TW202315168A - 光半導體元件密封用片材 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種光半導體元件密封用片材，其適於製造金屬配線之反射防止功能、對比度得到提昇，並且偏色得以減少之小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置。 本發明之光半導體元件密封用片材10具備擴散層1與抗反射層2。擴散層1為樹脂層，抗反射層2為樹脂層。擴散層1含有光擴散性微粒子，抗反射層2含有著色劑。

Description

光半導體元件密封用片材
本發明係關於一種光半導體元件密封用片材。更詳細而言，本發明係關於一種適於密封小型/微型LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等自發光型顯示裝置之光半導體元件的片材。
近年來，作為下一代之顯示裝置，業界研究出以小型/微型LED顯示裝置(Mini/Micro Light Emitting Diode Display)為代表之自發光型顯示裝置。關於小型/微型LED顯示裝置，其基本構成係使用高密度地排列有多個微小之光半導體元件(LED晶片)之基板作為顯示面板，該光半導體元件由密封材密封，且於最表層積層有樹脂膜或玻璃板等覆蓋構件。
於小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置中，在顯示面板之基板上配置有金屬或ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)等金屬氧化物之配線(金屬配線)，為了防止該金屬配線引起之反射，有時將抗反射層用作密封材(例如參照專利文獻1)。其中，於交替地排列有RGB三色光半導體元件之RGB方式之小型/微型LED顯示裝置中，上述抗反射層亦能夠有助於防止RGB之混色及提昇對比度。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2019-204905號公報
[發明所欲解決之問題]
小型/微型LED顯示裝置中交替地排列RGB三色光半導體元件，但RGB之側面發光之強度不同，具體而言，R之側面發光小於GB，因此，存在產生根據觀察角度變化，色調發生變化之被稱為偏色(colour cast)之現象的問題。
本發明係基於上述情況思考出者，本發明之目的在於提供一種適於製造金屬配線之反射防止功能、對比度得到提昇，並且偏色得以減少之小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置之光半導體元件密封用片材。 又，本發明之另一目的在於提供一種具備上述光半導體元件密封用片材之金屬配線之反射防止功能、對比度得到提昇，並且偏色得以減少之光半導體裝置、自發光型顯示裝置、圖像顯示裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了達成上述目的進行了銳意研究，結果發現，藉由使用具備擴散層與抗反射層，且該擴散層中調配有光擴散性微粒子、上述抗反射層中調配有著色劑之光半導體元件密封用片材，可製造防止金屬配線等之反射之功能、對比度得到提昇，並且偏色得以減少之小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置。本發明係基於該等知識見解而完成。
即，本發明之第1態樣提供一種用以密封配置於基板上之1個以上之光半導體元件之片材、即光半導體元件密封用片材。本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材具備擴散層與抗反射層。
本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材具備擴散層之構成就減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方面而言較為適宜。又，本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材具備抗反射層之構成就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度提昇之方面而言較為適宜。再者，密封光半導體元件之層可為擴散層，亦可為抗反射層，又，還可為利用擴散層與抗反射層兩者來密封光半導體元件之形態。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，上述擴散層為樹脂層。該構成就使下述光擴散性微粒子均勻地分散於上述擴散層之方面而言較為適宜。又，上述抗反射層為樹脂層。該構成就使下述著色劑均勻地分散或溶解於上述抗反射層之方面而言較為適宜。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，上述擴散層含有光擴散性微粒子。該構成就減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方面而言較為適宜。
又，於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，上述抗反射層含有著色劑。該構成就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度提昇之方面而言較為適宜。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，較佳為上述擴散層為黏著劑層，且上述抗反射層為黏著劑層。該構成就擴散層及/或抗反射層無間隙地填充於小型/微型LED顯示裝置之基板上所排列之光半導體元件之階差，階差吸收性優異，可防止顯示不均之方面而言較佳。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，構成上述擴散層及抗反射層之黏著劑層較佳為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。該構成就構成丙烯酸系聚合物之單體種類較多，設計裕度較高之方面而言較佳。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，上述光擴散性微粒子較佳為包含矽酮樹脂之微粒子。該構成就具有對樹脂層優異之分散性、穩定性及與樹脂層之適當之折射率差，可獲得面內示出均勻霧度之擴散性能優異之擴散層，減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方面而言較為適宜。
於本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材中，上述光擴散性微粒子與構成上述擴散層之樹脂層的折射率差之絕對值較佳為0.001～5。上述折射率差為0.001以上之構成就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言較佳。又，上述折射率差為5以下之構成就防止霧度值變得過高，顯示高精細圖像之觀點而言較佳。
本發明之第2態樣提供一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材，且上述光半導體元件密封用片材密封上述光半導體元件。本發明之第2態樣之光半導體裝置較佳為自發光型顯示裝置。又，本發明之第3態樣提供一種具備上述自發光型顯示裝置之圖像顯示裝置。
由於本發明之第2態樣之光半導體裝置(較佳為自發光型顯示裝置)、及本發明之第3態樣之圖像顯示裝置使用本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材進行製造，故金屬配線之反射防止功能、對比度得到提昇，並且偏色得以減少。 [發明之效果]
藉由使用本發明之光半導體元件密封用片材，可製造金屬配線之反射防止功能、對比度得到提昇、並且偏色得以減少之小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置。
本發明之第1態樣提供一種光半導體元件密封用片材。有時將本發明之第1態樣之光半導體元件密封用片材稱為「本發明之光半導體元件密封用片材」。
「光半導體元件密封用片材」係「用以將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封之片材」。作為光半導體元件，只要為具有發光功能之半導體元件即可，並無特別限定，包括發光二極體(LED)、半導體雷射等。尤其是用於在基板上配置有複數個LED晶片之小型/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置之LED晶片密封之形態較佳。
本發明之光半導體元件密封用片材具備擴散層與抗反射層。有時將構成本發明之光半導體元件密封用片材之擴散層及抗反射層分別稱為「本發明之擴散層」、「本發明之抗反射層」。
本發明之光半導體元件密封用片材可僅由擴散層與抗反射層構成，亦可進而具有除擴散層與抗反射層以外之層(其他層)。作為其他層，可例舉：基材、剝離膜(隔離膜)、表面保護膜、黏著劑層等。其他層可配置於本發明之光半導體元件密封用片材之表面、或任意之層間，例如亦可配置於擴散層之主面、抗反射層之主面、擴散層與抗反射層之層間等。
本發明之第2態樣提供一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及本發明之光半導體元件密封用片材，且上述光半導體元件密封用片材密封上述光半導體元件。本發明之第2態樣之光半導體裝置較佳為自發光型顯示裝置。又，本發明之第3態樣提供一種具備上述自發光型顯示裝置之圖像顯示裝置。
有時將本發明之第2態樣之光半導體裝置、自發光型顯示裝置、本發明之第3態樣之圖像顯示裝置分別稱為「本發明之光半導體裝置」、「本發明之自發光型顯示裝置」、「本發明之圖像顯示裝置」。
以下，聯繫圖對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不限定於此，其只不過為例示。 圖1、2係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之模式圖(剖視圖)。圖3、4係表示本發明之自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)之一實施方式之模式圖(剖視圖)。
圖1中，光半導體元件密封用片材10具有積層有擴散層1與抗反射層2之積層構造。於光半導體元件密封用片材10中，擴散層1與抗反射層2鄰接，即，擴散層1與抗反射層2直接接觸地積層。圖2中，光半導體元件密封用片材11具有擴散層1抗反射層2隔著基材S積層之積層構造。即，擴散層1與抗反射層2隔著其他層積層，而非直接接觸地積層。
圖3中，自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)20包含於基板3之單面排列有複數個LED晶片5之顯示面板、及本發明之光半導體元件密封用片材10。基板3上之LED晶片5由光半導體元件密封用片材10之抗反射層2密封。圖4中，自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)21包含於基板3之單面排列有複數個LED晶片5之顯示面板、及本發明之光半導體元件密封用片材10。基板3上之LED晶片5由光半導體元件密封用片材10之擴散層1密封。
於本實施方式中，在顯示面板之基板3上積層有用以對各LED晶片5發送發光控制信號之金屬配線層4。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色光之各LED晶片5於顯示面板之基板3上隔著金屬配線層4交替地排列。金屬配線層4係由銅等金屬形成，反射外界光導致圖像之視認性降低。又，RGB各色之各LED晶片5所發出之光發生混色，導致對比度降低。
於本實施方式中，排列於顯示面板上之各LED晶片5由擴散層1及/或抗反射層2無間隙地密封。即，擴散層1及/或抗反射層2之積層構造能夠成為各LED晶片5之密封材。 於本實施方式中，擴散層1及/或抗反射層2將排列於顯示面板上之各LED晶片5及金屬配線層4密封。
於本實施方式中，擴散層1含有光擴散性微粒子(省略圖示)。擴散層1含有光擴散性微粒子之構成可提高擴散層1之霧度值，使LED晶片5所發出之光充分擴散，能夠抑制根據觀察角度變化導致色調不同之偏色。
又，於本實施方式中，抗反射層2含有著色劑(省略圖示)。抗反射層2含有著色劑之構成於使抗反射層2之全光線透過率降低而賦予充分之遮光性之方面上較為適宜。由於具有高遮光性之抗反射層2之光半導體元件密封用片材10密封金屬配線層4，故可防止金屬配線層4引起之反射。又，具有高遮光性之抗反射層2之光半導體元件密封用片材10密封LED晶片5之間，可防止RGB之混色而使對比度提昇。 以下，對各構成詳細進行說明。
