CN114958225A - 光半导体元件密封用片和光半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，密封部(3)具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和层叠在辐射线非固化性粘合剂层(32)上的辐射线固化性树脂层(31)。辐射线非固化性粘合剂层(32)在将光半导体元件(6)密封时位于光半导体元件(6)侧的表面。

Description

光半导体元件密封用片和光半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及光半导体元件密封用片。更具体而言，涉及用于将配置在基板上的1个以上的光半导体元件密封的片。另外，本发明涉及光半导体装置的制造方法。
背景技术
例如，已知液晶显示装置中使用的背光具有下述结构：在基板上配置有多个LED，且上述多个LED被密封树脂密封。作为使用上述密封树脂将上述多个LED一并密封的方法，已知下述方法：向配置有多个LED的区域内流入液体树脂而填埋上述多个LED后，通过热、紫外线照射而使液体树脂固化(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-66390号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，使用液体树脂对LED等光半导体元件进行密封的方法中存在下述问题：在涂布液体树脂时发生液体滴落，液体树脂附着于未预期的区域等，处理性差。
对此，可以认为：通过呈现具备用于将光半导体元件密封的密封层的密封用片的形式而不使用液体树脂，从而容易以简易的工序且在短时间内将光半导体元件密封。此处重要的是：上述密封用片的光半导体元件密封性优异，为了将光半导体元件充分密封，其对于光半导体元件、具备光半导体元件的基板的密合性优异。
然而，随着4K、8K等高画质化，更大画面的图像显示装置的需求正在增加。另外，大画面的图像显示装置在室外、公共设施等的广告显示、公告栏等标识中的利用也在推进。然而，若制造大画面的图像显示装置，则产生成品率降低、制造成本上升的问题。为了以更低的成本制造大画面图像显示装置，研究了将多个图像显示装置等光半导体装置排列成瓷砖状的平铺显示器(Tiling display)。将多个光半导体装置排列成瓷砖状、即进行平铺时，在邻接配置的光半导体装置彼此发生错位等的情况、需要重新排列的情况下，进行位置修正。
此处，在对光半导体元件被密封用片密封这一状态的光半导体装置进行平铺的情况下，为了在平铺时进行位置修正，需要使邻接的光半导体装置暂时分离。然而，在分离时有时发生下述不良情况：一个光半导体装置中的密封用片与邻接的另一个光半导体装置中的密封用片密合而相互拉扯，一个光半导体装置中的密封用片产生缺损，一个密封用片的一部分转印并附着于另一个光半导体装置。对于光半导体元件、基板的密合性优异的密封用片特别容易发生这种不良情况。
本发明是基于这种情况而想出的，其目的在于，提供光半导体元件的密封性优异、并且使邻接的光半导体装置彼此分离时不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着的光半导体元件密封用片。
用于解决问题的方案
本发明人等为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现：根据具备具有辐射线非固化性粘合剂层和辐射线固化性树脂层的密封部、且使辐射线非固化性粘合剂层位于密封部的光半导体元件侧表面的光半导体元件密封用片，从而光半导体元件的密封性优异，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。本发明是基于这些见解而完成的。
即，本发明提供一种光半导体元件密封用片，其是用于将配置在基板上的1个以上的光半导体元件密封的片，
所述光半导体元件密封用片具备基材部和密封部，所述密封部用于将设置在上述基材部的一个面的上述光半导体元件密封，
上述密封部具有：在将光半导体元件密封时位于光半导体元件侧的表面的辐射线非固化性粘合剂层、以及层叠于上述辐射线非固化性粘合剂层的辐射线固化性树脂层。
如上所述，上述光半导体元件密封用片具备层叠有辐射线非固化性粘合剂层和辐射线固化性树脂层的密封部。上述密封部在上述光半导体元件密封用片中为将光半导体元件密封的区域。并且，辐射线非固化性粘合剂层在将光半导体元件密封时位于成为光半导体元件侧的密封部表面。通过使上述辐射线非固化性粘合剂层位于上述表面，从而在上述光半导体元件密封用片将光半导体元件密封时，上述辐射线非固化性粘合剂层对于光半导体元件和基板的密合性优异，光半导体元件的密封性优异。并且，在密封后通过辐射线照射而使上述辐射线固化性树脂层进行固化，密封用片侧面的密合性降低。由此，在平铺状态下邻接的光半导体装置中的密封部彼此的密合性低，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，上述基材部成为上述密封部的支承体，通过具备上述基材部而使上述光半导体元件密封用片的处理性优异。另外，在利用光半导体元件密封用片将光半导体元件密封而制作光半导体装置后进行切割时，能够进一步抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。
上述辐射线固化性树脂层优选比上述辐射线非固化性粘合剂层厚。通过具有这种构成，从而与在平铺状态下邻接的光半导体装置中的辐射线非固化性粘合剂层彼此的高密合性相比，邻接的光半导体装置中的辐射线固化性树脂层的固化后的低密合性成为主导，因此，密封部彼此的密合性更低，使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，在利用光半导体元件密封用片将光半导体元件密封而制作光半导体装置后进行切割时，能够进一步抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。
上述密封部可以包含含有着色剂的层。通过具有这种构成，从而在将上述光半导体装置平铺并应用于显示器时，能够在使用光半导体装置时抑制各光半导体元件发出的光的混色，能够调整不使用光半导体装置时的显示器的外观。
上述光半导体元件密封用片优选具备具有防眩光性和/或防反射性的层。通过具有这种构成，从而在将上述光半导体装置平铺并应用于显示器时，能够抑制显示器的光泽、光的反射，能够改善显示器的外观。
上述光半导体元件密封用片优选具备以聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分的层。通过具有这种构成，从而上述光半导体元件密封用片的耐热性优异，能够抑制高温环境下的光半导体元件密封用片的热膨胀，尺寸稳定性提高。另外，能够赋予作为片的刚性，因此，处理性、保持性提高。
上述辐射线固化性树脂层的固化后截面处的、温度23℃下的基于纳米压痕法的硬度优选为1.4MPa以上。通过具有这种构成，从而上述辐射线固化性树脂层在固化后具有适度的硬度，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
另外，本发明提供一种光半导体装置，其具备：基板；配置在上述基板上的光半导体元件；以及，将上述光半导体元件密封的上述光半导体元件密封用片的上述辐射线固化性树脂层发生固化而得到的固化物。这种光半导体装置在上述辐射线固化性树脂的固化后，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，在切割时能够抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。
上述光半导体装置可以为液晶画面的背光。另外，上述光半导体装置可以为自发光型显示装置。上述光半导体装置在应用于具有显示器的光半导体装置时，外观良好，因此，可优选地用作液晶画面的背光、自发光型显示装置。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述背光和显示面板。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述自发光型显示装置。
另外，本发明提供一种光半导体装置的制造方法，其具备对层叠体进行切割而得到光半导体装置的切割工序，所述层叠体具备：基板；光半导体元件，其配置在上述基板上；以及固化物，其是将上述光半导体元件密封的、上述光半导体元件密封用片的上述辐射线固化性树脂层发生固化而得到的。
对辐射线固化性树脂层进行辐射线照射而固化时，在存在氧的侧面处，固化受到阻碍，固化容易变得不充分。与此相对，根据具备上述切割工序的上述制造方法，针对具备光半导体元件密封用片的固化物且该固化物包含通过辐射线照射使上述辐射线固化性树脂层固化而得的固化密封层的层叠体，通过在上述切割工序中切掉而去除固化不充分的侧端部，从而能够得到在侧面露出充分固化而密合性降低的区域的光半导体装置。如此操作而制造的光半导体装置在固化后的辐射线固化性树脂层侧面的密合性充分降低，因此，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述制造方法可以进一步具备下述辐射线照射工序：对层叠体照射辐射线而使上述辐射线固化性树脂层固化，得到上述固化物，所述层叠体具备：上述基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及将上述光半导体元件密封的上述光半导体元件密封用片。
