TW202347832A - 光半導體元件密封用片材及顯示體 - Google Patents

光半導體元件密封用片材及顯示體 Download PDF

Info

Publication number
TW202347832A
TW202347832A TW112111198A TW112111198A TW202347832A TW 202347832 A TW202347832 A TW 202347832A TW 112111198 A TW112111198 A TW 112111198A TW 112111198 A TW112111198 A TW 112111198A TW 202347832 A TW202347832 A TW 202347832A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
optical semiconductor
semiconductor element
colored layer
sealing
Prior art date
Application number
TW112111198A
Other languages
English (en)
Inventor
浅井量子
仲野武史
福富秀平
田中俊平
植野大樹
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022162205A external-priority patent/JP7362872B2/ja
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202347832A publication Critical patent/TW202347832A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明提供一種藉由對光半導體元件進行密封，能夠製作抗反射性優異且亮度較高之顯示體之光半導體元件密封用片材。 光半導體元件密封用片材1係用以對配置於基板5上之1個以上之光半導體元件6進行密封之片材。光半導體元件密封用片材1具備至少包含著色層22及非著色層23之密封用樹脂層2。將非著色層23之硬度設為A、著色層22之硬度設為B時，滿足A＞B。

Description

光半導體元件密封用片材及顯示體
本發明係關於一種光半導體元件密封用片材。更詳細而言，本發明係關於一種適於對小型/微型LED等自發光型顯示裝置之光半導體元件進行密封之片材。
近年來，作為下一代型之顯示裝置，發明了以小型/微型LED顯示裝置(Mini/Micro Light Emitting Diode Display)為代表之自發光型顯示裝置。作為小型/微型LED顯示裝置之基本構成，使用高密度地排列有多個微小之光半導體元件(LED晶片)之基板作為顯示面板，該光半導體元件以密封材進行密封，且於最表層積層有樹脂膜或玻璃板等罩蓋構件。
具備小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置之顯示體中，於顯示面板之基板上配置有金屬或ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)等金屬氧化物之配線(金屬配線)。此種顯示裝置例如存在以下問題：熄滅時因上述金屬配線等而反射光，畫面之表觀較差而設計性較差。因此，採用以下技術：使用用以防止由金屬配線引起之反射之抗反射層作為對光半導體元件進行密封之密封材。
專利文獻1中，揭示有一種黏著片材，其係著色黏著劑層與無色黏著劑層之積層體，且以無色黏著劑層與光半導體元件接觸之方式設置。記載有根據上述黏著片材，於接觸且追隨於由基板與設置於該基板之光半導體元件形成之凹凸形狀之情形時，能夠於顯示體之熄滅時提高設計性，又，能夠抑制亮度不均。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-169262號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，具備著色黏著劑層之黏著片材雖可期待對光半導體元件進行密封時防止由金屬配線引起之反射或抑制亮度不均之效果，但光半導體元件發出之光之透過性降低，其結果，存在顯示體之正面亮度降低之問題。若正面亮度降低，則為了提高亮度，消耗電力增加。因此，尋求一種抗反射性優異且亮度較高之顯示體。
本發明係基於此種情況而想出者，其目的在於提供一種藉由對光半導體元件進行密封，能夠製作抗反射性優異且亮度較高之顯示體之光半導體元件密封用片材。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了達成上述目的而銳意研究，結果發現，根據具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層且上述非著色層之硬度硬於上述著色層之硬度之光半導體元件密封用片材，對設置於該基板上之光半導體元件進行密封時，可獲得抗反射性優異且亮度較高之顯示體。本發明係基於該等見解而完成者。
即，本發明提供一種光半導體元件密封用片材，其係用以對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材，且上述片材具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層，上述非著色層之硬度A及上述著色層之硬度B滿足A＞B。
使用上述光半導體元件密封用片材，較之上述非著色層將上述著色層側設為光半導體元件側對光半導體元件進行密封時，自光半導體元件側依序積層上述著色層、上述非著色層。此時，成為顯示體之正面側之上述非著色層之硬度A硬於成為光半導體元件側之上述著色層之硬度B。藉此，於光半導體元件之密封狀態下，位於光半導體元件之正面之上述著色層被光半導體元件及非著色層所夾持而受到壓縮，可使光半導體元件發出之光有效率地向正面側透過。另一方面，位於未配置有光半導體元件之基板上之上述著色層較之位於光半導體元件之正面之上述著色層受到壓縮之程度較小，故而可充分地抑制基板上之金屬配線之反射。因此，藉由上述光半導體元件密封用片材對光半導體元件進行密封之顯示體之抗反射性優異，亮度較高。
上述硬度可為選自由殘存應力、彈性模數、楊氏模數、及藉由奈米壓痕法測定之硬度所組成之群中之1種以上。
上述硬度為殘存應力，上述非著色層之殘存應力A1相對於上述著色層之殘存應力B1之比[殘存應力A1/殘存應力B1]可為1.2以上。藉由使上述比為1.2以上，於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之上述著色層進一步受到壓縮，亮度變得更高。
上述密封用樹脂層較佳為進而於上述著色層之與上述非著色層相反側具備具有硬度C之非著色層。又，上述非著色層之硬度C及上述著色層之硬度B較佳為滿足C＞B。若具有此種構成，則位於光半導體元件之正面且位於2個非著色層之間之著色層於光半導體元件之密封時被兩個非著色層所夾持而受到充分壓縮，亮度變得更高。
上述密封用樹脂層較佳為包含擴散功能層。藉由具有此種構成，可使光半導體元件發出之光於上述擴散功能層中擴散，進一步提高正面亮度。
又，本發明提供一種顯示體，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材或其硬化物。此種光顯示體之抗反射性優異，亮度較高。
上述顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。
上述顯示體較佳為圖像顯示裝置。 [發明之效果]
根據本發明之光半導體元件密封用片材，藉由對光半導體元件進行密封，可提供一種抗反射性優異且亮度較高之顯示體。因此，上述顯示體即便不提高消耗電力亦較亮而表觀較佳，熄滅時設計性優異。
[光半導體元件密封用片材] 本發明之光半導體元件密封用片材至少具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層。再者，本說明書中，所謂光半導體元件密封用片材，係指用以藉由密封用樹脂層對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材。又，本說明書中，所謂「對光半導體元件進行密封」，係指將光半導體元件之至少一部分嵌埋於密封用樹脂層內，或藉由上述密封用樹脂層追隨光半導體元件之至少一部分對其進行被覆。上述密封用樹脂層具有能夠嵌埋光半導體元件之至少一部分或藉由上述密封用樹脂層追隨光半導體元件之至少一部分對其進行被覆之柔軟性。
＜密封用樹脂層＞ 上述密封用樹脂層中，將上述非著色層之硬度設為A，將上述著色層之硬度設為B時，滿足A＞B。即，上述密封用樹脂層至少具備滿足A＞B之硬度A之非著色層及硬度B之著色層。有時將硬度A之非著色層稱為「非著色層A」，將硬度B之著色層稱為「著色層B」。上述密封樹脂層亦可具有非著色層A及著色層B以外之層。又，構成上述密封樹脂層之層之總數為包含非著色層A及非著色層B在內之2層以上，亦可為3層以上。就使光半導體元件密封用片材及光半導體裝置之厚度較薄之觀點而言，上述層之總數例如為10層以下，亦可為5層以下或4層以下。
構成上述密封用樹脂層之各層(著色層及非著色層)於上述密封用樹脂層內可分別為單層，亦可分別為具有相同或不同之組成之複層。於以複層形式包含著色層或非著色層之情形時，上述複層可接觸而積層，亦可隔離而積層(例如2個著色層介隔1個非著色層而積層)。於上述密封用樹脂層以複層形式具備著色層及非著色層之1種以上之情形時，至少1個著色層為著色層B，且至少1個非著色層為非著色層A。又，上述密封用樹脂層中所含之非著色層可分別獨立地為下述之擴散功能層，亦可分別獨立地為非擴散功能層。
使用上述光半導體元件密封用片材，較之非著色層A將著色層B側設為光半導體元件側對光半導體元件進行密封時，自光半導體元件側依序積層著色層B、非著色層A。此時，成為顯示體之正面側之非著色層A之硬度A硬於成為光半導體元件側之著色層B之硬度B。藉此，於光半導體元件之密封狀態下，位於光半導體元件之正面之著色層B被光半導體元件及非著色層A所夾持而受到壓縮，可使光半導體元件發出之光有效率地向正面側透過。另一方面，位於未配置有光半導體元件之基板上之著色層B較之位於光半導體元件之正面之著色層B受到壓縮之程度較小，故而可充分地抑制基板上之金屬配線之反射。因此，藉由上述光半導體元件密封用片材對光半導體元件進行密封之顯示體之抗反射性優異，亮度較高。
作為上述著色層及上述非著色層之硬度，可例舉殘存應力、彈性模數、楊氏模數等。上述硬度亦可為藉由奈米壓痕法測定之硬度。上述奈米壓痕法中，例如可對上述著色層及上述非著色層之表面、或剖面中之上述著色層及上述非著色層之露出面進行測定。藉由上述奈米壓痕法測定之硬度係跨及負載時及卸載時連續地測定將壓頭向對象表面壓入時之對壓頭之負載荷重與壓入深度，根據所得之負載荷重-壓入深度曲線求出。作為上述硬度，其中就抑制層之黏性對測定結果之硬度之影響之觀點而言，較佳為殘存應力。再者，上述硬度可藉由公知或慣用之方法調整。具體而言，例如可藉由調整製作構成各層之樹脂時之硬化劑或交聯劑、多官能性單體等具有交聯性之化合物、或聚合起始劑之量等而控制層之硬度。
非著色層A之殘存應力(有時稱為「殘存應力A1」)與著色層B之殘存應力(有時稱為「殘存應力B1」)之差[殘存應力A1－殘存應力B1]並無特別限定，較佳為1.0 N/cm 2以上，更佳為3.0 N/cm 2以上、進而較佳為5.0 N/cm 2以上。若上述差為1.0 N/cm 2以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。就藉由密封用樹脂層獲得之光半導體元件之密封性優異之觀點而言，上述差例如為30.0 N/cm 2以下，亦可為20.0 N/cm 2以下。
殘存應力A1相對於殘存應力B1之比[殘存應力A1/殘存應力B1]並無特別限定，較佳為1.2以上，更佳為1.5以上、進而較佳為2.0以上。若上述比為1.2以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。就藉由密封用樹脂層獲得之光半導體元件之密封性優異之觀點而言，上述比例如為10.0以下，亦可為5.0以下。
殘存應力A1較佳為於滿足A＞B之範圍內超過6.0 N/cm 2，更佳為7.0 N/cm 2以上、進而較佳為10.0 N/cm 2以上。殘存應力A1較佳為於滿足A＞B之範圍內為50.0 N/cm 2以下，更佳為40.0 N/cm 2以下、進而較佳為30.0 N/cm 2以下。
