CN117098414A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置,显示装置能够改善与显示区域叠置的传感器区域的透过率,显示装置包括:基底,包括设置有多个像素的显示区域、位于显示区域中的传感器区域以及位于显示区域和传感器区域之间的布线连接区域,传感器区域与传感器叠置;第一布线和第二布线,设置在显示区域中并且在第一方向上延伸且连接到所述多个像素;以及第三布线,设置在传感器区域中,并且在第一方向上延伸,其中,第三布线连接到第二布线并且在平面图中与第一布线叠置。第三布线与第一布线间隔开并且第一绝缘层插置于第三布线与第一布线之间。
Description
本申请是申请日为2018年10月12日、申请号为201811188641.9的发明专利申请“显示装置”的分案申请。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种能够改善显示区域中的传感器区域的透过率的显示装置。
背景技术
与阴极射线管(CRT)相比,平板显示器(FPD)装置具有减小的重量和体积。这种FPD装置包括例如液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示面板(PDP)装置或有机发光二极管(OLED)显示装置。
在FPD装置之中,OLED显示装置使用通过电子和空穴的复合产生光的OLED来显示图像。
另外,由于显示区域占据移动终端中的大部分前表面,所以其它组件(诸如相机、近距离传感器、指纹传感器、照度传感器、近红外传感器等)可以与显示区域叠置。
发明内容
本发明的示例性实施例涉及一种能够改善与显示区域叠置的传感器区域的透过率的显示装置。
根据示例性实施例,显示装置包括:基底,包括设置有多个像素的显示区域、位于显示区域中的传感器区域以及位于显示区域和传感器区域之间的布线连接区域,传感器区域与传感器叠置;第一布线和第二布线,设置在显示区域中并且在第一方向上延伸且连接到所述多个像素;以及第三布线,设置在传感器区域中,并且在第一方向上延伸,其中,第三布线连接到第二布线并且在平面图中与第一布线叠置。第三布线与第一布线间隔开并且第一绝缘层插置于第三布线与第一布线之间。
接触孔可以在布线连接区域中贯穿第一绝缘层,第二布线通过接触孔连接到第三布线。
第三布线还可以包括在布线连接区域中沿与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一弯曲部分,其中,第一弯曲部分通过接触孔连接到第二布线。
第一布线可以在第一方向上延伸到传感器区域中。
显示装置还可以包括在与显示区域相邻的布线连接区域中的多个虚设像素。
第一布线和第二布线可以设置在基本同一层上。
第二布线和第三布线可以设置在基本同一层上。
第三布线还可以包括在布线连接区域中在第二方向上延伸的第二弯曲部分。
第三布线可以在平面图中与布线连接区域和传感器区域中的第一布线叠置。
显示装置还可以包括连接到像素并且在与第一布线、第二布线和第三布线交叉的第二方向上延伸的第五布线。第五布线可以通过第二绝缘层与第一布线、第二布线和第三布线间隔开。
第五布线可以设置在第三布线上方。
第五布线可以设置在第三布线下方。
像素可以包括位于基底上的像素电极、位于像素电极上的发光层以及位于发光层上的共电极。第一布线、第三布线和第五布线中的一个可以在传感器区域中与像素电极设置在基本同一层中。像素电极、发光层和共电极中的至少一个没有设置在传感器区域中。
第一布线、第三布线和第五布线中的一个可以为在传感器区域中呈网状形式的透明电极或纳米线。
显示装置还可以包括在平面图中与第五布线叠置并且通过接触孔连接到第五布线的至少一个浮置布线。
根据示例性实施例,显示装置包括:基底,包括设置有多个像素的显示区域以及在显示区域中的传感器区域,传感器区域与传感器叠置;以及栅极布线、数据布线和电源布线,连接到像素。电源布线具有多条布线在平面图中彼此交叉的网状形状并且没有设置在传感器区域中。
电源布线可以包括在第一方向上延伸的第一电源布线和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二电源布线。
第一电源布线和第二电源布线可以设置在基本同一层上。
第一电源布线和第二电源布线可以通过第一绝缘层彼此分隔开并且通过形成在第一绝缘层中的接触孔彼此连接。
第一电源布线和栅极布线可以设置在基本同一层中,第二电源布线和数据布线可以设置在基本同一层中。
栅极布线和数据布线中的至少一个可以与传感器区域交叉。
栅极布线可以包括第一栅极布线和第二栅极布线。第一栅极布线和第二栅极布线可以在显示区域中彼此间隔开并且在传感器区域中在平面图中彼此叠置,并且第二绝缘层设置在第一栅极布线和第二栅极布线之间。
所述多个像素中的每一个可以包括与数据布线连接的像素电极、位于像素电极上的发光层和位于发光层上的共电极。数据布线、第一栅极布线和第二栅极布线中的一个可以在传感器区域中与像素电极设置在基本同一层中。
数据布线、第一栅极布线和第二栅极布线中的设置在传感器区域中的所述一个可以为在传感器区域中呈网状形式的透明电极或纳米线。
栅极布线和数据布线中的至少一个没有设置在所述传感器区域中。
栅极布线和数据布线中的至少一个可以包括:第一布线和第二布线,设置在显示区域中并且跨越传感器区域在第一方向上延伸并通过传感器区域彼此分开;以及第三布线,设置在传感器区域外部并且使第一布线和第二布线连接。
第三布线可以与第一布线和第二布线间隔开并且第三绝缘层插置在第三布线与第一布线和第二布线之间,第三布线通过形成在第三绝缘层中的接触孔连接到第一布线和第二布线。
显示装置还可以包括位于基底上的密封构件,密封构件包括交替地设置的一个或多个无机层和一个或多个有机层。有机层可以设置在传感器区域外部。
显示装置还可以包括位于基底上的触摸电极,触摸电极可以设置在传感器区域外部。
根据示例性实施例,显示装置包括:基底,包括设置有多个像素的显示区域以及位于显示区域中的传感器区域,传感器区域与传感器叠置;布线,连接到所述多个像素,布线与传感器区域交叉;以及位于布线上方的绝缘层与位于布线下方的绝缘层中的至少一个。绝缘层没有设置在传感器区域中不与布线叠置的区域中。
附图说明
图1是根据示例性实施例的显示装置的框图。
图2是图1中所示的一个像素的等价电路图。
图3是包括图1的像素和与所述像素连接的线的显示装置的详细平面图。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F分别示出了图3的组件的一部分。
图5是沿图3的线I-I'截取的剖视图。
图6是根据示例性实施例的显示装置的平面图。
图7是根据示例性实施例的布线连接区域与传感器区域在X轴方向上相交的区域的放大图。
图8、图9和图10是根据示例性实施例的沿图7的线I-I'截取的剖视图。
图11是沿图7的线II-II'截取的剖视图。
图12是根据示例性实施例的布线连接区域在X轴方向上与传感器区域相交的区域的放大图。
图13是根据示例性实施例的沿图12的线I-I'截取的剖视图。
图14是根据示例性实施例的传感器区域周围的高电位线的布线图。
图15是根据示例性实施例的传感器区域在Y轴方向上与显示区域相交的区域的放大图。
图16是沿图15的线I-I'截取的剖视图。
图17是根据示例性实施例的传感器区域在Y轴方向上与显示区域相交的区域的放大图。
图18是沿图17的线I-I'截取的剖视图。
图19和图20是根据示例性实施例的显示装置的布线图。
图21A、图21B、图21C和图21D是根据示例性实施例的显示装置的触摸面板和密封构件的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施例。尽管实施例可以以各种方式修改并且具有若干个示例性实施例,但是示例性实施例在附图中被示出并且将主要在说明书中进行描述。然而,本发明的范围不限于示例性实施例,并且应该被解释为包括在本发明的精神和范围内所包括的所有改变、等同物和替换物。
