CN112899637B - 镀膜装置的进气系统 - Google Patents
镀膜装置的进气系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112899637B CN112899637B CN201911227586.4A CN201911227586A CN112899637B CN 112899637 B CN112899637 B CN 112899637B CN 201911227586 A CN201911227586 A CN 201911227586A CN 112899637 B CN112899637 B CN 112899637B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air
- coating
- air inlet
- coating device
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims description 39
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 198
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 195
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 55
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 43
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 43
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012567 medical material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
本发明主要提供一种镀膜装置的进气系统，用于为一镀膜装置为至少一待镀膜产品提供镀膜气体，所述镀膜装置为所述待镀膜产品进行类金刚石涂层，所述镀膜装置的进气系统能够由所述待镀膜产品的周围将镀膜气体提供至所述待镀膜产品的表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜装置的进气系统和进气方法，具体而言，本发明涉及一种能提高镀膜均匀性的进气系统。
背景技术
类金刚石薄膜（简称DLC）具有类似于金刚石的诸多优异的物理和化学性能，如高硬度、低摩擦系数、优良的耐磨性、低介电常数、化学惰性和生物相容性等，使其在真空微电子学、摩擦学、光电子学、声学、医学材料，甚至工业包装、装潢、装饰业等领域都有着良好的应用前景。
与金刚石薄膜的制备相比，类金刚石薄膜具有制备方法简单、沉积温度低、快捷以及易于工业化推广等优点。目前，类金刚石薄膜的制备方法包括化学气相沉积、物理气相沉积和液相法制备技术等。
等离子体增强化学气相沉积方法由于具有沉积温度低、绕镀性好以及制备的薄膜均匀致密等特点而成为最常用的制备类金刚石薄膜的方法之一。其主要通过辉光放电分解碳氢气体，从而激发形成的等离子体与衬底发生相互作用并沉积成膜。在沉积过程中，从阴极发出的高速运动的电子与源气体分子发生碰撞形成高能活性粒子，这些活性粒子之间发生化学反应，由于高能电子提高反应粒子的能量，降低反应所需能量，使得反应可在低温条件下进行，有利于形成DLC膜层。
在实际生产中，申请人发现通过现有设备镀膜的膜层厚度不均匀，处于不同位置上的产品镀膜颜色不一致，甚至同一批次的镀膜产品色差明显。难以控制腔体中每个待镀件可以均匀接受到反应气体；同时目前的进气系统占据一定的镀膜空间，降低镀膜腔体最大化利用率。
现有技术中，研究者们也设计出不同类型的镀膜设备来得到高质量的膜层。申请号为201720039885.5，名称为一种类金刚石镀膜制备设备的实用新型专利，公开了在类金刚石涂层镀膜过程中，通过气体控制系统向真空腔体进气，而气体控制系统配备了8个流量控制器和至少2个扩散器，扩散器的内部和外部配有温度控制系统，两个扩散器与8个流量控制器相连，利用运载气体将加热后的反应气体代入真空腔体内参与反应。由此可知，该技术方案中，为了向真空腔体进气，采用了至少8个流量控制器和2个扩散器的控制系统，这无疑又提高了生产成本。利用多个进气元件又会影响产品的稳定性。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，所述镀膜装置的进气系统设置于一镀膜装置，用于为至少一待镀膜产品进行进气镀膜，其中所述镀膜装置的进气系统能够从所述待镀膜产品的周围进气，从而能够避免所述待镀膜产品的表面镀膜不均匀的问题。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够使气体均匀覆盖于所述待镀膜产品的表面，从而提高所述待镀膜产品的镀膜品质。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够从所述待镀膜产品的两侧进气，从而使所述待镀膜产品的两侧都能均匀进气，以此提高所述镀膜装置的镀膜品质。