CN116334737A - 一种碳化硅废料液相法回收用坩埚、回收装置及回收方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳化硅废料液相法回收用坩埚、回收装置及回收方法，涉及碳化硅晶体制备领域。该碳化硅废料液相法回收用坩埚包括石墨坩埚及石墨内衬，石墨内衬设置于石墨坩埚的内部，石墨内衬围成顶部开口的生长腔室，生长腔室用于容置硅料，石墨内衬的外表面与石墨坩埚的内表面围成废料夹腔，废料夹腔用于容置合金废料，石墨内衬上贯穿设置有多个漏孔，废料夹腔通过多个漏孔与生长腔室连通。本发明提供的碳化硅废料液相法回收用坩埚能够利用液相法对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅晶体制备领域，具体而言，涉及一种碳化硅废料液相法回收用坩埚、回收装置及回收方法。
背景技术
液相法作为碳化硅晶体生长的常用工艺，其原理是将原料液容置于石墨坩埚内，对石墨坩埚进行加热，使籽晶与原料液内部形成温差，溶质在原料液内部溶解后在籽晶上析出碳化硅晶体。
原料液中含有金属成分，在液相法生长碳化硅晶体结束后，石墨坩埚内会残留合金废料，合金废料中含有未反应的硅、碳以及未有效生长的碳化硅颗粒。
由于目前市面上缺乏对合金废料中的硅、碳及碳化硅合理的回收方式，直接投入原料液中参与新的液相生长又将附着在石墨坩埚内表面上，从而影响石墨坩埚的正常溶解，导致晶体无法稳定生长。因此在液相法工艺结束后，通常直接丢弃合金废料，造成晶体原料的浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅废料液相法回收用坩埚，其能够利用液相法对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
本发明的另一目的在于提供一种碳化硅废料液相法回收装置，其能够利用液相法对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
本发明的又一目的在于提供一种碳化硅废料液相法回收方法，其能够对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
本发明提供一种技术方案：
一种碳化硅废料液相法回收用坩埚，包括石墨坩埚及石墨内衬，所述石墨内衬设置于所述石墨坩埚的内部，所述石墨内衬围成顶部开口的生长腔室，所述生长腔室用于容置硅料，所述石墨内衬的外表面与所述石墨坩埚的内表面围成废料夹腔，所述废料夹腔用于容置合金废料，所述石墨内衬上贯穿设置有多个漏孔，所述废料夹腔通过多个所述漏孔与所述生长腔室连通。
进一步地，所述石墨坩埚包括顶部开口的埚体以及封盖所述埚体的顶盖，所述石墨内衬套设于所述埚体的内部，且所述顶盖上贯穿设置有与所述生长腔室连通的籽晶杆通道。
进一步地，所述石墨内衬包括内衬侧板与内衬底板，所述内衬侧板的一端与所述内衬底板的周缘连接，并共同围成所述生长腔室，所述内衬侧板远离所述内衬底板的一端与所述顶盖连接，所述内衬侧板与所述内衬底板上均贯穿设置有所述漏孔。
进一步地，所述内衬侧板与所述埚体的内侧壁之间形成侧部间隙，所述内衬底板与所述埚体的内底壁之间形成底部间隙，所述侧部间隙与所述底部间隙连通形成所述废料夹腔。
进一步地，所述侧部间隙与所述底部间隙的宽度均处于5mm至10mm的范围内。
进一步地，所述漏孔为孔径处于0.1mm至0.5mm的范围内的圆形孔。
进一步地，所述石墨内衬的厚度处于3mm至5mm的范围内。
进一步地，所述石墨坩埚的壁厚处于10mm至15mm的范围内。
本发明还提供一种碳化硅废料液相法回收装置，包括籽晶杆、保温层、加热器及前述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，所述碳化硅废料液相法回收用坩埚，包括石墨坩埚及石墨内衬，所述石墨内衬设置于所述石墨坩埚的内部，所述石墨内衬围成顶部开口的生长腔室，所述生长腔室用于容置硅料，所述石墨内衬的外表面与所述石墨坩埚的内表面围成废料夹腔，所述废料夹腔用于容置合金废料，所述石墨内衬上贯穿设置有多个漏孔，所述废料夹腔通过多个所述漏孔与所述生长腔室连通。所述籽晶杆用于固定碳化硅籽晶，并带动所述碳化硅籽晶伸入所述生长腔室，所述保温层包覆在所述石墨坩埚的外表面，所述加热器设置于所述保温层的外侧部。
