CN116114598B - 一种艾的组培快速繁殖方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于植物组培技术领域,具体涉及一种艾的组培快速繁殖方法及其应用。所述方法包括对艾外植体采用芽诱导培养基培养嫩芽;采用出芽外植体接种于增殖扩繁培养基培养丛生芽;采用丛生芽苗接种于生根培养基培养生根,生根后脱毒幼苗采用漂浮盘炼苗。本发明以提高艾丛生芽增殖率及获得艾脱毒苗为目的,优化了艾组培快繁培养基的激素组合,使得一个周期的增殖率达10倍以上,并且超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗,可在较短时间获得大量艾的脱毒苗,有望在艾的农业生产上大面积推广,保证艾的产量和品质,对实现艾组培产业化具有重要意义,因此具有良好的实际应用之价值。
Description
技术领域
本发明属于植物组培技术领域,具体涉及一种艾的组培快速繁殖方法及其应用。
背景技术
公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
艾(Artemisia argyi Levl.et Van.)属菊科蒿属多年生草本或略成半灌木状植物,植株有浓烈香气,为常见中药,在我国具有悠久的应用历史。其全草入药具有温经、散寒、去湿、平喘、止咳、抗过敏等作用,已被广泛应用于医药、日化、保健、美容等各个行业中。目前艾的市场需求量与日俱增,野生艾资源远不能满足市场需求。因此各地开始广泛种植艾,大多采用种子繁殖、分株繁殖和根状茎繁殖三种育苗方式。种子繁殖即播撒艾的种子进行繁殖,艾的种子较小,辨别困难,不易采集,且种子发芽率较低,且艾为天然杂交种子,种子繁殖植株变异非常大。分株繁殖即在艾出苗后,人工挖取带根的苗进行种植;根状茎繁殖则是挖取艾的地下根状茎部分进行繁殖,根状茎的部位、长度、直径对艾种苗质量影响较大。分株和根状茎繁殖均属无性繁殖,艾病毒病严重,长期无性繁殖会导致种性退化。艾在种植过程中大多依靠经验种植,这些因素都制约了艾的产业发展。建立艾的组培快速繁殖体系,能够为工厂化育苗提供技术指导,有效解决艾产量短缺问题;更能够保持艾原有品种的固有性状和特性,从而保持艾相关产品的质量稳定性。
目前有关艾的文献报道大多关于艾的成分分析及药用价值分析,有关艾组织培养的文献及专利报道较少。文献报道有野生艾蒿的组织培养(杨莹等,2017),白蒿的组织培养及黄酮类物质的提取(崔隽等,2021),艾蒿组织培养及无性系建立的研究(王艳等,2012),公布号为CN107926704B公开了一种湖南野艾蒿的组织培养方法,公布号为CN107549018B报道了一种蕲艾组培育苗方法;上述文献关于建立艾的脱毒苗体系均涉及愈伤组织的诱导、分化,且诱导愈伤组织及分化的激素种类及浓度均不相同,推测为愈伤组织的诱导及分化受材料基因型影响较大。故在建立艾的脱毒苗体系,因各地材料基因型均存在差异,上述方法不适普遍使用,不便于在生产上大规模应用及推广。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种艾的组培快速繁殖方法及其应用。本发明通过优化相关工艺参数及条件从而获得一种艾的组培快速繁殖方法,其不涉及愈伤组织的诱导分化环节、受材料基因型影响较小,可在较短时间获得大量艾的脱毒苗,有望在艾的农业生产上大面积推广,保证艾的产量和品质,因此具有良好的实际应用之价值。
本发明采用如下技术方案:
本发明的第一个方面,提供一种艾的组培快速繁殖方法,所述方法包括:
对艾外植体采用芽诱导培养基培养嫩芽;采用出芽外植体接种于增殖扩繁培养基培养丛生芽;采用丛生芽苗接种于生根培养基培养生根,生根后脱毒幼苗采用漂浮盘炼苗;
其中,所述芽诱导培养基组成为MS+1.0~1.5mg/L IAA+1.0~2.0mg/L 6-BA+0.1~0.8mg/L GA3;
所述增殖扩繁培养基组成为MS+0.5~1.5mg/L6-BA;
所述生根培养基组成为1/2MS+0.3~0.8mg/L IAA。
本发明的第二个方面,提供上述方法在大规模艾培育的应用。
上述一个或多个技术方案的有益技术效果:
(1)上述技术方案优化了艾组培快繁培养基的激素组合,使得一个周期的增殖率达10倍以上,并且超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
(2)上述技术方案提供的艾组培快速繁殖方法,不涉及愈伤组织的诱导分化环节、受材料基因型影响较小,适用于不同基因型艾建立艾的脱毒苗体系。