＜光半導體元件密封用片材＞ 於本發明之光半導體元件密封用片材中，本發明之擴散層之全光線透過率T 1、及本發明之抗反射層之全光線透過率T 2較佳為滿足T 1＞T 2。即，本發明之擴散層之全光線透過率較佳為高於本發明之抗反射層之全光線透過率。該構成就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度提昇之方面而言較為適宜。就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度進一步提昇之觀點而言，較佳為滿足T 1＞2T 2，更佳為滿足T 1＞3T 2，進而較佳為滿足T 1＞4T 2，尤佳為滿足T 1＞5T 2，亦可滿足T 1＞6T 2、T 1＞7T 2、T 1＞8T 2、T 1＞9T 2、T 1＞10T 2、T 1＞11T 2、T 1＞12T 2、T 1＞13T 2、T 1＞14T 2、或T 1＞15T 2。又，就確保小型/微型LED顯示裝置之亮度之觀點而言，亦可滿足1000T 2＞T 1、或500T 2＞T 1。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，關於本發明之擴散層之全光線透過率T 1、及本發明之抗反射層之全光線透過率T 2之差(T 1－T 2)，就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度進一步提昇之觀點而言，較佳為30%以上，更佳為35%以上，進而較佳為40%以上，尤佳為45%以上，亦可為50%以上。又，就確保小型/微型LED顯示裝置之亮度之觀點而言，(T 1－T 2)亦可為95%以下、或92%以下。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，T 1、T 2之上述關係可根據構成上述擴散層、抗反射層之下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、下述著色劑、光擴散性微粒子之種類或調配量等進行控制。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，本發明之擴散層之霧度值H 1、及本發明之抗反射層之霧度值H 2較佳為滿足H 1＞H 2。即，上述擴散層之霧度值較佳為高於上述抗反射層之霧度值。該構成就減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方面而言較為適宜。就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為滿足H 1＞1.1H 2，更佳為滿足H 1＞1.5H 2，進而較佳為滿足H 1＞2H 2，尤佳為滿足H 1＞2.5H 2，亦可滿足H 1＞3H 2、H 1＞3.5H 2、H 1＞4H 2、H 1＞4.5H 2、H 1＞5H 2、H 1＞5.5H 2、H 1＞6H 2、H 1＞6.5H 2、H 1＞7H 2、H 1＞7.5H 2、H 1＞8H 2、H 1＞8.5H 2、或H 1＞9H 2。又，就確保小型/微型LED顯示裝置之視認性之觀點而言，亦可滿足100H 2＞H 1、或50H 2＞H 1。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，關於本發明之擴散層之霧度值H 1、及本發明之抗反射層之霧度值H 2之差(H 1－H 2)，就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為1%以上，更佳為4%以上，進而較佳為10%以上，尤佳為15%以上，亦可為20%以上。又，就確保小型/微型LED顯示裝置之視認性之觀點而言，(H 1－H 2)亦可為95%以下、或90%以下。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，H 1、H 2之上述關係可根據構成擴散層、抗反射層之下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、下述光擴散性微粒子、著色劑之種類或調配量等進行控制。
本發明之光半導體元件密封用片材之全光線透過率(包含擴散層、抗反射層在內之整體之全光線透過率)並無特別限定，就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度進一步提昇之觀點而言，較佳為55%以下，更佳為50%以下，進而較佳為45%以下，尤佳為40%以下。又，本發明之光半導體元件密封用片材之全光線透過率就確保小型/微型LED顯示裝置之亮度之觀點而言，較佳為0.1%以上，更佳為0.3%以上，進而較佳為0.5%以上，尤佳為0.7%以上，或亦可為0.8%以上。
本發明之光半導體元件密封用片材之全光線透過率可利用JIS 7361中規定之方法進行測定，可根據下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、下述著色劑、光擴散性微粒子之種類或調配量等進行控制。
本發明之光半導體元件密封用片材之霧度值(包含擴散層、抗反射層在內之整體之霧度值)並無特別限定，就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為20%以上，更佳為30%以上，進而較佳為40%以上，尤佳為50%以上，亦可為60%以上、70%以上、80%以上、90%以上，進而於99.9%附近之霧度值對於改善偏色之效果最優異，故較佳。再者，光半導體元件密封用片材之霧度值之上限並無特別限定，即，亦可為100%。
本發明之光半導體元件密封用片材之霧度值可利用JIS 7136中規定之方法進行測定，可根據下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、下述光擴散性微粒子、著色劑之種類或調配量等進行控制。
本發明之光半導體元件密封用片材之厚度(包含擴散層、抗反射層在內之整體之厚度)就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度提昇，並且更有效率地減少偏色之觀點而言，較佳為10～600 μm，更佳為20～550 μm，進而較佳為30～500 μm，尤佳為40～450 μm、50～400 μm。再者，於本發明之光半導體元件密封用片材包含基材作為其他層之情形時，基材包含於本發明之光半導體元件密封用片材之厚度內，但剝離膜(隔離膜)不包含於本發明之光半導體元件密封用片材之厚度內。
抗反射層之厚度相對於擴散層之厚度的比率(抗反射層之厚度/擴散層之厚度)並無特別限定，只要以充分地密封排列於下述顯示面板上之發光元件並且更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方式進行適當設定即可。具體而言，(抗反射層之厚度/擴散層之厚度)例如為0.1～3左右，較佳為0.15～3，更佳為0.2～3。又，例如為0.1～3左右，較佳為0.1～2.5，更佳為0.1～2。
＜擴散層＞ 本發明之擴散層係具有使光發生擴散之功能的層，其係由樹脂層構成。又，本發明之擴散層含有光擴散性微粒子。即，本發明之擴散層藉由含有分散於樹脂層中之光擴散性微粒子，而使自光半導體元件照射之光發生擴散，減少小型/微型LED顯示裝置之偏色，就該方面而言較為適宜。
本發明之擴散層之霧度值並無特別限定，就有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為30%以上，更佳為40%以上，進而較佳為50%以上，尤佳為60%以上，亦可為70%以上、80%以上、90%以上，進而於99.9%附近之霧度值對於改善偏色之效果最優異，故較佳。再者，擴散層之霧度值之上限並無特別限定，即，亦可為100%。
本發明之擴散層之全光線透過率並無特別限定，就確保小型/微型LED顯示裝置之亮度之觀點而言，較佳為60%以上，更佳為70%以上，進而較佳為80%以上，尤佳為90%以上。又，本發明之擴散層之全光線透過率之上限值並無特別限定，可未達100%，亦可為99.9%以下、或99%以下。
本發明之擴散層之霧度值及全光線透過率分別可利用JIS 7136、JIS 7361中規定之方法進行測定，可根據下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、下述光擴散性微粒子、著色劑之種類或調配量等進行控制。
本發明之擴散層之厚度就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置中之偏色之觀點而言，較佳為10～300 μm，更佳為15～250 μm，更佳為20～300 μm，進而較佳為25～200 μm。
上述光擴散性微粒子具有與樹脂層之適當之折射率差，對擴散層賦予擴散性能。若擴散層含有光擴散性微粒子，則於達成賦予對光之擴散性能以使上述H 1及上述H 2滿足H 1＞H 2之構成之方面上較佳。作為光擴散性微粒子，可例舉無機微粒子、高分子微粒子等。作為無機微粒子之材質，例如可例舉：氧化矽、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、黏土、滑石、二氧化鈦等。作為高分子微粒子之材質，例如可例舉：矽酮樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯樹脂、聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚乙烯樹脂、環氧樹脂等。光擴散性微粒子較佳為高分子微粒子，尤其是包含矽酮樹脂之微粒子(例如，邁圖高新材料日本公司製造之TOSPEARL系列)具有對樹脂層優異之分散性、穩定性及與樹脂層之適當之折射率差，可獲得面內示出均勻霧度之擴散性能優異之擴散層，減少小型/微型LED顯示裝置之偏色，就該方面而言較為適宜。光擴散性微粒子之形狀例如可為真球狀、扁平狀、不定形狀。光擴散性微粒子可單獨使用，亦可組合兩種以上使用。
光擴散性微粒子之平均粒徑就對擴散層賦予適當之光擴散性能之觀點而言，較佳為0.1 μm以上，更佳為0.15 μm以上，進而較佳為0.2 μm以上，尤佳為0.25 μm以上。又，光擴散性微粒子之平均粒徑就防止霧度值變得過高，顯示高精細圖像之觀點而言，較佳為12 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為8 μm以下。平均粒徑例如可使用庫爾特計數器進行測定。
光擴散性微粒子之折射率較佳為1.2～5，更佳為1.25～4.5，亦可為1.3～4、或1.35～3。
關於光擴散性微粒子與構成擴散層之樹脂層(擴散層中除光擴散性微粒子以外之樹脂層)的折射率差之絕對值，就更有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為0.001以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.02以上，尤佳為0.03以上，亦可為0.04以上、或0.05以上。又，光擴散性微粒子與樹脂層之折射率差之絕對值就防止霧度值變得過高，顯示高精細圖像之觀點而言，較佳為5以下，更佳為4以下，進而較佳為3以下。
擴散層中之光擴散性微粒子之含量就對擴散層賦予適當之光擴散性能之觀點而言，相對於構成樹脂層之樹脂100重量份，較佳為0.01重量份以上，更佳為0.05重量份以上，進而較佳為0.1重量份以上，尤佳為0.15重量份以上。又，光擴散性微粒子之含量就防止霧度值變得過高，顯示高精細圖像之觀點而言，相對於構成樹脂層之樹脂100重量份，較佳為80重量份以下，更佳為70重量份以下。
作為構成擴散層之樹脂層，例如可例舉電離輻射硬化型樹脂層、黏著劑層。於樹脂層由電離輻射硬化型樹脂層構成之情形時，作為電離輻射，例如可例舉紫外線、可見光、紅外線、電子束。較佳為紫外線，因此，較佳為由紫外線硬化型樹脂層構成。作為紫外線硬化型樹脂，例如可例舉：丙烯酸系樹脂、脂肪族系(例如聚烯烴)樹脂、聚胺酯系樹脂。
本發明之擴散層較佳為黏著劑層。於擴散層由黏著劑層構成之情形時，擴散層及/或抗反射層無間隙地填充於小型/微型LED顯示裝置之基板上所排列之光半導體元件之階差，階差吸收性優異，可防止顯示不均，就該方面而言較佳。作為黏著劑層，可例舉由選自光硬化性黏著劑組合物及溶劑型黏著劑組合物中之黏著劑組合物所形成之黏著劑層。就階差吸收性優異，並且加工性亦優異之方面而言，上述黏著劑層較佳為由光硬化性黏著劑組合物形成之黏著劑層。
上述光硬化性黏著劑組合物含有聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑。即，用於形成上述黏著劑層之光硬化性黏著劑組合物含有聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑。
使用光硬化性黏著劑組合物所形成之黏著劑層大致分為：進行光硬化之類型之黏著劑層(第一形態)、及不進行光硬化而在與下述顯示面板貼合後進行光硬化之類型之黏著劑層(第二形態)。
[第一形態] 第一形態之黏著劑層可藉由將含有聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑之光硬化性黏著劑組合物塗佈於剝離膜上並進行光硬化而形成。
(聚合物) 作為上述光硬化性黏著劑組合物所包含之基礎聚合物，可例舉：丙烯酸系聚合物、矽酮系聚合物、聚酯、聚胺酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等聚合物。尤其是，就表現適度之潤濕性、凝集性及接著性等黏著特性，耐候性或耐熱性等亦優異，又，單體種類較多，設計裕度較高之方面而言，適宜使用丙烯酸系聚合物。
上述丙烯酸系聚合物含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要構成單體成分。再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，(甲基)丙烯酸烷基酯之量較佳為50重量%以上，更佳為55重量%以上，進而較佳為60重量%以上。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，適宜使用烷基之碳數為1～20之(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可具有分支烷基，亦可具有環狀烷基。
