CN117660886A - 镀膜设备 - Google Patents

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Abstract

一种镀膜设备，包括：真空腔体，真空腔体包括真空腔室，真空腔体电连接第一电位；位于真空腔室内，且与真空腔体绝缘接触的电场组件，电场组件包括：若干电极板，若干电极板分别电连接第二电位，第二电位与第一电位不同，若干电极板沿第一方向平行排布，且相邻的电极板之间具有第一间隙。由于每块电极板均属于等电位，放电的环境一致，进而提升真空腔室内的电场分布均匀性。当电场均匀性提升会使得样品表面涂层的均匀性提升，进而提升镀膜效果。另外，相邻的电极板之间具有第一间隙，使得电极板之间形成空心阴极效应，进而使得辉光放电区域相互叠加，辉光变强，等离子体浓度增加，进而提升镀膜效率和质量。

Description

镀膜设备
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种镀膜设备。
背景技术
类金刚石碳(Diamond-like Carbon，简称DLC)薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的一种亚稳态非晶材料，其机械、电学、光学和摩擦学特性类似于金刚石，导热性是铜的2～3倍，且透明度高、化学稳定性好。其具有极高的硬度、良好的抗磨损、优异的化学惰性、低介电常数、宽的光学带隙以及良好的生物相容性等特性，在精密仪器、汽车电子、医疗器材、国防工业等重要领域具有广泛的应用前景。
类金刚石碳薄膜都是亚稳态材料，在制备方法中需要有荷能离子轰击生长表面，利用真空等离子体放电技术是制备高硬度、高耐磨类金刚石碳薄膜的必要手段。目前类金刚石碳薄膜的制备主要采用物理气相沉积技术(PVD)和等离子体化学气相沉积技术(PECVD)。
其中，等离子体化学气相沉积技术是指通过低气压等离子体放电使气体碳源分解生成各种含碳的中性或离子基团(如CH3、CH2、CH+、C2等)和原子(或离子)氢(H、H+)，并在基片负偏压的作用下使含碳基团轰击、吸附在基片表面，同时原子氢对结构中sp2碳成分产生刻蚀作用，从而形成由sp2和sp3碳混杂结构的氢化类金刚石碳薄膜。该方法提高了原料气体的分解率，降低了沉积温度，而且可以通过改变沉积参数来获得所需质量的薄膜。
相对于物理气相沉积技术，等离子体化学气相沉积技术制备类金刚石碳薄膜的整个过程沉积温度低(<100℃)，采用气体为前驱物，节约了成本，处理量大，可实现大面积沉积。
然而，目前镀膜设备在进行等离子体化学气相沉积时仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种镀膜设备，以提升镀膜质量和效率。
为解决上述问题，本发明的技术方案中提供一种镀膜设备，包括：真空腔体，所述真空腔体包括真空腔室，所述真空腔体电连接第一电位；位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体绝缘接触的电场组件，其中，所述电场组件包括：若干电极板，若干所述电极板分别电连接第二电位，所述第二电位与所述第一电位不同，若干所述电极板沿第一方向平行排布，且相邻的所述电极板之间具有第一间隙。
可选的，所述电场组件还包括：电极架，所述电极架电连接所述第二电位，若干所述电极板分别与所述电极架可拆卸连接，且若干所述电极板分别与所述电极架电连接。
可选的，还包括：与所述电极板表面固定连接的若干载物板，相邻的所述载物板之间具有第二间隙。
可选的，所述第二间隙的尺寸范围为：10毫米～20毫米。
可选的，所述载物板的材料包括：绝缘材料；所述绝缘材料包括：玻璃、高分子塑料或陶瓷。
可选的，所述电极板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均固定连接有若干所述载物板。
可选的，还包括：开设于所述真空腔体底部的绝缘滑槽；与所述电极架底部固定连接的若干万向球轴承，所述万向球轴承装配于所述绝缘滑槽内。
可选的，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的第一布气管和第二布气管，所述第一布气管上开设有若干第一吹气孔，所述第二布气管上开设有若干第二吹气孔，所述第一布气管和所述第二布气管平行排布，且所述第一布气管和所述第二布气管的进气方向相反。
