CN116941340A - 发光基板及其制备方法和发光装置 - Google Patents
发光基板及其制备方法和发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116941340A CN116941340A CN202280000038.1A CN202280000038A CN116941340A CN 116941340 A CN116941340 A CN 116941340A CN 202280000038 A CN202280000038 A CN 202280000038A CN 116941340 A CN116941340 A CN 116941340A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- layer
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 1294
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 91
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 63
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 292
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 118
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 79
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- GSJJCZSHYJNRPN-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-(2-sulfanylethyl)carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCS GSJJCZSHYJNRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 16
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 14
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 489
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 143
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 75
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 58
- 230000006870 function Effects 0.000 description 47
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 39
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000011161 development Methods 0.000 description 17
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 8
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- ZEWLHMQYEZXSBH-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)CCC(O)=O ZEWLHMQYEZXSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCNPOZMLKGDJGP-QPJJXVBHSA-N 2-[(e)-2-(4-methoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1\C=C\C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 MCNPOZMLKGDJGP-QPJJXVBHSA-N 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- UFULAYFCSOUIOV-XSCORUHJSA-N 2-aminoethanethiol Chemical group NCC[35SH] UFULAYFCSOUIOV-XSCORUHJSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 230000005802 health problem Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种发光基板(1)，包括：衬底(11)；以及设置于衬底(11)上的多个发光器件(13)，每个发光器件(13)包括：第一电极(131)、第二电极(132)，以及设置于第一电极(131)和第二电极(132)之间的发光图案(133a)，第一电极(131)相对于第二电极(132)更靠近衬底(11)；多个发光器件(13)包括至少一个第一发光器件(13A)，至少一个第一发光器件(13A)还包括：第一材料层(134)，第一材料层(134)设置于至少一个第一发光器件(13A)所包含的发光图案(133a)靠近衬底(11)的一侧；其中，至少一个第一发光器件(13A)所包含的发光图案(133a)的材料包括：第一发光材料；第一材料层(134)的材料包括：第一材料(C1)，第一材料(C1)能够在第一波段的光辐射下生成第二材料(C2)，或者，第一材料(C1)通过第三材料(C3)在第二波段的光辐射下生成，第一材料(C1)和第一发光材料与第二材料(C2)或第三材料(C3)在同一溶剂中的溶解度不同。
Description
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法和发光装置。
相对于有机发光材料而言，量子点具有发光色纯度高、发光波长可调等优势，并且，量子点具有优异的光化学稳定性和热稳定性，因此，以量子点为发光材料的量子点发光二极管被广泛应用于显示领域中。
发明内容
一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件，每个发光器件包括：第一电极、第二电极，以及设置于第一电极和第二电极之间的发光图案，所述第一电极相对于所述第二电极更靠近所述衬底；所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件，所述至少一个第一发光器件还包括：第一材料层，所述第一材料层设置于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案的材料包括：第一发光材料；所述第一材料层的材料包括：第一材料，所述第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述第一材料的电子迁移率为1×10
-4cm
2/V·s～2×10
-3cm
2/V·s，且所述第一材料的LUMO能级的绝对值为3.6eV～4.2eV；或者，所述第一材料的空穴迁移率为1×10
-4cm
2/V·s～2×10
-3cm
2/V·s，且所述第一材料的HOMO能级的绝对值为5.1eV～6.2eV。
在一些实施例中，所述至少一个第一发光器件还包括：载流子传输层，所述载流子传输层设置于所述第一材料层靠近所述衬底的一侧，并与所述第一材料层接触；或者，所述第一材料层作为所述载流子传输层，与所述第一电极直接接触。
在一些实施例中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层的情况下，所述第一材料层的厚度小于所述载流子传输层的厚度；在所述第一材料层作为所述载流子传输层的情况下，所述第一材料层的厚度为 50nm～70nm。
在一些实施例中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层，且所述第一材料层的材料具有载流子传输功能的情况下，所述第一材料层的厚度为5nm～20nm，所述载流子传输层的厚度为50nm～70nm。
在一些实施例中，所述第一材料和所述第一发光材料均包括：金属纳米离子以及与所述金属钠米离子结合的配体；其中，所述第一材料所包含的配体和所述第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在所述第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同的情况下，所述第三材料所包含的配体为光敏配体，在所述第一材料所包含的配体和所述第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第一发光材料所包含的配体为非光敏配体，所述非光敏配体与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述非光敏配体与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述光敏配体包括：能够在光照下发生分解反应或交联反应的配体。
在一些实施例中，所述光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇和MMES中的任一种。
在一些实施例中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层的情况下，所述载流子传输层的材料包括金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体，所述载流子传输层的材料所包含的金属纳米离子与所述第一材料所包含的金属纳米离子相同或不同，所述载流子传输层的材料所包含的配体与所述第一材料所包含的配体不同。
在一些实施例中，所述多个发光器件还包括：至少一个第二发光器件；所述至少一个第二发光器件还包括：第二材料层，所述第二材料层设置于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案的材料包括第二发光材料，所述第二材料层的材料包括：第四材料，所述第四材料能够在第三波段的光辐射下生成第五材料，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述至少一个第二发光器件还包括：第三材料层，所述第三材料层设置于所述第二材料层靠近所述衬底的一侧，且与所述第一材料层同层；所述第三材料层的厚度小于所述第一材料层的厚度。
在一些实施例中，所述至少一个第一发光器件还包括：第四材料层，所述第四材料层设置于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；所述第四材料层的厚度小于所述第二材料层的厚度。
在一些实施例中，所述多个发光器件还包括：至少一个第三发光器件；所述至少一个第三发光器件还包括：第五材料层，所述第五材料层设置于所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案靠近所述衬底的一侧，并与所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案接触；所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案的材料包括：第三发光材料；所述第五材料层的材料包括：第七材料，所述第七材料能够在第五波段的光辐射下生成第八材料，所述第七材料和所述第三发光材料与所述第八材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第七材料通过第九材料在所述第六波段的光辐射下生成，所述第七材料和所述第三发光材料与所述第九材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述至少一个第三发光器件还包括：第六材料层，所述第六材料层设置于所述第五材料层靠近所述衬底的一侧，且与所述第一材料层同层；所述第六材料层的厚度小于所述第七材料层的厚度。
在一些实施例中，在所述多个发光器件包括至少一个第二发光器件，且所述第二发光器件还包括第二材料层的情况下，所述至少一个第三发光器件还包括：第七材料层，所述第七材料层设置于所述第五材料层靠近所述衬底的一侧，并与所述第二材料层同层；所述第七材料层的厚度小于所述第二材料层的厚度。
在一些实施例中，所述至少一个第一发光器件还包括：第八材料层，所述第八材料层设置于所述第一发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述第五材料层同层；所述第八材料层的厚度小于所述第五材料层的厚度。
在一些实施例中，所述至少一个第二发光器件还包括：第九材料层，所述第九材料层设置于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述第五材料层同层；所述第九材料层的厚度小于所述第五材料层的厚度。
在一些实施例中，对于不同颜色的发光器件而言，在与各发光器件所包含的发光图案接触，且位于各发光器件所包含的发光图案靠近所述衬底一侧的材料层的材料均包括金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体的情况下，各材料层所包含的金属纳米离子相同，且至少有一层材料层所包含的金属纳米离子中掺杂有其他金属。
在一些实施例中，各材料层所包含的金属纳米离子均为氧化锌，且至少一层材料层所包含的金属纳米离子中还掺杂有金属镁。
在一些实施例中，各材料层所包含的金属纳米离子中均掺杂有金属镁，且各材料层所包含的金属纳米离子所掺杂的金属镁的掺杂量不同。
另一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
又一方面，提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底上形成多个发光器件，每个发光器件包括：第一电极、第二电极，以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的发光图案，所述第一电极相对于所述第二电极更靠近所述衬底；所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件，所述至少一个第一发光器件还包括：第一材料层，所述第一材料层形成于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案的材料包括：第一发光材料；所述第一材料层的材料包括：第一材料，所述第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料在第一溶剂中的溶解度小于所述第三材料在所述第一溶剂中的溶解度；形成所述至少一个第一发光器件，包括：
在衬底上依次形成第一薄膜和第二薄膜，所述第一薄膜的材料包括所述第三材料，所述第二薄膜的材料包括所述第一发光材料，或者，所述第二薄膜的材料包括第十材料，所述第十材料能够在所述第二波段的光辐射下生成所述第一发光材料。
采用所述第二波段的光对所述第一薄膜和所述第二薄膜位于第一区域的部分进行辐射，使得所述第一薄膜位于所述第一区域的部分生成所述第一材料，所述第一区域是至少一个第一发光器件所在区域。
采用所述第一溶剂对所述第一薄膜位于第二区域的部分进行溶解，去除所述第一薄膜位于所述第二区域的部分，并将所述第二薄膜位于所述第二区域的部分去除，得到所述第一材料层和所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案，所述第二区域是所述多个发光器件中除所述至少一个第一发光器件所在区域以外的其余区域。
在一些实施例中，所述第一材料和所述第一发光材料均包括：金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体；其中，第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在所述第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第一发光材料所包含的配体不溶解于所述第一溶剂。