殘存應力B1較佳為於滿足A＞B之範圍內為0.5 N/cm 2以上，更佳為1.0 N/cm 2以上、進而較佳為3.0 N/cm 2以上。殘存應力B1較佳為於滿足A＞B之範圍內為20.0 N/cm 2以下，更佳為15.0 N/cm 2以下、進而較佳為10.0 N/cm 2以下。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，上述密封用樹脂層於對光半導體元件進行密封時，自上述光半導體元件側依序具備著色層B及非著色層A。上述密封用樹脂層亦可於著色層B之與非著色層A相反側(即，於對光半導體元件進行密封之狀態下較著色層B更靠光半導體元件側)進而具備非著色層。有時將上述密封用樹脂層於著色層B之與非著色層A相反側進而具備之非著色層A以外之上述非著色層稱為「非著色層C」。
上述密封用樹脂層中，將非著色層C之硬度設為C時，較佳為滿足C＞B。若具有此種構成，則位於光半導體元件之正面且位於非著色層A及非著色層C之間之著色層B於光半導體元件之密封時被非著色層A及非著色層C所夾持而受到充分壓縮，亮度變得更高。作為非著色層C之硬度，例如可例舉作為非著色層A及著色層B之硬度所例示者。
非著色層C之殘存應力(有時稱為「殘存應力C1」)與殘存應力B1之差[殘存應力C1－殘存應力B1]並無特別限定，較佳為0.01 N/cm 2以上，更佳為0.05 N/cm 2以上、進而較佳為0.1 N/cm 2以上，亦可為0.5 N/cm 2以上、1.0 N/cm 2以上、或2.0 N/cm 2以上。若上述差為0.01 N/cm 2以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。上述差例如為20.0 N/cm 2以下，亦可為10.0 N/cm 2以下。
殘存應力C1相對於殘存應力B1之比[殘存應力C1/殘存應力B1]並無特別限定，較佳為0.05以上，更佳為0.1以上、進而較佳為0.5以上，亦可為1.1以上、1.2以上、或1.3以上。若上述比為0.05以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。上述比例如為10.0以下，亦可為5.0以下。
殘存應力C1較佳為3.0 N/cm 2以上，更佳為4.0 N/cm 2以上、進而較佳為7.0 N/cm 2以上。殘存應力C1較佳為50.0 N/cm 2以下，更佳為40.0 N/cm 2以下、進而較佳為30.0 N/cm 2以下。
上述密封用樹脂層中，較佳為滿足A＞C。若具有此種構成，則光半導體元件上之位於非著色層A及非著色層C之間之著色層B於光半導體元件之密封時被非著色層A充分壓縮，亮度變得更高。
殘存應力A1與殘存應力C1之差[殘存應力A1－殘存應力C1]並無特別限定，較佳為0.5 N/cm 2以上，更佳為1.0 N/cm 2以上、進而較佳為2.0 N/cm 2以上。若上述差為0.5 N/cm 2以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。上述差例如為30.0 N/cm 2以下，亦可為20.0 N/cm 2以下。
殘存應力A1相對於殘存應力C1之比[殘存應力A1/殘存應力C1]並無特別限定，較佳為1.1以上，更佳為1.2以上、進而較佳為1.3以上。若上述比為1.1以上，則於光半導體元件之密封時位於光半導體元件之正面之著色層B受到進一步壓縮，亮度變得更高。上述比例如為10.0以下，亦可為5.0以下。
上述密封用樹脂層較佳為包含擴散功能層。藉由具有此種構成，可使光半導體元件發出之光於上述擴散功能層中擴散而進一步提高正面亮度。上述擴散功能層較佳為相當於本說明書中之非著色層之層。其中，較佳為非著色層A及/或非著色層C為擴散功能層，較佳為非著色層C為擴散功能層。
於上述密封用樹脂層具備上述擴散功能層之情形時，上述密封用樹脂層較佳為自上述光半導體元件側依序具備上述擴散功能層、上述著色層、及上述非著色層。上述非著色層可為擴散功能層及非擴散功能層之任一者。藉由具有此種構成，可進一步提高正面亮度，且於熄滅時及發光時均可進一步提高顯示體之表觀。
上述密封用樹脂層中，非著色層A較佳為與對光半導體元件進行密封之側相反側之面成為平面(flat)。該情形時，於對光半導體元件進行密封之狀態下難以於上述密封用樹脂層表面發生外界光之漫反射，於熄滅時及發光時顯示體之表觀均得到提高。
構成上述密封用樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)可分別獨立地具有或不具有黏著性及/或接著性。其中，較佳為具有黏著性及/或接著性。藉由具有此種構成，上述密封用樹脂層可容易地對光半導體元件進行密封，又，各層間之密接性及/或接著性優異，光半導體元件之密封性更優異。尤佳為至少與光半導體元件接觸之層具有黏著性及/或接著性。藉由具有此種構成，藉由密封用樹脂層獲得之光半導體元件之追隨性及嵌埋性優異。其結果，即便於由光半導體元件引起之階差較高之情形時設計性亦優異。再者，與光半導體元件接觸之層以外之層亦可不具有黏著性及/或接著性。該情形時，於拼貼(tiling)狀態下鄰接之密封用樹脂層彼此之密接性較低，將鄰接之小尺寸之積層體(密封用樹脂層對配置於基板上之光半導體元件進行密封而成之積層體)彼此拉離時，難以發生片材之缺失或鄰接之密封用樹脂層之附著。
構成上述密封用樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)可分別獨立地為具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線硬化性樹脂層)，亦可分別獨立地為不具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線非硬化性樹脂層)。作為上述放射線，例如可例舉：電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線等。
(著色層) 上述密封用樹脂層中之著色層係目的在於防止由顯示體中設置於基板上之金屬配線等引起之光之反射之層。上述著色層至少包含著色劑。上述著色層較佳為由樹脂構成之樹脂層。上述著色劑只要為能夠溶解或分散於上述著色層者，則可為染料，亦可為顏料。就即便少量添加亦可達成較低之霧度，不會如顏料般具有沈澱性而容易均勻地分佈之方面而言，較佳為染料。又，就即便少量添加，色表現性亦較高之方面而言，顏料亦較佳。於使用顏料作為著色劑之情形時，較佳為導電性較低或不具有導電性者。上述著色劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述著色劑，較佳為黑系著色劑。作為上述黑系著色劑，可使用公知或慣用之用以呈現黑色之著色劑(顏料、染料等)，例如可例舉：碳黑(爐黑、槽法碳煙、乙炔黑、熱碳黑、燈黑、松煙等)、石墨、氧化銅、二氧化錳、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、蒽醌系著色劑、氮化鋯等。又，亦可使用組合調配呈現黑色以外之色之著色劑而作為黑系著色劑發揮功能之著色劑。
於上述著色層為放射線硬化性樹脂層之情形時，上述著色劑較佳為吸收可見光且具有可使上述放射線硬化性樹脂層硬化之波長之光之透過性者。
就對顯示體賦予適當之抗反射能力之觀點而言，上述著色層中之著色劑之含有比率相對於著色層之總量100質量%，較佳為0.2質量%以上，更佳為0.4質量%以上。又，上述著色劑之含有比率例如為10質量%以下，較佳為5質量%以下、更佳為3質量%以下。上述含有比率只要根據著色劑之種類、或顯示體之色調及光透過率等適當設定即可。著色劑亦可以溶解或分散於適當之溶劑而成之溶液或分散液之形式添加於組合物中。
上述著色層之霧度值(初期霧度值)並無特別限定，就確保正面亮度及顯示體之視認性之觀點而言，較佳為50%以下，更佳為40%以下、進而較佳為30%以下、尤佳為20%以下。又，就使顯示體之亮度不均有效率地降低之觀點而言，上述著色層之霧度值較佳為1%以上，更佳為3%以上、進而較佳為5%以上、尤佳為8%以上，亦可為10%以上。
上述著色層之全光線透過率並無特別限定，就進一步提高顯示體中之金屬配線等之抗反射功能、對比度之觀點而言，較佳為80%以下，更佳為60%以下、進而較佳為40%以下、尤佳為30%以下。又，就確保顯示體之亮度之觀點而言，上述著色層之全光線透過率較佳為0.5%以上，更佳為1%以上、進而較佳為1.5%以上、尤佳為2%以上，亦可為2.5%以上、或3%以上。
上述著色層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值，可藉由JIS K7136、JIS K7361-1中規定之方法而測定，可藉由種類或厚度、著色劑之種類或調配量等而控制。
(非著色層) 上述非著色層係與上述著色層不同之層，目的不在於防止由顯示體中設置於基板上之金屬配線等引起之光之反射。上述非著色層可為無色層，亦可稍微著色。又，上述非著色層例如可為目的在於發揮使光擴散之功能之擴散功能層，亦可為目的不在於發揮使光擴散之功能之非擴散功能層。上述非著色層可透明，亦可非透明。上述非著色層較佳為由樹脂構成之樹脂層。
上述非著色層中之著色劑之含有比率相對於非著色層之總量100質量%，較佳為未達0.2質量%，更佳為未達0.1質量%、進而較佳為未達0.05質量%，亦可未達0.01質量%或未達0.005質量%。
上述非著色層之全光線透過率並無特別限定，就確保亮度之觀點而言，較佳為40%以上，更佳為60%以上、進而較佳為70%以上、尤佳為80%以上。又，上述非著色層之全光線透過率之上限值並無特別限定，可未達100%，亦可為99.9%以下、或99%以下。
上述非著色層之全光線透過率為單層之值，可藉由JIS K7136、JIS K7361-1中規定之方法而測定，可藉由非著色層之種類或厚度等而控制。
上述擴散功能層係目的在於使光擴散之層。若上述密封用樹脂層具有上述擴散功能層，則使自光半導體元件發出之光於擴散功能層中擴散，例如使自光半導體元件之側面發出之光向顯示體之正面方向釋出，顯示體之正面亮度提高。上述擴散功能層較佳為由樹脂構成之樹脂層。上述擴散功能層並無限定，較佳為包含光擴散性微粒子。即，上述擴散功能層較佳為包含分散於樹脂層中之光擴散性微粒子。上述光擴散性微粒子可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述光擴散性微粒子係具有與構成擴散功能層之樹脂之適當之折射率差，對擴散功能層賦予擴散性能者。作為光擴散性微粒子，可例舉無機微粒子、高分子微粒子等。作為無機微粒子之材質，例如可例舉：二氧化矽、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、黏土、滑石、金屬氧化物等。作為高分子微粒子之材質，例如可例舉：聚矽氧樹脂、丙烯酸系樹脂(例如包含聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯樹脂)、聚苯乙烯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚乙烯樹脂、環氧樹脂等。
作為上述高分子微粒子，較佳為由聚矽氧樹脂構成之微粒子。又，作為上述無機微粒子，較佳為由金屬氧化物構成之微粒子。作為上述金屬氧化物，較佳為氧化鈦、鈦酸鋇，更佳為氧化鈦。藉由具有此種構成，上述擴散功能層之光擴散性更優異，亮度不均得到進一步抑制。
上述光擴散性微粒子之形狀並無特別限定，例如可為真球狀、扁平狀、不定形狀。
就賦予適當之光擴散性能之觀點而言，上述光擴散性微粒子之平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.15 μm以上、進而較佳為0.2 μm以上、尤佳為0.25 μm以上。又，就防止霧度值變得過高，顯示高精細之圖像之觀點而言，上述光擴散性微粒子之平均粒徑較佳為12 μm以下，更佳為10 μm以下、進而較佳為8 μm以下。平均粒徑例如可使用庫爾特計數器(Coulter counter)測定。
上述光擴散性微粒子之折射率較佳為1.2～5，更佳為1.25～4.5、進而較佳為1.3～4、尤佳為1.35～3。
就更加有效率地降低顯示體之亮度不均之觀點而言，上述光擴散性微粒子與構成擴散功能層之樹脂(擴散功能層中除光擴散性微粒子以外之樹脂層)之折射率差之絕對值較佳為0.001以上，更佳為0.01以上、進而較佳為0.02以上、尤佳為0.03以上，亦可為0.04以上、或0.05以上。又，就防止霧度值變得過高，顯示高精細之圖像之觀點而言，光擴散性微粒子與樹脂之折射率差之絕對值較佳為5以下，更佳為4以下、進而較佳為3以下。