在附图中,为了清楚和对其易于描述,可以以放大的方式示出多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时,该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板上,或者在它们之间可以存在中间层、中间区域或中间板。此外,当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下方”时,该层、区域或板可以直接在另一层、另一区域或另一板下方,或者其间可以存在中间层、中间区域或中间板。
在整个说明书中,当元件被称为“连接”到另一个元件时,该元件可以“直接连接”到所述另一个元件,或者“电连接”到所述另一元件,并且其间插置有一个或更多个中间元件。
应当理解,考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制),如这里使用的词语“大约”或“近似”包括所陈述的值,并且意味着在特定值的如本领域普通技术人员所确定的可接受的偏差范围内。
在下文中,将参照图1至图21D详细地描述根据示例性实施例的显示装置。
图1是根据示例性实施例的显示装置的框图。
如图1中所示,根据示例性实施例的显示装置100包括显示面板101、扫描驱动器102、发光控制驱动器103、数据驱动器104和电源部105。
根据实施例,显示面板101包括“i+2”条扫描线SL0至SLi+1、“k”条发光控制线EL1至ELk、“j”条数据线DL1至DLj以及“k×j”个像素PX,其中,i、j和k中的每一个为大于1的自然数。
根据实施例,扫描线SL0至SLi+1在Y轴方向上彼此分隔开,并且扫描线SL0至SLi+1中的每一条在X轴方向上延伸。发光控制线EL1至ELk在Y轴方向上彼此分隔开,并且发光控制线EL1至ELk中的每一条在X轴方向上延伸。数据线DL1至DLj在X轴方向上彼此分隔开,并且数据线DL1至DLj中的每一条在Y轴方向上延伸。
根据实施例,扫描驱动器102基于从时序控制器接收的扫描控制信号来生成扫描信号并且向多条扫描线SL0至SLi+1顺序地传输扫描信号。在一帧时间段期间,扫描驱动器102从第一扫描信号开始顺序地传输第一扫描信号至第i扫描信号。
根据实施例,发光控制驱动器103基于从时序控制器接收的控制信号生成发光控制信号,并将发光控制信号顺序地传输到多条发光控制线EL1至ELk。在示例性实施例中,发光控制驱动器103嵌在扫描驱动器102中。例如,扫描驱动器102还执行发光控制驱动器103的功能。在这样的示例性实施例中,通过扫描驱动器102一起驱动扫描线SL0至SLi+1以及发光控制线EL1至ELk。除非另外具体定义,否则扫描线和扫描驱动器可以被理解为分别包括发光控制线和发光控制驱动器。
根据实施例,数据驱动器104将第一数据电压至第j数据电压分别传输至第一数据线DL1至第j数据线DLj。例如,数据驱动器104从时序控制器接收图像数据信号和数据控制信号。另外,数据驱动器104基于数据控制信号对图像数据信号进行采样,顺序锁存采样的图像数据信号以在每个水平时间段中对应于一条水平线,并且向数据线DL1至DLj基本同时顺序地传输锁存的图像数据信号。
根据实施例,像素PX以矩阵形式布置在显示面板101处。像素PX设置在显示面板101的显示区域310(如图6中所示)中。像素PX发射不同颜色的光。例如,图1中所示的像素PX中的由符号“R”指示的像素发射红光,图1中所示的像素PX中的由符号“G”指示的像素发射绿光,图1中所示的像素PX中的由符号“B”指示的像素发射蓝光。在示例性实施例中,显示面板101还可包括发射白光的至少一个白色像素。
根据实施例,每个像素PX从电源部105接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit。
图2是根据示例性实施例的图1中所示的一个像素的等价电路图。
如图2中所示,根据实施例,一个像素PX包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、存储电容器Cst和有机发光二极管(“OLED”)。
根据实施例,如图2中所示,第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7中的每一个是P型薄膜晶体管。然而,示例性实施例不限于此,在示例性实施例中,第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7中的每一个可以是N型薄膜晶体管。
图3是包括图1的像素和与所述像素连接的线的显示装置的详细平面图。图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F分别示出了图3的组件的一部分,图5是沿图3的线I-I'截取的剖视图。
根据实施例,图4A示出了图3的半导体层130,图4B示出了第n-1扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第n+1扫描线SLn+1和发光控制线EL,图4C示出了图3的初始化线IL和电容器电极171,图4D示出了图3的数据线DL和高电位线VDL,图4E示出了图3的像素电极PE,图4F示出了图3的半导体层130、第n-1扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第n+1扫描线SLn+1和发光控制线EL。
如图3、图4B和图5中所示,根据示例性实施例的显示装置包括基底110、缓冲层120、半导体层130、栅极绝缘层140、栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7、第n-1扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第n+1扫描线SLn+1、发光控制线EL、第一绝缘中间层160、初始化线IL、电容器电极171、第二绝缘中间层180、第一连接电极181、第二连接电极182、第三连接电极183、数据线DL、高电位线VDL、平坦化层220、像素电极PE、光阻挡层240、发光层250、共电极260和密封构件270。
根据实施例,图5中所示的基底110是透明绝缘基底,所述透明绝缘基底包括玻璃或透明塑料。例如,基底110可以包括kapton、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)、纤维增强塑料(FRP)等等中的一种。
根据实施例,如图5中所示,缓冲层120设置在基底110上。缓冲层120设置在基底110的整个表面上。缓冲层120可以防止不期望的元素的渗透并使其下面的表面平坦化,并且包括适于平坦化或者防止渗透的材料。例如,缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层中的一种。然而,在其它实施例中,根据基底110的类型及其工艺条件,可以省略缓冲层120。
根据实施例,如图5中所示,半导体层130设置在缓冲层120上。
根据实施例,如图4A中所示,半导体层130提供第一薄膜晶体管T1的沟道区CH1、第二薄膜晶体管T2的沟道区CH2、第三薄膜晶体管T3的沟道区CH3、第四薄膜晶体管T4的沟道区CH4、第五薄膜晶体管T5的沟道区CH5、第六薄膜晶体管T6的沟道区CH6以及第七薄膜晶体管T7的沟道区CH7。另外,半导体层130提供第一薄膜晶体管T1的源电极SE1和漏电极DE1、第二薄膜晶体管T2的源电极SE2和漏电极DE2、第三薄膜晶体管T3的源电极SE3和漏电极DE3、第四薄膜晶体管T4的源电极SE4和漏电极DE4、第五薄膜晶体管T5的源电极SE5和漏电极DE5、第六薄膜晶体管T6的源电极SE6和漏电极DE6以及第七薄膜晶体管T7的源电极SE7和漏电极DE7。
根据实施例,半导体层130包括多晶硅层、非晶硅层以及诸如铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌锡氧化物(IZTO)的氧化物半导体中的至少一种。例如,当半导体层130包括多晶硅层时,半导体层130包括未掺杂有杂质的沟道区以及形成在沟道区的相对侧上并掺杂有杂质离子的源电极和漏电极。
根据实施例,如图5中所示,栅极绝缘层140设置在半导体层130和缓冲层120上。栅极绝缘层140包括原硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)中的至少一种。例如,栅极绝缘层140可以具有其中大约40nm厚的SiNx层顺序地堆叠在大约80nm厚的TEOS层上的双层结构。
