CN117238877A - Dfn框架封装结构及封装方法 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 9
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种DFN框架封装结构及封装方法，包括DAF膜、连接框架和封装料；若干个连接框架分别间隔成型于连接板上，且多个不连续的连接框架之间形成下沉式的装片槽，DAF膜设置在装片槽内，芯片下沉式安装在装片槽内，使DAF膜的两个面分别贴合在芯片和连接板上；若干个连接框架分别通过金线（8）与芯片电连接，封装料封装包裹芯片、DAF膜与芯片连接的面和连接框架。本发明涉及半导体封装技术，能够解决现有技术中DFN框架封装结构厚度大的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种DFN框架封装结构及封装方法。
背景技术
DFN是一种最新的的电子封装工艺，在半导体封装领域中应用广泛。请参见附图1，现有技术的DFN框架封装结构中，将芯片1装在框架2的一个面上，其芯片引脚与装片位置均位于框架2上，打线时需要从芯片1往框架2上打，再在框架2的另一个面上覆膜3。
现有技术的DFN框架封装结构的封装厚度受限，最薄只能做到300um。随着产品对厚度的要求越来越严格，现有技术的DFN框架封装结构已经无法满足产品需求。因此，需要提供一种DFN框架封装结构及封装方法，能够解决现有技术中DFN框架封装结构厚度大的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种DFN框架封装结构及封装方法，能够解决现有技术中DFN框架封装结构厚度大的问题。
本发明是这样实现的：
一种DFN框架封装结构，包括DAF膜、连接框架和封装料；若干个连接框架分别成型于连接板上，且多个不连续的连接框架之间形成下沉式的装片槽，DAF膜设置在装片槽内，芯片下沉式安装在装片槽内，使DAF膜的两个面分别贴合在芯片和连接板上；若干个连接框架分别通过金线与芯片电连接，封装料封装包裹芯片、DAF膜与芯片连接的面和连接框架。
所述的多个连接框架与装片槽相邻的边呈斜边结构，使装片槽的轴向与连接板的轴向呈锐角夹角，从而使芯片通过转角装片方式嵌装在装片槽内。
所述的连接框架通过镍合金金属电镀成型，使连接框架分别通过金线与芯片电连接。
所述的镍合金金属的电镀厚度为0.045mm。
所述的连接板为不锈钢板，牌号为SUS430，长度为227.4mm，宽度为61.5mm，厚度为0.15mm。
所述的DAF膜的厚度为15um，芯片的厚度为65um，DFN框架封装结构的厚度为180-200um。
一种DFN框架封装结构的封装方法，包括以下步骤：
步骤1：在连接板上电镀金属镀层，形成若干个连接框架，且多个连接框架不连续，在多个连接框架之间形成下沉式的装片槽；
步骤2：将DAF膜覆于装片槽内，将芯片通过转角装片方式下沉装入装片槽内，使DAF膜贴合在芯片上；
步骤3：通过Bump焊的方式将金线焊接在芯片和与其相邻的多个连接框架之间，并控制金线的线弧高度；
步骤4）：注塑封装料，形成厚度为180-200um的DFN框架封装结构；
步骤5：剥离去除连接板。
所述的步骤1中，在电镀金属镀层时，使多个连接框架与装片槽相邻的边呈斜边结构，从而使装片槽的槽体轴向相对连接板的轴线偏转。
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
1、本发明由于设有连接框架，通过电镀金属层形成连接框架，利用不连续的相邻四个连接框架形成下沉式的装片槽，便于芯片的下沉式安装，从而有利于控制产品的封装厚度，并利用连续的连接框架和金线保证芯片的电性连接功能和产品的正常使用功能；同时，通过Bump焊从连接框架向芯片打线，能够有效降低金线的高度，从而进一步控制产品的封装厚度。
2、本发明由于采用转角装片式安装芯片，将芯片转动一定角度后装入装片槽内，能够有效避免芯片与连接框架的触碰，有利于提升产品质量。
附图说明
图1是现有技术DFN框架封装结构的结构示意图；
图2是本发明DFN框架封装结构的结构示意图（连接板未剥离）；