就對光半導體元件密封用片材賦予適當之光擴散性能之觀點而言，上述擴散功能層中之上述光擴散性微粒子之含量相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.05質量份以上、進而較佳為0.1質量份以上、尤佳為0.15質量份以上。又，就防止霧度值變得過高，顯示高精細之圖像之觀點而言，光擴散性微粒子之含量相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為80質量份以下，更佳為70質量份以下。
上述擴散功能層之霧度值(初期霧度值)並無特別限定，就有效率地降低亮度不均之觀點而言，較佳為30%以上，更佳為40%以上、進而較佳為50%以上、尤佳為60%以上，亦可為70%以上、80%以上、90%以上、95%以上、97%以上，進而99.9%附近者由於亮度不均改善效果更優異而較佳。再者，上述擴散功能層之霧度值之上限並無特別限定，即可為100%。
上述擴散功能層之全光線透過率並無特別限定，就確保亮度之觀點而言，較佳為40%以上，更佳為60%以上、進而較佳為70%以上、尤佳為80%以上。又，上述擴散功能層之全光線透過率之上限值並無特別限定，可未達100%，亦可為99.9%以下、或99%以下。
上述擴散功能層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值，可藉由JIS K7136、JIS K7361-1中規定之方法而測定，可藉由擴散功能層之種類或厚度、光擴散性微粒子之種類或調配量等而控制。
上述非擴散功能層之霧度值(初期霧度值)並無特別限定，就使顯示體之亮度變得優異之觀點而言，較佳為未達30%，更佳為10%以下、進而較佳為5%以下、尤佳為1%以下，亦可為0.5%以下。再者，上述非擴散功能層之霧度值之下限並無特別限定。
上述非擴散功能層之全光線透過率並無特別限定，就確保顯示體之亮度之觀點而言，較佳為60%以上，更佳為70%以上、進而較佳為80%以上、尤佳為90%以上。又，上述非擴散功能層之全光線透過率之上限值並無特別限定，可未達100%，亦可為99.9%以下、或99%以下。
上述非擴散功能層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值，可藉由JIS K7136、JIS K7361-1中規定之方法而測定，可藉由非擴散功能層之種類或厚度等而控制。
就使顯示體之亮度變得優異之觀點而言，上述非擴散功能層中之著色劑及/或光擴散性微粒子之含量相對於構成非擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為未達0.01質量份，更佳為未達0.005質量份。
作為上述密封用樹脂層之積層構造，可例舉：[著色層/擴散功能層]、[著色層/非擴散功能層]、[著色層/擴散功能層/非擴散功能層]、[著色層/非擴散功能層/擴散功能層]、[著色層/擴散功能層/擴散功能層]、[著色層/非擴散功能層/非擴散功能層]、[擴散功能層/著色層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層/擴散功能層]、[擴散功能層/著色層/擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層/非擴散功能層]、[著色層/擴散功能層/著色層/非擴散功能層](以上自光半導體元件側依序)等。
圖1係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之剖視圖。如圖1所示，光半導體元件密封用片材1可用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封，具備基材部4與形成於基材部4上之密封用樹脂層2。基材部4係由基材膜41及作為表面處理層之功能層42構成，亦可不具有功能層42而由基材膜41構成。密封用樹脂層2係由擴散功能層21與著色層22及非著色層23之積層體形成。著色層22直接積層於擴散功能層21，非著色層23直接積層於著色層22。擴散功能層21上貼附有剝離襯墊3，非著色層23上貼附有基材部4。擴散功能層21為非著色層C，著色層22為著色層B，非著色層23為非著色層A。非著色層23之硬度硬於著色層22之硬度。非著色層23之硬度硬於擴散功能層21之硬度。擴散功能層21之硬度硬於著色層22之硬度。
再者，圖1中揭示了密封用樹脂層由2層之非著色層及1層之著色層構成之3層構成之例，構成密封用樹脂層之層之總數只要為包含非著色層A及著色層B各1層之2層以上，則並無特別限定。
(樹脂層) 於上述著色層及上述非著色層為上述樹脂層之情形時，作為構成上述樹脂層之樹脂，可例舉公知或慣用之樹脂，例如可例舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、環氧系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、聚矽氧樹脂、聚矽氧丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹脂(聚乙烯醚等)、聚醯胺系樹脂、氟系樹脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。構成上述密封用樹脂層之各層之樹脂可相互相同，亦可相互不同。
於上述樹脂層為具有黏著性之層(黏著層)之情形時，作為上述樹脂，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑。作為上述黏著劑，例如可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、該等之混合系等)、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。上述黏著劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系樹脂係包含來自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦同樣。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉含有烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯，可例舉：具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯等具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中較佳為具有碳數為1～20(較佳為1～14、更佳為2～10)之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若上述碳數為上述範圍內，則上述丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度之調整容易，容易使樹脂層之黏著性變得更加適當。
作為上述具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、(甲基)丙烯酸環辛酯等具有一環式之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸異𦯉酯等具有二環式之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊氧基乙酯、(甲基)丙烯酸三環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯等具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯等。
作為上述具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
作為上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯，其中較佳為包含具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而更佳為包含具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯。該情形時，樹脂層之黏著性之平衡較佳，光半導體元件之密封性更優異。
為了於上述樹脂層中適當地表現藉由上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分中之上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述全部單體成分之總量(100質量%)，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上、進而較佳為60質量%以上。又，就能夠與其他單體成分共聚而獲得該其他單體成分之效果之觀點而言，上述比率較佳為95質量%以下，更佳為80質量%以下。
構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分中之具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率相對於上述全部單體成分之總量(100質量%)，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上。又，上述比率較佳為90質量%以下，更佳為70質量%以下。
構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分中之具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述全部單體成分之總量(100質量%)，較佳為1質量%以上，更佳為5質量%以上。又，上述比率較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。
上述丙烯酸系樹脂亦可以下述之第1官能基之導入為目的或以凝集力、耐熱性等之改質為目的而包含來自能夠與上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，例如可例舉：含有羧基之單體、酸酐單體、含有羥基之單體、含有縮水甘油基之單體、含有磺酸基之單體、含有磷酸基之單體、含有氮原子之單體等含有極性基之單體等。上述其他單體成分可分別僅使用一種，亦可分別使用兩種以上。
作為上述含有羧基之單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可例舉順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。
作為上述含有羥基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。
作為上述含有縮水甘油基之單體，例如可例舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。
作為上述含有磺酸基之單體，例如可例舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。
作為上述含有磷酸基之單體，例如可例舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等。
作為上述含有氮原子之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯醯基𠰌啉等含有𠰌啉基之單體、(甲基)丙烯腈等含有氰基之單體、(甲基)丙烯醯胺等含有醯胺基之單體等。
較佳為包含含有羥基之單體作為構成上述丙烯酸系樹脂之上述含有極性基之單體。藉由使用含有羥基之單體，下述之第1官能基之導入容易。又，丙烯酸系樹脂及上述樹脂層之耐水性優異，光半導體元件密封用片材即便於高濕度之環境下使用之情形時亦難以起霧而耐白化性優異。
作為上述含有羥基之單體，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
