CN117799261A - 光半导体元件密封用片 - Google Patents

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植野大树
长束尚辉
仲野武史
浅井量子
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Abstract

提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。

Description

光半导体元件密封用片
本申请是申请日为2022年12月23日、申请号为202211664510.X、发明名称为光半导体元件密封用片的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光半导体元件密封用片。更详细而言，本发明涉及适合于迷你/微型LED等自发光型显示装置的光半导体元件的密封的片。
背景技术
近年，作为新一代型的显示装置，设计了以迷你/微型LED显示装置(Mini/MicroLight Emitting Diode Display)为代表的自发光型显示装置。关于迷你/微型LED显示装置，作为基本构成，使用高密度地排列有大量微小的光半导体元件(LED芯片)的基板作为显示面板，该光半导体元件被密封材料密封，在最表层层叠有树脂薄膜、玻璃板等覆盖构件。
迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置中，在显示面板的基板上配置有金属、ITO等金属氧化物的布线(金属布线)。这种显示装置例如存在如下问题：在熄灭时，光由于上述金属布线等而发生反射，画面的美观变差，外观性差。因此，作为对光半导体元件进行密封的密封材料，采用了使用用于防止由金属布线造成的反射的防反射层的技术。
另外，对于使用了背光等自发光型显示装置的显示器而言，存在因光半导体元件的光源而导致亮度产生不均(亮度不均)的问题。专利文献1中，作为能够抑制亮度不均的粘合片，公开了一种粘合片，其具有具备含有光扩散微粒的光扩散粘合剂层和不含光扩散微粒的透明粘合剂层的复合型粘合剂层，上述光扩散粘合剂层和上述透明粘合剂层中的至少一层由活性能量射线固化性粘合剂形成。
专利文献2公开了一种粘合片，其为着色粘合剂层与无色粘合剂层的层叠体，上述无色粘合剂层位于上述粘合剂层的与被粘物的凹凸接触的面。记载了根据上述粘合片，能够抑制粘合剂层中的亮度不均。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-38365号公报
专利文献2：日本特开2020-169262号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1的粘合片不具备防反射层，没有解决外观性的问题。另外，对于专利文献2记载的粘合片，可认为着色粘合剂层作为防反射层发挥作用，但亮度不均的抑制不充分。
本发明是基于上述情况而作出的，其目的在于，提供在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。
用于解决问题的方案
本发明人等为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，根据具备3层密封层并使上述3层中的1层以上为光扩散防止层、且在特定的密封层中配混有着色剂的光半导体元件密封用片，在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均。本发明是基于这些见解而完成的。
即，本发明提供一种光半导体元件密封用片，其用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，
上述片具备：与上述光半导体元件接触的第一密封层；层叠于上述第一密封层的第二密封层；以及层叠于上述第二密封层的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层，
上述第二密封层和/或上述第三密封层包含着色剂，
选自由上述第一密封层、上述第二密封层和上述第三密封层组成的组中的1个以上为扩散功能层。
上述光半导体元件密封用片如上所述，具有依次层叠与上述光半导体元件接触的第一密封层、第二密封层和第三密封层的结构。并且，选自由上述第一密封层、上述第二密封层和上述第三密封层组成的组中的1个以上为扩散功能层，且上述第二密封层和/或上述第三密封层包含着色剂。上述包含着色剂的密封层作为防反射层发挥功能。上述第三密封层具有粘合性和/或粘接性，因此在将上述第三密封层层叠于其它构件的状态下，界面的追随性优异。通过具有这样的构成，在用该片将光半导体元件密封的状态下，能够兼顾亮度不均的抑制效果和外观性。
优选上述第一密封层为扩散功能层。通过具有这样的构成，有外观性进一步提高的倾向。
优选上述第三密封层为扩散功能层。通过具有这样的构成，有亮度不均进一步被抑制的倾向。
优选上述扩散功能层包含光扩散性微粒。优选上述光扩散性微粒由有机硅树脂和/或金属氧化物构成。通过具有这样的构成，上述扩散功能层的光扩散性更优异，亮度不均进一步被抑制。
优选上述光半导体元件密封用片的分别如下述所定义的、L*(SCI)(2)相对于L*(SCI)(1)的比[L*(SCI)(2)/L*(SCI)(1)]和/或L*(SCE)(2)相对于L*(SCE)(1)的比[L*(SCE)(2)/L*(SCE)(1)]为1.2以下。通过具有这样的构成，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
L*(SCI)(1)：在将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测得的L*(SCI)
L*(SCI)(2)：在如下状态下从第三密封层侧测得的L*(SCI)：将表面具备铝箔的长度20mm×宽度20mm×厚度62μm的凸样品载置于比该凸样品尺寸大的基板上，以光半导体元件密封用片覆盖该凸样品的方式将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于上述基板和上述凸样品
L*(SCE)(1)：在将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测得的L*(SCE)
L*(SCE)(2)：在如下状态下从第三密封层侧测得的L*(SCE)：将表面具备铝箔的长度20mm×宽度20mm×厚度62μm的凸样品载置于比该凸样品尺寸大的基板上，以光半导体元件密封用片覆盖该凸样品的方式将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于上述基板和上述凸样品。
优选上述第一密封层为非辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，位于上述光半导体元件密封用片的表面的上述第一密封层在对光半导体元件进行密封时的对光半导体元件和基板的密合性优异、光半导体元件的追随性和填埋性优异。其结果，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
优选上述第二密封层和/或上述第三密封层为辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，在光半导体元件的密封后，通过辐射线照射而使上述第二密封层和/或上述第三密封层固化，光半导体元件密封用片侧面的密合性降低。由此，在平铺状态下邻接的光半导体装置中的片彼此的密合性降低，在将邻接的光半导体装置彼此拉开时，不易引起片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
另外，本发明提供一种光半导体装置，其具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片。这样的光半导体装置的外观性优异、且不易引起亮度不均。
优选上述光半导体装置为自发光型显示装置。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述自发光型显示装置。
发明的效果
根据本发明的光半导体元件密封用片，在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、且不易引起亮度不均。因此，通过使用本发明的光半导体元件密封用片，可提供如下的光半导体装置：在光半导体元件未点亮时美观良好、且在光半导体元件点亮时能够使从光半导体元件发出的光高效地以扩散状态通过。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的光半导体元件密封用片的截面图。
图2为使用了本发明的一个实施方式的光半导体元件密封用片的光半导体装置的截面图。
图3为示出将图2所示的光半导体装置平铺而制作的光半导体装置的一个实施方式的外观图。
图4表示示出光半导体装置的制造方法的一个实施方式中的密封工序的状况的截面图。
图5表示示出图4所示的密封工序后得到的层叠体的截面图。
图6表示示出图5所示的层叠体的切割工序中的切割位置的截面图。
附图标记说明
1 光半导体元件密封用片
2 密封部
21 第一密封层
22 第二密封层
23 第三密封层
3 剥离衬垫
4 基材部
5 基板
6 光半导体元件
10、20光半导体装置
具体实施方式
[光半导体元件密封用片]
本发明的光半导体元件密封用片至少具备：与光半导体元件接触的第一密封层、层叠于上述第一密封层的第二密封层、以及层叠于上述第二密封层的第三密封层。上述第一密封层为在对光半导体元件进行密封时成为与光半导体元件接触的一侧的层。上述光半导体元件密封用片中，优选第一密封层和第二密封层、第二密封层和第三密封层分别直接层叠。
需要说明的是，本说明书中，光半导体元件密封用片是指用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片。另外，本说明书中，“对光半导体元件进行密封”是指将光半导体元件的至少一部分埋入到具有第一密封层、第二密封层和第三密封层的密封部内，或通过上述密封部追随并被覆。
本发明的光半导体元件密封用片可以设置在基材部的至少一面，也可以形成于剥离衬垫上的剥离处理面。本发明的光半导体元件密封用片具备上述基材部时，本发明的光半导体元件密封用片的第三密封层侧成为与基材部接触的一侧。另外，本发明的光半导体元件密封用片形成于上述剥离衬垫时，对于上述剥离衬垫，本发明的光半导体元件密封用片的第一密封层侧成为与剥离衬垫接触的一侧。不具有上述基材部时，可以是光半导体元件密封用片的第一密封层侧和第三密封层侧这两面为与剥离衬垫接触的一侧。剥离衬垫作为上述光半导体元件密封用片的保护材料使用，在对光半导体元件进行密封时被剥去。需要说明的是，基材部和剥离衬垫并非必须设置。
以下对本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式进行说明。图1为示出本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式的截面图。如图1所示，光半导体元件密封用片1能够用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，具备基材部4和形成在基材部4上的密封部2。密封部2由第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23的层叠体形成。第二密封层22直接层叠于第一密封层21，第三密封层23直接层叠于第二密封层22。在第一密封层21的单面粘贴有剥离衬垫3，在第三密封层23上粘贴有基材部4。
上述光半导体元件密封用片中，第二密封层和/或第三密封层包含着色剂。即，第二密封层和第三密封层中的至少一者包含着色剂。上述包含着色剂的密封层作为防反射层发挥功能。因此，在利用上述光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封的状态下，外观性优异。
