CN117222781A - 电接点材料以及使用其的接点、端子及连接器 - Google Patents

电接点材料以及使用其的接点、端子及连接器 Download PDF

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CN117222781A CN202380011158.6A CN202380011158A CN117222781A CN 117222781 A CN117222781 A CN 117222781A CN 202380011158 A CN202380011158 A CN 202380011158A CN 117222781 A CN117222781 A CN 117222781A
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北河秀一
葛原飒己
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Abstract

电接点材料具备导电性基材、和设于所述导电性基材的表面的至少一部分的包含银的含银层，在所述电接点材料的截面中，所述含银层的平均CI值为0.6以上。

Description

电接点材料以及使用其的接点、端子及连接器
技术领域
本发明涉及电接点材料以及使用其的接点、端子及连接器。
背景技术
近年来，对于汽车而言，为了实现省燃料费化，正在进行车辆驱动方式的电动化。随着车辆驱动方式的电动化，电池-逆变器-电机间的电线的通电量飞跃性地增加，另一方面，接点、连接器的通电时的发热成为问题。为此，针对接点、连接器，使用导电率高的纯铜、对低铜合金、科森合金的表面实施镍的基底镀覆、进而在基底镀覆之上实施银或银合金的镀覆而得的材料。但是，由于银是容易粘着磨损的金属种类，因此银镀层在滑动时容易被切削。因此，存在由于银镀层的磨损而导致镀银材料的接触电阻上升的缺点。
针对这样的缺点，例如在专利文献1中记载了一种连接器用镀银端子，其中，由铜或铜合金形成的母材的表面由银镀层被覆，银镀层包含下层侧的第1银镀层和第1银镀层的上层侧的第2银镀层，第1银镀层的晶体粒径大于第2银镀层的晶体粒径。对于镀银材料，针对由于再结晶而导致银镀层的晶体粒径容易增大、由于该晶体粒径的增大而导致硬度降低、耐磨损性降低的问题，作为耐磨损性良好的材料而规定了银镀层的晶体粒径的大小。但是，晶体粒径的大小依赖于镀层的厚度。因此，在专利文献1中，为了得到良好的耐磨损性，存在银镀覆层的厚度的制约。
另外，专利文献2中记载了一种镀银材料的制造方法，其中，在含有规定浓度的银、氰化钾和硒的镀银液中，将镀银液中的氰化钾的浓度与电流密度之积设为y、将液温设为x，以y和x成为规定关系的方式进行电镀，由此在作为原材料的基材上形成纯度99.9质量％以上的镀银皮膜。专利文献2例示了一种镀银材料的制造方法，其中，通过使镀银皮膜中含有硒等元素，从而在维持高硬度的状态下抑制接触电阻增加，并且以镀银材料表面的维氏硬度作为耐磨损性的依据。像这样，在专利文献2中，将依赖于基材特性的镀银材料的维氏硬度用于耐磨损性的评价。但是，需要对原本不易受到基材特性的影响的镀覆皮膜自身的耐磨损性进行评价。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-169408号公报
专利文献2：日本专利第6611602号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种不易受到基材特性的影响的具有优异的耐磨损性的电接点材料、以及使用其的接点、端子及连接器。
用于解决课题的手段
[1]一种电接点材料，其具备：导电性基材；和设于上述导电性基材的表面的至少一部分的、包含银的含银层，其中，在上述电接点材料的截面中，上述含银层的平均CI值为0.6以上。
[2]根据上述[1]所述的电接点材料，其中，在上述电接点材料的截面中，上述含银层的平均IQ值为1000以上2100以下。
[3]根据上述[1]或[2]所述的电接点材料，其中，上述含银层包含选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co组成的组中的1种以上的元素。
[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的电接点材料，其中，上述含银层包含合计为低于15.0at％的选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co组成的组中的1种以上的元素。
[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的电接点材料，其中，上述含银层的平均厚度为0.5μm以上5.0μm以下。
[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的电接点材料，其中，在上述导电性基材与上述含银层之间，还具备由镍或镍合金形成的中间层。
[7]根据上述[6]所述的电接点材料，其中，上述中间层的平均厚度为0.01μm以上3.00μm以下。
[8]一种接点，其是使用上述[1]～[7]中任一项所述的电接点材料制作的。
[9]一种端子，其是使用上述[1]～[7]中任一项所述的电接点材料制作的。
[10]一种连接器，其是使用上述[1]～[7]中任一项所述的电接点材料制作的。
发明效果