作為具有鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例，可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸異十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸異十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸異十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯等。作為用於第一形態之較佳之具有鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，為(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，具有鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之量例如為40～90重量%左右，亦可為45～80重量%或50～70重量%。
作為具有脂環式烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例，可例舉：(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、(甲基)丙烯酸環辛酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等具有二環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸雙環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊氧基乙酯、(甲基)丙烯酸三環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯等具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯。作為用於第一形態之較佳之具有脂環式烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，為(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，具有脂環式烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之量例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
丙烯酸系聚合物亦可含有含羥基單體、含羧基單體、含氮單體等含極性基之單體作為構成單體成分。丙烯酸系聚合物藉由含有含極性基之單體作為構成單體成分，而有提高黏著劑之凝集力，提昇接著力之傾向。用於第一形態之較佳之含極性基之單體為含羥基單體、含氮單體，更佳為含羥基單體。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，含極性基之單體之量(含羥基單體、含羧基單體、及含氮單體之合計)例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
作為含羥基單體，可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等(甲基)丙烯酸酯。於利用異氰酸酯交聯劑向聚合物中導入交聯結構之情形時，羥基有可能成為與異氰酸酯基之反應點(交聯點)。用於第一形態之較佳之含羥基單體為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，含羥基單體之量例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
作為含羧基單體，可例舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯等丙烯酸系單體、或伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。於利用環氧系交聯劑向聚合物中導入交聯結構之情形時，羧基有可能成為與環氧基之反應點(交聯點)。用於第一形態之較佳之含羧基單體為(甲基)丙烯酸。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，含羧基單體之量例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
作為含氮單體，可例舉：N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌𠯤、乙烯基吡𠯤、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基㗁唑、乙烯基嗎啉、(甲基)丙烯醯嗎啉、N-乙烯基羧醯胺類、N-乙烯基己內醯胺、丙烯醯胺等乙烯系單體、或丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基單體。用於第一形態之較佳之含氮單體為N-乙烯基吡咯啶酮。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，含氮單體之量例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
丙烯酸系聚合物亦可含有含酸酐基單體、(甲基)丙烯酸之己內酯加成物、含磺酸基單體、含磷酸基單體、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等乙烯系單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、矽酮(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基苄基酯、(甲基)丙烯酸苄酯等經取代或未經取代之(甲基)丙烯酸芳烷基酯等丙烯酸酯系單體等作為上述以外之單體成分(有時稱為「其他單體」)。相對於構成丙烯酸系聚合物之單體成分總量，其他單體之量例如為3～50重量%左右，亦可為5～40重量%或10～30重量%。
光硬化性黏著劑組合物所包含之聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為0℃以下。聚合物之玻璃轉移溫度亦可為-5℃以下、-10℃以下或-15℃以下。聚合物之玻璃轉移溫度係利用動態黏彈性測定所測得之損耗正切(tanδ)之峰頂溫度。於聚合物中導入有交聯結構之情形時，根據聚合物之組成並基於理論Tg算出玻璃轉移溫度即可。理論Tg可藉由下述Fox式算出。 1/Tg＝Σ(W i/Tg i) Tg：共聚物之玻璃轉移溫度(單位：K) W i：該共聚物中之單體i之重量分率(重量基準之共聚比率) Tg i：單體i之均聚物之玻璃轉移溫度(單位：K)
藉由利用各種公知之方法使上述單體成分進行聚合，可獲得聚合物。聚合方法並無特別限定，較佳為藉由光聚合來製備聚合物。光聚合時，可於不使用溶劑之情況下製備聚合物，故於黏著劑層之形成時無需將溶劑乾燥去除，能夠均勻地形成厚度較大之黏著劑層。
於第一形態之黏著劑層之製作時，較佳為製備為單體成分之一部分未反應而殘存之低聚合度之聚合物(預聚物)。用於製備預聚物之組合物(預聚物形成用組合物)較佳為除單體以外還含有光聚合起始劑。光聚合起始劑只要根據單體之種類適當選擇即可。例如，於丙烯酸系聚合物之聚合時，可使用光自由基聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可例舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿
Figure 111129501-001
系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑等。
聚合時，出於調整分子量等目的，亦可使用鏈轉移劑或聚合抑制劑(聚合延遲劑)等。作為鏈轉移劑，可例舉：α-硫甘油、月桂基硫醇、縮水甘油基硫醇、巰基乙酸、2-巰基乙醇、硫代乙醇酸、硫代乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇等硫醇類、或α-甲基苯乙烯二聚物等。
預聚物之聚合率並無特別限定，就設為適於在基材上塗佈之黏度之觀點而言，較佳為3～50重量%，更佳為5～40重量%。預聚物之聚合率可藉由調整光聚合起始劑之種類或使用量、UV光等活性光線之照射強度、照射時間等，而調整在所期望之範圍內。預聚物之聚合率係以130℃加熱3小時之際之不揮發分，並藉由下述式算出。黏著劑層之聚合率(不揮發分)亦可利用同樣之方法進行測定。 聚合率(%)＝加熱後之重量/加熱前之重量×100
如上所述，用於形成黏著劑層之光硬化性黏著劑組合物含有聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑。例如，藉由向預聚物中添加光聚合性化合物、及光聚合起始劑，可獲得光硬化性黏著劑組合物。亦可使用低分子量之聚合物(低聚物)代替使用預聚物，向低分子量之聚合物中混合光聚合性化合物、光聚合起始劑而製備光硬化性黏著劑組合物。
(光聚合性化合物) 上述光硬化性黏著劑組合物所包含之光聚合性化合物於1分子中具有1個或複數個光聚合性官能基。光聚合性官能基為自由基聚合性、陽離子聚合性及陰離子聚合性均可，就反應性優異之方面而言，較佳為具有不飽和雙鍵(乙烯性不飽和基)之自由基聚合性官能基。
預聚物中包含聚合物及未反應之單體，未反應之單體保持光聚合性。因此，於光硬化性黏著劑組合物之製備時，不一定要添加光聚合性化合物。於向預聚物中添加光聚合性化合物之情形時，所要添加之光聚合性化合物可與製備預聚物時使用之單體相同，亦可不同。
於聚合物為丙烯酸系聚合物之情形時，作為光聚合性化合物所添加之化合物就與聚合物之相容性較高之方面而言，較佳為具有(甲基)丙烯醯基作為光聚合性官能基之單體或低聚物。光聚合性化合物亦可為1分子中具有2個以上之光聚合性官能基之多官能化合物。作為光聚合性多官能化合物，可例舉多官能(甲基)丙烯酸酯。作為多官能(甲基)丙烯酸酯，可例舉：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧乙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧丙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、胺酯二(甲基)丙烯酸酯等二官能(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、及乙氧化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯等三官能(甲基)丙烯酸酯；二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等四官能(甲基)丙烯酸酯；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等及二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等五官能以上之(甲基)丙烯酸酯。
於使用多官能化合物作為光聚合性化合物之情形時，多官能化合物之使用量相對於聚合物(包含預聚物)100重量份，較佳為10重量份以下，更佳為0.001～1重量份，進而較佳為0.005～0.5重量份。於多官能單體之使用量過大之情形時，存在光硬化後之黏著劑層之黏性較低，接著力較差之情況。多官能化合物之使用量亦可為10重量份以下、5重量份以下、3重量份以下或1重量份以下。多官能單體之使用量可為0，亦可為0.001重量份以上、0.01重量份以上或0.1重量份以上。
於使用形成預聚物之單體作為光聚合性化合物之情形時，較佳為含羥基單體，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯。於使用含羥基單體作為光聚合性化合物之情形時，含羥基單體之使用量相對於聚合物(包含預聚物)100重量份，較佳為40重量份以下，更佳為1～30重量份，進而較佳為5～20重量份。含羥基單體之使用量亦可為40重量份以下、30重量份以下、20重量份以下。含羥基單體之使用量可為0，亦可為1重量份以上、5重量份以上或10重量份以上。
(光聚合起始劑) 光硬化性黏著劑組合物含有光聚合起始劑。光聚合起始劑係藉由照射紫外線等活性光線而產生自由基、酸、鹼等者，可根據光聚合性化合物之種類等適當選擇。於光聚合性化合物為具有(甲基)丙烯醯基之化合物(例如，單官能或多官能之(甲基)丙烯酸酯)之情形時，較佳為使用光自由基聚合起始劑作為光聚合起始劑。光聚合起始劑可單獨使用，亦可混合兩種以上使用。
於上述聚合物(包含預聚物)之製備(聚合)時使用之光聚合起始劑未失活而殘存之情形時，亦可省略光聚合起始劑之添加。於向聚合物中添加光聚合起始劑之情形時，所要添加之光聚合起始劑可與製備聚合物時使用之光聚合起始劑相同，亦可不同。
光硬化性黏著劑組合物中之光聚合起始劑之含量相對於單體總量(用於製備聚合物之單體、及添加至聚合物中之光聚合性化合物)100重量份，為0.01～10重量份左右，較佳為0.05～5重量份左右。
(矽烷偶合劑) 於光硬化性黏著劑組合物中，可在無損本發明之效果之範圍內含有矽烷偶合劑。若光硬化性黏著劑組合物中含有矽烷偶合劑，則對玻璃之接著可靠性(尤其是高溫高濕環境下對玻璃之接著可靠性)提昇，故較佳。
上述矽烷偶合劑並無特別限定，較佳為例舉：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。其中，較佳為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷。又，作為市售品，例如可例舉商品名「KBM-403」(信越化學工業股份有限公司製造)。再者，矽烷偶合劑可單獨使用或亦可組合兩種以上使用。