在一些实施例中，在所述第一材料所包含的配体与所述第一发光材料所包含的配体相同的情况下，所述第一发光材料通过所述第十材料在第二波段的光辐射下生成，且所述第三材料所包含的配体和所述第十材料所包含的配体均为光敏配体；在所述第一材料所包含的配体与所述第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第三材料所包含的配体为光敏配体，所述第二薄膜的材料包括所述第一发光材料。
在一些实施例中，所述光敏配体包括：能够在第二波段的辐射下发生分解反应或交联反应的配体。
在一些实施例中，所述光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇和MMES中的任一种。
在一些实施例中，所述多个发光器件还包括至少一个第二发光器件，所述至少一个第二发光器件还包括：第二材料层，所述第二材料层形成于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案的材料包括：第二发光材料；所述第二材料层的材料包括：第四材料，所述第四材料在第三波段的光辐射下生成第五材料，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在一些实施例中，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料在第二溶剂中的溶解度小于所述第六材料在所述第二溶剂中的溶解度；形成所述至少一个第二发光器件，包括：
在形成有所述第一材料层和所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案衬底上依次形成第三薄膜和第四薄膜，所述第三薄膜的材料包括所述第六材料，所述第四薄膜的材料包括所述第二发光材料，或者，所述第四薄膜的材料包括第十一材料，所述第十一材料能够在所述第四波段的光辐射下生成所述第二发光材料。
采用所述第四波段的光对所述第三薄膜和所述第四薄膜位于第三区域的 部分进行辐射，使得所述第三薄膜位于所述第三区域的部分生成所述第四材料，所述第三区域是至少一个第二发光器件所在区域。
采用所述第二溶剂对所述第三薄膜位于第四区域的部分进行溶解，去除所述第三薄膜位于所述第四区域的部分，并将所述第四薄膜位于所述第四区域的部分去除，得到所述第二材料层和所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案，所述第四区域是所述多个发光器件中除所述至少一个第二发光器件所在区域以外的其余区域。
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为相关技术提供的一种发光基板的剖视结构图；
图2为根据一些实施例的一种发光基板的剖视结构图；
图3为根据一些实施例的一种发光基板的俯视结构图；
图4为根据一些实施例的一种3T1C的等效电路图；
图5A为根据一些实施例的一种发光基板的剖视结构图；
图5B为根据一些实施例的一种第一发光图案的制备方法的流程图；
图5C为根据一些实施例的另一种第一发光图案的制备方法的流程图；
图5D为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图5E为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图6A为根据一些实施例的一种形成第一材料层和第一发光图案的流程图；
图6B为根据一些实施例的一种形成第二材料层和第二发光图案的流程图；
图6C为根据一些实施例的一种形成第三材料层和第三发光图案的流程图；
图7为根据一些实施例的ZnO、ZnO/GQD-Boc/CCl
3、ZnO/ZnO-Boc和ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3的紫外吸收光谱的对比图。
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地 描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或集成电路(Integrate Circuit，IC)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1和图2所示，该发光基板1包括衬底11、设置在衬底11上的驱动电路层DCL、像素界定层12和多个发光器件13。其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
在一些实施例中，如图1和图2所示，每个发光器件13包括：第一电极131、第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光功能层133，发光功能层133包括发光图案133a，其中，第一电极131相对于第二电极132更靠近衬底11。
在一些实施例中，衬底11可以是：无机材料、有机材料、硅晶片或复合材料层等。
无机材料示例的可以为玻璃、金属等；有机材料示例的可以为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合等。
在一些实施例中，第一电极131可以为阳极，此时，第二电极132为阴 极。在另一些实施例中，第一电极131可以为阴极，此时，第二电极132为阳极。
该发光器件13的发光原理为：通过阳极和阴极连接的电路，利用阳极向发光功能层133注入空穴，阴极向发光功能层133注入电子，所形成的电子和空穴在发光图案133a中形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态，发出光子。
在一些实施例中，阳极可包括具有高的功函数的导体例如金属、导电金属氧化物、或其组合。金属可以是镍、铂、钒、铬、铜、锌、或金、或其合金；导电金属氧化物可以是氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氟掺杂氧化锡；或者，金属和导电金属氧化物的组合可以是ZnO和Al、或SnO
2和Sb、ITO/Ag/ITO，但不限于此。
阴极可包括具有比所述阳极低的功函数的导体例如金属、导电金属氧化物、和/或导电聚合物。所述阴极可包括，如，金属可以是铝、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、锡、铅、铯、钡等、或其合金；多层结构例如LiF/Al、Li
2O/Al、Liq/Al、LiF/Ca、和BaF
2/Ca；导电金属氧化物可以是氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxides，IZO)、或氟掺杂氧化锡，但不限于此。
阳极的功函可高于阴极的功函，例如，所述阳极的功函可为例如约4.5eV至约5.0eV且所述阴极的功函可为约4.0eV至约4.7eV。在该范围内，所述阳极的功函可为例如约4.6eV至约4.9eV或约4.6eV至约4.8eV，且所述阴极的功函可为例如约4.0eV至约4.6eV或约4.3eV至约4.6eV。
第一电极131和第二电极132可以是透射电极、部分透过部分反射电极或反射电极，透射电极或部分透过部分反射电极可以包括：导电氧化物例如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氟掺杂氧化锡，或者金属薄层。反射电极可以包括：反射金属，例如：不透明导体例如铝(Al)、银(Ag)、或金(Au)，第一电极131和第二电极132可以是单层或多层结构。
第一电极131或第二电极132的至少一者可以与辅助电极连接。如果与辅助电极连接，可以减小第二电极132的电阻。
在一些实施例中，上述发光基板1可以为顶发射型发光基板或底发射型发光基板。
在发光基板1为顶发射型发光基板的情况下，第二电极132可以为透射电极，第一电极131可以为反射电极。在发光基板1为底发射型发光基板的情况下，第一电极131为透射电极，第二电极132为反射电极。
当然，在一些实施例中，该发光基板1还可以为双面发射型发光基板，此时，第一电极131和第二电极132均为透射电极。
在另一些实施例中，上述发光器件13可以为“正置”式发光器件或“倒置”式发光器件。
在发光器件13为“正置”式发光器件的情况下，第一电极131为阳极，第二电极132为阴极。在发光器件13为“倒置”式发光器件的情况下，第一电极131为阴极，第二电极132为阳极。
如图1和图2所示，为了提高电子和空穴注入发光图案133a的效率，该发光功能层133还可以包括：空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)133b、电子传输层(Electronic Transport Layer，ETL)133c、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)133d和电子注入层(Electronic Injection Layer，EIL)133e中的至少一个。示例的，该发光功能层133可以包括设置于阳极和发光图案133a之间的空穴传输层(HTL)133b，以及设置于阴极和发光图案133a之间的电子传输层(ETL)133c。为了进一步提高电子和空穴注入发光图案133a的效率，发光功能层133还可以包括设置于阳极和空穴传输层133b之间的空穴注入层(HIL)133d，以及设置于阴极和电子传输层133c之间的电子注入层(EIL)133e。
发光基板1上还可以设置连接各个发光器件13的驱动电路层DCL，驱动电路层DCL包括驱动电路可以与控制电路连接，以根据控制电路输入的电信号，驱动各个发光器件13发光。该驱动电路可以为有源驱动电路或者无源驱动电路。
该发光基板1可以发白光、单色光(单一颜色的光)或颜色可调的光等。
在第一种示例中，该发光基板1可以发白光。此时，第一种情况，发光基板1包含的多个发光器件13(例如可以是全部的发光器件13)均发白光。此时，每个发光器件13中的发光图案133a的材料可以包括红色量子点发光材料、绿色量子点发光材料和蓝色量子点发光材料的混合材料。这时，可以通过驱动每个发光器件13发光，以实现发白光。第二种情况，如图1和图2所示，多个发光器件13包括发红色的光的发光器件13R，发绿色的光的发光器件13G和发蓝色的光的发光器件13B，其中，发光器件13R中的发光图案1331的材料可以包括红色量子点发光材料，发光器件13G中的发光图案1331的材料可以包括绿色量子点发光材料，发光器件13B中的发光图案1331的材料可以包括蓝色量子点发光材料。此时，可以通过控制发光器件13R、发光 器件13G和发光器件13B发光的亮度，以使得发光器件13R、发光器件13G和发光器件13B实现混光，以使发光基板1呈现白光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中。
在第二种示例中，该发光基板1可以发单色光。第一种情况，发光基板1包含的多个发光器件13(例如可以是全部的发光器件13)均发单色光(如红光)，此时，每个发光器件13中的发光图案133a的材料包括红色量子点发光材料。这时，可以通过驱动每个发光器件13发光，以实现发红光。第二种情况，该发光基板1与第一种示例中的第二种情况所描述的多个发光器件的结构相类似，此时，可以通过单独驱动发光器件13R、发光器件13G或发光器件13B实现单色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中，也可以用于显示单一色彩的图像或画面，即可应用于显示装置中。
在第三种示例中，该发光基板1可以发颜色可调的光(即彩色光)，该发光基板1与第一种示例中的第二种情况所描述的多个发光器件的结构相类似的，通过对各个发光器件13的亮度进行控制，即可对该发光基板1发出的混合光的颜色和亮度进行控制，可实现彩色发光。
在该示例中，该发光基板可用于显示图像或画面，即可应用于显示装置中，当然，该发光基板也可以用于照明装置中。
在第三种示例中，以该发光基板1为显示基板为例，如全彩显示面板，如图3所示，该发光基板1包括显示区A和设置于显示区A周边的周边区S。显示区A包括多个亚像素区Q’，每个亚像素区Q’对应一个开口Q，一个开口Q对应一个发光器件，每个亚像素区Q’中设置有用于驱动对应的发光器件发光的像素驱动电路200。周边区S用于布线，如连接像素驱动电路200的栅极驱动电路100。
在一些实施例中，像素驱动电路200可以包括薄膜晶体管和电容。示例的，像素驱动电路200可以为2T1C的结构。
当然，在一些实施例中，该像素驱动电路200也可以为7T1C或3T1C的结构等。如图4所示，示出了像素驱动电路200为3T1C的结构的具体示例。
另外，需要说明的是，为了实现全彩显示面板的白平衡，对于不同发光颜色的亚像素区而言，发红光的亚像素区Q’的面积和发绿光的亚像素区Q’的面积大于发蓝光的亚像素区Q’的面积，进一步地，发红光的亚像素区Q’的面积可以等于发绿光的亚像素区Q’的面积，或者，发红光的亚像素区Q’的面积可以大于或小于发绿光的亚像素区Q’的面积。
在一些实施例中，如图2所示，上述显示装置除包括显示基板以外，还可以包括设置于显示基板上的封装层14和光控制层15，封装层14用于对发光器件13进行保护，光控制层15可以通过外部光控制来自显示基板的反射光。示例的，光控制层15可以包括偏光片和/或滤色器层(如CF(Color Film，彩膜)层)。
以量子点为发光材料的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)被广泛应用在显示领域中时，发光层的制备技术主要有喷墨打印技术、光刻技术、转印技术等，而光刻技术是制备高分辨率QLED的最有前景的方法。
光刻技术，也即，采用曝光、显影的方式实现量子点图案化的技术，在此，有两种可能的情况，第一种情况，采用直接光刻法实现量子点发光材料的图案化，具体的，量子点发光材料可以采用光敏配体，直接对量子点发光材料进行曝光、显影改变其溶解度进而实现量子点发光材料的图案化；第二种情况，利用牺牲层实现量子点发光材料的图案化，具体的，在形成量子点发光材料之前，先在量子点发光材料需要去除的区域形成牺牲层，采用牺牲层洗脱的方法对量子点发光材料进行图案化。
上述图案化方法虽然便于工艺流程的控制，能够有效实现高分辨率的QLED产品的生产，但是，对于第一种情况，该图案化方法存在上一层量子点发光材料(如红色量子点(RQD(Red Quantum Dot))发光材料)洗脱不完全的问题，这样会使下一种颜色的量子点发光材料(如绿色量子点(GQD(Green Quantum Dot))发光材料)图案化工艺后有前一层量子点发光材料残留，从而造成混色的问题，在点亮时，容易出现发光光谱不纯的问题，从而影响器件性能。对于第二种情况，该图案化方法虽然可以避免量子点发光材料的残留，但是在洗脱过程中，量子点发光材料被不断洗脱，造成量子点发光材料的丢失，不利于量子点发光材料的使用率的提高。
在本公开的一些实施例中，如图5A所示，多个发光器件包括至少一个第一发光器件13A，第一发光器件13A示例的可以为发红光的发光器件。至少一个第一发光器件13A还包括：第一材料层134，第一材料层134设置于至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a(在此也称为第一发光图案133a_1)靠近衬底11的一侧，并与至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a接触。至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a的材料包括：第一发光材料，第一材料层134包括：第一材料，第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，第一材料和第一发光材料与第二材料在同 一溶剂中的溶解度不同，或者，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，第一材料和第一发光材料与第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
其中，根据上述第一发光器件13A可以为发红光的发光器件，第一发光材料可以为红色量子点发光材料。
其中，根据第一材料层134的材料包括：第一材料，第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，或者，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，可以得知，上述第一材料可以作为正性光刻胶，第三材料可以作为负性光刻胶。