上述制造方法可以具备密封工序，并在其后进行上述辐射线照射工序，所述密封工序中，使上述光半导体元件密封用片贴合至设置在上述基板上的上述光半导体元件，将上述光半导体元件利用上述密封部进行密封。
上述制造方法可以进一步具备下述平铺工序：将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以沿着平面方向接触的方式进行排列。
发明的效果
根据本发明的光半导体元件密封用片，光半导体元件的密封性优异，并且，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。因此，在光半导体装置的平铺后，在邻接的光半导体装置彼此发生错位等的情况、需要重新排列的情况下，没有不良情况，能够容易地进行位置修正，能够减轻光半导体装置的损失，另外，可以经济上优异且制造外观良好的显示器。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所述的光半导体元件密封用片的剖视图。
图2是使用了本发明的一个实施方式所述的光半导体元件密封用片的光半导体装置的剖视图。
图3是示出图2所示的光半导体装置平铺而制作的光半导体装置的一个实施方式的外观图。
图4示出表示光半导体装置的制造方法的一个实施方式中的密封工序的情况的剖视图。
图5示出表示图4所示的密封工序后得到的层叠体的剖视图。
图6示出表示对图5所示的层叠体实施辐射线照射工序而得到的层叠体的剖视图。
图7示出表示图6所示的层叠体的切割工序中的切割位置的剖视图。
附图标记说明
1 光半导体元件密封用片
1’ 光半导体元件密封用片的固化物
2 基材部
21 光学薄膜
22 粘合剂层
23 塑料薄膜
3 密封部
31 辐射线固化性树脂层
31’ 固化密封层
32 辐射线非固化性粘合剂层
4 剥离衬垫
5 基板
6 光半导体装置
10、20 光半导体装置
具体实施方式
[光半导体元件密封用片]
本发明的光半导体元件密封用片至少具备基材部和密封部，所述密封部用于将设置在上述基材部的一个面的光半导体元件密封。需要说明的是，本说明书中，光半导体元件密封用片是指用于将配置在基板上的1个以上的光半导体元件密封的片。另外，本说明书中，“将光半导体元件密封”是指将光半导体元件的至少一部分埋入至密封部内。
本发明的光半导体元件密封用片中，除了具备上述基材部和上述密封部之外，还可以具备剥离衬垫。该情况下，上述剥离衬垫贴合在上述密封部的与上述基材部相反一侧的表面。剥离衬垫被用作上述密封部的保护材料，在将光半导体元件密封时被剥掉。需要说明的是，未必一定要设置剥离衬垫。
另外，本发明的光半导体元件密封用片可以在上述基材部表面(与上述密封部相反一侧的表面)具备表面保护薄膜。作为上述基材部，例如使用后述光学薄膜时，能够保护光学薄膜直至其使用时为止。需要说明的是，未必一定要设置表面保护薄膜。
以下，针对本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式进行说明。图1是示出本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式的剖视图。如图1所示那样，光半导体元件密封用片1可以用于将配置在基板上的1个以上的光半导体元件密封，其具备基材部2、密封部3和剥离衬垫4。密封部3设置在基材部2的一个面上。剥离衬垫4贴附在密封部3的表面(与具有基材部2的一侧相反一侧的表面)。换言之，光半导体元件密封用片1依次具备基材部2、密封部3和剥离衬垫4。
上述光半导体元件密封用片优选具备具有防眩光性和/或防反射性的层。通过具有这种构成，从而在将上述光半导体装置平铺并应用于显示器时，能够抑制显示器的光泽、光的反射，能够改善显示器的外观。作为上述具有防眩光性的层，可列举出防眩光处理层。作为上述具有防反射性的层，可列举出防反射处理层。防眩光处理和防反射处理可分别利用公知和/或惯用的方法来实施。上述具有防眩光性的层和上述具有防反射性的层可以为同一层，也可以为互不相同的层。上述具有防眩光性和/或防反射性的层可以仅具有一层，也可以具有两层以上。
上述具有防眩光性和/或防反射性的层可以为上述基材部中包含的层、上述密封部中包含的层、或者上述基材部和上述密封部中不含的其它层中的任一者，优选为上述基材部和/或上述密封部中包含的层，更优选为上述基材部中包含的层。
上述光半导体元件密封用片优选具备以聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分(构成树脂之中的质量比例最高的成分)的层。通过具有这种构成，从而上述光半导体元件密封用片的耐热性优异，能够在高温环境下抑制光半导体元件密封用片的热膨胀，尺寸稳定性提高。另外，能够赋予作为片的刚性，因此，处理性、保持性提高。以上述聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分的层可以仅具有一层，也可以具有两层以上。
以上述聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分的层可以是上述基材部中包含的层、上述密封部中包含的层、或者上述基材部和上述密封部中不含的其它层中的任一者，优选为上述基材部和/或上述密封部中包含的层，更优选为上述基材部中包含的层。
(密封部)
上述密封部具有：具有因辐射线照射而固化这一性质的树脂层(辐射线固化性树脂层)、以及不具有因辐射线照射而固化这一性质的粘合剂层(辐射线非固化性粘合剂层)。并且，上述辐射线非固化性粘合剂层在将光半导体元件密封时位于成为光半导体元件侧的密封部表面。具体而言，上述辐射线非固化性粘合剂层位于在将光半导体元件密封时成为光半导体元件侧的光半导体元件密封用片表面(具备剥离衬垫时是将剥离衬垫去除的片表面)。例如，在图1所示的光半导体元件密封用片1中，密封部3由辐射线固化性树脂层31和辐射线非固化性粘合剂层32构成。辐射线非固化性粘合剂层32将剥离衬垫4去除而位于光半导体元件密封用片1的与基材部2相反一侧的表面。
通过使上述辐射线非固化性粘合剂层位于上述表面，从而在上述光半导体元件密封用片将光半导体元件密封时，上述辐射线非固化性粘合剂层对于光半导体元件和基板的密合性优异，光半导体元件的密封性优异。并且，在密封后通过辐射线照射而使上述辐射线固化性树脂层固化，密封用片侧面的密合性降低。由此，在平铺状态下邻接的光半导体装置中的密封部彼此的密合性低，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，上述基材部成为上述密封部的支承体，通过具备上述基材部而使上述光半导体元件密封用片的处理性优异。另外，在利用光半导体元件密封用片将光半导体元件密封而制作光半导体装置后进行切割时，能够进一步抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。
在上述密封部中，上述辐射线非固化性粘合剂层与上述辐射线固化性树脂层进行了层叠。上述辐射线非固化性粘合剂层与上述辐射线固化性树脂层可以不借助其它层而直接层叠，也可以借助其它层进行层叠。上述辐射线非固化性粘合剂层和上述辐射线固化性树脂层可分别为单层，也可以为相同或组成、厚度等不同的多层。上述密封部具有多个上述辐射线非固化性粘合剂层和上述辐射线固化性树脂层中的至少一者时，存在的多个层可以连续层叠，也可以隔着其它层进行层叠。需要说明的是，具有多个上述辐射线非固化性粘合剂层时，只要在光半导体元件密封用片的与基材部相反一侧的表面具有1层即可，其它辐射线非固化性粘合剂层的位置没有特别限定。
上述辐射线固化性树脂层的厚度(总厚度)相对于上述辐射线非固化性粘合剂层的厚度(总厚度)之比[辐射线固化性树脂层的厚度/辐射线非固化性粘合剂层的厚度]优选为0.1个以上、更优选为0.8以上、进一步优选超过1.0、特别优选为4以上。若上述比例为0.1个以上，则使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，上述比例优选为200以下、更优选为150以下。
上述辐射线固化性树脂层优选比上述辐射线非固化性粘合剂层厚。通过具有这种构成，从而与在平铺状态下邻接的光半导体装置中的辐射线非固化性粘合剂层彼此的高密合性相比，邻接的光半导体装置中的辐射线固化性树脂层的固化后的低密合性占据优势，因此，密封部彼此的密合性更低，使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，在利用光半导体元件密封用片将光半导体元件密封而制作光半导体装置后进行切割时，能够进一步抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。需要说明的是，具有多个上述辐射线固化性树脂层、上述辐射线非固化性粘合剂层时，上述厚度为多层的合计厚度(总厚度)。