光硬化性黏著劑組合物中之矽烷偶合劑之含量並無特別限定，相對於聚合物100重量份，較佳為0.01～1重量份，更佳為0.03～0.5重量份。
(其他成分) 於第一形態中，光硬化性黏著劑組合物亦可含有除聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑以外之成分。例如，出於光硬化速度之調整等目的，亦可含有鏈轉移劑。又，出於上述光硬化性黏著劑組合物之黏度調整或黏著劑層之接著力之調整等目的，亦可含有低聚物或黏著賦予劑。作為低聚物，例如可使用重量平均分子量為1000～30000左右者。作為低聚物，就與丙烯酸系聚合物之相容性優異之方面而言，較佳為丙烯酸系低聚物。上述光硬化性黏著劑組合物亦可含有塑化劑、軟化劑、劣化防止劑、填充劑、抗氧化劑、界面活性劑、抗靜電劑、著色劑等添加劑。
[第二形態] 第二形態之黏著劑層係不進行光硬化之類型之黏著劑層，且光硬化性黏著劑組合物形成為片狀。由於第二形態之黏著劑層以未反應之狀態含有光聚合性化合物，故黏著劑層具有光硬化性。
用於形成第二形態之黏著劑層之光硬化性黏著劑組合物含有聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑。
(聚合物) 黏著劑組合物所包含之聚合物與第一形態相同，能夠應用各種聚合物，適宜使用丙烯酸系聚合物。構成丙烯酸系聚合物之單體成分與第一形態相同。
為了藉由下述交聯劑導入交聯結構，較佳為於構成聚合物之單體成分中含有含羥基單體及/或含羧基單體。例如，於使用異氰酸酯系交聯劑之情形時，較佳為含有含羥基單體作為單體成分。於使用環氧系交聯劑之情形時，較佳為含有含羧基單體作為單體。
第二形態中，由於未在基材上進行光硬化，故為了形成固體狀(定型)之黏著劑層，可使用分子量相對較大之聚合物作為光硬化性黏著劑組合物所包含之聚合物。聚合物之重量平均分子量例如為10萬～200萬左右。
由於高分子量之聚合物為固體，故黏著劑組合物較佳為聚合物溶解於有機溶劑而得之溶液。例如，藉由使單體成分進行溶液聚合，可獲得聚合物溶液。亦可將固體之聚合物溶解於有機溶劑而製備聚合物溶液。
作為溶液聚合之溶劑，通常可使用乙酸乙酯、甲苯等。溶液濃度通常為20～80重量%左右。作為聚合起始劑，較佳為使用偶氮系起始劑、過氧化物系起始劑、組合過氧化物與還原劑而成之氧化還原系起始劑(例如，過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉之組合)等熱聚合起始劑。聚合起始劑之使用量並無特別限制，例如，相對於形成聚合物之單體成分總量100重量份，較佳為0.005～5重量份左右，更佳為0.02～3重量份左右。
(光聚合性化合物) 第二形態中，黏著劑組合物所包含之光聚合性化合物與上述對於第一形態所說明者相同，可使用具有1個或2個以上之光聚合性官能基之化合物。
(光聚合起始劑) 第二形態中，黏著劑組合物所包含之光聚合起始劑與上述對於第一形態所說明者相同，較佳為於波長330～400 nm之區域具有極大吸收者。光聚合起始劑之量相對於聚合物100重量份為0.01～10重量份左右，較佳為0.05～5重量份左右。
(交聯劑) 第二形態之黏著劑組合物較佳為含有能夠與上述聚合物交聯之交聯劑。作為用以向聚合物中導入交聯結構之交聯劑之具體例，可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，就與聚合物之羥基或羧基之反應性較高，容易導入交聯結構之方面而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑及環氧系交聯劑。該等交聯劑與導入至聚合物中之羥基或羧基等官能基反應而形成交聯結構。
作為異氰酸酯系交聯劑，可使用1分子中具有2個以上異氰酸基之多異氰酸酯。作為異氰酸酯系交聯劑，例如可例舉：伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(例如，Tosoh製造之「Coronate L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(例如，Tosoh製造之「Coronate HL」)、苯二甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物(例如，三井化學製造之「Takenate D110N」、六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體(例如，Tosoh製造之「Coronate HX」)等異氰酸酯加成物等。
作為環氧系交聯劑，可使用1分子中具有2個以上環氧基之多官能環氧化合物。環氧系交聯劑之環氧基亦可為縮水甘油基。作為環氧系交聯劑，例如可例舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、多甘油多縮水甘油醚、山梨醇酐多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S-二縮水甘油醚等。作為環氧系交聯劑，亦可使用Nagase chemteX製造之「DENACOL」、三菱瓦斯化學製造之「Tetrad X」「Tetrad C」等市售品。
交聯劑之量相對於聚合物100重量份為0.01～5重量份左右，可為0.05重量份以上、0.1重量份以上或0.2重量份以上，亦可為3重量份以下、2重量份以下或1重量份以下。
(其他成分) 第二形態之黏著劑組合物除上述成分以外，亦可含有低聚物、黏著賦予劑、矽烷偶合劑、鏈轉移劑、塑化劑、軟化劑、劣化防止劑、填充劑、抗氧化劑、界面活性劑、抗靜電劑、著色劑等。
上述黏著劑層亦可為由溶劑型黏著劑組合物形成之黏著劑層(第三形態)。上述溶劑型黏著劑組合物至少含有聚合物與溶劑，亦可含有交聯劑。即，用於形成第三形態之黏著劑層之溶劑型黏著劑組合物含有聚合物與溶劑，亦可視需要含有交聯劑。
[第三形態] 第三形態之黏著劑層可藉由將含有聚合物與溶劑且視需要含有交聯劑之溶劑型黏著劑組合物塗佈於剝離膜上，並將溶劑乾燥去除而形成。
用於形成第三形態之黏著劑層之溶劑型黏著劑組合物含有聚合物與溶劑，且視需要含有交聯劑。
(聚合物) 溶劑型黏著劑組合物所包含之聚合物可與第一形態相同，能夠應用各種聚合物，適宜使用丙烯酸系聚合物。構成丙烯酸系聚合物之單體成分與第一形態相同。
第三形態中，為了在基材上形成固體狀(定型)之黏著劑層，可使用分子量相對較大之聚合物作為溶劑型黏著劑組合物所包含之聚合物。聚合物之重量平均分子量例如為10萬～200萬左右。
(溶劑) 由於第三形態中之聚合物為固體，故溶劑型黏著劑組合物為聚合物溶解於有機溶劑而得之溶液。例如，藉由使單體成分進行溶液聚合，可獲得聚合物溶液。亦可將固體之聚合物溶解於有機溶劑來製備聚合物溶液。
作為溶劑，通常可使用乙酸乙酯、甲苯等。溶液濃度通常為20～80重量%左右。
作為使單體成分進行溶液聚合時之聚合起始劑，較佳為使用偶氮系起始劑、過氧化物系起始劑、組合過氧化物與還原劑而成之氧化還原系起始劑(例如，過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉之組合)等熱聚合起始劑。聚合起始劑之使用量並無特別限制，例如，相對於形成聚合物之單體成分總量100重量份，較佳為0.005～5重量份左右，更佳為0.02～3重量份左右。
(交聯劑) 第三形態之溶劑型黏著劑組合物亦可含有能夠與上述聚合物交聯之交聯劑。再者，於溶劑型黏著劑組合物含有(甲基)丙烯酸系嵌段共聚物之情形時，第三形態之黏著劑層具有充分之形狀穩定性，故亦可不含交聯劑。
第三形態中，在溶劑型黏著劑組合物含有交聯劑之情形時，交聯劑可與上述對於第二形態所說明者相同，較佳為異氰酸酯系交聯劑及環氧系交聯劑。
第三形態中，在溶劑型黏著劑組合物含有交聯劑之情形時，其含量相對於聚合物100重量份為0.01～5重量份左右，可為0.05重量份以上、0.1重量份以上或0.2重量份以上，亦可為3重量份以下、2重量份以下或1重量份以下。
(其他成分) 第三形態之溶劑型黏著劑組合物除上述成分以外，亦可含有低聚物、黏著賦予劑、矽烷偶合劑、鏈轉移劑、塑化劑、軟化劑、劣化防止劑、填充劑、抗氧化劑、界面活性劑、抗靜電劑、著色劑等。
＜抗反射層＞ 本發明之抗反射層係具有防止光反射之功能之層，其係由樹脂層構成。又，本發明之抗反射層含有著色劑。即，本發明之抗反射層藉由含有分散或溶解於樹脂層中之著色劑，而使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度提昇，就該方面而言較為適宜。
本發明之抗反射層之霧度值並無特別限定，就確保小型/微型LED顯示裝置之視認性之觀點而言，較佳為30%以下，更佳為25%以下，進而較佳為20%以下，尤佳為15%以下。又，本發明之抗反射層之霧度值就有效率地減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之觀點而言，較佳為1%以上，更佳為3%以上，進而較佳為5%以上，尤佳為8%以上，亦可為10%以上。
本發明之抗反射層之全光線透過率並無特別限定，就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度進一步提昇之觀點而言，較佳為30%以下，更佳為25%以下，進而較佳為20%以下，尤佳為10%以下。又，本發明之抗反射層之全光線透過率就確保小型/微型LED顯示裝置之亮度之觀點而言，較佳為0.5%以上，更佳為1%以上，進而較佳為1.5%以上，尤佳為2%以上，亦可為2.5%以上、或3%以上。
本發明之抗反射層之霧度值及全光線透過率分別可利用JIS 7136、JIS 7361中規定之方法進行測定，可根據下述樹脂層或黏著劑層之種類或厚度、上述光擴散性微粒子、下述著色劑之種類或調配量等進行控制。
本發明之抗反射層之厚度就使防止小型/微型LED顯示裝置中之金屬配線等之反射之功能、對比度進一步提昇之觀點而言，較佳為10～300 μm，更佳為15～250 μm，更佳為20～200 μm，進而較佳為25～150 μm、30～100 μm。
作為構成抗反射層之樹脂層，例如可例舉電離輻射硬化型樹脂層、黏著劑層。作為電離輻射硬化型樹脂層、黏著劑層，可使用與上述構成擴散層之電離輻射硬化型樹脂層、黏著劑層相同者。就擴散層及/或抗反射層無間隙地填充於小型/微型LED顯示裝置之基板上所排列之光半導體元件之階差，階差吸收性優異，可防止顯示不均之方面而言，較佳為抗反射層由黏著劑層構成。
就擴散層及/或抗反射層無間隙地填充於小型/微型LED顯示裝置之基板上所排列之光半導體元件之階差，階差吸收性優異，可防止顯示不均之方面而言，較佳為擴散層與抗反射層均為黏著劑層。抗反射層可由與擴散層相同之樹脂層構成，亦可由不同之樹脂層構成。
上述著色劑係對抗反射層賦予遮光性而賦予抗反射能力者。若抗反射層含有著色劑，則於達成對光之透過性降低以使上述T 1及上述T 2滿足T 1＞T 2之構成之方面上較佳。抗反射層藉由將自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)之金屬配線層與LED晶片間密封，防止金屬配線等引起之反射，防止LED晶片彼此之混色，提昇圖像之對比度。
上述著色劑只要為能夠溶解或分散於抗反射層者即可，為染料或顏料均可。就以少量之添加便可達成低霧度，如顏料般無沈降性而容易均勻地分佈之方面而言，較佳為染料。又，就即便少量之添加而顯色性亦較高之方面而言，顏料亦較佳。於使用顏料作為著色劑之情形時，較佳為導電性較低或無導電性者。
著色劑並無特別限定，較佳為吸收可見光且具有紫外線透過性者。即，著色劑較佳為波長330～400 nm之平均透過率大於波長400～700 nm之平均透過率者。又，著色劑較佳為波長330～400 nm之透過率之最大值大於波長400～700 nm之透過率之最大值者。著色劑之透過率係使用以波長400 nm下之透過率成為50～60%左右之方式利用四氫呋喃(THF)等適當之溶劑或分散介質(波長330～700 nm之範圍之吸收較小之有機溶劑)稀釋而成之溶液或分散液進行測定。
作為紫外線之吸收小於可見光之吸收之紫外線透過性黑色顏料，可例舉：TOKUSHIKI製造之「9050BLACK」、「UVBK-0001」等。作為紫外線透過性黑色染料，可例舉Orient化學工業製造之「SOC-L-0123」等。
通常可用作黑色著色劑之碳黑或鈦黑其紫外線之吸收大於可見光之吸收(紫外線透過率小於可見光透過率)。因此，若向對紫外線具有感度之光硬化性黏著劑組合物中添加碳黑等著色劑，則以光硬化為目的所照射之紫外線絕大部分被著色劑吸收，光聚合起始劑吸收之光量較小，光硬化耗費時間(累計照射光量增多)。又，於黏著劑層之厚度較大之情形時，到達光照射面之相反側之面之紫外線較少，故有即便進行長時間之光照射，光硬化亦不充分之傾向。與此相對，藉由使用紫外線之透過率大於可見光之著色劑，能夠抑制著色劑引起之硬化抑制。
抗反射層中之著色劑之含量就對抗反射層賦予適當之抗反射能力之觀點而言，相對於構成樹脂層之樹脂100重量份，較佳為0.01～20重量份，更佳為0.1～15重量份，進而較佳為1～10重量份，只要根據著色劑之種類、或黏著劑層之色調及透光率等適當設定即可。著色劑亦可以溶解或分散於適當之溶劑而成之溶液或分散液之形式添加至組合物。