可选的，所述第一吹气孔沿所述第一布气管的径向开设，若干所述第一吹气孔沿所述第一布气管的轴向依次排布；所述第二吹气孔沿所述第二布气管的径向开设，若干所述第二吹气孔沿所述第二布气管的轴向依次排布。
可选的，还包括：分别设置于所述第一布气管和所述第二布气管上的流量计。
可选的，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体固定的加热件，所述第一布气管和所述第二布气管分别位于所述加热件的外侧；与所述加热件电连接的温控器，所述温控器设置于所述真空腔体的外部。
可选的，所述加热件包括：加热管或加热棒。
可选的，所述温控器的温控范围为：50摄氏度～150摄氏度。
可选的，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的隔热板，所述隔热板位于所述加热件和所述真空腔体的内壁之间，且所述加热件与所述隔热板固定连接。
可选的，所述隔热板的材料包括：陶瓷。
可选的，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的冷阱管道；与所述冷阱管道连通的制冷器，所述制冷器设置于所述真空腔体的外部。
可选的，所述第一方向包括：竖直方向或水平方向。
可选的，所述第一间隙的尺寸范围为：10毫米～80毫米。
可选的，所述第一电位包括：接地电位；所述第二电位包括：负电位。
可选的，所述第二电位包括：脉冲直流；脉冲直流的参数包括：电压为300伏～1000伏，频率为1千赫兹～350千赫兹。
可选的，所述电极板通过若干金属固定卡件与所述电极架可拆卸连接。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案的镀膜设备，包括：若干电极板，若干所述电极板分别电连接第二电位，所述第二电位与所述第一电位不同，若干所述电极板沿第一方向平行排布，且相邻的所述电极板之间具有第一间隙。由于每块所述电极板属于等电位，放电的环境一致，进而提升真空腔室内的电场分布均匀性。当电场均匀性提升会使得样品表面涂层的均匀性提升，进而提升镀膜效果。另外，相邻的所述电极板之间具有第一间隙，使得所述电极板之间形成空心阴极效应，进而使得辉光放电区域相互叠加，辉光变强，等离子体浓度增加，进而提升镀膜效率和质量。
进一步，还包括：与所述电极板表面固定连接的若干载物板，相邻的所述载物板之间具有第二间隙。由于金属材质的所述电极板存在打火的风险，如果将基材直接放置于所述电极板上容易造成基材的损坏。因此通过所述载物板承载所述基材，一方面便于装样，另一方面起到对基材的保护作用。另外，相邻的所述载物板之间具有第二间隙，使得所述电极板的部分表面被暴露出来，进而能用较低电压启辉放电，形成等离子体。
进一步，所述电极板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均固定连接有若干所述载物板。通过在所述电极板的两面装样，能够大大提高单次镀膜的装炉量。
进一步，还包括：开设于所述真空腔体底部的绝缘滑槽；与所述电极架底部固定连接的若干万向球轴承，所述万向球轴承装配于所述绝缘滑槽内。由于在镀膜结束后，需要将整个所述电极架拖出，更换上另一个满载的所述电极架，开始另一批次的镀膜，如此循环。通过所述绝缘滑槽和所述万向球轴承的配合，便于所述电极架的搬移。
进一步，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的第一布气管和第二布气管，所述第一布气管上开设有若干第一吹气孔，所述第二布气管上开设有若干第二吹气孔，所述第一布气管和所述第二布气管平行排布，且所述第一布气管和所述第二布气管的进气方向相反。由于随着布气管的延伸气体的浓度会逐渐下降，因此通过将所述第一布气管和所述第二布气管的平行排布，以及配合所述第一布气管和所述第二布气管的进气方向相反，使得所述第一布气管和所述第二布气管内用于形成类金刚石碳薄膜的前驱气体的浓度梯度形成互补，进而使得所述第一布气管和所述第二布气管吹出的前驱气体均匀的扩散至各个所述电极板的表面，以提升镀膜的均匀性，进而提升镀膜质量。