(3)上述技术方案利用组织培养技术繁育艾脱毒苗,不仅加快了艾的繁殖速度,提高了艾的繁殖系数,更保证了艾的优良特性,为艾产业的发展和进一步扩大提供了更便捷的途径和方法,因此具有良好的实际应用之价值。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。
图1是本发明实施例1提供的带腋芽茎段诱导出芽示意图;
图2是本发明实施例1提供的根茎尖诱导出芽示意图;
图3是本发明实施例1提供的丛生芽增殖示意图;
图4是本发明实施例1提供的植株长根示意图;
图5是本发明实施例1提供的不同浓度6-BA芽诱导示意图;A 1.0mg/L,B 1.5mg/L,C 2.0mg/L,D 2.5mg/L,E 3.0mg/L,F 3.5mg/L,G 4.0mg/L。
图6是本发明实施例1提供的不同浓度6-BA芽诱导的柱形图;
图7是本发明实施例1提供的丛生芽增殖倍数示意图;
图8是本发明实施例1提供的艾组培苗示意图;
图9是本发明实施例1提供的艾苗移栽示意图。
具体实施方式
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。应理解,本发明的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案;还应当理解,本发明实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案,而不是为了限制本发明的保护范围。
如前所述,艾繁殖技术仍以传统技术为主,不能满足产业需求。
有鉴于此,本发明的一个典型具体实施方式中,提供一种艾的组培快速繁殖方法,所述方法包括:
对艾外植体采用芽诱导培养基培养嫩芽;采用出芽外植体接种于增殖扩繁培养基培养丛生芽;采用丛生芽苗接种于生根培养基培养生根,生根后脱毒幼苗采用漂浮盘炼苗;
其中,所述芽诱导培养基组成为MS+1.0~1.5mg/L IAA+1.0~2.0mg/L 6-BA+0.1~0.8mg/L GA3;
所述增殖扩繁培养基组成为MS+0.5~1.5mg/L6-BA;
所述生根培养基组成为1/2MS+0.3~0.8mg/L IAA。
其中,所述艾外植体为艾的带腋芽茎段或根茎顶部,其代谢旺盛,再生能力强。
更具体的,所述方法包括如下步骤:
S1、采集长势良好的艾的带腋芽茎段或地下根茎经预处理后作为外植体插入芽诱导培养基MS+1.0~1.5mg/L IAA+1.0~2.0mg/L 6-BA+0.1~0.8mg/L GA3中培养嫩芽,培养7~10d,即得到出芽外植体;
S2、将步骤S1获得的出芽外植体接种于增殖扩繁培养基MS+0.5~1.5mg/L6-BA培养丛生芽,培养15~20d,即得到长势旺盛的丛生芽;
S3、将步骤S2获得的长势旺盛的丛生芽苗分成单株,插入生根培养基1/2MS+0.3~0.8mg/L IAA培养生根,培养10~15d,即得到艾的脱毒幼苗;
S4、将艾脱毒幼苗移出生根培养基,将其移植于第一苗床中,加盖透明盖或透明薄膜,进行第一阶段炼苗处理7~10d;将一级炼苗中复壮的艾脱毒幼苗移栽至第二苗床中,进行二级炼苗处理10~15d。
S5、将经过二级炼苗的艾脱毒幼苗移栽至大田中,后期田间管理同常规种苗。
所述步骤S1中,所述艾的带腋芽茎段为最靠近艾茎段分生区,长度为3~4cm,地下根茎为最靠近根茎顶部的分生区,长度1~2cm;所述预处理方式包括对艾的带腋芽茎段或地下根茎进行清水冲洗并消毒,在本发明的一个或多个具体实施方式中,所述清水冲洗并消毒具体包括清水(如自来水)冲洗10~30min,75%乙醇消毒时间为1~2min,0.1%升汞消毒时间为7~10min,然后采用无菌水洗涤为3~4次。需要说明的是,上述预处理方式可视材料情况进行适当调整。
经上述预处理后即获得无菌外植体,在本发明的一个或多个具体实施方式中,将所述无菌外植体切成长度1~2cm的带腋芽茎段的外植体或切成保留根茎顶部长度0.5~1cm的外植体进行后续培养处理,从而进一步提高外植体成活率和繁殖性能。
在本发明的一个或多个具体实施方式中,所述芽诱导培养基组成为MS培养基、1.0~1.5mg/L IAA、1.0~2.0mg/L 6-BA、0.1~0.8mg/L GA3、4~9g/L琼脂粉、20-40g/L蔗糖,pH 5.8~5.9。
所述步骤S2中,所述增殖扩繁培养基组成为MS培养基、0.5~1.5mg/L6-BA、4~9g/L琼脂粉、20-40g/L蔗糖,pH 5.8~5.9。
所述步骤S3中,所述生根培养基组成为1/2MS培养基、0.3~0.8mg/L IAA、4~9g/L琼脂粉、20-40g/L蔗糖,pH 5.8~5.9。
通过进一步优化上述各阶段培养基组成,从而显著提高艾的增殖率,并且保证艾的优良特性。