＜基材＞ 本發明之光半導體元件密封用片材之可作為其他層所具有之基材並無特別限制，例如可例舉玻璃或透明塑膠膜基材等。上述透明塑膠膜基材並無特別限制，較佳為可見光之光線透過率優異，透明性優異者(較佳為霧度值5%以下者)，例如可例舉日本專利特開2008-90263號公報中記載之透明塑膠膜基材。作為上述透明塑膠膜基材，適宜使用光學雙折射較少者。基材例如亦可用作自發光型顯示裝置之覆蓋構件，於該情形時，作為上述透明塑膠膜基材，較佳為由三乙醯纖維素(TAC)、聚碳酸酯、丙烯酸系聚合物、環狀或具有降𦯉烯結構之聚烯烴等形成之膜。若為此種構成，則於自發光型顯示裝置之製造中，可削減另外積層覆蓋構件之步驟，故可減少步驟數或必要構件，實現生產效率之提昇。又，若為此種構成，則能夠使上述覆蓋構件更薄層化。再者，於基材為覆蓋構件之情形時，其成為自發光型顯示裝置之最表面。
基材之全光線透過率並無特別限定，例如為85～100%，亦可為88%以上、90%以上、或92%以上。
基材之厚度並無特別限制，例如考慮到強度、操作性等作業性及薄層性等方面，較佳為10～500 μm之範圍，更佳為20～300 μm之範圍，最佳為30～200 μm之範圍。上述基材之折射率並無特別限制，例如為1.30～1.80之範圍，較佳為1.40～1.70之範圍。
基材較佳為實施過反射表面處理及/或防眩處理。於對基材實施過反射表面處理及/或防眩處理之情形時，其成為自發光型顯示裝置之最表面，防止因外界光之反射或圖像之映入等導致視認性之降低，或可調整光澤度等外觀。較佳為容易製造且低成本之防眩處理。
作為上述抗反射處理，可無特別限定地使用公知之抗反射處理，例如可例舉抗反射(AR)處理。
作為上述抗反射(AR)處理，可無特別限制地應用公知之AR處理，具體而言，可藉由在基材上形成厚度及折射率經嚴格控制之光學薄膜或積層有兩層以上之上述光學薄膜之抗反射層(AR層)來實施。上述AR層係藉由利用光之干涉效果使入射光與反射光之反轉相位相互抵消而表現出抗反射功能。表現抗反射功能之可見光線之波長區域例如為380～780 nm，尤其是視感度較高之波長區域為450～650 nm之範圍，較佳為以使其中心波長即550 nm之反射率最小之方式設計AR層。
作為上述AR層，通常可例舉積層有二至五層之光學薄層(厚度及折射率經嚴格控制之薄膜)之結構的多層抗反射層，藉由以特定之厚度量使折射率不同之成分形成多層，可提高AR層之光學設計之自由度，進一步提昇抗反射效果，亦能夠使分光反射特性於可見光區域均一(平坦)。由於對上述光學薄膜要求較高之厚度精度，因此，一般而言，各層之形成係利用乾式方式之真空蒸鍍、濺鍍、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等實施。
作為上述防眩(AG)處理，可無特別限制地應用公知之AG處理，例如，可藉由在基材上形成防眩層而實施。作為上述防眩層，可無特別限制地採用公知者，一般而言，形成為於樹脂中分散有無機或有機粒子作為防眩劑之層。
於本實施方式中，防眩層係使用含有樹脂、粒子及觸變賦予劑之防眩層形成材料來形成，藉由上述粒子及上述觸變賦予劑之凝集，而於上述防眩層之表面形成凸狀部。基於該構成，防眩層具有兼具防眩性與防止白霧之優異之顯示特性，並且，儘管利用粒子之凝集來形成防眩層，亦可防止產生作為外觀缺陷之防眩層表面之突起狀物，從而可提昇製品之良率。
上述樹脂例如可例舉熱硬化性樹脂、利用紫外線或光進行硬化之游離輻射硬化性樹脂。上述樹脂亦可使用市售之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。
作為上述熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂，例如可使用藉由熱、光(紫外線等)或電子束等進行硬化之具有丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基之至少一種基之硬化型化合物，例如可例舉：矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、聚胺酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、多硫醇多烯樹脂、多元醇等多官能化合物之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等低聚物或預聚物等。該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
上述樹脂例如亦可使用具有丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基之至少一種基之反應性稀釋劑。上述反應性稀釋劑例如可使用日本專利特開2008-88309號公報中記載之反應性稀釋劑，例如包含單官能丙烯酸酯、單官能甲基丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯、多官能甲基丙烯酸酯等。作為上述反應性稀釋劑，較佳為三官能以上之丙烯酸酯、三官能以上之甲基丙烯酸酯。其原因在於可使防眩層之硬度優異。作為上述反應性稀釋劑，例如亦可例舉：丁二醇甘油醚二丙烯酸酯、異三聚氰酸之丙烯酸酯、異三聚氰酸之甲基丙烯酸酯等。該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
用以形成防眩層之粒子之主要功能在於：使形成之防眩層之表面為凹凸形狀而賦予防眩性，又，控制防眩層之霧度值。防眩層之霧度值可藉由控制上述粒子與上述樹脂之折射率差來進行設計。作為上述粒子，例如有無機粒子與有機粒子。上述無機粒子並無特別限制，例如可例舉：氧化矽粒子、氧化鈦粒子、氧化鋁粒子、氧化鋅粒子、氧化錫粒子、碳酸鈣粒子、硫酸鋇粒子、滑石粒子、高嶺土粒子、硫酸鈣粒子等。又，上述有機粒子並無特別限制，例如可例舉：聚甲基丙烯酸甲酯樹脂粉末(PMMA微粒子)、矽酮樹脂粉末、聚苯乙烯樹脂粉末、聚碳酸酯樹脂粉末、丙烯酸-苯乙烯樹脂粉末、苯并胍胺樹脂粉末、三聚氰胺樹脂粉末、聚烯烴樹脂粉末、聚酯樹脂粉末、聚醯胺樹脂粉末、聚醯亞胺樹脂粉末、聚氟乙烯樹脂粉末等。該等無機粒子及有機粒子可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
上述粒子之重量平均粒徑(D)較佳為位於2.5～10 μm之範圍內。藉由使上述粒子之重量平均粒徑位於上述範圍，例如可使防眩性更優異，且可防止白霧。上述粒子之重量平均粒徑更佳為3～7 μm之範圍內。再者，上述粒子之重量平均粒徑例如可利用庫爾特計數法進行測定。例如，使用利用細孔電阻法之粒度分佈測定裝置(商品名：Coulter Multisizer，Beckman Coulter公司製造)，對粒子通過上述細孔時之相當於粒子體積之電解液之電阻進行測定，藉此測定上述粒子個數及體積，算出重量平均粒徑。
上述粒子之形狀並無特別限制，例如，可為珠狀之大致球形，亦可為粉末等不定形者，較佳為大致球形者，更佳為縱橫比為1.5以下之大致球形之粒子，最佳為球形粒子。
防眩層中之上述粒子之比率相對於上述樹脂100重量份，較佳為0.2～12重量份之範圍，更佳為0.5～12重量份之範圍，進而較佳為1～7重量份之範圍。藉由設為上述範圍，例如，防眩性更優異，且可防止白霧。
作為用以形成防眩層之觸變賦予劑，例如可例舉：有機黏土、氧化聚烯烴、改性脲等。
為了改善與上述樹脂之親和性，上述有機黏土較佳為經有機化處理之黏土。作為有機黏土，例如可例舉層狀有機黏土。上述有機黏土可自行製備，亦可使用市售品。作為上述市售品，例如可例舉：Lucentite SAN、Lucentite STN、Lucentite SEN、Lucentite SPN、Somasif ME-100、Somasif MAE、Somasif MTE、Somasif MEE、Somasif MPE(商品名，均由CO-OP CHEMICAL(股)製造)；S-BEN、S-BEN C、S-BEN E、S-BEN W、S-BEN P、S-BEN WX、S-BEN N-400、S-BEN NX、S-BEN NX80、S-BEN NO12S、S-BEN NEZ、S-BEN NO12、S-BEN NE、S-BEN NZ、S-BEN NZ70、Orgonite、Orgonite D、Orgonite T(商品名，均由Ho Jun(股)製造)；Kunipia F、Kunipia G、Kunipia G4(商品名，均由國峰工業(股)製造)；Thixogel VZ、Kraton HT、Kraton 40(商品名，均由Rockwood Additives公司製造)等。
上述氧化聚烯烴可自行製備，亦可使用市售品。作為上述市售品，例如可例舉：Disparlon 4200-20(商品名，楠本化成(股)製造)、Flownon SA300(商品名，共榮社化學(股)製造)等。
上述改性脲係異氰酸酯單體或其加成物與有機胺之反應物。上述改性脲可自行製備，亦可使用市售品。作為上述市售品，例如可例舉：BYK410(BYK-Chemie公司製造)等。
上述觸變賦予劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
於本實施方式中，上述凸狀部之距離上述防眩層之粗糙度平均線之高度較佳為未達防眩層厚度之0.4倍。更佳為0.01倍以上且未達0.4倍之範圍，進而較佳為0.01倍以上且未達0.3倍之範圍。若為該範圍，則可適宜地防止於上述凸狀部形成外觀缺陷之突起物。本實施方式之防眩層藉由具有此種高度之凸狀部，可使外觀缺陷不易產生。此處，上述距離平均線之高度例如可利用日本專利特開2017-138620號公報中記載之方法進行測定。
防眩層中之上述觸變賦予劑之比率相對於上述樹脂100重量份，較佳為0.1～5重量份之範圍，更佳為0.2～4重量份之範圍。
防眩層之厚度(d)並無特別限制，較佳為位於3～12 μm之範圍內。藉由將防眩層之厚度(d)設為上述範圍，例如可防止光半導體元件密封用片材之捲曲之產生，能夠避免搬送性不良等生產性降低之問題。又，於上述厚度(d)位於上述範圍之情形時，上述粒子之重量平均粒徑(D)如上所述，較佳為位於2.5～10 μm之範圍內。藉由使防眩層之厚度(d)與上述粒子之重量平均粒徑(D)為上述組合，可使防眩性更優異。防眩層之厚度(d)更佳為3～8 μm之範圍內。
防眩層之厚度(d)與上述粒子之重量平均粒徑(D)之關係較佳為位於0.3≦D/d≦0.9之範圍內。藉由處於此種關係，防眩性更優異，且可防止白霧，進而可製成無外觀缺陷之防眩層。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，如上所述，防眩層因上述粒子及上述觸變賦予劑發生凝集，而於防眩層之表面形成凸狀部。於形成上述凸狀部之凝集部中，上述粒子以於防眩層之面方向上聚集多個之狀態存在。藉此，上述凸狀部成為平緩之形狀。本實施方式之防眩層藉由具有此種形狀之凸狀部，可維持防眩性並且防止白霧，進而，可使外觀缺陷不易產生。
防眩層之表面形狀可藉由控制防眩層形成材料中所含之粒子之凝集狀態來任意地設計。上述粒子之凝集狀態例如可藉由上述粒子之材質(例如，粒子表面之化學修飾狀態、對於溶劑或樹脂之親和性等)、樹脂(黏合劑)或溶劑之種類、組合等進行控制。此處，於本實施方式中，藉由上述防眩層形成材料所含之觸變賦予劑，可控制上述粒子之凝集狀態。其結果，可使上述粒子之凝集狀態達成上述說明之狀態，可使上述凸狀部成為平緩之形狀。
於本實施方式之光半導體元件密封用片材中，當基材由樹脂等形成之情形時，較佳為於基材與防眩層之界面具有滲透層。上述滲透層係使防眩層之形成材料所含之樹脂成分滲透至基材而形成。若形成滲透層，則可提昇基材與防眩層之密接性，故較佳。上述滲透層較佳為厚度為0.2～3 μm之範圍，更佳為0.5～2 μm之範圍。例如，於基材為三乙醯纖維素，且防眩層中所含之樹脂為丙烯酸樹脂之情形時，可形成上述滲透層。上述滲透層例如可藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)對光半導體元件密封用片材之截面進行觀察來確認，並可測定厚度。
於本實施方式中，即便於應用於此種具有滲透層之光半導體元件密封用片材之情形時，亦容易形成兼具防眩性與防止白霧之所需之平緩之表面凹凸形狀。當上述滲透層為與防眩層之密接性越不足之基材時，密接越提昇，故較佳為較厚地形成。
於本實施方式中，防眩層較佳為最大直徑為200 μm以上之外觀缺陷於防眩層每1 m 2為1個以下。更佳為不存在上述外觀缺陷。
於本實施方式中，形成有防眩層之基材較佳為霧度值為0～10%之範圍內。上述霧度值係指基於JIS K7136(2000年版)所得之霧度值(濁度)。上述霧度值更佳為0～5%之範圍，進而較佳為0～3%之範圍。為了使霧度值為上述範圍，較佳為以使上述粒子與上述樹脂之折射率差成為0.001～0.02之範圍之方式選擇上述粒子與上述樹脂。藉由使霧度值為上述範圍，可獲得清晰之圖像，又，可提昇暗處之對比度。
關於本實施方式，於防眩層表面之凹凸形狀中，平均傾斜角θa(°)較佳為0.1～5.0之範圍，更佳為0.3～4.5之範圍，進而較佳為1.0～4.0之範圍，尤佳為1.6～4.0。此處，上述平均傾斜角θa係由下述數式(1)所定義之值。上述平均傾斜角θa例如係利用日本專利特開2017-138620中記載之方法測得之值。 平均傾斜角θa＝tan－1Δa             (1)
上述數式(1)中，Δa係如下述數式(2)所示，於JIS B0601(1994年版)中規定之粗糙度曲線之基準長度L中，用相鄰之山之頂點與谷之最低點之差(高度h)之合計(h1＋h2＋h3・・・＋hn)除以上述基準長度L所得之值。上述粗糙度曲線係利用相位差補償型高波段濾波器自截面曲線去除較特定波長更長之表面起伏成分後之曲線。又，上述截面曲線係指以與對象面成直角之平面切斷對象面時，顯現於其切口之輪廓。 Δa＝(h1＋h2＋h3・・・＋hn)/L        (2)
當θa位於上述範圍時，防眩性更優異，且可防止白霧。
形成防眩層時，較佳為所製備之防眩層形成材料(塗佈液)表現觸變性，較佳為下述規定之Ti值處於1.3～3.5之範圍，更佳為1.3～2.8之範圍。 Ti值＝β1/β2 此處，β1係使用HAAKE公司製造之RheoStress 6000以剪切速率20(1/s)之條件所測得之黏度，β2係使用HAAKE公司製造之RheoStress 6000以剪切速率200(1/s)之條件所測得之黏度。