上述光半导体元件密封用片至少具备发挥使光扩散的功能的层(扩散功能层)。上述光半导体元件密封用片中，选自由第一密封层、第二密封层和第三密封层组成的组中的1个以上为扩散功能层。其中，第一密封层、第二密封层和第三密封层中，作为扩散功能层的层是不含着色剂的无色层。例如，第二密封层为着色层且第三密封层为扩散功能层时，第三密封层为无色层，第三密封层为着色层且第二密封层为扩散功能层时，第二密封层为无色层，第二密封层和第三密封层为着色层时，第一密封层为无色的扩散功能层。通过具有这样的构成，上述防反射层和上述扩散功能层能够充分发挥效果，在利用上述光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封的状态下，能够兼顾亮度不均的抑制效果和外观性。
作为第一密封层、第二密封层和第三密封层的层叠结构[第一密封层/第二密封层/第三密封层]，可列举出[扩散功能层/着色层/非扩散功能层]、[非扩散功能层/着色层/扩散功能层]、[扩散功能层/着色层/扩散功能层]、[非扩散功能层/扩散功能层/着色层]、[扩散功能层/非扩散功能层/着色层]、[扩散功能层/扩散功能层/着色层]、[扩散功能层/着色层/着色层]。需要说明的是，本说明书中，“扩散功能层”是指不含着色剂的层，“非扩散功能层”是指不以发挥光扩散功能为目的的无色透明的层。
优选第二密封层和第三密封层中的一者为着色层，另一者为不含着色剂的无色层。此时，上述无色层和第一密封层中的至少一者为扩散功能层，但优选一者为扩散功能层，另一者为非扩散功能层。这些情况下，有亮度不均的抑制效果和外观性更优异的倾向。
其中，优选第二密封层为着色层。此时，第三密封层为着色层和无色层均可，但优选为无色层。第三密封层为无色层时，第一密封层和/或第三密封层为扩散功能层。其中，优选第一密封层和第三密封层的一者为扩散功能层，另一者为非扩散功能层，更优选第一密封层为扩散功能层，进一步优选第一密封层为扩散功能层，第三密封层为非扩散功能层。这些情况下，有亮度不均的抑制效果和外观性更优异的倾向。
作为上述层叠结构[第一密封层/第二密封层/第三密封层]，其中，优选为[扩散功能层/着色层/非扩散功能层]、[非扩散功能层/着色层/扩散功能层]、[扩散功能层/着色层/扩散功能层]、[非扩散功能层/扩散功能层/着色层]、[扩散功能层/非扩散功能层/着色层]，更优选为[扩散功能层/着色层/非扩散功能层]、[非扩散功能层/着色层/扩散功能层]、[扩散功能层/着色层/扩散功能层]。
第一密封层、第二密封层、和第三密封层可以各自独立地为具有通过辐射线照射而固化的性质的树脂层(辐射线固化性树脂层)，也可以为不具有通过辐射线照射而固化的性质的树脂层(非辐射线固化性树脂层)。作为上述辐射线，例如可列举出电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线等。
第一密封层优选为非辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，位于上述光半导体元件密封用片的表面的第一密封层对光半导体元件进行密封时的对光半导体元件和基板的密合性优异、光半导体元件的追随性和填埋性优异。其结果，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
优选第二密封层和/或第三密封层为辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，在光半导体元件的密封后，通过辐射线照射而使第二密封层和/或上述第三密封层固化，光半导体元件密封用片侧面的密合性降低。由此，在平铺状态下邻接的光半导体装置中的片彼此的密合性降低，在将邻接的光半导体装置彼此拉开时，不易引起片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
第一密封层为对光半导体元件进行密封时成为与光半导体元件接触的一侧(即，具备光半导体元件的基板侧)的层。第一密封层可以具有粘合性和/或粘接性，也可以不具有。其中，为了使第一密封层能够以充分的密合力密合于基板和光半导体元件从而充分地对光半导体元件进行密封，优选具有粘合性和/或粘接性。
第二密封层可以具有粘合性和/或粘接性，也可以不具有。其中，优选具有粘合性和/或粘接性。通过具有这样的构成，对光半导体元件进行密封时，能够容易地将光半导体元件密封,另外，与位于光半导体元件侧表面的第一密封层的密合性优异、光半导体元件的密封性更优异。
第三密封层具有粘合性和/或粘接性。由此，在将第三密封层与其它构件层叠的状态下，界面的追随性优异。因此，在利用上述光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封的状态下，第三密封层与所密合或粘接的其它构件不易产生间隙，能够兼顾亮度不均的抑制效果和外观性。另外，对光半导体元件进行密封时，能够容易地将光半导体元件密封，进而与第二密封层的密合性优异、光半导体元件的密封性更优异。
(着色层)
能够相当于第二密封层和/或第三密封层的上述着色层至少包含着色剂。上述着色层优选为由树脂构成的树脂层。上述着色剂只要能够在上述着色层中溶解或分散，则为染料或颜料均可。从即使少量添加也能够实现低雾度、如颜料那样没有沉降性且容易均匀分布的方面出发，优选为染料。另外，从即使少量添加颜色显现性也高的方面出发，也优选为颜料。使用颜料作为着色剂时，优选导电性低或没有导电性。上述着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述着色剂，优选为黑系着色剂。作为上述黑系着色剂，可以使用用于呈现公知惯用的黑色的着色剂(颜料、染料等)，例如可列举出炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑、松烟等)、石墨、氧化铜、二氧化锰、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等)、磁铁体(magnetite)、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、蒽醌系着色剂、氮化锆等。黑系着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。另外，也可以使用组合配混呈现黑色以外的颜色的着色剂而作为黑系着色剂发挥作用的着色剂。
作为上述着色剂，没有特别限定，优选为吸收可见光且具有紫外线透过性的着色剂。即，着色剂优选波长330～400nm下的平均透过率大于波长400～700nm下的平均透过率。另外，着色剂优选波长330～400nm下的透过率的最大值大于波长400～700nm下的透过率的最大值。着色剂的透过率使用通过四氢呋喃(THF)等适当的溶剂或分散介质(波长330～700nm的范围的吸收小的有机溶剂)进行了稀释而使得波长400nm下的透过率为50～60％左右的溶液或分散液进行测定。
作为紫外线的吸收小于可见光的吸收的紫外线透过性的黑色颜料，可列举出商品名“9050BLACK”、商品名“UVBK-0001”(均为TOKUSHIKI CO.,Ltd制)等。作为紫外线透过性的黑色染料，可列举出商品名“SOC-L-0123”(ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES制)等。
通常用作黑系着色剂的炭黑、钛黑的紫外线的吸收大于可见光的吸收(紫外线透过率小于可见透光率)。因此，在对紫外线具有灵敏度的辐射线固化性树脂中添加炭黑等着色剂时，为了光固化而照射的紫外线大多被着色剂吸收，光聚合引发剂所吸收的光量小，光固化需要时间(累积照射光量变多)。另外，所层叠的层的厚度大时，由于到达光照射面的相反侧的面的紫外线少，因此即使进行长时间的光照射，也有光固化不充分的倾向。与此相对，通过使用与可见光相比紫外线的透过率更大的着色剂，能够抑制起因于着色剂的固化阻碍。
关于上述着色层中的着色剂的含量，从对半导体元件密封用片赋予适当的防反射能力的观点出发，相对于构成着色层的树脂100质量份，优选为0.01～20质量份、更优选为0.1～15质量份、进一步优选为1～10质量份，根据着色剂的种类、半导体元件密封用片的色调和透光率等适当设定即可。着色剂可以以在适当的溶剂中溶解或分散而成的溶液或分散液的形式添加到组合物中。
上述着色层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从确保光半导体装置的辨识性的观点出发，优选为30％以下、更优选为25％以下、进一步优选为20％以下、特别优选为15％以下。另外，从高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，上述着色层的雾度值优选为1％以上、更优选为3％以上、进一步优选为5％以上、特别优选为8％以上、也可以为10％以上。上述着色层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述着色层的总透光率没有特别限定，从进一步提高光半导体装置中的金属布线等的防反射功能、对比度的观点出发，优选为30％以下、更优选为25％以下、进一步优选为20％以下、特别优选为10％以下。另外，从确保光半导体装置的亮度的观点出发，上述着色层的总透光率优选为0.5％以上、更优选为1％以上、进一步优选为1.5％以上、特别优选为2％以上、也可以为2.5％以上或3％以上。上述着色层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述着色层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过种类、厚度、着色剂的种类、配混量等来控制。
(扩散功能层)
能够相当于第一密封层、第二密封层和第三密封层的上述扩散功能层为具有使光扩散的功能的层，优选为由树脂构成的树脂层。上述扩散功能层没有限定，优选包含光扩散性微粒。即，上述扩散功能层优选包含分散在树脂层中的光扩散性微粒。上述光扩散性微粒可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述光扩散性微粒与构成扩散功能层的树脂具有适当的折射率差，对扩散功能层赋予扩散性能。作为光扩散性微粒，可列举出无机微粒、高分子微粒等。作为无机微粒的材质，例如可列举出二氧化硅、碳酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、粘土、滑石、金属氧化物等。作为高分子微粒的材质，例如可列举出有机硅树脂、丙烯酸系树脂(例如，包含聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯树脂)、聚苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂等。
作为上述高分子微粒，优选为由有机硅树脂构成的微粒。另外，作为上述无机微粒，优选为由金属氧化物构成的微粒。作为上述金属氧化物，优选为氧化钛、钛酸钡，更优选为氧化钛。通过具有这样的构成，上述扩散功能层的光扩散性更优异、亮度不均进一步被抑制。
上述光扩散性微粒的形状没有特别限定，例如可以为正球状、扁平状、不定形状。
从对光半导体元件密封用片赋予适当的光扩散性能的观点出发，上述光扩散性微粒的平均粒径优选为0.1μm以上、更优选为0.15μm以上、进一步优选为0.2μm以上、特别优选为0.25μm以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，上述光扩散性微粒的平均粒径优选为12μm以下、更优选为10μm以下、进一步优选为8μm以下。平均粒径例如可以使用库尔特计数器来测定。
上述光扩散性微粒的折射率优选为1.2～5、更优选为1.25～4.5、进一步优选为1.3～4、特别优选为1.35～3。
从更高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，上述光扩散性微粒与构成扩散功能层的树脂(扩散功能层中，除去光扩散性微粒之外的树脂层)的折射率差的绝对值优选为0.001以上、更优选为0.01以上、进一步优选为0.02以上、特别优选为0.03以上、也可以为0.04以上或0.05以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，光扩散性微粒与树脂的折射率差的绝对值优选为5以下、更优选为4以下、进一步优选为3以下。