具体的，在第一材料作为正性光刻胶的情况下，第一材料经曝光后可溶于显影液，此时，第二材料可溶解于显影液中，第一材料不溶于显影液，而在第三材料作为负性光刻胶的情况下，第三材料经曝光后不溶于显影液，此时，第一材料不溶解于显影液，第三材料溶解于显影液。
上述两种方式，均能够实现第一发光材料的图案化。
在一些实施例中，以第一材料作为正性光刻胶为例，在通过图案化工艺制作上述至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a_1的情况下，如图5B所示，可以先在衬底11上形成第一薄膜10，第一薄膜10可以包括第一材料C1，然后，在第一薄膜10上形成第二薄膜20，第二薄膜20的材料可以为上述红色量子点发光材料，接着，采用第一波段的光对第一薄膜10和第二薄膜20位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域的部分进行辐射，改变第一薄膜10位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域的部分的溶解度，也即，此时第一薄膜10位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域的部分由第一材料C1变为第二材料C2，而根据第二材料C2可溶解于显影液中，第一材料C1不溶于显影液，可以采用显影将第二材料C2去除掉，也即将第一薄膜10位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分去除，同时将第二薄膜20位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分也去除掉，而将第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分保留，从而可以得到第一材料层134和至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a_1。
在另一些实施例中，以第三材料作为负性光刻胶为例，在通过图案化工艺制作上述至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a_1的情况下，如图5C所示，可以先在衬底11上形成第一薄膜10，第一薄膜10可以包括第三材料C3，然后，在第一薄膜10上形成第二薄膜20，第二薄膜20的材料可以为上述红色量子点发光材料，接着，采用第二波段的光对第一薄膜10和 第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分进行辐射，改变第一薄膜10位于除第一发光器件13A所在区域的部分的溶解度，也即，此时第一薄膜10位于第一发光器件13A所在区域的部分由第三材料C3变为第一材料C1，第一薄膜10位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域的部分的材料不变，仍然为第三材料C3，第一材料C1不溶解于显影液，第三材料C3溶解于显影液，采用显影液对第一薄膜10位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分去除，同时将第二薄膜20位于多个发光器件13除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分也去除掉，而将第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分保留，从而可以得到第一材料层134和至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a_1。
与相关技术中采用直接光刻法实现量子点发光材料的图案化相比，通过增加第一材料C1或第三材料C3作为光刻胶层，利用第一材料C1或第三材料C3在光照前后的溶解度不同，对第一材料C1或第三材料C3进行曝光和显影，可以利用第二材料C2或第三材料C3作为牺牲层对红色量子点发光材料位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分进行去除，从而可以避免红色量子点发光材料在除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域形成残留，进而可以解决相关技术中下一种颜色的量子点发光材料图案化工艺后有前一层量子点发光材料残留，从而造成混色的问题。而与相关技术中采用牺牲层实现量子点发光材料的图案化相比，通过选材，使得第一发光材料与第一材料C1或第三材料C3中作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度不同，可以避免在后续显影过程中将第一发光材料去除，从而可以解决相关技术中量子点发光材料丢失的问题。
在一些实施例中，第一材料C1和第一发光材料均包括：金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体。其中，第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同的情况下，第三材料C3所包含的配体为光敏配体，在第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同的情况下，第一发光材料所包含的配体为非光敏配体，非光敏配体与第二材料C2在同一溶剂中的溶解度不同，或者，非光敏配体与第三材料C3在同一溶剂中的溶解度不同。
在这些实施例中，根据第一材料C1在第一波段的光辐射下生成第二材料，还是第一材料C1通过第三材料C3在第二波段的光辐射下生成，第一材 料C1所包含的配体可以为光敏配体或非光敏，具体的，在第一材料C1在第一波段的光辐射下生成第二材料的情况下，第一材料C1所包含的配体为光敏配体，这时，根据第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同或不同，具有两种可能的情形，第一种情形，第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同，这时，第一发光材料所包含的配体也为光敏配体，第二种情形，第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同，这时，第一发光材料所包含的配体可以为光敏配体或非光敏配体，只要第一发光材料与第二材料C2在同一溶剂中的溶解度不同即可。
在第一材料C1通过第三材料C3在第二波段的光辐射下生成的情况下，第三材料C3所包含的配体为光敏配体，这时，第一材料C1所包含的配体可以为非光敏配体，第一发光材料所包含的配体也可以为非光敏配体，这时，第一发光材料所包含的非光敏配体可以与第一材料C1所包含的非光敏配体相同或不同，且第一发光材料所包含的非光敏配体和第一材料C1所包含的非光敏配体与第二材料C2在同一溶剂中的溶解度不同。
在这些实施例中，在第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同的情况下，无论上述哪种情况，在后续显影过程中，第一材料C1和第一发光材料由于配体相同而能够作为一个整体被去除或保留，与第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同，溶解度有所差异相比，能够将第一发光材料去除干净，从而能够提高第一发光材料的图案化效果。
在一些实施例中，光敏配体包括：能够在光照下发生分解反应或交联反应的配体。
如在一些实施例中，光敏配体可以为包含有不饱和基团或环氧基团的化合物，在光照后不饱和基团或环氧基团发生交联反应，从而改变溶解度。或者，光敏配体可以具有酰胺键或酯键，在光照后脱去酰基，从而改变溶解度。
在一些实施例中，光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)和MMES(琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯)中的任一种。
在光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇的情况下，在应用时，在光致生酸剂(如2，4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪，PAG)的存在下，在紫外线(ultraviolet，UV)的照射下，2-(Boc-氨基)乙硫醇即可脱掉Boc基团变为2-氨基乙硫醇，从而改变溶解度，具体反应方程式如下式所示。在光敏配体包括：MMES的情况下，此类配体具有如下特征：一端带有双键、三键、丙烯酸酯键、环氧乙烷等用于光照交联的基团，另一端带有配位基团：巯基、羧基、氨基等，在应用时，以(2，4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化 膦(TPO)作为光引发剂，利用TPO在光照下生成的自由基引发MMES配体末端双键交联，从而改变溶解度。
上述2-(Boc-氨基)乙硫醇在光照下的反应方程式如下所示：
在一些实施例中，第一材料C1所包含的金属纳米离子包括氧化锌、氧化钛或氧化镍等，第一发光材料所包含的金属纳米离子包括量子点。
在第一材料C1所包含的金属纳米离子包括氧化锌或氧化钛的情况下，第一材料可以具有电子传输功能，这时，第一材料层134还可以作为电子传输层133c，在第一材料所包含的金属纳米离子包括氧化镍的情况下，第一材料C1可以具有空穴传输功能，这时，第一材料层134还可以作为空穴传输层。
量子点可以为半导体纳米晶体，并且可具有多种形状例如球形、锥形、多臂和/或立方形的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板颗粒、量子棒、或量子片。在这里，量子棒可为具有大于约1、例如大于或等于约2、大于或等于约3、或者大于或等于约5的纵横比(长径比)(长度:宽度比)的量子点。例如，所述量子棒可具有小于或等于约50、小于或等于约30、或者小于或等于约20的纵横比。
量子点可具有例如约1nm至约100nm、约1nm至约80nm、约1nm至约50nm、或约1nm至20nm的颗粒直径(对于非球形形状，平均最大颗粒长度)。
可根据量子点的尺寸和组成控制量子点的能带隙，因此可控制量子点的发光波长。例如，当量子点的尺寸增加时，量子点可具有窄的能带隙且因此配置成发射在相对长的波长区域中的光，而当量子点的尺寸减小时，量子点可具有宽的能带隙且因此配置成发射在相对短的波长区域中的光。例如，量子点可根据其尺寸和/或组成而配置成发射在可见光区域的预定波长区域中的光。例如，量子点可配置成发射蓝色光、红色光、或绿色光，并且蓝色光可具有例如在约430nm至约480nm中的峰值发射波长(λ最大)，红色光可具有例如在约600nm至约650nm中的峰值发射波长(λ最大)，且绿色光可具有例如在约520nm至约560nm中的峰值发射波长(λ最大)。
例如，配置成发射蓝色光的量子点的平均颗粒尺寸可例如小于或等于约4.5nm、和例如小于或等于约4.3nm、小于或等于约4.2nm、小于或等于约4.1nm、或者小于或等于约4.0nm的范围内，例如，所述量子点的平均颗粒尺寸可为约2.0nm至约4.5nm、例如约2.0nm至约4.3nm、约2.0nm至约4.2nm、 约2.0nm至约4.1nm、或约2.0nm至约4.0nm。
量子点可具有例如大于或等于约10％、大于或等于约20％、大于或等于约30％、大于或等于约50％、大于或等于约60％、大于或等于约70％、或者大于或等于约90％的量子产率。
量子点可具有相对窄的半宽度(FWHM)。在这里，FWHM为对应于峰值吸收点的一半的波长的宽度，并且当FWHM较窄时，可配置成发射在较窄波长区域中的光，并且可获得较高的色纯度。量子点可具有例如小于或等于约50nm、小于或等于约49nm、小于或等于约48nm、小于或等于约47nm、小于或等于约46nm、小于或等于约45nm、小于或等于约44nm、小于或等于约43nm、小于或等于约42nm、小于或等于约41nm、小于或等于约40nm、小于或等于约39nm、小于或等于约38nm、小于或等于约37nm、小于或等于约36nm、小于或等于约35nm、小于或等于约34nm、小于或等于约33nm、小于或等于约32nm、小于或等于约31nm、小于或等于约30nm、小于或等于约29nm、或者小于或等于约28nm的FWHM。在所述范围内，其可具有例如约2nm至约49nm、约2nm至约48nm、约2nm至约47nm、约2nm至约46nm、约2nm至约45nm、约2nm至约44nm、约2nm至约43nm、约2nm至约42nm、约2nm至约41nm、约2nm至约40nm、约2nm至约39nm、约2nm至约38nm、约2nm至约37nm、约2nm至约36nm、约2nm至约35nm、约2nm至约34nm、约2nm至约33nm、约2nm至约32nm、约2nm至约31nm、约2nm至约30nm、约2nm至约29nm、或约2nm至约28nm的FWHM。
例如，量子点可包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物、或其组合。II-VI族半导体化合物可例如选自：二元化合物例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、或其混合物；三元化合物例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、或其混合物；和四元化合物例如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或其混合物，但不限于此。III-V族半导体化合物可例如选自：二元化合物例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、或其混合物；三元化合物例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、或 其混合物；和四元化合物例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、或其混合物，但不限于此。IV-VI族半导体化合物可例如选自：二元化合物例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、或其混合物；三元化合物例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、或其混合物；和四元化合物例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、或其混合物，但不限于此。IV族半导体可例如选自：单质(一元)半导体例如Si、Ge、或其混合物；和二元半导体化合物例如SiC、SiGe、和其混合物，但不限于此。I-III-VI族半导体化合物可为例如CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe、CuInGaS、或其混合物，但不限于此。I-II-IV-VI族半导体化合物可为例如CuZnSnSe、CuZnSnS、或其混合物，但不限于此。II-III-V族半导体化合物可包括例如InZnP，但不限于此。
量子点可以基本上均匀的浓度或局部不同的浓度分布包括单质半导体、二元半导体化合物、三元半导体化合物、或四元半导体化合物。
例如，量子点可包括无镉(Cd)量子点。无镉量子点是不包括镉(Cd)的量子点。镉(Cd)可引起严重的环境/健康问题和是在多个国家中按照有害物质限制指令(RoHS)的被限制的元素，且因此非镉基量子点可被有效地使用。
作为实例，量子点可为包括锌(Zn)、以及碲(Te)和硒(Se)的至少一种的半导体化合物。例如，量子点可为Zn-Te半导体化合物、Zn-Se半导体化合物、和/或Zn-Te-Se半导体化合物。例如，Zn-Te-Se半导体化合物中的碲(Te)的量可小于硒(Se)的量。半导体化合物可具有在小于或等于约480nm、例如约430nm至约480nm的波长区域中的峰值发射波长(λ最大)，并且可配置成发射蓝色光。
例如，量子点可为包括铟(In)、以及锌(Zn)和磷(P)的至少一种的半导体化合物。例如，量子点可为In-P半导体化合物和/或In-Zn-P半导体化合物。例如，在In-Zn-P半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可大于或等于约25。半导体化合物可具有在小于约700nm、例如约600nm至约650nm的波长区域中的峰值发射波长(λ最大)，并且可配置成发射红色光。