位于上述光半导体元件密封用片的表面(即上述密封部的表面)的辐射线非固化性粘合剂层的厚度优选为1μm以上、更优选为4μm以上、进一步优选为15μm以上。若上述厚度为1μm以上，则光半导体元件密封用片对于光半导体元件、基板而言的密合性更优异。上述厚度优选为500μm以下、更优选为300μm以下、进一步优选为200μm以下。若上述厚度为500μm以下，则使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另外，在切割光半导体装置时，能够进一步抑制切割部分的粘着，能够制作外观良好的光半导体装置。
上述辐射线固化性树脂层的厚度(总厚度)优选为20～800μm、更优选为30～700μm、进一步优选为50～600μm。若上述厚度为20μm以上，则使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。若上述厚度为800μm以下，则能够减薄密封部的厚度，能够进一步减薄光半导体装置。
上述光半导体元件密封用片优选具备1层的厚度在构成上述密封部的全部层中为最厚的辐射线固化性树脂层。需要说明的是，将直接层叠相同组成的多个层而得的层视为1个层。另外，具有2个以上的最厚层时，任意层均相当于最厚层。
上述辐射线固化性树脂层的厚度(总厚度)相对于光半导体元件密封用片的总厚度(其中不包括剥离衬垫和表面保护薄膜)100％的比例优选为5～90％、更优选为10～85％、进一步优选为40～80％。若上述比例为5％以上，则使邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。若上述厚度为90％以下，则能够减薄密封部的厚度，能够进一步减薄光半导体装置。
上述辐射线固化性树脂层在固化后在层截面处、温度23℃下的基于纳米压痕法的硬度优选为1.4MPa以上、更优选为11.0MPa以上、进一步优选为63.0MPa以上。上述基于纳米压痕法的硬度如下求出：在负载时和去载时连续测定将压头压入对象表面时对于压头而言的负载载荷和压痕深度，并由所得负载载荷-压痕深度曲线来求出。若上述硬度为1.4MPa以上，则上述辐射线固化性树脂层在固化后具有适度的硬度，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，更不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述辐射线固化性树脂层具有辐射线固化性。作为上述辐射线，可列举出例如电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线等。
上述辐射线固化性树脂层可列举出例如含有基础聚合物和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、低聚物成分的层；包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物作为基础聚合物的层等。
作为构成上述辐射线固化性树脂层的树脂，可列举出公知和/或惯用的具有辐射线固化性的树脂，可列举出例如丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯丙烯酸酯系树脂、环氧系树脂、环氧丙烯酸酯系树脂、氧杂环丁烷系树脂、有机硅树脂、有机硅丙烯酸系树脂、聚酯系树脂等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述辐射线固化性树脂层优选为具有粘合性的树脂层、即辐射线固化性粘合剂层。通过具有这种构成，从而在将光半导体元件密封时能够容易地填埋光半导体元件，另外，在辐射线固化前，基材部与位于光半导体元件侧表面的辐射线非固化性粘合剂层的密合性优异，光半导体元件的密封性更优异。
作为形成上述辐射线非固化性粘合剂层的粘合剂，可以使用不具有辐射线固化性、即不含具有辐射线固化性的化合物的公知和/或惯用的压敏型粘合剂。其中，可以包含少量具有从所层叠的其它层转移并侵入的不可避免的辐射线固化性的化合物。作为上述粘合剂，可列举出例如丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂(天然橡胶系、合成橡胶系、它们的混合体系等)、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、聚醚系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氟系粘合剂等。上述粘合剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述密封部可以具有除上述辐射线固化性树脂层和上述辐射线非固化性粘合剂层之外的其它层。其中，上述辐射线固化性树脂层和上述辐射线非固化性粘合剂层的合计厚度相对于上述密封部的厚度100％的比例优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为96％以上。
上述密封部可以包含含有着色剂的层。通过具有这种构成，从而在将上述光半导体装置平铺并应用于显示器时，能够在使用光半导体装置时抑制各光半导体元件所发出的光的混色，能够在不使用光半导体装置时调整显示器的外观。上述包含着色剂的层可以仅具有一层，也可以具有两层以上。
上述包含着色剂的层可以为上述辐射线固化性树脂层、上述辐射线非固化性粘合剂层和除它们之外的其它层，优选上述辐射线固化性树脂层和/或上述辐射线非固化性粘合剂层为包含着色剂的层，更优选上述辐射线非固化性粘合剂层为包含着色剂的层。
作为上述着色剂，优选为黑系着色剂。作为上述黑系着色剂，可以使用公知和/或惯用的用于呈现黑色的着色剂(颜料、染料等)，可列举出例如炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热炭黑、灯黑、墨锭等)、石墨、氧化铜、二氧化锰、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(非磁性铁素体、磁性铁素体等)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、蒽醌系着色剂、氮化锆等。黑系着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。另外，还可以使用将呈现除黑色之外的颜色的着色剂组合配混而作为黑系着色剂发挥功能的着色剂。
(基材部)
上述基材部成为上述密封部的支承体，因具备上述基材部而使上述光半导体元件密封用片的处理性优异。上述基材部可以为单层，也可以为相同或组成、厚度等不同的多层。上述基材部为多层时，各层可借助粘合剂层等其它层进行贴合。需要说明的是，基材部中使用的基材层是在使用光半导体元件密封用片将光半导体元件密封时与密封部一同被贴附于具备光半导体元件的基板的部分，在使用光半导体元件密封用片时(贴附时)被剥离的剥离衬垫、只不过用于保护基材部表面的表面保护薄膜不包括在“基材部”中。
作为构成上述基材部的基材层，可列举出例如玻璃、塑料基材(尤其是塑料薄膜)等。作为构成上述塑料基材的树脂，可列举出例如低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、环状烯烃系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺系树脂；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳族聚酰胺、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙酸纤维素(TAC)等纤维素树脂；有机硅树脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系树脂；聚砜；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述基材层可以为防反射(AR)薄膜、偏光板、相位差板等各种光学薄膜。上述基材部具有光学薄膜时，上述光半导体元件密封用片可直接应用于光学部件。
上述塑料薄膜优选包含聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分(构成树脂之中质量比例最高的成分)。通过具有这种构成，从而上述光半导体元件密封用片的耐热性优异，能够在高温环境下抑制光半导体元件密封用片的热膨胀，尺寸稳定性提高。另外，能够赋予作为片的刚性，因此，处理性、保持性提高。
上述塑料薄膜的厚度优选为20～200μm、更优选为40～150μm。若上述厚度为20μm以上，则光半导体元件密封用片的支承性和处理性进一步提高。若上述厚度为200μm以下，则能够减薄光半导体元件密封用片的厚度，能够进一步减薄光半导体装置。