关于上述扩散功能层中的上述光扩散性微粒的含量，从对光半导体元件密封用片赋予适当的光扩散性能的观点出发，相对于构成扩散功能层的树脂100质量份，优选为0.01质量份以上、更优选为0.05质量份以上、进一步优选为0.1质量份以上、特别优选为0.15质量份以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，光扩散性微粒的含量相对于构成扩散功能层的树脂100质量份优选为80质量份以下、更优选为70质量份以下。
上述扩散功能层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，优选为30％以上、更优选为40％以上、进一步优选为50％以上、特别优选为60％以上、也可以为70％以上、80％以上、90％以上、95％以上、97％以上，进而，在99.9％附近时亮度不均改善效果更优异，是优选的。需要说明的是，上述扩散功能层的雾度值的上限没有特别限定，即，可以为100％。上述扩散功能层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述扩散功能层的总透光率没有特别限定，从确保光半导体装置的亮度的观点出发，优选为40％以上、更优选为60％以上、进一步优选为70％以上、进一步优选为80％以上。另外，上述扩散功能层的总透光率的上限值没有特别限定，可以低于100％、也可以为99.9％以下或99％以下。上述扩散功能层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述扩散功能层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过扩散功能层的种类、厚度、光扩散性微粒的种类、配混量等来控制。
(非扩散功能层)
能够相当于第一密封层、第二密封层和第三密封层的上述非扩散功能层是不以发挥使光扩散的功能为目的的无色透明的层，优选为由树脂构成的树脂层。
上述非扩散功能层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从使光半导体装置的亮度优异的观点出发，优选低于30％、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下、特别优选为1％以下、也可以为0.5％以下。需要说明的是，上述非扩散功能层的雾度值的下限没有特别限定。上述非扩散功能层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述非扩散功能层的总透光率没有特别限定，从确保光半导体装置的亮度的观点出发，优选为60％以上、更优选为70％以上、进一步优选为80％以上、特别优选为90％以上。另外，上述非扩散功能层的总透光率的上限值没有特别限定，可以低于100％，也可以为99.9％以下或99％以下。上述非扩散功能层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述非扩散功能层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过非扩散功能层的种类、厚度等来控制。
从使光半导体装置的亮度优异的观点出发，上述非扩散功能层中的着色剂和/或光扩散性微粒的含量相对于构成非扩散功能层的树脂100质量份优选低于0.01质量份、更优选为0.005质量份以下。
<树脂层>
上述着色层、上述扩散功能层和上述非扩散功能层为上述树脂层的情况下，作为构成上述树脂层的树脂，可列举出公知惯用的树脂，例如可列举出丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯丙烯酸酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、橡胶系树脂、环氧系树脂、环氧丙烯酸酯系树脂、氧杂环丁烷系树脂、有机硅树脂、有机硅丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、聚醚系树脂(聚乙烯基醚等)、聚酰胺系树脂、氟系树脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。构成上述着色层、上述扩散功能层和上述非扩散功能层的树脂彼此可以相同也可以不同。
上述树脂层为具有粘合性的层(粘合层)的情况下，作为上述树脂，可以使用公知惯用的压敏型粘合剂。作为上述粘合剂，例如可列举出丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂(天然橡胶系、合成橡胶系、它们的混合体系等)、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、聚醚系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氟系粘合剂等。上述粘合剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述丙烯酸系树脂为含有源自丙烯酸系单体(在分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的结构单元作为聚合物的结构单元的聚合物。上述丙烯酸系树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述丙烯酸系树脂优选为以质量比率计包含源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元最多的聚合物。需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”(“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”中的任一者或两者)，其他的也相同。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出含烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯等具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯等。上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中，优选具有碳数为1～20(优选为1～14、更优选为2～10、进一步优选为2～6)的直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯。上述碳数为上述范围内时，上述丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度的调整容易，容易使树脂层的粘合性更适当。
作为上述具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环庚酯、(甲基)丙烯酸环辛酯等具有单环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有二环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊基氧乙酯、(甲基)丙烯酸三环戊基酯、(甲基)丙烯酸1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯等具有三环以上的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯等。其中，优选为具有单环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯、更优选为(甲基)丙烯酸环己酯。
作为上述具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
作为上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯，其中，优选包含具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯。进而更优选包含具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯。此时，树脂层的粘合性的平衡良好，光半导体元件的密封性更优异。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为40质量％以上、更优选为50质量％以上、进一步优选为60质量％以上。另外，从能够与其它单体成分共聚并得到该其它单体成分的效果的观点出发，上述比率优选为95质量％以下、更优选为80质量％以下。
关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为30质量％以上、更优选为40质量％以上。另外，上述比率优选为90质量％以下、更优选为70质量％以下。
关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为1质量％以上、更优选为5质量％以上。另外，上述比率优选为30质量％以下、更优选为20质量％以下。
出于导入后述的第1官能团的目的、出于内聚力、耐热性等的改性的目的，上述丙烯酸系树脂可以包含源自能够与上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体成分的结构单元。作为上述其它单体成分，例如可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、含氮原子单体等含极性基团的单体等。上述其它单体成分分别可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。作为上述酸酐单体，例如可列举出马来酸酐、衣康酸酐等。
作为上述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。
作为上述含缩水甘油基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。
作为上述含磺酸基单体，例如可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等。
作为上述含磷酸基单体，例如可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等。
作为上述含氮原子单体，例如可列举出(甲基)丙烯酰基吗啉等含吗啉基单体、(甲基)丙烯腈等含氰基单体、(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基单体等。
作为构成上述丙烯酸系树脂的上述含极性基团的单体，优选含有含羟基单体。通过使用含羟基单体，后述第1官能团的导入容易。另外，丙烯酸系树脂和上述树脂层的耐水性优异，光半导体元件密封用片即使在成为高湿度的环境下使用时也不易起雾，耐白化性优异。
作为上述含羟基单体，优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯，更优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述含极性基团的单体的比率优选为5～50质量％、更优选为10～40质量％。特别是从上述树脂层的耐水性也更优异的观点出发，含羟基单体的比率优选为上述范围内。
作为上述其它单体成分，可以进一步包含(甲基)丙烯酸的己内酯加成物、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等乙烯基系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯、含烷氧基取代烃基的(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基苄酯等)丙烯酸酯系单体等。
构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述其它单体成分的比率例如为3～50质量％左右，也可以为5～40质量％或10～30质量％。