在本发明的一个或多个具体实施方式中,所述步骤S1中培养嫩芽、S2中培养丛生芽、S3中培养生根的培养条件均为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。通过优化培养条件,从而缩短培养时间,并提高培养成活率。
所述步骤S4中,选取艾脱毒幼苗为株高5~7cm,根长1.5~3cm,将其从生根培养基中移出后用水冲洗除掉幼苗植株上带有的培养基;
所述第一苗床其培养基质为蛭石与珍珠岩的混合物,具体的,所述蛭石与珍珠岩的体积比为4:1~1:1;所述第二苗床其培养基质为营养土与蛭石的混合物,所述营养土与蛭石的体积比为5:1~1:1。
炼苗条件均为湿度50~70%,温度20℃~27℃,光照强度2000~8000Lx,光照10~14h/d。
在本发明的一个或多个具体实施方式中,一级炼苗,二级炼苗的苗床均为具储水托盘的穴盘,每穴直径2~5cm,深4~8cm,种植深度2~6cm,储水盘中加水至1/2处,培养液为饮用水;移栽完毕进行一级炼苗时,加盖透明盖或覆透明膜;一级炼苗、二级炼苗时2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2。
所述步骤S5中,具体方法为:将二级炼苗后的艾的脱毒幼苗从穴盘中逐颗取出,连同结合的培养基质一起移栽至大田中,移栽当天浇足水后用干土将根覆盖并扶植幼苗,后期田间管理同常规种苗。
在本发明的一个或多个具体实施方式中,提供上述方法在大规模艾培育的应用。采用上述组培方法,艾增殖率高、繁殖速度快,且不涉及愈伤组织的诱导分化环节、受材料基因型影响较小,能够在较短时间内获得大量艾的脱毒苗,非常有利于大规模艾培育。
以下通过实施例对本发明做进一步解释说明,但不构成对本发明的限制。应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是,各实施例中,试验材料为艾的带腋芽茎段或地下根茎,均采自湖北中医药大学科研温室;各培养阶段培养基均加入6g/L琼脂粉、30g/L蔗糖,调节pH均为5.9。
实施例1
以艾为材料,将材料于温室培养,采集艾最靠近茎段分生区的带腋芽茎段,长度为3~4cm,自来水下冲洗10-30min,置于超净工作台中,先75%乙醇消毒1-2min,再用0.1%升汞消毒7-10min,最后用无菌水冲洗3-4次,得到无菌外植体。
将无菌外植体切成长度1~2cm的带腋芽茎段的外植体,插入MS+1.0mg/LIAA+6-BA+0.1mg/L GA3培养基培养嫩芽,培养7~10d,得到出芽外植体。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。
研究艾的芽诱导培养基中细胞分裂素(6-BA)浓度对艾出芽诱导的影响,共设7个浓度梯度,6-BA浓度分别为1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0mg/L。每个处理设置3个重复,每个重复接种5瓶材料,每瓶接种5个外植体。在接种后30d,分别统计每个处理的艾芽萌发数,并绘制不同浓度艾芽萌发数的柱形图。结果见图5和图6,发现新芽诱导情况最佳的6-BA浓度为1.0~2.0mg/L,最优选为1.5mg/L。
将出芽外植体接种于增殖扩繁培养基MS+1.0mg/L 6-BA培养丛生芽,培养15~20d,得到长势旺盛的丛生芽。培养条件为:光照强度2000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。即本实施例中实验增殖继代方法是将出芽外植体,接种到新的增殖扩繁培养基中,可使增殖率达10倍以上。
将长势旺盛的丛生芽团分成单株丛生芽苗,插入生根培养基1/2MS+0.3mg/L IAA培养基培养生根,培养10~15d,得到艾的脱毒幼苗。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。在生根培养基中,超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
将株高5~7cm,根长1.5~3cm的艾脱毒幼苗,从生根培养基中移出,用水冲洗除掉幼苗植株上带有的培养基,将其移植于覆满蛭石:珍珠岩(4:1体积比)基质的苗床中,种植深度2~6cm,移栽后,加盖透明盖或透明薄膜,进行第一阶段炼苗处理7~10d,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2;将一级炼苗中复壮的艾脱毒幼苗移栽至覆满营养土:蛭石(3:1体积比)混合土的苗床中,进行二级炼苗处理10~15d,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2。炼苗条件为:湿度50~60%,温度20~27℃,光照强度2000~3000Lx,光照10~14h/d。
将经过二级炼苗的艾脱毒幼苗连同结合的混合土一起移栽至大田中,移栽当天浇足水,后期田间管理同常规种苗。
实施例2
以艾为材料,将材料于温室培养,采集艾最靠近根茎顶部分生区的根茎,长度为1~2cm,自来水下冲洗10-30min,置于超净工作台中,先75%乙醇消毒1-2min,再用0.1%升汞消毒7-10min,最后用无菌水冲洗3-4次,得到无菌外植体。
将无菌外植体切成保留根茎顶部长度0.5~1cm的外植体,插入MS+1.5mg/LIAA+1.5mg/L 6-BA+0.5mg/L GA3培养基培养嫩芽,培养7~10d,得到出芽外植体。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。
将出芽外植体接种于增殖扩繁培养基MS+0.5mg/L6-BA培养基培养丛生芽,培养15~20d,得到长势旺盛的丛生芽。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。
将长势旺盛的丛生芽团分成单株丛生芽苗,插入生根培养基1/2MS+0.8mg/L IAA培养基培养生根,培养10~15d,得到艾的脱毒幼苗。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。在生根培养基中,同样超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
将株高5~7cm,根长1.5~3cm的艾脱毒幼苗,从生根培养基中移出,用水冲洗除掉幼苗植株上带有的培养基,将其移植于覆满蛭石:珍珠岩(1:1体积比)基质的苗床中,种植深度2~6cm,移栽后,加盖透明盖或透明薄膜,进行第一阶段炼苗处理7~10d,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2;将一级炼苗中复壮的艾脱毒幼苗移栽至覆满营养土:蛭石(5:1体积比)混合土的苗床中,进行二级炼苗处理10~15d,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2。炼苗条件为:湿度50~60%,温度20~27℃,光照强度3000~5000Lx,光照10~14h/d。
将经过二级炼苗的艾脱毒幼苗连同结合的混合土一起移栽至大田中,移栽当天浇足水,后期田间管理同常规种苗。
实施例3
以艾为材料,将材料于温室培养,采集艾最靠近茎段分生区的带腋芽茎段,长度为3~4cm,自来水下冲洗10-30min,置于超净工作台中,先75%乙醇消毒1-2min,再用0.1%升汞消毒7-10min,最后用无菌水冲洗3-4次,得到无菌外植体。
将无菌外植体切成长度1~2cm的带腋芽茎段的外植体,插入MS+0.5mg/LIAA+2.0mg/L 6-BA+0.8mg/L GA3培养基培养嫩芽,培养7~10d,得到出芽外植体。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。
将出芽外植体接种于增殖扩繁培养基MS+1.5mg/L6-BA培养基培养丛生芽,培养15~20d,得到长势旺盛的丛生芽。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。
将长势旺盛的丛生芽团分成单株丛生芽苗,插入生根培养基1/2MS+0.5mg/L IAA培养基培养生根,培养10~15d,得到艾的脱毒幼苗。培养条件为:光照强度2000~3000Lx,温度23±1℃,光照16~18h/d。在生根培养基中,同样超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
将株高5~7cm,根长1.5~3cm的艾脱毒幼苗,从生根培养基中移出,用水冲洗除掉幼苗植株上带有的培养基,将其移植于覆满蛭石:珍珠岩(2:1体积比)基质的苗床中,种植深度2~6cm,移栽后,加盖透明盖或透明薄膜,进行第一阶段炼苗处理7~10d,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2;将一级炼苗中复壮的艾脱毒幼苗移栽至覆满营养土:蛭石(1:1体积比)混合土的苗床中,进行二级炼苗处理10~15d,,2~4d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2。炼苗条件为:湿度60~70%,温度20~27℃,光照强度5000~8000Lx,光照10~14h/d。
将经过二级炼苗的艾脱毒幼苗连同结合的混合土一起移栽至大田中,移栽当天浇足水,后期田间管理同常规种苗。
综上,本发明上述实施例通过实验研究细胞分裂素浓度对新芽诱导的影响,发现对于艾的新芽诱导,6-BA浓度1.0~2.0mg/L左右比较合适,GA3对增殖和生长也有促进作用,特别是能够较好的促进芽头萌发。采用MS+1.0~1.5mg/L IAA+1.0~2.0mg/L6-BA+0.1~0.8mg/L GA3激素组合,可以使艾新芽萌发率高于90%,且不受材料基因型的影响。
将出芽外植体转移至增殖扩繁培养基时,可使增殖率达10倍以上,且在生根培养基中,超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
生根培养基激素IAA的浓度是0.3~0.8mg/L,在生根培养基中,超过90%的芽能长成适合移栽的脱毒苗。
应注意的是,以上实例仅用于说明本发明的技术方案而非对其进行限制。尽管参照所给出的实例对本发明进行了详细说明,但是本领域的普通技术人员可根据需要对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (4)
1.一种艾的组培快速繁殖方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
S1、采集长势良好的艾的带腋芽茎段或地下根茎经预处理后作为外植体插入芽诱导培养基中培养嫩芽,培养7 ~10 d,即得到出芽外植体;
所述芽诱导培养基组成为MS、1.0~1.5 mg/L IAA、1.0~2.0 mg/L 6-BA、0.1~0.8 mg/LGA3、4~9 g/L琼脂粉、20-40 g/L蔗糖,pH 5.8~5.9;
S2、将步骤S1获得的出芽外植体接种于增殖扩繁培养基中培养丛生芽,培养15 ~20 d,即得到长势旺盛的丛生芽;
所述增殖扩繁培养基组成为MS、0.5 ~1.5 mg/L6-BA、4~9 g/L琼脂粉、20-40 g/L蔗糖,pH 5.8~5.9;
S3、将步骤S2获得的长势旺盛的丛生芽苗分成单株,插入生根培养基中培养生根,培养10 ~15 d,即得到艾的脱毒幼苗;
所述生根培养基组成为1/2MS、0.3~0.8 mg/L IAA、4~9g/L琼脂粉、20-40g/L蔗糖,pH5.8~5.9;
S4、将艾脱毒幼苗移出生根培养基,将其移植于第一苗床中,加盖透明盖或透明薄膜,进行第一阶段炼苗处理7 ~10 d;将一级炼苗中复壮的艾脱毒幼苗移栽至第二苗床中,进行二级炼苗处理10 ~15 d;
S5、将经过二级炼苗的艾脱毒幼苗移栽至大田中,后期田间管理同常规种苗;
所述步骤S1中,所述艾的带腋芽茎段为最靠近艾茎段分生区,长度为3 ~4 cm,地下根茎为最靠近根茎顶部的分生区,长度1 ~2 cm;所述预处理方式包括对艾的带腋芽茎段或地下根茎进行清水冲洗并消毒;
所述清水冲洗并消毒具体包括清水冲洗10~30 min,75%乙醇消毒时间为1~2 min,0.1%升汞消毒时间为7~10 min,然后采用无菌水洗涤为3~4次;
经上述预处理后即获得无菌外植体,将所述无菌外植体切成长度1 ~2 cm的带腋芽茎段的外植体或切成保留根茎顶部长度0.5 ~1 cm的外植体进行后续培养处理;
所述步骤S4中,选取艾脱毒幼苗为株高5~7 cm,根长1.5~3 cm,将其从生根培养基中移出后用水冲洗除掉幼苗植株上带有的培养基;
所述第一苗床其培养基质为蛭石与珍珠岩的混合物,所述蛭石与珍珠岩的体积比为4:1~1:1;所述第二苗床其培养基质为营养土与蛭石的混合物,所述营养土与蛭石的体积比为5:1~1:1;
炼苗条件均为湿度50~70%,温度20℃~27℃,光照强度2000~8000Lx,光照10~14h /d;
一级炼苗,二级炼苗的苗床均为具储水托盘的穴盘,每穴直径2 ~5 cm,深4 ~8 cm,种植深度2 ~6 cm,储水盘中加水至1/2处,培养液为饮用水;一级炼苗、二级炼苗时2 ~4 d补一次水,储水盘中水位在1/4~1/2。
2.如权利要求1所述的组培快速繁殖方法,其特征在于,所述步骤S1中培养嫩芽、S2中培养丛生芽、S3中培养生根的培养条件均为:光照强度2000~3000 Lx,温度23±1℃,光照16~18 h/d。
3.如权利要求1所述的组培快速繁殖方法,其特征在于,所述步骤S5中,具体方法为:将二级炼苗后的艾的脱毒幼苗从穴盘中逐颗取出,连同结合的培养基质一起移栽至大田中,移栽当天浇足水后用干土将根覆盖并扶植幼苗,后期田间管理同常规种苗。
4.权利要求1-3任一项所述方法在大规模艾培育的应用。
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