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够被设置为与所述镀膜装置一体连接，从而减少所述镀膜装置的进气系统在所述镀膜装置的镀膜腔内的空间占用，以此提高所述镀膜装置对所述待镀膜产品容量。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够控制气体的向所述待镀膜产品喷洒的角度，从而能够根据不同的产品调节相应的角度，进而提高所述镀膜装置对所述待镀膜产品的镀膜良品率。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够控制气体的进气量，从而根据不同的所述待镀膜产品的不同涂层厚度进行相应的调整，从而提高所述镀膜装置的进气系统的适用范围。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够为所述待镀膜产品提供对称方向上的进气，从而避免所述待镀膜产品在镀膜过程中的涂层厚度不均匀。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够对对称设置中不同方向的进气量和进气速度进行调整，从而满足在所述镀膜腔内的不同方位同时放置不同的待镀膜产品的要求，因此能够提高所述镀膜装置的镀膜效率。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够满足不同数量和不同镀膜要求的待镀膜产品同时进行镀膜，从而提高所述镀膜装置的适用范围。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统通过管道输送的结构将气体输送至所述待镀膜产品的表面，一方面能够使所述镀膜装置的进气系统的结构简单，另一方面也能够减小所述镀膜装置的进气系统对所述镀膜腔的占用率。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统与所述镀膜装置为一体结构，通过将所述镀膜装置的一部分设置为进气系统从而为所述待镀膜产品提供气体。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统通过在所述镀膜装置的原有结构的基础上生成所述镀膜装置的进气系统，不仅减小了所述镀膜装置的零件数量，而且还能降低所述镀膜装置的生产成本。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统能够对所述镀膜腔内所述待镀膜产品周向位置上不同的方向分别控制进气参数，从而进一步提高所述镀膜装置的镀膜效率。
本发明的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置的进气系统在所述待镀膜产品的周向位置能够均匀进气，从而进一步提高所述镀膜装置对所述待镀膜产品的镀膜品质。
为达上述至少一目的，本发明主要提供一种镀膜装置的进气系统，用于为一镀膜装置为至少一待镀膜产品提供镀膜气体，所述镀膜装置为所述待镀膜产品进行类金刚石涂层，所述镀膜装置的进气系统能够由所述待镀膜产品的周围将镀膜气体提供至所述待镀膜产品的表面。
在其中一些实施例中，所述镀膜装置的进气系统包括两个进气组件，两个所述进气组件分别被实施于所述镀膜装置的一镀膜腔的内部对称的两相对侧。
在其中一些实施例中，两个所述进气组件分别被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁。
在其中一些实施例中，各个所述进气组件分别包括至少一布气段和一进气段，所述进气段与一气源装置连通，所述布气段延伸于所述进气段。
在其中一些实施例中，所述进气组件的所述布气段被设置为与所述镀膜腔的底部平行，所述布气段延伸于所述进气段而与所述镀膜腔的Z轴平行。
在其中一些实施例中，所述进气组件分别被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁，其中所述进气组件中的所述进气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁的底部水平边的边沿，所述进气组件中的所述布气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁的竖直边的边沿。
在其中一些实施例中，所述镀膜装置包括至少一支撑单元，所述支撑单元被设置于所述镀膜腔内为所述待镀膜产品提供支撑力，所述支撑单元包括至少一支撑架，所述待镀膜产品被自上而下放置于所述支撑架。
在其中一些实施例中，所述进气组件中的所述进气段的长度与所述镀膜腔的深度相同，所述进气组件中的所述布气段的高度与所述镀膜腔的高度相同。
在其中一些实施例中，所述进气组件中的所述布气段的长度不小于所述支撑单元的高度。
在其中一些实施例中，各个所述布气段包括一个或多个出气孔，所述出气孔被均匀排布于所述布气段并能够为被放置于所述支撑架上的所述待镀膜产品提供镀膜气体。
在其中一些实施例中，所述出气孔均被设置为朝向所述待镀膜产品的方向且进气方向与所述镀膜腔的两侧腔壁呈45°。