若Ti值未達1.3，則容易產生外觀缺陷，針對防眩性、白霧之特性變差。又，若Ti值超過3.5，則上述粒子不易凝集而容易成為分散狀態。
本實施方式之防眩層之製造方法並無特別限制，可利用任意方法製造，例如可藉由準備含有上述樹脂、上述粒子、上述觸變賦予劑及溶劑之防眩層形成材料(塗佈液)，將上述防眩層形成材料(塗佈液)塗佈於上述基材形成塗膜，使上述塗膜硬化而形成防眩層，從而進行製造。於本實施方式中，亦可併用利用模具之轉印方式、或以噴砂、壓紋輥等適宜之方式賦予凹凸形狀之方法等。
上述溶劑並無特別限制，可使用各種溶劑，可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。存在與上述樹脂之組成、上述粒子及上述觸變賦予劑之種類、含量等相對應之最佳之溶劑種類或溶劑比率。溶劑並無特別限定，例如可例舉：甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、2-甲氧基乙醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮等酮類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；二異丙醚、丙二醇單甲醚等醚類；乙二醇、丙二醇等二醇類；乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑類；己烷、庚烷、辛烷等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類等。
於採用例如三乙醯纖維素(TAC)作為基材形成滲透層之情形時，可適宜地使用對TAC之良溶劑。作為該溶劑，例如可例舉：乙酸乙酯、甲基乙基酮、環戊酮等。
又，藉由適當選擇溶劑，可良好地表現出利用觸變賦予劑獲得之對防眩層形成材料(塗佈液)之觸變性。例如，於使用有機黏土之情形時，可適宜地單獨使用或併用甲苯及二甲苯，例如於使用氧化聚烯烴之情形時，可適宜地單獨使用或併用甲基乙基酮、乙酸乙酯、丙二醇單甲醚，例如，於使用改性脲之情形時，可適宜地單獨使用或併用乙酸丁酯及甲基異丁基酮。
於上述防眩層形成材料中可添加各種調平劑。作為上述調平劑，出於防止塗佈不均(塗佈面之均一化)之目的，例如可使用氟系或矽酮系調平劑。於本實施方式中，根據對防眩層之表面要求防污性之情形、或於防眩層上形成抗反射層(低折射率層)或含有層間填充劑之層之情形等，可選擇適當之調平劑。於本實施方式中，例如藉由含有上述觸變賦予劑，可使塗佈液表現觸變性，因此不易產生塗佈不均。因此，本實施方式例如具有擴大上述調平劑之選項之優點。
上述調平劑之調配量相對於上述樹脂100重量份，例如為5重量份以下、較佳為0.01～5重量份之範圍。
於上述防眩層形成材料中，在無損性能之範圍內，亦可視需要添加顏料、填充劑、分散劑、塑化劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、防污劑、抗氧化劑等。該等添加劑可單獨使用一種，或亦可併用兩種以上。
於上述防眩層形成材料中，例如可使用日本專利特開2008-88309號公報所記載之先前公知之光聚合起始劑。
作為將上述防眩層形成材料塗佈於基材上之方法，例如可使用：噴注式塗佈法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、噴塗法、凹版塗佈法、輥塗法、棒塗法等塗佈法。
塗佈上述防眩層形成材料，於基材上形成塗膜，使上述塗膜硬化。較佳為於上述硬化之前，使上述塗膜乾燥。上述乾燥例如可為自然乾燥，可為吹送風之風乾，亦可為加熱乾燥，還可為組合該等之方法。
上述防眩層形成材料之塗膜之硬化方法並無特別限制，較佳為紫外線硬化。能量線源之照射量以紫外線波長365 nm下之累計曝光量計，較佳為50～500 mJ/cm 2。若照射量為50 mJ/cm 2以上，則硬化更充分，所形成之防眩層之硬度亦變得更充分。又，若為500 mJ/cm 2以下，則可防止所形成之防眩層之著色。
按以上方式，可於基材形成防眩層。再者，亦可利用上述方法以外之製造方法形成防眩層。本實施方式之防眩層之硬度雖亦受層厚度之影響，但以鉛筆硬度計，較佳為具有2H以上之硬度。
於本實施方式中，防眩層亦可為積層有兩層以上之多層構造。
於本實施方式中，於防眩層上亦可配置上述AR層(低折射率層)。例如，於自發光型顯示裝置中安裝有本實施方式之光半導體元件密封用片材之情形時，作為使圖像之視認性降低之要因之一，可例舉空氣與防眩層界面處之光反射。AR層減少該表面反射。再者，防眩層及抗反射層亦可分別為積層有兩層以上之多層構造。
又，為了防止污染物之附著及提昇所附著之污染物之去除容易性，較佳為於防眩層上積層由含氟基之矽烷系化合物或含氟基之有機化合物等形成之污染防止層。
於本實施方式中，較佳為對基材及防眩層之至少一者進行表面處理。若對基材之表面進行表面處理，則進一步提昇與防眩層之密接性。又，若對防眩層之表面進行表面處理，則進一步提昇與上述AR層之密接性。
為了防止基材產生捲曲，亦可對防眩層之另一面進行溶劑處理。又，為了防止捲曲之產生，亦可於防眩層之另一面形成透明樹脂層。
＜光半導體元件密封用片材之製造＞ 光半導體元件密封用片材可藉由將擴散層與抗反射層積層而製備。具體而言，於分別製作片狀之擴散層及抗反射層之後可藉由貼合來進行製造。
擴散層及抗反射層可藉由將用以形成樹脂層之組合物(電離輻射硬化型樹脂組合物、黏著劑組合物)呈片狀(層狀)塗佈於剝離膜上，對剝離膜上之塗膜進行加熱及/或照射紫外線，進行硬化而獲得。
進行光硬化時，較佳為於塗膜之表面進而附設剝離膜，以將光硬化性黏著劑組合物夾持於2片剝離膜間之狀態照射紫外線，防止氧引起之聚合抑制。於光硬化之前，為了去除溶劑或分散介質等，亦可對片狀之塗膜進行加熱。於利用加熱進行溶劑等之去除之情形時，較佳為於附設剝離膜前實施。
作為剝離膜之膜基材，可使用包含各種樹脂材料之膜。作為樹脂材料，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氟乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中，尤佳為聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂。膜基材之厚度較佳為10～200 μm，更佳為25～150 μm。作為離型層之材料，可例舉矽酮系離型劑、氟系離型劑、長鏈烷基系離型劑、脂肪酸醯胺系離型劑等。離型層之厚度通常為10～2000 nm左右。
作為於剝離膜上塗佈組合物之方法，可使用：輥塗、接觸輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥刷、噴塗、浸漬輥塗佈、棒塗、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、模嘴塗佈等各種方法。
藉由對以層狀塗佈於剝離膜上之組合物照射紫外線，自光聚合起始劑生成活性種，光聚合性化合物進行聚合，隨著聚合率之上升(未反應單體之減少)，液狀組合物成為固體狀(定型)之樹脂層。作為用以照射紫外線之光源，只要為能夠照射組合物所包含之光聚合起始劑具有感度之波長範圍之光者即可，並無特別限定，可使用LED光源、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氙氣燈等。
照射光之累計光量例如為100～5000 mJ/cm 2左右。包含組合物之光硬化物之黏著劑層之聚合率(不揮發分)較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上。聚合率亦可為93%以上或95%以上。為了減少不揮發分，亦可對黏著劑層進行加熱來去除殘存單體、未反應之聚合起始劑、溶劑等揮發分。
加熱溫度較佳為40℃～200℃，進而較佳為50℃～180℃，尤佳為70℃～170℃。加熱時間可適宜採用適當之時間。加熱時間較佳為5秒～20分鐘，進而較佳為5秒～15分鐘，尤佳為10秒～10分鐘。
於黏著劑層之兩面設置有剝離膜之情形時，一剝離膜之厚度與另一剝離膜之厚度可相同，亦可不同。自樹脂層將暫時黏於一個面之剝離膜剝離時之剝離力與自樹脂層將暫時黏於另一面之剝離膜剝離時之剝離力可相同，亦可不同。於兩者之剝離力不同之情形時，先將剝離力相對較小之剝離膜(輕剝離膜)剝離，其後將露出之擴散層與抗反射層貼合，藉此可製作擴散層及抗反射層鄰接而直接積層之光半導體元件密封用片材。
於本發明之光半導體元件密封用片材為擴散層及抗反射層隔著基材積層之形態之情形時，先將剝離力相對較小之剝離膜(輕剝離膜)剝離，其後將露出之擴散層與抗反射層分別貼附於基材之正面及背面，藉此可製作擴散層及抗反射層隔著基材積層之光半導體元件密封用片材。
於本發明之光半導體元件密封用片材中，較佳為擴散層與抗反射層鄰接。即，較佳為擴散層與抗反射層鄰接而直接積層。該構成就減少小型/微型LED顯示裝置之偏色之方面而言較為適宜。即，於擴散層與抗反射層隔著其他層構造積層之情形時，有不易控制自小型/微型LED顯示裝置之光半導體元件發出之光之反射或擴散，而難以防止偏色之傾向。
擴散層及抗反射層於溫度25℃下之剪切儲存模數G'25℃例如為10～1000 kPa左右，可為30 kPa以上、50 kPa以上、70 kPa以上或100 kPa以上，並且，可為700 kPa以下、500 kPa以下、300 kPa以下或200 kPa以下。擴散層及抗反射層於溫度85℃下之剪切儲存模數G'85℃例如為3～300 kPa左右，可為5 kPa以上、7 kPa以上、或10 kPa以上，並且，可為200 kPa以下、150 kPa以下、或100 kPa以下。若剪切儲存模數為上述範圍，則可兼具適度之柔軟性與接著性。剪切儲存模數係利用頻率1 Hz之動態黏彈性測定所得之測定值。
本發明之光半導體元件密封用片材亦可於使用之前在擴散層及/或抗反射層上設置有剝離膜。又，於本發明之光半導體元件密封用片材具有基材之情形時，可於基材積層有表面保護膜。表面保護膜於上述光半導體元件密封用片材或包含其之光學製品之製造，搬送、出貨時防止損傷或污垢之附著之方面上較為適宜。
＜光半導體裝置、自發光型顯示裝置、圖像顯示裝置＞ 本發明之光半導體裝置具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及本發明之光半導體元件密封用片材，且上述光半導體元件密封用片材密封上述光半導體元件。本發明之光半導體裝置較佳為自發光型顯示裝置。本發明之圖像顯示裝置較佳為具備本發明之自發光型顯示裝置。
本發明之光半導體裝置(自發光型顯示裝置)為如下顯示裝置：於配線基板上排列微小且多個光半導體元件，藉由與各光半導體元件連接之發光控制機構，使各光半導體元件選擇性地發光，利用各光半導體元件之閃爍，可使文字、圖像、動畫等視覺資訊直接顯示於顯示畫面上。作為自發光型顯示裝置，可例舉小型/微型LED顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置。本發明之光半導體元件密封用片材尤其適合用於小型/微型LED顯示裝置之製造。
圖3、4係表示本發明之自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)之一實施方式之模式圖(剖視圖)。 圖3中，自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)20包含於基板3之單面排列有複數個LED晶片5之顯示面板、及本發明之光半導體元件密封用片材10。基板3上之LED晶片5由光半導體元件密封用片材10之抗反射層2密封。圖4中，自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)21包含於基板3之單面排列有複數個LED晶片5之顯示面板、及本發明之光半導體元件密封用片材10。基板3上之LED晶片5由光半導體元件密封用片材10之擴散層1密封。
於本實施方式中，於顯示面板之基板3上積層有用以對各LED晶片5發送發光控制信號之金屬配線層4。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色光之各LED晶片5於顯示面板之基板3上隔著金屬配線層4交替地排列。金屬配線層4係由銅等金屬形成，反射外界光導致圖像之視認性降低。又，RGB各色之各LED晶片5所發出之光發生混色，導致對比度降低。
於圖3之小型/微型LED顯示裝置20中，抗反射層2將排列於顯示面板上之各LED晶片5之間及金屬配線層4密封。藉由含有著色劑而使遮光性較高(低透過性)之抗反射層2其無間隙地密封各LED晶片5之間，故可防止各LED晶片5彼此之混色，提昇對比度。又，藉由含有著色劑而使遮光性較高(低透過性)之抗反射層2亦密封金屬配線層4之表面，故可防止金屬配線層4引起之反射。
圖3中，擴散層1將排列於顯示面板上之各LED晶片5之上部(顯示圖像側)密封。擴散層1藉由含有光擴散性微粒子，霧度值變高，具有充分之光擴散性能。藉由含有光擴散性微粒子而使霧度值較高、光擴散性較高之擴散層1將各LED晶片5之上部(顯示圖像側)密封，故自各LED晶片5發出之可見光被充分擴散，能夠有效率地減少偏色。
於圖4之小型/微型LED顯示裝置21中，擴散層1將排列於顯示面板上之各LED晶片5之間及金屬配線層4密封。由於含有光擴散性微粒子而霧度值較高之擴散層1可使自各LED晶片5之側面照射之強發光有效率地擴散、均一化，從而能夠有效率地減少偏色。
圖4中，抗反射層2將排列於顯示面板上之各LED晶片5之上部(顯示圖像側)密封。抗反射層2由於含有著色劑而具有充分之遮光性能。由於含有著色劑而遮光性較高之抗反射層2密封各LED晶片5之上部(顯示圖像側)，因此能夠充分地遮蔽外界光經金屬配線層4反射後之光。
