CN217757756U - 碳化硅生长装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种碳化硅生长装置，包括：生长坩埚，生长坩埚的顶部设置有籽晶；内坩埚，内坩埚设于生长坩埚内，内坩埚包括坩埚本体和过滤件，坩埚本体限定出用于承载粉料的容纳腔，容纳腔的顶部敞开，过滤件设置于容纳腔内，过滤件与容纳腔的底壁间隔开，以限定出过滤腔，过滤件上均匀设置有适于杂质颗粒从容纳腔进入至过滤腔的通孔一。本实用新型的碳化硅生长装置，通过在生长坩埚内设置内坩埚，碳化硅粉料放置于内坩埚内，避免了传统装置中碳化硅粉料与生长坩埚直接接触，减少碳化硅粉料的碳化，有效解决粉料不能充分利用的问题。同时，内坩埚的容纳腔内设置有过滤件，可以使晶体均匀生长的同时减少其中的杂质含量，从而提升晶体质量。

Description

碳化硅生长装置

技术领域

本实用新型涉及碳化硅技术领域，具体为碳化硅生长装置。

背景技术

目前SiC单晶生长方法应用最广泛的是PVT技术，其采用石墨坩埚作为反应容器，采用SiC晶片作为籽晶，在石墨坩埚内装有SiC粉末作为生长原料，籽晶被固定在石墨坩埚顶部。通过控制石墨坩埚内的生长温度、压力，生长原料分解成气相组分SimCn后，在石墨坩埚内部轴向温度梯度的驱动下输运到籽晶处结晶生长SiC晶体。

整个长晶过程采用感应加热的方式，将石墨坩埚加热后，主要利用热传导将热量传递给碳化硅粉料，之后碳化硅粉料升华。但是传统的装置存在缺陷，由于主要依靠坩埚壁的热传导，导致靠近坩埚壁的碳化硅粉料温度高升华快，因碳化硅粉料的受热不均使得中心粉料开始升华时，外围粉料已经开始部分碳化，一方面导致粉料不能充分利用，另一方面碳化颗粒将成为杂质会形成含有碳包裹的杂质，引起微管，螺旋位错等缺陷产生，导致晶体质量降低。

实用新型内容

针对上述存在的技术不足，本实用新型的目的是提供一种碳化硅生长装置，以解决背景技术中提出的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提供一种碳化硅生长装置，包括：

生长坩埚，所述生长坩埚的顶部设置有籽晶；

内坩埚，所述内坩埚设于所述生长坩埚内，所述内坩埚包括坩埚本体和过滤件，所述坩埚本体限定出用于承载粉料的容纳腔，所述容纳腔的顶部敞开，所述过滤件设置于所述容纳腔内，所述过滤件与所述容纳腔的底壁间隔开，以限定出过滤腔，所述过滤件上均匀设置有适于杂质颗粒从容纳腔进入至过滤腔的通孔一。

在本实用新型的一些实施例中，所述碳化硅生长装置还包括存储仓和转动设置的支撑轴，所述存储仓设置在所述生长坩埚的底部，所述支撑轴内限定出适于杂质颗粒通过的通道，所述通道的一端与所述容纳腔相连通，所述通道的另一端与所述存储仓相连通。

在本实用新型的一些实施例中，所述内坩埚包括第一坩埚和第二坩埚，所述第一坩埚和所述第二坩埚沿着轴向间隔排列，所述支撑轴限定出适于杂质颗粒通过的第一通道和第二通道，所述第一通道的一端与所述第一坩埚的过滤腔连通，所述第一通道的另一端与所述存储仓连通，所述第二通道的一端与所述第二坩埚的过滤腔连接，所述第二通道的另一端与所述第一坩埚的过滤腔连通。

在本实用新型的一些实施例中，所述内坩埚还包括在所述第一坩埚和所述第二坩埚之间轴向间隔设置的第三坩埚，所述支撑轴限定出适于杂质颗粒通过的第三通道，所述第三坩埚通过第三通道分别与所述的第一通道和所述第二通道相连通。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一坩埚、所述第二坩埚和所述第三坩埚同轴设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一坩埚、所述第二坩埚和所述第三坩埚中所对应过滤腔的底部呈凹弧形结构或者圆锥状结构。