在其中一些实施例中，所述进气组件中的所述布气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁在竖直方向的轴线位置。
在其中一些实施例中，所述布气段上的所述出气孔的朝向被设置为与所述镀膜腔的左右两侧腔壁垂直。
在其中一些实施例中，各个所述进气组件的所述进气段均沿着所述镀膜腔的左右两侧腔壁的底部并贴合，各个所述布气段均被设置为倾斜于所述镀膜腔的左右两侧腔壁并与所述镀膜腔的左右两侧腔壁贴合。
在其中一些实施例中，两个所述进气组件的所述布气段的倾斜位置相反。
在其中一些实施例中，所述布气段上的所述出气孔的朝向被设置为与所述镀膜腔的左右两侧腔壁垂直。
在其中一些实施例中，所述气源装置包括两个气源组件，两个所述气源组件分别与两个所述进气组件连通，从而使两个所述进气组件能够通过两个所述气源组件实现分别进气。
附图说明
图1为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例的立体结构示意图。
图2为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例在A处的放大结构示意图。
图3为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例的进气方向的立体示意图。
图4为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例的应用场景的立体结构示意图。
图5为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例的一变形实施方式的立体结构示意图。
图6为本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例的另一变形实施方式的立体结构示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、 “内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
本发明主要提供一种镀膜装置的进气系统，用于为一镀膜装置在工作过程中由至少一待镀膜产品的周围将镀膜气体提供至所述待镀膜产品的表面，从而为所述待镀膜产品进行镀膜，其中所述镀膜装置为类金刚石涂层的镀膜装置。
如图1至图4所示，为本发明所述的镀膜装置的进气系统10的第一实施例的立体结构示意图。如图1和图2所示，所述镀膜装置的进气系统10包括至少一进气组件11，所述进气组件11被设置于所述镀膜装置A的一镀膜腔100，从而为所述待镀膜产品提供进气。
详细而言，在本发明的第一实施例中，所述进气系统中的所述进气组件11被实施为两个，两个所述进气组件11分别被设置于所述镀膜腔100的内部对称的相对侧。优选地，两个所述进气组件11分别被实施于所述镀膜腔100的左右两侧腔壁。各个所述进气组件11分别包括一布气段112和一进气段111，所述进气组件11的所述布气段112被设置为与所述镀膜腔100的Z轴平行，所述进气组件11的所述进气段111被设置为与所述镀膜腔100的底部平行。
优选地，在本发明的第一实施例中，所述直角形管道被设置于所述镀膜腔100的左右两侧腔壁，且所述进气组件11中的所述进气段111被设置于所述镀膜腔100的左右两侧腔壁的底部水平边的边沿，所述进气组件11中的所述布气段112被设置于所述镀膜腔100的左右两侧腔壁的竖直边的边沿，且两个所述进气组件11的所述布气段112分别贴合于所述镀膜腔100的左右两侧腔壁。
优选地，在本发明的第一实施例中，所述进气段111与所述布气段112为一体结构，从而提高所述进气组件11的密封效果。除此以外，本领域技术人员也可以根据实际情况将所述进气段111与所述布气段112设置为可拆卸式连接结构，再通过直接等方式固定连接所述进气段111或所述布气段112等，只要采用了与本发明相同或近似的技术方案，解决了与本发明相同或近似的技术问题，并且达到了与本发明相同或近似的技术效果，都属于本发明的保护范围之内，本发明的具体实施方式并不以此为限。
在本发明所述的镀膜装置的进气系统10的第一实施例中，所述镀膜装置A包括至少一支撑单元20，所述支撑单元20被设置于所述镀膜装置A的所述镀膜腔100内为所述待镀膜产品在被镀膜过程中提供支撑力。
其中所述镀膜装置A包括至少一支撑单元20，所述支撑单元20被设置于所述镀膜腔100内为所述待镀膜产品提供支撑力，所述支撑单元20包括至少一支撑架21，所述待镀膜产品被自上而下放置于所述支撑架21。
优选地，所述支撑单元20包括一层或多层支撑架21，各层所述支撑架21自上而下彼此水平排列，从而使所述待镀膜产品被自上而下放置于不同的所述支撑架21上。所述支撑单元20被活动设置于所述镀膜装置A的所述镀膜腔100，以使所述支撑单元20能够被从所述镀膜腔100取出从而进行放置或取出所述待镀膜产品以提高所述待镀膜产品在加工过程中的安全性，并且有利于所述镀膜装置A的所述镀膜腔100内更换其他结构的支撑单元20，从而进一步提高所述镀膜装置A的适用范围。