如上所述，由於本發明之光半導體元件密封用片材包含遮光性更高(低透過性)之抗反射層，故可防止金屬表面之反射或光澤。使本發明之光半導體元件密封用片材與金屬被黏著體積層時之全光線區域之反射率例如可為10%以下，較佳為8.5%以下，更佳為8%以下，進而較佳為7.5%以下，尤佳為7%以下。再者，作為上述金屬被黏著體，可使用銅、鋁、不鏽鋼等。
本實施方式之圖像顯示裝置亦可具備除自發光型顯示裝置及光半導體元件密封用片材以外之光學構件。上述光學構件並無特別限定，可例舉偏光板、相位差板、抗反射膜、視角調整膜、光學補償膜等。再者，光學構件亦包括：保持顯示裝置或輸入裝置之視認性並且承擔加飾或保護作用之構件(設計膜、裝飾膜或表面保護板等)。
本實施方式之小型/微型LED顯示裝置可藉由將在基板之單面排列有複數個LED晶片之顯示面板、與本發明之光半導體元件密封用片材之擴散層或抗反射層貼合來製造。
具體而言，顯示面板與光半導體元件密封用片材之貼附可藉由在加熱及/或加壓下進行積層而實施。於將顯示面板與光半導體元件密封用片材貼附之情形時，可藉由在加熱及/或加壓下積層後進行光硬化而實施。光硬化可以與上述形成擴散層及/或抗反射層之光硬化同樣之方式進行。 [實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。再者，下述製造例中之各種特性係藉由下述方法進行評價或測定。
(霧度) 根據JIS 7136中規定之方法，使用霧度計(村上色彩科學研究所公司製造，商品名「HN-150」)測定霧度值。
(全光線透過率) 根據JIS 7361中規定之方法，使用霧度計(村上色彩科學研究所公司製造，商品名「HN-150」)測定全光線透過率。
製造例1 (預聚物之製備) 向具備溫度計、攪拌機、回流冷凝管及氮氣導入管之可分離式燒瓶中投入丙烯酸丁酯(BA)67重量份、丙烯酸環己酯(CHA，大阪有機化學工業製造，商品名「Viscoat＃155」)14重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)19重量份、光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 184」)0.09重量份、及光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.09重量份後，流入氮氣，一面攪拌一面進行約1小時之氮氣置換。其後，以5 mW/cm 2照射UVA進行聚合，進行調整以使反應率達到5～15%，獲得丙烯酸系預聚物溶液。
製造例2 (黑色黏著劑組合物之製備) 向製造例1中獲得之丙烯酸系預聚物溶液(將預聚物總量設為100重量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8重量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥製造，商品名「KAYARAD DPHA」)0.02重量份、作為矽烷偶合劑之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.35重量份、及光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.3重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 向上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液100重量份中加入光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.2重量份與黑色顏料分散液(TOKUSHIKI股份有限公司製造，商品名「TOKUSHIKI 9050 Black」)9.2重量份，製備光聚合性之黑色黏著劑組合物溶液。
製造例3 (抗反射片材之製備) 於聚酯膜之單面成為剝離面之厚度38 μm之剝離膜R1(三菱樹脂公司製造，商品名「MRF＃38」)之剝離面，以硬化後之厚度達到50 μm之方式塗佈製造例2中製備之黑色黏著劑組合物溶液，用聚酯膜之單面成為剝離面之剝離膜R2(三菱樹脂公司製造，MRE＃38)被覆來阻隔空氣。自該積層體之一側，使用黑光燈(東芝公司製造，商品名「FL15BL」)以照度5 mW/cm 2、累計光量1300 mJ/cm 2之條件照射紫外線。藉此，以無基材之黏著片材之形態獲得厚度50 μm之抗反射片材1，該抗反射片材1係由上述剝離膜R1、R2夾持作為上述黑色黏著劑組合物之硬化物之光交聯性黏著劑而得。 再者，上述黑光燈之照度值係利用峰感度波長約350 nm之工業用UV偵測器(TOPCON公司製造，商品名：UVR-T1，受光部型號UD-T36)測得之測定值。 抗反射片材1之霧度為22.2%，全光線透過率為0.9%。
製造例4 (抗反射片材之製備) 除添加黑色顏料分散液(TOKUSHIKI股份有限公司製造，商品名「TOKUSHIKI 9050 Black」)5.8重量份以外，按與製造例2、3相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度50 μm之抗反射片材2。 抗反射片材2之霧度為16.9%，全光線透過率為5.9%。
製造例5 (抗反射片材之製備) 除添加黑色顏料分散液(TOKUSHIKI股份有限公司製造，商品名「TOKUSHIKI 9050 Black」)2.3重量份以外，按與製造例2、3相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度50 μm之抗反射片材3。 抗反射片材3之霧度為8.4%，全光線透過率為29.7%。
製造例6 (抗反射片材之製備) 除添加黑色顏料分散液(TOKUSHIKI股份有限公司製造，商品名「TOKUSHIKI 9050 Black」)1.7重量份以外，按與製造例2、3相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度50 μm之抗反射片材4。 抗反射片材4之霧度為7%，全光線透過率為38.5%。
製造例7 (抗反射片材之製備) 除添加黑色顏料分散液(TOKUSHIKI股份有限公司製造，商品名「TOKUSHIKI 9256 Black」)3.0重量份以外，按與製造例2、3相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度50 μm之抗反射片材5。 抗反射片材5之霧度為9.1%，全光線透過率為20.8%。
製造例8 (黏著劑組合物之製備) 向製造例1中獲得之丙烯酸系預聚物溶液(將預聚物總量設為100重量份)中加入丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8重量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥製造，商品名「KAYARAD DPHA」)0.02重量份、作為矽烷偶合劑之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.35重量份、及光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.3重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 向上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液100重量份中加入光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)1重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。
製造例9 (光擴散片材之製備) 於聚酯膜之單面成為剝離面之厚度38 μm之剝離膜R1(三菱樹脂公司製造，商品名「MRF＃38」)之剝離面，以硬化後之厚度達到100 μm之方式塗佈製造例8中製備之光聚合性黏著劑組合物溶液，用聚酯膜之單面成為剝離面之剝離膜R2(三菱樹脂公司製造，MRE＃38)被覆來阻隔空氣。自該積層體之一側，使用黑光燈(東芝公司製造，商品名「FL15BL」)以照度5 mW/cm 2、累計光量1300 mJ/cm 2之條件照射紫外線。藉此，以無基材之黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材1，該抗反射片材1係由上述剝離膜R1、R2夾持作為上述光聚合性黏著劑組合物之硬化物之光交聯性黏著劑而得。 再者，上述黑光燈之照度值係利用峰感度波長約350 nm之工業用UV偵測器(TOPCON公司製造，商品名：UVR-T1，受光部型號UD-T36)測得之測定值。 光擴散片材1之霧度為38.4%，全光線透過率為91.5%。
製造例10 (光擴散片材之製備) 除添加光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)2重量份以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材2。 光擴散片材2之霧度為56%，全光線透過率為91.3%。
製造例11 (光擴散片材之製備) 除添加光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)5重量份以外，按與製造例8、9相同之方式3以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材。 光擴散片材3之霧度為86.6%，全光線透過率為91.7%。
製造例12 (光擴散片材之製備) 除添加光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)60重量份、及丙烯酸3-苯氧基苄基酯(共榮社化學公司製造，商品名「Light acrylate POB-A」)20重量份以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材4。 光擴散片材4之霧度為99.5%，全光線透過率為77%。
製造例13 (光擴散片材之製備) 除添加光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)2重量份、及丙烯酸3-苯氧基苄基酯(共榮社化學公司製造，商品名「Light acrylate POB-A」)20重量份以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材5。 光擴散片材5之霧度為58.8%，全光線透過率為90.5%。
製造例14 (光擴散片材之製備) 除添加光擴散性微粒子(Dupont公司製造，商品名「Ti-Pure R706」，氧化鈦，折射率：約2.5，平均粒徑：0.36 μm)0.2重量份以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之光擴散片材6。 光擴散片材6之霧度為44.8%，全光線透過率為78.4%。
製造例15 (光擴散片材之製備) 向製造例1中獲得之丙烯酸系預聚物溶液(將預聚物總量設為100重量份)中加入丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8重量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥製造，商品名「KAYARAD DPHA」)0.02重量份、作為矽烷偶合劑之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.35重量份、及光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.3重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 向上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液41.3重量份中加入丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)7.18重量份、丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)21.53重量份、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)0.01重量份、光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.092重量份、及光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)30重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 使用上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液，按與製造例9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得由剝離膜R1、R2夾持之厚度50 μm之光擴散片材7。光擴散片材7之霧度為96.3%，全光線透過率為91.8%。