在本实用新型的一些实施例中，沿着所述生长坩埚的底部到顶部的轴向方向，所述第一坩埚、所述第三坩埚和所述第二坩埚各自对应地所述容纳腔的敞开口面积逐渐减小。

在本实用新型的一些实施例中，所述碳化硅生长装置还包括搅拌组件，所述搅拌组件的一端设置在所述生长坩埚的底壁，所述搅拌组件的另一端伸入所述内坩埚的容纳腔内。

在本实用新型的一些实施例中，所述搅拌组件包括第一搅拌件和第二搅拌件，所述第一搅拌件和所述第二搅拌件分别设置在所述内坩埚相对于地两侧，所述第一搅拌件和所述第二搅拌件内分别限定出气体流动的第一管道和第二管道，所述第一管道的一端及所述第二管道的一端分别设置在所述内坩埚的容纳腔内，所述第一管道的另一端及所述第二管道的另一端与外部气源连通。

在本实用新型的一些实施例中，所述碳化硅生长装置还包括匀气板，所述匀气板设置在所述籽晶与所述内坩埚之间，所述匀气板固定于所述支撑轴的顶部，所述匀气板上均匀开设有供气态碳化硅通过的通孔二。

本实用新型的有益效果在于：

(1)本实用新型的碳化硅生长装置，通过在生长坩埚内设置内坩埚，碳化硅粉料放置于内坩埚内，内坩埚与生长坩埚不接触，避免了传统装置中碳化硅粉料与生长坩埚直接接触，由于依靠生长坩埚壁的热传导，导致碳化硅粉料受热不均，靠近生长坩埚壁的温度高升华快，当位于中心的碳化硅粉料开始升华时，外围粉料已经开始部分碳化，导致粉料不能充分利用的问题。同时可以大大减少碳化颗粒会导致形成含有碳包裹的杂质，引起微管，螺旋位错等缺陷产生，导致晶体质量降低的问题。同时，内坩埚的容纳腔内设置有过滤件，碳化硅粉料碳化后，粒径大大减小，可以从通孔一中落入过滤腔中，从而与碳化硅粉料分离开。

(2)本实用新型的碳化硅生长装置还包括转动设置的支撑轴，支撑轴用于支撑内坩埚，支撑轴内限定出适于杂质颗粒通过的通道，通道的一端与容纳腔相连通，通道的另一端与存储仓相连通。落入到过滤腔内的杂质颗粒，经过支撑轴内的通道落入到存储仓内，如此，可以及时地将碳化颗粒分离出生长坩埚，避免过滤腔内碳化颗粒的堆积造成拥堵的问题，使得晶体均匀生长的同时减少其中的杂质含量，从而提升晶体质量。

(3)本实用新型的一些实施例中，内坩埚包括在第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，将碳化硅粉料置于三个坩埚内同时进行加热，增大热量热传导的面积，使得碳化硅粉料受热比较均匀，可以提升加热速度和效率。同时第一坩埚、第三坩埚和第二坩埚从下至上敞开口面积逐渐减小，有利于升华碳化硅气体的顺利上升。

(4)本实用新型的一些实施例中，生长坩埚内还安装有搅拌组件，搅拌组件用于对各个内坩埚容纳的碳化硅粉料进行搅拌。通过对内坩埚内部的碳化硅粉料进行不断搅拌，避免在加热过程中粉料凝结成团，使粉料受热和升华速率更加均匀。搅拌组件的设置，工作时，搅拌组件不动，通过内坩埚的转动来实现搅拌的效果，可以对不同深度、不同位置的碳化硅粉料进行搅拌，确保碳化硅粉料能够完全搅拌均匀，同时可以加快碳化后的杂质颗粒进入过滤腔中。