量子点可具有芯-壳结构，其中一个量子点围绕另一量子点。例如，量子点的芯和壳可具有界面，并且在界面中的芯或壳的至少一个的元素可具有浓度梯度，其中壳的元素的浓度朝着芯降低。例如，量子点的壳的材料组成具有比量子点的芯的材料组成高的能带隙，且由此量子点可呈现出量子限制效应。
量子点可具有一个量子点芯和围绕芯的多层量子点壳。在这里，多层壳具有至少两个壳，其中各壳可为单一组成、合金、和/或具有浓度梯度者。
例如，多层壳的远离芯的壳可具有比靠近芯的壳高的能带隙，且由此量子点可呈现出量子限制效应。
例如，具有芯-壳结构的量子点可例如包括：芯，芯包括第一半导体化合物，第一半导体化合物包括锌(Zn)、以及碲(Te)和硒(Se)的至少一种；以及设置在芯的至少一部分上并且具有与芯的组成不同的组成的包括第二半导体化合物的壳。
例如，第一半导体化合物可为包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)的基于Zn-Te-Se的半导体化合物，例如，包括少量的碲(Te)的基于Zn-Se的半导体化合物，例如，由ZnTexSe1-x表示的半导体化合物，其中x大于约0且小于或等于0.05。
例如，在基于Zn-Te-Se的第一半导体化合物中，锌(Zn)的摩尔量可高于硒(Se)的摩尔量，且硒(Se)的摩尔量可高于碲(Te)的摩尔量。例如，在第一半导体化合物中，碲(Te)对硒(Se)的摩尔比可小于或等于约0.05、小于或等于约0.049、小于或等于约0.048、小于或等于约0.047、小于或等于约0.045、小于或等于约0.044、小于或等于约0.043、小于或等于约0.042、小于或等于约0.041、小于或等于约0.04、小于或等于约0.039、小于或等于约0.035、小于或等于约0.03、小于或等于约0.029、小于或等于约0.025、小于或等于约0.024、小于或等于约0.023、小于或等于约0.022、小于或等于约0.021、小于或等于约0.02、小于或等于约0.019、小于或等于约0.018、小于或等于约0.017、小于或等于约0.016、小于或等于约0.015、小于或等于约0.014、小于或等于约0.013、小于或等于约0.013、小于或等于约0.011、或者小于或等于约0.01。例如，在第一半导体化合物中，碲(Te)对锌(Zn)的摩尔比可小于或等于约0.02、小于或等于约0.019、小于或等于约0.018、小于或等于约0.017、小于或等于约0.016、小于或等于约0.015、小于或等于约0.014、小于或等于约0.013、小于或等于约0.013、小于或等于约0.011、或者小于或等于约0.010。
第二半导体化合物可包括例如II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物、或其组合。II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、和II-III-V族半导体化合物的实例与以上面描述的相同。
例如，第二半导体化合物可包括锌(Zn)、硒(Se)、和/或硫(S)。例如，壳 可包括ZnSeS、ZnSe、ZnS、或其组合。例如，壳可包括靠近所述芯设置的至少一个内壳和设置在量子点的最外侧处的最外面的壳。内壳可包括ZnSeS、ZnSe、或其组合，且最外面的壳可包括ZnS。例如，壳可具有一种成分的浓度梯度，和例如硫(S)的量可随着离开芯而增加。
例如，具有芯-壳结构的量子点可包括：芯，芯包括第三半导体化合物，第三半导体化合物包括铟(In)、以及锌(Zn)和磷(P)的至少一种；以及设置在芯的至少一部分上并且包括具有与芯不同的组成的第四半导体化合物的壳。
在基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可大于或等于约25。例如，在基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可大于或等于约28、大于或等于约29、或者大于或等于约30。例如，在基于In-Zn-P的第三半导体化合物中，锌(Zn)对铟(In)的摩尔比可小于或等于约55、例如小于或等于约50、小于或等于约45、小于或等于约40、小于或等于约35、小于或等于约34、小于或等于约33、或者小于或等于约32。
第四半导体化合物可包括例如II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物、或其组合。II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、和II-III-V族半导体化合物的实例与以上描述的相同。
例如，第四半导体化合物可包括锌(Zn)和硫(S)以及任选地硒(Se)。例如，壳可包括ZnSeS、ZnSe、ZnS、或其组合。例如，壳可包括靠近所述芯设置的至少一个内壳和设置在所述量子点的最外侧处的最外面的壳。内壳和最外面的壳的至少一个可包括第四半导体化合物ZnS、ZnSe、或ZnSeS。
发光图案可具有如下的厚度：例如约5nm至约200nm，在所述范围内，例如约10nm至约150nm、例如约10nm至约100nm、例如约10nm至约50nm。包含在发光图案中的量子点QD可以被层压成一个或多于一个的层，例如：两个层。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且量子点QD可以被层压成一个至十个层。取决于被使用的量子点QD的种类(或类型)以及光的期望发射波长，量子点QD可以被层压成任何合适数量的层。
量子点可具有相对深的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)能级，例如，如下的HOMO能级的绝对值：大于或等于约5.4eV，在所述范围内，例如大于或等于约5.5eV、例如大于或等于约5.6eV、例如大于或等于约5.7eV、例如约大于或等于约5.8eV、例如大于或等于约 5.9eV、例如大于或等于约6.0eV。在所述范围内，量子点层13的HOMO能级可为例如约5.4eV至约7.0eV、例如约5.4eV至约6.8eV、例如约5.4eV至约6.7eV、例如约5.4eV至约6.5eV、例如约5.4eV至约6.3eV、例如约5.4eV至约6.2eV、例如约5.4eV至约6.1eV，在所述范围内，例如约5.5eV至约7.0eV、例如约5.5eV至约6.8eV、例如约5.5eV至约6.7eV、例如约5.5eV至约6.5eV、例如约5.5eV至约6.3eV、例如约5.5eV至约6.2eV、例如约5.5eV至约6.1eV、例如约5.5eV至约7.0eV、例如约5.6eV至约6.8eV、例如约5.6eV至约6.7eV、例如约5.6eV至约6.5eV、例如约5.6eV至约6.3eV、例如约5.6eV至约6.2eV、例如约5.6eV至约6.1eV，在所述范围内，例如约5.7eV至约7.0eV、例如约5.7eV至约6.8eV、例如约5.7eV至约6.7eV、例如约5.7eV至约6.5eV、例如约5.7eV至约6.3eV、例如约5.7eV至约6.2eV、例如约5.7eV至约6.1eV，在所述范围内，例如约5.8eV至约7.0eV、例如约5.8eV至约6.8eV、例如约5.8eV至约6.7eV、例如约5.8eV至约6.5eV、例如约5.8eV至约6.3eV、例如约5.8eV至约6.2eV、例如约5.8eV至约6.1eV，在所述范围内，例如约6.0eV至约7.0eV、例如约6.0eV至约6.8eV、例如约6.0eV至约6.7eV、例如约6.0eV至约6.5eV、例如约6.0eV至约6.3eV、例如约6.0eV至约6.2eV。
量子点可具有相对浅的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)能级，其绝对值例如，小于或等于约3.7eV，在所述范围内，例如小于或等于约3.6eV、例如小于或等于约3.5eV、例如小于或等于约3.4eV、例如小于或等于约3.3eV、例如小于或等于约3.2eV、例如小于或等于约3.0eV。在上述范围内，量子点层的LUMO能级可为约2.5eV至约3.7eV、约2.5eV至约3.6eV、约2.5eV至约3.5eV、约2.5eV至约3.4eV、约2.5eV至约3.3eV、约2.5eV至约3.2eV、约2.5eV至约3.1eV、约2.5eV至约3.0eV、约2.8eV至约3.7eV、约2.8eV至约3.6eV、约2.8eV至约3.5eV、约2.8eV至约3.4eV、约2.8eV至约3.3eV、约2.8eV至约3.2eV、约3.0eV至约3.7eV、约3.0eV至约3.6eV、约3.0eV至约3.5eV、或约3.0eV至约3.4eV。
量子点可具有约1.7eV至约2.3eV或约2.4eV至约2.9eV的能带隙。在所述范围内，例如，量子点层13可具有如下的能带隙：约1.8eV至约2.2eV或约2.4eV至约2.8eV，在所述范围内，例如约1.9eV至约2.1eV、例如约2.4eV至约2.7eV。
在另一些实施例中，以第一发光材料为非光敏材料为例，第一发光材料可以包括量子点和非光敏配体，或者，第一发光材料不包含有配体，此时，第一发光材料仅包括量子点。
在这些实施例中，量子点的具体选材可参照上述对量子点的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，第一材料具有载流子传输功能。
也即，在这些实施例中，第一材料层134可以作为载流子传输层，或者第一材料层134可以作为载流子阻挡层。无论第一材料层134作为载流子传输层还是载流子阻挡层，第一材料层134均能够起到传输载流子的作用，例如，在第一材料层134作为电子传输层或空穴阻挡层的情况下，第一材料层134可以传输电子，在第一材料层134作为空穴传输层或电子阻挡层的情况下，第一材料层134可以传输空穴。与第一材料层134不具有载流子传输功能相比，不会对载流子传输和发光造成影响。
示例的，以第一材料具有电子传输功能为例，第一材料层134可以作为电子传输层或空穴阻挡层，这时，第一材料的电子迁移率可以为1×10
-4cm
2/V·s～2×10
-3cm
2/V·s，LUMO能级的绝对值可以为3.6eV～4.2eV。以第一材料具有空穴传输功能为例，第一材料层134可以作为空穴传输层或电子阻挡层，这时，第一材料的空穴迁移率可以为1×10
-4cm
2/V·s～2×10
-3cm
2/V·s，HOMO能级的绝对值可以为5.1eV～6.2eV。
在一些实施例中，如图5A所示，至少一个第一发光器件13A还包括：载流子传输层300，载流子传输层300设置于第一材料层134靠近衬底11的一侧，并与第一材料层134接触。
在这些实施例中，以载流子传输层300为电子传输层133c为例，在第一材料具有载流子传输功能的情况下，第一材料层134可以作为空穴阻挡层，还能够起到调解空穴和电子注入平衡的作用。
在一些实施例中，载流子传输层300可以整层覆盖。
在这些实施例中，多个发光器件13中除至少一个第一发光器件13A包括载流子传输层之外，其余发光器件13也包括载流子传输层。
该载流子传输层300可以通过旋涂得到。
在另一些实施例中，如图5D所示，第一材料层134作为载流子传输层300，并与第一电极131直接接触。
在这些实施例中，第一材料层134本身即可实现载流子传输功能，无需额外设置载流子传输层300。与上述载流子传输层300整层覆盖不同，该载流子传输层300仅设置在第一发光器件13A所在区域。
其中，上述仅以第一材料层134作为载流子传输层300为例进行的说明，本领域技术人员能够理解的是，第一材料层134还可以作为载流子注入层或 载流子阻挡层，均能够起到相应的技术效果，并且上述仅示出了第一材料层134与第一电极131直接接触的情形，本领域技术人员能够理解到，在第一材料层134作为载流子传输层300的情况下，第一材料层134和第一电极131之间还可以设置有载流子注入层，此时，载流子注入层也可以整层覆盖。
在一些实施例中，如图5A所示，在至少一个第一发光器件13A还包括载流子传输层300的情况下，第一材料层134的厚度d1小于载流子传输层300的厚度d。
在这些实施例中，在第一材料不具有载流子传输功能的情况下，第一材料层134的厚度d1小于载流子传输层300的厚度d，可以避免第一材料层134的厚度d1过厚对载流子传输造成影响。在第一材料具有载流子传输功能的情况下，由于载流子传输层300的存在，第一材料层134的厚度d1无需太厚，只要第一材料层134能够起到对量子点发光材料进行图案化的效果即可。
在一些示例中，如图5A所示，在第一材料具有载流子传输功能的情况下，第一材料层134的厚度d1为5nm～20nm，载流子传输层300的厚度d为50nm～70nm。
在一些实施例中，在第一材料层134作为载流子传输层300的情况下，第一材料层134的厚度d1为50nm～70nm。
也即，在这些实施例中，载流子传输层300可以省略，此时，第一材料层134的厚度d1可以增加至载流子传输层300的厚度。
在一些实施例中，在至少一个第一发光器件13A还包括载流子传输层300的情况下，载流子传输层300的材料包括金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体，载流子传输层300的材料所包含的金属纳米离子与第一材料所包含的金属纳米离子相同或不同，载流子传输层300的材料所包含的配体与第一材料所包含的配体不同。
在这些实施例中，以载流子传输层300为电子传输层，且该载流子传输层300所包含的金属纳米离子为氧化锌为例，第一材料所包含的金属纳米离子也可以为氧化锌，此时，第一材料可以具有电子传输功能，为了实现第一发光材料的图案化，第一材料所包含的配体可以为光敏配体，载流子传输层300的材料所包含的配体可以为非光敏配体(如乙醇胺配体)，且载流子传输层300的材料不溶解于显影液，这样，在后续显影过程中能够防止载流子传输层300被去除掉，并能够保持载流子传输层300的整层覆盖的完整性。
这里，需要说明的是，在一些实施例中，在至少一个第一发光器件13A还包括载流子传输层300的情况下，第一材料还可以为光敏配体，例如该光 敏配体可以与第一发光材料所包含的配体相同，与上述第一材料包括光敏配体，且第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同相类似地，同样能够使第一材料和第一发光材料在同一溶剂中的溶解度相同，并能够在显影时，将第一薄膜10和第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分作为一个整体被洗脱掉，从而能够达到将红色量子点发光材料洗脱干净的技术效果，而与上述第一材料包括光敏配体的情况不同的是，第一材料还可以与载流子传输层300的表面发生络合反应生成氧化锌、氧化钛或氧化镍与光敏配体结合的产物，相当于在第一材料层134和载流子传输层300之间形成了一层具有载流子传输功能的材料层。
其中，对上述第一材料层134的HOMO和/或LUMO能级不做具体限定，在第一材料层134的材料也即第一材料不具有载流子传输功能的情况下，第一材料层134的厚度d1可以很小，不会对载流子传输产生影响，在第一材料层134的材料也即第一材料具有载流子传输功能的情况下，第一材料层134的HOMO和/或LUMO能级可以与载流子传输层300和第一发光图案133a_1的HOMO和/或LUMO能级相匹配。
具体的，在第一材料层134的材料具有电子传输功能的情况下，第一材料层134的LUMO能级可以介于载流子传输层300的LUMO能级和第一发光图案133a_1的LUMO能级之间，在第一材料层134的材料具有空穴传输功能的情况下，第一材料层134的HOMO能级可以介于载流子传输层300的HOMO能级和第一发光图案133a_1的HOMO能级之间。
而在上述第一材料层134的材料为光敏配体，第一材料层134的材料和载流子传输层300的表面生成氧化锌或氧化钛与光敏配体结合的产物的情况下，形成在载流子传输层300和第一材料层134之间的具有载流子传输功能的材料层的LUMO能级，可以介于载流子传输层300的LUMO能级和第一发光图案133a_1的LUMO能级之间，同理，在载流子传输层300的材料为氧化镍的情况下，形成在载流子传输层300和第一材料层134之间的具有载流子传输功能的材料层的HOMO能级，可以介于载流子传输层300的HOMO能级和第一发光图案133a_1的HOMO能级之间。