為了於上述樹脂層中適當地表現藉由上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分(100質量%)中之上述含有極性基之單體之比率較佳為5～50質量%，更佳為10～40質量%。尤其就上述樹脂層之耐水性亦優異之觀點而言，較佳為含有羥基之單體之比率為上述範圍內。
作為上述其他單體成分，亦可進而包含：(甲基)丙烯酸之己內酯加成物、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等乙烯系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯、含有經烷氧基取代之烴基之(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基苄酯等)等丙烯酸酯系單體等。
構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分(100質量%)中之上述其他單體成分之比率例如為3～50質量%左右，亦可為5～40質量%或10～30質量%。
上述丙烯酸系樹脂亦可包含來自能夠與構成丙烯酸系樹脂之單體成分共聚之多官能(甲基)丙烯酸酯之結構單元以於其聚合物骨架中形成交聯結構。作為上述多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了於上述樹脂層中適當地表現藉由上述含有烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分(100質量%)中之上述多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
於上述樹脂層為放射線硬化性樹脂層之情形時，作為上述樹脂層，例如可例舉：含有基礎聚合物與具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之層、包含具有放射線聚合性官能基之聚合物(尤其是丙烯酸系樹脂)作為基礎聚合物之層等。
作為上述放射線聚合性官能基，可例舉：乙烯性不飽和基等包含碳-碳不飽和鍵之基等放射線自由基聚合性基、或放射線陽離子聚合性基等。作為上述包含碳-碳不飽和鍵之基，例如可例舉乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等。作為上述放射線陽離子聚合性基，可例舉環氧基、氧雜環丁基、氧雜環戊基等。其中，較佳為包含碳-碳不飽和鍵之基，更佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基。上述放射線聚合性官能基可僅為一種，亦可為兩種以上。上述放射線聚合性官能基之位置可為聚合物側鏈、聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端之任一者。
上述具有放射線聚合性官能基之聚合物例如可藉由以下方法製作：使具有反應性官能基(第1官能基)之聚合物、與具有能夠與上述第1官能基之間產生反應而形成鍵結之官能基(第2官能基)及上述放射線聚合性官能基之化合物於維持上述放射線聚合性官能基之放射線聚合性之狀態下反應而進行鍵結。因此，上述具有放射線聚合性官能基之聚合物較佳為包含來自上述具有第1官能基之聚合物之結構部、及來自上述具有第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可例舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。上述組合可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為上述具有放射性聚合性官能基及異氰酸基之化合物，可例舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。上述化合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
就能夠進一步進行放射線硬化性樹脂層之硬化之觀點而言，上述具有放射線聚合性官能基之丙烯酸系樹脂中之來自上述具有第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部之含量相對於來自上述具有第1官能基之丙烯酸系樹脂之結構部之總量100莫耳，較佳為0.5莫耳以上，更佳為1莫耳以上、進而較佳為3莫耳以上、進而較佳為10莫耳以上。上述含量例如為100莫耳以下。
就能夠進一步進行放射線硬化性樹脂層之硬化之觀點而言，上述具有放射線聚合性官能基之丙烯酸系樹脂中之上述第2官能基相對於上述第1官能基之莫耳比[第2官能基/第1官能基]較佳為0.01以上，更佳為0.05以上、進而較佳為0.2以上、尤佳為0.4以上。又，就進一步降低放射線硬化性樹脂層中之低分子量物質之觀點而言，上述莫耳比較佳為未達1.0，更佳為0.9以下。
上述丙烯酸系樹脂可藉由使上述之各種單體成分進行聚合而獲得。作為該聚合方法，並無特別限定，例如可例舉：溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合方法、利用活性能量線照射之聚合方法(活性能量線聚合方法)等。又，所得之丙烯酸系樹脂可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一者。
上述具有放射線聚合性官能基之丙烯酸系樹脂例如可藉由以下方法製作：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體進行聚合(共聚)而獲得具有第1官能基之丙烯酸系樹脂後，使上述具有第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物於維持放射線聚合性官能基之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系樹脂進行縮合反應或加成反應。
於單體成分之聚合時，亦可使用各種通常之溶劑。作為上述溶劑，例如可例舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。上述溶劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
用於單體成分之自由基聚合之聚合起始劑、鏈轉移劑、乳化劑等並無特別限定，可適當選擇而使用。再者，丙烯酸系樹脂之重量平均分子量可藉由聚合起始劑、鏈轉移劑之使用量、反應條件而控制，根據該等之種類調整其適當之使用量。
作為用於單體成分之聚合之聚合起始劑，可根據聚合反應之種類使用熱聚合起始劑或光聚合起始劑(光起始劑)等。上述聚合起始劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述熱聚合起始劑，並無特別限定，例如可例舉：偶氮系聚合起始劑、過氧化物系聚合起始劑、氧化還原系聚合起始劑等。上述熱聚合起始劑之使用量相對於構成上述具有第1官能基之丙烯酸系樹脂之全部單體成分之總量100質量份，較佳為1質量份以下，更佳為0.005～1質量份、進而較佳為0.02～0.5質量份。
作為上述光聚合起始劑，例如可例舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、二茂鈦系光聚合起始劑等。其中，較佳為苯乙酮系光聚合起始劑。
作為上述苯乙酮系光聚合起始劑，例如可例舉：2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(第三丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
上述光聚合起始劑之使用量相對於構成上述丙烯酸系樹脂之全部單體成分之總量100質量份，較佳為0.005～1質量份，更佳為0.01～0.7質量份、進而較佳為0.18～0.5質量份。若上述使用量為0.005質量份以上(尤其是0.18質量份以上)，則存在容易將丙烯酸系樹脂之分子量控制得較小，樹脂層之殘存應力變高，階差吸收性變得更加良好之傾向。
上述具有第1官能基之丙烯酸系樹脂與上述具有第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之反應例如可於溶劑中於觸媒之存在下進行攪拌而進行。作為上述溶劑，可例舉上述者。上述觸媒可根據第1官能基及第2官能基之組合而適當選擇。上述反應中之反應溫度例如為5～100℃，反應時間例如為1～36小時。
上述丙烯酸系樹脂亦可具有來自交聯劑之結構部。例如可使上述丙烯酸系樹脂進行交聯而進一步降低上述樹脂層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系樹脂之重量平均分子量。再者，於上述丙烯酸系樹脂具有放射線聚合性官能基之情形時，上述交聯劑係使放射線聚合性官能基以外之官能基彼此(例如第1官能基彼此、第2官能基彼此、或第1官能基與第2官能基)進行交聯者。上述交聯劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑、聚矽氧系交聯劑、矽烷系交聯劑等。作為上述交聯劑，其中就對光半導體元件之密接性優異之觀點、雜質離子較少之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑，更佳為異氰酸酯系交聯劑。
作為上述異氰酸酯系交聯劑(多官能異氰酸酯化合物)，例如可例舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等。又，作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如亦可例舉：三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/苯二甲基二異氰酸酯加成物等。
來自上述交聯劑之結構部之含量並無特別限定，相對於上述丙烯酸系樹脂之將來自上述交聯劑之結構部除外之總量100質量份，較佳為含有5質量份以下，更佳為0.001～5質量份、進而較佳為0.01～3質量份。
上述樹脂層亦可於無損本發明之效果之範圍內於上述各層中包含上述之各成分以外之其他成分。作為上述其他成分，可例舉：硬化劑、交聯促進劑、黏著賦予樹脂(松香衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、低聚物、防老化劑、填充劑(金屬粉、有機填充劑、無機填充劑等)、抗氧化劑、塑化劑、軟化劑、界面活性劑、抗靜電劑、表面潤滑劑、調平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、粒狀物、箔狀物等。上述其他成分可分別僅使用一種，亦可分別使用兩種以上。
＜基材部＞ 本發明之光半導體元件密封用片材中，上述密封用樹脂層亦可設置於基材部之至少一面。於本發明之光半導體元件密封用片材具備上述基材部之情形時，上述密封用樹脂層之非著色層A之與著色層B相反側成為與基材部接觸之側。若上述基材部設置於上述光半導體元件密封用片材中密封用樹脂層之與光半導體元件側相反側，則可使密封用樹脂層表面成為平面，由此難以發生光之漫反射，於熄滅時及發光時顯示體之表觀均得到提高。又，藉由在上述基材部形成下述之防眩層或抗反射層，可對顯示體賦予防眩性或抗反射性。又，於上述光半導體元件密封用片材中成為密封用樹脂層之支持體，藉由具備上述基材部，光半導體元件密封用片材之操作性優異。再者，基材部亦可未必設置。
上述基材部可為單層，亦可為相同或者組成或厚度等不同之複層。於上述基材部為複層之情形時，各層亦可藉由黏著劑層等其他層而貼合。再者，用於基材部之基材層為與密封用樹脂層一起貼附於設置光半導體元件之基板之部分，於光半導體元件密封用片材之使用時(貼附時)剝離之剝離襯墊、或僅保護基材部表面之表面保護膜不包含於「基材部」。
作為構成上述基材部之基材層，例如可例舉玻璃或塑膠基材(尤其是塑膠膜)等。作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可例舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、環狀烯烴系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；聚芳醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙醯基纖維素(TAC)等纖維素樹脂；聚矽氧樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂；聚碸；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。上述基材層亦可為抗反射(AR)膜、偏光板、相位差板等各種光學膜。
