CN117616539A - 量子点发光器件及其制备方法 - Google Patents
量子点发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117616539A CN117616539A CN202280001377.1A CN202280001377A CN117616539A CN 117616539 A CN117616539 A CN 117616539A CN 202280001377 A CN202280001377 A CN 202280001377A CN 117616539 A CN117616539 A CN 117616539A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- light emitting
- emitting device
- dot light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 603
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 237
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 199
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 74
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 71
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 67
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 38
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 19
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 17
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 9
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KWTSXDURSIMDCE-QMMMGPOBSA-N (S)-amphetamine Chemical compound C[C@H](N)CC1=CC=CC=C1 KWTSXDURSIMDCE-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 7
- 229940025084 amphetamine Drugs 0.000 claims description 7
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 7
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 229940039407 aniline Drugs 0.000 claims description 4
- 229940117803 phenethylamine Drugs 0.000 claims description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 claims description 4
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 73
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 38
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 24
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- GSJJCZSHYJNRPN-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-(2-sulfanylethyl)carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCS GSJJCZSHYJNRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)gallane Chemical compound C1=CN=C2C(O[Ga](OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical group [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
提供一种量子点发光器件及其制备方法。量子点发光器件(200)包括：依次层叠设置的电子传输层(201)、辅助层(202)和量子点发光层(203)，量子点发光层(203)包括量子点(2031)，量子点(2031)的表面具有第一配体(2032)，第一配体(2032)包括和量子点(2031)连接的第一官能团以及远离量子点(2031)的第二官能团；量子点(2031)的和第一配体(2032)接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层(202)的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一，辅助层(202)先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，即辅助层(202)可以避免第一颜色量子点层(203a)的材料残留在第二子像素区(2041b)和第三子像素区(2041c)中，还可以避免第二颜色量子点层(203b)的材料残留在第三子像素区(2041c)中，进而可以避免混色的问题，以提高量子点发光器件(200)的色域，进而可以提高量子点发光器件(200)的全彩性能。
Description
本公开的实施例涉及一种量子点发光器件及其制备方法。
量子点发光器件(Quantum Dots Light Emitting Displays,QLED)是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。与其他类型的有机发光二极管不同的是，其电致发光结构为量子点层，且其原理为电子通过电子传输层注入量子点层，空穴通过空穴传输层注入量子点层，电子和空穴在量子点中复合发光。
量子点(QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。随着量子效率不断提升，QLED器件可以实现更小面积的发光，从而有利于使得显示产品实现更高的分辨率。
发明内容
本公开的实施例提供一种量子点发光器件和量子点发光器件的制备方法，在该量子点发光器件中，量子点的表面具有的第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团，量子点的和第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，通过在电子传输层和量子点发光层之间设置辅助层，且使得辅助层的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一，以使得辅助层占据可能残留非必要的量子点的位点，从而使得非必要的量子点更容易从电子传输层上去除，以减少量子点发光器件混色的风险，从而可以提高量子点发光器件的全彩性能。
本公开至少一实施例提供一种量子点发光器件，该量子点发光器件包括：依次层叠设置的电子传输层、辅助层和量子点发光层，其中，所述量子点发光层包括量子点，所述量子点的表面具有第一配体，所述第一配体包括和所 述量子点连接的第一官能团以及远离所述量子点的第二官能团；所述量子点的和所述第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物、含有所述金属元素的化合物、含有所述非金属元素的化合物中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述第二官能团为氨基，所述含有所述第二官能团的化合物包括碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物、具有电子传输性能的芳香胺类化合物、氨基硅烷偶联剂类化合物和季铵盐类化合物。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物包括乙胺、丙胺和丁胺中的至少之一；所述具有电子传输性能的芳香胺类化合物包括苯胺、苯乙胺和苯丙胺中的至少之一；所述氨基硅烷偶联剂类化合物包括N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；所述季铵盐类化合物包括四甲基氯化铵和四乙基氯化铵中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，在具有生酸剂的条件下，所述第一配体由第二配体在紫外光照下反应形成，所述第一配体的结构式包括
且所述第二配体的结构式包括
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述辅助层的材料包括具有所述金属元素的纳米颗粒，或者，具有所述非金属元素的纳米颗粒。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述具有所述金属元素的纳米颗粒和所述具有所述非金属元素的纳米颗粒的光致发光量子产率均小于2％。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述具有所述金属元素的纳米颗粒和所述具有所述非金属元素的纳米颗粒的尺寸均小于所述量子点的尺寸。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述量子点具有核壳结构，所述量子点的壳的材料和所述量子点的核的材料至少包括相同的元素，且所述辅助层的材料和所述量子点的核的材料相同。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述辅助层的材料包括所述量子点的核的材料形成的纳米颗粒，且所述纳米颗粒的尺寸和所述量子点的核的尺寸相同或者基本相同。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，所述含有所述金属元素的化合物至少包括所述多种金属阳离子中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，所述含有所述非金属元素的化合物包括所述阴离子。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述含有所述金属元素的化合物或者所述含有所述非金属元素的化合物包括CdS、CdSe、InP、PbS、CsPbCl