在一些实施例中，如图5A所示，多个发光器件13还包括：至少一个第二发光器件13B，至少一个第二发光器件13B还包括：第二材料层135，第二材料层135设置于至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a(也可以称为第二发光图案133a_2)靠近衬底11的一侧，并与至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a接触。其中，至少一个第二发光器件13B所包 含的发光图案133a的材料包括第二发光材料，第二材料层135的材料包括：第四材料，第四材料能够在第三波段的光辐射下生成第五材料，第四材料和第二发光材料与第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，第四材料和第二发光材料与第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在这些实施例中，至少一个第二发光器件13B可以为发绿光的发光器件，第二发光材料可以为绿色量子点发光材料，与上述红色量子点发光材料相类似地，在形成有第一材料层134和至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a_1的衬底11上形成第二发光图案133a_2的情况下，通过引入第四材料或第六材料作为光刻胶层，同样可以解决相关技术中绿色量子点发光材料在除第二发光器件13B所在区域以外的其余区域残留的问题，具体可参照上述引入第一材料或第三材料作为光刻胶层的描述，在此不再赘述。
需要说明的是，在制作第二材料层135和第二发光图案133a_2之前，衬底11上已经形成了第一材料层134和第一发光图案133a_1，这里，根据第一材料层134是否直接与第一电极131接触，具有两种可能的情况，第一种情况，第一材料层134与第一电极131直接接触，这时，第一材料层134可以作为载流子传输层300，第二种情况，第一材料层134与第一电极131不直接接触，这时，至少一个第一发光器件13A还可以包括载流子传输层300。
无论上述哪种情况，第一材料层134在制作时，根据材料的理化性质，第一材料C1或第三材料C3在除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分可能会去除干净或者具有残留，在此均不做具体限定。
在一些实施例中，以至少一个第一发光器件13A还包括载流子传输层300，且第一材料C1具有载流子传输功能为例，载流子传输层300的材料和第一材料C1可以均为氧化锌和配体结合的材料，这时，以第一材料C1通过第三材料C3在第二波段的光辐射下生成为例，由于第三材料C3和载流子传输层300之间存在相互作用力，因此，在后续通过显影去除第一薄膜10位于除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分的情况下，并不能将第一薄膜10位于除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分完全去除掉，而是具有少量的残留。
示例的，在一些实施例中，如图5A所示，至少一个第二发光器件13B还包括：第三材料层136，第三材料层136设置于第二材料层135靠近衬底11的一侧，且与第一材料层134同层。第三材料层136的厚度小于第一材料层134的厚度。
也即，在这些实施例中，第三材料层136可以是第一材料或第三材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第二发光器件13B所在区域的材料层，此时，第三材料层136的材料与第一材料层134的材料不同。
具体的，在第一薄膜10的材料包括第一材料的情况下，第三材料层136的材料通过第一材料在第一波段的光辐射下生成，也即第三材料层136的材料为第二材料，在第一薄膜10的材料包括第三材料的情况下，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，而第三材料层136的材料仍然为第三材料。
在此，以载流子传输层300的材料和第一材料所包含的金属纳米离子均为氧化锌，载流子传输层300的材料所包含的配体为乙醇胺，第一材料和第一发光材料所包含的配体均为2-氨基乙硫醇为例，第一材料层134可以通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，这时，第一薄膜10和第二薄膜20的材料所包含的配体可以均为2-(Boc-氨基)乙硫醇，简称Boc，在实际应用中，通过在第一薄膜10和第二薄膜20中加入光致生酸剂(如2，4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪，PAG)之后，采用紫外线(ultraviolet，UV)对第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分进行照射，第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分在光照下脱掉Boc基团变为2-氨基乙硫醇，从而使得第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分的极性和溶解度改变，这时，可以采用氯仿、甲苯、四氢呋喃等对Boc基团溶解度较好的显影液，将未经UV光照的，配体依旧为Boc的材料去除掉，从而得到第一材料层134和第一发光图案133a_1。
由此，第一材料层134的材料所包含的配体为2-氨基乙硫醇，第三材料层136的材料所包含的配体为Boc。
其中，上述2-(Boc-氨基)乙硫醇在光照下的反应方程式可参照上述描述，在此不再赘述。
通过实验发现，在未设置第一材料层134的情况下，若直接将第二薄膜20形成在载流子传输层300上，则在后续显影时，由于第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分与载流子传输层300(ZnO(乙醇胺配体))之间存在相互作用力，使得第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分会在载流子传输层300上形成残留，而通过在载流子传输层300和量子点发光材料之间加上一层具有相同的光敏配体的ZnO-Boc层，可以使ZnO-Boc层和量子点发光材料作为一个整体形成 在载流子传输层300上，显影后便会使得残留在载流子传输层300上的物质为ZnO-Boc而不是量子点发光材料，虽然具有光敏配体的ZnO-Boc层同样会有残留，但ZnO-Boc本身并不会对发光产生影响。
当然，以上仅是示例，示出了第一薄膜10和第二薄膜20的材料所包含的配体均为2-(Boc-氨基)乙硫醇的情形，本领域技术人员能够理解的是，第一薄膜10和第二薄膜20的材料所包含的配体可以为任何能够在光照下溶解度改变的配体。
例如，在一些实施例中，第一薄膜10和第二薄膜20的材料所包含的配体可以为琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯(MMES)，此时，第一薄膜的材料可以为氧化锌和MMES结合的配合物，在此记为ZnO-MMES，第二薄膜的材料可以为量子点和MMES结合的配合物，在此记为QD-MMES，此类配体具有如下特征：一端带有双键、三键、丙烯酸酯键、环氧乙烷等用于光照交联的基团，另一端带有配位基团：巯基、羧基、氨基等，在应用时，以(2，4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦(TPO)作为光引发剂，利用TPO在光照下生成的自由基引发MMES配体末端双键交联，从而改变溶解度，此时，在后续显影过程中，可以利用丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)作为显影液，可以将未经光照交联的ZnO-MMES和QD-MMES洗掉，而将经光照交联后的ZnO-MMES交联产物和QD-MMES交联产物保留，同样可以形成第一材料层134和第一发光图案133a_1。
在此，仅示出了第一材料层134具有电子传输功能的示例，本领域技术人员能够理解的是，在第一材料层134具有空穴传输功能的情况下，也同样适用。
具体的，以第一材料层134具有空穴传输功能为例，载流子传输层300的材料所包含的金属纳米离子和第一材料层134的材料所包含的金属纳米离子可以均为氧化镍，此时，第一薄膜10的材料可以为氧化镍和上述光敏配体结合的配合物，具体的配位方式和图案化工艺与上述第一材料层134具有电子传输功能类似，在此不再赘述。
与上述第一材料或第三材料会在除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域形成残留相类似地，在制作上述第二材料层135和第二发光图案133a_2的情况下，同样也会使第四材料或第六材料在除第二发光器件13B所在区域以外的其余区域形成残留，具体可参照上述第一材料或第三材料在除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域形成残留的描述，在此不再赘述。
在此，需要说明的是，第二材料层135的材料所包含的配体可以与上述 第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体相同或不同，在此不做具体限定。
示例的，第二材料层135的材料所包含的配体可以与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1所包含的配体相同，如均为2-氨基乙硫醇，或者，第二材料层135的材料所包含的配体可以与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1所包含的配体不同，如在第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体均为2-氨基乙硫醇的情况下，第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2所包含的配体可以均为MMES光照后的产物，只要在通过曝光、显影得到第二材料层135和第二发光图案133a_2的过程中，不会将第一材料层134和第一发光图案133a_1去除掉即可。
为了防止后续显影过程中将第一材料层134和第一发光图案133a_1去除，第二材料层135的材料所包含的配体可以与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体相同，如可以均为2-氨基乙硫醇，此时显影液也相同，因此不会将第一材料层134和第一发光图案133a_1去除。
在一些实施例中，如图5A所示，至少一个第一发光器件13A还包括：第四材料层137，第四材料层137设置于至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a远离衬底11的一侧，且与至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a接触。第四材料层137的厚度d4小于第二材料层135的厚度d2。
在这些实施例中，第四材料层137可以是第四材料或第六材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第一发光器件13A所在区域的材料层，此时，第四材料层137的材料与第二材料层135的材料不同，且第四材料层137的厚度d4小于第二材料层135的厚度d2。
具体的，以第二材料层135的材料所包含的配体与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体相同，如均为2-氨基乙硫醇为例，第二材料层135的材料所包含的配体为2-氨基乙硫醇，而第四材料层137的材料包含的配体为Boc。
在一些实施例中，如图5E所示，多个发光器件13还包括：至少一个第三发光器件13C，至少一个第三发光器件13C还包括：第五材料层138，第五材料层138设置于至少一个第三发光器件13C所包含的发光图案133a(在此也可以称为第三发光图案133a_3)靠近衬底11的一侧，并与至少一个第三发光器件13C所包含的发光图案133a接触。至少一个第三发光器件13C所包含的发光图案133a的材料包括：第三发光材料。第五材料层138的材料包括： 第七材料，第七材料能够在第五波段的光辐射下生成第八材料，第七材料和第三发光材料与第八材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，第七材料通过第九材料在第六波段的光辐射下生成，第七材料和第三发光材料与第九材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在这些实施例中，至少一个第三发光器件13C可以为发蓝光的发光器件，第三发光材料可以为蓝色量子点发光材料，与上述红色量子点发光材料和绿色量子点发光材料相类似地，在形成有第二材料层135和第二发光图案133a_2的衬底11上形成第三发光图案133a_3的情况下，通过引入第七材料或第九材料作为光刻胶层，同样可以解决相关技术中蓝色量子点发光材料在除第三发光器件13C所在区域以外的其余区域残留，从而造成混色的问题，具体可参照上述引入第四材料或第六材料作为光刻胶层的描述，在此不再赘述。
仍然以至少一个第一发光器件13A还包括载流子传输层300，且第一材料具有载流子传输功能，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，第三材料也即配体为Boc的氧化锌材料与载流子传输层的材料之间具有相互作用力，在后续通过显影去除第一薄膜10位于除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分的情况下，并不能将第一薄膜10位于除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分完全去除掉，而是具有少量的残留为例，第一薄膜10也会在至少一个第三发光器件13C所在区域的部分形成残留。
示例的，在一些实施例中，如图5E所示，至少一个第三发光器件13C还包括：第六材料层139，第六材料层139设置于第五材料层138靠近衬底11的一侧，且与第一材料层134同层。第六材料层139的厚度d6小于第一材料层134的厚度d1。
在这些实施例中，第六材料层139可以是第一材料或第三材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第三发光器件13C所在区域的材料层，此时，第六材料层139的材料与第一材料层134的材料不同。
具体的，仍然以第一材料层134的材料所包含的配体为2-氨基乙硫醇为例，第六材料层139的材料所包含的配体可以为Boc，此时，第六材料层139的材料和第三材料层136的材料相同。
与上述第一材料或第三材料会在第三发光器件13C所在区域形成残留相类似地，在制作上述第二材料层135和第二发光图案133a_2的情况下，同样也会使第四材料或第六材料在第三发光器件13C所在区域形成残留。
示例的，在一些实施例中，如图5E所示，至少一个第三发光器件13C还 包括：第七材料层140，第七材料层140设置于第五材料层138靠近衬底11的一侧，并与第五材料层接触。第七材料层140的厚度d7小于第二材料层135的厚度d2。
在这些实施例中，第七材料层140可以是第四材料或第六材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第三发光器件13C所在区域的材料层，此时，第七材料层140的材料与第二材料层135的材料不同，且第七材料层140的厚度d7小于第二材料层135的厚度d2。
具体的，仍然以第二材料层135的材料所包含的配体为2-氨基乙硫醇为例，第七材料层140的材料所包含的配体可以为Boc，此时，第七材料层140的材料可以和第三材料层136的材料相同。
与上述第一材料或第三材料会在除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域形成残留相类似地，在制作上述第五材料层138和第三发光图案133a_2的情况下，同样也会使第七材料或第九材料在除第三发光器件13C所在区域以外的其余区域形成残留，具体可参照上述第一材料或第三材料在除第一发光器件13a所在区域以外的其余区域形成残留的描述，在此不再赘述。
另外，与上述第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料所包含的配体可以与上述第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体相同或不同相类似地，第五材料层138的材料和第三发光图案133a_3的材料所包含的配体也可以与上述第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体，以及第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料的材料所包含的配体相同或不同，在此不做具体限定，只要在后续形成第五材料层138和第三发光图案133a_3的过程中，不会将第一材料层134和第一发光图案133a_1，以及第二材料层135和第二发光图案133a_2去除掉即可。