在本发明所述的镀膜装置的进气系统10的第一实施例中，所述进气组件11中的所述进气段111的长度与所述镀膜腔100的深度相同，所述进气组件11中的所述布气段112的高度与所述镀膜腔100的高度相同。从而使所述进气组件11更好地贴合于所述镀膜腔100的左右两侧壁。
优选地，所述进气组件11中的所述布气段112的长度不小于与所述支撑单元20的高度，由于所述待镀膜产品分别被放置于所述支撑单元20的各层所述支撑架21上，因此为了确保各层所述支撑架21上的所述待镀膜产品都能够被均匀接受到镀膜气体，因此所述镀膜装置的进气10在沿着所述待镀膜产品放置的高度方向都要确保能够提供气体。
更进一步地，所述进气组件11中的所述布气段112的长度略高于所述支撑单元20的高度，从而使所述进气系统不仅能够满足为所有被放置于所述支撑单元20的所述待镀膜产品进行镀膜，而且也能够在一定减少所述镀膜装置的进气系统10的原料浪费，以减少所述镀膜装置的进气系统10的生产成本，除此以外，也能够在一定程度上减少所述镀膜装置A的整体重量。
在本发明所述的镀膜装置的进气系统10的第一实施例中，各个所述直角形管道的所述布气段112均设置有一个或多个出气孔1120，所述出气孔1120被均匀排布于所述布气段112并能够满足为被放置于所述支撑单元20的各层所述支撑架21上的所述待镀膜产品提供气体。
如图3所示，作为本发明的进一步优选，所述送气孔均被设置于朝向所述待镀膜产品的一方从而使气体能够通过所述送气孔以相对于所述支撑单元20呈45°角的方向进气。
详细而言，在本发明的第一实施例中，所述支撑单元20的结构与所述镀膜腔100的形状一致且结构适配，所述镀膜腔100为长方体，所述支撑单元20也为长方体且能够被容纳于所述镀膜腔100，所述支撑单元20的中心位置被放置为与所述镀膜腔100的中心位置重合。因此，当位于所述镀膜腔100的两侧壁的所述进气组件11的所述布气段112上的所述送气孔分别被设置为相对于所述镀膜腔100的两侧壁朝向所述镀膜腔100内呈45°角时，两个所述进气组件11会分别以相对于两侧壁向内45°角的方向向位于所述支撑单元20的各层所述支撑架21上的所述待镀膜产品进行送气，从而提高所述待镀膜产品的涂层均匀性。
另外，不管所述支撑单元20的形状是否与所述镀膜腔100的形状一致，只要所述支撑单元20的轴心与所述镀膜腔100的轴心重合，以此种方向设置的所述送气孔都能将气体均匀地送至所述待镀膜产品的表面。
除此以外，本领域技术人员可以根据实际情况或所述待镀膜产品的涂层厚度需要改变所述送气孔的设置方向，只要采用了与本发明相同或近似的技术方案，解决了与本发明相同或近似的技术问题，并且达到了与本发明相同或近似的技术效果，都属于本发明的保护范围之内，本发明的具体实施方式并不以此为限。
需要强调的是，在本发明的第一实施例中，所述镀膜装置的进气系统10通过与一气源装置30连通，从而将所述气源装置30提供的气体经过所述镀膜装置的进气系统10进入所述镀膜装置A的所述镀膜腔100，以此实现为所述镀膜腔100内的所述待镀膜产品进行镀膜。
详细而言，所述气源装置30被固定设置于所述镀膜装置A，且所述气源装置30能够产生镀膜气体，包括但不限于将惰性气体或其他能够在所述待镀膜产品的表面形成镀膜涂层的气体直接通过所述气源装置30提供至所述镀膜装置的进气系统10，或者是将液态形式的能够在所述待镀膜产品的表面形成镀膜涂层的原料通过所述气源装置30进行气化后再经过所述镀膜装置的进气系统10输送至所述镀膜装置A的所述镀膜空间，从而为所述待镀膜产品进行镀膜。
优选地，在本发明所述的镀膜装置的进气系统10的第一实施例中，所述气源装置30包括两个气源组件31，两个所述气源组件31分别与两个所述进气组件11连通，从而使所述各个所述进气组件11能够分别通过不同的所述气源组件31实现单独进气。如此，当需要为不同位置的所述待镀膜产品提供不同量的镀膜气体，或者是所述待镀膜产品需要的涂层厚度不一致的时候，即可通过分别控制两个所述气源组件31的进气量，从而使两个所述进气组件11能够为所述待镀膜产品提供不同量的镀膜气体，以实现为不同位置不同要求的所述待镀膜产品进行镀膜。因此，在本发明所述的镀膜装置的进气系统的第一实施例中，所述镀膜装置的进气系统10能够进一步提高所述镀膜装置A的适用范围和工作效率。
接下来，对本发明的第一实施例中的所述镀膜装置的进气系统10的工作原理进行简单阐述。
利用抽气装置将所述镀膜装置A中的镀膜腔100内的气压抽至一接近真空的合适气压，之后再通过所述气源装置30向所述镀膜装置的进气系统10进行充气，到达工作气压后，将所述待镀膜产品放置的所述支架单元通电形成负压。此时，气体通过所述气源装置30中的两个所述气源组件31进入所述镀膜装置的进气系统10中的所述进气组件11，再分别通过两个所述进气组件11中的所述进气段111送至所述布气段112，到达所述布气段112后再通过所述送气孔到达所述镀膜腔100，在电极作用和重力作用下，气体会到达所述待镀膜产品的表面而形成类金刚石涂层涂层，从而完成所述待镀膜产品的镀膜。
如图5所示，为本发明所述的镀膜装置的进气系统10’的第一实施例的一种变形实施方式。与上述第一实施例不同的是，在该变形实施方式中，所述进气组件11’中的所述布气段112’被设置为与所述镀膜腔100’的左右两侧腔壁的竖直边平行。