3、CsPbBr
3和CsPbI
3中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物和含有所述金属元素的化合物，且所述含有所述第二官能团的化合物的摩尔浓度和所述含有所述金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物和含有所述非金属元素的化合物，且所述含有所述第二官能团的化合物的摩尔浓度和所述含有所述非金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述辅助层的厚度为1nm～5nm。
例如，在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，所述电子传输层的材料包括氧化锌、掺杂镁离子的氧化锌和掺杂铯离子的氧化锌中的至少之一。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光器件，还包括空穴传输层和空穴注入层，其中，所述空穴传输层设置在所述量子点发光层的远离所述电子传输层的一侧，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层的远离所述电子传输层的一侧。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光器件，还包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极设置在所述电子传输层的远离所述辅助层的一侧，所述第二电极设置在所述空穴注入层的远离所述电子传输层的一侧。
本公开至少一实施例还提供一种量子点发光器件的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成电子传输层和辅助层， 并采用光刻工艺在所述辅助层上形成量子点发光层，所述量子点发光层包括量子点，所述量子点的表面具有第一配体，所述第一配体包括和所述量子点连接的第一官能团以及远离所述量子点的第二官能团；所述量子点的和所述第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物、含有所述金属元素的化合物、含有所述非金属元素的化合物中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，形成所述电子传输层包括：在所述衬底基板上施加包括ZnMgO纳米粒子或者包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液；在80℃～100℃的温度下烘烤8min～12min。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，形成所述辅助层包括：在所述电子传输层上施加摩尔浓度为0.01mol/L～0.05mol/L的所述含有所述氨基的化合物的乙醇溶液。
例如，本公开至少一实施例提供的制备方法还包括：在所述量子点发光层的远离所述电子传输层的一侧形成空穴传输层，在所述空穴传输层的远离所述电子传输层的一侧形成空穴注入层。
例如，本公开至少一实施例提供的制备方法还包括：在所述电子传输层和所述衬底基板之间形成第一电极，在所述空穴注入层的远离所述电子传输层的一侧形成第二电极。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种量子点层图案化的过程示意图；
图2为图1中实际工艺过程中形成的量子点图案；
图3为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图4为本公开至少一实施例提供的再一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图5为本公开至少一实施例提供的又一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图6为本公开至少一实施例提供的又一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图7为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法的流程图；
图8为本公开至少一实施例提供的再一种量子点发光器件的制备方法的流程图；以及
图9为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的制备过程示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
采用量子点制备高分辨率的QLED或者QD-LCD产品已经成为一项重要的技术。但是，在目前量子点的图案化工艺中，极易在显影过程后造成不必要的量子点的残留，从而在全彩量子点显示中会出现混色的问题，以使得显示器件的显示效果变差。例如，在量子点发光器件的制备过程中，量子点层的图案化主要是通过喷墨打印的工艺实现，但是受到喷墨打印设备的限制，形成的图案化的量子点层的分辨率被限制在200ppi以内。直接采用光刻的方法也可以实现量子点电致发光器件的全彩图案化，但是这种工艺也有缺点， 即本来应该位于第一个子像素区的量子点在第二个子像素区中有残留，从而会出现混色的问题，例如，图1为一种量子点层图案化的过程示意图，如图1所示，提供衬底基板101，在衬底基板101上形成第一电极102，在衬底基板101的形成有第一电极102的一侧形成像素界定层104，该像素界定层104包括多个开口以形成多个子像素区，在各个子像素区中施加红色量子点材料，以形成红色量子点膜层105’，对红色量子点膜层105’进行图案化的过程包括：采用第一掩膜板1031对中间区域的子像素区和最右侧的子像素区进行遮挡，以使得光线照射至最左侧的子像素区，以使得该子像素区中的红色量子点材料发生交联反应，即完成对红色量子点膜层105’的曝光过程，并对未发生交联反应的红色量子点材料进行清洗，以去除位于中间区域的子像素区和位于最右侧的子像素区中的红色量子点材料，即形成红色量子点图案105；在各个子像素区中施加绿色量子点材料，以形成绿色量子点膜层106’，对绿色量子点膜层106’进行图案化的过程包括：采用第二掩膜板1032对位于最左侧的子像素区和位于最右侧的子像素区进行遮挡，以使得光线照射至位于中间区域的子像素区，以使得该子像素区中的绿色量子点材料发生交联反应，即完成对绿色量子点膜层106’的曝光过程，并对未发生交联反应的绿色量子点材料进行清洗，以去除位于最左侧的子像素区和位于最右侧的子像素区中的绿色量子点材料，即形成绿色量子点图案106；在各个子像素区中施加蓝色量子点材料，以形成蓝色量子点膜层107’，对蓝色量子点膜层107’进行图案化的过程包括：采用第三掩膜板1033对位于最左侧的子像素区和位于中间区域的子像素区进行遮挡，以使得光线照射至位于最右侧的子像素区，以使得该子像素区中的蓝色量子点材料发生交联反应，即完成对蓝色量子点膜层107’的曝光过程，并对未发生交联反应的蓝色量子点材料进行清洗，以去除位于最左侧的子像素区和位于中间区域的子像素区中的蓝色量子点材料，即形成蓝色量子点图案107。
需要说明的是，图1所示的过程图为理想的工艺制备过程图，在每一步的清洗过程中都将不必要的量子点去除干净，且未经光照的区域中都未出现量子点的残留，然而在实际的制备过程中，总是在量子点应该被洗掉的区域出现量子点清洗不干净的问题，即会伴随着有量子点残留的问题。例如，红色量子点残留在中间区域的子像素区和最右侧的子像素区中；绿色量子点残留在最右侧的子像素区中。例如，图2为图1中实际工艺过程中形成的量子 点图案，如图2所示，在绿色量子点图案106的靠近衬底基板101的一侧还残留有红色量子点膜层105’的材料，在蓝色量子点图案107的靠近衬底基板101的一侧还残留有绿色量子点膜层106’的材料和红色量子点膜层105’的材料。
此外，采用间接光刻法也可以形成量子点图案，即利用牺牲层实现量子点发光材料的图案化，具体地，间接光刻法包括在形成量子点发光材料之前，先在量子点发光材料需要去除的区域形成牺牲层，然后采用牺牲层洗脱的方法对量子点发光材料进行图案化，大多数间接光刻法也存在类似红色量子点图案的远离衬底基板的一侧还残留有绿色量子点材料和蓝色量子点材料；在绿色量子点图案的靠近衬底基板的一侧还残留有红色量子点材料，在绿色量子点图案的远离衬底基板的一侧还残留有蓝色量子点材料，在蓝色量子点图案的靠近衬底基板的一侧还残留有绿色量子点材料和红色量子点材料的现象，即无论是直接光刻法还是间接光刻法都存在不必要的量子点材料清洗不干净的问题。
本公开的发明人注意到，可以在电子传输层的表面形成辅助层，将辅助层的材料设计成和经过光敏反应后的量子点的表面的配体类似或者和量子点外表面的材料类似，使得该辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，使得后续可能引入的不必要的量子点材料不会在该位点上残留，从而可以减少量子点发光器件混色的现象。
本公开至少一实施例提供一种量子点发光器件，该量子点发光器件包括：依次层叠设置的电子传输层、辅助层和量子点发光层，该量子点发光层包括量子点，量子点的表面具有第一配体，第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团；量子点的和第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层的材料包括含有第二官能团的化合物、含有该金属元素的化合物、含有该非金属元素的化合物中的至少之一，该辅助层的材料设计成和经过光敏反应后的量子点的表面的配体类似或者和量子点外表面的材料类似，使得该辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，使得后续可能引入的不必要的量子点材料不会在该位点上残留，从而可以减少后续形成的量子点发光器件混色的现象，以提高后续形成的量子点发光器件的色域，从而提高量子点发光器件的全彩性能。
例如，该金属元素和非金属元素形成化合物可以是离子化合物，也可以 是共价化合物，本公开的实施例对此不作限定。
例如，图3为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的截面结构示意图，如图3所示，该量子点发光器件200包括：依次层叠设置的电子传输层201、辅助层202和量子点发光层203，该量子点发光层203包括量子点2031，量子点2031的表面具有第一配体2032，第一配体2032包括和量子点2031连接的第一官能团以及远离量子点2031的第二官能团；量子点2031的和第一配体2032接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层202的材料包括含有第二官能团的化合物、含有该金属元素的化合物、含有该非金属元素的化合物中的至少之一，该辅助层的材料设计成和经过光敏反应后的量子点的表面的配体类似或者和量子点外表面的材料类似，使得该辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，使得后续可能引入的不必要的量子点材料不会在该位点上残留，从而可以减少后续形成的量子点发光器件混色的现象，以提高后续形成的量子点发光器件的色域，从而提高量子点发光器件的全彩性能。