上述丙烯酸系树脂为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以含有源自能够与构成丙烯酸系树脂的单体成分共聚的多官能(甲基)丙烯酸酯的结构单元。作为上述多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。上述多官能性单体可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述多官能性单体的比率优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
上述树脂层为辐射线固化性树脂层时，作为上述树脂层，例如可列举出：含有基础聚合物和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、低聚物成分的层、包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物(特别是丙烯酸系树脂)作为基础聚合物的层等。
作为上述辐射线聚合性官能团，可列举出烯属不饱和基团等包含碳-碳不饱和键的基团等辐射线自由基聚合性基团、辐射线阳离子聚合性基团等。作为上述包含碳-碳不饱和键的基团，例如可列举出乙烯基、丙烯基、异丙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基等。作为上述辐射线阳离子聚合性基团，可列举出环氧基、氧杂环丁基、氧杂环戊基等。其中，优选为包含碳-碳不饱和键的基团，更优选为丙烯酰基、甲基丙烯酰基。上述辐射线聚合性官能团可以仅为一种，也可以为两种以上。上述辐射线聚合性官能团的位置可以为聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端的任一者。
上述具有辐射线聚合性官能团的聚合物例如可通过使具有反应性官能团(第1官能团)的聚合物与具有能够与上述第1官能团之间发生反应而形成键的官能团(第2官能团)和上述辐射线聚合性官能团的化合物在维持上述辐射线聚合性官能团的辐射线聚合性的状态下发生反应而键合的方法来制作。因此，上述具有辐射线聚合性官能团的聚合物优选包含源自具有上述第1官能团的聚合物的结构部和源自具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的结构部。
作为上述第1官能团与上述第2官能团的组合，例如可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基等。这些之中，从反应追踪的容易度的观点出发，优选为羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。上述组合可以仅为一种，也可以为两种以上。
作为上述具有放射性聚合性官能团和异氰酸酯基的化合物，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。上述化合物可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
关于上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂中的、源自具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的结构部的含量，从能够进一步推进辐射线固化性树脂层的固化的观点出发，相对于源自具有上述第1官能团的丙烯酸系树脂的结构部的总量100摩尔，优选为0.5摩尔以上、更优选为1摩尔以上、进一步优选为3摩尔以上、进一步优选为10摩尔以上。上述含量例如为100摩尔以下。
关于上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂中的、上述第2官能团相对于上述第1官能团的摩尔比[第2官能团/第1官能团]，从能够进一步推进辐射线固化性树脂层的固化的观点出发，优选为0.01以上、更优选为0.05以上、进一步优选为0.2以上、特别优选为0.4以上。另外，从进一步减少辐射线固化性树脂层中的低分子量物质的观点出发，上述摩尔比优选低于1.0、更优选为0.9以下。
上述丙烯酸系树脂通过将上述的各种单体成分进行聚合而得到。作为其聚合方法，没有特别限定，例如可列举出溶液聚合方法、乳液聚合方法、本体聚合方法、基于活性能量射线照射的聚合方法(活性能量射线聚合方法)等。另外，得到的丙烯酸系树脂为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中的任一者。
上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂例如可以通过如下方法制作：使包含具有第1官能团的单体成分的原料单体聚合(共聚)而得到具有第1官能团的丙烯酸系树脂后，使具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物在维持辐射线聚合性官能团的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系树脂进行缩合反应或加成反应。
在单体成分的聚合时，可以使用各种通常的溶剂。作为上述溶剂，例如可列举出乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯类；甲苯、苯等芳香族烃类；正己烷、正庚烷等脂肪族烃类；环己烷、甲基环己烷等脂环式烃类；甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类等有机溶剂。上述溶剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
单体成分的自由基聚合中使用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定，可适当选择来使用。需要说明的是，丙烯酸系聚合物的重均分子量可以通过聚合引发剂、链转移剂的使用量、反应条件来控制，根据它们的种类来适当调整其用量。
作为单体成分的聚合中使用的聚合引发剂，可以根据聚合反应的种类来使用热聚合引发剂、光聚合引发剂(光引发剂)等。上述聚合引发剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述热聚合引发剂，没有特别限定，例如可列举出偶氮系聚合引发剂、过氧化物系聚合引发剂、氧化还原系聚合引发剂等。相对于构成上述具有第1官能团的丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份，上述热聚合引发剂的使用量优选为1质量份以下、更优选为0.005～1质量份、进一步优选为0.02～0.5质量份。
作为上述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻醚系光聚合引发剂、苯乙酮系光聚合引发剂、α-酮醇系光聚合引发剂、芳香族磺酰氯系光聚合引发剂、光活性肟系光聚合引发剂、苯偶姻系光聚合引发剂、苯偶酰系光聚合引发剂、二苯甲酮系光聚合引发剂、缩酮系光聚合引发剂、噻吨酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂、二茂钛系光聚合引发剂等。其中，优选为苯乙酮系光聚合引发剂。
作为上述苯乙酮系光聚合引发剂，例如可列举出2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(叔丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
相对于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份，上述光聚合引发剂的使用量优选为0.005～1质量份、更优选为0.01～0.7质量份、进一步优选为0.18～0.5质量份。若上述使用量为0.005质量份以上(尤其是0.18质量份以上)，则有如下倾向：容易将丙烯酸系树脂的分子量控制得较小，树脂层的残留应力变高，高度差吸收性变得更良好。
上述具有第1官能团的丙烯酸系树脂与上述具有第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的反应例如可以在溶剂中、在催化剂的存在下搅拌来进行。作为上述溶剂，可列举出上述溶剂。上述催化剂根据第1官能团与第2官能团的组合来适当选择。上述反应中的反应温度例如为5～100℃，反应时间例如为1～36小时。
上述丙烯酸系树脂可以具有源自交联剂的结构部。例如，能够使上述丙烯酸系树脂发生交联而进一步减少上述树脂层中的低分子量物质。另外，能够提高丙烯酸系树脂的重均分子量。需要说明的是，上述丙烯酸系树脂具有辐射线聚合性官能团时，上述交联剂是使除辐射线聚合性官能团之外的官能团彼此(例如第1官能团彼此、第2官能团彼此、或者第1官能团与第2官能团)发生交联的物质。上述交联剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述交联剂，例如可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂、有机硅系交联剂、硅烷系交联剂等。作为上述交联剂，其中，从对光半导体元件的密合性优异的观点、杂质离子少的观点出发，优选为异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂，更优选为异氰酸酯系交联剂。
作为上述异氰酸酯系交联剂(多官能异氰酸酯化合物)，例如可列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等。另外，作为上述异氰酸酯系交联剂，例如还可列举出三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。
源自上述交联剂的结构部的含量没有特别限定，相对于上述丙烯酸系树脂的除源自上述交联剂的结构部之外的总量100质量份，优选含有5质量份以下，更优选为0.001～5质量份、进一步优选为0.01～3质量份。
上述树脂层在着色层、扩散功能层和非扩散功能层中，在不损害本发明的效果的范围内可以包含除上述各成分以外的其它成分。作为上述其它成分，可列举出交联促进剂、增粘树脂(松香衍生物、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚等)、低聚物、抗老化剂、填充剂(金属粉、有机填充剂、无机填充剂等)、抗氧化剂、增塑剂、软化剂、表面活性剂、抗静电剂、表面润滑剂、流平剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、阻聚剂、粒状物、箔状物等。上述其它成分分别可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
第一密封层、第二密封层和第三密封层的各层的厚度例如为5～480μm。第一密封层的厚度优选为5～100μm、更优选为10～80μm、进一步优选为20～70μm。第一密封层的厚度为5μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第一密封层的厚度为100μm以下时，更容易确保光半导体元件的发光时的亮度。
第二密封层的厚度优选为5～100μm、更优选为10～80μm、进一步优选为20～70μm。第二密封层的厚度为5μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第二密封层的厚度为100μm以下时，更容易确保光半导体元件的发光时的亮度。
第三密封层的厚度优选为30～480μm、更优选为40～380μm、进一步优选为50～280μm。第三密封层的厚度为30μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第三密封层的厚度为480μm以下时，在平铺状态下将邻接的光半导体装置彼此拉开时，更不易引起光半导体元件密封用片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述密封部(例如，以第一密封层和第三密封层为两个端面的层叠体)的厚度例如为100～500μm、优选为120～400μm、进一步优选为150～300μm。上述厚度为100μm以上时，光半导体元件的密封性变得更良好。上述厚度为500μm以下时，作为片的操作性和平铺工序中的返工性变得更良好，另外不易引起侧面的黏腻。