进一步，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体固定的加热件，所述第一布气管和所述第二布气管分别位于所述加热件的外侧；与所述加热件电连接的温控器，所述温控器设置于所述真空腔体的外部。由于通过所述第一布气管和所述第二布气管能够使得气体均匀分布，因此所述加热件对所述第一布气管和所述第二布气管内的前驱气体进行加热，通过前驱气体将热量均匀的分布在所述真空腔室内，使得所述真空腔室内形成均匀的温度场，提升镀膜的均匀性，进而提升镀膜的质量，同时通过温度场还能够提升镀膜的效率、提高前驱气体的活性以及提高基材与膜层的结合力。
进一步，还包括：分别设置于所述第一布气管和所述第二布气管上的流量计。通过所述流量计能够精准的控制流量大小，以保证镀膜的精度。
进一步，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的隔热板，所述隔热板位于所述加热件和所述真空腔体的内壁之间，且所述加热件与所述隔热板固定连接。通过所述隔热板能够减少热量由所述真空腔体的侧壁传递至外部，减少热量损失。
进一步，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的冷阱管道；与所述冷阱管道连通的制冷器，所述制冷器设置于所述真空腔体的外部。当基材放入所述真空腔室且抽真空至一定程度后，开启所述制冷器，并向所述真空腔体内通入前驱气体进行等离子体化学气相沉积，在镀膜过程中保持所述制冷器持续工作，待镀膜结束后关闭所述制冷器，并保持抽真空5分钟～10分钟后恢复常压，最后打开所述真空腔室，取出基材。由于镀膜质量对真空度的要求较高，而水汽对抽真空的影响较大，当水汽含量较高时无法使得所述真空腔室内的真空值达到预定范围。因此通过位于所述真空腔室内的所述冷阱管道，能够迅速的将所述真空腔室内的水汽捕集并冷凝在表面，从而使系统快速获得所需要的工艺真空条件，保证了膜材分子自由程和精准的光学厚度，显著提高镀膜沉积质量和生产效率，提高膜基界面结合力。
进一步，所述第二电位为脉冲直流；脉冲直流的参数包括：电压为300伏～1000伏，频率为1千赫兹～350千赫兹。通过脉冲直流的等离子体放电制备类金刚石碳薄膜，频率在1千赫兹～350千赫兹可调，无需匹配器，能够大面积均匀放电。
附图说明
图1是本发明实施例中真空腔体与电场组件的结构示意图；
图2是本发明实施例中电场组件结构的示意图；
图3是本发明实施例中电极架的结构示意图；
图4是本发明另一实施例中电极板在电极架中排布结构示意图；
图5是本发明实施例中电极板和载物板的结构示意图；
图6是本发明实施例中真空腔体与第一布气管、第二布气管、加热件以及隔热板的结构示意图；
图7是本发明实施例中真空腔体与冷阱管道的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，目前镀膜设备在进行等离子体化学气相沉积时仍存在诸多问题。以下将进行具体说明。
镀膜设备中通过等离子体化学气相沉积技术制备类金刚石碳薄膜常用的电源为射频源，其频率高，常用13.56MHz，但射频电源需要加装匹配器，大面积等离子体放电过程中，射频匹配困难，往往会出现电场不均匀现象。当电场分布不均时也会直接影响样品表面涂层的均匀性，进而影响镀膜质量。
在此基础上，本发明提供一种镀膜设备，包括：若干电极板，若干电极板分别电连接第二电位，第二电位与第一电位不同，若干电极板沿第一方向平行排布，且相邻的电极板之间具有第一间隙。由于每块电极板均属于等电位，放电的环境一致，进而提升真空腔室内的电场分布均匀性。当电场均匀性提升会使得样品表面涂层的均匀性提升，进而提升镀膜效果。另外，相邻的电极板之间具有第一间隙，使得电极板之间形成空心阴极效应，进而使得辉光放电区域相互叠加，辉光变强，等离子体浓度增加，进而提升镀膜效率和质量。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图1是本发明实施例中真空腔体与电场组件的结构示意图；图2是本发明实施例中电场组件结构的示意图；图3是本发明实施例中电极架的结构示意图；图4是本发明另一实施例中电极板在电极架中排布结构示意图；图5是本发明实施例中电极板和载物板的结构示意图；图6是本发明实施例中真空腔体与第一布气管、第二布气管、加热件以及隔热板的结构示意图；图7是本发明实施例中真空腔体与冷阱管道的结构示意图。