(5)本实用新型的一些实施例中，搅拌组件的第一搅拌件和第二搅拌件内分别限定出气体流动的第一管道和第二管道，第一管道的一端及第二管道的一端分别设置在内坩埚的容纳腔内，第一管道的另一端及第二管道的另一端与外部气源连通。外部气源为惰性气体或者腐蚀气体，惰性气体可以为氩气，通过向内坩埚通入惰性气体，调节生长坩埚内部气流，促进碳化硅粉料升华，增加生长坩埚下部压强，在生长坩埚内部形成轴向压力梯度，提升蒸气上升速度。通过通入腐蚀气体，可以防止通孔一堵塞。

(6)本实用新型的一些实施例中，还包括匀气板，匀气板设置在籽晶与内坩埚之间，匀气板固定于支撑轴的顶部，匀气板上均匀开设有供气态碳化硅通过的通孔二。如此，支撑轴转动的同时，带动匀气板转动，气态碳化硅通过匀气板上的通孔二进入生长坩埚上部，并在籽晶上进行长晶，同时匀气板转动，能够使气态碳化硅分布更加均匀，从而提高晶体质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的内坩埚为一个时，碳化硅生长装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的内坩埚为两个时，碳化硅生长装置的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的内坩埚为三个时，碳化硅生长装置的结构示意图；

图4为本实用新型另一实施例提供的内坩埚为三个时，碳化硅生长装置的结构示意图；

图5为本实用新型另一实施例提供的内坩埚为三个时，内坩埚布置方式示意图；

图6为图3中第二坩埚的放大图；

图7为本实用新型中支撑轴顶部与匀气板固定轴连接处的爆炸图；

图8为本实用新型中第一搅拌件和第二搅拌件的示意图。

附图标记说明：

碳化硅生长装置100、保温层200、石英管300、感应线圈400；

生长坩埚10、籽晶11；

内坩埚20、坩埚本体21、过滤件22、容纳腔211、通孔一221、过滤腔222、第一坩埚23、第二坩埚24、第三坩埚25；

存储仓30；

支撑轴40、通道41、第一通道411、第二通道412、第三通道413、插槽42、保护管件43；

动力机构50、驱动电机51、传动机构52；

搅拌组件60、第一搅拌件61、第一管道611、第二搅拌件62、第二管道621；

匀气板70、通孔二71、固定轴72、插块721。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：

下面参考图1-图8描述根据实用新型实施例的碳化硅生长装置100，用于制备碳化硅晶体。

参考图1所示，碳化硅生长装置100设置于真空炉(图中未画出)中，碳化硅生长装置100的外侧设置有保温层200，碳化硅生长装置100设置在石英管300内，石英管300的外侧环绕感应线圈400，通过感应线圈400对碳化硅生长装置100进行加热，真空炉中保温层200、石英管300和感应线圈400为本领域技术人员熟知，不属于本实用新型的改进点，故不一一详述。

参考图1所示，根据实用新型实施例的碳化硅生长装置100，包括生长坩埚10和内坩埚20，生长坩埚10的顶部设置有籽晶11；内坩埚20设于生长坩埚10内，内坩埚20包括坩埚本体21和过滤件22，坩埚本体21限定出用于承载碳化硅粉料的容纳腔211，容纳腔 211的顶部敞开，过滤件22设置于容纳腔211内，过滤件22与容纳腔211的底壁间隔开，以限定出过滤腔222，过滤件22上均匀设置有适于杂质颗粒从容纳腔211进入至过滤腔222 的通孔一221。碳化硅粉料的粒径大于通孔一221的直径，杂质颗粒的粒径小于通孔一221 的直径，如此碳化硅粉料留在过滤件22上方，而杂质颗粒通过通孔一221进入到过滤腔222 中。通常情况下，碳化硅粉料粒径一般为20-80目，杂质颗粒粒径一般为100-120目。在本实用新型的一些实施例中，通孔一221的直径为80-120目，进一步地，通孔一221的直径为80-100目。