图3是本发明DFN框架封装结构的结构示意图（连接板剥离）；
图4是本发明DFN框架封装结构中装片槽的形成示意图。
图中，1芯片，2框架，3膜，4 DAF膜，5连接框架，501装片槽，6封装料，7连接板，8金线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
请参见附图2至附图4，一种DFN框架封装结构，包括DAF（Die Attach Film）膜4、连接框架5和封装料6；若干个连接框架5分别成型于连接板7上，且多个不连续的连接框架5之间形成下沉式的装片槽501，DAF膜4设置在装片槽501内，芯片1下沉式安装在装片槽501内，使DAF膜4的两个面分别贴合在芯片1和连接板7上；若干个连接框架5分别通过金线8与芯片1电连接，封装料6封装包裹芯片1、DAF膜4与芯片1连接的面和连接框架5。
通过多个不连续的连接框架5形成装片槽501，将芯片1下沉式安装在装片槽501内，芯片1不安装在连接框架5上，降低芯片1的顶面高度，从而在金线8打线时能够更好的控制线弧高度，进而减小DFN框架封装结构的厚度。连接框架5通过金线8与芯片1电连接，保证了封装结构的电性使用功能。
请参见附图4，所述的多个连接框架5与装片槽501相邻的边呈斜边结构，使装片槽501的轴向与连接板7的轴向呈锐角夹角，从而使芯片1通过转角装片方式嵌装在装片槽501内。
芯片1通常为矩形结构，在现有技术的封装工艺中，芯片1安装时，芯片1的轴线与框架2的轴线平行。
而在本发明中，通过四个连接框架5的斜边结构使装片槽501形成类似菱形或平行四边形结构，其轴线与连接板7的轴线之间形成一定的偏转角度，从而可将芯片1通过转角装片的方式安装至装片槽501内，有效避免了芯片1端部与连接框架5的触碰。
连接框架5的数量及其斜边结构的长度可根据所需封装的芯片1的尺寸适应性调整，以保证芯片1能被装入至装片槽501内。
请参见附图2和附图3，所述的连接框架5通过镍合金金属电镀成型，使连接框架5分别通过金线8与芯片1电连接。
连接框架5通过电镀成型，可控制相邻连接框架5的连接或断开，便于通过断开的四个连接框架5形成装片槽501，也便于通过连接的连接框架5保证电连接功能。
所述的镍合金金属的电镀厚度为0.045mm。
通过电镀成型的连接框架5的厚度小，有利于控制DFN框架封装结构的厚度。
所述的连接板7为不锈钢板，牌号为SUS430，长度为227.4mm，宽度为61.5mm，厚度为0.15mm。
连接板7的尺寸可根据实际封装需求适应性选择。
所述的DAF膜4的厚度为15um，芯片1的厚度为65um，DFN框架封装结构的厚度为180-200um。
通过装片槽501下沉式安装芯片1后，能将DFN框架封装结构的厚度控制在180-200um内，解决了现有技术中DFN框架封装结构最薄只能做到300um的问题。
请参见附图2至附图4，一种DFN框架封装方法，包括以下步骤：
步骤1：在连接板7上电镀金属镀层，形成若干个连接框架5，且多个连接框架5不连续，在多个连接框架5之间形成下沉式的装片槽501。
在电镀金属镀层时，使多个连接框架5与装片槽501相邻的边呈斜边结构，从而使装片槽501的槽体轴向相对连接板7的轴线偏转，便于芯片1的安装。
步骤2：将DAF膜4覆于装片槽501内，将芯片1通过转角装片方式下沉装入装片槽501内，使DAF膜4贴合在芯片1上。
通过转角装片的方式有效避免了芯片1与连接框架5之间的触碰，也保证了芯片1的下沉式安装，有利于降低产品厚度。
步骤3：通过Bump焊的方式将金线8焊接在芯片1和与其相邻的多个连接框架5之间，并控制金线8的线弧高度。
通过Bump焊的方式从连接框架5向芯片1上打线，能降低金线8的线弧高度，从而保证后续注塑封装后的产品厚度。
步骤4：注塑封装料6，形成厚度为180-200um的DFN框架封装结构。
封装料6可采用半导体封装时常用的黑胶等，采用常规封装注塑工艺进行，此处不再赘述。
步骤5：剥离去除连接板7。