请参考图1和图2，一种镀膜设备，包括：真空腔体100，所述真空腔体100包括真空腔室101，所述真空腔体100电连接第一电位；位于所述真空腔室100内，且与所述真空腔体100绝缘接触的电场组件102，其中，所述电场组件102包括：若干电极板1022，若干所述电极板1022分别电连接第二电位，所述第二电位与所述第一电位不同，若干所述电极板1022沿第一方向X平行排布，且相邻的所述电极板1022之间具有第一间隙d1。
在本实施例中，由于每块所述电极板1022属于等电位，放电的环境一致，进而提升所述真空腔室101内的电场分布均匀性。当电场均匀性提升会使得基材表面涂层的均匀性提升，进而提升镀膜效果。另外，相邻的所述电极板1022之间具有第一间隙d1，使得所述电极板1022之间形成空心阴极效应，进而使得辉光放电区域相互叠加，辉光变强，等离子体浓度增加，进而提升镀膜效率和质量。
请继续参考图1和图2，在本实施例中，所述电场组件102还包括：电极架1021，所述电极架1021电连接所述第二电位，若干所述电极板1022分别与所述电极架1021可拆卸连接，且若干所述电极板1022分别与所述电极架1021电连接。
在本实施例中，所述电极架为若干所述电极板提供支撑。
请继续参考图2，在本实施例中，所述第一方向X为竖直方向。
请参考图4，在其他实施例中，所述第一方向X还可以为水平方向。
在本实施例中，所述第一间隙d1的尺寸范围为：10毫米～80毫米。
在本实施例中，所述第一电位为接地电位，即所述真空腔体100的侧壁接地；所述第二电位为负电位，若干所述电极板1022电连接脉冲电源以作为所述脉冲电源的阴极。
在本实施例中，所述第二电位为脉冲直流；脉冲直流的参数包括：电压为300伏～1000伏，频率为1千赫兹～350千赫兹。通过脉冲直流的等离子体放电制备类金刚石碳薄膜，频率在1千赫兹～350千赫兹可调，无需匹配器，能够大面积均匀放电。
在本实施例中，所述电极板1022通过若干金属固定卡件1023与所述电极架1021可拆卸连接。所述金属固定卡件1023用于将所述电极板1022固定在所述电极架1021上，同时保持预设的极板间距，维持所述电极板1022与所述电极架1021可靠的电导通。
请参考图5，在本实施例中，还包括：与所述电极板1022表面固定连接的若干载物板1024，相邻的所述载物板1024之间具有第二间隙d2。由于金属材质的所述电极板1022存在打火的风险，如果将基材直接放置于所述电极板1022上容易造成基材的损坏。因此通过所述载物板1024承载所述基材，一方面便于装样，另一方面起到对基材的保护作用。另外，相邻的所述载物板1024之间具有第二间隙d2，使得所述电极板1022的部分表面被暴露出来，进而能用较低电压启辉放电，形成等离子体。
在本实施例中，所述第二间隙d2的尺寸范围为：10毫米～20毫米。
所述载物板1024的材料包括：绝缘材料；所述绝缘材料包括：玻璃、高分子塑料或陶瓷。
在本实施例中，所述载物板1024的材料采用玻璃。
请继续参考图5，在本实施例中，所述电极板1022包括相对的第一表面1022a和第二表面1022b，所述第一表面1022a和所述第二表面1022b均固定连接有若干所述载物板1024。待镀膜的基材放置于所述载物板1024的两相对的表面，通过在所述电极板1022的两面装样，能够大大提高单次镀膜的装炉量。
在本实施例中，所述载物板1024通过粘贴的方式固定于所述电极板1022的表面；在其他实施例中，所述载物板还可以通过卡接的方式固定于所述电极板的表面。
在本实施例中，基材通过粘贴的方式固定于所述载物板1024的表面。
在本实施例中，基材包括：电子产品屏幕、高分子材料、金属、塑料、玻璃或陶瓷。
请参考图3，并继续参考图1，在本实施例中，还包括：开设于所述真空腔体100底部的绝缘滑槽1001；与所述电极架1021底部固定连接的若干万向球轴承1025，所述万向球轴承1025装配于所述绝缘滑槽1001内。由于在镀膜结束后，需要将整个所述电极架1021拖出，更换上另一个满载的所述电极架1021，开始另一批次的镀膜，如此循环。通过所述绝缘滑槽1001和所述万向球轴承1025的配合，便于所述电极架1021的搬移。