本发明还提供一种碳化硅废料液相法回收方法，应用于前述的碳化硅废料液相法回收装置，所述碳化硅废料液相法回收装置包括籽晶杆、保温层、加热器及碳化硅废料液相法回收用坩埚，所述碳化硅废料液相法回收用坩埚包括石墨坩埚及石墨内衬，所述石墨内衬设置于所述石墨坩埚的内部，所述石墨内衬围成顶部开口的生长腔室，所述生长腔室用于容置硅料，所述石墨内衬的外表面与所述石墨坩埚的内表面围成废料夹腔，所述废料夹腔用于容置合金废料，所述石墨内衬上贯穿设置有多个漏孔，所述废料夹腔通过多个所述漏孔与所述生长腔室连通。所述籽晶杆用于固定碳化硅籽晶，并带动所述碳化硅籽晶伸入所述生长腔室，所述保温层包覆在所述石墨坩埚的外表面，所述加热器设置于所述保温层的外侧部。所述回收方法包括：
将合金废料与所述石墨内衬依次置入所述石墨坩埚的内部，以使所述合金废料填充于由所述石墨内衬的外表面与所述石墨坩埚的内表面围成的所述废料夹腔内；
将硅料置入所述石墨内衬围成的所述生长腔室内；
启动所述加热器，以使所述硅料熔化形成硅熔体后经由所述漏孔流入所述废料夹腔，并使所述合金废料中残留的碳在所述硅熔体中溶解，使所述合金废料中残留的硅熔化后扩散至所述硅熔体中，使所述合金废料中残留的碳化硅熔化，并分解成碳和硅扩散至所述硅熔体中；
将固定有碳化硅籽晶的所述籽晶杆由所述生长腔室伸入所述硅熔体中进行碳化硅晶体生长。
相比现有技术，本发明提供的碳化硅废料液相法用坩埚，在实际应用中，将合金废料置于废料夹腔后，将该碳化硅废料液相法用坩埚直接应用于液相法工艺。硅料在生长腔室内熔化后通过漏孔进入废料夹腔，以使所述硅熔体溶解所述合金废料中残留的碳，并使合金废料中残留的硅熔化并扩散至硅熔体中，使合金废料中残留的碳化硅熔化后分解成碳和硅扩散至硅熔体中。从而在温差作用下使得硅熔体中的硅与碳以原子状态在籽晶上排布成碳化硅晶体，实现对合金废料中晶体原料残留的回收。而合金废料中的合金固体则被石墨内衬阻隔在废料夹腔中，无法进入生长腔室，从而无法附着在石墨内衬的内表面上，即不会对石墨内衬的正常溶解造成影响，保证碳化硅晶体稳定生长。因此，本发明提供的碳化硅废料液相法用坩埚能够利用液相法对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的实施例提供的碳化硅废料液相法回收装置的部分结构剖视图；
图2为本发明的实施例提供的碳化硅废料液相法回收装置在实际应用中的部分结构剖视图；
图3为本发明的实施例提供的碳化硅废料液相法回收方法的流程框图。
图标：10-碳化硅废料液相法回收装置；11-保温层；12-加热器；100-碳化硅废料液相法回收用坩埚；110-石墨坩埚；111-埚体；112-顶盖；113-籽晶杆通道；120-石墨内衬；121-生长腔室；122-内衬侧板；123-内衬底板；130-废料夹腔；200-合金废料；300-硅熔体。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细说明。
实施例
请结合参阅图1及图2，图1所示为本实施例提供的碳化硅废料液相法回收装置10的部分结构剖视图，图2所示为该碳化硅废料液相法回收装置10在实际应用中的部分结构剖视图。
本实施例提供的碳化硅废料液相法回收装置10，包括碳化硅废料液相法回收用坩埚100、籽晶杆、保温层11及加热器12，保温层11包覆在碳化硅废料液相法回收用坩埚100的外表面，加热器12设置在保温层11的外侧部，籽晶杆用于固定籽晶，并带动籽晶伸入碳化硅废料液相法回收用坩埚100内以生长碳化硅晶体。
该碳化硅废料液相法回收用坩埚100包括石墨坩埚110及石墨内衬120，石墨内衬120设置于石墨坩埚110的内部，石墨内衬120围成顶部开口的生长腔室121，生长腔室121用于容置硅料，石墨内衬120的外表面与石墨坩埚110的内表面围成废料夹腔130，废料夹腔130用于容置合金废料200，石墨内衬120上贯穿设置有多个漏孔(图中未示出)，废料夹腔130通过多个漏孔与生长腔室121连通。
在实际应用中，将待回收的合金废料200置于废料夹腔130中，并将硅料置于生长腔室121后，启动加热器12对石墨坩埚110进行加热，使得生长腔室121中的硅料熔化成为硅熔体300。