为树脂层时的第一密封层、第二密封层、和第三密封层例如可通过如下方法制作：将用于形成各层的树脂组合物涂布在剥离衬垫的剥离处理面而形成树脂组合物层后，通过加热而脱溶剂、照射活性能量射线而使单体成分聚合，根据需要进一步加热而使该树脂组合物层固化。
上述树脂组合物可以为任意形态。例如，上述树脂层为粘合层时的树脂组合物(粘合剂组合物)可以为乳液型、溶剂型(溶液型)、活性能量射线固化型、热熔融型(热熔型)等。其中，从容易得到生产率优异的粘合剂层的方面出发，优选为溶剂型、活性能量射线固化型。
作为上述树脂组合物，例如可列举出以树脂为必需成分的树脂组合物、或者以构成上述树脂的单体(单体成分)的混合物(有时称为“单体混合物”)或其部分聚合物为必需成分的树脂组合物等。作为前者，例如可列举出所谓的溶剂型的树脂组合物等。另外，作为后者，例如可列举出所谓的活性能量射线固化型的树脂组合物等。上述“单体混合物”是指包含构成聚合物的单体成分的混合物。另外，上述“部分聚合物”有时也称为“预聚物”、“浆液”等，是指上述单体混合物中的单体成分中的1种或2种以上单体成分部分地发生聚合而成的组合物。
上述树脂组合物可以通过公知惯用的方法来制作。例如，溶剂型的树脂组合物可以通过在含有上述树脂的溶液中根据需要混合着色剂、光扩散性微粒等添加剂而制作。例如，活性能量射线固化型的树脂组合物可以通过在构成上述树脂的单体成分的混合物或其部分聚合物中根据需要混合添加剂而制作。
需要说明的是，上述树脂组合物的涂布(涂覆)可以利用公知的涂布法。例如可以使用凹版辊涂机、逆转辊涂机、辊舐涂布机、浸渍辊涂机、棒涂机、刮刀涂布机、喷涂机、逗点涂布机、直接涂布机等涂布机。
溶剂型的树脂组合物的加热干燥温度优选为40～200℃、更优选为50～180℃、进一步优选为70～170℃。干燥时间可适当采用适合的时间，例如为5秒～20分钟、优选为5秒～10分钟、更优选为10秒～5分钟。
通过活性能量射线照射来形成树脂层时，可以由上述单体成分制造上述树脂并且形成树脂层。上述单体成分在活性能量射线照射时，可以使用事先将一部分聚合而制成浆液的物质。紫外线照射可以使用高压汞灯、低压汞灯、金属卤化物灯等。
(基材部)
上述基材部在上述光半导体元件密封用片中成为上述密封部的支承体，通过具备上述基材部，上述光半导体元件密封用片的处理性优异。上述基材部可以是单层，也可以是相同或组成、厚度等不同的多层。上述基材部为多层时，各层可以通过粘合剂层等其它层而贴合。需要说明的是，基材部中使用的基材层在使用光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封时是与密封部一起粘贴于具备光半导体元件的基板的部分，在光半导体元件密封用片的使用时(粘贴时)被剥离的剥离衬垫、仅用于保护基材部表面的表面保护薄膜不包括在“基材部”中。基材部例如层叠于第三密封层。
作为构成上述基材部的基材层，例如可列举出玻璃、塑料基材(特别是塑料薄膜)等。作为构成上述塑料基材的树脂，例如可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、环状烯烃系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺系树脂；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳纶、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙酰纤维素(TAC)等纤维素树脂；有机硅树脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系树脂；聚砜；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述基材层可以是防反射(AR)薄膜、偏光板、相位差板等各种光学薄膜。上述基材部具有光学薄膜时，上述光半导体元件密封用片可以直接应用于光学构件。
上述塑料薄膜的厚度优选为20～200μm、更优选为40～150μm。上述厚度为20μm以上时，光半导体元件密封用片的支承性和处理性进一步提高。上述厚度为200μm以下时，能够减薄光半导体元件密封用片的厚度，能够使光半导体装置更薄。
出于提高与密封部的密合性、保持性等目的，上述基材部的具备上述密封部的一侧的表面例如可以实施电晕放电处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、电离辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等表面处理。用于提高密合性的表面处理优选对基材部的密封部侧的表面整体实施。
从作为支承体的功能和表面的耐擦伤性优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为5μm以上、更优选为10μm以上。从透明性更优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为300μm以下、更优选为200μm以下。
(光半导体元件密封用片)
上述光半导体元件密封用片可以具备具有防眩性和/或防反射性的层。通过具有这样的构成，在将上述光半导体装置应用于显示器时，能够抑制显示器的光泽、光的反射，使显示器的美观更良好。作为上述具有防眩性的层，可列举出防眩处理层。作为上述具有防反射性的层，可列举出防反射处理层。防眩处理和防反射处理分别可以通过公知惯用的方法实施。上述具有防眩性的层和上述具有防反射性的层可以是同一层，也可以是相互不同的层。上述具有防眩性和/或防反射性的层可以仅具有一层，也可以具有两层以上。
上述光半导体元件密封用片的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从使亮度不均的抑制效果和外观性更优异的观点出发，优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。需要说明的是，上述雾度值的上限没有特别限定。上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是上述辐射线固化性树脂层的固化前的值，也可以是固化后的值。
上述光半导体元件密封用片的总透光率没有特别限定，从进一步提高光半导体装置中的金属布线等的防反射功能、对比度的观点出发，优选为30％以下、更优选为20％以下、进一步优选为5％以下。另外，从确保光半导体装置的亮度的观点出发，上述总透光率优选为0.5％以上。上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是上述辐射线固化性树脂层的固化前的值，也可以是固化后的值。
上述光半导体元件密封用片的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JISK7361-1规定的方法进行测定，可以通过构成上述光半导体元件密封用片的各层的层叠顺序、种类、厚度等来控制。
上述光半导体元件密封用片在将第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测定的L*(SCI)和/或L*(SCE)优选为60以下、更优选低于50、进一步优选低于40。物体所反射的光包含规则反射光和扩散反射光时，规则反射光是难以通过肉眼辨认的光。L*(SCE)是对不含规则反射光的反射光进行测定的值，L*(SCE)为60以下时，通过肉眼辨识图像显示装置时的外观性优异。另一方面，L*(SCI)是对包含规则反射光的反射光进行测定的值，虽然与肉眼的辨识性的关联性低，但能够测定与物体的真正色调相近的色调。因此，L*(SCI)为60以下时，关于图像显示装置的辨识性，即使在有环境造成的影响的情况下外观性也优异。另外，有时将在将第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测定的L*(SCI)称为“L*(SCI)(1)”、将L*(SCE)称为“L*(SCE)(1)”。L*(SCI)(1)和L*(SCE)(1)具体而言可以通过实施例记载的方法测定。
将表面具备铝箔的长度20mm×宽度20mm×厚度62μm的凸样品载置于比该凸样品尺寸大的基板上，将上述光半导体元件密封用片的第一密封层以上述片覆盖该凸样品的方式贴合于上述基板和上述凸样品，在该状态下从第三密封层侧测定的L*(SCI)和/或L*(SCE)优选为60以下、更优选低于50、进一步优选低于40。L*(SCE)为60以下时，通过肉眼辨识图像显示装置时的外观性更优异。L*(SCI)为60以下时，关于图像显示装置的辨识性，即使在有环境造成的影响的情况下外观性也更优异。需要说明的是，有时将在将第一密封层贴合于上述凸样品的状态下从第三密封层侧测定的L*(SCI)称为“L*(SCI)(2)”、将L*(SCE)称为“L*(SCE)(2)”。L*(SCI)(2)和L*(SCE)(2)具体而言可以通过实施例记载的方法测定。
上述光半导体元件密封用片的、L*(SCI)(2)相对于L*(SCI)(1)的比[L*(SCI)(2)/L*(SCI)(1)]优选为1.2以下、更优选为1.1以下、进一步优选为1.05以下。上述比为1.2以下时，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
上述光半导体元件密封用片的、L*(SCE)(2)相对于L*(SCE)(1)的比[L*(SCE)(2)/L*(SCE)(1)]优选为1.2以下、更优选为1.1以下、进一步优选为1.05以下。上述比为1.2以下时，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
L*(SCI)和L*(SCE)越接近于1则外观性越优异。在本说明书中，L*(SCI)和L*(SCE)可以使用公知惯用的分光测色计来测定。上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，理想的是在更接近于使用时的状态的状态下测定，因此优选上述辐射线固化性树脂层的固化后的值为上述范围内。另外，上述辐射线固化性树脂层的固化前的值也可以为上述范围内。
使用将上述光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于玻璃板而得到的测定样品，通过下述光扩散效果确认试验测得的圆状的直径优选为5.0cm以上、更优选为5.5cm以上、进一步优选为6.0cm以上。上述圆状的直径为5.0cm以上时，亮度不均进一步被抑制。
<光扩散效果确认试验>
在屏幕上设置LED灯，使玻璃板与LED灯密合，从LED灯隔着玻璃板向屏幕上照射光时，将上述屏幕上出现直径为4.0cm的圆状的光的位置作为LED灯的位置。然后，在使将上述光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于玻璃板而得到的测定样品的玻璃板侧与LED灯密合的状态下，测定从LED灯隔着玻璃板和光半导体元件密封用片向屏幕上照射光时出现的圆状的光的直径。
从提高图像显示装置中的金属布线等的防反射功能、对比度、并且更高效地减少偏色的观点出发，本发明的光半导体元件密封用片的厚度优选为10～600μm、更优选为20～550μm、进一步优选为30～500μm、进一步优选为40～450μm、特别优选为50～400μm。需要说明的是，本发明的光半导体元件密封用片包含基材部时，基材部包括在本发明的光半导体元件密封用片的厚度中，但剥离衬垫不包括在本发明的光半导体元件密封用片的厚度中。
根据本发明的光半导体元件密封用片，在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、且不易引起亮度不均。因此，通过使用本发明的光半导体元件密封用片，可提供如下的光半导体装置：在光半导体元件未点亮时美观良好、且在光半导体元件点亮时能够使从光半导体元件发出的光高效地以扩散状态通过。
[剥离衬垫]
上述剥离衬垫是用于被覆上述光半导体元件密封用片表面而进行保护的要素，在对配置有光半导体元件的基板贴合光半导体元件密封用片时从该片被剥去。