为了防止后续显影过程中将第一材料层134和第一发光图案133a_1，以及第二材料层135和第二发光图案133a_2去除掉，第五材料层138的材料和第三发光图案133a_3的材料所包含的配体与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体，以及第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料所包含的配体相同。
示例的，在第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体，以及第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料所包含的配体均包括2-氨基乙硫醇的情况下，第五材料层138的材料和第三发光图案133a_3的材料所包含的配体也可以包括2-氨基乙硫醇。
在一些实施例中，至少一个第一发光器件13A还包括：第八材料层141，第八材料层141设置于第二材料层135远离衬底11的一侧，且与第五材料层138同层。第八材料层141的厚度d8小于第五材料层138的厚度d5。
在这些实施例中，第八材料层141可以是第七材料或第九材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第一发光器件13A所在区域的材料层，此时，第八材料层141的材料与第五材料层138的材料不同，且第八材料层141的厚度d8小于第五材料层138的厚度d5。
具体的，以第五材料层138的材料和第三发光图案133a_1的材料所包含的配体与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体，以及第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料所包含的配体均相同，如均为2-氨基乙硫为例，第八材料层141的材料可以为Boc。
在一些实施例中，如图5E所示，至少一个第二发光器件13B还包括：第九材料层142，第九材料层142设置于至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a远离衬底11的一侧，且与第五材料层138同层。第九材料层142的厚度d9小于第五材料层138的厚度d5。
在这些实施例中，第九材料层142可以是第七材料或第九材料在通过曝光、显影之后残留在至少一个第二发光器件13B所在区域的材料层，此时，第九材料层142的材料与第五材料层138的材料不同，且第九材料层141的厚度d9小于第五材料层138的厚度d5。
具体的，以第五材料层138的材料和第三发光图案133a_3的材料所包含的配体与第一材料层134的材料和第一发光图案133a_1的材料所包含的配体，以及第二材料层135的材料和第二发光图案133a_2的材料所包含的配体均相同，如均为2-氨基乙硫醇为例，第九材料层142的材料可以为Boc。
此时，第九材料层142的材料与第八材料层141的材料相同。
在一些实施例中，如图5E所示，对于不同颜色的发光器件13而言，如第一发光器件13A、第二发光器件13B和第三发光器件13C，在与各发光器件13所包含的发光图案接触，且位于各发光器件13所包含的发光图案133a靠近衬底11一侧的材料层(如在第一发光器件13A所包含的第一材料层134、第二发光器件13B所包含的第二材料层135以及第三发光器件13C所包含的第五材料层138)的材料均包括金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体的情况下，各材料层(也即第一材料层134、第二材料层135和第五材料层138)所包含的金属纳米离子相同，如均为氧化锌，且至少有一层材料层(如第一材料层134、第二材料层135或第五材料层138)所包含的金属纳米离子 中掺杂有其他金属。
其中，其他金属可以为不同于Zn的至少一种金属，例如镁(Mg)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、铝(Al)、钙(Ca)、锆(Zr)、钨(W)、锂(Li)、钛(Ti)、钽(Ta)、锡(Sn)、铪(Hf)、硅(Si)、钡(Ba)、或其组合。
具体的掺杂比例可以是0.01≤x≤0.3，例如，0.01≤x≤0.2，x是ZnMgxO中的Mg的下标。
在一些实施例中，各材料层(也即第一材料层134、第二材料层135和第五材料层138)所包含的金属纳米离子中均掺杂有金属镁，且各材料层所包含的金属纳米离子所掺杂的金属镁的掺杂量不同。
如在一些实施例中，第一材料层134中金属镁的掺杂量(质量占比)为5％，第二材料层135中金属镁的掺杂量(质量占比)为10％，第五材料层138中金属镁的掺杂量(质量占比)为15％。
在这些实施例中，对应的器件结构可以为：电子传输层ZnO和界面层(也即第一材料层134、第二材料层135或第五材料层138)，界面层的材料可以为：ZnMgO-NH
2-SH，界面层的配体数量大于电子传输层的配体数量，通过界面层中掺杂有金属镁，能够对电子和空穴注入平衡进行调节。
在一些实施例中，载流子传输层300也可以掺杂有金属元素，但载流子传输层300的掺杂比例小于界面层的掺杂比例。
本公开的一些实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底11上形成多个发光器件13。每个发光器件13包括：第一电极131、第二电极132，以及形成在第一电极131和第二电极132之间的发光图案133a，第一电极131相对于第二电极132更靠近衬底11。多个发光器件13包括至少一个第一发光器件13A，至少一个第一发光器件13A还包括：第一材料层134，第一材料层134形成在至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a(也即第一发光图案133a_1)靠近衬底11的一侧，且与至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a接触。其中，至少一个第一发光器件13A所包含的发光图案133a的材料包括：第一发光材料；第一材料层的材料包括第一材料，第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，第一材料和第一发光材料与第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，第一材料和第一发光材料与第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
其中，衬底11可以是形成有像素驱动电路的衬底。第一发光器件13A可以为发红光的发光器件，此时，第一发光材料可以为红色量子点发光材料。 其中，根据上述第一材料层的材料包括第一材料，第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，或者，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，可以得知，第一发光材料采用第一材料作为正性光刻胶进行图案化形成，或者，第一发光材料采用第三材料作为负性光刻胶进行图案化形成。
在以下的实施例中，将以第一发光材料采用第三材料作为负性光刻胶进行图案化形成为例，对第一材料层和第一发光图案的制备方法进行说明。
在一些实施例中，第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，第一材料和第一发光材料在第一溶剂中的溶解度小于第三材料在第一溶剂中的溶解度。形成至少一个第一发光器件13A，如图6A所示，包括：
S11、在衬底11上依次形成第一薄膜10和第二薄膜20，第一薄膜10的材料包括第三材料C3，第二薄膜20的材料包括第一发光材料，或者，第二薄膜20的材料包括第十材料，第十材料能够在第二波段的光辐射下生成第一发光材料。
在一些实施例中，第一材料C1和第一发光材料均包括：金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体。其中，第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同的情况下，第一发光材料所包含的配体不溶解于第一溶剂。
在这些实施例中，以第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同为例，第三材料C3所包含的配体和第十材料所包含的配体可以均为光敏配体，通过采用第二波段的光对第一薄膜10和第二薄膜20位于第一发光器件13A所在区域的部分进行辐射，即可使第三材料C3和第十材料所包含的光敏配体发生改变，从而可以得到第一材料C1和第一发光材料。在此过程中，由于第三材料C3所包含的配体和第十材料所包含的配体相同，因此，在将第一薄膜10和第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分去除的情况下，可以将第一薄膜10和第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分作为一个整体去除掉，从而可以将第二薄膜20位于除第一发光器件13A所在区域以外的其余区域的部分去除干净，进而可以提高图案化效果。
以第一材料C1所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同为例，第三材料C3所包含的配体可以为光敏配体，这时，有两种可能的情况，第一种情况，第二薄膜20的材料包括第一发光材料，第一发光材料所包含的配体为非光敏配体，第二种情况，第二薄膜20的材料包括第十材料，第十材料所包 含的配体可以为光敏配体，并且，第十材料所包含的配体和第三材料所包含的配体不同。无论上述哪种情况，第一发光材料所包含的配体均不溶解于第一溶剂。
在一些实施例中，光敏配体包括：能够在第二波段的光辐射下发生分解反应或交联反应的配体。
如光敏配体可以为包含有不饱和基团或环氧基团的化合物，在光照后不饱和基团或环氧基团发生交联反应，从而改变溶解度。或者，光敏配体可以具有酰胺键或酯键，在光照后脱去酰基，从而改变溶解度。
在一些实施例中，光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)和MMES(琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯)中的任一种。
在光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇的情况下，在应用时，在光致生酸剂(如2，4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪，PAG)的存在下，在紫外线(ultraviolet，UV)的照射下，2-(Boc-氨基)乙硫醇即可脱掉Boc基团变为2-氨基乙硫醇，从而改变溶解度。在光敏配体包括：MMES的情况下，此类配体具有如下特征：一端带有双键、三键、丙烯酸酯键、环氧乙烷等用于光照交联的基团，另一端带有配位基团：巯基、羧基、氨基等，在应用时，以(2，4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦(TPO)作为光引发剂，利用TPO在光照下生成的自由基引发MMES配体末端双键交联，从而改变溶解度。
其中，上述2-(Boc-氨基)乙硫醇在光照下的反应方程式可参见上述描述，在此不再赘述。
S12、采用第二波段的光对第一薄膜10和第二薄膜20位于第一区域X1的部分进行辐射，使得第一薄膜10位于第一区域X1的部分生成第一材料，第一区域X1是至少一个第一发光器件13A所在区域。
例如，以第三材料C3为氧化锌与2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)结合的材料为例，在第二波段的光辐射下，第一薄膜10位于第一区域X1的部分生成氧化锌与2-氨基乙硫醇结合的材料。
S13、采用第一溶剂对第一薄膜10位于第二区域X2的部分进行溶解，去除第一薄膜10位于第二区域X2的部分，并将第二薄膜20位于第二区域X2的部分去除，得到第一材料层134和第一发光图案133a_1，第二区域X2是多个发光器件13中除至少一个第一发光器件13A所在区域以外的其余区域。
第一溶剂即为显影液，此时，由于第一材料C1和第一发光材料在第一溶剂中的溶解度小于第三材料C3在第一溶剂中的溶解度，因此，在采用第一溶 剂对第一薄膜10和第二薄膜20位于第二区域X2的部分进行溶解时，能够对第一薄膜10和第二薄膜20位于第一区域X1的部分进行保留，从而实现第一发光材料的图案化。
与相关技术中采用直接光刻法实现量子点发光材料的图案化相比，可以避免红色量子点发光材料在其余颜色的发光器件所在区域形成残留，从而可以解决量子点发光材料混色的问题。而与相关技术中采用牺牲层实现量子点发光材料的图案化相比，通过选材，使得第一发光材料与第一材料C1或第三材料C3中作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度不同，可以避免在后续显影过程中将第一发光材料去除，从而可以解决相关技术中量子点发光材料丢失的问题。
在一些实施例中，多个发光器件13还包括至少一个第二发光器件13B，至少一个第二发光器件13B还包括：第二材料层135，第二材料层135设置于至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a_2靠近衬底11的一侧，且第二材料层135与至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a_2接触。至少一个第二发光器件13B所包含的发光图案133a包括第二发光材料，第二材料层135的材料包括：第四材料，第四材料能够在第三波段的光辐射下生成第五材料，第四材料和第二发光材料与第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，第四材料和第二发光材料与第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
其中，第二发光器件13可以为发绿光的发光器件，第二发光材料可以为绿色量子点发光材料。
与上述第一发光材料采用第一材料作为正性光刻胶进行图案化形成，或者，第一发光材料采用第三材料作为负性光刻胶进行图案化形成相类似地，第二发光材料可以采用第四材料作为正性光刻胶进行图案化形成，或者，第二发光材料可以采用第六材料作为负性光刻胶进行图案化形成。
在以下的实施例中，将以第二发光材料采用第六材料作为负性光刻胶进行图案化形成为例，对第二材料层和第二发光图案的制备方法进行说明。
在一些实施例中，第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，第四材料和第二发光材料在第二溶剂中的溶解度小于第六材料在第二溶剂中的溶解度。形成至少一个第二发光器件13B，如图6B所示，包括：
S21、在形成有第一材料层134和第一发光图案133a_1的衬底11上依次形成第三薄膜30和第四薄膜40，第三薄膜30的材料包括第六材料，第四薄膜40的材料包括第二发光材料，或者，第四薄膜40的材料包括第十一材料， 第十一材料能够在第四波段的光辐射下生成第二发光材料。
第四材料示例的可以为具有电子传输功能的材料，如可以为氧化锌与2-氨基乙硫醇结合的材料，此时，第六材料可以为氧化锌与2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)结合的材料，在第四波段的光辐射下，Boc可以脱去酰基生成2-氨基乙硫醇，从而得到第四材料。
在一些实施例中，第四材料和第二发光材料均包括：金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体。其中，第四材料所包含的配体和第二发光材料所包含的配体相同或不同，且在第四材料所包含的配体和第二发光材料所包含的配体不同的情况下，第二发光材料所包含的配体不溶解于第二溶剂。