硅熔体300通过漏孔进入废料夹腔130后，溶解合金废料200中残留的碳溶解，并使合金废料200中残留的硅熔化后扩散至所述硅熔体300中，使合金废料200中残留的碳化硅熔化，并分解成碳和硅扩散至硅熔体300中。通过籽晶棒将籽晶浸入硅熔体300后，硅熔体300中的硅与碳在籽晶表面排布，从而在籽晶表面析出碳化硅晶体，实现对合金废料200中晶体原料残留的回收。
而合金废料200中的合金固体则被石墨内衬120阻隔在废料夹腔130中，无法进入生长腔室121，从而无法附着在石墨内衬120的内表面上，即不会对石墨内衬120的正常溶解造成影响，保证碳化硅晶体稳定生长。因此，本发明提供的碳化硅废料液相法用坩埚能够利用液相法对合金废料200中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
可以理解的是，在加热器12的加热作用下，合金废料200中残留的硅不可避免的会与石墨内衬120的外表面反应生成碳化硅，这部分生成的碳化硅会在硅熔体300进入废料夹腔130后，熔化并分解呈硅原子与碳原子扩散至硅熔体300内。
石墨坩埚110包括顶部开口的埚体111以及封盖埚体111的顶盖112，顶盖112设置有与生长腔室121连通的籽晶杆通道113。本实施例中，埚体111与石墨内衬120均为顶部开口的桶状结构，在将石墨内衬120套设于埚体111内部的情况下，石墨内衬120的外侧壁与埚体111的内侧壁相对应，石墨内衬120的外底壁与埚体111的内底壁相对应。在晶体生长过程中，将籽晶杆上固定由籽晶的一端由顶盖112上的籽晶杆通道113伸入石墨内衬120围成的生长腔室121。
具体的，本实施例中的石墨内衬120包括内衬侧板122与内衬底板123，内衬侧板122的一端与内衬底板123的周缘连接，并共同围成生长腔室121，内衬侧板122远离内衬底板123的一端与顶盖112连接，内衬侧板122与内衬底板123上均贯穿设置有漏孔。
为了方便安装时的定位，内衬侧板122远离内衬底板123的一端与顶盖112的连接方式为固定连接，二者连接为一个整体结构。在以顶盖112封盖埚体111开口时，石墨内衬120随动伸入埚体111内部并与埚体111的内表面围成废料夹腔130。在实际应用中，在将合金废料200装入埚体111内部后，将顶盖112封盖在埚体111顶部的状态下，合金废料200自然处于石墨内衬120与埚体111共同围成的废料夹腔130内。
可以理解的是，在其他实施例中，内衬侧板122远离内衬底板123的一端与顶盖112的连接方式也可以为可拆卸连接，以方便更换石墨内衬120。甚至，在另外的实施例中，内衬侧板122远离内衬底板123的一端与顶盖112的连接方式也可以为抵接，即内衬侧板122与顶盖112靠近内衬底板123的一侧相抵持。
本实施例中，为了提升回收效率并保证回收彻底，埚体111的内侧壁与内底壁均参与围成废料夹腔130。具体的，内衬侧板122与埚体111的内侧壁之间形成侧部间隙，内衬底板123与埚体111的内底壁之间形成底部间隙，侧部间隙与底部间隙连通形成废料夹腔130。
本实施例中，为了提升回收效果并提升回收效率，将待回收的合金废料200放入埚体111之前，将合金废料200破碎处理成粉末状，得到多个颗粒状的合金废料200。保证硅熔体300由漏孔进入废料夹腔130后，颗粒状的合金废料200能够充分浸没在硅熔体300内。
可以理解的是，对合金废料200进行破碎处理时，需要保证破碎后得到的合金废料200颗粒的粒径大于漏孔的孔径，避免合金废料200颗粒由漏孔进入生长腔室121。
在封盖顶盖112之前，可以在石墨内衬120与埚体111之间填入合金废料200，即使得侧部间隙与底壁间隙内均填充有颗粒状合金废料200。本实施例中，侧部间隙在竖直方向上，由底部间隙延伸至顶盖112。在实际应用中，部分合金废料200填充在侧部间隙内并延伸至生长腔室121中的硅熔体300液面之上时，硅熔体300在侧部间隙内能够沿侧部间隙向上蔓延，保证合金废料200的这部分结构也能够被硅熔体300浸没，提升空间利用率。
可以理解的是，在硅熔体300由内衬侧板122与内衬底板123上的漏孔进入废料夹腔130时，合金废料200与硅熔体300接触充分，使得合金废料200中残留的硅、碳及碳化硅能够充分暴露并扩散进入硅熔体300，提升反应的效率以及充分性。