上述基材部优选包含以聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分的塑料薄膜和光学薄膜。偏光板等光学薄膜通常存在支承性、处理性差的倾向，通过与上述塑料薄膜组合使用，从而能够活用两者的长处。该情况下，在上述基材部中，上述塑料薄膜特别优选为上述密封部侧。
上述基材部优选具备具有防眩光性和/或防反射性的层。上述具有防眩光性和/或防反射性的层例如通过对上述基材层的至少一个面实施防眩光处理和/或防反射处理而以上述防眩光处理层、防反射处理层的形式获得。上述防眩光处理层和上述防反射处理层可以为同一层，也可以为互不相同的层。防眩光处理和防反射处理可分别利用公知和/或惯用的方法来实施。
出于提高与密封部的密合性、保持性等的目的，上述基材部的具备上述密封部的一侧的表面可以实施了例如电晕放电处理、等离子体处理、砂垫加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、离子化辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等表面处理。优选对基材部的密封部侧的表面整体实施了用于提高密合性的表面处理。
在图1所示的光半导体元件密封用片1中，基材部2为具有光学薄膜21和塑料薄膜23的多层，光学薄膜21与塑料薄膜23借助粘合剂层22进行了贴合。另外，对光学薄膜21的与塑料薄膜23相对的面实施了防眩光处理和防反射处理。
从作为支承体的功能和表面的耐划伤性优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为5μm以上，更优选为10μm以上。从透明性更优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为300μm以下，更优选为200μm以下。
(剥离衬垫)
上述剥离衬垫是用于覆盖上述密封部表面而加以保护的要素，在对配置有光半导体元件所配置的基板贴合光半导体元件密封用片时，从该片上剥离。
作为上述剥离衬垫，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂覆的塑料薄膜、纸类等。
上述剥离衬垫的厚度例如为10～200μm、优选为15～150μm、更优选为20～100μm。若上述厚度为10μm以上，则在剥离衬垫的加工时不易因切割而断裂。若上述厚度为200μm以下，则在使用时更容易自上述密封部剥掉剥离衬垫。
(光半导体元件密封用片)
关于上述光半导体元件密封用片中的上述基材部和上述密封部的合计厚度的比例，相对于上述光半导体元件密封用片的厚度(其中不包括剥离衬垫和表面保护薄膜)100％，优选为80％以上、更优选为90％以上。另外，包括基材部和密封部在内的、从基材部表面起至密封部表面为止的厚度的比例优选在上述范围内。
上述光半导体元件密封用片中的上述基材部和上述密封部的合计厚度优选为100～900μm、更优选为200～800μm。另外，包括基材部和密封部在内的、从基材部表面起至密封部表面为止的厚度优选在上述范围内。
针对本发明的光半导体元件密封用片的制造方法的一个实施方式进行说明。例如，图1所示的光半导体元件密封用片1可利用下述方法进行制作。首先，在构成基材部2的塑料薄膜23上形成辐射线固化性树脂层31。上述辐射线固化性树脂层31可如下制作：将形成辐射线固化性树脂层31的树脂组合物涂布至塑料薄膜23的一个面而形成树脂组合物层后，进行基于加热的脱溶剂、热固化等除辐射线照射之外的固化，使该树脂组合物层固化。增加辐射线固化性树脂层31的厚度时，可以将另行在剥离衬垫的剥离处理面上同样制作的辐射线固化性树脂层重合于形成在上述塑料薄膜23上的辐射线固化性树脂层上，并进行层叠。
形成上述辐射线固化性树脂层的树脂组合物只要不损害上述辐射线固化性树脂层的辐射线固化性，就可以为任意形态。例如，粘合剂组合物可以为乳液型、溶剂型(溶液型)、热熔融型(热熔型)等。其中，从容易获得生产率优异的粘合剂层的观点出发，优选为溶剂型。
另一方面，在另行准备的剥离衬垫4的剥离处理面上形成辐射线非固化性粘合剂层32。上述辐射线非固化性粘合剂层32可如下制作：将形成辐射线非固化性粘合剂层32的粘合剂组合物涂布在剥离衬垫4的剥离处理面上而形成粘合剂组合物层后，通过加热来进行脱溶剂、固化，使该粘合剂组合物层固化。并且，将上述辐射线非固化性粘合剂层层叠在上述辐射线固化性树脂层上。如此操作，得到具有[塑料薄膜23/辐射线固化性树脂层31/辐射线非固化性粘合剂层32/剥离衬垫4]这一构成的层叠体。
形成上述辐射线非固化性粘合剂层的粘合剂组合物可以为任意形态。例如，粘合剂组合物可以为乳液型、溶剂型(溶液型)、活性能量射线固化型、热熔融型(热熔型)等。其中，从容易获得生产率优异的粘合剂层的观点出发，优选为溶剂型、活性能量射线固化型的粘合剂组合物。
另一方面，制作光学薄膜21与粘合剂层22的层叠体。具体而言，例如可以在另行准备的剥离衬垫的剥离处理面上，与辐射线非固化性粘合剂层32同样操作而形成粘合剂层22，接着，将光学薄膜21贴合在粘合剂层22上来制作。并且，将上述剥离衬垫剥离而使粘合剂层22露出，贴合在上述层叠体的塑料薄膜23的未形成辐射线固化性树脂层31的表面上。作为上述树脂组合物、粘合剂组合物的涂布方法，可以采用例如公知和/或惯用的涂布方法，可列举出辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，各种层的层叠可使用公知的辊、层压机来进行。如此操作，能够制作图1所示的光半导体元件密封用片1。
需要说明的是，本发明的光半导体元件密封用片不限定于上述方法，在基材部由多层构成的情况下，可以首先制作基材部，将辐射线固化性树脂层和辐射线非固化性粘合剂层适当组合并依次层叠于基材部，以辐射线非固化性粘合剂层位于表面的方式进行制作。
通过使用本发明的光半导体装置密封用片，在配置有光半导体元件的基板上贴合辐射线非固化性粘合剂层，并利用密封部将光半导体元件密封，由此能够得到光半导体装置。具体而言，首先从本发明的光半导体元件密封用片上剥掉剥离衬垫而使辐射线非固化性粘合剂层露出。并且，在具备基板和配置在上述基板上的光半导体元件(优选为多个光半导体元件)的光学部件的、配置有光半导体元件的基板面贴合本发明的光半导体元件密封用片的露出面、即辐射线非固化性粘合剂层面，在上述光学部件具备多个光半导体元件的情况下，进一步以用辐射线非固化性粘合剂层填充多个光半导体元件间的间隙的方式进行配置，将多个光半导体元件一并密封。如此操作，能够使用本发明的光半导体装置密封用片将光半导体元件密封。另外，通过使用本发明的光半导体装置密封用片，在减压环境下或者边加压边贴合，也可以将光半导体元件密封。作为这种方法，可列举出例如日本特开2016-29689号公报、日本特开平6-97268中公开的方法。
[光半导体装置]
可以使用本发明的光半导体元件密封用片来制作光半导体装置。使用本发明的光半导体元件密封用片而制造的光半导体装置具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及将上述光半导体元件密封的本发明的光半导体元件密封用片进行固化而得的固化物。上述固化物是本发明的光半导体元件密封用片通过辐射线照射进行固化而得的固化物，具体而言，本发明的光半导体元件密封用片中的辐射线固化性树脂层具备通过辐射线照射进行固化而得的固化密封层。
作为上述光半导体元件，可列举出例如蓝色发光二极管、绿色发光二极管、红色发光二极管、紫外线发光二极管等发光二极管(LED)。
上述光半导体装置中，本发明的光半导体元件密封用片的将光半导体元件作为凸部、将多个光半导体元件间的间隙作为凹部时对于凹凸的追随性优异，光半导体元件的填埋性优异，因此，优选将多个光半导体元件一并密封。
图2中示出使用图1所示的光半导体元件密封用片1得到的光半导体装置的一个实施方式。图2所示的光半导体装置10具备基板5、配置在基板5的一个面上的多个光半导体元件6、以及将光半导体元件6密封的光半导体元件密封用片的固化物1’。光半导体元件密封用片的固化物1’中形成有固化密封层31’，所述固化密封层31’是从光半导体元件密封用片1上剥掉剥离衬垫4，并通过辐射线照射对辐射线固化性树脂层31进行固化而形成的。多个光半导体元件6一并被密封部密封。密封部中的辐射线非固化性粘合剂层32追随于由多个光半导体元件6形成的凹凸形状，并密合于光半导体元件6和基板5，填埋光半导体元件6。
需要说明的是，图2所示的光半导体装置10中，光半导体元件6被完全填埋在辐射线非固化性粘合剂层32内而被密封，且被固化密封层31’间接性地密封。上述光半导体装置不限定于这种方式，可以是如下方式：光半导体元件6的一部分从辐射线非固化性粘合剂层32中突出，该一部分被填埋在固化密封层31’内，利用辐射线非固化性粘合剂层32和固化密封层31’完全填埋光半导体元件6而将其密封。
如上所述，上述光半导体装置利用辐射线非固化性粘合剂层和作为辐射线固化性树脂层的固化物的固化密封层将光半导体元件密封。因此，光半导体元件密合于辐射线非固化性粘合剂层，光半导体元件的密封性优异，且固化密封层的侧面的粘合性低，因此，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，能够容易地分离，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述光半导体装置可以为各个光半导体装置经平铺而得的装置。即，上述光半导体装置可以为多个光半导体装置沿着平面方向配置成瓷砖状而得的装置。