优选地，所述进气组件11’中的所述布气段112’被设置于与所述镀膜腔100’的左右两侧腔壁在竖直方向的轴线重合，而所述送气孔朝向所述镀膜腔100’的方向与所述镀膜腔100’的左右两侧腔壁垂直，从而通过所述进气组件11’的所述送气孔出来的气体能够被均匀送至所述待镀膜产品的表面。
如图6所示，为本发明所述的镀膜装置的进气系统10’’的第一实施例的另一变形实施方式。
与上述第一实施例不同的是，在该另一变形实施方式中，所述进气组件11’’的所述布气段112’’被实施为倾斜于所述镀膜腔100’’的左右两侧腔壁并与所述镀膜腔100’’的左右两侧腔壁贴合，且两个所述进气组件11’’的所述布气段112’’的倾斜位置相反，而两个所述进气组件11’’上的所述布气段112’’上的所述送气孔分别被设置为朝向所述镀膜腔100’’并分别与所述镀膜腔100’’的左右两侧腔壁垂直，从而当气体进入所述进气系统并通过所述进气系统中的所述送气孔吹向所述镀膜腔100’’内时，由两个所述进气组件11’’吹送的气体会从两个相对的方向吹向所述待镀膜产品的表面，且相互补足，从而使到达所述待镀膜产品的表面的涂层的均匀性得到提高。
除此以外，本领域技术人员可以根据所述待镀膜产品的实际情况改变所述进气系统中所述进气段111’’和所述布气段112’’的结构，甚至将所述进气系统中的两个所述进气组件11’’设置为不同的结构，只要能够使所述进气系统能够从所述待镀膜产品的两相对侧向所述待镀膜产品进气即可，都属于本发明的保护范围之内。换句话说，只要采用了与本发明相同或近似的技术方案，解决了与本发明相同或近似的技术问题，并且达到了与本发明相同或近似的技术效果，都属于本发明的保护范围之内，本发明的具体实施方式并不以此为限。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在各个个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。
Claims (14)
1.一种镀膜装置的进气系统，用于为一镀膜装置为至少一待镀膜产品提供镀膜气体，其特征在于，所述镀膜装置为所述待镀膜产品进行类金刚石涂层，所述镀膜装置的进气系统能够由所述待镀膜产品的周围将镀膜气体提供至所述待镀膜产品的表面；所述镀膜装置的进气系统包括两个进气组件，两个所述进气组件分别被实施于所述镀膜装置的一镀膜腔的内部对称的两相对侧，使吹送的镀膜气体从两个相对的方向吹向所述待镀膜产品的表面且相互补足；
其中任一所述进气组件分别包括至少一布气段和一进气段，所述进气段与一气源装置连通，所述布气段延伸于所述进气段，所述布气段均被设置为倾斜于所述镀膜腔的腔壁底面并与所述镀膜腔的左右两侧腔壁贴合, 贴合在左腔壁的布气段与贴合在右腔壁的布气段倾斜位置相反。
2.根据权利要求1所述的镀膜装置的进气系统，其中所述进气组件的所述布气段被设置为与所述镀膜腔的底部平行，所述布气段延伸于所述进气段而与所述镀膜腔的Z轴平行。
3.根据权利要求2所述的镀膜装置的进气系统，其中所述进气组件分别被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁，其中所述进气组件中的所述进气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁的底部水平边的边沿，所述进气组件中的所述布气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁的竖直边的边沿。
4.根据权利要求3所述的镀膜装置的进气系统，其中所述镀膜装置包括至少一支撑单元，所述支撑单元被设置于所述镀膜腔内为所述待镀膜产品提供支撑力，所述支撑单元包括至少一支撑架，所述待镀膜产品被自上而下放置于所述支撑架。
5.根据权利要求4所述的镀膜装置的进气系统，其中所述进气组件中的所述进气段的长度与所述镀膜腔的深度相同，所述进气组件中的所述布气段的高度与所述镀膜腔的高度相同。
6.根据权利要求4所述的镀膜装置的进气系统，其中所述进气组件中的所述布气段的长度不小于所述支撑单元的高度。
7.根据权利要求5所述的镀膜装置的进气系统，其中任一所述布气段包括一个或多个出气孔，所述出气孔被均匀排布于所述布气段并能够为被放置于所述支撑架上的所述待镀膜产品提供镀膜气体。
8.根据权利要求7所述的镀膜装置的进气系统，其中所述出气孔均被设置为朝向所述待镀膜产品的方向且进气方向与所述镀膜腔的两侧腔壁呈45°。
9.根据权利要求1所述的镀膜装置的进气系统，其中所述进气组件中的所述布气段被设置于所述镀膜腔的左右两侧腔壁在竖直方向的轴线位置。
10.根据权利要求9所述的镀膜装置的进气系统，其中任一所述布气段包括一个或多个出气孔，所述出气孔被均匀排布于所述布气段，所述布气段上的所述出气孔的朝向被设置为与所述镀膜腔的左右两侧腔壁垂直。
11.根据权利要求1所述的镀膜装置的进气系统，其中任一所述进气组件的所述进气段均沿着所述镀膜腔的左右两侧腔壁的底部并贴合。
12.根据权利要求11所述的镀膜装置的进气系统，其中两个所述进气组件的所述布气段的倾斜位置相反。