请参考图6，在本实施例中，还包括：位于所述真空腔室101内，且与所述真空腔体100内壁固定连接的第一布气管103和第二布气管104，所述第一布气管103上开设有若干第一吹气孔1031，所述第二布气管104上开设有若干第二吹气孔1041，所述第一布气管103和所述第二布气管104平行排布，且所述第一布气管103和所述第二布气管的104进气方向相反。由于随着布气管的延伸气体的浓度会逐渐下降，因此通过将所述第一布气管103和所述第二布气管104的平行排布，以及配合所述第一布气管103和所述第二布气管104的进气方向相反(如图6中进气方向a和进气方向b)，使得所述第一布气管103和所述第二布气管104内用于形成类金刚石碳薄膜的前驱气体的浓度梯度形成互补，进而使得所述第一布气管103和所述第二布气管104吹出的前驱气体均匀的扩散至各个所述电极板1022的表面，以提升镀膜的均匀性，进而提升镀膜质量。
在本实施例中，所述第一布气管103和所述第二布气管104呈“S”形布线。
在本实施例中，所述第一吹气孔1031沿所述第一布气管103的径向开设，若干所述第一吹气孔1031沿所述第一布气管103的轴向依次排布；所述第二吹气孔1041沿所述第二布气管104的径向开设，若干所述第二吹气孔1041沿所述第二布气管104的轴向依次排布。
在本实施例中，还包括：分别设置于所述第一布气管103和所述第二布气管104上的流量计(未图示)。通过所述流量计能够精准的控制流量大小，以保证镀膜的精度。
请继续参考图6，在本实施例中，还包括：位于所述真空腔室101内，且与所述真空腔体100固定的加热件105，所述第一布气管103和所述第二布气管104分别位于所述加热件105的外侧；与所述加热件105电连接的温控器(未图示)，所述温控器设置于所述真空腔体100的外部。由于通过所述第一布气管103和所述第二布气管104能够使得气体均匀分布，因此所述加热件105对所述第一布气管103和所述第二布气管104内的前驱气体进行加热，通过前驱气体将热量均匀的分布在所述真空腔室101内，使得所述真空腔室101内形成均匀的温度场，提升镀膜的均匀性，进而提升镀膜的质量，同时通过温度场还能够提升镀膜的效率、提高前驱气体的活性以及提高基材与膜层的结合力。
在本实施例中，所述加热件105采用加热管；在其他实施例中，所述加热件还可以采用加热棒。
在本实施例中，所述温控器的温控范围为：50摄氏度～150摄氏度。
请继续参考图6，在本实施例中，还包括：位于所述真空腔室101内，且与所述真空腔体100内壁固定连接的隔热板106，所述隔热板106位于所述加热件105和所述真空腔体100的内壁之间，且所述加热件105与所述隔热板106固定连接。通过所述隔热板106能够减少热量由所述真空腔体100的侧壁传递至外部，减少热量损失。
在本实施例中，所述隔热板106的材料采用陶瓷。
请参考图7，在本实施例中，还包括：位于所述真空腔室101内，且与所述真空腔体100内壁固定连接的冷阱管道107；与所述冷阱管道107连通的制冷器(未图示)，所述制冷器设置于所述真空腔体100的外部。当基材放入所述真空腔室101且抽真空至一定程度后，开启所述制冷器，并向所述真空腔体100内通入前驱气体进行等离子体化学气相沉积，在镀膜过程中保持所述制冷器持续工作，待镀膜结束后关闭所述制冷器，并保持抽真空5分钟～10分钟后恢复常压，最后打开所述真空腔室101，取出基材。由于镀膜质量对真空度的要求较高，而水汽对抽真空的影响较大，当水汽含量较高时无法使得所述真空腔室101内的真空值达到预定范围。因此通过位于所述真空腔室内101内的所述冷阱管道107，能够迅速的将所述真空腔室101内的水汽捕集并冷凝在表面，从而使系统快速获得所需要的工艺真空条件，保证了膜材分子自由程和精准的光学厚度，显著提高镀膜沉积质量和生产效率，提高膜基界面结合力。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (21)

1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
真空腔体，所述真空腔体包括真空腔室，所述真空腔体电连接第一电位；位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体绝缘接触的电场组件，其中，所述电场组件包括：
若干电极板，若干所述电极板分别电连接第二电位，所述第二电位与所述第一电位不同，若干所述电极板沿第一方向平行排布，且相邻的所述电极板之间具有第一间隙。
2.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述电场组件还包括：电极架，所述电极架电连接所述第二电位，若干所述电极板分别与所述电极架可拆卸连接，且若干所述电极板分别与所述电极架电连接。