作为上述剥离衬垫，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。
上述剥离衬垫的厚度例如为10～200μm、优选为15～150μm、更优选为20～100μm。上述厚度为10μm以上时，在剥离衬垫的加工时不易因切缝而断裂。上述厚度为200μm以下时，在使用时更容易从上述光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离。
[光半导体元件密封用片的制造方法]
对本发明的光半导体元件密封用片的制造方法的一个实施方式进行说明。例如，对于图1所示的光半导体元件密封用片1，例如如上所述地各自制作分别被2张剥离衬垫的剥离处理面夹持的第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23。贴合于第一密封层21的一个剥离衬垫为剥离衬垫3。
接着，将粘贴于第三密封层23的一个剥离衬垫剥离而露出第三密封层23表面，将露出面贴合于基材部4。然后，将粘贴于第二密封层22的一个剥离衬垫剥离，在剥离第三密封层23表面的剥离衬垫而露出的第三密封层23表面贴合第二密封层22的露出面。
接着，将粘贴于第一密封层21的一个剥离衬垫(非剥离衬垫3的剥离衬垫)剥离，在剥离第二密封层22表面的剥离衬垫而露出的第二密封层22表面贴合第一密封层21的露出面。需要说明的是，各种层的层叠可以使用公知的辊、层压机来进行。如此操作，能够制作在基材部4上依次层叠有第三密封层23、第二密封层22、第一密封层21和剥离衬垫3的图1所示的光半导体元件密封用片1。
使用本发明的光半导体装置密封用片，在配置有光半导体元件的基板上贴合第一密封层而对光半导体元件进行密封，由此能够得到光半导体装置。具体而言，首先，从本发明的光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离而露出第一密封层。然后，在具备基板和配置在上述基板上的光半导体元件(优选为多个光半导体元件)的光学构件的、配置有光半导体元件的基板面上贴合本发明的光半导体元件密封用片的露出面、即第一密封层面，在上述光学构件具备多个光半导体元件的情况下，进一步以辐射线第一密封层填充多个光半导体元件间的间隙的方式进行配置，将多个光半导体元件一并密封。如此操作，能够使用本发明的光半导体装置密封用片对光半导体元件进行密封。另外，也可以通过使用本发明的光半导体装置密封用片在减压环境下或者边加压边贴合，从而对光半导体元件进行密封。作为这种方法，例如可列举出日本特开2016-29689号公报、日本特开平6-97268中公开的方法。
[光半导体装置]
可以使用本发明的光半导体元件密封用片来制作光半导体装置。使用本发明的光半导体元件密封用片而制造的光半导体装置具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或该片固化而成的固化物。上述固化物在本发明的光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层的情况下，是上述辐射线固化性树脂层通过辐射线照射而固化得到的固化物。
作为上述光半导体元件，例如可列举出蓝色发光二极管、绿色发光二极管、红色发光二极管、紫外线发光二极管等发光二极管(LED)。
上述光半导体装置中，本发明的光半导体元件密封用片在将光半导体元件作为凸部、将多个光半导体元件间的间隙作为凹部时对凹凸的追随性优异，光半导体元件的追随性和填埋性优异，因此优选一次性对多个光半导体元件进行密封。
图2示出使用图1所示的光半导体元件密封用片1的光半导体装置的一个实施方式。图2所示的光半导体装置10具备：基板5、配置在基板5的一个面的多个光半导体元件6、以及用于对光半导体元件6进行密封的光半导体元件密封用片1。光半导体元件密封用片1是从图1所示的光半导体元件密封用片1剥离了剥离衬垫3而得到的。多个光半导体元件6一次性地被密封部密封。第一密封层21追随由多个光半导体元件6形成的凹凸形状而与光半导体元件6和基板5密合，将光半导体元件6填埋。
需要说明的是，在图2所示的光半导体装置10中，光半导体元件6被完全填埋在第一密封层21内而密封，且被第二密封层22和第三密封层23间接地密封。即，光半导体元件6被由第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23的层叠体形成的密封部2所密封。上述光半导体装置不限定于这种方式，也可以是如下方式：光半导体元件6的一部分从第一密封层21突出，该一部分被填埋在第二密封层22、或第二密封层22和第三密封层23内，利用第一密封层21和第二密封层22、或利用第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23将光半导体元件6完全填埋而密封。
上述光半导体装置可以为各个光半导体装置平铺而成的装置。即，上述光半导体装置可以是多个光半导体装置在平面方向上配置成瓷砖状而成的装置。
图3示出配置多个光半导体装置而制作的光半导体装置的一个实施方式。图3所示的光半导体装置20为多个光半导体装置10在纵向上为4个、在横向上为4个的共计16个在平面方向上配置(平铺)成瓷砖状而成的。在邻接的2个光半导体装置10间的边界20a，光半导体装置10彼此邻接。
上述光半导体装置优选为液晶画面的背光，特别优选为整面直下型的背光。另外，可以通过将上述背光与显示面板组合而制成图像显示装置。上述光半导体装置为液晶画面的背光时的光半导体元件为LED元件。例如，上述背光中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的各LED元件在显示面板的基板上隔着金属布线层交替排列。金属布线层由铜等金属形成，其反射各LED元件的发光而降低图像的辨识性。另外，RGB的各色的各LED元件发出的光会发生混色，对比度降低。
另外，上述光半导体装置优选为自发光型显示装置。另外，可以通过将上述自发光型显示装置与根据需要的显示面板组合而制成图像显示装置。上述光半导体装置为自发光型显示装置时的光半导体元件为LED元件。作为上述自发光型显示装置，可列举出有机电致发光(有机EL)显示装置、上述背光等。例如，在上述自发光型显示装置中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的各LED元件在基板上隔着金属布线层交替排列。金属布线层由铜等金属形成，其调整各LED元件的发光程度而显示各色。
本发明的光半导体元件密封用片能够用于可弯折使用的光半导体装置，例如具有可弯折的图像显示装置(柔性显示器)(特别是可折叠的图像显示装置(折叠式显示器))的光半导体装置。具体而言，能够用于可折叠的背光和可折叠的自发光型显示装置等。
本发明的光半导体元件密封用片的光半导体元件的追随性和填埋性优异，因此在上述光半导体装置为迷你LED显示装置的情况和为微型LED显示装置的情况下均可优选使用。
[光半导体装置的制造方法]
上述光半导体装置例如可通过至少具备切割工序的制造方法来制造，所述切割工序中，对层叠体进行切割而得到光半导体装置，所述层叠体具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或辐射线固化性树脂层固化而成的固化物。上述固化物是本发明的光半导体元件密封用片通过辐射线照射进行固化而成的固化物，具体而言，具备本发明的光半导体元件密封用片可具备的辐射线固化性树脂层通过辐射线照射进行固化而成的固化物。
上述制造方法可以进一步具备如下的辐射线照射工序：对层叠体照射辐射线而使上述辐射线固化性树脂层固化，得到上述固化物，所述层叠体具备：上述基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片。
上述制造方法可以在上述辐射线照射工序之前具备如下的密封工序：将上述光半导体元件密封用片贴合于设置在上述基板上的上述光半导体元件，利用上述密封部对上述光半导体元件进行密封。
另外，上述制造方法可以进一步具备如下的平铺工序：将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以在平面方向上接触的方式进行排列。以下，适当参考图2所示的光半导体装置10和图3所示的光半导体装置20的制造方法来进行说明。
(密封工序)
上述密封工序中，将本发明的光半导体元件密封用片贴合于配置有光半导体元件的基板，通过密封部对光半导体元件进行密封。上述密封工序中，具体而言，如图4所示，将剥离了剥离衬垫3的光半导体元件密封用片1的第一密封层21以与基板5的配置有光半导体元件6的面相对的方式进行配置，将光半导体元件密封用片1贴合于基板5的配置有光半导体元件6的面，如图5所示地将光半导体元件6填埋于密封部2。
光半导体元件密封用片1具备辐射线固化性树脂层时，如图4所示，贴合中使用的基板5与图2所示的光半导体装置10中的基板5相比在平面方向上更宽地延伸，在基板5的端部附近未配置光半导体元件6。另外，此时，贴合的光半导体元件密封用片1与贴合中使用的基板5相比在平面方向上更宽地延伸。即，在密封工序中所贴合的光半导体元件密封用片1的与基板5相对的面的面积大于在密封工序中所贴合的基板5的与光半导体元件密封用片1相对的面的面积。这是因为：在光半导体元件密封用片1和基板5的层叠体中，用于光半导体装置的区域在后续的辐射线照射工序中充分进行固化，光半导体元件密封用片1和基板5的有可能固化不充分的端部附近在后续的切割工序中会被切割而去除。
上述贴合时的温度例如为室温～110℃的范围内。另外，在上述贴合时可以进行减压或加压。通过减压、加压，能够抑制在密封部与基板或光半导体元件之间形成空隙。另外，在上述密封工序中，优选在减压下将光半导体元件密封用片贴合，然后进行加压。减压时的压力例如为1～100Pa，减压时间例如为5～600秒。另外，加压时的压力例如为0.05～0.5MPa，减压时间例如为5～600秒。
(辐射线照射工序)
上述辐射线照射工序中，对在配置有上述光半导体元件的上述基板上贴合上述光半导体元件密封用片而得到的层叠体(例如在上述密封工序中得到的层叠体)照射辐射线，从而使上述辐射线固化性树脂层固化。作为上述辐射线，如上所述，可列举出电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、X射线等。其中，优选为紫外线。辐射线照射时的温度例如为室温～100℃的范围内，照射时间例如为1分钟～1小时。
(切割工序)
上述切割工序中，对层叠体进行切割，所述层叠体具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或辐射线固化性树脂层固化而成的固化物。此处，上述层叠体具备上述固化物时，在供于切割工序的层叠体中，光半导体元件密封用片的固化物和基板5如上所述，与最终得到的光半导体装置10相比在平面方向上更宽地延伸。并且，上述切割工序中，切割光半导体元件密封用片的固化物和基板的侧端部并去除。具体而言，在图6所示的虚线的位置进行切割，将侧端部去除。上述切割可以通过公知惯用的方法来进行，例如可以通过使用切割刀片的方法、利用激光照射来进行。如此操作，能够制造例如图2所示的光半导体装置10。
(平铺工序)
上述平铺工序中，将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以在平面方向上接触的方式排列而平铺。如此操作，能够制造例如图3所示的光半导体装置20。
实施例
以下举出实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明不受这些实施例的任何限定。
制造例1
(非扩散功能层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为1.5质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的非扩散功能层1。
制造例2
(着色层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和9.2质量份的黑色颜料分散液(商品名“9050Black”、TOKUSHIKICO.,Ltd制)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的着色层1。