13.根据权利要求12所述的镀膜装置的进气系统，其中任一所述布气段包括一个或多个出气孔，所述出气孔被均匀排布于所述布气段，所述布气段上的所述出气孔的朝向被设置为与所述镀膜腔的左右两侧腔壁垂直。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的镀膜装置的进气系统，其中所述气源装置包括两个气源组件，两个所述气源组件分别与两个所述进气组件连通，从而使两个所述进气组件能够通过两个所述气源组件实现分别进气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911227586.4A CN112899637B (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 镀膜装置的进气系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911227586.4A CN112899637B (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 镀膜装置的进气系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112899637A CN112899637A (zh) | 2021-06-04 |
| CN112899637B true CN112899637B (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=76110766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911227586.4A Active CN112899637B (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 镀膜装置的进气系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112899637B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117660886A (zh) * | 2022-09-01 | 2024-03-08 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| CN101845620A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | 亚洲太阳科技有限公司 | 脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置 |
| CN103014642A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-04-03 | 广东志成冠军集团有限公司 | 调节式布气系统及包含其的磁控溅射镀膜装置 |
| CN104099584A (zh) * | 2013-04-10 | 2014-10-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种反应腔室及等离子体加工设备 |
| CN104233230A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 财团法人工业技术研究院 | 用于化学气相沉积的反应装置及反应制作工艺 |
| CN107345294A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-14 | 北京芯微诺达科技有限公司 | 一种等离子体设备的进气结构 |
| CN206948696U (zh) * | 2017-07-04 | 2018-01-30 | 上海稷以科技有限公司 | 平板电极结构和等离子体沉积设备 |
| CN110344002A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-10-18 | 惠科股份有限公司 | 一种蒸镀装置和蒸镀方法 |
-
2019
- 2019-12-04 CN CN201911227586.4A patent/CN112899637B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| CN101845620A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | 亚洲太阳科技有限公司 | 脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置 |
| CN103014642A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-04-03 | 广东志成冠军集团有限公司 | 调节式布气系统及包含其的磁控溅射镀膜装置 |
| CN104099584A (zh) * | 2013-04-10 | 2014-10-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种反应腔室及等离子体加工设备 |