上述塑膠膜之厚度較佳為20～300 μm，更佳為40～250 μm。若上述厚度為20 μm以上，則光半導體元件密封用片材之支持性及操作性進一步提高。若上述厚度為300 μm以下，則可使顯示體變得更薄。
上述基材部之設置上述密封用樹脂層之側之表面亦可以提高與密封用樹脂層之密接性、保持性等之目的實施例如以下之表面處理：電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；利用塗佈劑(底塗劑)之易接著處理等。用以提高密接性之表面處理較佳為對基材部之密封用樹脂層側之整個表面實施。
就作為支持體之功能及表面之耐擦傷性優異之觀點而言，上述基材部之厚度較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。就透明性更優異之觀點而言，上述基材部之厚度較佳為300 μm以下，更佳為250 μm以下。
＜光半導體元件密封用片材＞ 上述光半導體元件密封用片材亦可具備具有防眩性及/或抗反射性之層。藉由具有此種構成，可於對光半導體元件進行密封時抑制光澤或光之反射，使表觀變得更加良好。作為上述具有防眩性之層，可例舉防眩處理層。作為上述具有抗反射性之層，可例舉抗反射處理層。防眩處理及抗反射處理可分別利用公知或慣用之方法實施。上述具有防眩性之層及上述具有抗反射性之層可為相同之層，亦可為互相不同之層。上述具有防眩性及/或抗反射性之層可僅具有一層，亦可具有二層以上。
上述光半導體元件密封用片材之霧度值(初期霧度值)並無特別限定，就亮度不均之抑制效果與設計性更加優異之觀點而言，較佳為80%以上，更佳為85%以上、進而較佳為90%以上、尤佳為95%以上。再者，上述霧度值之上限並無特別限定。
上述光半導體元件密封用片材之全光線透過率並無特別限定，就進一步提高金屬配線等之抗反射功能、對比度之觀點而言，較佳為40%以下，更佳為30%以下、進而較佳為20%以下。又，就確保亮度之觀點而言，上述全光線透過率較佳為0.5%以上。
上述霧度值及全光線透過率可分別藉由JIS K7136、JIS K7361-1中規定之方法而測定，可藉由構成上述密封用樹脂層及上述基材部之各層之積層順序或種類、厚度等而控制。
就提高金屬配線等之抗反射功能、對比度，且更有效率地降低色移之觀點而言，上述光半導體元件密封用片材之厚度較佳為10～600 μm，更佳為20～550 μm、進而較佳為30～500 μm、進而較佳為40～450 μm、尤佳為50～400 μm。再者，剝離襯墊不包含於上述厚度。
非著色層A之厚度較佳為30～480 μm，更佳為40～380 μm、進而較佳為50～280 μm。若非著色層A之厚度為30 μm以上，則與著色層B相反側之表面容易成為平面，於對光半導體元件進行密封之狀態下難以於上述密封用樹脂層表面發生外界光之漫反射，於熄滅時及發光時顯示體之表觀均得到提高。若非著色層A之厚度為480 μm以下，則可使光半導體元件密封用片材之厚度變薄。
著色層B之厚度較佳為5～100 μm，更佳為10～80 μm、進而較佳為20～70 μm。若著色層B之厚度為5 μm以上，則對光半導體元件進行密封時之抗反射性更優異。若著色層B之厚度為100 μm以下，則於對光半導體元件進行密封時被非著色層A壓縮之狀態下厚度充分變薄，更容易確保光半導體元件之發光時之亮度。又，著色層B之厚度較佳為薄於光半導體元件之高度(自基板表面至光半導體元件正面側之端部之高度)。
非著色層C之厚度例如為5～480 μm，較佳為5～100 μm、更佳為10～80 μm、進而較佳為20～70 μm。若非著色層C之厚度為5 μm以上，則光半導體元件之密封性變得更加良好。若非著色層C之厚度為480 μm以下，則更容易確保光半導體元件之發光時之亮度。
上述密封用樹脂層之厚度例如為100～500 μm，較佳為120～400 μm、進而較佳為150～300 μm。若上述厚度為100 μm以上，則光半導體元件之密封性變得更加良好。若上述厚度為500 μm以下，則顯示體之厚度變得更薄。
上述光半導體元件密封用片材較佳為於以其單面積層有功能層之狀態將相對於非著色層A具有著色層B之側之密封用樹脂層貼合於凸加工為高度120 μm之晶圓之狀態下於10°視野、光源D65之條件下自上述功能層側測定時之L ＊a ＊b ＊(SCI)中之L ＊(SCI)未達54，更佳為40以下、進而較佳為30以下。物體反射之光包含正反射光及擴散反射光，正反射光係以肉眼難以辨識之光。L ＊(SCE)係對不包含正反射光之反射光進行測定所得者，相對於此，L ＊(SCI)係對包含正反射光之反射光進行測定所得者，雖與肉眼之視認性之關聯性較低，但能夠測定接近於物體之真正之色調之色調。因此，若L ＊(SCI)未達54，則關於顯示體之視認性，即便存在環境影響之情形時亦設計性優異。
上述L ＊a ＊b ＊(SCI)中之a ＊(SCI)較佳為-5.0～5.0，更佳為-3.0～3.0、進而較佳為-2.0～2.0。上述L ＊a ＊b ＊(SCI)中之b ＊(SCI)較佳為-5.0～5.0，更佳為-3.0～3.0、進而較佳為-2.5～2.5。若a ＊(SCI)及/或b ＊(SCI)分別為上述範圍內，則光半導體元件發出之光之色調較佳而視認性優異。
上述L ＊a ＊b ＊(SCI)中之L ＊(SCI)、a ＊(SCI)、及b ＊(SCI)可使用公知或慣用之分光測色計測定，具體而言，可利用實施例中記載之方法測定。
上述功能層係不包含於上述密封用樹脂層之層，可例舉可對本發明之光半導體元件密封用片材賦予各種功能之層。作為上述功能層，例如可例舉包含表面處理層之層。藉由具有此種構成，積層有包含表面處理層之功能層之光半導體元件密封用片材之光擴散性優異，且光提取效率優異。作為上述表面處理層，可例舉防眩處理層(anti-glare treatment layer)、抗反射處理層、硬塗處理層等。上述功能層可積層於本發明之光半導體元件密封用片材中之上述密封用樹脂層，於具備上述基材部之情形時，亦可積層於上述基材部，較佳為積層於上述基材部，較佳為積層於上述基材部之與設置上述密封用樹脂層之側相反側。
本發明之光半導體元件密封用片材亦可具備上述功能層。於具備上述功能層之情形時，可不另外積層功能層而進行上述L ＊a ＊b ＊(SCI)之測定。於本發明之光半導體元件密封用片材不具備上述功能層之情形時，另外積層功能層進行上述L ＊a ＊b ＊(SCI)之測定。上述功能層較佳為相對於著色層B側積層於非著色層A側。
上述光半導體元件密封用片材較佳為將相對於非著色層A具有著色層B之側之密封用樹脂層貼附於凸加工為高度120 μm之晶圓且以顯微鏡自密封用樹脂層側觀察時，凹部平均明度為10～30、及/或凸部最大明度超過143。上述凸部最大明度更佳為150以上、進而較佳為160以上。若凹部平均明度及/或凸部最大明度為上述範圍內，則對光半導體元件進行密封時之抗反射性及亮度之高度更優異。
[剝離襯墊] 上述密封用樹脂層亦可形成於剝離襯墊上之剝離處理面。於上述密封用樹脂層形成於上述剝離襯墊之情形時，上述密封用樹脂層之著色層B之與非著色層A相反側成為與剝離襯墊接觸之側。於不具有上述基材部之情形時，亦可上述密封用樹脂層之兩面為與剝離襯墊接觸之側。剝離襯墊被用作上述光半導體元件密封用片材之保護材，對光半導體元件進行密封時剝離。再者，剝離襯墊亦可未必設置。
上述剝離襯墊係用以被覆上述光半導體元件密封用片材表面對其進行保護之要素，於配置有光半導體元件之基板貼合光半導體元件密封用片材時自該片材剝離。
作為上述剝離襯墊，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
上述剝離襯墊之厚度例如為10～200 μm、較佳為15～150 μm、更佳為20～100 μm。若上述厚度為10 μm以上，則於剝離襯墊之加工時難以因切口而破斷。若上述厚度為200 μm以下，則於使用時更容易將剝離襯墊自上述光半導體元件密封用片材剝離。
[光半導體元件密封用片材之製造方法] 對本發明之光半導體元件密封用片材之製造方法之一實施方式進行說明。例如關於圖1所示之光半導體元件密封用片材1，例如個別地製作分別被2片剝離襯墊之剝離處理面所夾持之擴散功能層21、著色層22、及非著色層23。貼合於擴散功能層21之其中一剝離襯墊為剝離襯墊3。
繼而，將貼附於非著色層23之剝離襯墊之一者剝離而使非著色層23表面露出，將露出面貼合於基材部4。其後，將貼附於著色層22之剝離襯墊之一者剝離，於將非著色層23表面之剝離襯墊剝離而露出之非著色層23表面貼合著色層22之露出面。
繼而，將貼附於擴散功能層21之剝離襯墊之一者(並非剝離襯墊3之剝離襯墊)剝離，於將著色層22表面之剝離襯墊剝離而露出之著色層22表面貼合擴散功能層21之露出面。再者，各種層之積層可使用公知之輥或貼合機進行。可以此方式製作於基材部4上依序積層有非著色層23、著色層22、擴散功能層21、及剝離襯墊3之圖1所示之光半導體元件密封用片材1。
[光半導體裝置] 可使用本發明之光半導體元件密封用片材製作顯示體等光半導體裝置。使用本發明之光半導體元件密封用片材所製造之顯示體具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之本發明之光半導體元件密封用片材或使該片材硬化而成之硬化物。於本發明之光半導體元件密封用片材具備放射線硬化性樹脂層之情形時，上述硬化物係藉由放射線照射使上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。
作為上述光半導體元件，例如可例舉：藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體、紫外線發光二極體等發光二極體(LED)。
於上述光半導體裝置中，本發明之光半導體元件密封用片材之將光半導體元件設為凸部、複數個光半導體元件間之間隙設為凹部時之對凹凸之追隨性優異且光半導體元件之追隨性及嵌埋性優異，故而較佳為一次性對複數個光半導體元件進行密封。
上述基板上之上述光半導體元件之高度(自基板表面至光半導體元件正面側之端部之高度)較佳為500 μm以下。若上述高度為500 μm以下，則密封樹脂層對於上述凹凸形狀之追隨性更優異。
圖2表示使用圖1所示之光半導體元件密封用片材1之光半導體裝置之一實施方式。圖2所示之光半導體裝置10具備基板5、配置於基板5之一面之複數個光半導體元件6、對光半導體元件6進行密封之密封樹脂層7、及積層於密封樹脂層7之基材部4。複數個光半導體元件6係一次性密封於密封樹脂層7。密封樹脂層7係積層擴散功能層71、著色層72、及非著色層73而形成。擴散功能層21追隨於由複數個光半導體元件6形成之凹凸形狀而密接於光半導體元件6及基板5，而對光半導體元件6進行嵌埋。又，擴散功能層71追隨於上述凹凸形狀而光半導體元件6側之界面具有凹凸形狀，另一界面成為平面。
密封樹脂層7係藉由密封用樹脂層2形成。具體而言，於光半導體元件密封用片材1中密封用樹脂層2不具有放射線硬化性樹脂層之情形時，密封用樹脂層2成為光半導體裝置10中之密封樹脂層7。另一方面，於光半導體元件密封用片材1中密封用樹脂層2具有放射線硬化性樹脂層之情形時，例如著色層22為放射線硬化性樹脂層之情形時，藉由使著色層22硬化而形成著色層72，從而成為密封樹脂層7。
再者，圖2所示之光半導體裝置10中，光半導體元件6完全嵌埋密封於擴散功能層71內，且間接地由著色層72及非著色層73所密封。即，光半導體元件6由包含擴散功能層71、著色層72、及非著色層73之積層體之密封樹脂層7所密封。上述光半導體裝置不限定於此種態樣，亦可為例如圖3所示般，光半導體元件6完全嵌埋密封於擴散功能層71及著色層72內，且間接地由非著色層73所密封之態樣。又，亦可為如圖4所示般，光半導體元件6完全嵌埋密封於擴散功能層71、著色層72、及非著色層73內之態樣。
上述光半導體裝置中，關於由非著色層A形成之上述密封樹脂層中之非著色層、由著色層B形成之上述密封樹脂層中之著色層、及由非著色層C形成之上述密封樹脂層中之非著色層，亦較佳為分別滿足上述之硬度A、硬度B、及硬度C之關係。
上述光半導體裝置亦可為拼貼各個光半導體裝置而成者。即，上述光半導體裝置亦可為於平面方向呈區塊(tile)狀配置複數個光半導體裝置而成者。