图3中示出配置多个光半导体装置而制作的光半导体装置的一个实施方式。图3所示的光半导体装置20是多个光半导体装置10在纵向上为4个、在横向上为4个的共计16个沿着平面方向配置(平铺)成瓷砖状而得到的。在邻接的两个光半导体装置10之间的边界20a处，光半导体装置10彼此邻接，但它们能够容易地分离，不易发生密封部侧面的缺损、不易发生在上述密封部侧面处缺损的树脂的从邻接的一个光半导体装置向另一个的附着。
上述光半导体装置优选为液晶画面的背光，特别优选为全面直下型的背光。另外，通过将上述背光与显示面板组合而能够制成图像显示装置。上述光半导体装置为液晶画面的背光时的光半导体元件为LED元件。例如，在上述背光中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各种颜色的光的各LED元件在显示面板的基板上隔着金属布线层交替地排列。金属布线层由铜等金属形成，其反射各LED元件的发光，使图像的观察性降低。另外，RGB的各种颜色的各LED元件所发出的光发生混色，对比度降低。
另外，上述光半导体装置优选为自发光型显示装置。另外，通过将上述自发光型显示装置与根据需要的显示面板加以组合而能够制成图像显示装置。上述光半导体装置为自发光型显示装置时的光半导体元件为LED元件。作为上述自发光型显示装置，可列举出有机电致发光(有机EL)显示装置等。例如，在上述自发光型显示装置中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各种颜色的光的各LED元件在基板上隔着金属布线层交替地排列。金属布线层由铜等金属形成，其调整各LED元件的发光程度而显示各种颜色。
本发明的光半导体元件密封用片可以用于折弯使用的光半导体装置、例如具有能够折弯的图像显示装置(柔性显示器)(尤其是能够折叠的图像显示装置(可折叠显示器))的光半导体装置。具体而言，可以用于可折叠的背光和可折叠的自发光型显示装置等。
本发明的光半导体元件密封用片的光半导体元件的填埋性优异，因此，在上述光半导体装置为迷你LED显示装置的情况和微型LED显示装置的情况下均可优选地使用。
[光半导体装置的制造方法]
上述光半导体装置可通过例如至少具备切割工序的制造方法来制造，所述切割工序中，对层叠体进行切割而得到光半导体装置，所述层叠体具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及将上述光半导体元件密封的、本发明的光半导体元件密封用片的上述辐射线固化性树脂层进行固化而得的固化物。上述固化物是本发明的光半导体元件密封用片通过辐射线照射进行固化而得的固化物，具体而言，具备本发明的光半导体元件密封用片中的辐射线固化性树脂层通过辐射线照射进行固化而得的固化密封层。
对辐射线固化性树脂层进行辐射线照射而固化时，在存在氧的侧面处，固化受到阻碍，固化容易变得不充分。与此相对，根据具备上述切割工序的上述制造方法，针对具备光半导体元件密封用片的固化物且该固化物包含通过辐射线照射使上述辐射线固化性树脂层固化而得的固化密封层的层叠体，通过在上述切割工序中切掉而去除固化不充分的侧端部，从而能够得到在侧面露出充分固化而密合性降低的区域的光半导体装置。如此制造的光半导体装置在固化后的辐射线固化性树脂层侧面的密合性充分降低，因此，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述制造方法可以进一步具备下述辐射线照射工序：对层叠体照射辐射线而使上述辐射线固化性树脂层固化，得到上述固化物，所述层叠体具备：上述基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及将上述光半导体元件密封的上述光半导体元件密封用片。
上述制造方法可以在上述辐射线照射工序之前具备下述密封工序：使上述光半导体元件密封用片贴合至设置在上述基板上的上述光半导体元件，将上述光半导体元件利用上述密封部进行密封。
另外，上述制造方法可以进一步具备下述平铺工序：将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以沿着平面方向接触的方式进行排列。以下，适当参考图2所示的光半导体装置10和图3所示的光半导体装置20的制造方法来进行说明。
(密封工序)
上述密封工序中，使本发明的光半导体元件密封用片贴合于配置有光半导体元件的基板，利用密封部将光半导体元件密封。上述密封工序中，具体而言，如图4所示那样，以剥掉剥离衬垫4后的光半导体元件密封用片1的辐射线非固化性粘合剂层32与基板5的配置有光半导体元件6的面相对的方式进行配置，使光半导体元件密封用片1贴合于基板5的配置有光半导体元件6的面，如图5所示那样，将光半导体元件6填埋至密封部3中。如图4所示那样，在贴合中使用的基板5与图2所示的光半导体装置10中的基板5相比沿着平面方向扩展得更大，在基板5的端部附近未配置光半导体元件6。另外，要进行贴合的光半导体元件密封用片1与在贴合中使用的基板5相比在平面方向上扩展得更大。即，在密封工序中进行贴合的光半导体元件密封用片1的与基板5对置的面的面积大于在密封工序中进行贴合的基板5的与光半导体元件密封用片1对置的面的面积。这是因为：光半导体元件密封用片1和基板5的层叠体中的用于光半导体装置的区域在后续的辐射线照射工序中充分进行固化，光半导体元件密封用片1和基板5的存在固化不充分的可能性的端部附近在后续的切割工序中会被切割而去除。
上述贴合时的温度例如在室温～110℃的范围内。另外，在上述贴合时可以进行减压或加压。通过减压、加压而能够抑制在密封部与基板或光半导体元件之间形成空隙。另外，在上述密封工序中，优选在减压下将光半导体元件密封用片贴合，其后进行加压。减压时的压力例如为1～100Pa，减压时间例如为5～600秒。另外，加压时的压力例如为0.05～0.5MPa，减压时间例如为5～600秒。
(辐射线照射工序)
上述辐射线照射工序中，对于在配置有上述光半导体元件的上述基板上贴合上述光半导体元件密封用片而得的层叠体(例如上述密封工序中得到的层叠体)，照射辐射线，使上述辐射线固化性树脂层进行固化。上述辐射线照射工序中，具体而言，如图6所示那样，使辐射线固化性树脂层31固化而形成固化密封层31’，得到光半导体元件密封用片1的固化物1’。作为上述辐射线，如上所述，可列举出电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、X射线等。其中，优选为紫外线。照射辐射线时的温度例如在室温～100℃的范围内，照射时间例如为1分钟～1小时。
(切割工序)
上述切割工序中，对层叠体(例如历经上述辐射线照射工序后的层叠体)进行切割，所述层叠体具备基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及将上述光半导体元件密封的本发明的光半导体元件密封用片的固化物。此处，在供于切割工序的层叠体中，光半导体元件密封用片的固化物1’和基板5如上所述地与最终得到的光半导体装置10相比沿着平面方向扩展得更大。并且，在上述切割工序中，切割去除光半导体元件密封用片的固化物和基板的侧端部。具体而言，在图7所示的虚线的位置进行切割，将侧端部去除。上述切割可通过公知和/或惯用的方法来进行，可通过例如使用切割刀片的方法、激光照射来进行。如此操作，可以制造例如图2所示的光半导体装置10。
此处，上述制造方法中重要的是：在例如通过历经上述辐射线照射工序等而得到的辐射线固化性树脂层发生固化的状态下进行切割。在辐射线固化性树脂层未固化的状态下进行切割时，在切割后想要分离去除光半导体元件密封用片的侧端部时，有时产生如下不良情况：所去除的侧端部和所残留的光半导体装置中的辐射线固化性树脂层彼此的粘合性高，密合而相互拉扯，所残留的光半导体装置中的辐射线固化性树脂层产生缺损、要被去除的侧端部的辐射线固化性树脂层的一部分转印而附着于所残留的光半导体装置。与此相对，通过具备在辐射线固化性树脂层发生固化的状态下进行切割的上述切割工序，从而辐射线固化性树脂层发生固化而形成固化密封层，因此，切割部分的侧面的密合性低，能够抑制上述不良情况的发生。
另外，对辐射线固化性树脂层进行辐射线照射而使其固化时，在存在氧的侧面中，固化受到阻碍，固化容易变得不充分。与此相对，根据具备上述切割工序的上述制造方法，通过在上述辐射线固化性树脂层发生固化的状态下，在上述切割工序中切掉固化不充分的端部而将其去除，从而能够得到侧面充分固化而密合性降低的光半导体装置。如此制造的光半导体装置在辐射线固化性树脂层的固化后，侧面的密合性充分降低，因此，使在平铺状态下邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。另一方面，在不具备上述切割工序的情况下，在平铺时固化不充分的侧面会与邻接的光半导体装置接触，因此，想要使邻接的光半导体装置彼此分离时，容易发生如下的不良情况：侧面彼此密合而相互拉扯，一个光半导体装置中的辐射线固化性树脂层产生缺损，或者一个光半导体装置中的辐射线固化性树脂层的一部分转印而附着于另一个光半导体装置。