根据实施例,如图5中所示,第一栅电极GE1设置在栅极绝缘层140上。第一栅电极GE1位于栅极绝缘层140和第一绝缘中间层160之间。
根据实施例,扫描线SL和发光控制线EL设置在栅极绝缘层140上。例如,第n-1扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第n+1扫描线SLn+1和发光控制线EL位于栅极绝缘层140和第一绝缘中间层160之间。
根据实施例,扫描线SL(例如,第n-1扫描线SLn-1、第n扫描线SLn和第n+1扫描线SLn+1中的至少一条)包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金或者钼(Mo)或其合金。可选择地,扫描线SL包括铬(Cr)和钽(Ta)中的一种。在示例性实施例中,扫描线SL具有多层结构,所述多层结构包括具有不同物理特性的至少两个导电层。
另外,根据实施例,发光控制线EL包括与扫描线SL的材料基本相同的材料并且具有与扫描线SL的结构基本相同的结构(诸如多层结构)。发光控制线EL和扫描线SL基本同时形成在基本相同的工艺中。
根据实施例,如图5中所示,第一绝缘中间层160设置在第一栅电极GE1和栅极绝缘层140上。第一绝缘中间层160的厚度大于栅极绝缘层140的厚度。第一绝缘中间层160包括的材料与上述栅极绝缘层140中包括的材料基本相同。
根据实施例,如图5中所示,电容器电极171设置在第一绝缘中间层160上。电容器电极171与上述第一栅电极GE1一起形成存储电容器Cst。如图3和4C中所示,电容器电极171具有孔30。
根据实施例,图3和图4C中所示的初始化线IL也设置在第一绝缘中间层160上。例如,初始化线IL位于第一绝缘中间层160和第二绝缘中间层180之间。
根据实施例,如图5中所示,第二绝缘中间层180设置在电容器电极171和第一绝缘中间层160上。第二绝缘中间层180的厚度大于栅极绝缘层140的厚度。第二绝缘中间层180包括的材料与上述栅极绝缘层140中包括的材料基本相同。
根据实施例,如图5中所示,第一连接电极181、第二连接电极182、高电位线VDL和数据线DL设置在第二绝缘中间层180上。
根据实施例,数据线DL包括难熔金属,诸如钼、铬、钽和钛或它们的合金。数据线DL具有多层结构,所述多层结构包括难熔金属层和低电阻导电层。多层结构的示例包括双层结构或者三层结构,所述双层结构包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层,所述三层结构包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层。在示例性实施例中,数据线DL可以包括除上述材料之外的任何合适的金属或导体或由除上述材料之外的任何合适的金属或导体形成。
根据实施例,如图5中所示,平坦化层220设置在第一连接电极181、第二连接电极182、高电位线VDL和数据线DL上。
根据实施例,平坦化层220可以通过消除基底110的高度差来使基底110平坦化,以提高在平坦化层220上形成的OLED的发光效率。平坦化层220包括以下材料中的一种或多种:聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
根据实施例,如图5中所示,像素电极PE设置在平坦化层220上。像素电极PE的至少一部分设置在发光区域280中。即,像素电极PE被定位为对应于如下所述由光阻挡层240限定的发光区域280。像素电极PE通过穿透平坦化层220的接触孔19连接到第一连接电极181。
根据实施例,如图5中所示,光阻挡层240位于像素电极PE和平坦化层220上。光阻挡层240具有穿过其的开口,该开口对应于发光区域280。
根据实施例,光阻挡层240包括诸如聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂的树脂。
根据实施例,发光层250设置在发光区域280中的像素电极PE上,共电极260设置在光阻挡层240和发光层250上。像素电极PE、发光层250和共电极260构成发光二极管,诸如图2的OLED。在这样的示例性实施例中,像素电极PE对应于OLED的阳电极,共电极260对应于OLED的阴电极。
根据实施例,发光层250可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。另外,还可以在像素电极PE和发光层250之间设置空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个,并且还可以在发光层250和共电极260之间设置电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个。
根据实施例,像素电极PE和共电极260可以是透射电极、透反射电极和反射电极中的一种。
根据实施例,透明导电氧化物(“TCO”)用于形成透射电极。TCO包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZnO)以及其混合物中的至少一种。
根据实施例,诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)或铜(Cu)或它们的合金的金属用于形成透反射电极和反射电极。在这样的示例性实施例中,电极是透反射型还是反射型取决于电极的厚度。通常,透反射电极具有大约200nm或更小的厚度,反射电极具有大约300nm或更大的厚度。随着透反射电极的厚度减小,透光率增大。相反,随着透反射电极的厚度增大,透光率减小。
另外,根据实施例,透反射电极和反射电极具有多层结构,所述多层结构包括金属层和堆叠在金属层上的TCO层。
根据实施例,密封构件270设置在共电极260上。密封构件270包括透明绝缘材料,诸如玻璃、透明塑料等。另外,密封构件270具有沿Z轴方向交替层叠有一个或更多个无机层和一个或更多个有机层的薄膜封装结构。
在示例性实施例中,如图5中所示,多个图案垂直地设置在基底110和像素电极PE之间的不同的层上。例如,多个图案在基底110和像素电极PE之间沿Z轴方向设置在不同的层上,这将在下面进行详细描述。
根据实施例,图4A的半导体层130为第一图案130,图4B的扫描线SLn-1、SLn和SLn+1中的每一条、栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7中的每一个以及发光控制线EL形成第二图案150,图4C的初始化线IL和电容器电极171形成第三图案170,图4D的连接电极181、182和183中的每一个、高电位线VDL和数据线DL形成第四图案190,图4E的像素电极PE形成第五图案230。栅极绝缘层140、第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和平坦化层220设置在每个相应的图案之间。
另外,根据下面将描述的示例性实施例,显示面板101还包括第六图案。例如,下面将描述的第三绝缘中间层200还设置在第四图案190上,第六图案设置在第三绝缘中间层200和平坦化层220之间,但是示例性实施例不限于此。第三绝缘中间层200和第三绝缘中间层200上的第六图案可以设置在第一图案130和栅极绝缘层140之间、第二图案150和第一绝缘中间层160之间或者第三图案170和第二绝缘中间层180之间。第六图案包括扫描线、高电位电源线、旁路线等,这将在下面进行描述。
根据实施例,第三绝缘中间层200包括的材料与栅极绝缘层140、第一绝缘中间层160或第二绝缘中间层180中包括的材料基本相同。
根据实施例,包括在同一图案中的组件都包括基本相同的材料并且设置在基本同一的层上。不同图案中的组件设置在不同的层上。例如,第一图案130中所包括的半导体层130设置在与其上设置有第二图案150中的发光控制线EL的层不同的层上。例如,发光控制线EL设置在比其上设置有半导体层130的层靠近像素电极PE的层上。例如,如下面将描述的,在数据布线、第一栅极布线和第二栅极布线中的设置在传感器区域中的一个与像素电极设置在基本同一层上,并且像素电极为呈网状形式的透明电极或透明纳米线时,数据布线、第一栅极布线和第二栅极布线中的所述一个与像素电极具有相同的材料和/或相同的结构(即,呈网状形式的透明电极或透明纳米线)。其中,呈网状形式的透明纳米线或透明电极表示跨越感测器区域的透明线或透明电极的结构,而不表示如下面所描述的电源线的彼此交叉的网状形状。