在这些实施例中，以第四材料所包含的配体和第二发光材料所包含的配体相同为例，第六材料所包含的配体和第十一材料所包含的配体可以均为光敏配体，通过采用第四波段的光对第三薄膜30和第四薄膜40位于第二发光器件13B所在区域的部分进行辐射，即可使第六材料和第十一材料所包含的光敏配体发生改变，从而可以得到第四材料和第二发光材料。在此过程中，由于第六材料所包含的配体和第十一材料所包含的配体相同，因此，在将第三薄膜30和第四薄膜40位于除第二发光器件13B所在区域以外的其余区域的部分去除的情况下，可以将第三薄膜30和第四薄膜40位于除第二发光器件13B所在区域以外的其余区域的部分作为一个整体去除掉，从而可以将第四薄膜40位于除第二发光器件13B所在区域以外的其余区域的部分去除干净，进而可以提高图案化效果。
以第四材料所包含的配体和第二发光材料所包含的配体不同为例，第六材料所包含的配体可以为光敏配体，这时，有两种可能的情况，第一种情况，第四薄膜40的材料包括第二发光材料，第二发光材料所包含的配体为非光敏配体，第二种情况，第四薄膜40的材料包括第十一材料，第十一材料所包含的配体可以为光敏配体，并且，第十一材料所包含的配体和第六材料所包含的配体不同。无论上述哪种情况，第二发光材料所包含的配体均不溶解于第二溶剂。
在一些实施例中，光敏配体包括：能够在第四波段的光辐射下发生分解反应或交联反应的配体。
如光敏配体可以为包含有不饱和基团或环氧基团的化合物，在光照后不饱和基团或环氧基团发生交联反应，从而改变溶解度。或者，光敏配体可以具有酰胺键或酯键，在光照后脱去酰基，从而改变溶解度。
在一些实施例中，光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)和 MMES(琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯)中的任一种。
具体应用可参见上述描述，在此不再赘述。
S22、采用第四波段的光对第三薄膜30和第四薄膜40位于第三区域X3的部分进行辐射，使得第三薄膜30位于第三区域X3的部分生成第四材料，第三区域X3是至少一个第二发光器件13B所在区域。
例如，以第六材料为氧化锌与2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)结合的材料为例，在第四波段的光辐射下，第三薄膜30位于第三区域X3的部分生成氧化锌与2-氨基乙硫醇结合的材料。
S23、采用第二溶剂对第三薄膜30和第四薄膜40位于第四区域X4的部分进行溶解，去除第三薄膜30和第四薄膜40位于第四区域X4的部分，并将第四薄膜40位于第四区域X4的部分去除，得到第二材料层135和第二发光图案133a_2，第四区域X4是多个发光器件13中除至少一个第二发光器件13B所在区域以外的其余区域。
第二溶剂即为显影液，此时，由于第四材料和第二发光材料在第二溶剂中的溶解度小于第六材料在第二溶剂中的溶解度，因此，在采用第二溶剂对第三薄膜30和第四薄膜40位于第四区域X4的部分进行溶解时，能够对第三薄膜30和第四薄膜40位于第三区域X3的部分进行保留，从而实现第二发光材料的图案化。
与相关技术中采用直接光刻法实现量子点发光材料的图案化相比，可以避免绿色量子点发光材料在其余颜色的发光器件所在区域形成残留。而与相关技术中采用牺牲层实现量子点发光材料的图案化相比，通过选材，使得第二发光材料与第四材料或第六材料中作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度不同，可以避免在后续显影过程中将第二发光材料去除，从而可以解决相关技术中量子点发光材料丢失的问题。
在一些实施例中，多个发光器件13还包括：至少一个第三发光器件13C，至少一个第三发光器件13C还包括：第五材料层138，第五材料层138设置于至少一个第三发光器件13C所包含的发光图案133a(也即第三发光图案133a_3)靠近衬底11的一侧，且与至少一个第三发光器件13C所包含的发光图案133a接触。第三发光器件13C所包含的发光图案133a的材料包括第三发光材料，第五材料层138的材料包括：第七材料，第七材料能够在第五波段的光辐射下生成第八材料，第七材料与第三发光材料与第八材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，第七材料通过第九材料在第六波段的光辐射下生成就，第七材料和第三发光材料与第九材料在同一溶剂中的溶解度不同。
在此，仍然以第七材料通过第九材料在第六波段的光辐射下生成，第七材料与第三发光材料在第三溶剂中的溶解度小于第九材料在第三溶剂中的溶解度为例，对第五材料层138和第三发光图案133a_3的制备方法进行说明。
具体的，在一些实施例中，形成至少一个第三发光器件13C，如图6C所示，包括：
S31、在形成有第二材料层135和第二发光图案133a_2的衬底11上依次形成第五薄膜50和第六薄膜60，第五薄膜50的材料包括第九材料，第六薄膜60的材料包括第三发光材料，或者，第六薄膜60的材料包括第十二材料，第十二材料能够在第六波段的光辐射下生成第三发光材料。
第九材料示例的也可以为具有电子传输功能的材料，第三发光材料示例的可以为蓝色量子点发光材料。
在一些实施例中，第七材料和第三发光材料均包括：金属纳米离子，以及与金属纳米离子结合的配体。其中，第七材料所包含的配体和第三发光材料所包含的配体相同或不同，且在第七材料所包含的配体和第三发光材料所包含的配体不同的情况下，第三发光材料所包含的配体不溶解于第三溶剂。
在这些实施例中，以第七材料所包含的配体和第三发光材料所包含的配体相同为例，第九材料所包含的配体和第十二材料所包含的配体可以均为光敏配体，通过采用第六波段的光对第五薄膜50和第六薄膜60位于第三发光器件13C所在区域的部分进行辐射，即可使第九材料和第十二材料所包含的光敏配体发生改变，从而可以得到第七材料和第三发光材料。由于第九材料所包含的配体和第十二材料所包含的配体相同，因此，在将第五薄膜50和第六薄膜60位于除第三发光器件13C所在区域以外的其余区域的部分去除的情况下，可以将第五薄膜50和第六薄膜60位于除第三发光器件13C所在区域以外的其余区域的部分作为一个整体去除掉，从而可以将第六薄膜60位于除第三发光器件13C所在区域以外的其余区域的部分去除干净，进而可以提高图案化效果。
以第七材料所包含的配体和第三发光材料所包含的配体不同为例，第九材料所包含的配体可以为光敏配体，这时，有两种可能的情况，第一种情况，第六薄膜60的材料包括第三发光材料，第三发光材料所包含的配体为非光敏配体，第二种情况，第六薄膜60的材料包括第十二材料，第十二材料所包含的配体可以为光敏配体，并且，第十二材料所包含的配体和第九材料所包含的配体不同。无论上述哪种情况，第三发光材料所包含的配体均不溶解于第三溶剂。
在一些实施例中，光敏配体包括：能够在第六波段的光辐射下发生分解反应或交联反应的配体。
如光敏配体可以为包含有不饱和基团或环氧基团的化合物，在光照后不饱和基团或环氧基团发生交联反应，从而改变溶解度。或者，光敏配体可以具有酰胺键或酯键，在光照后脱去酰基，从而改变溶解度。
在一些实施例中，光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)和MMES(琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯)中的任一种。
在应用时，具体可参见上述描述，在此不再赘述。
S32、采用第六波段的光对第五薄膜50和第六薄膜60位于第五区域X5的部分进行辐射，使得第五薄膜50位于第五区域X5的部分生成第七材料，，第五区域X5是至少一个第三发光器件13C所在区域。
例如，以第九材料为氧化锌与2-(Boc-氨基)乙硫醇(简称Boc)结合的材料为例，在第六波段的光辐射下，第五薄膜50位于第五区域X5的部分生成氧化锌与2-氨基乙硫醇结合的材料。
S33、采用第三溶剂对第五薄膜50位于第六区域X6的部分进行溶解，去除第五薄膜50位于第六区域X6的部分，并将第六薄膜60位于第六区域X6的部分去除掉，得到第五材料层138和第三发光图案133a_3，第六区域X6是多个发光器件13中除至少一个第三发光器件13C所在区域以外的其余区域。
第三溶剂即为显影液，此时，由于第七材料和第三发光材料在第三溶剂中的溶解度小于第九材料在第二溶剂中的溶解度，因此，在采用第三溶剂对第五薄膜50和第六薄膜60位于第六区域X6的部分进行溶解时，能够对第五薄膜50和第六薄膜60位于第五区域X5的部分进行保留，从而实现第三发光材料的图案化。
与相关技术中采用直接光刻法实现量子点发光材料的图案化相比，可以避免蓝色量子点发光材料在其余颜色的发光器件所在区域形成残留。而与相关技术中采用牺牲层实现量子点发光材料的图案化相比，通过选材，使得第三发光材料与第七材料或第九材料中作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度不同，可以避免在后续显影过程中将第三发光材料去除，从而可以解决相关技术中量子点发光材料丢失的问题。
综上所述，通过在每种颜色的量子点发光材料之前增加一层材料层作为光刻胶层，可以将每种颜色的量子点发光材料的残留转化为上述材料层的残留，从而可以解决相关技术中下一种颜色的量子点发光材料图案化工艺后有 前一层量子点发光材料残留，从而造成混色的问题。而与相关技术中采用牺牲层实现量子点发光材料的图案化相比，通过选材，使得每层量子点发光材料与所增加的材料层作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度不同，一方面可以避免在后续显影过程中将每层量子点发光材料去除，另一方面，通过对三层量子点发光材料和各层所对应的材料层的材料进行选择，使得每层量子点发光材料与所增加的每层材料层作为牺牲层的部分在同一溶剂中的溶解度均不同，可以避免在后续显影过程中最早形成的量子点发光材料丢失最多的问题。
基于以上具体实施方式，为了对本公开提供的技术方案的技术效果进行客观评价，以下，将通过以下验证试验对本公开提供的技术方案的技术效果进行验证。
验证试验：
首先通过配体交换制备ZnO-Boc和GQD-Boc，接着在第一白玻璃上依次旋涂ZnO(厚度约为25nm)和GQD(Green Quantum Dot，绿色量子点)-Boc(厚度约为30nm)，然后采用氯仿对GQD-Boc进行显影，并分别测试ZnO、ZnO/GQD-Boc/CCl
3的紫外可见吸收光谱。同理，在第二白玻璃上依次旋涂ZnO(厚度约为25nm)、ZnO-Boc(厚度约为5nm)和GQD-Boc(厚度约为30nm)，然后采用氯仿对ZnO-Boc和GQD-Boc进行显影，并分别测试ZnO/ZnO-Boc、ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3的紫外可见吸收光谱。
其中，上述ZnO的紫外可见吸收光谱是指在第一白玻璃上旋涂ZnO后，所得到的膜层的紫外吸收光谱，ZnO/GQD-Boc/CCl
3的紫外可见吸收光谱是指在第一白玻璃上依次旋涂ZnO和GQD-Boc，并采用氯仿对GQD-Boc进行溶解之后，所得到的膜层的紫外吸收光谱，ZnO/ZnO-Boc的紫外可见吸收光谱是指在第二白玻璃上依次旋涂ZnO和ZnO-Boc之后，所得到的膜层的紫外吸收光谱，ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3的紫外可见吸收光谱是指在第二白玻璃上依次旋涂ZnO、ZnO-Boc和GQD-Boc，并采用氯仿对ZnO-Boc和GQD-Boc进行溶解之后，得到的膜层的紫外吸收光谱。
上述各膜层的紫外吸收光谱的测试结果如图7所示，由图7可知，相比于ZnO的紫外可见吸收光谱，ZnO/GQD-Boc/CCl
3在450nm～750nm的波长范围内的吸收值大于ZnO在450nm～750nm的波长范围内的吸收值，说明直接将GQD-Boc旋涂在ZnO上，在采用氯仿对其溶解之后，GQD-Boc在ZnO上具有一定的残留。相比于ZnO的紫外可见吸收光谱，ZnO/ZnO-Boc在450nm～750nm的波长范围内的吸收值更高，这说明在ZnO上旋涂了一种不同 于ZnO的膜层，接着，以ZnO/ZnO-Boc的紫外吸收光谱为基础，可以看到ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3在450nm～750nm的波长范围内的吸收值相对于ZnO/ZnO-Boc降低了，且ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3的紫外吸收光谱与ZnO/ZnO-Boc的紫外吸收光谱一致，这说明在采用氯仿对GQD-Boc进行溶解的同时，也洗掉了少量的ZnO-Boc，说明GQD-Boc在ZnO上没有残留。
同时，采用紫外灯对ZnO/GQD-Boc/CCl
3和ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3进行照射，可以看出ZnO/GQD-Boc/CCl
3呈现明显的绿色，而ZnO/ZnO-Boc/GQD-Boc/CCl
3几乎看不到绿色。
综上所示，通过增加ZnO-Boc层，可以解决相关技术中采用直接光刻法所存在的量子点残留的问题。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (29)
- 一种发光基板，包括：衬底；多个发光器件，设置于所述衬底上，每个发光器件包括：第一电极、第二电极，以及设置于第一电极和第二电极之间的发光图案，所述第一电极相对于所述第二电极更靠近所述衬底；所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件，所述至少一个第一发光器件还包括：第一材料层，所述第一材料层设置于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案的材料包括：第一发光材料；所述第一材料层的材料包括：第一材料，所述第一材料在第一波段的光辐射下生成第二材料，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述第一材料的电子迁移率为1×10 -4cm 2/V·s～2×10 -3cm 2/V·s，且所述第一材料的LUMO能级的绝对值为3.6eV～4.2eV；或者，所述第一材料的空穴迁移率为1×10 -4cm 2/V·s～2×10 -3cm 2/V·s，且所述第一材料的HOMO能级的绝对值为5.1eV～6.2eV。
- 根据权利要求1或2所述的发光基板，其中，所述至少一个第一发光器件还包括：载流子传输层，所述载流子传输层设置于所述第一材料层靠近所述衬底的一侧，并与所述第一材料层接触；或者，所述第一材料层作为所述载流子传输层，与所述第一电极直接接触。
- 根据权利要求3所述的发光基板，其中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层的情况下，所述第一材料层的厚度小于所述载流子传输层的厚度；在所述第一材料层作为所述载流子传输层的情况下，所述第一材料层的厚度为50nm～70nm。
- 根据权利要求3或4所述的发光基板，其中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层，且所述第一材料层 的材料具有载流子传输功能的情况下，所述第一材料层的厚度为5nm～20nm，所述载流子传输层的厚度为50～70nm。
- 根据权利要求1～5任一项所述的发光基板，其中，所述第一材料和所述第一发光材料均包括：金属纳米离子以及与所述金属钠米离子结合的配体；其中，所述第一材料所包含的配体和所述第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在所述第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同的情况下，所述第三材料所包含的配体为光敏配体，在所述第一材料所包含的配体和所述第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第一发光材料所包含的配体为非光敏配体，所述非光敏配体与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述非光敏配体与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求6所述的发光基板，其中，所述光敏配体包括：能够在光照下发生分解反应或交联反应的配体。
- 根据权利要求7所述的发光基板，其中，所述光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇和MMES中的任一种。