3.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：与所述电极板表面固定连接的若干载物板，相邻的所述载物板之间具有第二间隙。
4.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二间隙的尺寸范围为：10毫米～20毫米。
5.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述载物板的材料包括：绝缘材料；所述绝缘材料包括：玻璃、高分子塑料或陶瓷。
6.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述电极板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均固定连接有若干所述载物板。
7.如权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：开设于所述真空腔体底部的绝缘滑槽；与所述电极架底部固定连接的若干万向球轴承，所述万向球轴承装配于所述绝缘滑槽内。
8.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的第一布气管和第二布气管，所述第一布气管上开设有若干第一吹气孔，所述第二布气管上开设有若干第二吹气孔，所述第一布气管和所述第二布气管平行排布，且所述第一布气管和所述第二布气管的进气方向相反。
9.如权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一吹气孔沿所述第一布气管的径向开设，若干所述第一吹气孔沿所述第一布气管的轴向依次排布；所述第二吹气孔沿所述第二布气管的径向开设，若干所述第二吹气孔沿所述第二布气管的轴向依次排布。
10.如权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：分别设置于所述第一布气管和所述第二布气管上的流量计。
11.如权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体固定的加热件，所述第一布气管和所述第二布气管分别位于所述加热件的外侧；与所述加热件电连接的温控器，所述温控器设置于所述真空腔体的外部。
12.如权利要求11所述的镀膜设备，其特征在于，所述加热件包括：加热管或加热棒。
13.如权利要求11所述的镀膜设备，其特征在于，所述温控器的温控范围为：50摄氏度～150摄氏度。
14.如权利要求11所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的隔热板，所述隔热板位于所述加热件和所述真空腔体的内壁之间，且所述加热件与所述隔热板固定连接。
15.如权利要求14所述的镀膜设备，其特征在于，所述隔热板的材料包括：陶瓷。
16.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体内壁固定连接的冷阱管道；与所述冷阱管道连通的制冷器，所述制冷器设置于所述真空腔体的外部。
17.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一方向包括：竖直方向或水平方向。
18.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一间隙的尺寸范围为：10毫米～80毫米。
19.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一电位包括：接地电位；所述第二电位包括：负电位。
20.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二电位包括：脉冲直流；脉冲直流的参数包括：电压为300伏～1000伏，频率为1千赫兹～350千赫兹。
21.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述电极板通过若干金属固定卡件与所述电极架可拆卸连接。
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