製造例16 (光擴散片材之製備) 向製造例1中獲得之丙烯酸系預聚物溶液(將預聚物總量設為100重量份)中加入丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)9重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)8重量份、作為多官能單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥製造，商品名「KAYARAD DPHA」)0.02重量份、作為矽烷偶合劑之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.35重量份、及光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.3重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 向上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液38.2重量份中加入丙烯酸苄酯(BZA，Viscoat＃160，大阪有機化學工業股份有限公司)23重量份、丙烯酸丁酯(BA)15.7重量份、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)0.02重量份、光聚合起始劑(IGM公司製造，商品名「Omnirad 651」)0.092重量份、及光擴散性微粒子(邁圖高新材料日本公司製造，商品名「TOSPEARL 145」，矽酮樹脂，折射率：1.42，平均粒徑：4.5 μm)23重量份，製備光聚合性黏著劑組合物溶液。 使用上述獲得之光聚合性黏著劑組合物溶液，按與製造例9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得由剝離膜R1、R2夾持之厚度50 μm之光擴散片材8。光擴散片材8之霧度為98.0%，全光線透過率為89.5%。
製造例17 (黏著片材之製備) 不添加光擴散性微粒子，以使硬化後之厚度達到50 μm之方式進行塗佈，除此以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度50 μm之黏著片材1。 黏著片材1之霧度為0.6%，全光線透過率為92.4%。
製造例18 (黏著片材之製備) 除不添加光擴散性微粒子以外，按與製造例8、9相同之方式以無基材黏著片材之形態獲得厚度100 μm之黏著片材2。 黏著片材2之霧度為0.6%，全光線透過率為92.4%。
實施例1 (光半導體元件密封用片材之製備) 將一個剝離膜從切割成50 mm×45 mm之製造例4中獲得之抗反射片材2剝離，露出黏著面。將一個剝離膜從切割成50 mm×45 mm之製造例9中獲得之光擴散片材1剝離而露出黏著面，將該露出之黏著面貼合於上述抗反射片材2之黏著面，藉此獲得積層體1，其係包含剝離膜1/抗反射片材1/光擴散片材2/剝離膜2之光半導體元件密封用片材。
實施例2～14、比較例1～4 (光半導體元件密封用片材之製備) 除製成表1、2所表示之積層構造以外，按與實施例1相同之方式獲得積層體2～18。
(評價) 使用上述實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材，進行以下之評價。將評價方法示於以下。
(1)霧度 將實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材之剝離膜2剝離，貼合於玻璃板。其次，將剝離膜1剝離，以使光自所露出之黏著面入射之方式設置於霧度計(村上色彩科學研究所公司製造，商品名「HN-150」)，利用JIS 7136中規定之方法測定霧度值。將結果示於表1、2。
(2)全光線透過率 將實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材之剝離膜2剝離，貼合於玻璃板。其次，將剝離膜1剝離，以使光自所露出之黏著面入射之方式設置於霧度計(村上色彩科學研究所公司製造，商品名「HN-150」)，利用JIS 7361中規定之方法測定全光線透過率。將結果示於表1、2。
(3)反射率 將上述實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材之剝離膜2剝離而露出黏著面，將所露出之黏著面貼合於鋁箔。將所獲得之試樣設置於Solidspec 3700(島津製作所公司製造)並將剝離膜1設置於光源側，測定280～780 nm之反射率(%)。將550 nm之反射率示於表1、2。按以下之基準對抗反射功能進行評價。將結果示於表1、2。 〇：550 nm之反射率為8.5%以下 △：550 nm之反射率超過8.5%且為10%以下 ×：550 nm之反射率超過10%
(4)光擴散效果 將實施例及比較例中獲得之光半導體元件密封用片材之剝離膜2剝離，貼合於玻璃板。 於屏幕之上部以高度為2.4 cm之方式設置LED燈(EK Japan股份有限公司製造，商品名「LK-3PG」)。使所獲得之試樣之玻璃板側密接於LED燈。將電池盒(EK Japan股份有限公司製造，商品名「AP-180」)連接於LED燈，點亮LED燈，測定屏幕上映出之圓形影像之直徑，按以下之基準評價光擴散效果。將結果示於表1、2。 〇：直徑超過2 cm ×：直徑為2 cm以下
[表1]
(表1)
實施例 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
積層體 1 2 3 4 5 5 7 8 9 10 11 12 13 14
積層構造 剝離膜1
抗反射片材2 抗反射片材2 抗反射片材2 抗反射片材2 抗反射片材2 抗反射片材2 抗反射片材1 抗反射片材1 抗反射片材3 抗反射片材3 光擴散片材2 抗反射片材4 抗反射片材5 抗反射片材5
光擴散片材1 光擴散片材2 光擴散片材3 光擴散片材5 光擴散片材6 光擴散片材4 光擴散片材2 光擴散片材3 光擴散片材2 光擴散片材3 抗反射 片材2 光擴散片材2 光擴散片材7 光擴散片材8
剝離膜2
T 1(%) 91.5 91.3 91.7 90.5 78.4 77 91.3 91.7 91.3 91.7 91.3 91.3 91.8 89.5
H 1(%) 38.4 56 86.6 58.8 44.8 99.5 55 86.6 56 86.6 56 56 96.3 98.0
T 2(%) 5.9 5.9 5.9 5.9 5.9 5.9 0.9 0.9 29.7 29.7 5.9 38.5 20.8 20.8
H 2(%) 16.9 16.9 16.9 16.9 16.9 16.9 22.2 22.2 8.4 8.4 16.9 7 9.1 9.1
T 1/T 2 15.5 15.5 15.5 15.3 13.3 13.1 101.4 101.9 3.1 3.1 15.5 2.4 4.4 4.3
H 1/H 2 2.27 3.31 5.12 3.48 2.65 5.89 2.52 3.90 6.67 10.31 3.31 8.00 10.6 10.8
T 1－T 2 85.6 85.4 85.8 84.6 72.5 71.1 90.4 90.8 61.6 62 85.4 52.8 71.0 68.7
H 1－H 2 21.5 39.1 69.7 41.9 27.9 82.6 33.8 64.4 47.6 78.2 39.1 49 87.2 88.9
積層體 全光線透過率(%) 5.2 5.1 5 5.4 4.3 3.6 0.9 1.1 27.5 30.8 4.8 37.1 20.9 20
霧度(%) 44.2 60.8 88 64.8 46.5 100 66.7 90.9 58.9 86.7 64.6 60.4 84.2 85.5
反射率 (%) 6.154 4.903 6.190 6.292 6.266 6.329 6.147 6.153 8.130 7.203 6.721 8.522 3.943 3.821
評價 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 △ 〇 〇
光擴散 直徑(cm) 2.05 2.1 2.2 2.1 2.1 2.800 2.1 2.2 2.1 2.4 2.1 2.2 2.2 2.2
評價 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
[表2]
(表2)
比較例 1 2 3 4
積層體 15 16 17 18
積層構造 剝離膜1
黏著片材1 抗反射片材2 黏著片材1 黏著片材2
光擴散片材2 黏著片材2 黏著片材2 抗反射片材2
剝離膜2
T 1(%)* 91.3 92.4 92.4 92.4
H 1(%)* 56 0.6 0.6 0.6
T 2(%)* 92.4 5.9 92.4 5.9
H 2(%)* 0.6 16.9 0.6 16.9
T 1/T 2 1.0 15.7 1.0 15.7
H 1/H 2 93.33 0.04 1.00 0.04
T 1－T 2 -1.1 86.5 0 86.5
H 1－H 2 55.4 -16.3 0 -16.3
積層體 全光線透過率(%) 91.3 5.2 92.4 4.9
霧度(%) 58.3 17.3 0.5 18.4
反射率 (%) 21.478 6.086 33.644 5.900
評價 × 〇 × 〇
光擴散 直徑 2.1 2 2 2
評價 〇 × × ×
＊表2中，比較例1中將黏著片材1設為抗反射層，比較例2中將黏著片材2設為擴散層，比較例3中將黏著片材1設為抗反射層、黏著片材2設為擴散層，比較例4中將黏著片材2設為擴散層，並分別表示為T 1、T 2、H 1、及H 2。
以下附記本發明之變化。 [附記1]一種光半導體元件密封用片材，其係用以將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封之片材， 上述片材具備擴散層與抗反射層，且 上述擴散層為樹脂層，上述抗反射層為樹脂層， 上述擴散層含有光擴散性微粒子， 上述抗反射層含有著色劑。 [附記2]如附記1記載之光半導體元件密封用片材，其中上述擴散層為黏著劑層，且上述抗反射層為黏著劑層。 [附記3]如附記2記載之光半導體元件密封用片材，其中構成上述擴散層及抗反射層之黏著劑層為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。 [附記4]如附記1至3中任一項記載之光半導體元件密封用片材，其中上述光擴散性微粒子係包含矽酮樹脂之微粒子。 [附記5]如附記1至4中任一項記載之光半導體元件密封用片材，其中上述光擴散性微粒子與構成上述擴散層之樹脂層的折射率差之絕對值為0.001～5。 [附記6]一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及如附記1至5中任一項記載之光半導體元件密封用片材，且 上述光半導體元件密封用片材密封上述光半導體元件。 [附記7]如附記6記載之光半導體裝置，其為自發光型顯示裝置。 [附記8]一種圖像顯示裝置，其具備如附記7記載之自發光型顯示裝置。 [產業上之可利用性]
本發明之光半導體元件密封用片材適於小型/微型LED等自發光型顯示裝置之光半導體元件之密封。
1:擴散層 2:抗反射層 3:基板 4:金屬配線層 5:光半導體裝置(LED晶片) 10:光半導體元件密封用片材 11:光半導體元件密封用片材 20:自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置) 21:自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置) S:基材
圖1係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之模式圖(剖視圖)。 圖2係表示本發明之光半導體元件密封用片材之另一實施方式之模式圖(剖視圖)。 圖3係表示本發明之自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)之一實施方式之模式圖(剖視圖)。 圖4係表示本發明之自發光型顯示裝置(小型/微型LED顯示裝置)之另一實施方式之模式圖(剖視圖)。
1:擴散層
2:抗反射層
10:光半導體元件密封用片材

Claims (8)

  1. 一種光半導體元件密封用片材，其係用以將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封之片材， 上述片材具備擴散層與抗反射層，且 上述擴散層為樹脂層，上述抗反射層為樹脂層， 上述擴散層含有光擴散性微粒子， 上述抗反射層含有著色劑。
  2. 如請求項1之光半導體元件密封用片材，其中上述擴散層為黏著劑層，且上述抗反射層為黏著劑層。
  3. 如請求項2之光半導體元件密封用片材，其中構成上述擴散層及抗反射層之黏著劑層為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之光半導體元件密封用片材，其中上述光擴散性微粒子係包含矽酮樹脂之微粒子。
  5. 如請求項1至4中任一項之光半導體元件密封用片材，其中上述光擴散性微粒子與構成上述擴散層之樹脂層的折射率差之絕對值為0.001～5。
  6. 一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及如請求項1至5中任一項之光半導體元件密封用片材，且 上述光半導體元件密封用片材密封上述光半導體元件。
  7. 如請求項6之光半導體裝置，其為自發光型顯示裝置。
  8. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項7之自發光型顯示裝置。
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