图6是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图6,根据示例性实施例的显示装置100的显示面板101包括具有显示区域310和在显示区域310的边缘处的非显示区域320的基底110。显示区域310是显示有输入图像并包括呈矩阵形式的像素PX的区域,像素PX通过彼此交叉的扫描线和数据线而被划分。在非显示区域320中,设置有用于向显示区域310传输驱动信号的多个驱动元件。例如,非显示区域320包括用于驱动显示区域310中的像素PX的扫描驱动器102、数据驱动器104以及连接到像素PX的各种线。
如图6中所示,根据实施例,围绕显示区域310的非显示区域320设置在前表面的边缘处并且由边框覆盖。可选择的,显示区域310可以扩展到显示装置100的整个前表面或者扩展到显示装置100的一个或更多个侧表面,因此在前表面上可以没有非显示区域320或边框。另外,非显示区域320中没有设置像素PX。然而,示例性实施例不限于此,还可以在非显示区域320中设置像素PX。
在示例性实施例中,至少一个传感器被设置为与基底110的显示区域310叠置。传感器区域330是显示区域310的与传感器叠置的区域。传感器区域330位于显示区域310中。传感器区域330被显示区域310包围,并且传感器区域330还位于显示区域310的一侧处。在图6中,传感器区域330被描绘为具有基本圆形的形状,但是示例性实施例不限于此。传感器区域330可以具有多边形形状、椭圆形形状、线性形状等。
在示例性实施例中,传感器是近距离传感器(也被称为距离传感器)、照度传感器、RGB传感器、红外传感器、手指扫描传感器、超声波传感器、光学传感器(诸如相机、麦克风)、环境传感器(诸如气压计、湿度计、温度计、辐射传感器、热传感器、气体传感器等)和化学传感器(诸如电子鼻、医疗保健传感器、生物传感器等)中的至少一个。
根据示例性实施例,传感器区域330向传感器传输诸如声音或光的信号。设置在下文中称为贯穿传感器区域的开孔,所述开孔在传感器区域330处物理地穿透显示面板101或基底110,使得信号可以通过其传递。在这样的示例性实施例中,如下面将描述的,跨越传感器区域330的诸如扫描线、数据线或电源线的线被分为多个线组,设置绕过传感器区域330以连接被划分的线组的旁路线。
根据另一示例性实施例,显示面板101在传感器区域330处具有非贯穿传感器区域,所述非贯穿传感器区域没有物理地穿透显示面板101或基底110并且可通过该非贯穿传感器区域传输信号。在这样的示例性实施例中,扫描线、数据线和电源线等在不被分成组的情况下穿过传感器区域330,从而基本使对通过传感器区域330传播的信号的干扰最小化。
尽管已经描述了关于非贯穿传感器区域的本公开的示例性实施例,但是除非另外指明,否则示例性实施例可以包括贯穿传感器区域。
在示例性实施例中,布线连接区域340位于传感器区域330和显示区域310之间。从显示区域310延伸的线和从传感器区域330延伸的线在布线连接区域340处彼此连接。例如,两条线可以以直线相互连接,沿不同的方向延伸的两条线可以彼此连接,两条平行线利用与所述两条平行线交叉的另一条线彼此连接,设置在不同的层中并且在所述不同的层之间具有绝缘层的两条线通过绝缘层中的接触孔彼此连接。如这里所使用的,一条线可以被理解为包括彼此连接以传输同一信号或同一电源电压的多条线。
另外,在示例性实施例中,可以在传感器区域330和显示区域310之间的布线连接区域340处设置虚设像素。更具体地,布线连接区域340包括与传感器区域330相邻的区域341以及与显示区域310相邻的区域342,虚设像素设置在与显示区域310相邻的区域342中。虚设像素增加了基底的均匀性并且基本上防止了对与传感器区域330相邻的像素PX的损坏。
图7是根据示例性实施例的图6的区域351的放大图,在区域351处布线连接区域340在X轴方向上与传感器区域330相交,图8、图9和图10是均沿图7的线I-I'截取的剖视图。更具体地,图7是下面描述的示例性实施例共同的平面图,图8、图9和图10是分别示出了示例性实施例的剖视图。
如图7中所示,根据示例性实施例,四条X轴方向线151、152、153和154以及四条Y轴方向线191、192、193和194从显示区域310延伸以与传感器区域330交叉。图7中所示的X轴方向线151、152、153和154可以分别为扫描线SLn-1、SLn和SLn+1以及发光控制线EL。在下文中,扫描线SL将包括发光控制线EL。另外,Y轴方向线191和193可以是数据线DL,Y轴方向线192和194可以是高电位线VDL。然而,示例性实施例不限于此,实施例可以包括在显示区域310中彼此平行地布置在基本同一层中并且延伸到传感器区域330中的任何多条线。
在下文中,根据示例性实施例,假设在X轴方向上延伸的四条扫描线151、152、153和154以及在Y轴方向上延伸的两条数据线191和193与两条高电位线192和194从显示区域310延伸到布线连接区域340中。另外,根据示例性实施例的显示装置100包括两条辅助扫描线。如图7中所示,四条扫描线151、152、153和154中的两条扫描线151和153分别与两条辅助扫描线211和212叠置,并且绝缘层位于扫描线和辅助扫描线之间。在下文中,将详细描述这样的示例性实施例。
在下文中,将参考图7和图8更具体地描述示例性实施例。这里,将省略上面已经描述的显示区域的组件的详细描述。
在示例性实施例中,基底110、缓冲层120和栅极绝缘层140设置在显示区域310中的布线连接区域340和传感器区域330处。然而,在布线连接区域340和传感器区域330中可以没有形成半导体层130、栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7等。
在示例性实施例中,扫描线151、152、153和154的至少一部分151和153在X轴方向上从显示区域310延伸到传感器区域330中。另一方面,扫描线151、152、153和154的另一部分152和154从显示区域310延伸到布线连接区域340中而没有延伸到传感器区域330中。
在示例性实施例中,第一绝缘中间层160设置在扫描线151、152、153和154上,初始化线(IL)172设置在第一绝缘中间层160上,如同在显示区域310中那样。然而,电容器电极171没有设置在传感器区域330处。
根据示例性实施例,第三绝缘中间层200设置在初始化线172上,接触孔215和216形成在第一绝缘中间层160和第三绝缘中间层200中以暴露布线连接区域340中的扫描线152和154。
根据示例性实施例,辅助扫描线211和212设置在第三绝缘中间层200上。辅助扫描线211和212设置在传感器区域330和布线连接区域340中,而不设置在显示区域310中。另外,在平面图中,辅助扫描线211和212的至少一部分分别与传感器区域330中的扫描线151和153叠置。辅助扫描线211和212在布线连接区域340中分别包括弯曲部分213和214,并通过形成在第一绝缘中间层160和第三绝缘中间层200中的各自的接触孔215和216连接到扫描线152和154。
接下来,根据示例性实施例,第二绝缘中间层180设置在辅助扫描线211和212上。另外,如同在显示区域310中那样,数据线191和193与高电位线192和194设置在第二绝缘中间层180上。平坦化层220和密封构件270设置在数据线191和193与高电位线192和194上。
根据示例性实施例,第三绝缘中间层200包括的材料与第二绝缘中间层180中包括的材料基本相同。辅助扫描线211和212包括的材料与扫描线SL或数据线DL中包括的材料基本相同。
在示例性实施例中,像素电极PE、光阻挡层240、发光层250、共电极260等未形成在传感器区域330中或从传感器区域330被去除。例如,发光层250和共电极260可以与显示区域310一起形成,然后使用激光能量源去除发光层250和共电极260。另外,共电极260可以通过金属自图案化方法沉积,使得共电极260形成在显示区域310中而不形成在传感器区域330中。这种结构不限于示例性实施例并且可以作为下述所有示例性实施例的一部分。