根据本发明，可提供不易受到基材特性的影响的具有优异的耐磨损性的电接点材料、以及使用其的接点、端子及连接器。
附图说明
[图1]图1是示出实施方式的电接点材料的一例的截面图。
[图2]图2是示出实施方式的电接点材料的其他例子的截面图。
具体实施方式
以下，基于实施方式进行详细说明。
本申请的发明人反复进行了潜心研究，结果发现，通过着眼于在导电性基材的表面的至少一部分上设置的含银层中的应变量，控制含银层的CI值，由此电接点材料的耐磨损性优异而不依赖于导电性基材的特性，基于该见解完成了本发明。
实施方式的电接点材料具备导电性基材、和设于所述导电性基材的表面的至少一部分的、包含银的含银层，在所述电接点材料的截面中，所述含银层的平均CI值为0.6以上。
图1是示出实施方式的电接点材料的一例的截面图。如图1所示，电接点材料1具备导电性基材10和含银层20。
构成电接点材料1的导电性基材10具有导电性，是通过轧制加工得到的轧制材料。从导电性基材10的轧制加工性及电接点材料1的高导电性等观点出发，导电性基材10优选由包括纯铜及铜合金的铜系材料、或包括纯铁及铁合金的铁系材料构成。其中，优选Cu-Zn系、Cu-Ni-Si系、Cu-Sn-Ni系、Cu-Cr-Mg系、Cu-Ni-Si-Zn-Sn-Mg系的铜合金。
导电性基材10的导电率优选为60％IACS以上，更优选为80％IACS以上。如果导电性基材10的导电率为60％IACS以上，则电接点材料1具有良好的导电性。
导电性基材10的形状可以根据电接点材料1的用途适当选择，但优选为条状、板状、棒状或线状。
构成电接点材料1的含银层20设置在导电性基材10的表面的至少一部分上、且含有银。覆盖导电性基材10的表面的含银层20由纯银或银合金形成，优选由银合金形成，即，含银层20优选为银合金层。从电接点材料1具有优异的耐磨损性、电接点材料1的耐磨损性不易受到导电性基材10的特性的影响的观点出发，优选含银层20利用镀覆形成，即含银层20为镀覆皮膜。
在图1所示的电接点材料1的截面中，含银层20的平均CI值为0.6以上。电接点材料1的截面是指与导电性基材10的轧制方向平行的截面。
如果电接点材料1的截面中的含银层20的平均CI值为0.6以上，则在含银层20中，第2元素固溶在银的晶体中，结晶性提高，动摩擦系数低，可维持高硬度，因此可提高耐磨损性。平均CI值越高，晶体取向的可靠性越高。从这样的观点出发，电接点材料1的截面中的含银层20的平均CI值为0.6以上，越高越优选。
另外，在电接点材料1的截面中，含银层20的平均IQ值优选为1000以上，更优选为1500以上。含银层20的平均IQ值为1000以上时，晶体品质良好。
另外，在电接点材料1的截面中，含银层20的平均IQ值优选为2100以下，更优选为2000以下。含银层20的平均IQ值为2100以下时，晶格充分变形、应变变多，从而能够提高耐磨损性。
CI(Confidence Index；置信指标)值是图案的指数化、用于评价所算出的晶体取向是否正确的指标、评价所算出的晶体取向是否正确所使用的值。CI值是反映含银层20内的晶体取向的可靠性的值。
另外，IQ(Image Quality；图像质量)值是对示出将EBSD图案进行Hough变换时的Hough空间上的谱带的峰强度进行描绘而得的值，是通过其大小反映含银层20内的结晶性的良好程度、应变量的值。
对于CI值及IQ值而言，可使用分析软件(TSL Solutions制，OIM Analysis)从使用高分辨率扫描型分析电子显微镜(日本电子株式会社制，JSM-7001FA)附带的EBSD检测器(TSL Solutions制，OIM5.0 HIKARI)连续测定的晶体取向数据算出的晶体取向分析数据得到。测定对象是用截面抛光机(日本电子制)对导电性基材10的与轧制方向平行的电接点材料1的截面进行镜面精加工而得的表面中的含银层20的表面，测定倍率为30000倍。以测定间隔50nm以下的步距进行测定，将通过解析软件解析的CI值为0.1以下的测定点除外(除去噪声)，将相邻的像素间的取向差为5.00°以上的边界视为晶界，得到含银层20的CI值及IQ值。多次(在同一样品中在不同的多个测定区域)进行该测定，算出其平均值，能够得到含银层20的平均CI值及平均IQ值。像这样，平均CI值及平均IQ值是以倍率30000倍测定的含银层的测定区域中的CI值及IQ值的平均值。
另外，含银层20优选含有选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co组成的组中的1种以上的元素(以下也称为第2元素)。通过使第2元素共存于含银层20中，可提高滑动性。其中，从提高电接点材料1的电连接性的观点出发，含银层20优选含有合计为低于15.0at％的选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co中的1种以上的元素。另外，从通过添加第2元素来高效地提高滑动性和抑制材料成本的观点出发，含银层20优选含有合计为0.1at％以上的选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co中组成的组中的1种以上的元素。
含银层20的平均厚度的下限值优选为0.5μm以上，更优选为2.0μm以上，进一步优选为3.0μm以上。含银层20的平均厚度的上限值优选为5.0μm以下。含银层20的平均厚度的下限值为0.5μm以上时，可以长期维持优异的电接点材料1的耐磨损性。含银层20的平均厚度的上限值为5.0μm以下时，能够抑制材料成本。