(平铺工序)
在上述平铺工序中，将通过上述切割工序而得到的多个光半导体装置以沿着平面方向接触的方式排列而平铺。如此操作，能够制造例如图3所示的光半导体装置20。平铺而得到的光半导体装置的光半导体元件的密封性优异，且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
实施例
以下，列举出实施例更详细地说明本发明，但本发明完全不限定于这些实施例。
实施例1
<TAC薄膜/粘结剂粘合剂层>
将作为单体成分的丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)69.7质量份、丙烯酸2-甲氧基乙酯(MEA)10质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)13质量份、N-乙烯基-2-吡咯烷酮(NVP)6质量份、N-羟基乙基丙烯酰胺(HEAA)1.3质量份、作为聚合引发剂的2,2’-偶氮双异丁腈0.1质量份和作为聚合溶剂的乙酸乙酯200质量份投入至可分离烧瓶中，边导入氮气边搅拌1小时。如此操作，去除聚合体系内的氧后，升温至63℃，使其反应10小时，添加乙酸乙酯，得到固体成分浓度为30质量％的丙烯酸系聚合物溶液。相对于上述丙烯酸系聚合物100质量份，添加作为交联剂的异氰酸酯系交联剂(商品名“TAKENATE D110N”、三井化学公司制)0.2质量份、作为硅烷偶联剂的γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(商品名“KBM-403”、信越化学工业公司制)0.15质量份、作为交联促进剂的对乙二胺加成环氧丙烷而得到的多元醇(商品名“EDP-300”、ADEKA公司制)0.2质量份，制备粘合剂组合物(溶液)。接着，将上述粘合剂组合物(溶液)以干燥后的厚度达到25μm的方式涂布在剥离衬垫(分隔件)(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以60℃加热干燥1分钟，并以155℃加热干燥1分钟，得到作为粘结剂粘合剂层的两面粘合片。然后，对于三乙酸纤维素(TAC)薄膜(商品名“DSR3-LR”、大日本印刷公司制、总厚为45μm、防眩光/防反射处理)的非处理面，使用手动辊，以不混入气泡的方式贴合粘结剂粘合剂层的粘合面。如此操作，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]的构成的层叠体。
<PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层>
(紫外线固化性粘合剂层)
将丙烯酸丁酯(BA)189.77质量份、丙烯酸环己酯(CHA)38.04质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)85.93质量份、作为聚合引发剂的2,2’-偶氮双异丁腈0.94质量份和作为聚合溶剂的甲乙酮379.31质量份投入至在1L圆底可分离烧瓶中安装有可分离罩、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封件、搅拌棒、搅拌叶片的聚合用实验装置中，边搅拌边以常温进行6小时的氮气置换。其后，在氮气流入下，边搅拌边在65℃下保持4小时，并在75℃下保持2小时，进行聚合，得到树脂溶液。
接着，将所得树脂溶液冷却至室温。其后，向上述树脂溶液中添加作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酰基乙酯(商品名“Karenz MOI”、昭和电工公司制)57.43质量份。进而，添加二月桂酸二丁基锡(IV)(富士胶片和光纯药公司制)0.29质量份，在空气气氛下以50℃搅拌24小时，得到基础聚合物。
相对于所得基础聚合物的固体成分100质量份，混合异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹公司制、固体成分为75质量％)1.5质量份和2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)1质量份。将甲苯用作稀释溶剂，以固体成分率成为20～40质量％的方式进行调整，得到粘合剂溶液(1)。
将该粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，从而形成紫外线固化性粘合剂层(1)。另一方面，将上述得到的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，从而形成紫外线固化性粘合剂层(2)。
然后，使用手动辊，将形成在PET薄膜上的紫外线固化性粘合剂层(1)与形成在剥离衬垫上的紫外线固化性粘合剂层(2)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的方式进行贴合，形成1个紫外线固化性粘合剂层。其后，将剥离衬垫剥掉。如此操作，制作具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层]这一构成的层叠体。
(辐射线非固化性粘合剂层)
将丙烯酸丁酯(BA)189.77质量份、丙烯酸环己酯(CHA)38.04质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)85.93质量份、作为聚合引发剂的2,2’-偶氮双异丁腈0.94质量份和作为聚合溶剂的甲乙酮379.31质量份投入至在1L圆底可分离烧瓶上安装有可分离罩、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封件、搅拌棒、搅拌叶片的聚合用实验装置中，边搅拌边以常温进行6小时的氮气置换。其后，在氮气流入下，边搅拌边在65℃下保持4小时，并在75℃下保持2小时，进行聚合，得到树脂溶液。
在所得树脂溶液中，相对于基础聚合物的固体成分100质量份，混合异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹公司制、固体成分为75质量％)1.5质量份。将甲苯用作稀释溶剂，以固体成分率达到20～40质量％的方式进行调整，得到粘合剂溶液(2)。
将该粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到25μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以125℃加热干燥2分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层。
(PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层)
使用手动辊，相对于具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层]这一构成的层叠体的紫外线固化性粘合剂层面，以不混入气泡的方式贴合上述辐射线非固化性粘合剂层。如此操作，制作具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体。
<光半导体元件密封用片>
从具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体上剥掉剥离衬垫，使用手动辊，将所露出的粘结剂粘合剂层面以不混入气泡的方式贴合于具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体的PET薄膜面。其后，以50℃进行48小时的熟化，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一层构成的实施例1的光半导体元件密封用片。
实施例2
将紫外线固化性粘合剂层(1)的厚度设为100μm，将紫外线固化性粘合剂层(2)的厚度设为100μm(紫外线固化性粘合剂层的总厚度：200μm)，将辐射线非固化性粘合剂层的厚度设为50μm，除了之外，与实施例1同样操作，制作实施例2的光半导体元件密封用片。
实施例3
<PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层>
(紫外线固化性粘合剂层)
将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层。
(辐射线非固化性粘合剂层)
将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层。
<光半导体元件密封用片>
使用上述得到的辐射线非固化性粘合剂层和紫外线固化性粘合剂层，除此之外，与实施例1同样操作，制作实施例3的光半导体元件密封用片。
实施例4