连接板7的剥离为半导体封装技术中的常轨的工序，此处不再赘述其剥离过程。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定发明的保护范围，因此，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种DFN框架封装结构，其特征是：包括DAF膜（4）、连接框架（5）和封装料（6）；若干个连接框架（5）分别成型于连接板（7）上，且多个不连续的连接框架（5）之间形成下沉式的装片槽（501），DAF膜（4）设置在装片槽（501）内，芯片（1）下沉式安装在装片槽（501）内，使DAF膜（4）的两个面分别贴合在芯片（1）和连接板（7）上；若干个连接框架（5）分别通过金线（8）与芯片（1）电连接，封装料（6）封装包裹芯片（1）、DAF膜（4）与芯片（1）连接的面和连接框架（5）。
2.根据权利要求1所述的DFN框架封装结构，其特征是：所述的多个连接框架（5）与装片槽（501）相邻的边呈斜边结构，使装片槽（501）的轴向与连接板（7）的轴向呈锐角夹角，从而使芯片（1）通过转角装片方式嵌装在装片槽（501）内。
3.根据权利要求1或2所述的DFN框架封装结构，其特征是：所述的连接框架（5）通过镍合金金属电镀成型，使连接框架（5）分别通过金线（8）与芯片（1）电连接。
4.根据权利要求3所述的DFN框架封装结构，其特征是：所述的镍合金金属的电镀厚度为0.045mm。
5.根据权利要求1所述的DFN框架封装结构，其特征是：所述的连接板（7）为不锈钢板，牌号为SUS430，长度为227.4mm，宽度为61.5mm，厚度为0.15mm。
6.根据权利要求1所述的DFN框架封装结构，其特征是：所述的DAF膜（4）的厚度为15um，芯片（1）的厚度为65um，DFN框架封装结构的厚度为180-200um。
7.一种权利要求1所述的DFN框架封装结构的封装方法，其特征是：包括以下步骤：
步骤1：在连接板（7）上电镀金属镀层，形成若干个连接框架（5），且多个连接框架（5）不连续，在多个连接框架（5）之间形成下沉式的装片槽（501）；
步骤2：将DAF膜（4）覆于装片槽（501）内，将芯片（1）通过转角装片方式下沉装入装片槽（501）内，使DAF膜（4）贴合在芯片（1）上；
步骤3：通过Bump焊的方式将金线（8）焊接在芯片（1）和与其相邻的多个连接框架（5）之间，并控制金线（8）的线弧高度；
步骤4：注塑封装料（6），形成厚度为180-200um的DFN框架封装结构；
步骤5：剥离去除连接板（7）。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征是：所述的步骤1中，在电镀金属镀层时，使多个连接框架（5）与装片槽（501）相邻的边呈斜边结构，从而使装片槽（501）的槽体轴向相对连接板（7）的轴线偏转。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311506584.5A CN117238877A (zh) | 2023-11-14 | 2023-11-14 | Dfn框架封装结构及封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311506584.5A CN117238877A (zh) | 2023-11-14 | 2023-11-14 | Dfn框架封装结构及封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117238877A true CN117238877A (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=89095215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311506584.5A Pending CN117238877A (zh) | 2023-11-14 | 2023-11-14 | Dfn框架封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117238877A (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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