制造例3
(扩散功能层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和3质量份的氧化钛(商品名“Tipure R706”、杜邦公司制、折射率：约2.5、平均粒径：0.36μm)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的扩散功能层1。
制造例4
(扩散功能层2的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为1.5质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和3质量份的氧化钛(商品名“Tipure R706”、杜邦公司制、折射率：约2.5、平均粒径：0.36μm)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的扩散功能层2。
制造例5
(非扩散功能层2的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的非扩散功能层2。
制造例6
(扩散功能层3的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物83质量份中添加以固体成分换算计为1.2质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)、30质量份的有机硅树脂(商品名“Tospearl 145”、Momentive Performance Materials Japan制、折射率：1.42、平均粒径：4.5μm)、16质量份的丙烯酸3-苯氧基苄酯(商品名“LIGHT ACRYLATE POB-A”、共荣社化学株式会社制)和1质量份的商品名“Omnirad651”后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的扩散功能层3。
制造例7
(着色层2的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为1.2质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和9.2质量份的黑色颜料分散液(商品名“9050Black”、TOKUSHIKICO.,Ltd制)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的着色层2。
制造例8
(扩散功能层4的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物83质量份中添加以固体成分换算计为0.08质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)、30质量份的有机硅树脂(商品名“Tospearl 145”、Momentive Performance Materials Japan制、折射率：1.42、平均粒径：4.5μm)、16质量份的丙烯酸3-苯氧基苄酯(商品名“LIGHT ACRYLATE POB-A”、共荣社化学株式会社制)和1质量份的商品名“Omnirad651”后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的扩散功能层4。
制造例9
(具有紫外线固化性的非扩散功能层3的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)189.77质量份、丙烯酸环己酯(CHA)38.04质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)85.93质量份、作为聚合引发剂的2,2’-偶氮二异丁腈0.94质量份和作为聚合溶剂的甲乙酮379.31质量份投入在1L圆底可拆式烧瓶上装备有可拆式盖、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封件、搅拌棒和搅拌叶片的聚合用实验装置中，边搅拌边在常温下进行6小时的氮置换。然后，在流入氮气的条件下边搅拌边在65℃下保持4小时、然后在75℃下保持2小时进行聚合，得到树脂溶液。
接着，将得到的树脂溶液冷却至室温。然后，向上述树脂溶液中添加作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(MOI)(商品名“Karenz MOI”、昭和电工株式会社制)5.74质量份。进而，添加二月桂酸二丁基锡(IV)(富士胶片和光纯药株式会社制)0.03质量份，在空气气氛下以50℃搅拌24小时，得到基础聚合物。
相对于得到的基础聚合物的固体成分100质量份，混合异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)1.5质量份和2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)1质量份。使用甲苯作为稀释溶剂，调整为固体成分率20～40质量％，得到粘合剂溶液。
将上述粘合剂溶液以干燥后的厚度为50μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的处理面上，在常压下、以50℃加热干燥1分钟、并以125℃加热干燥5分钟而形成树脂层。然后，在树脂层表面贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。然后，在遮光下施加50℃、48小时的加热，制作具有紫外线固化性的、作为粘合层的非扩散功能层3。
实施例1
(光半导体元件密封用片的制作)
从制造例1得到的非扩散功能层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而使粘合面露出。将上述非扩散功能层1的露出面贴合于基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了易粘接处理、厚度75μm)的易粘接处理面，在基材薄膜上形成由非扩散功能层1形成的第三密封层。
接着，从第三密封层(非扩散功能层1)表面将剥离衬垫(商品名“MRA50”)剥离而使粘合面露出。在第三密封层的露出面贴合从制造例2得到的着色层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而露出的粘合面，在第三密封层上形成由着色层1形成的第二密封层。
接着，从第二密封层(着色层1)表面将剥离衬垫(商品名“MRA50”)剥离而使粘合面。在第二密封层的露出面贴合从制造例3得到的扩散功能层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而露出的粘合面，在第二密封层上形成由扩散功能层1形成的第一密封层。
然后，在室温(23℃)下，利用手动辊以不混入气泡的方式进行贴合，在遮光下放置两天。如此操作，得到由[剥离衬垫/扩散功能层1/着色层1/非扩散功能层1/基材薄膜]形成的光半导体元件密封用片。
实施例2～8、比较例1～2
(光半导体元件密封用片的制作)
作为第一密封层、第二密封层和第三密封层，形成表1或表2所示的层，除此以外与实施例1同样地得到光半导体元件密封用片。
比较例3
(着色层3的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATE D-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和2质量份的黑色颜料分散液(商品名“9050Black”、TOKUSHIKICO.,Ltd制)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的着色层3(厚度：150μm)。
(光半导体元件密封用片的制作)
从上述着色层3将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而使粘合面露出。将上述着色层3的露出面贴合于基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了易粘接处理、厚度75μm)的易粘接处理面，在基材薄膜上形成由着色层3形成的密封层。
然后，在室温(23℃)下，利用手动辊以不混入气泡的方式进行贴合，在遮光下放置两天。如此操作，得到由[剥离衬垫/着色层3/基材薄膜]形成的光半导体元件密封用片。
比较例4
(非扩散功能层4的制作)
将制造例5制作的上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的非扩散功能层4(厚度：150μm)。
(光半导体元件密封用片的制作)
从上述非扩散功能层4将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而使粘合面露出。将上述非扩散功能层4的露出面贴合于基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了易粘接处理、厚度75μm)的易粘接处理面，在基材薄膜上形成由非扩散功能层4形成的密封层。
然后，在室温(23℃)下，利用手动辊以不混入气泡的方式进行贴合，在遮光下放置两天。如此操作，得到由[剥离衬垫/非扩散功能层4/基材薄膜]形成的光半导体元件密封用片。
比较例5
(扩散功能层5的制作)
将制造例3制作的上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的扩散功能层5(厚度：150μm)。
(光半导体元件密封用片的制作)
从上述扩散功能层5将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而使粘合面露出。将上述扩散功能层5的露出面贴合于基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了易粘接处理、厚度75μm)的易粘接处理面，在基材薄膜上形成由扩散功能层5形成的密封层。
然后，在室温(23℃)下，利用手动辊以不混入气泡的方式进行贴合，在遮光下放置两天。如此操作，得到由[剥离衬垫/扩散功能层5/基材薄膜]形成的光半导体元件密封用片。
比较例6
(光半导体元件密封用片的制作)
作为第一密封层、第二密封层和第三密封层，形成表2所示的层，除此以外与实施例1同样地得到光半导体元件密封用片。
<评价>
针对实施例和比较例得到的光半导体元件密封用片进行以下评价。将结果示于表中。
(1)总透光率(各层)
从实施例和比较例使用的各粘合层(被2张剥离衬垫夹持的形态)剥离单侧的剥离衬垫，将露出的各粘合层表面贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制)。然后，剥去另一侧的剥离衬垫，制作具有[玻璃板/粘合层]的层构成的测定样品。针对上述测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率。从粘合层侧入射测定光来进行测定。
(2)雾度值(各层)
针对为了测定上述(1)总透光率而制作的测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率和扩散透过率。然后，通过“扩散透过率/总透光率×100”的数学式求出测定样品的雾度值，作为初始雾度值。
(3)总透光率(光半导体元件密封用片)
从实施例和比较例的光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离，将露出的粘合层面贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制)而制作测定样品。针对上述测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率。从基材薄膜侧入射测定光来进行测定。关于实施例8，将在测定前从基材薄膜侧按照下述条件照射紫外线而使粘合层固化的片作为测定样品。
<紫外线照射条件>
紫外线照射装置：商品名“UM810”、日东精机株式会社制