另外,根据示例性实施例,诸如缓冲层120、栅极绝缘层140、第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和第三绝缘中间层200以及平坦化层220的绝缘层中的至少一个没有形成在下述区域中或者从下述区域中被去除,其中,所述区域在传感器区域330中不与上述线151、153、211、212、191和194叠置。例如,在如上所述去除发光层220和共电极260之后,去除栅极绝缘层140、第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和第三绝缘中间层200以及平坦化层220。此后,设置密封构件270。在传感器区域330中不与上述线151、153、211、212、191和194中的任何一个叠置的区域上没有设置绝缘层。然而,为了确保上述线151、153、211、212、191、192、193和194的绝缘,绝缘层保留在与上述线相邻的区域中而不被去除。绝缘层去除结构不仅仅局限于示例性实施例,而可以是下面描述的所有示例性实施例的一部分。
在下文中,将参照图7和图9更具体地描述本公开的示例性实施例。这里,将省略对在上文中关于图7和图8描述的组件的描述。
根据示例性实施例,如图8中所示地设置基底110、缓冲层120、栅极绝缘层140、扫描线151、152、153和154、第一绝缘中间层160和初始化线172。
根据示例性实施例,第二绝缘中间层180设置在初始化线172上。另外,数据线191和193以及高电位线192和194设置在第二绝缘中间层180上。
根据示例性实施例,第三绝缘中间层200设置在数据线191和193以及高电位线192和194上。接触孔215和216形成在第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和第三绝缘中间层200中以暴露布线连接区域340处的扫描线152和154。
另外,根据示例性实施例,辅助扫描线211和212设置在第三绝缘中间层200上。在平面图中,辅助扫描线211的至少一部分和辅助扫描线212的至少一部分分别与传感器区域330中的扫描线151和153叠置。辅助扫描线211和212在布线连接区域340中分别包括弯曲部分213和214,并且通过形成在第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和第三绝缘中间层200中的各自的接触孔215和216连接到扫描线152和154。
接下来,根据示例性实施例,平坦化层220和密封构件270设置在辅助扫描线211和212上。
在下文中,将参考图7和图10更具体地描述本公开的示例性实施例。这里,将省略对在上文中关于图8和图9描述的组件的描述。
根据示例性实施例,如图9中所示设置基底110、缓冲层120、栅极绝缘层140、扫描线151、152、153和154、第一绝缘中间层160和初始化线172。
根据示例性实施例,第二绝缘中间层180设置在初始化线172上。另外,数据线191和193以及高电位线192和194设置在第二绝缘中间层180上。另外,平坦化层220设置在数据线191和193以及高电位线192和194上。
根据示例性实施例,接触孔215和216形成在第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和平坦化层220中,以暴露布线连接区域340中的扫描线152和154。辅助扫描线211和212在传感器区域330和布线连接区域340中设置在平坦化层220上。在平面图中,辅助扫描线211的至少一部分和辅助扫描线212的至少一部分分别与传感器区域330中的扫描线151和153叠置。辅助扫描线211和212在布线连接区域340中分别包括弯曲部分213和214,并且通过形成在第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和平坦化层220中的各自的接触孔215和216连接到扫描线152和154。
接下来,根据示例性实施例,密封构件270设置在辅助扫描线211和212上。辅助扫描线211和212以及像素电极PE使用基本相同的材料基本同时形成。
在上述示例性实施例中,扫描线151和153在基本同一层中从显示区域310沿X轴方向延伸到传感器区域330中,辅助扫描线211和212与传感器区域330中的扫描线151和153叠置,但是示例性实施例不限于此。例如,扫描线151和154可以在基本同一层上从显示区域310沿X轴方向延伸到传感器区域330中,辅助扫描线211和212可以与传感器区域330中的扫描线151和154叠置。
另外,根据示例性实施例,虽然图7示出扫描线151和153的宽度与辅助扫描线211和212的宽度不同,但是扫描线151和153以及辅助扫描线211和212的宽度可以基本彼此相等。另外,扫描线151和153以及辅助扫描线211和212可以在宽度方向上彼此部分地叠置。
根据示例性实施例,由于被传感器区域330中的扫描线151和153以及辅助扫描线211和212占据的区域在平面图中减小了大约1/2,并且扫描线151和153与辅助扫描线211和212之间的间隔增大,所以传感器区域330中的信号透过率可以增大。
另外,根据示例性实施例,尽管在传感器区域330中扫描线151和辅助扫描线211彼此叠置,但是示例性实施例不限于此。例如,三条或更多条线可以以与上面的示例性实施例中的方式基本相同的方式在不同层上彼此叠置。
在示例性实施例中,尽管扫描线151和153以及辅助扫描线211和212在传感器区域330处彼此叠置,但是示例性实施例不限于此。例如,数据线191和193以及电源线192和194可以以与上述示例性实施例中的方式相同的方式在传感器区域330中彼此叠置。
在下文中,将参考图7和图11更具体地描述本公开的示例性实施例。这里,将省略对上面参照图8至图10描述的显示区域的组件的详细描述。
图11是沿图7的线II-II'截取的剖视图。为了易于描述,基于图8的堆叠结构描述了浮置的数据线DL和高电位线VDL。然而,示例性实施例不限于此,可以基于图9或图10的堆叠结构或以下描述的其它示例性实施例来描述浮置线。
根据示例性实施例,如图11中所描绘的并且关于图8所描述的,数据线191和193以及高电位线192和194设置在第二绝缘中间层180上。平坦化层220和密封构件270设置在数据线191和193以及高电位线192和194上。
另外,根据示例性实施例,第一浮置线155设置在栅极绝缘层140和第一绝缘中间层160之间,第二浮置线218设置在第三绝缘中间层200和第二绝缘中间层180之间。另外,第三浮置线可以设置在第一绝缘中间层160和第三绝缘中间层200之间。数据线191、第一浮置线155和第二浮置线218通过形成在第一绝缘中间层160、第三绝缘中间层200和第二绝缘中间层180中的接触孔195和196彼此连接。第一浮置线155、第二浮置线218和第三浮置线在平面图中与数据线191叠置。第一浮置线155、第二浮置线218和第三浮置线中的每一个具有基本上等于数据线191的宽度的宽度,而没有足够长到接触扫描线151和153、辅助扫描线211和212以及初始化线172。
根据示例性实施例,栅极绝缘层140上的第一浮置线155和扫描线SL使用基本相同的材料基本同时形成,第三绝缘中间层200上的第二浮置线218和辅助扫描线211和212使用基本相同的材料基本同时形成,第一绝缘中间层160上的第三浮置线和初始化线IL使用基本相同的材料基本同时形成。
根据示例性实施例,浮置线155和218形成为减小数据线191的电阻。在上文中,尽管图11中示出的实施例示出了例如与数据线191叠置的浮置线155和218,但是示例性实施例不限于此。示例性实施例可以包括电源线(诸如高电位线192和194)、扫描线151、152、153和154以及辅助扫描线211和212。
图12是根据示例性实施例的图6的区域351的放大图,在区域351处布线连接区域340在X轴方向上与传感器区域330相交,图13是沿图12的线I-I'截取的剖视图。
