CN116285985B - 一种二次电子探测器闪烁体及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及闪烁体材料技术领域,提供了一种二次电子探测器闪烁体及其制备方法和应用。本发明提供的二次电子探测器闪烁体包括基质、掺杂在所述基质中的荧光粉以及设置在所述基质表面的导电层;所述基质为PMMA,所述荧光粉为P47,所述导电层的材质为铝。本发明提供的二次电子探测器闪烁体光学透明度好、硬度大、折射率高,闪烁体的发射光谱与光电倍增管良好耦合,成像效果良好,适用于高温二次电子探测器;并且,该二次电子探测器闪烁体的制备方法简单,原料易得,成本低廉。
Description
技术领域
本发明涉及闪烁体材料技术领域,尤其涉及二次电子探测器闪烁体及其制备方法和应用。
背景技术
扫描电子显微镜(SEM)是一种通过聚焦电子束扫描样品表面来激发信号从而获得样品信息的电子显微镜,通常用于各种材料的微观形貌分析与成分分析。扫描电子显微镜主要由电子光学系统、真空系统和信号探测系统三大部分组成,信号探测系统中尤为重要的便是二次电子探测器。二次电子探测器的主要测试原理如下:当高能电子束轰击样品表面激发出二次电子信号时,由栅极电压收集二次电子并被闪烁体高压加速,此时,二次电子探测器中的闪烁体把二次电子转换成光子,光子穿过光导管进入光电倍增管后,又经过光电效应转换成电的信号,再经放大系统和处理系统,最后在荧光屏上得到一个反映样品表面形貌的二次电子像。由此可知,闪烁体是二次电子探测器的重要部件,决定了扫描电镜图像的质量。
飞机发动机中的高温合金工作在几百甚至上千摄氏度,为了研究该类材料的各种性能,需要在扫描电镜真空腔室内对其进行加热,观察其微观组织形貌与结构的变化。在高温下,为了能够更好地成像,一般采用大束流进行观察,因此,二次电子探测器中的闪烁体会受到更大的能量轰击,加速导电层Al膜破损、闪烁体逐渐老化或污染,故闪烁体实际上是扫描电镜中的一种耗材。
现有技术中,掺Ce的钇铝石榴石闪烁晶体即电镜中常用的YAG:Ce闪烁体,闪烁晶体一般是将原料混合均匀后用压料机压制成饼再在空气中烧结,然后在马弗炉中升温熔化使用提拉法生长晶体。此方法生长出的晶体透明完整,质量比较好,但是晶体在制备过程中对设备以及反应环境要求较高,且生长时间较长,从而导致成本高,产品价格昂贵。
专利CN103805161A中提供了一种二次电子探测器闪烁体及其制备方法,该闪烁体包括玻璃片基底和荧光粉层,制备方法为:在荧光粉中加入适量的硝酸锶和硅酸钾并使其在去离子水中分散以配置混合溶液,之后沉积涂覆在K9玻璃片上形成荧光粉层。虽然这种方法简单易得,但是容易造成荧光粉脱落,影响成像效果。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种二次电子探测器闪烁体及其制备方法和应用。本发明提供的二次电子探测器闪烁体荧光粉不易脱落,成像效果好,且制备方法简单,成本低廉。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
一种二次电子探测器闪烁体,包括基质、掺杂在所述基质中的荧光粉以及设置在所述基质表面的导电层;所述基质为聚甲基丙烯酸甲酯,所述荧光粉为YSi2O7:Ce3+,所述导电层的材质为铝;所述荧光粉和所述基质的质量比为(1~5):(100~500)。
优选的,所述导电层的厚度为25~35nm。
本发明还提供了上述方案所述二次电子探测器闪烁体的制备方法,包括以下步骤:
将聚甲基丙烯酸甲酯在有机溶剂中加热搅拌,得到胶体溶液;
将所述胶体溶液和荧光粉混合后干燥,得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体;
采用磁控溅射法,在所述聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体表面镀制铝膜,得到所述二次电子探测器闪烁体。
优选的,所述加热搅拌的温度为75~90℃;所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、氯仿、丙酮和四氢呋喃中的一种或多种。
优选的,所述胶体溶液和荧光粉的混合包括:将荧光粉加入模具中后,加入所述胶体溶液,使所述胶体溶液铺满模具的凹槽,搅拌;所述模具的材质为聚四氟乙烯。
优选的,所述荧光粉使用前进行研磨和过筛,取筛下物;所述过筛用筛网的目数为200目。
优选的,所述模具在使用前进行预处理,所述预处理包括:将所述模具依次在乙醇溶液和去离子水中进行超声处理。
优选的,所述干燥的温度为40~60℃,时间为2~3h。
优选的,所述磁控溅射法的操作条件包括:溅射气氛为Ar气,工作气压为0.45~0.55Pa,溅射功率为50~100W,溅射时间为50~80秒。
本发明还提供了上述方案所述的二次电子探测器闪烁体或上述方案所述制备方法制备的二次电子探测器闪烁体在扫描电子显微镜中的应用。
本发明提供了一种二次电子探测器闪烁体,包括基质、掺杂在所述基质中的荧光粉以及设置在所述基质表面的导电层;所述基质为聚甲基丙烯酸甲酯,所述荧光粉为YSi2O7:Ce3+,所述导电层的材质为铝;所述荧光粉和所述基质的质量比为(1~5):(100~500)。本发明提供的闪烁体采用的基质为聚甲基丙烯酸甲酯,聚甲基丙烯酸甲酯固化后耐黄变、耐老化,透明度高,光导率好,采用的荧光粉为YSi2O7:Ce3+(P47荧光粉),该荧光粉衰减时间短约45ns、无余辉,发射光谱峰值波长位于420nm,与光电倍增管匹配可进行良好地耦合,并且本发明的荧光粉掺杂在基质中,不易脱落;本发明还在基质表面设置铝膜,铝膜作为导电层,具备导电性强、反射率高的特点。综上所述,本发明提供的二次电子探测器闪烁体光学透明度好、硬度大、折射率高,并且闪烁体的发射光谱与光电倍增管良好耦合,成像效果良好,制备简单,成本低,适用于高温(实验环境最高达1500℃)二次电子探测器,可及时更换。
本发明还提供了上述方案所述二次电子探测器闪烁体的制备方法,本发明先将聚甲基丙烯酸甲酯制备成胶体溶液,再和荧光粉混合后干燥,得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体,之后通过磁控溅射的方法镀制铝膜,得到所述二次电子探测器闪烁体。本发明提供的制备方法工艺简单,原料易得,成本低廉。
附图说明
图1为P47荧光粉的发射光谱图;
图2为P47荧光粉的SEM图;
图3为实施例1中聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体的光学透过率测试结果;
图4为采用实施例1中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片;
图5为采用实施例2中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片;
图6为采用实施例3中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片;
图7为采用实施例4中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片;
图8为采用对比例1中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片;
图9为采用对比例2中的二次电子探测器闪烁体进行图像采集得到的SEM照片。
具体实施方式
本发明提供了一种二次电子探测器闪烁体,包括基质、掺杂在所述基质中的荧光粉以及设置在所述基质表面的导电层;所述基质为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),所述荧光粉为YSi2O7:Ce3+(P47荧光粉),所述导电层的材质为铝;所述荧光粉和所述基质的质量比为(1~5):(100~500)。
如无特殊说明,本发明采用的各个原料均为市售。
在本发明中,所述荧光粉和所述基质的质量比为(1~5):(100~500),优选为(2~3):(200~300);所述荧光粉的粒径优选为5~20μm;所述导电层的厚度优选为25~35nm,更优选为30nm。在本发明的具体实施例中,所述二次电子探测器闪烁体的直径优选为9mm,厚度优选为1~5mm,每片二次电子探测器闪烁体中荧光粉的用量优选为0.002~0.005g。
本发明还提供了上述方案所述二次电子探测器闪烁体的制备方法,包括以下步骤:
将聚甲基丙烯酸酯在有机溶剂中加热搅拌,得到胶体溶液;
将所述胶体溶液和荧光粉混合后干燥,得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体;
采用磁控溅射法,在所述聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体表面镀制铝膜,得到所述二次电子探测器闪烁体。
本发明将聚甲基丙烯酸酯在有机溶剂中加热搅拌,得到胶体溶液。在本发明中,所述有机溶剂优选为N,N-二甲基甲酰胺、氯仿、丙酮和四氢呋喃中的一种或多种,更优选为N,N-二甲基甲酰胺,所述聚甲基丙烯酸甲酯和所述有机溶剂的质量比优选为1:3~5mL,更优选为1:4mL;所述加热搅拌的温度为75~90℃,更优选为80℃;本发明对所述加热搅拌的时间没有特殊要求,以得到透明的胶体溶液为准,在本发明的具体实施例中,所述加热搅拌的时间优选为10~20min;本发明将加热温度控制在上述范围内,有利于聚甲基丙烯酸酯的溶解,并且有利于有机溶剂挥发去除,最终所得胶体溶液为胶体状态的聚甲基丙烯酸酯,从而降低最终所得闪烁体中的杂质含量,提高成像效果。
得到所述胶体溶液后,本发明将所述胶体溶液和荧光粉混合后干燥,得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体。在本发明中,所述胶体溶液和荧光粉的混合优选包括:将荧光粉加入模具中,加入所述胶体溶液,使所述胶体溶液铺满模具的凹槽,搅拌;本发明对所述搅拌的时间没有特殊要求,将所述胶体溶液和荧光粉搅拌均匀至无气泡即可;所述荧光粉使用前优选进行研磨和过筛,取筛下物,所述过筛用筛网的目数优选为200目;在本发明的具体实施例中,当所述胶体溶液的用量为0.1~0.3mL时,所述荧光粉的用量优选为0.002~0.005g;所述模具的材质优选为聚四氟乙烯(PTFE);所述模具在使用前优选进行预处理,所述预处理的方法为:将所述模具依次在乙醇溶液和去离子水中进行超声处理,在所述乙醇溶液中超声处理的时间优选为5~10min,在所述去离子水中超声处理的时间优选为5~10min;所述模具凹槽为圆形凹槽,的凹槽规格优选为Φ9×(1~5)mm(凹槽直径×深度)。
在本发明中,所述干燥的温度优选为40~60℃,更优选为45~55℃,所述干燥的时间优选为2~3h,更优选为2.2~2.5h,所述干燥优选为真空干燥;在本发明中,具体是将装有荧光粉和胶体溶液的模具置于真空干燥箱中进行干燥,干燥完成后,优选降温至室温,然后将干燥后的产物从模具中取出,即得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体。
得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体后,本发明采用磁控溅射法,在所述聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体表面镀制铝膜,得到所述二次电子探测器闪烁体。在本发明中,当聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体的厚度为3mm以上且表面不平整时,在进行磁控溅射前,优选将所述聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体用电镜抛光膏进行双面抛光,然后依次在酒精和去离子水进行超声处理,之后吹干;在所述酒精中超声处理的时间优选为5min,在所述去离子水中超声处理的时间优选为5min。
在本发明中,所述磁控溅射法优选为直流磁控溅射法;所述磁控溅射法采用的靶材为Al靶材;所述磁控溅射法的操作条件优选包括:溅射气氛为Ar气,工作气压为0.45~0.55Pa,优选为0.5Pa,溅射功率为50~100W,优选为80~100W,溅射时间为50~80秒,优选为55~70秒。
本发明还提供了上述方案所述的二次电子探测器闪烁体或上述方案所述制备方法制备的二次电子探测器闪烁体在扫描电子显微镜中的应用,本发明对所述应用的具体方法没有特殊要求,采用本领域技术人员熟知的方法应用即可。
下面将结合本发明中的实施例,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
(1)先将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛,取筛下物。
(2)将凹槽尺寸为Φ9*1mm的PTFE模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5min,再在去离子水超声5min。
(3)称取0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)加入到2mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,80℃加热搅拌至形成透明胶体溶液。
(4)将0.003gP47荧光粉加入到PTFE模具中,然后滴入约0.1mL上述胶体溶液,铺满Φ9*1mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将模具置于温度50℃的真空干燥箱中加热烘干2小时,然后降温冷却,得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)将聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜功率为100W,时间为55秒,得到二次电子探测器闪烁体。
图1为P47荧光粉的发射光谱图,根据图1可以看出,P47荧光粉的发射光谱能够与光电倍增管实现良好耦合。
图2为P47荧光粉的SEM图,根据图2可以看出,其粒径在5~20μm。
图3为本实施例所得聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体的光学透过率测试结果,根据图3可以看出,PMMA的光学透过率因加入荧光粉有所减少,但仍为85%左右,光学透明度相对较好。
将上述方法制得的二次电子探测器闪烁体装入TescanS8000扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片,如图4所示,图像清晰,衬度明显。
实施例2
(1)先将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛。
(2)将Φ9*1mm的PTFE(聚四氟乙烯)模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5分钟,再在去离子水超声5min。
(3)称取0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)加入到2mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,80℃加热搅拌至形成透明胶体溶液。
(4)将0.005gP47荧光粉加入到PTFE模具中,然后滴入约0.1mL上述胶体溶液,铺满Φ9*1mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将模具置于温度50℃的真空干燥箱中加热烘干2小时,然后降温冷却得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)将聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜工艺为:功率100W,时间55s,得到二次电子探测器闪烁体。
将上述方法制得的闪烁体装入TescanS8000扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片。如图5所示,图像清晰,衬度明显,但与图4相比较差,原因可能时当荧光粉用量多时,在有限的基底上导致荧光粉涂层过厚,当闪烁体接受高能电子信号轰击时,电子束穿透粉层能力受到限制,这使得并且荧光粉粉粒对光的散射导致吸收大量的光,最终光输出减少,使得信号减弱进而导致图像质量变差。
实施例3
(1)先将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛。
(2)将Φ9*1mm的PTFE(聚四氟乙烯)模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5分钟,再在去离子水超声5min。
(3)称取0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)加入到2mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,80℃加热搅拌至形成透明胶体溶液。
(4)将0.002gP47荧光粉加入到PTFE模具中,然后滴入约0.1mL上述胶体溶液,铺满Φ9*1mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将模具置于温度50℃的真空干燥箱中加热烘干2小时,然后降温冷却得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)将该聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜工艺为:功率100W,时间55s,得到二次电子探测器闪烁体。
将上述方法制得的闪烁体装入TescanS8000扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片,如图6所示,图像清晰,衬度明显。
实施例4
(1)先将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛。
(2)将Φ9*3mm的PTFE(聚四氟乙烯)模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5分钟,再在去离子水超声5min。
(3)称取0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)加入到2mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,加热搅拌至80℃形成透明胶体溶液。
(4)将0.002gP47荧光粉加入到PTFE模具中,然后滴入约0.3mL上述胶体溶液,铺满Φ9*3mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将模具置于温度50℃的真空干燥箱中加热烘干2小时,然后降温冷却得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)对聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体用电镜抛光膏进行双面抛光后,使之表面光滑,先用酒精超声5min,再用去离子水超声清洗5min,随之吹干。
(7)将聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜工艺为:功率100w,时间55s,得到二次电子探测器闪烁体。
将上述方法制得的闪烁体装入Tescan型号为S8000的扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片,如图7所示,图像清晰,衬度明显。
对比例1
(1)将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛。
(2)将Φ9*1mm的PTFE(聚四氟乙烯)模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5分钟,再在去离子水超声5min。
(3)称取0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)加入到2mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,加热搅拌至80℃形成透明胶体溶液。
(4)将0.001gP47荧光粉加入到PTFE模具中,然后滴入约0.1mL上述胶体溶液,铺满Φ9*1mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将模具置于温度50℃的真空干燥箱中加热烘干2小时,然后降温冷却得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)将该闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜工艺为:功率100W,时间55s。最终得到一个完整的二次电子探测器闪烁体。
将上述方法制得的闪烁体装入TescanS8000扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片,如图8所示,图像难以分辨,噪点多,图片质量差。对比例1中荧光粉用量较少,二次电子激发荧光粉时产生光子较少,即发光效率较低,因而生成图像所需的信号减少,此时图像分辨率降低,信噪比低,噪点多。
对比例2
(1)先将P47荧光粉进行研磨,然后使用200目筛子过筛。
(2)将Φ9*1mm的PTFE(聚四氟乙烯)模具进行如下预处理:先在乙醇溶液中进行超声5分钟,再在去离子水超声5min。
(3)称量0.5g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)到2mL甲苯中,加热到80℃搅拌至溶解形成胶体。
(4)称量0.003gP47荧光粉加入到PTFE模具中,将以上所述胶体溶液0.1mL加入到PTFE模具中,铺满Φ9*1mm凹槽,搅拌均匀至无气泡,得到前驱体胶体溶液。
(5)将该模具置于温度40~50℃、真空中加热烘干2~3小时,得到聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体。
(6)将聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体放在直流磁控溅射镀膜设备中,利用直流磁控溅射法在Ar环境、工作气压0.5Pa下镀一层30nm左右的Al膜,镀膜工艺为:功率100W,时间55s。最终得到一个完整的二次电子探测器闪烁体。
将上述方法制得的闪烁体装入TescanS8000的扫描电镜中,使用AZtec平台进行图像采集,得到1μm标尺下的SEM图片,如图9所示,图片有明显噪点,图片不清晰、质量差。原因可能是对比例2中制备胶体溶液时采用甲苯为溶剂,甲苯和PMMA的相容性不好,导致搅拌过程进入的空气较多,导致制备所得到前驱体胶体溶液气泡较多,冷却或者通过真空处理也难以将气泡去除,导致所得聚甲基丙烯酸甲酯基塑料闪烁体内部和表面有较多气泡,造成闪烁体的性能变差。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种二次电子探测器闪烁体,其特征在于,包括基质、掺杂在所述基质中的荧光粉以及设置在所述基质表面的导电层;所述基质为聚甲基丙烯酸甲酯,所述荧光粉为P47荧光粉,所述导电层的材质为铝;所述荧光粉和所述基质的质量比为1:(100~250)。
2.根据权利要求1所述的二次电子探测器闪烁体,其特征在于,所述导电层的厚度为25~35nm。
3.权利要求1或2所述二次电子探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将聚甲基丙烯酸甲酯在有机溶剂中加热搅拌,得到胶体溶液;所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;
将所述胶体溶液和荧光粉混合后干燥,得到聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体;
采用磁控溅射法,在所述聚甲基丙烯酸酯基塑料闪烁体表面镀制铝膜,得到所述二次电子探测器闪烁体。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述加热搅拌的温度为75~90℃。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述胶体溶液和荧光粉的混合包括:将荧光粉加入模具中后,加入所述胶体溶液,使所述胶体溶液铺满模具的凹槽,搅拌;所述模具的材质为聚四氟乙烯。
6.根据权利要求3或5所述的制备方法,其特征在于,所述荧光粉使用前进行研磨和过筛,取筛下物;所述过筛用筛网的目数为200目。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述模具在使用前进行预处理,所述预处理包括:将所述模具依次在乙醇溶液和去离子水中进行超声处理。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述干燥的温度为40~60℃,时间为2~3h。
9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射法的操作条件包括:溅射气氛为Ar气,工作气压为0.45~0.55Pa,溅射功率为50~100W,溅射时间为50~80秒。
10.权利要求1或2所述的二次电子探测器闪烁体或权利要求3~9任意一项所述制备方法制备的二次电子探测器闪烁体在扫描电子显微镜中的应用。
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