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测定设备：商品名“紫外线照度计UT-101”、USHIO电机株式会社制)
照射时间：6秒
累积光量：300mJ/cm2
(4)雾度值(光半导体元件密封用片)
针对为了测定上述总透光率而制作的测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率和扩散透过率。然后，通过“扩散透过率/总透光率×100”的数学式求出测定样品的雾度值，作为雾度值。从基材薄膜侧(第一面侧)入射测定光来进行测定。
(5)L*(1)(粘贴于无凹凸的被粘物)
将剥掉实施例和比较例得到的半导体元件密封用片的剥离衬垫后的面利用手动辊不混入气泡地贴合于三菱铝株式会社制的铝箔(宽度30cm×长度50m×厚度12μm)的内卷的面上，制作测定样品。贴合后，在25℃下、遮光下放置30分钟。然后，切出以大于5.0cm×5.0cm的尺寸贴合的物体。然后，以光半导体元件密封用片的基材薄膜面向外的方式将测定样品静置于平坦的面上。然后，从基材薄膜面侧利用分光测色计(商品名“CM-26dG”、KonicaMinolta,Inc.制)进行L*(SCI)(1)和L*(SCE)(1)的测定。需要说明的是，以测色计的测定区域来到测定样品的中央的方式进行设置，按照下述条件进行测定。另外，在利用上述分光测色计进行测定前，按照制造商手册实施零点校正、白色校正、GROSS校正。需要说明的是，仅利用铝箔(内卷面)进行测定时，L*(SCI)为95.88、L*(SCE)为88.32。关于实施例8，将在测定前从基材薄膜侧按照上述(3)总透光率中记载的条件照射紫外线而使粘合层固化的片作为测定样品。
<L*测定条件>
测定方法：色和光泽
几何：di：8°、de：8°
规则反射光处理：SCI+SCE
观察光源：D65
观察条件：10°视野
测定直径：MAV(8mm)
UV条件：100％Full
自动平均测定：3次
零点校正步骤：有效
(6)L*(2)(粘贴于有凹凸的被粘物)
<有凹凸的被粘物的准备>
(硅晶圆的准备)
在8英寸尺寸的硅镜面晶圆的单面贴合背面研磨带(商品名“ELP UB-3083D”、日东电工株式会社制)，对晶圆背面侧进行背面研磨。背面研磨使用磨削装置(商品名“DFG-8560”、株式会社Disco制)，以背面研磨后的晶圆的厚度为40μm的方式实施。
(芯片贴装薄膜的制作)
相对于丙烯酸系树脂(商品名“SG-70L”、Nagase ChemteX Corporation制)100质量份，将环氧树脂(商品名“HP-400”、DIC株式会社制)79质量份、酚醛树脂(商品名“H-4”、明和化学工业株式会社制)93质量份、球状二氧化硅(商品名“SO-25R”、株式会社Admatechs制)189质量份和固化催化剂(商品名“2PHZ”、四国化成工业株式会社制)0.6质量份溶解于甲乙酮，制备固体成分浓度为20质量％的粘接剂组合物溶液。然后，将上述粘接剂组合物溶液涂布于剥离衬垫(商品名“MRF30”、三菱化学公司制)，通过在150℃下加热2分钟而使溶剂挥发并固化，制作厚度10μm的芯片贴装薄膜。
(芯片贴装薄膜与40μm厚晶圆的贴合)
在40℃加温下，使用手动辊将芯片贴装薄膜贴合于40μm厚晶圆的单侧整面。
(芯片贴装薄膜与铝箔的贴合)
从芯片贴装薄膜将剥离衬垫剥离，在40℃加温下使用手动辊在将铝箔的外卷面整面粘贴于该面。然后，用烘箱以150℃加热1小时，使芯片贴装薄膜固化。回到室温，沿着晶圆形状，使用切割刀对铝箔和芯片贴装薄膜进行切割。
(切割)
将[晶圆/芯片贴装薄膜/铝箔]的铝箔面贴合于切割片(商品名“ELP DU-2187G”、日东电工株式会社制)。接着，在切割片的未搭载晶圆的区域，利用手动辊粘贴8英寸晶圆用的切割环。然后，使用切割装置(商品名“DFD-6450”、株式会社Disco制)，将晶圆切割成20mm×20mm的尺寸，得到带[铝箔/芯片贴装薄膜]的硅芯片(20mm×20mm)。从切割片的基材面按照下述条件进行紫外线照射，取出硅芯片。
<紫外线照射条件>
紫外线照射装置：商品名“UM810”、日东精机株式会社制
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测定设备：商品名“紫外线照度计UT-101”、USHIO电机株式会社制)
照射时间：6秒
累积光量：300mJ/cm2
<光半导体元件密封用片的贴合>
准备8英寸的未磨削的Si镜面晶圆。在其上以铝箔面向上的方式设置硅芯片，对于剥离实施例和比较例得到的光半导体元件密封用片的剥离衬垫后的面，使用粘贴装置，按照下述条件进行粘贴。以利用光半导体元件密封用片被覆硅芯片的方式进行粘贴。
装置：商品名“DR-3000III”、日东精机株式会社制
台加温温度：80℃
台类型：8英寸台(FOR700)
粘贴压力：0.5MPa(压力100％)
粘贴速度：2mm/sec
<粘贴于有凹凸的被粘物时的L*值测定方法>
以光半导体元件密封用片的基材薄膜面向外的方式，将载置有带[铝箔/芯片贴装薄膜]的硅芯片的层叠体的8英寸镜面晶圆静置于平坦的面上。在上述镜面晶圆上装载带[铝箔/芯片贴装薄膜]的硅芯片(长度20mm×宽度20mm×厚度62μm)。
使分光测色计(商品名“CM-26dG”、Konica Minolta,Inc.制)的测定部整面设置在粘贴于存在铝箔的部分的光半导体元件密封用片的基材薄膜面，进行L*(SCI)(2)和L*(SCE)(2)的测定。L*(SCI)(2)和L*(SCE)(2)的测定条件设为与L*(SCI)(1)和L*(SCE)(1)相同。需要说明的是，在利用上述分光测色计进行测定前，按照制造商手册实施零点校正、白色校正、GROSS校正。关于实施例8，将在测定前从基材薄膜侧按照上述(3)总透光率中记载的条件照射紫外线而使粘合层固化的片作为测定样品。
(7)光扩散效果确认试验
将实施例和比较例得到的光半导体元件密封用片的剥离衬垫剥离，使用手动辊以不混入气泡的方式贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制、76mm×52mm×1.0～1.2mm)。贴合后，在25℃、遮光下放置30分钟。所粘贴的光半导体元件密封用片的尺寸适当地切成与玻璃板同样的尺寸，制作测定样品。在屏幕的上部以高度为2.4cm的方式设置LED灯(商品名“LK-3PG”、EK JAPAN CO.,LTD.制)。使得到的测定样品的玻璃板侧与LED灯密合。在LED灯上连接电池盒(商品名“AP-180”、EK JAPANCO.,LTD.制)而使LED灯点亮，测定屏幕上映出的圆状的映像的直径。在没有光半导体元件密封用片而仅对玻璃板进行测定时，屏幕上映出的光的直径为4.0cm。隔着光半导体元件密封用片测定时，光径为5.0cm以上时，判断为有光扩散效果。
(8)判定
基于上述评价(5)～(7)的结果，作为L*(SCI)、L*(SCE)和光扩散效果，基于以下的基准进行。并且，作为综合判定，将L*(SCI)、L*(SCE)、和光扩散效果中全部为○的情况记为○，即使只有1个×的情况也记为×。
L*(SCI)：将L*(SCI)(1)和L*(SCI)(2)均为60以下的情况记为○、超过60的情况记为×。
L*(SCE)：将L*(SCE)(1)和L*(SCE)(2)均为60以下的情况记为○、超过60的情况记为×。
光扩散效果：将5.0cm以上的情况记为○、低于5.0cm的情况记为×。
[表1]
[表2]
如表1所示，本发明的光半导体元件密封用片(实施例)的L*(SCI)和L*(SCE)对于无凹凸的被粘物和有凹凸的被粘物而言均为60以下，因此评价为对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异。另外，由于光扩散效果为5.0cm以上，因此评价为不易引起亮度不均。
另一方面，如表2所示，着色层处于与光半导体元件接触的第一密封层时，有凹凸的被粘物的L*(SCI)和L*(SCE)均超过60，因此判断为外观性差(比较例1，2)。密封部由着色层单层构成时，对于L*(SCI)和L*(SCE)，由于光扩散效果低于5.0cm，因此判断为亮度不均的抑制效果不充分(比较例3)。密封部由非扩散功能层单层构成时，对于无凹凸的被粘物和有凹凸的被粘物而言均超过60，进而光扩散效果低于5.0cm，因此判断为外观性差、亮度不均的抑制效果不充分(比较例4)。密封部由扩散功能层单层构成时，L*(SCI)和L*(SCE)均超过60，因此判断为外观性差(比较例5)。不具有扩散功能层时，光扩散效果低于5.0cm，因此判断为亮度不均的抑制效果不充分(比较例6)。

Claims (10)

1.一种光半导体元件密封用片，其用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，
所述片具备：与所述光半导体元件接触的具有粘合性和/或粘接性的第一密封层；层叠于所述第一密封层的第二密封层；以及层叠于所述第二密封层的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层，
所述第二密封层或所述第三密封层包含着色剂，
所述第一密封层为扩散功能层，其为由树脂构成的树脂层，
所述第一密封层、所述第二密封层和所述第三密封层的层叠结构以[第一密封层/第二密封层/第三密封层]计为[扩散功能层/着色层/非扩散功能层]、[扩散功能层/着色层/扩散功能层]、或者[扩散功能层/非扩散功能层/着色层]，
在配置有所述光半导体元件的所述基板上贴合所述第一密封层而对光半导体元件进行密封。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片，其中，所述第三密封层为扩散功能层。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述扩散功能层包含光扩散性微粒。
4.根据权利要求3所述的光半导体元件密封用片，其中，所述光扩散性微粒由有机硅树脂和/或金属氧化物构成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光半导体元件密封用片，其中，分别如下述所定义的L*(SCI)(2)相对于L*(SCI)(1)的比[L*(SCI)(2)/L*(SCI)(1)]和/或L*(SCE)(2)相对于L*(SCE)(1)的比[L*(SCE)(2)/L*(SCE)(1)]为1.2以下，
L*(SCI)(1)：在将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测得的L*(SCI)；
L*(SCI)(2)：在如下状态下从第三密封层侧测得的L*(SCI)：将表面具备铝箔的长度20mm×宽度20mm×厚度62μm的凸样品载置于比该凸样品尺寸大的基板上，以光半导体元件密封用片覆盖该凸样品的方式将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于所述基板和所述凸样品；
L*(SCE)(1)：在将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于铝箔的状态下从第三密封层侧测得的L*(SCE)；
L*(SCE)(2)：在如下状态下从第三密封层侧测得的L*(SCE)：将表面具备铝箔的长度20mm×宽度20mm×厚度62μm的凸样品载置于比该凸样品尺寸大的基板上，以光半导体元件密封用片覆盖该凸样品的方式将光半导体元件密封用片的第一密封层贴合于所述基板和所述凸样品。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光半导体元件密封用片，其中，所述第一密封层为非辐射线固化性树脂层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件密封用片，其中，所述第二密封层和/或所述第三密封层为辐射线固化性树脂层。
8.一种光半导体装置，其具备：基板；配置在所述基板上的光半导体元件；以及对所述光半导体元件进行密封的权利要求1～7中任一项所述的光半导体元件密封用片。
9.根据权利要求8所述的光半导体装置，其为自发光型显示装置。
10.一种图像显示装置，其具备权利要求9所述的自发光型显示装置。
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