并且，为了保证硅熔体300进入废料夹腔130后，能够快速到达废料合金的不同位置，进一步提升反应效果，本实施例中，内衬侧板122与内衬底板123的外表面上均凹设有多个过流凹槽(图中未示出)，过流凹槽与至少部分漏孔连通。
在实际应用中，当硅料在生长腔室121内熔化形成硅熔体300后，硅熔体300由多个漏孔进入废料夹腔130后，能够沿多个过流凹槽快速并充分的填充废料夹腔130。
在另外的实施例中，在内衬侧板122与内衬底板123的外表面上均凸设有多个凸起结构，替代本实施例中的过流凹槽。同样的，凸起结构能够抵持合金废料200的表面，从而保证合金废料200的表面与石墨内衬120的外表面之间形成通畅的流道，达到方便硅熔体300快速填充废料夹腔130的效果。
本实施例中，侧部间隙与底部间隙的宽度均处于5mm至10mm的范围内。换言之，在将合金废料200填充于废料夹腔130中的状态下，合金废料200的最大堆积厚度处于5mm至10mm的范围内。
为了保证硅熔体300能够顺畅流过，同时避免漏孔占用石墨内衬120过多的表面积而影响石墨内衬120参与反应，本实施例中，漏孔为孔径处于0.1mm至0.5mm的范围内的圆形孔。需要说明的是，合金废料200破碎后的颗粒粒径大于漏孔的孔径，本实施例中优选粒径处于1mm至5mm的范围内。
另外，考虑到避免石墨内衬120占用埚体111内部过多空间，并防止石墨内衬120快速消耗，本实施例中，石墨内衬120的厚度处于3mm至5mm的范围内。并且，本实施例中的石墨坩埚110的壁厚处于10mm至15mm的范围内。
综上，本实施例提供的碳化硅废料液相法回收装置10，能够利用液相法对合金废料200中的晶体原料残留进行回收，并能够防止合金废料200中的金属附着石墨内衬120的内表面，保证石墨内衬120能够正常溶解，从而保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
请参阅图3，图3所示为本实施例提供的碳化硅废料液相法回收方法的流程框图。该碳化硅废料液相法回收方法应用于前述的碳化硅废料液相法回收装置10，能够实现对合金废料200中的晶体原料回收的同时保证晶体稳定生长。具体的，该回收方法包括以下步骤：
步骤S101，将合金废料200与石墨内衬120依次置入石墨坩埚110的内部，以使合金废料200填充于由石墨内衬120的外表面与石墨坩埚110的内表面围成的废料夹腔130内。
在实际应用中，进行上料之前，埚体111处于敞开状态，先将整形后的合金废料200装入埚体111内部，之后将石墨内衬120置入埚体111内部，使得合金废料200处于石墨内衬120与埚体111围成的废料夹腔130内。
需要说明的是，为了提升回收效率，本实施例中，在执行步骤S101之前，先对合金废料200进行破碎处理，并保证破碎后的合金废料200的粒径大于漏孔的孔径，本实施例中，漏孔的孔径为处于0.1mm至0.5mm的范围内，合金废料200的粒径处于1mm至5mm的范围内。
步骤S102，将硅料置入石墨内衬120围成的生长腔室121内。
步骤S103，启动加热器12，以使硅料熔化形成硅熔体300后经由漏孔流入废料夹腔130，以使硅熔体300溶解合金废料200中残留的碳，并使合金废料200中残留的硅熔化后扩散至硅熔体300中，使合金废料200中残留的碳化硅熔化，并分解成碳和硅扩散至硅熔体300中。
启动加热器12后，硅料熔化形成硅熔体300后，由漏孔流入废料夹腔130，合金废料200中残留的硅在高温下熔化并与硅熔体300混合，从而以原子状态存在于硅熔体300中；合金废料200中的碳在硅熔体300中溶解，从而以原子状态存在于硅熔体300中；合金废料200中的碳化硅熔化，并分解形成硅原子及碳原子扩散入硅熔体300中。
步骤S104，将固定有碳化硅籽晶的籽晶杆由生长腔室121伸入硅熔体300中进行碳化硅晶体生长。
受温度差异作用，硅熔体300在籽晶表面析出碳化硅晶体，实现对合金废料200中残留的硅、碳及碳化硅的晶体废料的回收再利用。并通过石墨内衬120将合金成分隔离在合金腔室内，保证碳化硅晶体生长稳定进行。