需要说明的是，图3只是示意性地示出了量子点发光器件的结构，在图3所示的结构中，只是示出了两种不同颜色的量子点发光层203，每种颜色的量子点发光层203中只示出了部分的量子点2031和量子点2031表面的第一配体2032。该两种不同颜色的量子点发光层203被像素界定层204间隔开。量子点发光器件200还可以包括其他颜色的量子点发光层203，量子点发光层203也可以完全由交联后的量子点形成，即量子点发光层203中是由紧密排列的交联后的量子点形成的，图中只是示意性的示出了相邻的量子点之间的间隙。
还需要说明的是，在图3所示的结构中，该像素界定层204是直接形成在辅助层202之上的，在其他的示例中，该像素界定层204也可以是直接形成在衬底基板上的，本公开的实施例对此不作限定，且在图3中未示出衬底基板。
例如，如图3所示，该像素界定层204包括多个开口以形成相互间隔的多个子像素区2041，该多个子像素区2041至少包括第一子像素区2041a和第二子像素区2041b，不同颜色的量子点发光层203形成在不同的子像素区2041中。例如，在一个示例中，可以在第一子像素区2041a中形成红色量子点发层，在第二子像素区2041b中形成绿色量子点发层。即在第一子像素区2041a 中具有红色量子点，在第二子像素区2041b中具有绿色量子点。
例如，在图3所示的结构中，由于在电子传输层201和量子点发光层203之间设置有辅助层202，在第二子像素区2041b中没有红色量子点残留，因此不存在混色的问题，从而可以提高量子点发光器件的色域，进而提高量子点发光器件的全彩性能。
例如，形成像素界定层204的过程包括：沉积像素界定层的材料，然后在像素界定层的材料上施加光刻胶材料，采用掩膜板对光刻胶材料进行曝光、显影以形成光刻胶图案，然后以光刻胶图案为掩膜对像素界定层的材料进行刻蚀以形成像素界定层，该像素界定层的材料被刻蚀的部分形成多个开口，并在多个开口对应的位置形成多个子像素区2041，且该多个子像素区2041相互间隔开，以使得其至少包括相互间隔的第一子像素区2041a和第二子像素区2041b。
需要说明的是，尽管图3中只示出了两个开口，但是本公开的实施例不限于此，还可以具有更多的开口，即可以具有更多的子像素区2041。该量子点发光器件还可以包括其他的层结构，例如电极结构，为了简化，图3中仅示出了部分层结构。
例如，在一个示例中，该第一配体2032包括的和量子点2031连接的第一官能团为巯基，该第一配体2032包括的远离量子点2031的第二官能团为氨基，巯基相对于氨基更容易和量子点连接，氨基更容易暴露在远离量子点的一侧。
例如，该第一配体2032的结构式包括
在具有生酸剂的条件下，该第一配体由第二配体在紫外光照下反应形成，该第二配体为叔-丁基N-(2-巯基乙基)氨基甲酸酯，且该第二配体的结构式为
例如，该第二配体反应生成第一配体的反应式为：
其中PAG为一种生酸剂，其结构是为
例如，含有该第二官能团的化合物包括碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物、具有电子传输性能的芳香胺类化合物、氨基硅烷偶联剂类化合物和季铵盐类化合物中的至少之一。
例如，在一个示例中，该碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物包括乙胺、丙胺和丁胺中的至少之一。该具有电子传输性能的芳香胺类化合物包括苯胺、苯乙胺和苯丙胺中的至少之一。该氨基硅烷偶联剂类化合物包括N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷，该季铵盐类化合物包括四甲基氯化铵和四乙基氯化铵中的至少之一。
需要说明的是，将烷基脂肪胺类化合物选择为碳原子数小于7可以保证碳骨架足够小，使得辅助层能够更好的插入。
例如，当量子电发光器件中的辅助层分别采用丁胺、苯丙胺、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和四乙基氯化铵这四种材料形成时，并且分别对显影后的量子电发光器件进行ICP-MS测试，获得不同的量子电发光器件上的Cd残留量级，发现对应于丁胺、苯丙胺、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和四乙基氯化铵这四种材料形成的辅助层，显影后非必要的量子点的残留量分别为0.454ng、0.872ng、0.498ng、1.021ng，从而可以得出上述辅助层的引入，明显减弱了非必要的量子点的残留量，且纳克级别的残留量可忽略对量子点发光器件串色的影响。
还需要说明的是，各种颜色的量子点层包括发射不同颜色的光线的量子点，该发射不同颜色的光线的量子点可以为半导体纳米晶体，并且可以具有多种形状，例如，球形、锥形、多臂和/或立方形的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板颗粒、量子棒、或量子片。在这里，量子棒可以为具有大于约1、例如，大于或等于约2、大于或等于约3、或者大于或等于约5的纵横比(长径比)(长度:宽度比)的量子点。例如，该量子棒可以具有小于或等于约50、小于或等于约30、或者小于或等于约20的纵横比。
例如，在一个示例中，该量子点2031可以具有例如约1nm至约100nm、约1nm至约80nm、约1nm至约50nm、或约1nm至20nm的颗粒直径(对于非球形形状，平均最大颗粒长度)。
例如，可以根据量子点的尺寸和组成控制量子点的能带间隙，且因此可以控制发光波长。例如，当量子点的尺寸增加时，量子点可以具有窄的能带间隙且因此可以发射在相对长的波长区域中的光，而当量子点的尺寸减小时。 量子点可以具有宽的能带间隙且因此可以发射在相对短的波长区域中的光。例如，量子点可以根据其尺寸和/或组成而配置成发射在可见光区域的预定波长区域中的光。例如，该量子点可以发射蓝色光线、红色光线或者绿色光线，并且蓝色光线可以具有例如在约430nm至约480nm中的峰值发射波长(λ最大)，该红色光线可以具有例如在约600nm至约650nm中的峰值发射波长(λ最大)，且绿色光线可以具有例如在约520nm至约560nm中的峰值发射波长(λ最大)。
例如，可以发射蓝色光线的量子点的平均颗粒尺寸例如小于或者等于约4.5nm、和例如小于或者等于约4.3nm、小于或者等于约4.2nm、小于或者等于约4.1nm、或者小于或者等于约4.0nm。在范围内，例如，该量子点的平均颗粒尺寸可以为约2.0nm至约4.5nm、例如约2.0nm至约4.3nm、约2.0nm至约4.2nm、约2.0nm至约4.1nm、或者约2.0nm至约4.0nm。
例如，该量子点可以具有相对窄的半宽度(FWHM)，FWHM为对应于峰值吸收点的一半的波长的宽度，并且当FWHM较窄时，可配置成发射在较窄波长区域中的光，并且可以获得较高的色纯度。该量子点可以具有例如小于或者等于约50nm的FWHM。在上述范围内，其可以具有例如约2nm至约49nm的FWHM。
例如，该量子点的材料可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物、或者上述化合物的组合。该II-VI族半导体化合物例如选自：二元化合物例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS的混合物；三元化合物例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS或者上述化合物的混合物；和四元化合物例如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或者上述化合物的混合物，但本公开的实施例不限于此。该III-V族半导体化合物可以选自：二元化合物例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb的混合物；三元化合物例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb或者上述化合物的混合物；和四元化合 物例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或者上述化合物的混合物，但本公开的实施例不限于此。该IV-VI族半导体化合物可以例如选自：二元化合物例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe的混合物；三元化合物例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe或者上述化合物的混合物；和四元化合物例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或者上述化合物的混合物，但本公开的实施例不限于此。该I-III-VI族半导体化合物可为例如CuInSe
2、CuInS
2、CuInGaSe、CuInGaS或者上述化合物的混合物，但本公开的实施例不限于此。该I-II-IV-VI族半导体化合物可以为例如CuZnSnSe、CuZnSnS或者上述化合物的混合物，但本公开的实施例不限于此。该II-III-V族半导体化合物可以包括例如InZnP，但本公开的实施例不限于此。
例如，该量子点可以基本上均匀的浓度分布或局部不同的浓度分布，该量子点包括上述二元半导体化合物的混合物、上述三元半导体化合物、或者上述四元半导体化合物。
例如，作为一种实施方式，该量子点可以为Zn-Te-Se半导体化合物。例如，该Zn-Te-Se半导体化合物中的碲(Te)的量可小于硒(Se)的量。该半导体化合物可以具有在小于或者等于约480nm、例如约430nm至约480nm的波长区域中的峰值发射波长(λ最大)，并且可以配置成发射蓝色光。
例如，该量子点可以为包括In-Zn-P半导体化合物。例如，在该In-Zn-P半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可大于或等于约25。该半导体化合物可以具有在小于约700nm、例如约600nm至约650nm的波长区域中的峰值发射波长(λ最大)，并且可以配置成发射红色光。
例如，该量子点可以具有核-壳结构，即一层量子点材料包围另一种量子点材料形成的纳米颗粒。例如，量子点的核和壳之间可以具有界面，并且在界面中的核或者壳的至少一个的元素可以具有浓度梯度，该壳的元素的浓度向靠近核的方向逐渐降低。例如，该量子点的壳的材料组成具有比量子点的核的材料组成高的能带间隙，且由此该量子点可以呈现出量子限域效应。