- 根据权利要求6～8任一项所述的发光基板，其中，在所述至少一个第一发光器件还包括载流子传输层的情况下，所述载流子传输层的材料包括金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体，所述载流子传输层的材料所包含的金属纳米离子与所述第一材料所包含的金属纳米离子相同或不同，所述载流子传输层的材料所包含的配体与所述第一材料所包含的配体不同。
- 根据权利要求1～9任一项所述的发光基板，其中，所述多个发光器件还包括：至少一个第二发光器件；所述至少一个第二发光器件还包括：第二材料层，所述第二材料层设置于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案的材料包括第二发光材料，所述第二材料层的材料包括：第四材料，所述第四材料能够在第三波段的光辐射下生成第五材料，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求10所述的发光基板，其中，所述至少一个第二发光器件还包括：第三材料层，所述第三材料层设置于所述第二材料层靠近所述衬底的一侧，且与所述第一材料层同层；所述第三材料层的厚度小于所述第一材料层的厚度。
- 根据权利要求10或11所述的发光基板，其中，所述至少一个第一发光器件还包括：第四材料层，所述第四材料层设置于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；所述第四材料层的厚度小于所述第二材料层的厚度。
- 根据权利要求10～12任一项所述的发光基板，其中，所述多个发光器件还包括：至少一个第三发光器件；所述至少一个第三发光器件还包括：第五材料层，所述第五材料层设置于所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案靠近所述衬底的一侧，并与所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案接触；所述至少一个第三发光器件所包含的发光图案的材料包括：第三发光材料；所述第五材料层的材料包括：第七材料，所述第七材料能够在第五波段的光辐射下生成第八材料，所述第七材料和所述第三发光材料与所述第八材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第七材料通过第九材料在所述第六波段的光辐射下生成，所述第七材料和所述第三发光材料与所述第九材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求13所述的发光基板，其中，所述至少一个第三发光器件还包括：第六材料层，所述第六材料层设置于所述第五材料层靠近所述衬底的一侧，且与所述第一材料层同层；所述第六材料层的厚度小于所述第七材料层的厚度。
- 根据权利要求13或14所述的发光基板，其中，在所述多个发光器件包括至少一个第二发光器件，且所述第二发光器件还包括第二材料层的情况下，所述至少一个第三发光器件还包括：第七材料层，所述第七材料层设置于所述第五材料层靠近所述衬底的一侧，并与所述第二材料层同层；所述第七材料层的厚度小于所述第二材料层的厚度。
- 根据权利要求13～15任一项所述的发光基板，其中，所述至少一个第一发光器件还包括：第八材料层，所述第八材料层设置于所述第一发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述第五材料层同层；所述第八材料层的厚度小于所述第五材料层的厚度。
- 根据权利要求13～16任一项所述的发光基板，其中，所述至少一个第二发光器件还包括：第九材料层，所述第九材料层设置于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案远离所述衬底的一侧，且与所述第五材料层同层；所述第九材料层的厚度小于所述第五材料层的厚度。
- 根据权利要求1～17任一项所述的发光基板，其中，对于不同颜色的发光器件而言，在与各发光器件所包含的发光图案接触，且位于各发光器件所包含的发光图案靠近所述衬底一侧的材料层的材料均包括金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体的情况下，各材料层所包含的金属纳米离子相同，且至少有一层材料层所包含的金属纳米离子中掺杂有其他金属。
- 根据权利要求18所述的发光基板，其中，各材料层所包含的金属纳米离子均为氧化锌，且至少一层材料层所包含的金属纳米离子中还掺杂有金属镁。
- 根据权利要求19所述的发光基板，其中，各材料层所包含的金属纳米离子中均掺杂有金属镁，且各材料层所包含的金属纳米离子所掺杂的金属镁的掺杂量不同。
- 一种发光装置，包括：如权利要求1～20任一项所述的发光基板。
- 一种发光基板的制备方法，包括：在衬底上形成多个发光器件，每个发光器件包括：第一电极、第二电极，以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的发光图案，所述第一电极相对于所述第二电极更靠近所述衬底；所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件，所述至少一个第一发光器件还包括：第一材料层，所述第一材料层形成于所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案的材料包括：第一发光材料；所述第一材料层的材料包括：第一材料，所述第一材料能够在第一波段的光辐射下生成第二材料，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第二材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料与所述第三材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求22所述的发光基板的制备方法，其中，所述第一材料通过第三材料在第二波段的光辐射下生成，所述第一材料和所述第一发光材料在第一溶剂中的溶解度小于所述第三材料在所述第一溶剂中的溶解度；形成所述至少一个第一发光器件，包括：在衬底上依次形成第一薄膜和第二薄膜，所述第一薄膜的材料包括所述第三材料，所述第二薄膜的材料包括所述第一发光材料，或者，所述第二薄膜的材料包括第十材料，所述第十材料能够在所述第二波段的光辐射下生成所述第一发光材料；采用所述第二波段的光对所述第一薄膜和所述第二薄膜位于第一区域的部分进行辐射，使得所述第一薄膜位于所述第一区域的部分生成所述第一材料，所述第一区域是至少一个第一发光器件所在区域；采用所述第一溶剂对所述第一薄膜位于第二区域的部分进行溶解，去除所述第一薄膜位于所述第二区域的部分，并将所述第二薄膜位于所述第二区域的部分去除，得到所述第一材料层和所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案，所述第二区域是所述多个发光器件中除所述至少一个第一发光器件所在区域以外的其余区域。
- 根据权利要求23所述的发光基板的制备方法，其中，所述第一材料和所述第一发光材料均包括：金属纳米离子以及与所述金属纳米离子结合的配体；其中，第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体相同或不同，且在所述第一材料所包含的配体和第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第一发光材料所包含的配体不溶解于所述第一溶剂。
- 根据权利要求24所述的发光基板的制备方法，其中，在所述第一材料所包含的配体与所述第一发光材料所包含的配体相同的情况下，所述第一发光材料通过所述第十材料在第二波段的光辐射下生成，且所述第三材料所包含的配体和所述第十材料所包含的配体均为光敏配体；在所述第一材料所包含的配体与所述第一发光材料所包含的配体不同的情况下，所述第三材料所包含的配体为光敏配体，所述第二薄膜的材料包括所述第一发光材料。
- 根据权利要求25所述的发光基板的制备方法，其中，所述光敏配体包括：能够在第二波段的辐射下发生分解反应或交联反应的配体。
- 根据权利要求26所述的发光基板的制备方法，其中，所述光敏配体包括：2-(Boc-氨基)乙硫醇和MMES中的任一种。
- 根据权利要求22～27任一项所述的发光基板的制备方法，其中，所述多个发光器件还包括至少一个第二发光器件，所述至少一个第二发光器件还包括：第二材料层，所述第二材料层形成于所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案靠近衬底的一侧，并与所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案接触；其中，所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案的材料包括：第二发光材料；所述第二材料层的材料包括：第四材料，所述第四材料在第三波段的光辐射下生成第五材料，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第五材料在同一溶剂中的溶解度不同，或者，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料与所述第六材料在同一溶剂中的溶解度不同。
- 根据权利要求28所述的发光基板的制备方法，其中，所述第四材料通过第六材料在第四波段的光辐射下生成，所述第四材料和所述第二发光材料在第二溶剂中的溶解度小于所述第六材料在所述第二溶剂中的溶解度；形成所述至少一个第二发光器件，包括：在形成有所述第一材料层和所述至少一个第一发光器件所包含的发光图案衬底上依次形成第三薄膜和第四薄膜，所述第三薄膜的材料包括所述第六材料，所述第四薄膜的材料包括所述第二发光材料，或者，所述第四薄膜的材料包括第十一材料，所述第十一材料能够在所述第四波段的光辐射下生成所述第二发光材料；采用所述第四波段的光对所述第三薄膜和所述第四薄膜位于第三区域的部分进行辐射，使得所述第三薄膜位于所述第三区域的部分生成所述第四材料，所述第三区域是至少一个第二发光器件所在区域；采用所述第二溶剂对所述第三薄膜位于第四区域的部分进行溶解，去除所述第三薄膜位于所述第四区域的部分，并将所述第四薄膜位于所述第四区域的部分去除，得到所述第二材料层和所述至少一个第二发光器件所包含的发光图案，所述第四区域是所述多个发光器件中除所述至少一个第二发光器件所在区域以外的其余区域。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2022/073046 WO2023137668A1 (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116941340A true CN116941340A (zh) | 2023-10-24 |
Family
ID=87347649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280000038.1A Pending CN116941340A (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116941340A (zh) |
| WO (1) | WO2023137668A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009087760A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| CN105336879B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-04-17 | Tcl集团股份有限公司 | Qled及qled显示装置的制备方法 |
| CN107611021A (zh) * | 2017-08-10 | 2018-01-19 | 南方科技大学 | 制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用 |
| CN112300784A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件 |
| EP4300577A1 (en) * | 2021-09-14 | 2024-01-03 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Light-emitting substrate and preparation method therefor, and light-emitting apparatus |
| CN113871544B (zh) * | 2021-09-24 | 2024-04-16 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点器件及其制备方法、显示面板 |
-
2022
- 2022-01-20 WO PCT/CN2022/073046 patent/WO2023137668A1/zh active Application Filing
- 2022-01-20 CN CN202280000038.1A patent/CN116941340A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023137668A1 (zh) | 2023-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102443644B1 (ko) | 양자점 소자와 표시 장치 | |
| CN111435710A (zh) | 量子点器件和电子设备 | |
| CN110783468B (zh) | 量子点器件和显示设备 | |
| US11700751B2 (en) | Display device | |
| US20220238606A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| WO2023173417A1 (zh) | 量子点混合物、量子点发光层及制作方法 | |
| CN116685659B (zh) | 量子点配体、量子点膜层制备方法及量子点发光器件 | |
| KR102655061B1 (ko) | 양자점층 제조 방법, 양자점층을 포함하는 발광 소자 제조 방법, 및 양자점층을 포함하는 표시 장치 | |
| US20230389405A1 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| WO2023137668A1 (zh) | 发光基板及其制备方法和发光装置 | |
| WO2023206485A1 (zh) | 发光基板及制备方法、含有发光材料的溶液、发光装置 | |
| WO2023245571A1 (zh) | 量子点配体、量子点-配体材料和量子点发光器件 | |
| KR20220050282A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| WO2023225823A1 (zh) | 量子点发光器件及其制备方法 | |
| WO2023155162A1 (zh) | 显示基板、电致发光器件及其制备方法 | |
| CN116426269A (zh) | 量子点混合配体、量子点-配体体系及量子点-配体材料 | |
| WO2023141921A1 (zh) | 显示基板及其制备方法和显示装置 | |
| CN219761827U (zh) | 包括发光元件的衬底和显示装置 | |
| CN116790242A (zh) | 量子点材料组合物、量子点层图案化的方法及发光器件 | |
| WO2023245342A1 (zh) | 发光器件、发光基板及发光装置 | |
| KR20240072580A (ko) | 우수한 성능의 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| CN116266597A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR20240020330A (ko) | 전자 수송층용 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN117652221A (zh) | 发光器件、发光基板及发光装置 | |
| CN116711476A (zh) | 显示面板和彩膜基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |