CN116491423A - 一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置 - Google Patents

一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置 Download PDF

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傅淋
陈泽南
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Abstract

本发明公开了一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,涉及甘薯繁殖技术领域,包括电源连接设备,还包括一个底座,电源连接设备设置在底座内,电源连接设备内含有加热丝,所述底座上设有支撑架,所述支撑架上设有一个呈倾斜状态的器皿,所述器皿的外侧壁上设有绝热层,所述器皿内壁上对称设有可以对甘薯组培苗进行热处理的热触片,电源连接设备通过加热丝与热触片连接;以解决现有技术在切段快繁过程中仍不可避免地存在外来菌及内生菌产生二次感染的现象为目的。

Description

一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置
技术领域
本发明涉及甘薯繁殖技术领域,尤其涉及一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置。
背景技术
甘薯是我国重要的粮食、饲料和经济作物,在国民经济中占有重要地位。甘薯主要通过无性繁殖,病毒可通过甘薯薯块和秧苗传播,并不断累积,严重影响甘薯生产,造成产量和品质严重下降;目前,还没有有效的化学方法防治甘薯病毒病;利用甘薯茎尖脱毒繁育技术是防治甘薯病毒病最有效的措施;但是,茎尖脱毒苗培养时间长,通过大田扩繁又存在再次被病毒感染的风险;如何快速、高效扩繁茎尖脱毒苗成为推广应用甘薯脱毒苗的关键环节;通过无菌环境下对茎尖脱毒苗进行切段快繁是较为常用的方法,但在切段快繁过程中仍不可避免地存在外来菌(细菌、真菌等)及内生菌产生二次感染的现象。
发明内容
本发明实施例提供一种甘薯组培快繁方法及应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,以解决背景技术中的问题。
本发明实施例采用下述技术方案:一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,包括电源连接设备,还包括一个底座,电源连接设备设置在底座内,电源连接设备内含有加热丝,所述底座上设有支撑架,所述支撑架上设有一个呈倾斜状态的器皿,所述器皿的外侧壁上设有绝热层,所述器皿内壁上对称设有可以对甘薯组培苗进行热处理的热触片,电源连接设备通过加热丝与热触片连接。
进一步的,所述底座上还设有温度控制器和开关结构,所述温度控制器以及开关结构均与电源连接设备连接。
进一步的,所述器皿呈圆形柱体,其内部为空心状态。
进一步的,所述热触片为圆形凹面贴合在器皿的内壁上,所述热触片为网格状触面,其直径为1.5cm,两个所述热触片直径的间隔为2cm。
本发明中,开关结构用于启动或者停止电源连接设备的运转,在电源连接设备启动时,电源连接设备会通过加热丝对热触片进行加热,而热触片温度通过温度控制器控制在200-250度,超过时自动停止加热,低于时自动启动,保持热触片基本恒温状态。
一种甘薯组培快繁方法,其步骤如下:
步骤1:对实验室进行全面空间消毒,可每立方米用40%甲醛20 mL、高锰酸钾15 g,先将高锰酸钾放入容器内,再注入甲醛溶液,密闭熏蒸24 h,彻底通风后使用。
步骤2: 配制增殖培养基,采用1/2MS增殖培养基,可根据不同品种加入适量的6-BA如0.5mg/L、NAA如0.2mg/L,具体加入量需进行实验确定。
步骤3:超净工作台使用前应用紫外灯照射20 min,使用时打开风机,台面及内壁用75%酒精消毒。用于切段快繁的镊子、剪刀、手术刀等所有器具在1.1 kg/cm2、121℃条件下高压灭菌20 min。每次使用前接触植物材料的部分应灼烧消毒或插入高温灭菌器中灭菌,冷却后使用。
步骤4:操作人员消毒,操作前用肥皂清洗双手,更换消过毒的工作服及鞋帽,佩戴无菌口罩。双手每次进入操作台用75%酒精严格擦拭消毒。
步骤5:切段,选择已生长出6~8片叶片的组培苗,用剪刀或手术刀剪切除叶片后,切成一节一段或两节一段的短枝段。
步骤6:酒精消毒,用75%酒精消毒30s,再用灭菌水漂洗3次,放置于无菌滤纸上。
步骤7:高温消毒,热处理装置提前预热,用镊子夹取枝段中部,在预热好的热处理装置中,每个切口触热1~2s。
步骤8:增殖培养,将热处理后的枝段正向扦插至增殖培养基上,进行继代增殖培养。培养条件一般为:温度25℃~28℃,光照时间每天14 h以上,光照强度2000~3000 LX。一般4~5周后进行转接一次,适时炼苗移栽或再次切段快繁。
本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
本发明设置了一个热处理装置,用于对甘薯组培切段快繁过程中对茎段进行高温灭菌处理,此方法可大大降低甘薯脱毒苗二次污染的几率,提高切段快繁的成苗率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明第一角度立体结构示意图;
图2为本发明第二角度立体结构示意图。
附图标记:底座1、支撑架2、器皿3、绝热层4、热触片5、温度控制器6、开关结构7。
实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
以下结合附图,详细说明本发明各实施例提供的技术方案。
参照图1-图2,本发明实施例提供一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,包括电源连接设备,还包括一个底座1,电源连接设备设置在底座1内,电源连接设备内含有加热丝,所述底座1上设有支撑架2,所述支撑架2上设有一个呈倾斜状态的器皿3,所述器皿3的外侧壁上设有绝热层4,所述器皿3内壁上对称设有可以对甘薯组培苗进行热处理的热触片5,电源连接设备通过加热丝与热触片5连接。
优选的,所述底座1上还设有温度控制器6和开关结构7,所述温度控制器6以及开关结构7均与电源连接设备连接。
优选的,所述器皿3呈圆形柱体,其内部为空心状态。
优选的,所述热触片5为圆形凹面贴合在器皿3的内壁上,所述热触片5为网格状触面,其直径为1.5cm,两个所述热触片5直径的间隔为2cm。
本发明中,开关结构7用于启动或者停止电源连接设备的运转,在电源连接设备启动时,电源连接设备会通过加热丝对热触片5进行加热,而热触片5温度通过温度控制器6控制在200-250度,超过时自动停止加热,低于时自动启动,保持热触片5基本恒温状态。
一种甘薯组培快繁方法,其步骤如下:
步骤1:对实验室进行全面空间消毒,可每立方米用40%甲醛20 mL、高锰酸钾15 g,先将高锰酸钾放入容器内,再注入甲醛溶液,密闭熏蒸24 h,彻底通风后使用。
步骤2: 配制增殖培养基,采用1/2MS增殖培养基,可根据不同品种加入适量的6-BA如0.5mg/L、NAA如0.2mg/L,具体加入量需进行实验确定。
步骤3:超净工作台使用前应用紫外灯照射20 min,使用时打开风机,台面及内壁用75%酒精消毒。用于切段快繁的镊子、剪刀、手术刀等所有器具在1.1 kg/cm2、121℃条件下高压灭菌20 min。每次使用前接触植物材料的部分应灼烧消毒或插入高温灭菌器中灭菌,冷却后使用。
步骤4:操作人员消毒,操作前用肥皂清洗双手,更换消过毒的工作服及鞋帽,佩戴无菌口罩。双手每次进入操作台用75%酒精严格擦拭消毒。
步骤5:切段,选择已生长出6~8片叶片的组培苗,用剪刀或手术刀剪切除叶片后,切成一节一段或两节一段的短枝段。
步骤6:酒精消毒,用75%酒精消毒30s,再用灭菌水漂洗3次,放置于无菌滤纸上。
步骤7:高温消毒,热处理装置提前预热,用镊子夹取枝段中部,在预热好的热处理装置中,每个切口触热1~2s。
步骤8:增殖培养,将热处理后的枝段正向扦插至增殖培养基上,进行继代增殖培养。培养条件一般为:温度25℃~28℃,光照时间每天14 h以上,光照强度2000~3000 LX。一般4~5周后进行转接一次,适时炼苗移栽或再次切段快繁。
以上所述仅为本发明的实施例而已,并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (5)

1.一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,包括电源连接设备,其特征在于,还包括一个底座(1),电源连接设备设置在底座(1)内,电源连接设备内含有加热丝,所述底座(1)上设有支撑架(2),所述支撑架(2)上设有一个呈倾斜状态的器皿(3),所述器皿(3)的外侧壁上设有绝热层(4),所述器皿(3)内壁上对称设有可以对甘薯组培苗进行热处理的热触片(5),电源连接设备通过加热丝与热触片(5)连接。
2.根据权利要求1所述的一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,其特征在于,所述底座(1)上还设有温度控制器(6)和开关结构(7),所述温度控制器(6)以及开关结构(7)均与电源连接设备连接。
3.根据权利要求1所述的一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,其特征在于,所述器皿(3)呈圆形柱体,其内部为空心状态。
4.根据权利要求1所述的一种应用在甘薯组培快繁中的除菌装置,其特征在于,所述热触片(5)为圆形凹面贴合在器皿(3)的内壁上,所述热触片(5)为网格状触面,其直径为1.5cm,两个所述热触片(5)直径的间隔为2cm。
5.一种甘薯组培快繁方法,其步骤如下:
步骤1:在无菌实验室环境下进行作业,对甘薯组培快繁进行配制增殖培养基,对甘薯切段快繁的镊子、剪刀、手术刀等所有器具进行灭菌,操作人员自身进行消毒;
步骤2:切段,选择已生长出6~8片叶片的组培苗,用剪刀或手术刀剪(切)除叶片后,切成一节一段或两节一段的短枝段;
步骤3:酒精消毒,用75%酒精消毒30s,再用灭菌水漂洗3次,放置于无菌滤纸上;
步骤4:高温消毒,热处理装置提前预热,用镊子夹取枝段中部,在预热好的热处理装置中,每个切口触热1~2s;
步骤5:增殖培养,将热处理后的枝段正向扦插至增殖培养基上,进行继代增殖培养,培养条件一般为:温度25℃~28℃,光照时间每天14 h以上,光照强度2000~3000 LX,一般4~5周后进行转接一次,适时炼苗移栽或再次切段快繁。
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