法区别之处仅在于：省略步骤S1.6至步骤S1.8，并将步骤S1.5替换为“在常温常压的氮气环境下，在步骤S1.4的发光层远离空穴传输层的一侧旋涂浓度为30mg/mL的纳米ZnO-乙醇溶液，然后置于100℃下热处理15min，获得电子传输层，纳米ZnO-乙醇溶液的制备方法与实施例1相同”。
实验例
对实施例1至实施例9以及对比例的发光器件进行性能检测，并且对于各个发光器件，分别检测刚完成封装以及封装完成后置于常温常压空气环境下放置30天的两种状态下的性能参数，采用弗士达FPD光学特性测量设备(由LabView控制QE-PRO光谱仪、Keithley2400以及Keithley 6485搭建的效率测试系统)检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子点效率、功率效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命。通过源表在各个发光器件的阴极和阳极之间逐步施加扫描电压，获得各个发光器件的电流密度-电压特性曲线(如图5至图7所示)；外量子点效率的测试方法为积分球测试法；寿命测试采用恒流法，在恒定电流(2mA电流)的驱动下，采用硅光系统测试各个发光器件的亮度变化，记录亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)，并计算获得各个发光器件在1000尼特(nit)的亮度下亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95-1K,h)，实施例1至实施例9以及对比例的发光器件的性能检测数据详见下表1：
表1实施例1至实施例9以及对比例的发光器件的性能检测数据一览表
由表1可知，相较于对比例的发光器件，实施例1至实施例9的发光器件的综合性能具有明显的优势。以实施例4为例，实施例4的发光器件在封装完成状态下的EQEmax是对比例的发光器件在封装完成状态下的EQEmax的1.2倍，且实施例4的发光器件在封装后放置30天状态下的EQEmax是对比例的发光器件在封装后放置30天状态下的1.9倍；此外，实施例4的发光器件在封装完成状态下的T95-1K是对比例的发光器件在封装完成状态下的T95-1K的6.4倍，且实施例4的发光器件在封装后放置30天状态下的T95-1K是对比例的发光器件在封装后放置30天状态下的T95-1K的10.4倍，对比例的发光器件在封装后放置30天内的整体性能下降幅度显著，充分说明对比例的发光器件的稳定性不如实施例4的发光器件的稳定性。
由实施例1与实施例2以及实施例3与实施例4可知，在发光器件的制备过程中，在钝化湿膜干燥处理之前，先将包括钝化湿膜的叠层结构置于真空环境下静置特定时间，有利于改善电子传输层的薄膜形貌，从而提高发光器件的综合性能，因此，实施例2的发光器件的综合性能优于实施例1的发光器件的综合性能，且实施例4的发光器件的综合性能优于实施例3的发光器件的综合性能。
由实施例1至实施例9可知，相较于采用羧酸类化合物、巯基类化合物或卤化物作为钝化湿膜的材料，采用巯基类化合物作为钝化湿膜的材料更有利于提高发光器件的综合性能。
由实施例1、实施例3以及实施例6可知，当钝化湿膜的材料为巯基类化合物时，优选巯基类化合物的碳原子数为1至5，这是因为：碳原子数为1至5的巯基类化合物分子体积小，对纳米ZnO表面的钝化更加密集、更加充分，并且不会增大相邻纳米颗粒之间的间距而降低导电性，且碳原子数为1至5的巯基类化合物与纳米ZnO之间的结合能力较强而不易脱落。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (16)
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板，在所述基板的一侧形成电子传输前驱层，所述电子传输前驱层的材料包括纳米金属氧化物，获得叠层结构；
在第一惰性气体的氛围下，对所述叠层结构进行热处理；
在第二惰性气体的氛围下，在所述叠层结构中所述电子传输前驱层的一侧形成钝化湿膜；
对所述钝化湿膜进行干燥处理，获得电子传输层；
其中，当所述发光器件为正置型结构时，所述基板包括层叠设置的阳极和发光层，所述电子传输前驱层形成于所述发光层远离所述阳极的一侧；
当所述发光器件为倒置型结构时，所述基板包括阴极，所述电子传输前驱层形成于所述阴极的一侧。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为150℃至300℃，所述热处理的时间为5min至60min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤：将包含所述钝化湿膜的所述叠层结构静置；所述静置的时间为10min至60min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述钝化湿膜进行干燥处理，包括步骤：在保护气体氛围下，采用不高于所述热处理的温度加热所述钝化湿膜；
所述加热的温度为50℃至300℃，所述加热的时间为5min至60min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化湿膜的材料包括胺类化合物、羧酸类化合物、巯基类化合物或卤化物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述胺类化合物选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺或丁胺中的至少一种；所述巯基类化合物选自碳原子数为1至5的巯基类化合物，所述碳原子数为1至5的巯基类化合物自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇或巯基丁醇中的至少一种；所述羧酸类化合物选自乙酸锌、乙酸或丙酸中的至少一种；所述卤化物选自氯化物、溴化物或碘化物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自纳米ZnO、纳米TiO2、纳米SnO2、纳米Ta2O3、纳米ZrO2、纳米TiLiO、纳米ZnGaO、纳米ZnAlO、纳米ZnMgO、纳米ZnSnO、纳米ZnLiO、纳米InSnO、纳米AlZnO、纳米ZnOCl或纳米ZnOF中的至少一种；所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体彼此独立地选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极；
或者，当所述发光器件为倒置型结构时，所述制备方法还包括如下步骤：
在所述电子传输层远离所述阴极的一侧形成发光层；
在所述发光层远离所述电子传输层的一侧形成阳极。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为倒置型结构时，所述制备方法还包括如下步骤：
在所述发光层远离所述电子传输层的一侧形成空穴功能层；
在所述空穴功能层远离所述发光层的一侧形成阳极。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，当所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；
所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种；
所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，其中，所述过渡金属氧化物选自NiOx、MoOx、WOx或CrOx中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自MoSx、MoSex、WSx、WSex或CuS中的至少一种。
12.根据权利要求1至11任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤：将包含所述钝化湿膜的所述叠层结构进行真空处理。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述真空处理的气压为10-6mbar至10-2mbar，所述真空处理的时间为10min至30min。
14.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件采用如权利要求1至13任一项中所述的制备方法制得，所述发光器件包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；
其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至13任一项中所述的制备方法制得的发光器件，或如权利要求14或15所述的发光器件。
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