图2是示出实施方式的电接点材料的其他例子的截面图。在图2所示的电接点材料2中，除了追加中间层30的构成以外，与图1所示的电接点材料1的构成基本相同。
如图2所示，电接点材料2在导电性基材10与含银层20之间还具备由镍或镍合金形成的中间层30。在导电性基材10的表面与含银层20之间设置中间层30时，可抑制构成导电性基材10的元素向含银层20的热扩散，以及提高导电性基材10与含银层20的密合性。
从抑制上述热扩散及进一步提高密合性的观点出发，中间层30优选为纯镍或Ni-P系的镍合金。
中间层30的平均厚度的下限值优选为0.01μm以上，更优选为0.10μm以上，进一步优选为0.30μm以上。中间层30的平均厚度的上限值优选为3.00μm以下，更优选为2.00μm以下，进一步优选为1.00μm以下。中间层30的平均厚度的下限值小于0.01μm时，无法实现上述热扩散的抑制和密合性的提高。中间层30的平均厚度的上限值超过3.00μm时，弯曲加工性变差。在端子中使用电接点材料的情况下，要求R/t≥1的弯曲加工性。
另外，上述电接点材料1、2可以在作为表层的含银层20的正下方进一步具备未图示的铜层。未图示的铜层由纯铜或铜合金构成。与导电性基材10的厚度相比，未图示的铜层的厚度大幅地小。如果电接点材料1、2在含银层20的正下方还具有未图示的铜层，则可提高密合性及弯曲加工性。
如上所述，由于电接点材料1、2具有不易受到导电性基材10的特性的影响的优异的耐磨损性，因此电接点材料1、2可适用于接点、端子、连接器。这样的接点是使用电接点材料1、2制作的接点，端子是使用电接点材料1、2制作的端子，连接器是使用电接点材料1、2制作的连接器。
接着，对电接点材料1、2的制造方法进行说明。
首先，通过镀覆法等在具有导电性的基材的表面的至少一部分上形成含银层。接着，对表面具备含银层的基材进行轧制加工。这样，能够制造电接点材料1。
另外，在具有导电性的基材的表面的至少一部分，通过镀覆法等形成中间层。接着，在中间层上通过镀覆法等形成含银层。接着，对具备中间层和含银层的基材进行轧制加工。这样，能够制造电接点材料2。
关于含银层的镀覆条件，通过将电流密度设为5A/dm2以上10A/dm2以下、将浴温(液温)设为25℃以上从而使核生成优先，不同晶体取向的晶粒大量生长，晶体取向之差变大，因此能够进一步提高含银层的内部应力。通过在上述范围内控制电流密度及温度，可控制含银层内的应变量。即使温度为25℃以上，如果电流密度小于5A/dm2，则晶粒仍然变得粗大、不同晶体取向的晶粒变少，含银层内的应变量变小，从而无法满足接点、端子、连接器所需的耐磨损性。另外，即使温度为25℃以上，如果电流密度超过10A/dm2，则由于微细化的晶体变得过剩，不同晶体取向的晶粒变多，表面硬度过高，由此弯曲加工性差。
另外，关于轧制加工的加工率，下限值为20％以上，优选为25％以上，上限值为30％以下。如果加工率为20％以上，则可增加含银层中的应变量，提高耐磨损性。若加工率为30％以下，则能够抑制由于含银层中的应变量过剩而导致的弯曲加工性的降低。轧制加工的加工率是轧制加工前的试样的截面积与轧制加工后的试样的截面积之差除以轧制加工前的试样的截面积而得到的百分率。
另外，在形成含银层之后且进行轧制加工之前，实施300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的热处理。通过该热处理，能够使由于镀覆而导入的应变均匀化。通过在上述范围内进行热处理，释放晶粒内的应变，从而能够将含银层的平均CI值控制在0.6以上。另外，通过热处理释放晶粒内的应变，含银层内的应变可以在晶界集中较多的应变。另外，通过利用热处理的合金化的进行，结晶性的良好性提高。其结果，提高了CI值及IQ值向规定范围内的控制。关于热处理，若为热处理温度低于300℃及热处理时间短于5秒中的至少一者，则不能充分地释放晶粒内的应变，不能将应变集中在晶界附近，因此平均CI值变得小于0.6。关于热处理，即使是热处理温度超过600℃及热处理时间超过60秒中的至少一者，平均CI值也同样地超过0.6，进而热处理过剩，材料强度降低，在用于接点、端子、连接器时不能保持充分的强度。
另外，在制造具备包含第2元素的含银层20的电接点材料1、2的情况下，如上所述，可通过使用包含含银成分及第2元素成分的镀浴的镀覆法等，直接形成包含第2元素的含银层。另外，作为其他的形成方法，也可以通过镀覆法等，将含银层和第2元素层交替成膜后，进行加热处理，从而形成包含第2元素的含银层。从与上述同样的观点出发，此时的轧制加工的加工率优选为20％以上30％以下。另外，该情况下的加热处理也可以通过在形成上述含银层之后且进行轧制加工之前实施的热处理来代替。
根据以上说明的实施方式，通过着眼于在导电性基材的表面设置的含银层中的应变量，控制含银层的CI值，可得到不易受到基材特性的影响的具有优异的耐磨损性的电接点材料。
以上，对实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，包含本发明的概念及权利要求书所包含的所有方式，能够在本发明的范围内进行各种改变。
实施例
接着，对实施例及比较例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
(实施例1～2、17)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50g/L，氰化钾100g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(纯银层)的电接点材料。