将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(1)。另一方面，将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(2)。
然后，在上述紫外线固化性粘合剂层(1)依次层叠3层另行制作的上述紫外线固化性粘合剂层(2)，制作总厚度为500μm的紫外线固化性粘合剂层。
将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以125℃加热干燥2分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层。
使用上述得到的辐射线非固化性粘合剂层和紫外线固化性粘合剂层，除此之外，与实施例1同样操作，制作实施例4的光半导体元件密封用片。
实施例5
将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到25μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥2分钟，形成紫外线固化性粘合剂层。
将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名”MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层(1)。
然后，使用手动辊，将形成在PET薄膜上的紫外线固化性粘合剂层与形成在剥离衬垫上的辐射线非固化性粘合剂层(1)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的方式进行贴合，其后，将剥离衬垫剥掉。如此操作，制作具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层(1)]这一构成的层叠体。
另一方面，将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层(2)。
然后，使用手动辊，将具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层(1)]这一构成的层叠体中的辐射线非固化性粘合剂层(1)与形成在剥离衬垫上的辐射线非固化性粘合剂层(2)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的方式进行贴合，形成1个辐射线非固化性粘合剂层。如此操作，制作具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体。
从实施例1中制作的具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体上剥掉剥离衬垫，使用手动辊，将所露出的粘结剂粘合剂层面以不混入气泡的方式贴合至具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体的PET薄膜面。其后，以50℃进行48小时的熟化，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一层构成的实施例5的光半导体元件密封用片。
比较例1
将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层(1)。另一方面，将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，从而形成辐射线非固化性粘合剂层(2)。
然后，使用手动辊，将形成在PET薄膜上的辐射线非固化性粘合剂层(1)与形成在剥离衬垫上的辐射线非固化性粘合剂层(2)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的方式进行贴合，形成1个辐射线非固化性粘合剂层。如此操作，制作具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体。
从实施例1中制作的具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体上剥掉剥离衬垫，使用手动辊，将所露出的粘结剂粘合剂层面以不混入气泡的方式贴合于具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体的PET薄膜面。其后，以50℃进行48小时的熟化，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一层构成的比较例1的光半导体元件密封用片。
比较例2
将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(1)。另一方面，将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到125μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(2)。
然后，使用手动辊，将形成在PET薄膜上的紫外线固化性粘合剂层(1)与形成在剥离衬垫上的紫外线固化性粘合剂层(2)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的方式进行贴合，形成1个紫外线固化性粘合剂层。如此操作，制作具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体。
从实施例1中制作的具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体上剥掉剥离衬垫，使用手动辊，将所露出的粘结剂粘合剂层面以不混入气泡的方式贴合于具有[PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体的PET薄膜面。其后，以50℃进行48小时的熟化，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/PET薄膜/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一层构成的比较例2的光半导体元件密封用片。
比较例3
将实施例1中制作的粘合剂溶液(2)以干燥后的厚度达到25μm的方式涂布在PET薄膜(商品名“T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、厚度为75μm)的处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥2分钟，形成辐射线非固化性粘合剂层。
将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(1)。
然后，使用手动辊，将形成在PET薄膜上的辐射线非固化性粘合剂层与形成在剥离衬垫上的紫外线固化性粘合剂层(1)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的形式进行贴合，其后，将剥离衬垫剥掉。如此操作，制作具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/紫外线固化性粘合剂层(1)]这一构成的层叠体。
另一方面，将实施例1中制作的粘合剂溶液(1)以干燥后的厚度达到112.5μm的方式涂布在剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面上，在常压下以50℃加热干燥1分钟，并以125℃加热干燥5分钟，形成紫外线固化性粘合剂层(2)。
然后，使用手动辊，将具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/紫外线固化性粘合剂层(1)]这一构成的层叠体中的紫外线固化性粘合剂层(1)与形成在剥离衬垫上的紫外线固化性粘合剂层(2)的粘合剂层面彼此以不混入气泡的形式进行贴合，形成1个紫外线固化性粘合剂层。如此操作，制作具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体。
从实施例1中制作的具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体上剥掉剥离衬垫，使用手动辊，将所露出的粘结剂粘合剂层面以不混入气泡的形式贴合至具有[PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一构成的层叠体的PET薄膜面。其后，以50℃进行48小时的熟化，制作具有[TAC薄膜/粘结剂粘合剂层/PET薄膜/辐射线非固化性粘合剂层/紫外线固化性粘合剂层/剥离衬垫]这一层构成的比较例3的光半导体元件密封用片。
<评价>
针对实施例和比较例中得到的紫外线固化性粘合剂层和光半导体元件密封用片，进行以下的评价。将结果示于表中。
(1)基于纳米压痕法的硬度