在下文中,将参照图12和图13更具体地描述本公开的示例性实施例。这里,将省略对在上文中描述的显示区域的组件的详细描述。
如图12和图13中所示,本公开的示例性实施例涉及初始化线IL的再布线,所述初始化线IL设置在与其上设置有扫描线151、152、153和154以及辅助扫描线211和212的层不同的层上。在下文中,为了易于描述,将基于图8中所示的示例性实施例给出描述。
根据示例性实施例,如在上文中针对图8所描述的,缓冲层120、栅极绝缘层140、扫描线151、152、153和154、辅助扫描线211和212、初始化线172和173、数据线191和193以及高电位线192和194设置在基底110上。在平面图中,辅助扫描线211和212在传感器区域330中分别与扫描线151和153叠置。
根据示例性实施例,初始化线172和173在区域310、330和340中设置在第一绝缘层160和第三绝缘层200之间。即,初始化线172和173设置在与其上设置有扫描线151、152、153和154以及辅助扫描线211和212的层不同的层上。初始化线172和173可以设置在基本同一层上。
根据示例性实施例,在显示区域310中,初始化线172在平面图中设置在扫描线151、152、153和154之间,因此不与扫描线151、152、153和154叠置。在传感器区域330中,初始化线173与扫描线153和212叠置。在布线连接区域340中,初始化线174包括将初始化线172连接到初始化线173的弯曲部分175和176。
根据示例性实施例,由于初始化线173与传感器区域330中的扫描线叠置,所以可以减小传感器区域330的面积。因此,可以增大传感器区域330中的线之间的间隔。
尽管已经相较于图8中示出的示例性实施例描述了示例性实施例,但是类似的特征可以并入到图9至图10中所示的示例性实施例中。另外,示例性实施例可以使初始化线与扫描线151、152和154中的任何一条叠置,而不是与扫描线153和212叠置。尽管已经通过示例的方式关于初始化线IL描述了示例性实施例,但是示例性实施例不限于此,其它线可以被再布线以与扫描线叠置。
图14是根据示例性实施例的传感器区域330周围的高电位线VDL的布线图。虽然图14以示例的方式描绘了高电位线VDL,但是示例性实施例不限于此。例如,示例性实施例可以包括其它种类的电源线,例如,低电位线VSL和初始化线IL。另外,示例性实施例不仅可以包括非贯穿传感器区域,而且可以包括贯穿传感器区域。即,尽管图14中示出了高电位线VDL不位于传感器区域330中,但是在示例性实施例中,高电位线VDL可以位于传感器区域330中。高电位线VDL在传感器区域330中可以是呈网状形式的透明电极或纳米线。
根据示例性实施例,如图14中所示,高电位线VDL包括在第一方向(诸如Y轴方向)上的多条线195和196(在下文中被称为“主电源线”)以及在与第一方向交叉的第二方向(诸如X轴方向)上的多条线178(下文中被称为“辅助电源线”)。主电源线195和196以及辅助电源线178在交叉点197和198处彼此连接以形成网格。另外,高电位线VDL(即,主电源线195和196以及辅助电源线178)未设置在传感器区域330中。
根据示例性实施例,主电源线195和196以及辅助电源线178设置在基本同一层中。主电源线195和196以及辅助电源线178设置在与其上设置有扫描线SL和数据线DL的层不同的层中。另外,主电源线195和196以及辅助电源线178形成在第三绝缘中间层200上。由于辅助扫描线211和212设置在传感器区域330中而不在显示区域310中,所以辅助扫描线211和212以及高电位线(即,主电源线195和196以及辅助电源线178)彼此不接触并且基本同时形成在第三绝缘中间层200上。
可选择的,根据示例性实施例,主电源线195和196设置在与其上设置有辅助电源线178的层不同的层上,如下所述,主电源线195和196以及辅助电源线178通过形成在交叉点197和198处的接触孔彼此连接。
图15是根据示例性实施例的图6的区域352的放大图,在区域352处传感器区域330在Y轴方向上与显示区域310相交,图16是沿图15的线I-I'截取的剖视图。这里,将省略对在上文中描述的显示区域的组件的详细描述。尽管为了易于描述,参照图7描述了示例性实施例,示例性实施例不限于此。示例性实施例可以包括图9中所示的结构,或者可以包括图8至图9中所示的结构之外的结构。
根据示例性实施例,如图14和图15中所示,高电位线195、196和178未设置在传感器区域330中。即,在Y轴方向上从显示区域310延伸的主电源线195和196仅延伸到布线连接区域340中(或者不延伸超过显示区域310)。另外,在X轴方向上从显示区域310延伸的辅助电源线延伸到布线连接区域340中,并且不延伸到传感器区域330中。
参照图15和图16,根据示例性实施例,如图8中所示,缓冲层120和栅极绝缘层140设置在基底110上。第一绝缘中间层160设置在扫描线151、152、153和154上,初始化线(IL)172设置在第一绝缘中间层160上。
另外,根据示例性实施例,辅助电源线178与初始化线172一起形成。即,辅助电源线178在与初始化线172基本同一层上设置在初始化线172之间。如上所述,辅助电源线178没有设置在传感器区域330中。第三绝缘中间层200设置在初始化线172和辅助电源线178上,辅助扫描线211和212设置在第三绝缘中间层200上。
接下来,根据示例性实施例,第二绝缘中间层180设置在辅助扫描线211和212上。接触孔197形成在第三绝缘中间层200和第二绝缘中间层180中以通过其暴露辅助电源线178。
接下来,根据示例性实施例,数据线191和193以及主电源线195和196设置在第二绝缘中间层180上。即,主电源线195和196在与其上设置有数据线191和193的层基本相同的层上设置在数据线191和193之间。另外,如上所述,主电源线195和196没有设置在传感器区域330中。主电源线195和196通过形成在第三绝缘中间层200和第二绝缘中间层180中的接触孔197和198连接到辅助电源线178。平坦化层220和密封构件270设置在数据线191和193以及主电源线195和196上。
在上文中,根据示例性实施例,尽管主电源线195和196被描述为设置在与数据线191和193基本相同的层上,并且辅助电源线178设置在与初始化线172基本相同的层上,但是示例性实施例不限于此。例如,主电源线195和196可以设置在其上设置有Y轴方向线的层上,辅助电源线178可以设置在其上设置有X轴方向线的层上。
图17是根据示例性实施例的图6的区域352的放大图,在区域352处传感器区域330在Y轴方向上与显示区域310相交,图18是沿图17的线I-I'截取的剖视图。在下文中,将参照图14、图17和图18描述示例性实施例。这里,将省略对在上文中描述的显示区域的组件的详细描述。如在上文中关于图15至图16所描述的,高电位线195、196和178未设置在传感器区域330处。
参照图17和图18,根据示例性实施例,如图16中所示,缓冲层120和栅极绝缘层140设置在基底110上。第一绝缘中间层160设置在扫描线151、152、153和154上,初始化线(IL)172设置在第一绝缘中间层160上。另外,辅助电源线178与初始化线172一起形成。
根据示例性实施例,第二绝缘中间层180设置在初始化线172和辅助电源线178上,辅助扫描线211和212设置在第二绝缘中间层180上。另外,数据线191和193以及主电源线195和196设置在第二绝缘中间层180上,但数据线191和193以及主电源线195和196未设置在传感器区域330中。即,在Y轴方向上从显示区域310延伸的数据线191和193以及主电源线195和196仅延伸到布线连接区域340中。
另外,根据示例性实施例,主电源线195和196通过形成在第二绝缘中间层180中的接触孔197连接到辅助电源线178。平坦化层220设置在数据线191和193以及主电源线195和196上,接触孔233和234形成在平坦化层220中,以暴露布线连接区域340中的数据线191和193。
根据示例性实施例,数据线231和232设置在传感器区域330和布线连接区域340中的平坦化层220上。数据线231和232以及像素电极PE使用基本相同的材料基本同时形成。设置数据线231和232的相对的端部,一个端部设置在布线连接区域340处,另一端部设置在相对的布线连接区域340处。数据线231和232通过形成在平坦化层220中的接触孔233连接到数据线191和193。密封构件270设置在数据线231和232上。
图19和图20是根据示例性实施例的显示装置的布线图。在下文中,将参照图19和图20详细描述绕过传感器区域的旁路线。
根据示例性实施例,图19和图20示出了显示装置100的包括图6的多个传感器区域的上端部分。在下面的描述中,水平方向、竖直方向、左方向、右方向、上方向和下方向是基于图6的显示装置的。如在上文中参照图1所描述的,根据示例性实施例的显示装置100包括显示面板101、扫描驱动器102和数据驱动器103。
如上根据示例性实施例所描述的,显示面板101在显示区域310中包括多个传感器区域331、332和333。因此,如图19中所示,在X方向上延伸并且与多个传感器区域331和332交叉的扫描线被多个传感器区域331和332被分为三组线。即,在X方向上延伸并且与传感器区域331和332交叉的扫描线包括:第一线组430,包括具有直接连接到扫描驱动器102的一端以及被传感器区域331切割的另一端的线431、432、433和434;第二线组440,包括具有分别被传感器区域331和332切割的相对的端的线441、442、443和444;以及第三线组450,包括具有被传感器区域332切割的一端以及朝向扫描驱动器102的对侧延伸的另一端的线451、452、453和454。另一方面,其它扫描线435、436、437和438没有被传感器区域330分开。
参照图19,根据示例性实施例,旁路线组460包括分别使第一线组430的线431、432、433和434与第二线组440的线441、442、443和444连接的线461、462、463和464,旁路线组465包括分别使第二线组440的线441、442、443和444与第三线组450的线451、452、453和454连接的线466、467、468和469。旁路线461、462、463和464与扫描线431、432、433、434、435、436、437和438间隔开,并且绝缘层(诸如第三绝缘中间层200)位于旁路线461、462、463和464与扫描线431、432、433、434、435、436、437和438之间。旁路线461、462、463和464通过接触孔组470分别连接到线431、432、433和434,并且分别通过形成在绝缘层中的接触孔组480的接触孔481、482、483和484连接到线441、442、443和444,接触孔组470包括形成在绝缘层中的接触孔471、472、473和474。因此,第一线组430的线431、432、433和434分别通过旁路线461、462、463和464连接到第二线组440的线441、442、443和444,使得扫描信号传输到线441、442、443和444。
类似地,根据示例性实施例,旁路线组465的旁路线466、467、468和469分别使第二线组440的线441、442、443和444与第三线组450的线451、452、453和454连接。因此,线441、442、443和444分别通过旁路线组465的旁路线466、467、468和469连接到线451、452、453和454,使得扫描信号传输到线451、452、453和454。
例如,根据示例性实施例,旁路线461、462、463和464在传感器区域331的左侧上的显示区域310中从接触孔组470的接触孔在显示区域310中沿Y轴方向延伸,在显示区域310中沿X轴方向延伸到传感器区域331的上侧,并且在传感器区域331的右侧上沿Y轴方向延伸到位于显示区域310中的接触孔组480的接触孔481、482、483和484。
类似地,根据示例性实施例,旁路线组465的旁路线466、467、468和469在传感器区域332的左侧上从位于显示区域310中的接触孔组480的接触孔485、486、487和488在显示区域310中沿Y轴方向延伸,在显示区域310中沿X轴方向延伸到传感器区域332的上侧,并且在传感器区域332的右侧上沿Y轴方向延伸到位于显示区域310中的接触孔组490的接触孔491、492、493和494。
尽管旁路线组460和465被描述为在显示区域310中沿X轴方向和Y轴方向延伸,但是示例性实施例不限于此。接触孔组470和490可以位于显示区域310的边缘处的非显示区域320中,旁路线组460和465可以在X轴方向或Y轴方向上沿非显示区域320延伸。然而,用于连接多个传感器区域331和332之间的第二线组440的线的接触孔组480的接触孔位于显示区域310处。
另外,尽管旁路线组460和465被描述为在X轴方向和Y轴方向上延伸,但是示例性实施例不限于此。例如,旁路线组460和465具有倾斜的直线形状或弯曲的线形状。另外,旁路线组460和465可以以类似于传感器区域330的形状的形状弯曲。
另外,尽管第一线组430的线431、432、433和434与第二线组440的线441、442、443、444通过旁路线组460的线461、462、463、464彼此连接,并且第二线组440的线441、442、443、444与第三线组450的线451、452、453、454通过旁路线组465的线466、467、468、469彼此连接,但是示例性实施例不限于此。例如,第一线组430和第二线组440的线可以通过旁路线组460的线彼此连接,第一线组430的线431、432、433和434与第三线组450的线可以通过其它旁路线彼此连接。
在示例性实施例中,旁路线组460和465的线设置在如图8中所示的第三绝缘中间层200和第二绝缘中间层180之间,旁路线组460和465的线以及线组430、440和450中的每一个的线通过形成在第一绝缘中间层160和第三绝缘中间层200中的接触孔组470、480和490的孔彼此连接。
图20是根据示例性实施例的旁路线图。
参照图20,旁路线包括:旁路线组540,具有平行于扫描线SL在X轴方向上延伸的旁路线541、542、543和544;旁路线组510,具有旁路线511、512、513和514;旁路线组520,具有旁路线521、522、523和524;旁路线组530,具有旁路线531、532、533和534,所有旁路线组510、520和530的所有旁路线在Y轴方向上延伸。在X轴方向上延伸的旁路线组540的旁路线形成在其上形成有X轴方向上的线(诸如扫描线SLn和发光控制线EL以及初始化线IL)的图案层上。在Y轴方向上延伸的旁路线组510、520和530的旁路线形成在其上形成有Y轴方向上的线(诸如数据线DL)的图案层上。因此,在X轴方向上延伸的旁路线组540的旁路线和在Y轴方向上延伸的旁路线组510、520和530的旁路线通过其间的第一绝缘中间层和第二绝缘中间层以及在一些实施例中的第三绝缘中间层彼此间隔开,并且通过形成在绝缘层中的接触孔彼此连接。
更具体地,根据示例性实施例,在X轴方向上延伸的旁路线组540的旁路线沿非显示区域320延伸。在Y轴方向上延伸的旁路线组510的旁路线具有分别通过位于非显示区域320中的接触孔组515的接触孔516、517、518和519与第一线组430的线431、432、433和434连接的一端,以及通过位于非显示区域320处的接触孔与旁路线组540的在X轴方向上延伸的旁路线连接的另一端。旁路线组520的在Y轴方向上延伸的旁路线具有通过位于显示区域310中的接触孔组525的接触孔526、527、528和529与第二线组440的线连接的一端,以及通过位于非显示区域320中的接触孔与旁路线组540的在X轴方向上延伸的旁路线连接的另一端。旁路线组530的在Y轴方向上延伸的旁路线具有通过位于非显示区域320中的接触孔组535的接触孔536、537、538和539与第三线组450的线连接的一端,以及通过位于非显示区域320处的接触孔与旁路线组540的在X轴方向上延伸的旁路线连接的另一端。因此,旁路线组510和530的在Y轴方向上延伸的旁路线沿非显示区域320延伸,旁路线组520的沿Y轴方向延伸的旁路线设置在非显示区域320和显示区域310中。