(实施例3、10、11、18、25、26)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50g/L，氰化钾100g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成含银层，接着在浴温25℃的硫酸浴(硫酸锡80g/L、硫酸80g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)形成锡层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(比较例49、57)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50g/L，氰化钾100g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成含银层，接着在浴温25℃的硫酸浴(硫酸锡80g/L、硫酸80g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)形成锡层，在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具备表2所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(实施例4、7、29)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，氯化锌10g/L(实施例4)，氯化铜2水合物12g/L(实施例7)，氯化镍10g/L(实施例29))中，用镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在基材表面形成包含第2元素的含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(比较例51、55、59、63)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，氯化钴10g/L(比较例51、59)，氯化铜2水合物12g/L(比较例55、63))中，用镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在基材表面形成包含第2元素的含银层，接着在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具备表2所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(实施例5、28)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，使用浴温55℃的镀镍浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍30g/L，硼酸30g/L)，通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成中间层，接着使用浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，三氯化铟15g/L)通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在中间层表面形成包含第2元素的含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(银合金层)及中间层(纯镍层)的电接点材料。
(比较例3、11、19、27、35、44)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温55℃的镍-磷的电解浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍6水合物30g/L，硼酸30g/L，亚磷酸16g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成中间层，接着，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，三氯化铟15g/L)中通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在中间层表面形成包含第2元素的含银层，接着在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具备表2所示的含银层(银合金层)及中间层(镍合金层)的电接点材料。