综上，本实施例提供的碳化硅废料液相法回收方法，能够利用液相法对合金废料200中的晶体原料残留进行回收，并能够防止合金废料200中的金属附着石墨内衬120的内表面，保证石墨内衬120能够正常参与反应，从而保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，包括石墨坩埚(110)及石墨内衬(120)，所述石墨内衬(120)设置于所述石墨坩埚(110)的内部，所述石墨内衬(120)围成顶部开口的生长腔室(121)，所述生长腔室(121)用于容置硅料，所述石墨内衬(120)的外表面与所述石墨坩埚(110)的内表面围成废料夹腔(130)，所述废料夹腔(130)用于容置合金废料(200)，所述石墨内衬(120)上贯穿设置有多个漏孔，所述废料夹腔(130)通过多个所述漏孔与所述生长腔室(121)连通。
2.根据权利要求1所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚(110)包括顶部开口的埚体(111)以及封盖所述埚体(111)的顶盖(112)，所述石墨内衬(120)套设于所述埚体(111)的内部，且所述顶盖(112)上贯穿设置有与所述生长腔室(121)连通的籽晶杆通道(113)。
3.根据权利要求2所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述石墨内衬(120)包括内衬侧板(122)与内衬底板(123)，所述内衬侧板(122)的一端与所述内衬底板(123)的周缘连接，并共同围成所述生长腔室(121)，所述内衬侧板(122)远离所述内衬底板(123)的一端与所述顶盖(112)连接，所述内衬侧板(122)与所述内衬底板(123)上均贯穿设置有所述漏孔。
4.根据权利要求3所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述内衬侧板(122)与所述埚体(111)的内侧壁之间形成侧部间隙，所述内衬底板(123)与所述埚体(111)的内底壁之间形成底部间隙，所述侧部间隙与所述底部间隙连通形成所述废料夹腔(130)。
5.根据权利要求4所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述侧部间隙与所述底部间隙的宽度均处于5mm至10mm的范围内。
6.根据权利要求1所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述漏孔为孔径处于0.1mm至0.5mm的范围内的圆形孔。
7.根据权利要求1所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述石墨内衬(120)的厚度处于3mm至5mm的范围内。
8.根据权利要求1所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚(110)的壁厚处于10mm至15mm的范围内。
9.一种碳化硅废料液相法回收装置，其特征在于，包括籽晶杆、保温层(11)、加热器(12)及如权利要求1-8任一项所述的碳化硅废料液相法回收用坩埚(100)，所述籽晶杆用于固定碳化硅籽晶，并带动所述碳化硅籽晶伸入所述生长腔室(121)，所述保温层(11)包覆在所述石墨坩埚(110)的外表面，所述加热器(12)设置于所述保温层(11)的外侧部。
10.一种碳化硅废料液相法回收方法，应用于如权利要求9所述的碳化硅废料液相法回收装置(10)，其特征在于，所述回收方法包括：
将合金废料(200)与所述石墨内衬(120)依次置入所述石墨坩埚(110)的内部，以使所述合金废料(200)填充于由所述石墨内衬(120)的外表面与所述石墨坩埚(110)的内表面围成的所述废料夹腔(130)内；
将硅料置入所述石墨内衬(120)围成的所述生长腔室(121)内；
启动所述加热器(12)，以使所述硅料熔化形成硅熔体(300)后经由所述漏孔流入所述废料夹腔(130)，以使所述硅熔体(300)溶解所述合金废料(200)中残留的碳，并使所述合金废料(200)中残留的硅熔化后扩散至所述硅熔体(300)中，使所述合金废料(200)中残留的碳化硅熔化，并分解成碳和硅扩散至所述硅熔体(300)中；
将固定有碳化硅籽晶的所述籽晶杆由所述生长腔室(121)伸入所述硅熔体(300)中进行碳化硅晶体生长。
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