例如，该量子点可以具有一个量子点核和围绕该核的多层量子点壳。该多层壳是指具有至少两个壳，其中各壳可为单一组成、合金、和/或具有浓度梯度的结构。
例如，该多层壳的远离核的壳具有比靠近该核的壳高的能带间隙，且由此该量子点可以呈现出量子限域效应。
例如，具有核-壳结构的量子点可以例如包括核，该核包括第一半导体化合物，第一半导体化合物包括锌(Zn)、以及碲(Te)和硒(Se)的至少一种；以及设置在核的至少一部分上并且具有与核的组成不同的组成的包括第二半导体化合物的壳。
例如，第一半导体化合物可为包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)的基于Zn-Te-Se的半导体化合物，例如，包括少量的碲(Te)的基于Zn-Se的半导体化合物，例如，由ZnTexSe1-x表示的半导体化合物，其中x大于约0且小于或等于0.05。
例如，在基于Zn-Te-Se的第一半导体化合物中，锌(Zn)的摩尔量可以高于硒(Se)的摩尔量，且硒(Se)的摩尔量可以高于碲(Te)的摩尔量。例如，在第一半导体化合物中，碲(Te)对硒(Se)的摩尔比可以小于或者等于约0.05。例如，在该第一半导体化合物中，碲(Te)对锌(Zn)的摩尔比可以小于或者等于约0.02。
例如，该第二半导体化合物可以包括例如II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物或者上述化合物的组合。该II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、和II-III-V族半导体化合物的实施例与上面描述的相同。
例如，该第二半导体化合物可以包括锌(Zn)、硒(Se)、和/或硫(S)。例如，该壳可以包括ZnSeS、ZnSe、ZnS或者其组合。例如，该壳可以包括靠近核设置的至少一个内壳和设置在量子点的最外侧处的最外面的壳。该内壳可以包括ZnSeS、ZnSe或者上述化合物的组合，且最外面的壳可以包括ZnS。例如，该壳可以具有一种成分的浓度梯度，和例如硫(S)的量可以随着远离该核的距离的增加而增加。
例如，具有核-壳结构的量子点的核包括第三半导体化合物，该第三半导体化合物包括铟(In)、锌(Zn)和磷(P)中的至少一种；以及设置在该核的至少一部分上并且包括具有与该核不同的组成的第四半导体化合物的壳。
例如，在基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可以大于或者等于约25。例如，在基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可以大于或者等于约28、大于或者等于约29、或者大于或 者等于约30。例如，在该基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可以小于或者等于约55、例如小于或者等于约50、小于或者等于约45、小于或者等于约40、小于或者等于约35、小于或者等于约34、小于或者等于约33、或者小于或者等于约32。
例如，该第四半导体化合物可以包括例如II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物或者上述化合物的组合。该II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、和II-III-V族半导体化合物的实施例可以与以上描述的相同。
例如，该第四半导体化合物可以包括锌(Zn)、硫(S)或者硒(Se)。例如，该壳可以包括ZnSeS、ZnSe、ZnS或者上述化合物的组合。例如，该壳可以包括靠近该核设置的至少一个内壳和设置在量子点的最外侧处的壳。该内壳和最外面的壳的至少一个可以包括第四半导体化合物ZnS、ZnSe或者ZnSeS。
例如，该量子点可以具有相对深的HOMO能级，例如，如下的HOMO能级：大于或者等于约5.4eV，在该范围内，例如大于或者等于约5.5eV、例如大于或者等于约5.6eV、例如大于或者等于约5.7eV、例如约大于或者等于约5.8eV、例如大于或者等于约5.9eV、例如大于或者等于约6.0eV。在该范围内，量子点层的HOMO能级可以为例如约5.4eV至约7.0eV。
例如，该量子点可以具有相对浅的LUMO能级，例如，小于或等于约3.7eV，在该范围内，例如小于或者等于约3.6eV、例如小于或者等于约3.5eV、例如小于或者等于约3.4eV、例如小于或者等于约3.3eV、例如小于或者等于约3.2eV、例如小于或者等于约3.0eV。在该范围内，量子点层的LUMO能级可为约2.5eV至约3.7eV、约2.5eV至约3.6eV、约2.5eV至约3.5eV、约2.5eV至约3.4eV、约2.5eV至约3.3eV、约2.5eV至约3.2eV、约2.5eV至约3.1eV、约2.5eV至约3.0eV、约2.8eV至约3.7eV、约2.8eV至约3.6eV、约2.8eV至约3.5eV、约2.8eV至约3.4eV、约2.8eV至约3.3eV、约2.8eV至约3.2eV、约3.0eV至约3.7eV、约3.0eV至约3.6eV、约3.0eV至约3.5eV、或约3.0eV至约3.4eV。
例如，该量子点可以具有约1.7eV至约2.3eV或约2.4eV至约2.9eV的能带间隙。在该范围内，例如，量子点层13可以具有如下的能带间隙：约1.8eV 至约2.2eV或约2.4eV至约2.8eV，在该范围内，例如约1.9eV至约2.1eV、例如约2.4eV至约2.7eV。
例如，在一个示例中，该量子点的材料包括的量子点具有核壳结构，该核壳结构以IIB-VIA族半导体化合物分别作为核和壳，核和壳的材料可以分别为二元化合物、三元化合物或者四元化合物。例如，该量子点的核和壳的材料可以分别为CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe和HgTe。
例如，该量子点的材料至少包括两种金属，该量子点层的材料为CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe中的至少一种。通常量子点受到蓝光光源的激发时，会发出特定波长的激发荧光，其发射的荧光光谱由量子点材料的化学组成、粒径决定。量子点材料随着粒径的增大，同一化学组成的材料发出的荧光光谱是由绿光向红光方向红移的。所采用的发射红光的量子点材料和发射绿光的量子点材料可以是同一化学组成但是粒径不同的量子点材料，也可以为不同化学组成的量子点材料，即在相邻的子像素区中的量子点可以由相同的材料制备形成，但具有不同的粒径，或者，在相邻的子像素区中的量子点可以由不同的材料制备形成。
例如，该量子点是一种纳米级别的半导体，通过对纳米级别的半导体材料施加一定的电场或者光压，该纳米级别的半导体材料便会发出特定频率的光，而发出的光的频率会随着该半导体的尺寸的改变而变化，因而通过调节量子点的尺寸就可以控制其发出的光的颜色。
例如，通过控制量子点的形状、结构和尺寸，可以方便地调节量子点的能隙宽度、激子束缚能的大小以及激子的能量蓝移等电子状态。随着量子点尺寸的减小，量子点的光谱出现蓝移。量子点的尺寸越小，蓝移现象也越显著。例如，对于硒化镉量子点，由10nm减小至2nm时，硒化镉量子点发射光的颜色由红色变化到蓝色，当硒化镉量子点的尺寸大于或者等于2nm且小于5nm时发射蓝色的光；当硒化镉量子点的尺寸大于或者等于5nm且小于8nm时发射绿色的光；当硒化镉量子点的尺寸大于或者等于8nm且小于10nm时发射红色的光。
例如，量子点独特的性质基于它自身的量子尺寸效应，当颗粒尺寸进入 纳米量级时，尺寸限域将引起尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应和表面效应，从而派生出纳米体系具有与微观体系不同的低维物性，使得量子点具有与微观体系不同的物理化学性质。例如，量子点(Quantum dots)由于量子尺寸效应和电限域效应具有独特的光致发光和电致发光性能。与有机荧光染料相比，量子点具有量子产率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度、发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优良的光学特性，这样，包括量子点发光层的量子点发光器件具有发光效率高、稳定性好、寿命长、亮度高和色域宽等优点。
例如，在一个示例中，该辅助层202的材料包括具有金属元素的纳米颗粒，该金属元素为量子点的和第一配体接触的表面具有的金属元素。
例如，在另一个示例中，该辅助层202的材料包括具有非金属元素的纳米颗粒，该非金属元素为量子点的和第一配体接触的表面具有的非金属元素。
例如，该纳米颗粒占据了可能残留不必要的量子点材料的位点，颗粒与颗粒接触时的状态更不稳定，使得后续可能引入的不必要的量子点材料更不易在该位点上残留，即使得残留在辅助层202上的量子点材料可以更容易地被去除。
例如，在一个示例中，该具有金属元素的纳米颗粒和具有非金属元素的纳米颗粒的光致发光量子产率均小于2％，从而使得该辅助层202包括的纳米颗粒基本不会发光。
例如，在一个示例中，该具有金属元素的纳米颗粒和该具有非金属元素的纳米颗粒的尺寸均小于量子点的尺寸，从而使得该具有金属元素的纳米颗粒和该具有非金属元素的纳米颗粒可以相对于量子点更加密集，即该具有金属元素的纳米颗粒和该具有非金属元素的纳米颗粒支架的间隙更小，从而使得该纳米颗粒可以占据可能残留不必要的量子点材料的全部位点。
例如，在另一个示例中，量子点2031具有核壳结构，量子点2031的壳的材料和量子点2031的核的材料至少包括相同的元素，且辅助层202的材料和量子点2031的核的材料相同。例如，该量子点2031的核的材料可以为纳米颗粒，该辅助层202的材料也为纳米颗粒，从而使得残留在辅助层202上的量子点材料可以更容易地被去除，以减少不必要的量子点残留造成的混色的风险，以提高后续形成的量子点发光器件的色域。
需要说明的是，辅助层的材料和量子点的核的材料相同时，该辅助层的 材料没有壳的量子限域作用，则只起到传输电子的作用，不具有发光的功能。例如，可以通过旋涂、浸泡包括量子点的核的材料形成辅助层，该包括量子点的核的材料中的量子点的核的材料的摩尔浓度为0.001g/L或者小于0.001g/L，采用该材料形成的辅助层可以是不连续的，而且量子点的壳的材料和量子点的核的材料至少包括相同的元素，从而使得辅助层的材料和量子点的壳的材料也包括相同的元素，从而使得辅助层可以先占据非必要的量子点可能残留的位点，以减少量子点残留造成的串色的问题。
例如，在一个示例中，辅助层202的材料包括量子点2031的核的材料形成的纳米颗粒，且该纳米颗粒的尺寸和量子点的核的尺寸相同或者基本相同，这样使得辅助层202的材料更容易选择，而且纳米颗粒的形状使得其上残留的不必要的量子点能够更加容易被去除掉，从而减少或者消除不必要的量子点的残留。