| CN104233230A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 财团法人工业技术研究院 | 用于化学气相沉积的反应装置及反应制作工艺 |
| CN206948696U (zh) * | 2017-07-04 | 2018-01-30 | 上海稷以科技有限公司 | 平板电极结构和等离子体沉积设备 |
| CN107345294A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-14 | 北京芯微诺达科技有限公司 | 一种等离子体设备的进气结构 |
| CN110344002A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-10-18 | 惠科股份有限公司 | 一种蒸镀装置和蒸镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112899637A (zh) | 2021-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111254383B (zh) | 用于改善反应溅射膜层均匀性的物理气相沉积设备 | |
| US7112352B2 (en) | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces | |
| CN105925960B (zh) | 一种用于太阳能电池片生产的原子层沉积真空镀膜装置 | |
| US20070090032A1 (en) | Plasma treatment apparatus | |
| CN1993490A (zh) | 引导等离子体流的内部通道涂覆装置 | |
| CN111020534B (zh) | 镀膜设备 | |
| CA2781441A1 (en) | Chemical vapor deposition for an interior of a hollow article with high aspect ratio | |
| CN112899637B (zh) | 镀膜装置的进气系统 | |
| CN112981374B (zh) | 镀膜设备及其镀膜方法 | |
| CN108300979A (zh) | 具有气体密封的化学沉积室 | |
| KR100519873B1 (ko) | 이중면 샤워 헤드 전자관 | |
| CN113774363A (zh) | 镀膜设备及其镀膜方法 | |
| CN102586759A (zh) | 一种气体输送系统及应用该系统的半导体处理设备 | |
| EP1597409A1 (en) | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces | |
| CN106367736B (zh) | 远端电浆增强化学气相沉积装置 | |
| KR20180002521A (ko) | 고밀도 박막증착을 위한 플라즈마 소스의 배기구조 | |
| CN112899635A (zh) | 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备 | |
| CN112899638B (zh) | 镀膜装置的进气系统 | |
| KR100824339B1 (ko) | 3차원 ｃｖｄ 장치 및 방법 | |
| CN116752106B (zh) | 用于反应溅射的物理气相沉积设备 | |
| CN118086874B (zh) | 等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺 | |
| US20030098367A1 (en) | Processes and systems for determining the identity of metal alloys | |
| KR20180002525A (ko) | 고밀도 박막증착을 위한 증착장치 | |
| CN221227817U (zh) | 一种保持多区板式pecvd电极平行装置 | |
| CN109913830B (zh) | 一种多功能真空镀膜机 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: The intake system of the coating device Granted publication date: 20230331 Pledgee: Wuxi Branch of China CITIC Bank Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu feiwotai nanotechnology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980016337 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |