CN116868318A - 具有薄膜的基板以及半导体基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。

Description

具有薄膜的基板以及半导体基板
技术领域
本发明涉及具有薄膜的基板、半导体基板、具有薄膜的基板的制造方法以及半导体基板的制造方法、以及用于它们的化合物。
背景技术
已知几种通过除了将液体涂布于基板上的涂布法以外的方法在基板上制作薄膜的方法。通用的技术之一为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)。CVD为向基板上供给包含目标薄膜的成分的原料气体，通过在基板表面或在气相中的化学反应来制作薄膜的方法。
近年来，作为CVD的一种技术，提出了原子层沉积法(Atomic Layer Deposition：ALD)、分子层沉积法(Molecular Layer Deposition)等。
提出了使用这些技术形成氮化镓薄膜(例如专利文献1)、形成有机聚合物(例如专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2020/170853号小册子
专利文献2：日本特开2014-129606号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供在基板上形成有新的薄膜的具有薄膜的基板以及半导体基板、以及能在基板上形成新的薄膜的具有薄膜的基板的制造方法以及半导体基板的制造方法，还提供用于它们的化合物。
用于解决课题的手段
本发明人等为了解决所述课题而进行了深入研究，其结果是，发现能够解决所述课题，并完成了具有以下主旨的本发明。
即，本发明包含以下内容。
[1]一种具有薄膜的基板，其具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si-R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si-R1基的所述薄膜。
Si(R1)(R2)n(R3)3-n…式(1)
(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)
[2]根据[1]所述的具有薄膜的基板，其中，所述具有薄膜的基板为通过使所述式(1)所示的化合物与所述基板的表面接触，进一步使所述化合物进行化学反应而形成的。
[3]根据[1]或[2]所述的具有薄膜的基板，其中，R1中的所述一价有机基团为具有氧原子的碳原子数为1～20的一价有机基团。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的具有薄膜的基板，其中，所述式(1)中，R1表示下述式(2)所示的一价基团，R2表示所述式(2)所示的一价基团，或为烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、烯基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团或者具有氰基的有机基团、或它们中的两种以上的组合。
(所述式(2)中，R4表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，R5表示碳原子数为1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们中的两种以上的组合，X1表示下述式(3)所示的二价基团、式(4)所示的二价基团或式(5)所示的二价基团)
(所述式(3)、式(4)以及式(5)中，R6～R10各自独立地表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团。*1和*3与所述式(2)中的羰基的碳原子键合。*2和*4与所述式(2)中的氮原子键合)
[5]一种半导体基板，其具有：[1]至[4]中任一项所述的具有薄膜的基板；以及配置于所述薄膜的上方的抗蚀剂膜。
[6]一种具有薄膜的基板的制造方法，其包括：使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使所述化合物进行化学反应，由此在所述基板的所述表面形成具有所述化合物中的Si-R1基的薄膜的工序。
Si(R1)(R2)n(R3)3-n…式(1)
(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)
[7]根据[6]所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，在所述基板的所述表面形成所述薄膜的工序在成膜室内进行，所述具有薄膜的基板的制造方法还包括：将在基板表面形成有具有所述Si-R1基的所述薄膜的所述基板从所述成膜室中取出的工序。
[8]根据[6]或[7]所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，R1中的所述一价有机基团为具有氧原子的碳原子数为1～20的一价有机基团。
[9]根据[6]至[8]中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，所述式(1)中，R1表示下述式(2)所示的一价基团，R2表示所述式(2)所示的一价基团，或为烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、烯基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团或者具有氰基的有机基团、或它们中的两种以上的组合。
(所述式(2)中，R4表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，R5表示碳原子数为1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们中的两种以上的组合，X1表示下述式(3)所示的二价基团、式(4)所示的二价基团或式(5)所示的二价基团)
(所述式(3)、式(4)以及式(5)中，R6～R10各自独立地表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团。*1和*3与所述式(2)中的羰基的碳原子键合。*2和*4与所述式(2)中的氮原子键合)
[10]根据[6]至[9]中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，包括：将所述式(1)所示的化合物转变成气体的工序。
[11]一种半导体基板的制造方法，其包括：使用[6]至[10]中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法制造具有所述薄膜的所述基板的工序；以及
在所述薄膜的上方形成抗蚀剂膜的工序。
[12]一种所述式(1)所示的化合物，其用于如下中的任意者：[1]至[4]中任一项所述的具有薄膜的基板的制造；[5]所述的半导体基板的制造；[6]至[10]中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法；以及[11]所述的半导体基板的制造方法。
有益效果
根据本发明，能提供在基板上形成有新的薄膜的具有薄膜的基板以及半导体基板、以及能在基板上形成新的薄膜的具有薄膜的基板的制造方法以及半导体基板的制造方法，还能够提供用于它们的化合物。
附图说明
图1是具有薄膜的基板的一个例子的概略剖视图。
图2是具有薄膜的基板的另一例子的概略剖视图。
图3是具有薄膜的基板的制造装置的一个例子的概略剖视图。
具体实施方式
(具有薄膜的基板的制造方法)
本发明的具有薄膜的基板的制造方法为具有如下薄膜的基板的制造方法，所述薄膜具有下述式(1)所示的化合物中的Si-R1基。
具有薄膜的基板的制造方法至少包括形成薄膜的工序，根据需要还包括：将化合物转变成气体的工序、将基板取出的工序。
<将化合物转变成气体的工序>
该工序为将下述式(1)所示的化合物转变成气体的工序。
将化合物转变成气体的方法没有特别限制，例如，可列举出通过如下方式将式(1)所示的化合物转变成气体(蒸气)的方法：将容纳有式(1)所示的化合物的原料容纳容器加热；将容纳有式(1)所示的化合物的原料容纳容器内减压；或它们的组合。
需要说明的是，将式(1)所示的化合物转变成气体可以如上所述在原料容纳容器内进行，也可以使用汽化室来代替原料容纳容器进行。原料容纳容器和汽化室的大小、材质以及结构没有特别限制，只要考虑加热温度、减压度来适当确定即可。
加热的温度没有特别限制，例如为25～200℃。
作为将式(1)所示的化合物转变成气体时的原料容纳容器内的压力和汽化室内的压力，没有特别限制，例如为1～10000Pa。
式(1)所示的化合物在常温和常压下可以为液体，也可以为固体。
<<式(1)>>
Si(R1)(R2)n(R3)3-n…式(1)
(式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)
R1和R2中的一价有机基团例如为碳原子数为1～20的有机基团。
R1和R2中的一价有机基团也可以具有杂原子作为除了碳原子、氢原子以外的原子。作为杂原子，例如，可列举出：氮原子、氧原子、硫原子、磷原子等。
R1和R2中的一价有机基团也可以通过Si-C键与硅原子键合。
R1和R2中的一价有机基团例如也可以具有烷基、羰基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、亚氨基或者烯基、或它们中的两种以上的组合。
R1和R2例如各自独立地不具有被保护的官能团。作为被保护的官能团，例如，可列举出被保护的氨基。
式(1)所示的化合物例如为国际公开第2011/102470号小册子的式(1)所示的水解性有机硅烷。
R1例如表示下述式(2)所示的一价基团。
(式(2)中，R4表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，R5表示碳原子数为1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们中的两种以上的组合，X1表示下述式(3)所示的二价基团、式(4)所示的二价基团或式(5)所示的二价基团)
(式(3)、式(4)以及式(5)中，R6～R10各自独立地表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团。*1和*3与式(2)中的羰基的碳原子键合。*2和*4与式(2)中的氮原子键合)
优选的是，R2例如表示式(2)所示的一价基团。或R2例如为烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、烯基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团或者具有氰基的有机基团、或它们中的两种以上的组合。
烷基例如为碳原子数为1～10的烷基。
烷基可以为直链结构，也可以具有支链结构。
作为直链或具有支链的碳原子数为1～10的烷基，例如，可列举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1-甲基正丁基、2-甲基正丁基、3-甲基正丁基、1,1-二甲基正丙基、1,2-二甲基正丙基、2,2-二甲基正丙基、1-乙基正丙基、正己基、1-甲基正戊基、2-甲基正戊基、3-甲基正戊基、4-甲基正戊基、1,1-二甲基正丁基、1,2-二甲基正丁基、1,3-二甲基正丁基、2,2-二甲基正丁基、2,3-二甲基正丁基、3,3-二甲基正丁基、1-乙基正丁基、2-乙基正丁基、1,1,2-三甲基正丙基、1,2,2-三甲基正丙基、1-乙基-1-甲基正丙基、1-乙基-2-甲基正丙基等。
此外，作为烷基，也可以使用具有环状烷基的烷基。作为具有环状烷基的碳原子数为1～10的烷基，例如，可列举出：环丙基、环丁基、1-甲基环丙基、2-甲基环丙基、环戊基、1-甲基环丁基、2-甲基环丁基、3-甲基环丁基、1,2-二甲基环丙基、2,3-二甲基环丙基、1-乙基环丙基、2-乙基环丙基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基环戊基、3-甲基环戊基、1-乙基环丁基、2-乙基环丁基、3-乙基环丁基、1,2-二甲基环丁基、1,3-二甲基环丁基、2,2-二甲基环丁基、2,3-二甲基环丁基、2,4-二甲基环丁基、3,3-二甲基环丁基、1-正丙基环丙基、2-正丙基环丙基、1-异丙基环丙基、2-异丙基环丙基、1,2,2-三甲基环丙基、1,2,3-三甲基环丙基、2,2,3-三甲基环丙基、1-乙基-2-甲基环丙基、2-乙基-1-甲基环丙基、2-乙基-2-甲基环丙基、2-乙基-3-甲基环丙基等。
此外，碳原子数为1～10的亚烷基可举例示出由上述的烷基衍生的亚烷基。
芳基例如为碳原子数为6～20的芳基。作为碳原子数为6～20的芳基，例如，可列举出：苯基、邻甲基苯基、间甲基苯基、对甲基苯基、邻氯苯基、间氯苯基、对氯苯基、邻氟苯基、对巯基苯基、邻甲氧基苯基、对甲氧基苯基、对氨基苯基、对氰基苯基、α-萘基、β-萘基、邻联苯基、间联苯基、对联苯基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
烯基例如为碳原子数为2～10的烯基。作为碳原子数为2～10的烯基，例如，可列举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-异丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-环戊烯基、2-环戊烯基、3-环戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-异丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-异丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-异丙基-1-丙烯基、1-异丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-环戊烯基、1-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-1-环戊烯基、2-甲基-2-环戊烯基、2-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-4-环戊烯基、2-甲基-5-环戊烯基、2-亚甲基环戊基、3-甲基-1-环戊烯基、3-甲基-2-环戊烯基、3-甲基-3-环戊烯基、3-甲基-4-环戊烯基、3-甲基-5-环戊烯基、3-亚甲基环戊基、1-环己烯基、2-环己烯基、3-环己烯基等。
芳烷基为被芳基取代的烷基。芳烷基例如为被苯基取代的碳原子数为1～10的烷基。作为芳烷基，例如，可列举出：苄基、苯基乙基、苯基丙基、苯基丁基等。
此外，可列举出：这些烷基、芳基、芳烷基的氢原子被氟、氯、溴、碘等卤素原子取代而成的有机基团(卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基)。卤素原子的取代可以对全部氢原子进行，也可以对一部分的氢原子进行。
羟基亚烷基为亚烷基的氢原子的至少一个被羟基取代而成的基团。羟基亚烷基例如为碳原子数为1～10的羟基亚烷基。作为羟基亚烷基，例如，可列举出：1-羟基亚乙基、2-羟基亚乙基、1-羟基亚丙基、2-羟基亚丙基、3-羟基亚丙基、羟基亚丁基、羟基亚戊基、羟基亚己基等。
作为具有环氧基的有机基团，例如，可列举出：环氧丙氧基甲基、环氧丙氧基乙基、环氧丙氧基丙基、环氧丙氧基丁基、环氧环己基等。
作为具有丙烯酰基的有机基团，例如，可列举出：丙烯酰氧基甲基、丙烯酰氧基乙基、丙烯酰氧基丙基等。
作为具有甲基丙烯酰基的有机基团，例如，可列举出：甲基丙烯酰氧基甲基、甲基丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基丙基等。
作为具有巯基的有机基团，例如，可列举出：巯基乙基、巯基丁基、巯基己基、巯基辛基等。
作为具有氰基的有机基团，例如，可列举出：氰基乙基、氰基丙基等。
作为具有氨基的有机基团，例如，可列举出：氨基甲基、氨基乙基、氨基丙基等。
作为具有磺酰基的有机基团，例如，可列举出：甲基磺酰基、烯丙基磺酰基、苯基磺酰基等。
式(1)中的R3的烷氧基例如为碳原子数为1～20的烷氧基。作为碳原子数为1～20的烷氧基，例如，可列举出：直链、支链、具有环状的烷基部分的碳原子数为1～20的烷氧基。
作为直链或支链的烷氧基，例如，可列举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基正丁氧基、2-甲基正丁氧基、3-甲基正丁氧基、1,1-二甲基正丙氧基、1,2-二甲基正丙氧基、2,2-二甲基正丙氧基、1-乙基正丙氧基、正己氧基、1-甲基正戊氧基、2-甲基正戊氧基、3-甲基正戊氧基、4-甲基正戊氧基、1,1-二甲基正丁氧基、1,2-二甲基正丁氧基、1,3-二甲基正丁氧基、2,2-二甲基正丁氧基、2,3-二甲基正丁氧基、3,3-二甲基正丁氧基、1-乙基正丁氧基、2-乙基正丁氧基、1,1,2-三甲基正丙氧基、1,2,2-三甲基正丙氧基、1-乙基-1-甲基正丙氧基、1-乙基-2-甲基正丙氧基等。
此外，作为具有环状的烷基部分的烷氧基，例如，可列举出：环丙氧基、环丁氧基、1-甲基环丙氧基、2-甲基环丙氧基、环戊氧基、1-甲基环丁氧基、2-甲基环丁氧基、3-甲基环丁氧基、1,2-二甲基环丙氧基、2,3-二甲基环丙氧基、1-乙基环丙氧基、2-乙基环丙氧基、环己氧基、1-甲基环戊氧基、2-甲基环戊氧基、3-甲基环戊氧基、1-乙基环丁氧基、2-乙基环丁氧基、3-乙基环丁氧基、1,2-二甲基环丁氧基、1,3-二甲基环丁氧基、2,2-二甲基环丁氧基、2,3-二甲基环丁氧基、2,4-二甲基环丁氧基、3,3-二甲基环丁氧基、1-正丙基环丙氧基、2-正丙基环丙氧基、1-异丙基环丙氧基、2-异丙基环丙氧基、1,2,2-三甲基环丙氧基、1,2,3-三甲基环丙氧基、2,2,3-三甲基环丙氧基、1-乙基-2-甲基环丙氧基、2-乙基-1-甲基环丙氧基、2-乙基-2-甲基环丙氧基、2-乙基-3-甲基环丙氧基等。
式(1)中的R3的酰氧基例如为碳原子数为2～20的酰氧基。作为碳原子数为2～20的酰氧基，例如，可列举出：甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、异丙基羰氧基、正丁基羰氧基、异丁基羰氧基、仲丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、正戊基羰氧基、1-甲基正丁基羰氧基、2-甲基正丁基羰氧基、3-甲基正丁基羰氧基、1,1-二甲基正丙基羰氧基、1,2-二甲基正丙基羰氧基、2,2-二甲基正丙基羰氧基、1-乙基正丙基羰氧基、正己基羰氧基、1-甲基正戊基羰氧基、2-甲基正戊基羰氧基、3-甲基正戊基羰氧基、4-甲基正戊基羰氧基、1,1-二甲基正丁基羰氧基、1,2-二甲基正丁基羰氧基、1,3-二甲基正丁基羰氧基、2,2-二甲基正丁基羰氧基、2,3-二甲基正丁基羰氧基、3,3-二甲基正丁基羰氧基、1-乙基正丁基羰氧基、2-乙基正丁基羰氧基、1,1,2-三甲基正丙基羰氧基、1,2,2-三甲基正丙基羰氧基、1-乙基-1-甲基正丙基羰氧基、1-乙基-2-甲基正丙基羰氧基、苯基羰氧基、甲苯磺酰基羰氧基等。
作为式(1)中的R3的卤素原子，可列举出：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
式(1)所示的化合物的示例如下所示。
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在以下的示例中，T为式(1)中的R3。
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在以下的示例中，R例如为烷基。
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以下的T为R1可具有的环结构的例子。
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式(1)所示的化合物可以为市售品，也可以为合成品。
在R1表示式(2)所示的一价基团的情况下，式(1)所示的化合物例如可以参考国际公开第2011/102470号小册子的〔0034〕～〔0036〕等所记载的方法来合成。
在将式(1)所示的化合物转变成气体时，可以使用式(1)所示的化合物本身来转变成气体，也可以使用使式(1)所示的化合物溶解于有机溶剂而成的溶液来转变成气体。
作为使用的有机溶剂，没有特别限制，例如，可列举出：酯、醚、烃等。
气体的式(1)所示的化合物例如被导入至成膜室内以供于形成薄膜的工序。
作为将气体的式(1)所示的化合物导入成膜室内的方法，例如，可列举出：气体输送法、液体输送法等。
气体输送法为如下方法：通过将容纳有式(1)所示的化合物的原料容纳容器加热和/或将原料容纳容器内减压，使式(1)所示的化合物汽化而转变成气体(蒸气)，将该气体与根据需要使用的氩气、氮气、氦气等载气一并向设置有基板的成膜室内导入。
液体输送法为如下方法：将式(1)所示的化合物以液体或溶液的状态输送至汽化室，通过将汽化室加热和/或将汽化室内减压，使式(1)所示的化合物汽化而转变成气体(蒸气)，将该气体向成膜室内导入。
<形成薄膜的工序>
本工序为使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使式(1)所示的化合物进行化学反应，由此在基板的表面形成具有式(1)所示的化合物中的Si-R1基的薄膜的工序。
本工序优选在成膜室内进行。
在优选的方案中，本工序为在减压下的成膜室内，使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使式(1)所示的化合物进行化学反应，由此在基板的表面形成具有式(1)所示的化合物中的Si-R1基的薄膜的工序。
作为在本工序中将成膜室内减压的情况下的压力，没有特别限制，例如为1～10000Pa，从使式(1)所示的化合物适当汽化的观点考虑，该压力优选为5000Pa以下，更优选为3000Pa以下，更进一步优选为2500Pa以下。减压度考虑加热温度来适当设定。
气体的式(1)所示的化合物向成膜室内的导入量，没有特别限制，只要考虑所期望的膜厚等来适当确定即可。
作为使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触的方法，没有特别限制，例如，可列举出如下方法等：将导入至成膜室内的气体的式(1)所示的化合物从相对于基板的表面具有规定的角度的方向(例如垂直方向)喷射至基板的表面。
从在使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触时，促进薄膜的形成的方面考虑，优选基板和/或成膜室内的气氛经加热。基板和/或成膜室内的气氛的加热温度通常为25～200℃，从使式(1)所示的化合物适当汽化的观点考虑，该加热温度优选为50℃以上，更优选为70℃以上，更进一步优选为90℃以上，再进一步优选为110℃以上。加热温度考虑是否减压以及在减压的情况下考虑减压度来适当设定。
在成膜室内，基板例如置于支承台上。基板的加热例如可以通过将成膜室加热来进行，也可以通过将支承台加热来进行。
成膜室的大小、材质以及结构没有特别限制，只要考虑使用的基板的大小、加热温度等来适当确定即可。
<<基板>>
作为基板，只要为在其表面形成具有Si-R1基的薄膜的对象，就没有特别限制。
基板的表面可以为平面，也可以为沟槽结构等三维结构。
基板可以为单层结构，也可以为多层结构。
基板例如可以为硅晶片的单层基板，也可以为在硅晶片上以单层或多层形成有机膜或无机膜而成的多层基板。
作为基板，例如，可列举出：硅晶片基板、硅/二氧化硅被覆基板、氮化硅基板、玻璃基板、ITO基板、聚酰亚胺基板以及低介电常数材料(low-k材料)被覆基板等。此外，也可以将在这些基板上以单层或多层形成有机膜或无机膜而成的基板用作基板。这些有机膜、无机膜的一个例子例如为防反射膜。
配置于成膜室内的基板优选预先进行了表面处理。
作为表面处理，可列举出：利用有机溶剂的清洗、利用UV臭氧等的处理等。
在本工序中，使式(1)所示的化合物进行化学反应。
该化学反应的一个例子为基板与R3的化学反应。该化学反应例如为基板的表面的羟基与Si-R3基的缩合反应。在R3为烷氧基或酰氧基的情况下，在该化学反应中，例如，可能发生如下两种化学反应：基板的表面的羟基与Si-R3基直接进行缩合反应的情况；以及Si-R3基转化为Si-OH基之后，所述Si-OH基与基板的表面的羟基进行缩合反应的情况。
该化学反应的另一例子为在两个式(1)所示的化合物之间，各自的R3所参与的硅氧烷键的形成。
使气体的式(1)所示的化合物在基板的表面进行化学反应，由此在基板的表面形成具有Si-R1基的薄膜。
作为具有Si-R1基的薄膜的厚度，没有特别限制，例如为0.1～10nm，优选为0.5～8nm，更优选为0.7～5nm。
薄膜的厚度例如通过光学式膜厚测定器NanoSpec/AFT5100(Nanometrics公司制)、椭偏式膜厚测定器ASET-F5膜厚测定器(KLA公司制)、椭偏式膜厚测定器RE3100/3500(スクリーン社製(SCREEN公司制))、椭偏式膜厚测定装置VUV-VASE(ジェーエーウーラム社製(J.A.Woollam公司制))等进行测定。
<将基板取出的工序>
本工序为将在基板表面形成有具有Si-R1基的薄膜的基板从成膜室中取出的工序。
在日本特开2014-129606号公报的图3所示的工序中，如第〔0043〕段所记载的那样，具有羟基的表面暴露于3-[(1,3-二甲基亚丁基)氨基]丙基三乙氧基硅烷(PS)。该PS通过硅氧烷键与表面键合。保护基隐藏-NH2官能团直至被去除为止。若PS表面暴露于水，则保护基被去除。水与亚胺部分反应，释放4-甲基-2-戊酮。该反应的结果为在表面残留伯胺。
在日本特开2014-129606号公报中，关于所述工序，未明示在成膜室内进行，通常，这些工序在成膜室内以一系列的工序的形式进行。
另一方面，在作为本发明的具有薄膜的基板的制造方法的一个实施方式中，当在成膜室内形成具有Si-R1基的薄膜时，在成膜室内不进行对所述薄膜的进一步处理，而将在基板表面形成有具有Si-R1基的薄膜的基板从成膜室中取出。
将基板从成膜室中取出的方法没有特别限制，只要适当确定即可。
作为制作出的薄膜的用途，没有特别限制，只要适当确定即可，例如，能用作抗蚀剂下层膜、防反射膜、光/电子束反应性抗蚀剂膜、自组装膜等。
在此，使用附图对具有薄膜的基板的一个例子进行说明。
图1是具有薄膜的基板的一个例子的概略剖视图。
图1的具有薄膜的基板具有基板1和薄膜2。基板1为由硅晶片1a构成的单层基板。薄膜2形成于硅晶片1a的表面。
使用附图对具有薄膜的基板的另一例子进行说明。
图2是具有薄膜的基板的另一例子的概略剖视图。
图2的具有薄膜的基板具有基板1和薄膜2。基板1为由硅晶片1a和有机下层膜1b构成的多层基板。薄膜2形成于有机下层膜1b的表面。
接着，使用具有薄膜的基板的制造装置对具有薄膜的基板的制造方法的一个例子进行说明。
首先，对制造装置的一个例子进行说明。图3是具有薄膜的基板的制造装置的一个例子的概略剖视图。
制造装置具有：原料容纳容器11、成膜室12、加热器13、配管14a和14b、排出口15、支承台16、捕集器17以及真空泵18。
原料容纳容器11、成膜室12以及配管14a被加热器13覆盖。
在成膜室12的内部空间配置有支承基板1的支承台16。
成膜室12的内部空间通过真空泵18来减压。
为了防止通过真空泵18从成膜室12排出的汽化的气体到达真空泵18，在成膜室12与真空泵18之间的配管14b的中途配置有用于捕捉汽化的气体的捕集器17。
以下对使用了所述制造装置的具有薄膜的基板的制造方法的一个例子进行说明。
首先，将式(1)所示的化合物加入至原料容纳容器11中。加入至原料容纳容器11中时的式(1)所示的化合物在常温常压下可以为液体，也可以为固体。
接着，通过加热器13将原料容纳容器11加热至规定的温度，并且使原料容纳容器11内的压力降低，由此将原料容纳容器11内的式(1)所示的化合物转变成气体2a。
接着，将所得到的气体2a经由配管14a导入至成膜室12中。
在成膜室12内的支承台16上配置有基板1。成膜室12通过加热器13加热至规定的温度，并且成膜室12的内部空间通过真空泵18减压至规定的压力。
导入至成膜室12中的气体2a从排出口15喷射至基板1的表面。同时，通过真空泵18调节成膜室12的内部空间的压力。
使气体2a与基板1的表面接触，并且使气体2a的式(1)所示的化合物进行化学反应，由此在基板1的表面形成具有Si-R1基的薄膜。
(半导体基板的制造方法)
本发明的半导体基板的制造方法至少包括：制造具有薄膜的基板的工序；以及形成抗蚀剂膜的工序，进一步根据需要包括：形成抗蚀剂图案的工序、对薄膜进行加工的工序、对基板进行加工的工序等。
<制造具有薄膜的基板的工序>
本工序为使用作为本发明的所述具有薄膜的基板的制造方法制造具有薄膜的基板的工序，所述薄膜具有Si-R1基。
<形成抗蚀剂膜的工序>
本工序为在具有Si-R1基的薄膜的上方形成抗蚀剂膜的工序。
抗蚀剂膜的形成可以通过周知的方法进行，即通过向具有Si-R1基的薄膜的上方涂布抗蚀剂材料并将其烧成来进行。
作为抗蚀剂膜的厚度，没有特别限制，例如为50～10000nm，优选为100～2000nm，更优选为200～1000nm，更进一步优选为30～200nm。
作为用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂材料，例如，可列举出：光刻胶材料、电子束抗蚀剂材料等。
作为光刻胶材料，只要为对在形成抗蚀剂图案时的曝光中使用的光感光的材料，就没有特别限制，例如为正型光刻胶材料。
作为正型光刻胶材料，例如，可列举出：以下的(i)～(iv)的材料。
(i)含有具有通过酸而分解，使抗蚀剂膜的碱溶解速度上升的基团的粘合剂；以及光产酸剂的化学增幅型光刻胶材料。
(ii)含有通过酸而分解，使抗蚀剂膜的碱溶解速度上升的低分子化合物；碱可溶性粘合剂；以及光产酸剂的化学增幅型光刻胶材料。
(iii)含有具有通过酸而分解，使抗蚀剂膜的碱溶解速度上升的基团的粘合剂；通过酸而分解，使抗蚀剂膜的碱溶解速度上升的低分子化合物；以及光产酸剂的化学增幅型光刻胶材料。
(iv)利用了曝光部与未曝光部的碱溶解速度之差的DNQ(重氮萘醌)-酚醛清漆型的非化学增幅型光刻胶材料。
作为正型光刻胶的市售品，例如，可列举出：PAR710(住友化学(株)制)、TDUR-P3435LP(东京应化工业(株)制)、THMR-iP1800(东京应化工业(株)制)、SEPR430(信越化学工业(株)制)等。
作为光刻胶材料，也可以使用负型光刻胶材料。
作为负型光刻胶材料，例如，可列举出：以下的(v)～(viii)的材料。
(v)含有具有通过酸而分解，使抗蚀剂膜的溶剂溶解速度降低的基团的粘合剂；以及光产酸剂的化学增幅型光刻胶材料。
(vi)含有通过酸而脱离，然后进行反应/聚合，使抗蚀剂膜的碱溶解/溶剂溶解速度降低的粘合剂；以及光产酸剂的化学增幅型光刻胶材料。
(vii)含有通过酸而脱离，然后进行反应/聚合，使抗蚀剂膜的碱溶解/溶剂溶解速度降低的粘合剂的非化学增幅型光刻胶材料。
(viii)含有通过光而脱离，然后进行反应/聚合，使抗蚀剂膜的碱溶解/溶剂溶解速度降低的金属化合物的非化学增幅型光刻胶材料。
作为电子束抗蚀剂，例如，可列举出：以下的(ix)～(x)的材料。
(ix)含有主链包含Si-Si键，末端包含芳香族环的树脂；以及通过电子束的照射而产生酸的产酸剂的电子束抗蚀剂材料。
(x)含有羟基被包含N-羧基胺的有机基团取代的聚(对羟基苯乙烯)；以及通过电子束的照射而产生酸的产酸剂的电子束抗蚀剂材料。
在后者的电子束抗蚀剂材料中，通过电子束照射而由产酸剂产生的酸与聚合物侧链的N-羧基氨氧基反应，聚合物侧链分解为羟基，显示碱可溶性，溶解于碱显影液，形成抗蚀剂图案。
作为该通过电子束的照射而产生酸的产酸剂，例如，可列举出：1,1-双[对氯苯基]-2,2,2-三氯乙烷、1,1-双[对甲氧基苯基]-2,2,2-三氯乙烷、1,1-双[对氯苯基]-2,2-二氯乙烷、2-氯-6-(三氯甲基)吡啶等卤代有机化合物；三苯基锍盐、二苯基碘鎓盐等鎓盐；硝基苄基甲苯磺酸酯、二硝基苄基甲苯磺酸酯等磺酸酯等。
<形成抗蚀剂图案的工序>
本工序为通过使抗蚀剂膜曝光和显影来形成抗蚀剂图案的工序。
曝光例如通过用于形成规定的图案的掩模(中间掩模(reticle))进行，例如使用i射线、KrF准分子激光、ArF准分子激光、EUV(极紫外线)、或EB(电子束)。
显影例如使用碱显影液。
显影例如在显影温度5～50℃和显影时间10～300秒下进行。
作为碱显影液，例如，可列举出：氢氧化钾、氢氧化钠等碱金属氢氧化物的水溶液；四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、胆碱等氢氧化季铵的水溶液；乙醇胺、丙胺、乙二胺等胺水溶液等碱性水溶液。而且，也可以向这些显影液中加入表面活性剂等。也可以使用乙酸丁酯等有机溶剂来代替碱显影液进行显影，使光刻胶膜的碱溶解速度未提高的部分显影的方法。
<对薄膜进行加工的工序>
本工序为将抗蚀剂图案用作掩模，对薄膜进行加工，形成经图案化的薄膜的工序。
在本工序中，例如，将抗蚀剂图案用作掩模(保护膜)，对薄膜进行蚀刻。蚀刻例如通过干法蚀刻进行。通过蚀刻而使薄膜图案化，并且基板的表面在经图案化的薄膜之间露出。
作为用于干法蚀刻的气体，例如，可列举出：四氟甲烷(CF4)、全氟环丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷、一氧化碳、氩气、氧气、氮气、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮、三氟化氯、氯气、三氯硼烷、二氯硼烷等。
作为用于干法蚀刻的气体，从迅速进行具有Si-R1基的薄膜的去除、抑制蚀刻时的抗蚀剂膜的厚度的减少方面考虑，优选卤素系气体。作为卤素系气体，优选氟系气体。作为氟系气体，例如，可列举出：四氟甲烷(CF4)、全氟环丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷以及二氟甲烷(CH2F2)。
<对基板进行加工的工序>
本工序为将抗蚀剂图案和经图案化的薄膜用作掩模，对基板进行加工的工序。
在本工序中，例如，将抗蚀剂图案和经图案化的薄膜作为掩模(保护膜)，对基板进行蚀刻。蚀刻例如通过干法蚀刻进行。通过蚀刻对基板进行加工。
作为基板的加工的方案，没有特别限制，例如，可列举出：形成槽、形成贯通孔等。
作为用于干法蚀刻的气体，只要根据与薄膜接触的基板的表面来适当确定即可。
例如，在基板具有有机膜，薄膜与有机膜接触的情况下，作为用于蚀刻的气体，优选氧气。
例如，在基板为硅晶片，薄膜与硅晶片的表面接触的情况下，作为用于蚀刻的气体，优选氟系气体。
(具有薄膜的基板)
本发明的具有薄膜的基板至少具有薄膜和基板。
薄膜具有式(1)所示的化合物中的Si-R1基。
薄膜例如为通过使式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使式(1)所示的化合物进行化学反应而形成的，所述薄膜具有式(1)所示的化合物中的Si-R1基。
基板在其表面配置有薄膜。
具有薄膜的基板例如置于成膜室外。
具有薄膜的基板例如为通过使式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使式(1)所示的化合物进行化学反应而形成的。
薄膜和基板的详情和示例可列举出在本发明的具有薄膜的基板的制造方法中说明的详情和示例。
具有薄膜的基板可以通过本发明的具有薄膜的基板的制造方法来适当制造。
(半导体基板)
本发明的半导体基板至少具有本发明的具有薄膜的基板和抗蚀剂膜。
抗蚀剂膜配置于薄膜的上方。
抗蚀剂膜的详情和示例可列举出在本发明的半导体基板的制造方法中说明的详情和示例。
半导体基板可以通过本发明的半导体基板的制造方法来适当制造。
(化合物)
本发明的化合物为所述的式(1)所示的化合物。
本发明的化合物用于所述的具有薄膜的基板的制造方法或所述的半导体基板的制造方法。此外，本发明的化合物用于所述的具有薄膜的基板的制造或所述的半导体基板的制造。
实施例
以下，列举出实施例对本发明更具体地进行说明，但本发明不限定于下述的实施例。
(实施例1)
<具有薄膜的基板的制作>
将以下所示的化合物用作薄膜形成用原料。
式中，“Et”表示乙基。
具有薄膜的基板的制造使用了图3所示的制造装置。
向原料容纳容器11中加入薄膜形成用原料。
在成膜室12内的支承台16上放置利用UV臭氧进行了表面处理的硅晶片(基板1)。
使成膜室12的室内压力成为20mbar(2000Pa)，并且使用加热器13将成膜室12加热至140℃。
使用加热器13使原料容纳容器11的温度成为140℃，并且将原料容纳容器11内的压力减压至20mbar(2000Pa)，由此将原料容纳容器11内的薄膜形成用原料转变成气体2a。
将在原料容纳容器11内转变成气体2a的薄膜形成用原料经由配管14a导入至成膜室12内，使气体2a的薄膜形成用原料与硅晶片(基板1)的表面接触。进行1小时该操作，在硅晶片(基板1)上形成了具有二烯丙基异氰脲酸酯丙基甲硅烷基的薄膜。
将具有薄膜的硅晶片(基板1)从成膜室12中取出。
使用椭偏式膜厚测定器ASET-F5膜厚测定器(KLA公司制，以下同样)对所得到的薄膜的厚度进行了测定。其结果为2.0nm。
此外，使用全自动接触角仪DM-701(协和界面科学株式会社)对水接触角进行了测定，其结果是，利用UV臭氧进行了表面处理的硅晶片的水接触角为20°以下，相对于此，在硅晶片上形成的薄膜的水接触角为71°。该接触角的上升意味着形成具有二烯丙基异氰脲酸酯丙基甲硅烷基的薄膜，疏水性升高。
<耐溶剂性试验>
在通过与上述同样的方法得到的具有薄膜的硅晶片的薄膜上涂布丙二醇单甲醚/丙二醇单甲醚乙酸酯的混合溶剂(7/3(vol/vol))，以1500rpm/30秒进行了旋转干燥。
使用椭偏式膜厚测定器对旋转干燥后的薄膜的厚度进行测定，对在混合溶剂的涂布前后有无膜厚的减少进行了评价。以混合溶剂涂布前的膜厚为基准，将涂布后的膜厚的减少小于5％的情况评价为“良好”，将膜厚的减少为5％以上的情况评价为“不良”。
将所得到的结果示于表1。
[表1]
耐溶剂性
实施例1 良好
根据该结果，能确认到形成有具有耐溶剂性的薄膜。
<由EUV曝光实现的抗蚀剂图案的形成：正型碱显影>
<<实施例1>>
在通过与上述同样的方法得到的具有薄膜的硅晶片的薄膜上旋涂EUV用抗蚀剂溶液(甲基丙烯酸酯/聚羟基苯乙烯树脂系抗蚀剂)，在110℃下加热1分钟，由此形成EUV抗蚀剂膜(C层)，然后，使用ASML制EUV曝光装置(NXE3400)，在NA＝0.33、σ＝0.63/0.84、四极体(Quadropole)的条件下曝光。
曝光后，进行曝光后加热(PEB，105℃1分钟)，在冷却板上冷却至室温，使用TMAH2.38％显影液进行30秒显影，进行冲洗处理，形成了抗蚀剂图案。
<<比较例1>>
此外，作为比较例1，在未进行任何处理的硅晶片上如上所述地对EUV抗蚀剂制膜，进行了同样的曝光、显影。
然后对于所得到的各图案，通过确认由图案剖面观察得到的图案形状，对能否形成28nm间距、12nm的线图案进行了评价。
在图案形状的观察中，将为从基点(footing)到底切(undercut)之间的形状，且间隔部无明显的残渣的状态评价为“良好”，将抗蚀剂图案倒塌的不佳状态评价为“倒塌”。将所得到的结果示于表2。
[表2]
图案形状
实施例1 良好
比较例1 倒塌
如上所述，能确认到形成有使EUV抗蚀剂良好地析像的薄膜。
工业上的可利用性
根据本发明，能在基板上形成新的薄膜，因此本发明在具有新的薄膜的基板的制造、具有新的薄膜的半导体基板的制造中是有用的。
符号说明
1：基板；
1a：硅晶片；
1b：有机下层膜；
2：薄膜；
2a：气体；
11：原料容纳容器；
12：成膜室；
13：加热器；
14a、14b：配管；
15：排出口；
16：支承台；
17：捕集器；
18：真空泵。

Claims (12)

1.一种具有薄膜的基板，所述基板具有：
所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si-R1基；以及
所述基板，在其表面配置有具有所述Si-R1基的所述薄膜，
Si(R1)(R2)n(R3)3-n ···式(1)
所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同，在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构。
2.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板，其中，
所述具有薄膜的基板是通过使所述式(1)所示的化合物与所述基板的表面接触，进一步使所述化合物进行化学反应而形成的。
3.根据权利要求1或2所述的具有薄膜的基板，其中，
R1中的所述一价有机基团是具有氧原子的碳原子数为1～20的一价有机基团。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的具有薄膜的基板，其中，
所述式(1)中，R1表示下述式(2)所示的一价基团，R2表示所述式(2)所示的一价基团，或是烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、烯基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团或者具有氰基的有机基团、或它们中的两种以上的组合，
所述式(2)中，R4表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，R5表示碳原子数为1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们中的两种以上的组合，X1表示下述式(3)所示的二价基团、式(4)所示的二价基团或式(5)所示的二价基团，
所述式(3)、式(4)以及式(5)中，R6～R10各自独立地表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，*1和*3与所述式(2)中的羰基的碳原子键合，*2和*4与所述式(2)中的氮原子键合。
5.一种半导体基板，所述半导体基板具有：
权利要求1至4中任一项所述的具有薄膜的基板；以及
配置于所述薄膜的上方的抗蚀剂膜。
6.一种具有薄膜的基板的制造方法，所述制造方法包括：
使气体的式(1)所示的化合物与基板的表面接触，进一步使所述化合物进行化学反应，由此在所述基板的所述表面形成具有所述化合物中的Si-R1基的薄膜的工序，
Si(R1)(R2)n(R3)3-n …式(1)
所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同，在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构。
7.根据权利要求6所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，
在所述基板的所述表面形成所述薄膜的工序在成膜室内进行，
所述具有薄膜的基板的制造方法还包括：将在基板表面形成有具有所述Si-R1基的所述薄膜的所述基板从所述成膜室中取出的工序。
8.根据权利要求6或7所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，
R1中的所述一价有机基团是具有氧原子的碳原子数为1～20的一价有机基团。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，
所述式(1)中，R1表示下述式(2)所示的一价基团，R2表示所述式(2)所示的一价基团，或是烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、烯基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团或者具有氰基的有机基团、或它们中的两种以上的组合，
所述式(2)中，R4表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，R5表示碳原子数为1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们中的两种以上的组合，X1表示下述式(3)所示的二价基团、式(4)所示的二价基团或式(5)所示的二价基团，
所述式(3)、式(4)以及式(5)中，R6～R10各自独立地表示氢原子、或碳原子数为1～10的烷基、烯基、环氧基、磺酰基、或者包含它们中的两种以上的一价有机基团，*1和*3与所述式(2)中的羰基的碳原子键合，*2和*4与所述式(2)中的氮原子键合。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法，其中，
包括：将所述式(1)所示的化合物转变成气体的工序。
11.一种半导体基板的制造方法，所述制造方法包括：
使用权利要求6至10中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法制造具有所述薄膜的所述基板的工序；以及
在所述薄膜的上方形成抗蚀剂膜的工序。
12.一种所述式(1)所示的化合物，所述化合物用于如下中的任意者：
权利要求1至4中任一项所述的具有薄膜的基板的制造；
权利要求5所述的半导体基板的制造；
权利要求6至10中任一项所述的具有薄膜的基板的制造方法；以及
权利要求11所述的半导体基板的制造方法。
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