可以理解的是，本实施例的碳化硅长晶过程采用感应加热的方式，通过感应线圈400 来实现，将生长坩埚10加热后，生长坩埚10的热量利用热传导传递给碳化硅粉料。之后碳化硅粉料升华，并在籽晶11上逐渐生成碳化硅晶体。碳化硅粉料放置于内坩埚20内，内坩埚20与生长坩埚10不接触，在感应线圈400的作用下，该碳化硅生长装置100内的生长坩埚10和内坩埚20会发热，在生长坩埚10的热辐射和内坩埚20热传导二者共同作用下，将热量及时地传递给碳化硅粉料，使得碳化硅粉料受热比较均匀，以此提高粉料的利用率，避免由于受热不均出现部分碳化硅粉料碳化，减少碳化颗粒的出现。同时，容纳腔211内设置有过滤件22，碳化硅粉料碳化后，粒径大大减小，可以从通孔一221中落入过滤腔222中，从而与碳化硅粉料分离开。

参考图1所示，碳化硅生长装置还包括存储仓30和转动设置的支撑轴40，支撑轴40用于支撑内坩埚20，支撑轴40的底部穿出生长坩埚10并与存储仓30连通，存储仓30设置在生长坩埚10的底部，支撑轴40内限定出适于杂质颗粒通过的通道41，通道41的一端与容纳腔211相连通，通道41的另一端与存储仓30相连通。落入到过滤腔31内的杂质颗粒，经过支撑轴40内的通道41落入到存储仓50内，如此，可以将杂质颗粒分离出生长坩埚10，避免过滤腔31内碳化杂质颗粒的堆积造成拥堵的问题。存储仓30密封盒体，存储仓30的底部开设有出料口(图中未画出)，方便杂质颗粒及时清理出。

参考图1所示，碳化硅生长装置100还包括动力机构50，用于驱动支撑轴40转动，动力机构50与支撑轴40连接，动力机构50包括驱动电机51和传动机构52，驱动电机51通过传动机构52与支撑轴40连接，传动机构52采用皮带转动，驱动电机51的输出轴上安装有主动轮(图中未画出)，支撑轴40的端部安装有从动轮(图中未画出)，主动轮和从动轮之间通过皮带连接。当然，传动机构52也可以采用其他常见的传动方式。动力机构50 依次带动支撑轴40和内坩埚20转动，内坩埚20的转动，不仅使其内部的碳化硅粉料加热更为均匀，还可以加速杂质颗粒从碳化硅粉料中分离出去，进入过滤腔222内。

在本实用新型的一些实施例中，参考图2所示，内坩埚20包括第一坩埚23和第二坩埚24，第一坩埚23和第二坩埚24沿着轴向间隔排列，支撑轴40限定出适于杂质颗粒通过的第一通道411和第二通道412，第一通道411的一端与第一坩埚23的过滤腔222连通，第一通道411的另一端与存储仓30连通，第二通道412的一端与第二坩埚24的过滤腔222 连接，第二通道412的另一端与第一坩埚23的过滤腔222连通。沿着生长坩埚10的底部到顶部的轴向方向，第一坩埚23和第二坩埚24各自对应地容纳腔211的敞开口面积逐渐减小。本实施例的内坩埚20包括第一坩埚23和第二坩埚24，将碳化硅粉料置于两个坩埚内同时进行加热，可以提升加热速度和效率。同时第一坩埚23和第二坩埚24从下至上敞开口面积逐渐减小，有利于升华气体的顺利上升。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3-图5所示，内坩埚20还包括在第一坩埚23和第二坩埚24之间轴向间隔设置的第三坩埚25，支撑轴40限定出适于杂质颗粒通过的第三通道413，第三坩埚25通过第三通道413分别与的第一通道411和第二通道412相连通。沿着生长坩埚10的底部到顶部的轴向方向，第一坩埚23、第三坩埚25和第二坩埚24各自对应地容纳腔211的敞开口面积逐渐减小。本实施例的内坩埚20包括在第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25，将碳化硅粉料置于三个坩埚内同时进行加热，可以提升加热速度和效率。同时第一坩埚23、第三坩埚25和第二坩埚24从下至上敞开口面积逐渐减小，有利于升华碳化硅气体的顺利上升。当然内坩埚20的数量根据实际需求设置，并不局限于1、2、 3个，也可以为更多个，例如，4-8个等。第一坩埚23、第三坩埚25和第二坩埚24可以同轴设置，参考图3和图4所示；当然，第一坩埚23、第三坩埚25和第二坩埚24也可以不同轴设置，参考图5所示。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3和图4所示，第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25同轴设置。当第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25同轴设置时，在能够保持重心一致、受力平衡的同时，各个坩埚可以适当做大，能够盛放更多的碳化硅粉料。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3和图5所示，第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25中所对应过滤腔222的底部呈凹弧形结构。参考图4所示，第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25中所对应过滤腔222的底部也可以呈圆锥状结构。第一坩埚23、第二坩埚24和第三坩埚25中所对应过滤腔222的底部设置呈凹弧形结构或者圆锥状结构，使得杂质颗粒能够依靠自身重力，自动滑落进入支撑轴40的通道41中，避免拥堵在过滤腔 222内。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3和图4所示，碳化硅生长装置100还包括搅拌组件60，搅拌组件60的一端设置在生长坩埚10的底壁，搅拌组件60的另一端伸入内坩埚20的容纳腔211内。搅拌组件60用于对各个内坩埚20的内的碳化硅粉料进行搅拌。本实用新型的搅拌组件60不动，搅拌轴40带动内坩埚20的转动，来实现搅拌的效果。通过对内坩埚20内部的碳化硅粉料进行不断搅拌，避免在加热过程中粉料凝结成团，使粉料受热和升华速率更加均匀，同时可以加快碳化后的杂质颗粒进入过滤腔中。

在本实用新型的一些实施例中，参考图4所示，搅拌组件60包括第一搅拌件61和第二搅拌件62，第一搅拌件61和第二搅拌件62分别设置在内坩埚20相对于地两侧，第一搅拌件61和第二搅拌件62伸入至内坩埚20的深度和位置不同，以实现对不同深度、不同位置的碳化硅粉料进行搅拌。例如，参考图4所示，第一搅拌件61到内坩埚20的中心轴线的距离为d1，第二搅拌件62到内坩埚20的中心轴线的距离为d2，内坩埚20的容纳腔211 半径为r，容纳腔211的最大深度为h，第一搅拌件61伸入容纳腔211的深度h1,第二搅拌件62伸入容纳腔211的深度h2,其中，d1、d2，h1、h2满足：d1＜r/2＜d2＜r，2/3h≤h1 ≤4/5h，1/2h≤h2＜2/3h，如此可以对不同深度、不同位置的碳化硅粉料进行搅拌，如此可以确保碳化硅粉料能够完全搅拌均匀。本实施例中，d1＝1/3r，d2＝2/3r，h1＝4/5h，h2＝1/2h。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3、图4和图8所示，第一搅拌件61和第二搅拌件62内分别限定出气体流动的第一管道611和第二管道621，第一管道611的一端及第二管道621的一端分别设置在内坩埚20的容纳腔211内，第一管道611的另一端及第二管道621的另一端与外部气源连通。外部气源为惰性气体或者腐蚀气体，惰性气体可以为氩气，通过向内坩埚20通入惰性气体，调节生长坩埚10内部气流，促进碳化硅粉料升华，增加生长坩埚10下部压强，在生长坩埚10内部形成轴向压力梯度，提升蒸气上升速度。通过通入腐蚀气体，可以防止通孔一32堵塞。腐蚀气体为氯气、氟气、氯化氢或氟化氢中的一种或多种的混合。

其中，第一管道611、第二管道621与外部气源的连接，一共有三种组合方式：

(1)第一管道611和第二管道621均与惰性气体连通；

(2)第一管道611和第二管道621均与腐蚀气体连通；

(3)第一管道611、第二管道621中的一个与惰性气体连通，另一个与腐蚀气体连通。

在本实用新型的一些实施例中，参考图3所示，碳化硅生长装置100还包括匀气板70，匀气板70设置在籽晶与内坩埚20之间，匀气板70固定于支撑轴40的顶部，匀气板70上均匀开设有供气态碳化硅通过的通孔二71。如此，支撑轴40转动的同时，带动匀气板70 转动，气态碳化硅通过匀气板70上的通孔二71进入生长坩埚10上部，并在籽晶12上进行长晶，同时匀气板70转动，能够使气态碳化硅分布更加均匀，从而提高晶体质量。