针对实施例和比较例中分别得到的光半导体元件密封用片，按照下述紫外线照射条件从TAC薄膜侧进行紫外线照射，使紫外线固化性粘合剂层固化。其后，以-40℃～-30℃冷冻10～15分钟后，在该冷冻条件下使用切片机沿着厚度方向进行切割，使固化后的紫外线固化性粘合剂层的截面露出。然后，通过使Pentel修正液(产品编号“XEZL1-W”)凝固而将截面露出的光半导体元件密封用片固定至装置附带的金属制台后，在装置的窗口等粘贴聚酰亚胺薄膜而进行遮光后，进行评价。使用纳米压痕仪(商品名“TriboIndenter”、HYSITRONInc.制)，利用下述纳米压痕测定条件，进行固化后的紫外线固化性粘合剂层的表面的纳米压痕测定。然后，将所得硬度示于表1。
<紫外线照射条件>
紫外线照射装置：商品名“UM810”、日东精机公司制
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测定设备：商品名“紫外线照度计UT-101”、USIO电机公司制)
照射时间：100秒
累积光量：5000mJ/cm2
<纳米压痕测定条件>
使用压头：Berkovich(三棱锥型)
测定方法：单一压痕测定
测定温度：23℃
压痕深度设定：3.0μm
负载速度：500nm/s
去载速度：500nm/s
(2)切割评价
针对实施例和比较例中得到的光半导体元件密封用片，使用手动辊，相对于基板(商品名“无铅通用基板ICB93SGPBF”、SUNHAYATO公司制)的图案面，贴合将剥离衬垫剥掉而露出的粘合剂层面整面，制作试验样品。需要说明的是，光半导体元件密封用片的粘合剂层面积大于所贴合的基板的面积。在温度22℃、湿度50％的环境下以不混入气泡的方式进行贴合。其后，针对上述试验样品，按照下述紫外线照射条件(1)从TAC薄膜侧进行紫外线照射，使紫外线固化性粘合剂层进行固化。需要说明的是，针对使用不具有紫外线固化性粘合剂层的比较例1的光半导体元件密封用片得到的试验样品，未进行紫外线照射。
<紫外线照射条件(1)>
紫外线照射装置：商品名“UM810”、日东精机公司制
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测定机器：商品名“紫外线照度计UT-101”、USIO电机公司制)
照射时间：100秒
累积光量：5000mJ/cm2
在紫外线照射后，在试验样品的未贴附光半导体元件密封用片的一侧、即基板表面贴附切割带(商品名“NBD-5172K”、日东电工公司制)。在切割带的粘合剂面贴附用于进行切割的切割环。在贴附后，在遮光下和温度22℃的环境下放置30分钟。其后，利用下述切割条件，针对试验样品和切割带的层叠体，在自基板的侧端起朝向内侧为5mm的位置处进行刀片切割。
<切割条件>
切割装置：商品名“DFD-6450”、DISCO公司制
切割方式：单切割
切割速度：30mm/秒
切割刀片：商品名“P1A861 SDC400N75BR597”、DISCO公司制
切割刀片转速：30,000rpm
刀片高度：85μm
水量：1.5L/分钟
切割间隔：10mm
1次切割的距离：试验样品的总长的量
需要说明的是，切割所用的刀片使用通过下述方法进行修整切割的刀片。
在切割带(商品名“NBD-7163K”、日东电工公司制)的粘合剂层上贴附切割环和板(商品名“DRESSER BOARD BGCA0172”、DISCO公司制)，制作处理用的工作件。接着，将所得工作件利用下述修整切割条件进行切割，得到上述刀片切割用的刀片。
<修整切割条件>
切割装置：制品名“DFD-6450”、DISCO公司制
切割方式：单切割
切割速度：55mm/秒
切割刀片：商品名“P1A861 SDC400N75BR597”(新品)、DISCO公司制
切割刀片转速：35,000rpm
刀片高度：500μm
水量：1.5L/分钟
1次切割的距离：板的全长
切割间隔：1mm刻度
切割次数：100次
在刀片切割后，以下述紫外线照射条件(2)从切割带基材侧照射紫外线，使切割带相对于基板的剥离强度降低。
<紫外线照射条件(2)>
紫外线照射装置：商品名“UM810”、日东精机公司制
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测定机器：商品名“紫外线照度计UT-101”、USIO电机公司制)
照射时间：10秒
累积光量：500mJ/cm2
其后，将通过刀片切割而切割成短条状的试验样品和基板的层叠体从切割带上剥离，将在切割中确认到试验样品自基板剥离的情况评价为“B”，将确认不到剥离的情况评价为“A”。
(3)拉丝评价
将2片在上述切割评价中切割成短条状的试验样品和基板的层叠体自切割带进行剥离。接着，使上述两片层叠体的通过切割而露出的截面彼此粘接，在该状态下在温度50℃的环境下放置24小时。其后，将已粘接的上述两个短条取出，在温度22℃、湿度50％的环境下放置3小时。其后，尝试将已粘接的切断面彼此用手剥离，将无法剥离或虽然能够剥离但能够显著确认到粘合剂层的拉丝的情况评价为“D”，将虽然能够剥离但能够略微确认到粘合剂层的拉丝的情况评价为“C”，将剥离需要力但无粘合剂层拉丝地剥离的情况评价为“B”，将剥离不特别需要力且无粘合剂层拉丝地剥离的情况评价为“A”。
[表1]
Figure BDA0003521678380000361
如表1所示那样，本发明的光半导体元件密封用片(实施例)可评价为切割评价的结果良好，片对于光半导体元件和基板的密合性优异，光半导体元件的密封性优异。另外，可评价为拉丝评价的结果良好，密封部侧面的密合性低，使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
另一方面，在不具有紫外线固化性粘合剂层的情况下(比较例1)，拉丝评价的结果差。另外，在不具有辐射线非固化性粘合剂层的情况下(比较例2)和位于光半导体元件侧表面的层为紫外线固化性粘合剂层的情况下(比较例3)，可评价为切割评价的结果差，光半导体元件的密封性差。

Claims (15)

1.一种光半导体元件密封用片，其是用于将配置在基板上的1个以上的光半导体元件密封的片，
所述光半导体元件密封用片具备基材部和密封部，所述密封部用于将设置在所述基材部的一个面的所述光半导体元件密封，
所述密封部具有：在将光半导体元件密封时位于光半导体元件侧的表面的辐射线非固化性粘合剂层、以及层叠于所述辐射线非固化性粘合剂层的辐射线固化性树脂层。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片，其中，所述辐射线固化性树脂层比所述辐射线非固化性粘合剂层厚。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述密封部包含含有着色剂的层。
4.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其具备具有防眩光性和/或防反射性的层。
5.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其具备以聚酯系树脂和/或聚酰亚胺系树脂作为主成分的层。
6.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述辐射线固化性树脂层的固化后截面处的、温度23℃下的基于纳米压痕法的硬度为1.4MPa以上。
7.一种光半导体装置，其具备：
基板；
光半导体元件，其配置在所述基板上；以及
固化物，其是将所述光半导体元件密封的权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件密封用片的所述辐射线固化性树脂层发生固化而得到的。
8.根据权利要求7所述的光半导体装置，其为液晶画面的背光。
9.一种图像显示装置，其具备权利要求8所述的背光和显示面板。
10.根据权利要求7所述的光半导体装置，其为自发光型显示装置。
11.一种图像显示装置，其具备权利要求10所述的自发光型显示装置。
12.一种光半导体装置的制造方法，其具备对层叠体进行切割而得到光半导体装置的切割工序，所述层叠体具备：
基板；
光半导体元件，其配置在所述基板上；以及
固化物，其是将所述光半导体元件密封的权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件密封用片的所述辐射线固化性树脂层发生固化而得到的。
13.根据权利要求12所述的光半导体装置的制造方法，其还具备对层叠体照射辐射线使所述辐射线固化性树脂层固化而得到所述固化物的辐射线照射工序，所述层叠体具备：
所述基板；
光半导体元件，其配置在所述基板上；以及
所述光半导体元件密封用片，其将所述光半导体元件密封。
14.根据权利要求13所述的光半导体装置的制造方法，其具备密封工序，之后进行所述辐射线照射工序，
所述密封工序中，将所述光半导体元件密封用片贴合至设置在所述基板上的所述光半导体元件，利用所述密封部将所述光半导体元件密封。
15.根据权利要求12所述的光半导体装置的制造方法，其还具备下述平铺工序：将所述切割工序中得到的多个光半导体装置以在平面方向上接触的方式进行排列。
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