上述顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。又，藉由組合上述自發光型顯示裝置、及視需要之顯示面板可製成作為圖像顯示裝置之顯示體。該情形時之光半導體元件為LED元件。作為上述自發光型顯示裝置，可例舉LED顯示器或背光裝置、或者有機電致發光(有機EL)顯示裝置等。上述背光裝置尤佳為全面直下型之背光裝置。上述背光裝置例如包含具備上述基板及配置於該基板上之複數個光半導體元件之積層體作為構成構件之至少一部分。例如，上述自發光型顯示裝置中，上述基板上積層有用以向各LED元件發送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色之光之各LED元件介隔金屬配線層交替地排列於基板上。金屬配線層係藉由銅等金屬形成，調整各LED元件之發光程度而顯示各色。
本發明之光半導體元件密封用片材可用於彎折使用之光半導體裝置、例如具有能夠彎折之圖像顯示裝置(可撓性顯示器)(尤其是能夠摺疊之圖像顯示裝置(可摺疊顯示器))之光半導體裝置。具體而言，可用於能夠摺疊之背光裝置及能夠摺疊之自發光型顯示裝置等。
本發明之光半導體元件密封用片材由於光半導體元件之追隨性及嵌埋性優異，故而可較佳地用於上述光半導體裝置為小型LED顯示裝置之情形、及上述光半導體裝置為微型LED顯示裝置之情形之任一情形。
[光半導體裝置之製造方法] 上述光半導體裝置例如可藉由將本發明之光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板，利用密封用樹脂層對光半導體元件進行密封而製造。
(密封步驟) 於使用上述光半導體元件密封用片材製造光半導體裝置之方法中，具有以下之密封步驟：將上述光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板，藉由密封用樹脂層對光半導體元件進行密封。上述密封步驟中，具體而言，首先，自上述光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離而使密封用樹脂層露出。然後，於具備基板、及配置於上述基板上之光半導體元件(較佳為複數個光半導體元件)之積層體(光學構件等)之配置有光半導體元件之基板面貼合作為上述光半導體元件密封用片材之露出面之密封用樹脂層面，於上述積層體具備複數個光半導體元件之情形時，進而以上述密封用樹脂層填充複數個光半導體元件間之間隙之方式配置，一次性對複數個光半導體元件進行密封。具體而言，以與基板5之配置有光半導體元件6之面對向之方式配置自圖1所示之光半導體元件密封用片材1將剝離襯墊3剝離所露出之擴散功能層21，而將光半導體元件密封用片材1貼合於基板5之配置有光半導體元件6之面，而將光半導體元件6嵌埋於密封用樹脂層2。
上述貼合時之溫度例如為室溫至110℃之範圍內。又，亦可於上述貼合時進行減壓或加壓。藉由減壓或加壓，可抑制於密封用樹脂層與基板或光半導體元件之間形成空隙。又，上述密封步驟中，較佳為於減壓下貼合光半導體元件密封用片材，其後進行加壓。減壓之情形時之壓力例如為1～100 Pa，減壓時間例如為5～600秒。又，加壓之情形時之壓力例如為0.05～0.5 MPa，加壓時間例如為5～600秒。
(放射線照射步驟) 於上述密封用樹脂層具備放射線硬化性樹脂層之情形時，上述製造方法亦可進而具備以下之放射線照射步驟：對具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體照射放射線使上述放射線硬化性樹脂層硬化而形成硬化物層。作為上述放射線，如上所述，可例舉：電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。其中，較佳為紫外線。放射線照射時之溫度例如為室溫至100℃之範圍內，照射時間例如為1分鐘～1小時。
(切割步驟) 上述製造方法亦可進而具備以下之切割步驟：對具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體進行切割。關於上述積層體，亦可對經過上述放射線照射步驟之積層體進行。於上述積層體具備藉由上述放射線照射使放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物層之情形時，上述切割步驟中，將光半導體元件密封用片材之硬化物層及基板之側端部切割而去除。藉此，可使充分地硬化而黏著性降低得較低之硬化物層之面於側面露出。上述切割可藉由公知或慣用之方法進行，例如可藉由使用切割刀片之方法、或雷射照射進行。
(拼貼步驟) 上述製造方法亦可進而具備以下之拼貼步驟：將上述切割步驟中獲得之複數個光半導體裝置以於平面方向接觸之方式排列。上述拼貼步驟中，將上述切割步驟中獲得之複數個積層體以於平面方向接觸之方式排列而拼貼。可以此方式製造1個大的顯示體。
可以如上方式製造光半導體裝置。於光半導體元件密封用片材1中密封用樹脂層2不具有放射線硬化性樹脂層之情形時，密封用樹脂層2成為光半導體裝置10中之密封樹脂層7。另一方面，於光半導體元件密封用片材1中密封用樹脂層2具有放射線硬化性樹脂層之情形時，例如著色層22為放射線硬化性樹脂層之情形時，藉由使著色層22硬化而形成著色層72，而成為密封樹脂層7。 [實施例]
以下，例舉實施例對本發明進行更詳細之說明，但本發明不受該等實施例任何限定。
製造例1 (丙烯酸系預聚物溶液A之製備) 向具備溫度計、攪拌機、回流冷卻管、及氮氣導入管之可分離式燒瓶中投入作為單體成分之丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)78質量份、正乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)18質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)5質量份、光聚合起始劑(商品名「omnirad 184」，IGM Resins Italia Srl公司製造)0.035質量份、及光聚合起始劑(商品名「omnirad 651」，IGM Resins Italia Srl公司製造)0.035質量份後，通入氮氣，一面攪拌，一面進行約1小時氮氣置換。其後，以5 mW/cm 2照射紫外線進行聚合，以反應率成為5～15%之方式進行調整，獲得丙烯酸系預聚物溶液A。
製造例2 (丙烯酸系低聚物溶液之製備) 將甲苯100質量份、甲基丙烯酸二環戊酯(DCPMA)(商品名「FA-513M」，日立化成工業股份有限公司製造)60質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)40質量份、及作為鏈轉移劑之α-硫甘油3.5質量份投入至四口燒瓶中。然後，於70℃下、氮氣氛圍下攪拌1小時後，投入作為熱聚合起始劑之AIBN0.2質量份，於70℃下反應2小時，繼而於80℃下反應2小時。其後，將反應液投入至130℃之溫度氛圍下，將甲苯、鏈轉移劑、及未反應單體乾燥去除，藉此獲得固形狀之丙烯酸系低聚物。該丙烯酸系低聚物之Tg為144℃，Mw為4300。向上述丙烯酸系低聚物50質量份中添加丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)50質量份使之溶解，獲得丙烯酸系低聚物溶液。
製造例3 (黏著劑組合物A之製備) 向製造例1中製備之丙烯酸系預聚物溶液A(將預聚物總量設為100質量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)17.6質量份、製造例2中製備之丙烯酸系低聚物溶液11.8質量份、2官能單體(商品名「NK ESTER A-HD-N」，新中村化學工業股份有限公司製造)0.088質量份、矽烷偶合劑(商品名「KBM-403」，信越化學工業股份有限公司製造，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)0.353質量份，獲得黏著劑組合物A。
製造例4 (黏著劑組合物B之製備) 向製造例1中製備之丙烯酸系預聚物溶液A(將預聚物總量設為100質量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)17.6質量份、製造例2中製備之丙烯酸系低聚物溶液11.8質量份、2官能單體(商品名「NK ESTER A-HD-N」，新中村化學工業股份有限公司製造)0.294質量份、矽烷偶合劑(商品名「KBM-403」，信越化學工業股份有限公司製造，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)0.353質量份，獲得黏著劑組合物B。
製造例5 (丙烯酸系預聚物溶液B之製備) 向具備溫度計、攪拌機、回流冷卻管、及氮氣導入管之可分離式燒瓶中投入作為單體成分之丙烯酸丁酯(BA)67質量份、丙烯酸環己酯(CHA)14質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)19質量份、光聚合起始劑(商品名「omnirad 184」，IGM Resins Italia Srl公司製造)0.09質量份、及光聚合起始劑(商品名「omnirad 651」，IGM Resins Italia Srl公司製造)0.09質量份後，通入氮氣，一面攪拌，一面進行約1小時氮氣置換。其後，以5 mW/cm 2照射紫外線進行聚合，以反應率成為5～15%之方式進行調整，獲得丙烯酸系預聚物溶液B。
製造例6 (黏著劑組合物C之製備) 向製造例5中製備之丙烯酸系預聚物溶液B(將預聚物總量設為100質量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8質量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名「KAYARAD DPHA」，新中村化學工業股份有限公司製造)0.1質量份、矽烷偶合劑(商品名「KBM-403」，信越化學工業股份有限公司製造，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)0.4質量份，獲得黏著劑組合物C。
製造例7 (黏著劑組合物D之製備) 向製造例5中製備之丙烯酸系預聚物溶液B(將預聚物總量設為100質量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8質量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名「KAYARAD DPHA」，新中村化學工業股份有限公司製造)0.02質量份、矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，信越化學工業股份有限公司製造，商品名「KBM-403」)0.35質量份、及光聚合起始劑(商品名「omnirad 651」，IGM Resins Italia Srl公司製造)0.3質量份，獲得黏著劑組合物D。
製造例8 (非光擴散黏著劑層1～8之製作) 將黏著劑組合物A～D及添加劑以表1所示之質量比進行混合。將該混合物塗佈於剝離襯墊(商品名「MRE38」，三菱化學股份有限公司製造，對聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面實施剝離處理而成者，厚度38 μm)之剝離處理面上而形成樹脂組合物層後，於該樹脂組合物層上亦貼合剝離襯墊(商品名「MRF38」，三菱化學股份有限公司製造)之剝離處理面。繼而，藉由黑光照射表1中記載之照度之紫外線直至累計光量成為3600 mJ/cm 2為止而進行聚合，製作具有黏著性之非擴散功能層(非光擴散黏著劑層)1～8。
製造例9 (抗反射層1～2之製作) 將黏著劑組合物D及添加劑以表1之質量比進行混合。將該混合物塗佈於剝離襯墊(商品名「MRE38」，三菱化學股份有限公司製造，對聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面實施剝離處理而成者，厚度38 μm)之剝離處理面上而形成樹脂組合物層後，於該樹脂組合物層上亦貼合剝離襯墊(商品名「MRF38」，三菱化學股份有限公司製造)之剝離處理面。繼而，藉由黑光照射表1中記載之照度之紫外線直至累計光量成為3600 mJ/cm 2為止而進行聚合，製作著色層(抗反射層)1～2。再者，所謂9256BLACK，係黑色顏料之20%分散液(商品名「9256BLACK」，TOKUSHIKI股份有限公司製造)。