(实施例6、8、9、12、13、15、16、20、21、23、24、27、30、31)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温55℃的镀镍浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍30g/L，硼酸30g/L)(实施例12、13、20、21、27)或浴温55℃的镍-磷的电解浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍6水合物30g/L，硼酸30g/L，亚磷酸16g/L)(实施例6、8、9、15、16、23、24、30、31)中通过镀覆法(电流密度15A/dm2)在基材表面形成中间层，接着，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，氯化镍10g/L(实施例6、15、23)，硒氰酸钾2.2mg/L(实施例8、31)，三氯化锑12g/L(实施例9、20)，氯化钴10g/L(实施例12)、氯化锌10g/L(实施例13、21、27)，氯化铜2水合物12g/L(实施例16、24、30))通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在中间层表面形成包含第2元素的含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，具有制造表1所示的含银层(银合金层)及中间层(纯镍层或镍合金层)的电接点材料。
(比较例2、4-8、10、12-16、18、20-24、26、28-32、34、36、38-40、42、43、46-48、50、52、54、56、58、60、62、64)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温55℃的镀镍浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍30g/L，硼酸30g/L)(比较例2、5～6、10、13～14、18、21～22、26、29～30、34、38、42、46、50、54、58、62)或浴温55℃的镍-磷的电解浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍6水合物30g/L，硼酸30g/L，亚磷酸16g/L)(比较例4、7～8、12、15～16、20、23～24、28、31～32、36、39～40、43、47～48、52、56、60、64)中通过镀覆法(电流密度15A/dm2)在基材表面形成中间层，接着使用浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，氯化锌10g/L(比较例2、10、18、26、34、43、52、60)，氯化镍10g/L(比较例4、12、20、28、36、46、54、62)，氯化铜2水合物12g/L(比较例5、13、21、29、38、47)，硒氰酸钾2.2mg/L(比较例6、14、22、30、39、48、56、64)，三氯化锑12g/L(比较例7、15、23、31、40、50、58)，氯化钴10g/L(比较例8、16、24、32、42))中通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在中间层表面形成包含第2元素的含银层，接着在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具有表2所示的含银层(银合金层)及中间层(纯镍层或镍合金层)的电接点材料。
(实施例14、22)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，三氯化铟15g/L)中通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在基材表面形成包含第2元素的含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(比较例53、61)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50～100g/L，氰化钾100～200g/L，三氯化铟15g/L)中通过镀覆法(电流密度5～10A/dm2)在基材表面形成包含第2元素的含银层，接着在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具备表2所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(实施例19)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银100g/L，氰化钾200g/L，硒氰酸钾2.2mg/L)中，用镀覆法(电流密度10A/dm2)在基材表面形成包含第2元素的含银层，接着进行300℃以上600℃以下、5秒以上60秒以内的加热处理。接着，通过进行表1所示的加工率的轧制加工，制造具备表1所示的含银层(银合金层)的电接点材料。
(比较例1、9、17、25、33、37、41、45)
对基材(古河电工制，EFTEC-550T，80％IACS)进行电解脱脂后，进行酸清洗。然后，在浴温55℃的镀镍浴(硫酸镍6水合物500g/L，氯化镍30g/L，硼酸30g/L)中，通过镀覆法(电流密度15A/dm2)在基材表面形成中间层，接着，在浴温25℃的碱氰化物银浴(氰化银50g/L，氰化钾100g/L)中，通过镀覆法(电流密度10A/dm2)在中间层表面形成含银层，接着，在浴温25℃的硫酸浴(硫酸锡80g/L、硫酸80g/L)中通过镀覆法(电流密度10A/dm2)形成锡层，接着在低于300℃或高于600℃的温度下进行短于5秒的加热处理。接着，通过进行表2所示的加工率的轧制加工，制造具备表2所示的含银层(银合金层)及中间层(纯镍层)的电接点材料。
[测定及评价]
对上述实施例及比较例中得到的电接点材料进行下述的测定及评价。结果如表3～4所示。