例如，在一个示例中，该量子点2031的核的材料包括CdS、CdSe、InP、PbS中的至少之一，该量子点2031的壳的材料包括上述材料中除了选择为核的材料中的材料之外的其他材料。例如，该量子点2031的核的材料为CdS，该量子点2031的壳的材料为PbS，该核和壳的材料中含有相同的元素硫，该含有金属元素的化合物或者含有非金属元素的化合物包括CdS和PbS中的至少之一。
例如，在另一个示例中，该量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，例如，该量子点的材料包括两种金属元素和一种非金属元素形成的化合物。辅助层202的材料为含有金属元素的化合物，该含有金属元素的化合物至少包括该多种金属阳离子中的至少之一，从而可以使得该辅助层的材料和量子点外表面的材料类似，使得该辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点。
例如，在一个示例中，该量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，辅助层202的材料为含有非金属元素的化合物，该含有非金属元素的化合物包括该阴离子，从而可以使得该辅助层的材料和量子点外表面的材料类似，使得该辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点。
例如，在一个示例中，该含有金属元素的化合物或者含有非金属元素的化合物包括CsPbCl
3、CsPbBr
3和CsPbI
3中的至少之一。
例如，在一个示例中，该量子点的材料包括CsPbCl
3，即该量子点的材料 包括Cs和Pb这两种金属元素和Cl这种非金属元素，该辅助层202的材料为含有金属元素的化合物，该含有金属元素的化合物至少包括Cs元素和Pb元素中的至少之一。该含有非金属元素的化合物包括Cl元素。
例如，在又一个示例中，该辅助层202的材料包括含有第二官能团的化合物和含有金属元素的化合物，含有第二官能团的化合物和含有金属元素的化合物溶于乙醇中，且含有第二官能团的化合物的摩尔浓度和含有金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1，例如，该摩尔浓度的比值为10:1、12:1、15:1、18:1、20:1、24:1、27:1或者30:1。该辅助层202的材料中包括的含有第二官能团的化合物可以减少辅助层202与量子点发光层2031中量子点表面的第一配体的作用，使得不必要的量子点不容易残留；该辅助层202的材料中包括的含有金属元素的化合物可以减少辅助层202与量子点发光层2031中量子点的作用，从而使得残余的量子点的自身与辅助层202的结合能力更弱，以使得不必要的量子点更不容易在辅助层202上残留。
例如，在一个示例中，该辅助层202的材料包括含有第二官能团的化合物和含有非金属元素的化合物，且该含有第二官能团的化合物的摩尔浓度和含有非金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1，例如，该摩尔浓度的比值为10:1、12:1、15:1、18:1、20:1、24:1、27:1或者30:1。该辅助层202的材料中包括的含有第二官能团的化合物可以减少辅助层202与量子点发光层2031中量子点表面的第一配体的作用，使得残余的量子点更容易被去除；该辅助层202的材料中包括的含有非金属元素的化合物可以减少辅助层202与量子点发光层2031中量子点的作用，从而使得残余的量子点的自身与辅助层202的结合能力更弱，以使得残余的量子点更容易被去除。
例如，该辅助层202可以是连续的或者非连续的，当该辅助层202是非连续的情况下，该辅助层202对应于后形成的量子点层所对应的区域。例如，在一个示例中，最先形成红色量子点层，再形成绿色量子点层，最后形成蓝色量子点层，则在红色量子点层对应的区域不形成辅助层202，在绿色量子点层和蓝色量子点层对应的区域形成辅助层202，以减少辅助层202的覆盖面积，从而减少辅助层202的制作成本。
例如，在一个示例中，该辅助层202的厚度为1nm～5nm，例如，该辅助层202的厚度为1nm、2nm、3nm、4nm或者5nm。该厚度范围内的辅助层既可以减少或者消除不必要的量子点的残留，又可以保证好的电子传输性 能，而且该厚度范围的辅助层202也可以使得制备过程简单，并降低成本。当该辅助层202的厚度大于5nm时，会降低整个量子点发光器件的电子传输性能，当该辅助层202的厚度小于1nm时，会由于厚度太薄影响占位的效果，从而不能减少或者消除不必要的量子点残留的问题。
例如，该电子传输层201可以包括无机纳米颗粒或者无机层。该无机纳米颗粒可以为例如氧化物纳米颗粒，且可以为例如金属氧化物纳米颗粒。
例如，该无机纳米颗粒可以为具有如下的平均颗粒直径的二维或三维纳米颗粒：小于或者等于约10nm，小于或者等于约8nm、小于或者等于约7nm、小于或者等于约5nm、小于或者等于约4nm、小于或者等于约3.5nm，或者该无机纳米颗粒的尺寸约1nm至约10nm、约1nm至约9nm、约1nm至约8nm、约1nm至约7nm、约1nm至约5nm、约1nm至约4nm、或者约1nm至约3.5nm。
例如，该无机纳米颗粒可以为金属氧化物纳米颗粒，该金属氧化物纳米颗粒包括如下的至少一种形成的氧化物：锌(Zn)、镁(Mg)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、铝(Al)、钙(Ca)、锆(Zr)、钨(W)、锂(Li)、钛(Ti)、钽(Ta)、锡(Sn)、铪(Hf)、和钡(Ba)。
例如，该第一无机纳米颗粒可以包括包含锌(Zn)的金属氧化物纳米颗粒，并且可以包括由Zn1-xQxO(0≤x<0.5)表示的金属氧化物纳米颗粒。例如，Q为不同于Zn的至少一种金属，例如，镁(Mg)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、铝(Al)、钙(Ca)、锆(Zr)、钨(W)、锂(Li)、钛(Ti)、钽(Ta)、锡(Sn)、铪(Hf)、硅(Si)、钡(Ba)、或其组合。
例如，Q可以包括镁(Mg)。
例如，x的取值范围可以进一步为0.005≤x≤0.25，或者而进一步为0.01≤x≤0.2。
例如，该无机层的材料为金属氧化物，该金属氧化物包括如下的至少一种形成的金属氧化物：锌(Zn)、镁(Mg)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、铝(Al)、钙(Ca)、锆(Zr)、钨(W)、锂(Li)、钛(Ti)、钽(Ta)、锡(Sn)、铪(Hf)、和钡(Ba)。
例如，在一个示例中，该电子传输层201的材料包括氧化锌、掺杂镁离子的氧化锌和掺杂铯离子的氧化锌中的至少之一。
例如，在一个示例中，该电子传输层201的材料包括4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BPhen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)和n型掺杂(n-doping)电子传输材料中的任意一种，但不限于此。n型掺杂电子传输 材料例如包括2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP):Li
2CO
3，8-羟基喹啉铝(Alq
3):Mg，TPBI:Li等，但本公开的实施例不限于此。
例如，图4为本公开至少一实施例提供的再一种量子点发光器件的截面结构示意图，如图4所示，在该量子点发光器件200中，示出了三个子像素区2041，该量子点发光层203包括第一颜色量子点层203a、第二颜色量子点层203b和第三颜色量子点层203c，该第一颜色量子点层203a设置在第一子像素区2041a中，该第二颜色量子点层203b设置在第二子像素区2041b中，该第三颜色量子点层203c设置在第三子像素区2041c中。例如，该第一颜色量子点层203a可以包括红色量子点，该第二颜色量子点层203b可以包括绿色量子点，该第三颜色量子点层203c可以包括蓝色量子点，这样从第一颜色量子点层203a出射的红色光线、从第二颜色量子点层203b出射的绿色光线和从第三颜色量子点层203c出射的蓝色光线混合后即可以形成白色光线。由此，可以使量子点发光器件具有良好的显示色彩。关于红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点的材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据上述红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点的常用材料进行选择。以下以先形成第一颜色量子点层203a，再形成第二颜色量子点层203b，最后形成第三颜色量子点层203c为例进行说明。
例如，在图4所示的结构中，由于在电子传输层201和量子点发光层203之间设置有辅助层202，在第二子像素区2041b中没有红色量子点残留，在第三子像素区2041c中没有红色量子点和绿色量子点残留，因此不存在混色的问题，从而可以提高量子点发光器件的色域。
例如，在图4中，可以是红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点的材料相同，发射不同颜色的光线的量子点表面的配体相同，只是不同颜色的量子点的尺寸不同，在该种情况下，对应于各个子像素区的辅助层的材料相同。
需要说明的是，当第一颜色量子点层203a中的第一颜色量子点2031a、第二颜色量子点层203b中的第二颜色量子点2031b和第三颜色量子点层203c中的第三颜色量子点2031c的材料不同，且对应的第一颜色量子点2031a、第二颜色量子点2031b和第三颜色量子点2031c表面的官能团不同的情况下，可以使得后续对应于不同颜色的量子点层203的辅助层的材料不同，即满足对应于第一颜色量子点2031a的辅助层的材料包括该第一颜色量子点2031a具有的金属元素和非金属元素形成的化合物，或者该对应于第一颜色量子点 2031a的辅助层的材料包括第一颜色量子点2031a表面的第一配体的与第一颜色量子点2031a不接触的第二官能团；对应于第二颜色量子点2031b的辅助层的材料包括该第二颜色量子点2031b具有的金属元素和非金属元素形成的化合物，或者该对应于第二颜色量子点2031b的辅助层的材料包括第二颜色量子点2031b表面的第一配体的与第二颜色量子点2031b不接触的第二官能团；对应于第三颜色量子点2031c的辅助层的材料包括该第三颜色量子点2031c具有的金属元素和非金属元素形成的化合物，或者该对应于第三颜色量子点2031c的辅助层的材料包括第三颜色量子点2031c表面的第一配体的与第三颜色量子点2031c不接触的第二官能团，即该辅助层202是不连续的，且对应于相邻的子像素区2041的辅助层202的材料不同。