因此,在示例性实施例中,第一线组430的线431、432、433和434、第二线组440的线和第三线组450的线通过在Y轴方向上延伸的旁路线组510、520和530的线以及在X轴方向上延伸的旁路线组540的线彼此连接,使得向其传输扫描信号。
尽管旁路线组540的线已经被描述为沿非显示区域320在X轴方向上延伸,但是示例性实施例不限于此。旁路线组540的线可以在显示区域310中(例如,在扫描线SL之间)在X轴方向上延伸。
另外,根据示例性实施例,尽管接触孔组515和535的接触孔已经被描述为位于非显示区域320中,但是示例性实施例不限于此。即,接触孔组515和535的接触孔可以位于显示区域310中,并且旁路线组510和530的旁路线可以设置在显示区域310中。
另外,附加的扫描驱动器可以设置在扫描驱动器102的相对侧上,附加的扫描驱动器可以向第三线组450的线供应扫描信号。另外,扫描驱动器102可以是设置在显示面板的上侧或下侧上的单独的扫描驱动器。单独的扫描驱动器可以是集成有扫描驱动器102和数据驱动器103的驱动器。在显示面板的上侧或下侧上的单独的扫描驱动器通过在显示面板101的左边缘和/或右边缘处沿非显示区域320在Y轴方向上延伸的线或者在显示区域310中沿Y轴方向设置的线,来将扫描信号传输到扫描线431、432、433、434、435、436、437和438或旁路线组460、465和520的线。
另外,根据示例性实施例,当旁路线设置在显示区域中,以保持设置有旁路线的部分与不存在旁路线的部分之间的均匀性时,具有与旁路线基本相同形状的虚设布线可以设置在不存在旁路线的部分处。
以上,根据示例性实施例,已经参照图19和图20描述了包括多个传感器区域311和312的显示面板的旁路线。尽管已经关于扫描线SL的旁路线描述了旁路线,但是示例性实施例不限于此。如同扫描线和旁路线那样,数据线DL可以被分为相同类型的组。
图21A、图21B、图21C和图21D是示出根据示例性实施例的显示装置的触摸面板和密封构件的剖视图。
如图5和图21A中所示,根据示例性实施例,显示装置100包括在显示面板101上方的密封构件270。密封构件270形成为一个或多个无机层271和一个或多个有机层272、273沿Z轴方向交替堆叠的薄膜封装结构。另外,显示装置100在密封构件270上包括触摸面板290。触摸面板290包括感测触摸的金属触摸电极291和绝缘层以及在金属触摸电极291上方或下方的粘合层或保护膜292和293。
如图21B中所示,根据示例性实施例,触摸面板290中的金属触摸电极291设置在显示区域310和布线连接区域340中,金属触摸电极291没有设置在传感器区域330中。即,金属触摸电极291没有形成在传感器区域330中或被从传感器区域330去除。
另外,根据示例性实施例,如图21C中所示,密封构件270具有这样的结构,在该结构中有机层271和无机层272和273交替地设置在显示区域310和布线连接区域340中,无机层272和273设置在传感器区域330中,有机层271没有设置在传感器区域330中。即,有机层271没有形成在传感器区域330中或者被从传感器区域330去除。
另外,根据示例性实施例,如图21D中所示,触摸面板290设置在显示区域310和布线连接区域340中,但没有在传感器区域330中。即,除了触摸电极291之外,绝缘层与粘合层或保护膜292和293没有形成在传感器区域330处或被从传感器区域330去除。
在示例性实施例中,如图8中所示,像素电极PE、光阻挡层240、发光层250、共电极260等没有形成在显示面板101的传感器区域330中,或者被从显示面板101的传感器区域330去除。另外,缓冲层120、栅极绝缘层140、第一绝缘中间层160、第二绝缘中间层180和第三绝缘中间层200以及平坦化层220中的至少一个没有形成在显示面板101的传感器区域330中的不与上述线151、153、211、212、191和194叠置的区域处或被从显示面板101的传感器区域330中的不与上述线151、153、211、212、191和194叠置的区域去除。
如以上所阐述的,在根据一个或更多个示例性实施例的显示装置中,在平面图中可以使跨越传感器区域的布线所占据的区域基本最小化。因此,可以改善传感器区域的信号透过率。
另外,在根据一个或更多个示例性实施例的显示装置中,可以通过减少设置在传感器区域中的绝缘层的数量来改善传感器区域中的信号透过率。
虽然已经参照本公开的示例性实施例示出和描述了本公开的实施例,但是对于本领域普通技术人员来说明显的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上对其做出各种改变。
Claims (11)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括设置有多个像素的显示区域以及位于所述显示区域中的第一传感器区域,所述第一传感器区域与第一传感器叠置;以及
多条扫描线,连接到所述多个像素并且在第一方向上延伸,并且
所述多条扫描线包括:第一布线和第二布线,设置在所述显示区域中,并且在与所述第一传感器区域交叉的方向上延伸,并且通过所述第一传感器区域彼此分开;以及第三布线,绕过所述第一传感器区域并且连接到所述第一布线和所述第二布线,
其中,所述第三布线与所述第一布线和所述第二布线间隔开并且第一绝缘层插置在所述第三布线与所述第一布线和所述第二布线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,接触孔贯穿所述第一绝缘层,所述第一布线和所述第二布线通过所述接触孔连接到所述第三布线。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三布线包括:第一部分,在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且连接到所述第一布线;第二部分,在所述第二方向上延伸并且连接到所述第二布线;以及第三部分,在所述第一方向上延伸并且连接到所述第一部分和所述第二部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一部分和所述第二部分设置在所述显示区域中。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第三部分设置在所述显示区域中。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一部分和所述第二部分在所述显示区域的边缘处设置在非显示区域中。
7.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第三部分在所述显示区域的边缘处设置在非显示区域中。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在平面图中,所述第三布线与所述多条扫描线中的至少一条扫描线相交,所述多条扫描线中的所述至少一条扫描线不连接到所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括多条数据线,所述多条数据线连接到所述多个像素并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述多条数据线中的至少一条数据线设置在所述第一传感器区域中。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底还包括与第二传感器叠置的第二传感器区域,
所述多条扫描线还包括:第四布线,设置在所述显示区域中并且在与所述第二传感器区域交叉的方向上延伸,并且通过所述第二传感器区域与所述第二布线分开;以及第五布线,绕过所述第二传感器区域并且连接到所述第二布线和所述第四布线,
其中,所述第五布线与所述第二布线和所述第四布线间隔开并且所述第一绝缘层插置在所述第五布线与所述第二布线和所述第四布线之间。
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KR101805923B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 일체형 표시장치 |
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