製造例10 (光擴散黏著劑層1之製作) 將黏著劑組合物D及添加劑以表1之質量比進行混合。將該混合物塗佈於剝離襯墊(商品名「MRE38」，三菱化學股份有限公司製造，對聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面實施剝離處理而成者，厚度38 μm)之剝離處理面上而形成樹脂組合物層後，於該樹脂組合物層上亦貼合剝離襯墊(商品名「MRF38」，三菱化學股份有限公司製造)之剝離處理面。繼而，藉由黑光照射表1中記載之照度之紫外線直至累計光量成為3600 mJ/cm 2為止而進行聚合，製作具有黏著性之擴散功能層(光擴散黏著劑層)1。再者，所謂Tospearl 145，係商品名「Tospearl 145」(Momentive Performance Materials Japan公司製造，折射率：1.42、平均粒徑：4.5 μm之聚矽氧樹脂)。又，所謂POB-A，係商品名「Light Acrylate POB-A」(共榮社化學股份有限公司製造)。
製造例11 (附防眩處理層之基材膜之製作) 作為防眩處理層形成材料中所含之樹脂，準備紫外線硬化型多官能丙烯酸酯樹脂(商品名「UA-53H」，新中村化學工業股份有限公司製造)40質量份、及以季戊四醇三丙烯酸酯作為主成分之多官能丙烯酸酯(商品名「Viscoat#300」，大阪有機化學工業股份有限公司製造)60質量份。相對於上述樹脂之樹脂合計固形物成分每100質量份，混合作為防眩處理層形成粒子之丙烯酸系樹脂與苯乙烯之共聚粒子(商品名「TECHPOLYMER SSX-103DXE」，積水化成品工業股份有限公司製造)7.0質量份、聚矽氧樹脂(商品名「TOSPEARL130」，Momentive Performance Materials Japan公司製造)3質量份、作為觸變性賦予劑之合成膨潤石(商品名「SUMECTON SAN」，KUNIMINE INDUSTRIES股份有限公司製造)2.5質量份、光聚合起始劑(商品名「OMNIRAD907」，BASF公司製造)3質量份、及調平劑(商品名「GRANDIC PC4100」，DIC股份有限公司製造)0.15質量份。以固形物成分濃度成為40質量%之方式將該混合物以甲苯/環戊酮混合溶劑(質量比80/20)進行稀釋，製備防眩處理層形成材料(塗覆液)。
作為透光性基材，準備透明塑膠膜基材(商品名「KC4UY」，TAC，Konica Minolta股份有限公司製造)。使用棒式塗佈機，於上述透明塑膠膜基材之單面將上述防眩處理層形成材料(塗覆液)形成塗膜。然後，將形成有該塗膜之透明塑膠膜基材搬送至乾燥步驟。乾燥步驟中，於80℃下加熱1分鐘，藉此使上述塗膜乾燥。其後，利用高壓水銀燈照射累計光量300 mJ/cm 2之紫外線，對上述塗膜進行硬化處理，形成厚度8.5 μm之防眩處理層，獲得霧度成為25%之防眩性膜(附防眩處理層之基材膜)。
實施例1 (光半導體元件密封用片材之製作) 自製造例8中獲得之非光擴散黏著劑層1將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離，使黏著面露出。將上述光擴散黏著劑層1之露出面貼合於製造例11中製作之附防眩處理層之基材膜之易接著處理面，於基材膜上形成非光擴散黏著劑層1。 繼而，自非光擴散黏著劑層1表面將剝離襯墊(商品名「MRF38」)剝離，使黏著面露出。將自製造例9中獲得之抗反射層1將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離而露出之黏著面貼合於非光擴散黏著劑層1之露出面，於非光擴散黏著劑層1上形成抗反射層1。 繼而，自抗反射層1表面將剝離襯墊(商品名「MRF38」)剝離，使黏著面露出。將自製造例10中獲得之光擴散黏著劑層1將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離而露出之黏著面貼合於抗反射層1之露出面，於抗反射層1上形成光擴散黏著劑層1。 然後，於室溫(23℃)下利用手壓輥以不夾帶氣泡之方式進行貼合，於遮光下放置兩天。以此方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層1(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例2 使用非光擴散黏著劑層2代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層2(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例3 使用非光擴散黏著劑層3代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層3(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例4 使用非光擴散黏著劑層4代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層4(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例5 使用非光擴散黏著劑層5代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層5(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例6 使用非光擴散黏著劑層6代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層6(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
實施例7 自製造例8中獲得之非光擴散黏著劑層7將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離，使黏著面露出。將上述光擴散黏著劑層7之露出面貼合於製造例11中製作之附防眩處理層之基材膜之易接著處理面，於基材膜上形成非光擴散黏著劑層7。 繼而，自非光擴散黏著劑層7表面將剝離襯墊(商品名「MRF38」)剝離，使黏著面露出。將自製造例9中獲得之抗反射層2將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離而露出之黏著面貼合於非光擴散黏著劑層7之露出面，於非光擴散黏著劑層7上形成抗反射層2。 然後，於室溫(23℃)下利用手壓輥以不夾帶氣泡之方式進行貼合，於遮光下放置兩天。以此方式獲得包含[剝離襯墊/抗反射層2(50 μm)/非光擴散黏著劑層7(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
比較例1 使用非光擴散黏著劑層8代替非光擴散黏著劑層1，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得包含[剝離襯墊/光擴散黏著劑層1(50 μm)/抗反射層1(50 μm)/非光擴散黏著劑層8(100 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
比較例2 自製造例9中獲得之抗反射層1將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離，使黏著面露出。將上述抗反射層1之露出面貼合於製造例11中製作之附防眩處理層之基材膜之易接著處理面，於基材膜上形成抗反射層1。 繼而，自抗反射層1表面將剝離襯墊(商品名「MRF38」)剝離，使黏著面露出。將自製造例8中獲得之非光擴散黏著劑層8將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離而露出之黏著面貼合於抗反射層1之露出面，於抗反射層1上形成非光擴散黏著劑層8。 然後，於室溫(23℃)下利用手壓輥以不夾帶氣泡之方式進行貼合，於遮光下放置兩天。以此方式獲得包含[剝離襯墊/非光擴散黏著劑層8(150 μm)/抗反射層1(50 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
比較例3 自製造例8中獲得之非光擴散黏著劑層8將剝離襯墊(商品名「MRE38」)剝離，使黏著面露出。將上述非光擴散黏著劑層8之露出面貼合於製造例11中製作之附防眩處理層之基材膜之易接著處理面，於基材膜上形成非光擴散黏著劑層8。 然後，於室溫(23℃)下利用手壓輥以不夾帶氣泡之方式進行貼合，於遮光下放置兩天。以此方式獲得包含[剝離襯墊/非光擴散黏著劑層8(200 μm)/基材膜]之光半導體元件密封用片材。
＜評價＞ 對各製造例中製作之各層、以及實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材進行以下之評價。將結果示於表2。
(1)殘存應力 關於各製造例中製作之光擴散黏著劑層、抗反射層(具有抗反射性之黏著劑層)、及非光擴散黏著劑層，切成40 mm×40 mm，自單側將黏著劑層捲起，製作長度40 mm之繩狀之捲繞試驗片。關於上述試驗片，使用萬能試驗機(商品名「Autograph AG-IS」，島津製作所股份有限公司製造)，將初期夾頭間距離設為20 mm，以拉伸倍率300%(拉伸後夾頭間距離80 mm)、拉伸速度300 mm/s進行拉伸，測定於拉伸狀態下保持300秒後之殘存應力。
(2)明度 (評價樣品之製作) 自光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離，將露出之黏著面貼附於凸加工為高度120 μm之8英吋晶圓。貼附時使用日東精機股份有限公司製造之裝置「MSV300」進行差壓貼附。差壓貼附之條件設為真空度：20 Pa、貼附壓力：0.1 MPa、晶圓表面溫度：60℃。
(明度測定) 使用顯微鏡(商品名「VHX-7000」，KEYENCE股份有限公司製造)及高性能低倍率可變焦距透鏡(商品名「VH-Z00R」，KEYENCE股份有限公司製造)，以50倍率、環形照明(明度最大)自附防眩處理層之基材膜側使焦點對準於凹凸晶圓之凸部，取得包含複數個凸部及凹部之範圍之圖像。圖像解析中使用「Image J」。所取得之圖像中，選擇3個凸部，製成柱狀圖，記錄凸部最大明度，將n3之平均值作為凸部最大明度。又，所取得之圖像中，選擇3個凹部，製成柱狀圖，將n3之平均值作為凹部平均明度。
關於凸部最大明度，值越高越能觀察到凸部之顯微鏡發出之光之反射，判斷為凸部之透過性越優異。於透過性優異之情形時，表示光半導體元件發出之光之提取效率優異，成為高亮度。表2中，將凸部最大明度為150以上之情形評價為亮度「○」，將凸部最大明度未達150之情形評價為亮度「×」。又，關於凹部平均明度，值越低表示越可抑制凹部之顯微鏡發出之光之反射，若為10～30，則判斷為充分具有抗反射效果(抗反射「○」)。另一方面，關於比較例3，無法使值低於140，判斷為抗反射「×」。
(抗反射與亮度之兼顧) 將抗反射及亮度之兩者為「○」之情形評價為「○」，將抗反射及亮度之至少一者為「×」之情形評價為「×」。
(3)L ＊a ＊b ＊(SCI) 以光半導體元件密封用片材之基材膜面朝外之方式將上述(2)明度之評價中製作之評價樣品靜置於平面。將分光測色計(商品名「CM-26dG」，Konica Minolta股份有限公司製造)之整個測定部設置於光半導體元件密封用片材之基材膜面而進行L ＊(SCI)、a ＊(SCI)、及b ＊(SCI)之測定。再者，以測色計之測定區域位於測定樣品之中央之方式進行設置，於下述條件下測定。又，利用上述分光測色計進行測定前，依照製造商指南實施零點校正、白色校正、GROSS校正。再者，僅於凹凸晶圓進行測定之情形時，L ＊(SCI)為66.8、a ＊(SCI)為0.6、b ＊(SCI)為-6.1。 ＜測定條件＞ 測定方法：色＆光澤 幾何條件：di：8°、de：8° 正反射光處理：SCI＋SCE 觀察光源：D65 觀察條件：10°視野 測定徑：MAV(8 mm) UV條件：100%Full 自動平均測定：3次 零點校正跳躍：有效
[表1]
(表1)
   非光擴散黏著劑層 抗反射層 光擴散黏著劑層
1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 1
組成 黏著劑組合物 A 100                              
B                100               
C    100 100 100 100    100            