例如，图5为本公开至少一实施例提供的又一种量子点发光器件的截面结构示意图，如图5所示，该量子点发光器件200还包括衬底基板210，层叠设置在衬底基板210上的第一电极214、电子传输层201和辅助层202，该第一电极214设置在电子传输层201的靠近衬底基板201的一侧，该电子传输层201、第一电极214和辅助层202均层叠设置在多个子像素区2041中，即电子传输层201、第一电极214和辅助层202均是不连续的。
例如，如图5所示，该量子点发光器件200还包括：设置在多个子像素区2041中且设置在第一颜色量子点层203a、第二颜色量子点层203b和第三颜色量子点层203c的远离衬底基板210一侧的空穴传输层211和空穴注入层212，且该空穴注入层212在空穴传输层211的远离衬底基板210的一侧。在不同的子像素区2041中，该层叠设置的空穴传输层211和空穴注入层212相互间隔开。在空穴注入层212的远离衬底基板210的一侧设置有第二电极213，该第二电极213整面设置，即在不同的子像素区2041中的第二电极213是相互连接的。
例如，该空穴传输层的材料包括N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(NPB)、4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4,4-2-[N-(4-咔唑苯基)-N-苯基氨基]联苯(CPB)中的任意一种，但不限于此。
例如，该空穴注入层可采用金属氧化物MeO，例如MoO
3，也可以采用p型掺杂的MeO(金属氧化物)-TPD(N,N’10-双(3-甲基苯基)-N,N’–二苯基-1,1’–二苯基-4,4’–二胺):F4TCNQ(N,N,N',N’-四甲氧 基苯基)-对二氨基联苯:2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌)或者m-MTDATA:F4TCNQ(4，4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺:2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌)等。
例如，该第一电极214的材料可以为透明导电材料，该透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In
2O
3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，该第二电极212的材料包括镁、铝、锂单金属或者镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等。
例如，第一电极214为阳极，第二电极212为阴极。
需要说明的是，上述第一电极214和第二电极212的材料和结构只是本公开的实施例中的一个示例，第一电极和第二电极还可以由其他的材料制备而成，根据第一电极和第二电极的材料的不同，可以分为单面出光型量子点器件和双面出光型量子点器件，当阳极和阴极中一个电极的材料为不透光或半透光材料时，为单面出光型量子点器件，当阳极和阴极的材料均为透光材料和/或半透光材料时，为双面出光型量子点器件。
根据需要，可以选择第一电极和第二电极的材料以分别适用于顶出光型、底出光型和双面出光型，本公开的实施例对第一电极和第二电极材料的选择不作限制。
例如，在图5中，该第一颜色量子点层203a、第二颜色量子点层203b和第三颜色量子点层203c和辅助层202的相关特征可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。
例如，图6为本公开至少一实施例提供的又一种量子点发光器件的截面结构示意图，如图6所示，该量子点发光器件200还包括设置在第一电极214和电子传输层202之间的电子注入层209，且该第一电极214是整面形成的。在不同的子像素区2041中的第二电极213是相互间隔开的，从而使得第一子像素区2041a中的第一颜色量子点层203a能够发射第一颜色的光线，第二子像素区2041b中的第二颜色量子点层203b能够发射第二颜色的光线，第三子像素区2041c中的第三颜色量子点层203c能够发射第三颜色的光线，第一颜色的光线、第二颜色的光线以及第三颜色的光线具有不同的颜色，从而使得从各个子像素区2041中出射的光线的纯度更高。
例如，在图6中，该第一颜色量子点层203a、第二颜色量子点层203b、 第三颜色量子点层203c、辅助层202的相关特征可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。
例如，该电子注入层209的材料包括：氧化锂(Li
2O)、氧化铯(Cs
2O)、氧化钠(Na
2O)、碳酸锂(Li
2CO
3)、碳酸铯(Cs
2CO
3)、或碳酸钠(Na
2CO
3)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钠(NaF)、氟化钙(CaF
2)、8-羟基喹啉铝(Alq
3)、8-羟基喹啉锂(Liq)、8-羟基喹啉镓、双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)。
例如，关于该电子传输层、空穴传输层、空穴注入层、第一电极以及第二电极的材料不受特别限制，可以参见上述图5中的相关描述，本领域技术人员可以根据量子点发光器件上述结构的常用材料进行选择。
本公开至少一实施例还提供一种量子点发光器件的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成电子传输层和辅助层，并采用光刻工艺在辅助层上形成量子点发光层，量子点发光层包括量子点，量子点的表面具有第一配体，第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团；该量子点的和第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一，通过该方法制备的量子点发光器件可以使得后续在辅助层上形成的未接收光照的量子点材料容易被清洗掉，从而可以减少后续形成的量子点发光器件混色的现象，以提高后续形成的量子点发光器件的色域。
例如，图7为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法的流程图，如图7所示，该制备方法包括如下步骤。
S11：提供衬底基板。
S12：在衬底基板上依次形成电子传输层和辅助层。
S13：采用光刻工艺在辅助层上形成量子点发光层，该量子点发光层包括量子点，量子点的表面具有第一配体，第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团；该量子点的和第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一。
例如，该衬底基板包括玻璃基板、柔性衬底基板等透明绝缘基板，该衬底基板的材料还可以是其他适合的材料，本公开的实施例对此不作限定。
例如，该电子传输层和辅助层的材料可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。
例如，在一个示例中，形成电子传输层包括：在衬底基板上施加包括ZnMgO纳米粒子或者包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液；在80℃～100℃的温度下烘烤8min～12min，以形成电子传输层，该电子传输层的厚度为50nm～70nm。
例如，在在衬底基板上施加包括ZnMgO纳米粒子或者包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液可以是以3000rpm的转速旋涂30mg/mL的ZnMgO纳米粒子的乙醇溶液、或者30mg/mL的ZnO纳米粒子的乙醇溶液。
例如，在一个示例中，形成电子传输层包括：在衬底基板上施加包括ZnMgO纳米粒子的乙醇溶液，在90℃的温度下烘烤10min，以形成电子传输层。
例如，在一个示例中，形成电子传输层包括：在衬底基板上施加包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液，在85℃的温度下烘烤11min，以形成电子传输层。
例如，在一个示例中，形成电子传输层包括：在衬底基板上施加包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液，在100℃的温度下烘烤8min，以形成电子传输层。
例如，在一个示例中，该量子点发光层的厚度为15nm～45nm，例如，15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm或者45nm。
例如，量子点的表面具有第一配体，该第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团，该第二官能团为氨基，含有第二官能团的化合物包括碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物、具有电子传输性能的芳香胺类化合物、氨基硅烷偶联剂类化合物和季铵盐类化合物。
例如，该碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物包括乙胺、丙胺和丁胺中的至少之一；具有电子传输性能的芳香胺类化合物包括苯胺、苯乙胺和苯丙胺中的至少之一；氨基硅烷偶联剂类化合物包括N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；季铵盐类化合物包括四甲基氯化铵和四乙基氯化铵中的至少之一。
例如，该第一配体由第二配体在紫外光照下反应形成，第一配体的结构式包括
且该第二配体的结构式包括
在具有生酸剂的条件下，该第二配体在紫外光照射的条件下形成第一配体的反应式为：
其中PAG为一种生酸剂，其结构是为
例如，在一个示例中，形成辅助层包括：在电子传输层上施加摩尔浓度为0.01mol/L～0.05mol/L的含有氨基的化合物的乙醇溶液，然后烘干以形成辅助层。
例如，在一个示例中，形成辅助层包括：在电子传输层上施加摩尔浓度为0.04mol/L的乙胺的乙醇溶液，然后烘干以形成辅助层，该辅助层可以是连续的整层结构或者非连续的结构。
例如，在一个示例中，形成辅助层包括：在电子传输层上施加摩尔浓度为0.02mol/L的苯丙胺的乙醇溶液，然后烘干以形成辅助层，该辅助层可以是连续的整层结构或者非连续的结构。
例如，在一个示例中，形成辅助层包括：在电子传输层上施加摩尔浓度为0.03mol/L的N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷的乙醇溶液，然后烘干以形成辅助层，该辅助层可以是连续的整层结构或者非连续的结构。
例如，在一个示例中，形成辅助层包括：在电子传输层上施加摩尔浓度为0.05mol/L的四甲基氯化铵的乙醇溶液，然后烘干以形成辅助层，该辅助层可以是连续的整层结构或者非连续的结构。
