CN116462411A - 一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料及其制备方法与应用。按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉60～100％、陶瓷粉0～40％，玻璃粉和陶瓷粉的质量百分比之和为100％；所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：Bi2O3 70～85％，B2O3 5～15％，ZnO 5～15％，BaO 0～10％，CuO或Fe2O3中的一种或两种的组合共0～5％，以上各成分的质量百分比之和为100％。本发明提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的高温灌封方案，能够实现在300℃甚至350℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求，适用于碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体器件的封装。
Description
技术领域
本发明涉及电子封装材料技术领域，尤其是涉及一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料及其制备方法与应用。
背景技术
功率半导体器件是电动汽车、数据中心、电网、可再生能源处理和消费电子等电力电子应用中实现高效能量转换的关键，并推动了碳化硅(SiC)和氮化镓等宽禁带半导体(WBG)的发展。以Ga2O3为代表的超宽禁带(UWBG)半导体材料也在电力应用方面取得关键性进展。为满足功率半导体器件在高温、高压等环境下稳定工作的要求，要求所用封装材料需同时具备高玻璃化转变温度(tg)、高金属密着力、低吸湿性、低离子浓度等特点。传统的灌封材料以聚合物为主，如环氧树脂、硅树脂和聚酰亚胺等，在温度升高(175-200℃左右)的影响下会发生热降解(分解)，改变其性能，已不能胜任新一代半导体封装的需求。
专利申请号为202211428348.1的中国发明专利提供了有机-无机薄膜叠加的高温灌封方案，能够实现在200℃以及250℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求。专利申请号为202210618233.2的中国发明专利提供了一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其固化物具有高的玻璃化转变温度，且在常温和250℃下均表现出高的弯曲强度。SiC和GaN器件在理论上具有在高达600℃的温度下工作的能力，其中灌封材料较差的高温稳定性是限制器件能力的重要原因。因此，针对新一代宽禁带功率半导体器件，开发高耐热、高击穿电压的新型灌封材料具有重要研究意义和应用价值。
玻璃具有良好的电绝缘性、耐久性、高温稳定性等特性，是宽禁带功率器件灌封材料的理想候选者。经对现有科技文献的检索发现，倾倒500℃熔融铅基玻璃液的方法成功灌封了SiC MOSFET，玻璃封装模块在250℃下浸泡1000小时后，模块的外观和局部击穿电压(PDIV)没有变化。结果表明玻璃封装的高温稳定性远优于高温聚合物，且不影响芯片静态和动态特性。
铅基低熔点玻璃作为传统的半导体封装材料已经广泛应用于半导体器件生产实践中。然而由于玻璃和基底之间不匹配的膨胀系数产生了较大的应力，造成了开裂，为了减轻应力，在玻璃和DBC基板之间添加聚合物缓冲层，但同时降低了模块的耐电压性能。此外较高的灌封温度可能导致器件损坏。同时，铅对人体与环境均有严重危害。绿色、环保、无铅化已成为低温封装玻璃的发展方向。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料及其制备方法与应用，其目的在于通过低熔点铋基玻璃粉和无机陶瓷粉复合，复合粉体与器件一起加热，玻璃粉软化并烧结，完成对宽禁带半导体功率器件的灌封，使得功率器件能够耐受300℃甚至350℃高温，并能够匹配宽禁带功率器件更快的开关速度和更高的击穿电压。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
本发明提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉60～100％、陶瓷粉0～40％，且陶瓷粉不为0，玻璃粉和陶瓷粉的质量百分比之和为100％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，
所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：
Bi2O3 70～85％，
B2O3 5～15％，
ZnO 5～15％，
BaO 0～10％，且不为0
CuO或Fe2O3中的一种或两种的组合共0～5％，且不为0，
以上各成分的质量百分比之和为100％。
在本发明的一个实施方式中，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉和陶瓷粉的质量比为1：(0-0.667)，且陶瓷粉不为0。
在本发明的一个实施方式中，所述陶瓷粉为无机氧化物或氮化物。
在本发明的一个实施方式中，所述陶瓷粉选自熔融二氧化硅、结晶型二氧化硅、气相二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝、碳酸钙、氧化镁、氢氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化硅、碳酸镁、氢氧化钙、黏土、钛酸钡、钛酸铅、硅灰石或滑石粉中的一种或几种。
在本发明的一个实施方式中，所述陶瓷粉中含有熔融二氧化硅，且熔融二氧化硅含量为陶瓷粉总量的50～100wt％，优选90～100wt％。
在本发明的一个实施方式中，所述陶瓷粉平均粒径为0.01～30μm。
在本发明的一个实施方式中，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉粒度为5～20μm。
在本发明的一个实施方式中，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料粒度为5～20μm。
本发明提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料为一种复合粉体材料，所述复合粉体能够在400～450℃之间软化并烧结，烧结后能在350℃温度下保持稳定。
本发明通过低熔点铋基玻璃粉和无机陶瓷粉复合，复合粉体与器件一起加热，玻璃粉软化并烧结，完成对宽禁带半导体功率器件的灌封，使得功率器件能够耐受300℃甚至350℃高温，并能够匹配宽禁带功率器件更快的开关速度和更高的击穿电压。
本发明进一步提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将配方量的组成无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的原料混合均匀，再经过熔制、水淬、球磨，得到无铅多组分铋基低熔点玻璃粉；
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
在本发明的一个实施方式中，步骤(1)所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备包括以下步骤：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:(3～5)，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
本发明还进一步提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的应用，用于宽禁带功率器件灌封，具体方法为：
将所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件一起加热，玻璃粉软化并烧结，完成对宽禁带半导体功率器件的灌封，使得功率器件能够耐受300℃甚至350℃高温，并能够匹配宽禁带功率器件更快的开关速度和更高的击穿电压。
同时在较低温度下实现共烧，减小对器件的损伤，提高灌封成功率。
在本发明的一个实施方式中，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封具体包括以下步骤：
(1)将适量所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至400～450℃，升温速率为5℃/min，保温10～30分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
在本发明的一个实施方式中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件、氮化镓(GaN)基功率器件、氧化锌(ZnO)基功率器件、氧化镓(Ga2O3)基功率器件、金刚石基功率器件等为代表的宽禁带功率半导体器件。
本发明提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的高温灌封方案，能够实现在300℃以及350℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求。玻璃粉能够在400～450℃之间软化并烧结，烧结后能在中350℃温度下保持稳定。但是玻璃本身热膨胀系数(CTE)与功率器件的部件(芯片，键合线等)不匹配，产生较大的应力，容易产生裂缝，影响灌封性能；而无机陶瓷粉的膨胀系数较低，电性能优异，掺入陶瓷粉后能够有效降低复合粉体的膨胀系数，减小应力，并提升击穿强度。因此，这种玻璃与陶瓷粉复合的灌封材料能够使被封装的半导体功率器件在高温下正常运行。同时，这种灌封方案将为未来宽禁带半导体功率器件灌封材料的探索提供更具可行性的参考。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，至少能够取得下列有益效果：
(1)本发明提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体的灌封材料，能够实现在300℃以及350℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求。与常用的聚合物灌封材料相比，这种灌封材料具有良好的耐高温性能，克服了宽禁带功率器件在更高温的工作环境中导致器件模块失效。更重要的是，对于耐温更高，开关速度更快的宽禁带半导体功率器件(例如SiC功率器件)，目前常用的灌封材料仅能支持SiC功率模块在最高175℃下运行，而本申请提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料能使功率器件在高于300℃甚至350℃的高温下持续工作而不失效。
(2)本发明中通过添加无机陶瓷粉降低复合粉体的膨胀系数，减小器件内部的应力，去除玻璃灌封材料所需的聚合物缓冲层，提升了器件整体的击穿强度，提升了器件的耐久性。
(3)本发明提供的多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体的灌封材料无铅材料使用，符合绿色、环保、无铅化已成为低温封装玻璃的发展方向。
附图说明
图1.灌封材料灌封功率器件示意图。
图中标号所示：1、粘结层材料，2、功率半导体芯片，3、灌封材料，4、键合线，5、覆铜陶瓷基板(DBC)；6、底板。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下实施例中的实验方法如无特殊规定，均为常规方法，所涉及的实验试剂及材料如无特殊规定均为常规化学试剂和材料。
实施例1
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉80％、陶瓷粉20％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：83％的Bi2O3，5％的B2O3，6％的ZnO，3％的BaO，3％的CuO。
本实施例中，所述陶瓷粉为熔融二氧化硅。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：83％的Bi2O3，5％的B2O3，6％的ZnO，3％的BaO，3％的CuO，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:3，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉80wt％与20wt％球形熔融二氧化硅的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至450℃，升温速率为5℃/min，保温30分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
灌封材料灌封功率器件的结构示意图如图1所示，底板6上通过粘结层材料1连接覆铜陶瓷基板5，覆铜陶瓷基板5上通过粘结层材料1连接功率半导体芯片2，功率半导体芯片2之间通过键合线4连接，灌封材料3将功率半导体芯片2、键合线4、覆铜陶瓷基板5、底板6均灌装连接在一起。
实施例2
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉74％、陶瓷粉26％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：70％的Bi2O3，15％的B2O3，6％的ZnO，7％的BaO，2％的Fe2O3。
本实施例中，所述陶瓷粉为结晶性二氧化硅。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：70％的Bi2O3，15％的B2O3，6％的ZnO，7％的BaO，2％的Fe2O3，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:5，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉74wt％与26wt％结晶性二氧化硅的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至500℃，升温速率为5℃/min，保温20分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
实施例3
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉75％、陶瓷粉25％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：85％的Bi2O3，5％的B2O3，5％的ZnO，2％的BaO，3％的Fe2O3。
本实施例中，所述陶瓷粉为氧化铝。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：85％的Bi2O3，5％的B2O3，5％的ZnO，2％的BaO，3％的Fe2O3，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:3，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉75wt％与25wt％氧化铝的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至450℃，升温速率为5℃/min，保温10分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
实施例4
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉60％、陶瓷粉40％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：72％的Bi2O3，8％的B2O3，15％的ZnO，5％的CuO。
本实施例中，所述陶瓷粉为氧化镁。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：72％的Bi2O3，8％的B2O3，15％的ZnO，5％的CuO，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:5，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉60wt％与40wt％氧化镁的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至480℃，升温速率为5℃/min，保温30分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
实施例5
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉69％、陶瓷粉31％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：75％的Bi2O3，10％的B2O3，5％的ZnO，5％的BaO，5％的Fe2O3。
本实施例中，所述陶瓷粉为氮化硼。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：75％的Bi2O3，10％的B2O3，5％的ZnO，5％的BaO，5％的Fe2O3，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:4，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉69wt％与31wt％氮化硼的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至490℃，升温速率为5℃/min，保温30分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
实施例6
本实施例提供一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉70％、陶瓷粉30％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：74％的Bi2O3，6％的B2O3，7％的ZnO，10％的BaO，3％的Fe2O3。
本实施例中，所述陶瓷粉为氮化铝。
本实施例提供的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，即按质量百分比为：74％的Bi2O3，6％的B2O3，7％的ZnO，10％的BaO，3％的Fe2O3，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:5，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉，按照低熔点无铅玻璃粉70wt％与30wt％氮化铝的比例混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
本实施例中还提供所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封的应用，具体包括以下步骤：
(1)将50g本实施例所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至500℃，升温速率为5℃/min，保温25分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
本实施例中，所述宽禁带功率器件包括碳化硅(SiC)基功率器件。
实施例1-6所得无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的组成、玻璃转变温度、软化温度、烧结温度、析晶温度、热膨胀系数(30～200℃)、所灌封的宽禁带功率器件击穿强度等如表1所示。
表1
由表1看出，本发明制得的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体的灌封材料，在通过调整配方组成、控制热处理工艺，各实施例样品均有合适的膨胀系数，并且与器件中其他材料有着较好的匹配性。本发明的灌封的宽禁带功率器件，具有良好的高温稳定性，优异的耐击穿性能，可靠性高。
在上述实施例1～6中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，其特征在于，按重量百分比计，包括以下组分：玻璃粉60～100％、陶瓷粉0～40％，且陶瓷粉不为0，玻璃粉和陶瓷粉的质量百分比之和为100％；
所述玻璃粉为无铅多组分铋基低熔点玻璃粉，
所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉组成按质量百分比，由以下组分制成：
Bi2O3 70～85％，
B2O3 5～15％，
ZnO 5～15％，
BaO 0～10％，且不为0
CuO或Fe2O3中的一种或两种的组合共0～5％，且不为0，
以上各成分的质量百分比之和为100％。
2.根据权利要求1所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，其特征在于，所述陶瓷粉选自熔融二氧化硅、结晶型二氧化硅、气相二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝、碳酸钙、氧化镁、氢氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化硅、碳酸镁、氢氧化钙、黏土、钛酸钡、钛酸铅、硅灰石或滑石粉中的一种或几种。
3.根据权利要求2所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，其特征在于，所述陶瓷粉中含有熔融二氧化硅，且熔融二氧化硅含量为陶瓷粉总量的50～100wt％，所述陶瓷粉平均粒径为0.01～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，其特征在于，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉粒度为5～20μm。
5.根据权利要求1所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料，其特征在于，无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料为一种复合粉体材料，所述复合粉体能够在400～450℃之间软化并烧结，烧结后能在350℃温度下保持稳定。
6.权利要求1-5中任一项所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将配方量的组成无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的原料混合均匀，再经过熔制、水淬、球磨，得到无铅多组分铋基低熔点玻璃粉；
(2)按照配比将步骤(1)中所得的无铅多组分铋基低熔点玻璃粉与陶瓷粉混合均匀，即可得到用于灌封宽禁带功率器件的无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料。
7.根据权利要求6所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉的制备包括以下步骤：
(1.1)将无铅多组分铋基低熔点玻璃粉配方量的组成配比准确称量，将其混合均匀后放入高温熔炉中，在1000～1300℃熔制2h，得到高温玻璃熔液；
(1.2)将步骤(1.1)中的所述的高温玻璃熔液倒入去离子水中快速淬冷，形成碎玻璃；
(1.3)将步骤(1.2)中的所述碎玻璃在球磨机中细磨，料球比1:(3～5)，过800目筛，得到粒度为5～20μm的所述无铅多组分铋基低熔点玻璃粉。
8.权利要求1-5中任一项所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的应用，其特征在于，用于宽禁带功率器件灌封，具体方法为：
将所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件一起加热，玻璃粉软化并烧结，完成对宽禁带半导体功率器件的灌封，使得功率器件能够耐受300℃甚至350℃高温，并能够匹配宽禁带功率器件更快的开关速度和更高的击穿电压。
9.根据权利要求8所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的应用，其特征在于，所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料用于宽禁带功率器件灌封具体包括以下步骤：
(1)将适量所述无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料与未灌封的宽禁带功率器件置于封装模具中；
(2)将上述模具置于氮气气氛炉或真空炉中，升温至400～450℃，升温速率为5℃/min，保温10～30分钟，并以2℃/min的速率降至室温。
10.根据权利要求8所述的一种无铅多组分铋基低熔点玻璃与陶瓷粉的复合粉体灌封材料的应用，其特征在于，所述宽禁带功率器件包括碳化硅基功率器件、氮化镓基功率器件、氧化锌基功率器件、氧化镓基功率器件、金刚石基功率器件中的一种或几种。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1780538A (zh) * | 2005-10-20 | 2006-05-31 | 浙江大学 | 平板显示器件封接用的封接框及制备方法 |
| JP2006143480A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス組成物およびＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系封着材料 |
| CN101602573A (zh) * | 2009-07-21 | 2009-12-16 | 中国计量学院 | 一种铋酸盐低熔点无铅封接玻璃材料及其制备方法 |
| CN101723589A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 珠海彩珠实业有限公司 | Pdp封接用无铅低熔点玻璃粉及其制备方法 |
| JP2011084437A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| JP2016199409A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 日本電気硝子株式会社 | 複合粉末材料 |
| CN108883971A (zh) * | 2016-04-01 | 2018-11-23 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃粉末及使用其的密封材料 |
| CN109836046A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 | 一种用于铝碳化硅器件密封封接的玻璃及其封接方法 |
| CN217847937U (zh) * | 2022-08-12 | 2022-11-18 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种玻钝表贴二极管 |
| CN115377275A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 深圳技术大学 | 一种发光二极管器件及封装方法 |
-
2023
- 2023-04-26 CN CN202310463161.3A patent/CN116462411A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143480A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス組成物およびＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系封着材料 |
| CN1780538A (zh) * | 2005-10-20 | 2006-05-31 | 浙江大学 | 平板显示器件封接用的封接框及制备方法 |
| CN101723589A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 珠海彩珠实业有限公司 | Pdp封接用无铅低熔点玻璃粉及其制备方法 |
| CN101602573A (zh) * | 2009-07-21 | 2009-12-16 | 中国计量学院 | 一种铋酸盐低熔点无铅封接玻璃材料及其制备方法 |
| JP2011084437A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| JP2016199409A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 日本電気硝子株式会社 | 複合粉末材料 |
| CN108883971A (zh) * | 2016-04-01 | 2018-11-23 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃粉末及使用其的密封材料 |
| CN109836046A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 | 一种用于铝碳化硅器件密封封接的玻璃及其封接方法 |
| CN115377275A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 深圳技术大学 | 一种发光二极管器件及封装方法 |
| CN217847937U (zh) * | 2022-08-12 | 2022-11-18 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种玻钝表贴二极管 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 吕乃康: "厚膜混合集成电路", 30 June 1990, 西安：西安交通大学, pages: 10 * |
| 沈鸿才: "结构陶瓷即应用", 30 April 1988, 北京：国防工业出版社, pages: 115 * |
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