[1]平均CI值及平均IQ值
CI值及IQ值是从使用高分辨率扫描型分析电子显微镜(日本电子株式会社制，JSM-7001FA)附带的EBSD检测器(TSL Solutions制，OIM5.0 HIKARI)连续测定的晶体取向数据，使用分析软件(TSL Solutions制，OIM Analysis)算出的晶体取向分析数据得到的。
使用截面抛光机(日本电子制)，得到对与导电性基材的轧制方向平行的电接点材料的截面进行镜面精加工而得的表面中的含银层表面作为测定对象。测定倍率为30000倍。以测定间隔50nm以下的步距进行测定，将通过解析软件解析的CI值为0.1以下的测定点除外，将相邻的像素间的取向差为5.00°以上的边界视为晶界，得到含银层的CI值及IQ值。将该测定进行5次(同一样品中的不同5处的测定区域)，算出其平均值，得到含银层的平均CI值及平均IQ值。
[2]动摩擦系数
对电接点材料进行鼓凸加工，得到鼓凸加工部的曲率半径是5mm的鼓凸加工材料。对于鼓凸加工材料的含银层侧的表面，使用摩擦磨损试验机TRIBOGEAR(表面性测定机TYPE：14FW，新东科学株式会社制)，以接触载荷5N、滑动距离5mm、滑动速度100mm/min进行15次往复滑动。将第15次滑动时的数值作为动摩擦系数。对动摩擦系数进行以下分级。
◎：动摩擦系数小于0.3
○：动摩擦系数为0.3以上且小于0.5
×：动摩擦系数为0.5以上
[3]耐磨损性
对于电接点材料的含银层侧的表面，使用摩擦磨损试验机TRIBOGEAR(表面性测定机TYPE：14FW，新东科学株式会社制)，以接触载荷4N、滑动距离50mm、滑动速度100mm/min进行50次往复滑动。通过激光粗糙度计测定从基准面(未往复滑动的面)起的深度相对含银层的厚度之比。关于耐磨损性，进行以下的分级。
◎：自基准面起的深度相对含银层的厚度之比小于1/10
○：自基准面起的深度相对含银层的厚度之比为1/10以上且小于1/5
×：自基准面起的深度相对含银层的厚度之比为1/5以上
[4]接触电阻值
对于电接点材料的含银层侧的表面，使用电接点模拟器(株式会社山崎精机研究所制)，以通电电流值20mA、载荷1N测定10次接触电阻值，将得到的测定值的平均值作为电接点材料的接触电阻值。对于接触电阻值，进行以下的分级。
◎：接触电阻值小于0.5mΩ
○：接触电阻值为0.5mΩ以上且小于1.0mΩ
×：接触电阻值为1.0mΩ以上
[5]耐热性
在大气气氛下，将电接点材料在150℃下加热1000小时。加热后，对于电接点材料的含银层侧的表面，使用电接点模拟器(株式会社山崎精机研究所制)，以通电电流值20mA、载荷1N测定10次接触电阻值，将得到的测定值的平均值作为电接点材料的接触电阻值。对耐热性进行以下分级。
◎：加热后的接触电阻值小于1.0mΩ
○：加热后的接触电阻值为1.0mΩ以上且小于5.0mΩ
×：加热后的接触电阻值为5.0mΩ以上
[6]弯曲加工性
根据日本伸铜协会技术标准JCBA-T307：2007的试验方法，以试验片的长度方向与轧制方向平行的方式，从电接点材料采集5个(n＝5)宽10mm×长30mm的试验片，对于各试验片，以弯曲角度为90度、R/t＝1进行弯曲试验，判定有无开裂。
○：对于5个试验片没有开裂
×：对于1个以上的试验片有开裂
[表1]
表1
[表2]
表2
[表3]
表3
[表4]
表4
如表1～4所示，在实施例1～31中，由于含银层的平均CI值为0.6以上，因此电接点材料的耐磨损性是良好的，且不受导电性基材的特性的影响。另一方面，在比较例1～64中，由于含银层的平均CI值在0.6以上的范围外，因此电接点材料的耐磨损性差。
附图标记说明
1、2电接点材料
10导电性基材
20含银层
30中间层

Claims (10)

1.一种电接点材料，其具备：
导电性基材；和
设于所述导电性基材的表面的至少一部分的、包含银的含银层，
其中，在所述电接点材料的截面中，所述含银层的平均CI值为0.6以上。
2.根据权利要求1所述的电接点材料，其中，在所述电接点材料的截面中，所述含银层的平均IQ值为1000以上2100以下。
3.根据权利要求1或2所述的电接点材料，其中，所述含银层包含选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co组成的组中的1种以上的元素。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电接点材料，其中，所述含银层包含合计为低于15.0at％的选自由Sn、Zn、In、Ni、Cu、Se、Sb及Co组成的组中的1种以上的元素。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电接点材料，其中，所述含银层的平均厚度为0.5μm以上5.0μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电接点材料，其中，在所述导电性基材与所述含银层之间，还具备由镍或镍合金形成的中间层。
7.根据权利要求6所述的电接点材料，其中，所述中间层的平均厚度为0.01μm以上3.00μm以下。
8.一种接点，其是使用权利要求1～7中任一项所述的电接点材料制作的。
9.一种端子，其是使用权利要求1～7中任一项所述的电接点材料制作的。
10.一种连接器，其是使用权利要求1～7中任一项所述的电接点材料制作的。
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