例如，在电子传输层上施加辅助层的材料可以是通过旋涂的方式施加的。
需要说明的是，当第一颜色量子点层203a中的第一颜色量子点2031a、第二颜色量子点层203b中的第二颜色量子点2031b和第三颜色量子点层203c中的第三颜色量子点2031c的材料不同，且对应的第一颜色量子点2031a、第二颜色量子点2031b和第三颜色量子点2031c表面的官能团不同的情况下，可以使得后续对应于不同颜色的量子点层203的辅助层的材料不同，即满足对应于第一颜色量子点2031a的辅助层的材料包括该第一颜色量子点2031a具有的金属元素和非金属元素形成的化合物，或者该对应于第一颜色量子点2031a的辅助层的材料包括第一颜色量子点2031a表面的第一配体的与第一颜色量子点2031a不接触的第二官能团；对应于第二颜色量子点2031b的辅助层的材料包括该第二颜色量子点2031b具有的金属元素和非金属元素形成的 化合物，或者该对应于第二颜色量子点2031b的辅助层的材料包括第二颜色量子点2031b表面的第一配体的与第二颜色量子点2031b不接触的第二官能团；对应于第三颜色量子点2031c的辅助层的材料包括该第三颜色量子点2031c具有的金属元素和非金属元素形成的化合物，或者该对应于第三颜色量子点2031c的辅助层的材料包括第三颜色量子点2031c表面的第一配体的与第三颜色量子点2031c不接触的第二官能团，即该辅助层202是不连续的，且对应于相邻的子像素区2041的辅助层202的材料不同。
例如，图8为本公开至少一实施例提供的再一种量子点发光器件的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法包括如下步骤。
S21：提供衬底基板。
S22：在衬底基板上依次形成第一电极、电子注入层、电子传输层和辅助层。
S23：采用光刻工艺在辅助层上形成量子点发光层，该量子点发光层包括量子点，量子点的表面具有第一配体，第一配体包括和量子点连接的第一官能团以及远离量子点的第二官能团；该量子点的和第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一。
S24：在量子点发光层的远离电子传输层的一侧形成空穴传输层，在空穴传输层的远离电子传输层的一侧形成空穴注入层。
S25：在空穴注入层的远离电子传输层的一侧形成第二电极。
例如，上述层结构的相关材料和结构特征可以参见上述中的相关描述，本公开的实施例对此不作限定。
例如，在一个示例中，量子点发光层中量子点的材料为硫化锌，该辅助层和电子传输层的材料均为氧化锌，且在垂直于衬底基板的主表面的方向上，该电子传输层的厚度为辅助层的厚度的3～6倍，例如，该电子传输层的厚度为辅助层的厚度的3倍、3.2倍、3.8倍、4倍、4.8倍、5倍、5.2倍、5.8倍或者6倍。
例如，采用光刻工艺在辅助层上形成第一颜色量子点层可以包括：在多个子像素区中施加第一颜色量子点层的材料以形成第一颜色量子点膜，然后对该第一颜色量子点膜进行构图工艺以形成第一颜色量子点层。
例如，对第一颜色量子点膜进行构图工艺包括采用掩膜板对第一颜色量 子点膜的非曝光区域进行遮挡，例如，对第二子像素区和第三子像素区进行遮挡，并对待曝光区域(第一子像素区)进行曝光使得第一子像素区内的第一颜色量子点材料交联，并完成显影的过程，并去除第二子像素区和第三子像素区中的第一颜色量子点层的材料，从而形成图案化的第一颜色量子点层。
例如，该第一颜色量子点层包括第一颜色量子点的材料，该第一颜色量子点层中包括的增稠剂、偶联剂和促进剂可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。
例如，后续可以在第二子像素区和第三子像素区中分别形成第二颜色量子点层和第三颜色量子点层，且该第二颜色量子点层和第三颜色量子点层均采用光刻的方法形成。
例如，辅助层可以先占据非必要的量子点可能残留的位点，以减少量子点残留造成的串色的问题，以提高量子点发光器件的色域。
例如，图9为本公开至少一实施例提供的一种量子点发光器件的制备过程示意图，如图9所示，在衬底基板210上形成有第一电极214，在第一电极214上形成像素界定层204，该像素界定层204包括多个开口以形成相互间隔的第一子像素区2041a、第二子像素区2041b和第三子像素区2041c，电子传输层201、辅助层202和第一颜色量子点层的材料203a’形成在第一子像素区2041a、第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中，采用第一掩膜板215a对第二子像素区2041b和第三子像素区2041c进行遮挡，以使得光线照射至第一子像素区2041a，以使得第一子像素区2041a中的第一颜色量子点层的材料203a’发生交联反应，即完成对第一子像素区2041a中的第一颜色量子点层的材料203a’的曝光过程，并对第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中的第一颜色量子点层的材料203a’进行清洗，以去除位于第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中的第一颜色量子点层的材料203a’，即形成第一颜色量子点层203；在第一子像素区2041a、第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中旋涂第二颜色量子点层的材料203b’，对第二颜色量子点层的材料203b’进行图案化的过程包括：采用第二掩膜板215b对第一子像素区2041a和第三子像素区2041c进行遮挡，以使得光线照射至第二子像素区2041b，以使得该第二子像素区2041b中的第二颜色量子点层的材料203b’发生交联反应，即完成对第二颜色量子点层的材料203b’的曝光过程，并对第一子像素区2041a和第三子像素区2041c中的第二颜色量子点层的材料203b’进行清 洗，以去除位于第一子像素区2041a和第三子像素区2041c中的第二颜色量子点层的材料203b’，即形成第二颜色量子点层203b；在第一子像素区2041a、第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中旋涂第三颜色量子点层的材料203c’，对第三颜色量子点层的材料203c’进行图案化的过程包括：采用第三掩膜板215c对第一子像素区2041a和第二子像素区2041b进行遮挡，以使得光线照射至第三子像素区2041c，以使得该第三子像素区2041c中的第三颜色量子点层的材料203c’发生交联反应，即完成对第三颜色量子点层的材料203c’的曝光过程，并对第一子像素区2041a和第二子像素区2041b中残留的第三颜色量子点层的材料203c’进行清洗，以去除位于第一子像素区2041a和第二子像素区2041b中的第三颜色量子点层的材料203c’，即形成第三颜色量子点层203c。
需要说明的是，尽管图9中未示出，但第一颜色量子点层的材料203a’、第二颜色量子点层的材料203b’和第三颜色量子点层的材料203c’也形成在像素界定层204上，且在清洗过程中，该像素界定层204上的第一颜色量子点层的材料203a’、第二颜色量子点层的材料203b’和第三颜色量子点层的材料203c’均被清洗掉了。
例如，在一个示例中，该第一颜色量子点层203a、第二颜色量子点层203b和第三颜色量子点层203c可以分别为红色量子点层、绿色量子点层和蓝色量子点层，本公开的实施例对此不作限定。该辅助层202可以避免第一颜色量子点层的材料203a’残留在第二子像素区2041b和第三子像素区2041c中，还可以避免第二颜色量子点层的材料203b’残留在第三子像素区2041c中，进而可以避免混色的问题，以提高量子点发光器件的色域。
本公开至少一实施例提供的量子点发光器件及其制备方法，具有以下至少一项有益技术效果：
(1)在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，辅助层先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，即辅助层可以避免第一颜色量子点层的材料残留在第二子像素区和第三子像素区中，还可以避免第二颜色量子点层的材料残留在第三子像素区中，进而可以避免混色的问题，以提高量子点发光器件的色域，进而提高量子点发光器件的全彩性能。
(2)在本公开至少一实施例提供的量子点发光器件中，该辅助层的厚度为1nm～5nm，该厚度范围内的辅助层既可以减少或者消除不必要 的量子点的残留，又可以保证好的电子传输性能，而且该厚度范围的辅助层也可以使得制备过程简单，并降低成本。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (23)
- 一种量子点发光器件，包括：依次层叠设置的电子传输层、辅助层和量子点发光层，其中，所述量子点发光层包括量子点，所述量子点的表面具有第一配体，所述第一配体包括和所述量子点连接的第一官能团以及远离所述量子点的第二官能团；所述量子点的和所述第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物、含有所述金属元素的化合物、含有所述非金属元素的化合物中的至少之一。
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述第二官能团为氨基，所述含有所述第二官能团的化合物包括碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物、具有电子传输性能的芳香胺类化合物、氨基硅烷偶联剂类化合物和季铵盐类化合物。
- 根据权利要求2所述的量子点发光器件，其中，所述碳原子数小于7的烷基脂肪胺类化合物包括乙胺、丙胺和丁胺中的至少之一；所述具有电子传输性能的芳香胺类化合物包括苯胺、苯乙胺和苯丙胺中的至少之一；所述氨基硅烷偶联剂类化合物包括N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；所述季铵盐类化合物包括四甲基氯化铵和四乙基氯化铵中的至少之一。
- 根据权利要求1～3中任一项所述的量子点发光器件，其中，在具有生酸剂的条件下，所述第一配体由第二配体在紫外光照下反应形成，所述第一配体的结构式包括 且所述第二配体的结构式包括
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述辅助层的材料包括具有所述金属元素的纳米颗粒，或者，具有所述非金属元素的纳米颗粒。
- 根据权利要求5所述的量子点发光器件，其中，所述具有所述金属元素的纳米颗粒和所述具有所述非金属元素的纳米颗粒的光致发光量子产率均小于2％。
- 根据权利要求5或6所述的量子点发光器件，其中，所述具有所述金属元素的纳米颗粒和所述具有所述非金属元素的纳米颗粒的尺寸均小于所述量子点的尺寸。
- 根据权利要求5～7中任一项所述的量子点发光器件，其中，所述量子点具有核壳结构，所述量子点的壳的材料和所述量子点的核的材料至少包括相同的元素，且所述辅助层的材料和所述量子点的核的材料相同。