进一步地，参考图3、图4和图6所示，支撑轴40在第二坩埚以上的部分采用实心结构，匀气板70的下表面中心处垂直一体连接固定轴72，固定轴72的底部与支撑轴40的顶部承插式连接；具体地，固定轴72的底部固定有插块721，支撑轴40的顶部开设有与插块 721相配合的插槽42，固定轴72与支撑轴40的连接处的外侧设有保护管件43。保护管件 43呈圆管状，保护管件43的材质与支撑轴40相同，保护管件43的内径、固定轴72的直径和支撑轴40的直径相同，保护管件43的下部套接并固定在支撑轴40的顶部，当固定轴 72的插块721插入支撑轴40的插槽42中后，由于保护管件43具有一定的强度，能够对固定轴72与支撑轴40的连接处进行保护，防止连接处折弯。

生长坩埚10、内坩埚20、匀气板70和搅拌件60均采用耐高温石墨材质。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括：

生长坩埚，所述生长坩埚的顶部设置有籽晶；

内坩埚，所述内坩埚设于所述生长坩埚内，所述内坩埚包括坩埚本体和过滤件，所述坩埚本体限定出用于承载粉料的容纳腔，所述容纳腔的顶部敞开，所述过滤件设置于所述容纳腔内，所述过滤件与所述容纳腔的底壁间隔开，以限定出过滤腔，所述过滤件上均匀设置有适于杂质颗粒从容纳腔进入至过滤腔的通孔一。

2.如权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，还包括存储仓和转动设置的支撑轴，所述存储仓设置在所述生长坩埚的底部，所述支撑轴内限定出适于杂质颗粒通过的通道，所述通道的一端与所述容纳腔相连通，所述通道的另一端与所述存储仓相连通。

3.如权利要求2所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述内坩埚包括第一坩埚和第二坩埚，所述第一坩埚和所述第二坩埚沿着轴向间隔排列，所述支撑轴限定出适于杂质颗粒通过的第一通道和第二通道，所述第一通道的一端与所述第一坩埚的过滤腔连通，所述第一通道的另一端与所述存储仓连通，所述第二通道的一端与所述第二坩埚的过滤腔连接，所述第二通道的另一端与所述第一坩埚的过滤腔连通。

4.如权利要求3所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述内坩埚还包括在所述第一坩埚和所述第二坩埚之间轴向间隔设置的第三坩埚，所述支撑轴限定出适于杂质颗粒通过的第三通道，所述第三坩埚通过第三通道分别与所述的第一通道和所述第二通道相连通。

5.如权利要求4所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一坩埚、所述第二坩埚和所述第三坩埚同轴设置。

6.如权利要求4所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一坩埚、所述第二坩埚和所述第三坩埚中所对应过滤腔的底部呈凹弧形结构或者圆锥状结构。

7.如权利要求6所述的碳化硅生长装置，其特征在于，沿着所述生长坩埚的底部到顶部的轴向方向，所述第一坩埚、所述第三坩埚和所述第二坩埚各自对应地所述容纳腔的敞开口面积逐渐减小。

8.如权利要求1-7任一项所述的碳化硅生长装置，其特征在于，还包括搅拌组件，所述搅拌组件的一端设置在所述生长坩埚的底壁，所述搅拌组件的另一端伸入所述内坩埚的容纳腔内。

9.如权利要求8所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述搅拌组件包括第一搅拌件和第二搅拌件，所述第一搅拌件和所述第二搅拌件分别设置在所述内坩埚相对于地两侧，所述第一搅拌件和所述第二搅拌件内分别限定出气体流动的第一管道和第二管道，所述第一管道的一端及所述第二管道的一端分别设置在所述内坩埚的容纳腔内，所述第一管道的另一端及所述第二管道的另一端与外部气源连通。

10.如权利要求5所述的碳化硅生长装置，其特征在于，还包括匀气板，所述匀气板设置在所述籽晶与所述内坩埚之间，所述匀气板固定于所述支撑轴的顶部，所述匀气板上均匀开设有供气态碳化硅通过的通孔二。

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