D                      100 100 100 83
添加劑 Omnirad651    0.2 0.1 0.05             0.16 0.2 0.2
9256BLACK                         3.0 5.8   
TOSPEARL 145                               50
POB-A                               50
2-EHA                               34
聚合條件 黑光[mW/cm 2] 9.0 2.3 2.3 2.3 2.3 9.0 9.0 9.0 4.2 9.0 4.2
[表2]
(表2)
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 比較例2 比較例3
密封用樹脂層構成 第一層 非光擴散黏著劑層1 非光擴散黏著劑層2 非光擴散黏著劑層3 非光擴散黏著劑層4 非光擴散黏著劑層5 非光擴散黏著劑層6 非光擴散黏著劑層7 非光擴散黏著劑層8 抗反射層1 非光擴散黏著劑層8
殘存應力[N/cm 2] 14.7 15.2 16.1 17.3 17.8 23.2 16.6 6.0 6.8 6.0
第二層 抗反射層1 抗反射層1 抗反射層1 抗反射層1 抗反射層1 抗反射層1 抗反射層2 抗反射層1 非光擴散黏著劑層8 -
殘存應力[N/cm 2] 6.8 6.8 6.8 6.8 6.8 6.8 5.0 6.8 6.0 -
第三層 光擴散黏著劑層1 光擴散黏著劑層1 光擴散黏著劑層1 光擴散黏著劑層1 光擴散黏著劑層1 光擴散黏著劑層1 - 光擴散黏著劑層1 - -
殘存應力[N/cm 2] 11.1 11.1 11.1 11.1 11.1 11.1 - 11.1 - -
凹部平均明度 25 26 21 18 20 19 30 21 17 140
凸部最大明度 160 161 166 169 173 187 186 143 142 255
SCI 10° D65 L* 22.7 22.9 22.4 22.3 21.8 22.8 22.3 22.8 20.0 54.7
a* 1.4 1.5 1.5 1.5 1.6 1.4 1.5 1.5 1.7 0.3
b* -2.5 -2.5 -1.7 -1.7 -1.5 -1.6 -1.4 -2.2 -0.3 -7.2
亮度 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ○
抗反射 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
抗反射與亮度之兼顧 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ×
以下，記載本揭示之發明之變化。 [附記1]一種光半導體元件密封用片材，其係用以對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材， 上述片材具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層， 上述非著色層之硬度A及上述著色層之硬度B滿足A＞B。 [附記2]如附記1中記載之光半導體元件密封用片材，其中上述硬度為選自由殘存應力、彈性模數、楊氏模數、及藉由奈米壓痕法測定之硬度所組成之群中之1種以上。 [附記3]如附記1中記載之光半導體元件密封用片材，其中上述硬度為殘存應力，上述非著色層之殘存應力A1相對於上述著色層之殘存應力B1之比[殘存應力A1/殘存應力B1]為1.2以上。 [附記4]如附記1～3中任一項記載之光半導體元件密封用片材，其中上述密封用樹脂層於上述著色層之與上述非著色層相反側進而具備具有硬度C之非著色層。 [附記5]如附記4中記載之光半導體元件密封用片材，其中上述非著色層之硬度C及上述著色層之硬度B滿足C＞B。 [附記6]如附記1～5中任一項記載之光半導體元件密封用片材，其中上述密封用樹脂層包含擴散功能層。 [附記7]一種顯示體，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之如附記1～6中任一項記載之光半導體元件密封用片材或其硬化物。 [附記8]如附記7中記載之顯示體，其具備自發光型顯示裝置。 [附記9]如附記7或8中記載之顯示體，其為圖像顯示裝置。
1:光半導體元件密封用片材 2:密封用樹脂層 3:剝離襯墊 4:基材部 5:基板 6:光半導體元件 7:密封樹脂層 10:光半導體裝置 21:擴散功能層(非著色層C) 22:著色層(著色層B) 23:非著色層(非著色層A) 41:基材膜 42:功能層 71:擴散功能層 72:著色層 73:非著色層
圖1係本發明之一實施方式之光半導體元件密封用片材之剖視圖。 圖2係表示使用圖1所示之光半導體元件密封用片材之顯示體之一實施方式之局部剖視圖。 圖3係表示使用圖1所示之光半導體元件密封用片材之顯示體之另一實施方式之局部剖視圖。 圖4係表示使用圖1所示之光半導體元件密封用片材之顯示體之進而另一實施方式之局部剖視圖。
1:光半導體元件密封用片材
2:密封用樹脂層
3:剝離襯墊
4:基材部
21:擴散功能層(非著色層C)
22:著色層(著色層B)
23:非著色層(非著色層A)
41:基材膜
42:功能層

Claims (8)

  1. 一種光半導體元件密封用片材，其係用以對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材， 上述片材具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層， 上述非著色層之硬度A及上述著色層之硬度B滿足A＞B。
  2. 如請求項1之光半導體元件密封用片材，其中上述硬度為選自由殘存應力、彈性模數、楊氏模數、及藉由奈米壓痕法測定之硬度所組成之群中之1種以上。
  3. 如請求項1之光半導體元件密封用片材，其中上述硬度為殘存應力，上述非著色層之殘存應力A1相對於上述著色層之殘存應力B1之比[殘存應力A1/殘存應力B1]為1.2以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之光半導體元件密封用片材，其中上述密封用樹脂層於上述著色層之與上述非著色層相反側進而具備具有硬度C之非著色層。
  5. 如請求項1至3中任一項之光半導體元件密封用片材，其中上述密封用樹脂層包含擴散功能層。
  6. 一種顯示體，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之如請求項1至3中任一項之光半導體元件密封用片材或其硬化物。
  7. 如請求項6之顯示體，其具備自發光型顯示裝置。
  8. 如請求項6之顯示體，其為圖像顯示裝置。
TW112111198A 2022-03-25 2023-03-24 光半導體元件密封用片材及顯示體 TW202347832A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-049418 2022-03-25
JP2022049418 2022-03-25
JP2022-162205 2022-10-07
JP2022162205A JP7362872B2 (ja) 2022-03-25 2022-10-07 光半導体素子封止用シートおよび表示体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202347832A true TW202347832A (zh) 2023-12-01

Family

ID=86075961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112111198A TW202347832A (zh) 2022-03-25 2023-03-24 光半導體元件密封用片材及顯示體

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023160847A (zh)
KR (1) KR20230140498A (zh)
CN (1) CN116031351B (zh)
TW (1) TW202347832A (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007296691A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性材料、ガスバリア性材料の製造方法、透明導電膜付ガスバリア性材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5827864B2 (ja) * 2011-06-14 2015-12-02 日東電工株式会社 封止用シートおよび光半導体素子装置
JP5652410B2 (ja) * 2012-02-03 2015-01-14 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP6333604B2 (ja) * 2013-07-09 2018-05-30 富士フイルム株式会社 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、および画像表示装置
JP2015179769A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 信越化学工業株式会社 半導体封止用基材付封止材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US20220075227A1 (en) * 2018-12-28 2022-03-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical film, polarizer protective film, transfer body for polarizer protective film, polarization plate, image display device, and method for manufacturing polarizer protective film
JP6906560B2 (ja) 2019-04-03 2021-07-21 リンテック株式会社 粘着シートおよび表示体
JP7082150B2 (ja) * 2020-03-11 2022-06-07 リンテック株式会社 飛散防止粘着シートおよび表示体
JP7387522B2 (ja) * 2020-03-31 2023-11-28 日東電工株式会社 光学積層体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230140498A (ko) 2023-10-06
CN116031351B (zh) 2024-03-08
CN116031351A (zh) 2023-04-28
JP2023160847A (ja) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2639275A2 (en) Adhesive composition
JP7489532B2 (ja) 光半導体素子封止用シート
JP7451815B2 (ja) 光半導体素子封止用シート
TW202315168A (zh) 光半導體元件密封用片材
KR20220160593A (ko) 광 반도체 소자 밀봉용 시트
JP7362872B2 (ja) 光半導体素子封止用シートおよび表示体
TW202347832A (zh) 光半導體元件密封用片材及顯示體
JP7289008B1 (ja) 粘着剤層、積層シート、粘着剤組成物、および光半導体装置
TW202409231A (zh) 黏著劑層、積層片材、黏著劑組合物、及光半導體裝置
JP7447035B2 (ja) 光半導体素子封止用シート
WO2024070715A1 (ja) 粘着シート及び積層体
KR20240046853A (ko) 광반도체 소자 밀봉용 시트 및 표시체
JP2023022675A (ja) 光学積層体
TW202313340A (zh) 光學積層體
TW202315167A (zh) 光半導體元件密封用片材