- 根据权利要求8所述的量子点发光器件，其中，所述辅助层的材料包 括所述量子点的核的材料形成的纳米颗粒，且所述纳米颗粒的尺寸和所述量子点的核的尺寸相同或者基本相同。
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，所述含有所述金属元素的化合物至少包括所述多种金属阳离子中的至少之一。
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述量子点的材料包括多种金属阳离子和阴离子形成的化合物，所述含有所述非金属元素的化合物包括所述阴离子。
- 根据权利要求5～11中任一项所述的量子点发光器件，其中，所述含有所述金属元素的化合物或者所述含有所述非金属元素的化合物包括CdS、CdSe、InP、PbS、CsPbCl 3、CsPbBr 3和CsPbI 3中的至少之一。
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物和含有所述金属元素的化合物，且所述含有所述第二官能团的化合物的摩尔浓度和所述含有所述金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1。
- 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物和含有所述非金属元素的化合物，且所述含有所述第二官能团的化合物的摩尔浓度和所述含有所述非金属元素的化合物的摩尔浓度的比值为10:1～30:1。
- 根据权利要求1～14中任一项所述的量子点发光器件，其中，所述辅助层的厚度为1nm～5nm。
- 根据权利要求15所述的量子点发光器件，其中，所述电子传输层的材料包括氧化锌、掺杂镁离子的氧化锌和掺杂铯离子的氧化锌中的至少之一。
- 根据权利要求16所述的量子点发光器件，还包括空穴传输层和空穴注入层，其中，所述空穴传输层设置在所述量子点发光层的远离所述电子传输层的一侧，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层的远离所述电子传输层的一侧。
- 根据权利要求17所述的量子点发光器件，还包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极设置在所述电子传输层的远离所述辅助层的一侧，所述第二电极设置在所述空穴注入层的远离所述电子传输层的一侧。
- 一种量子点发光器件的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成电子传输层和辅助层，并采用光刻工艺在所述辅助层上形成量子点发光层，其中，所述量子点发光层包括量子点，所述量子点的表面具有第一配体，所述第一配体包括和所述量子点连接的第一官能团以及远离所述量子点的第二官能团；所述量子点的和所述第一配体接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，所述辅助层的材料包括含有所述第二官能团的化合物、含有所述金属元素的化合物、含有所述非金属元素的化合物中的至少之一。
- 根据权利要求19所述的制备方法，其中，形成所述电子传输层包括：在所述衬底基板上施加包括ZnMgO纳米粒子或者包括ZnO纳米粒子的乙醇溶液；在80℃～100℃的温度下烘烤8min～12min。
- 根据权利要求19所述的制备方法，其中，形成所述辅助层包括：在所述电子传输层上施加摩尔浓度为0.01mol/L～0.05mol/L的所述含有所述氨基的化合物的乙醇溶液。
- 根据权利要求19～21中任一项所述的制备方法，还包括：在所述量子点发光层的远离所述电子传输层的一侧形成空穴传输层，在所述空穴传输层的远离所述电子传输层的一侧形成空穴注入层。
- 根据权利要求22所述的制备方法，还包括：在所述电子传输层和所述衬底基板之间形成第一电极，在所述空穴注入层的远离所述电子传输层的一侧形成第二电极。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2022/094553 WO2023225823A1 (zh) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | 量子点发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117616539A true CN117616539A (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=88918257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280001377.1A Pending CN117616539A (zh) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | 量子点发光器件及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117616539A (zh) |
| WO (1) | WO2023225823A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105185918A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-23 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光层、其制备方法及qled |
| KR20200122933A (ko) * | 2019-04-19 | 2020-10-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20210149974A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
| CN112271269B (zh) * | 2020-10-23 | 2024-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN113088279B (zh) * | 2021-04-15 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、发光二极管基板及制作方法、显示装置 |
| WO2023039719A1 (zh) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
-
2022
- 2022-05-23 CN CN202280001377.1A patent/CN117616539A/zh active Pending
- 2022-05-23 WO PCT/CN2022/094553 patent/WO2023225823A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023225823A1 (zh) | 2023-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11581504B2 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising the same | |
| US20190198796A1 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising the same | |
| JP7199922B2 (ja) | 量子ドット素子及び電子装置 | |
| US11793011B2 (en) | Quantum dot device and display device | |
| CN110289360A (zh) | 电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法 | |
| KR102649296B1 (ko) | 양자점 소자와 표시 장치 | |
| KR102572134B1 (ko) | 양자점 소자와 표시 장치 | |
| US10547018B2 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising the same | |
| KR20200088695A (ko) | 양자점 소자와 표시 장치 | |
| US11038112B2 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising the same | |
| KR20210034355A (ko) | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| US11171291B2 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising thereof | |
| CN110010776B (zh) | 电致发光器件、和包括其的显示器件 | |
| WO2023173417A1 (zh) | 量子点混合物、量子点发光层及制作方法 | |
| WO2023123133A1 (zh) | 量子点配体、量子点膜层制备方法及量子点发光器件 | |
| US11575099B2 (en) | Electroluminescent device comprising thermally activated delayed fluorescence material, and display device comprising the same | |
| WO2023225823A1 (zh) | 量子点发光器件及其制备方法 | |
| WO2023155162A1 (zh) | 显示基板、电致发光器件及其制备方法 | |
| KR102673654B1 (ko) | 양자점 소자 및 전자 장치 | |
| CN116426269A (zh) | 量子点混合配体、量子点-配体体系及量子点-配体材料 | |
| CN117643192A (zh) | 量子点配体、量子点-配体材料和量子点发光器件 | |
| CN118076133A (zh) | 复合材料、组合物及其制备方法、发光器件及显示装置 | |
| KR20240072580A (ko) | 우수한 성능의 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| CN117153452A (zh) | 复合材料及其制备方法、发光二极管及显示装置 | |
| CN116941340A (zh) | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |