CN115917733A - 半导体装置模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

具备：器件(20)，其设置在有机基板(10)的表面；散热块(40)，其被粘合、固定于器件(20)的表面；以及模制树脂(50)，其以使散热块(40)的至少一面露出的方式密封器件(20)，散热块(40)包含第一部分(40a)和第二部分(40b)，它们为材质的硬度不同的部分，散热块(40)从自模制树脂(50)露出的一侧的第一部分(40a)至与器件(20)粘合的一侧的第二部分(40b)硬度具有梯度，第一部分(40a)比第二部分(40b)材质硬，维持砂轮的良好磨削性。

Description

半导体装置模块及其制造方法
技术领域
本申请涉及半导体装置模块及其制造方法。
背景技术
在现有的半导体装置模块中，作为在有机基板上搭载有多个芯片部件以及器件并且用模制树脂材料对它们进行了密封的高频产品应对混合模块，公知有为了将器件工作时的发热向模块外部散热而内置热传导性好的金属制散热块的构造。
散热块能够通过使一方与发热的器件接触，并使另一方在模块表面露出，来高效地将来自器件的发热向模块外部散热。因此，在有机基板上安装多个器件之后，在该器件上粘合散热块，并且进行模制树脂密封，但器件厚度、器件安装后高度、散热块高度、散热块粘合材料厚度等的尺寸公差、完成状况偏差等重叠，难以高精度地对齐多个散热块高度。因此，在为了进行模制树脂密封而利用金属模进行了合模时，金属模与散热块接触，有可能破坏器件。
为了防止器件破坏，有如下方法：以使散热块不与金属模接触的方式降低散热块高度，并以散热块被埋入模制树脂的方式进行密封，然后，用金刚石砂轮等砂轮磨削模制树脂表面而使散热块露出(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2012-1747118号公报(段落0033，图1)
然而，在磨削模制树脂表面时，由于散热块柔软，所以产生砂轮的孔眼堵塞，磨削性降低，存在容易引起在散热块产生毛刺、或模制树脂缺损的品质上的不良情况的问题。另外，为了防止磨削性降低，需要频繁地实施消除砂轮的孔眼堵塞的修整作业，存在生产率降低这一问题。
发明内容
本申请公开用于解决如上述那样的课题的技术，其目的在于，提供能够防止在用金刚石砂轮等来磨削被埋入模制树脂的散热块时由砂轮的孔眼堵塞引起的品质不良情况，而能够提高生产率的半导体装置模块以及制造方法。
在本申请中公开的半导体装置模块的特征在于，具备：器件，其设置在基板的表面；散热块，其设置在上述器件的表面；以及模制树脂，其以使上述散热块的至少一面露出的方式密封上述器件，上述散热块包含材质的硬度不同的两个部分。
另外，在本申请中公开的半导体装置模块的特征在于，具备：器件以及虚设块，它们设置在基板的表面；散热块，其设置在上述器件的表面；以及模制树脂，其以使上述散热块的至少一面露出的方式密封上述器件，上述虚设块距上述基板的高度与上述散热块距上述基板的高度相等，且上述虚设块的材质比上述散热块的材质硬。
在本申请中公开的半导体装置模块的制造方法的特征在于，包括如下工序：在基板的表面安装器件；在上述器件的表面固定散热块；用模制树脂密封在表面固定有上述散热块的上述器件；以及将上述模制树脂磨削至上述散热块的至少一面露出为止，上述散热块包含材质的硬度不同的两个部分。
另外，在本申请中公开的半导体装置模块的制造方法的特征在于，包括如下工序：在基板的表面安装器件；在上述器件的表面固定散热块；在上述基板的表面形成虚设块；用模制树脂密封在表面固定有上述散热块的上述器件；以及将上述模制树脂磨削至上述散热块的至少一面露出为止，上述虚设块距上述基板的高度与上述散热块距上述基板的高度相等或比上述散热块距上述基板的高度高，且上述虚设块的材质比上述散热块的材质硬。
另外，在本申请中公开的半导体装置模块的制造方法的特征在于，包括如下工序：在基板的表面安装器件；在上述器件的表面固定散热块；在上述基板的表面的切割线形成虚设块；用模制树脂密封在表面固定有上述散热块的上述器件；以及将上述模制树脂磨削至上述散热块的至少一面露出为止，上述虚设块距上述基板的高度与上述散热块距上述基板的高度相等或比上述散热块距上述基板的高度高，且上述虚设块的材质比上述散热块的材质硬。
根据本申请，能够维持砂轮的良好磨削性，能够获得品质稳定、生产率提高的效果。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图2是表示实施方式1所涉及的半导体装置模块的整体结构的立体图。
图3是实施方式1所涉及的半导体装置模块的制造工序在各工序中的立体图。
图4是表示实施方式1所涉及的半导体装置模块的制造工序的流程图。
图5是表示实施方式2所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图6是表示实施方式3所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图7是表示实施方式3所涉及的半导体装置模块的主要部分的其他结构的立体图以及剖视图。
图8是表示实施方式4所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图9是表示实施方式4所涉及的半导体装置模块的主要部分的其他结构的立体图以及剖视图。
图10是表示实施方式5所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图11是表示实施方式6所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的立体图以及剖视图。
图12是表示实施方式7所涉及的半导体装置模块的结构的俯视图。
图13是表示实施方式8所涉及的半导体装置模块的结构的俯视图以及剖视图。
具体实施方式
实施方式1
图1中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式1所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图1中的(a)是立体图，图1中的(b)是图1中的(a)的AA向视剖视图。图2是表示半导体装置模块整体结构的立体图。
如图2所示，半导体装置模块101由有机基板10、设置在有机基板10表面的器件20以及芯片部件30、设置为与器件20的表面接触的散热块40、和以使散热块40的表面露出的方式密封器件20以及芯片部件30的模制树脂50构成。如图1中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式1所涉及的半导体装置模块101的主要部分由散热块40、器件20构成。
散热块40具有：模块露出侧的第一部分40a，其通过将无氧铜合金化而成，材质硬且磨削性好；以及器件接触侧的第二部分40b，其由热传导性良好的无氧铜组成，材质软。散热块40的材质为，从自模制树脂50露出的一侧的第一部分40至与器件20接触的一侧的第二部分40b，金属组成具有梯度地变化。
由此，不会损害从器件的散热性，且通过磨削材质硬的部分而不会使金刚石砂轮发生孔眼堵塞，也不会产生毛刺及模制树脂的缺损等品质不良，且也不需要频繁地对金刚石砂轮进行修整作业。
接下来，基于图3及图4对本申请的实施方式1所涉及的半导体装置模块101的制造方法进行说明。图3是表示实施方式1所涉及的半导体装置模块101的制造工序的各工序的图。图4是表示实施方式1所涉及的半导体装置模块101的制造方法的顺序的流程图。
首先，如图3中的(a)所示，在通过焊料印刷工序(步骤S401)在有机基板10的表面涂布焊料膏之后，通过安装工序(步骤S402)将芯片部件30以及器件20搭载在有机基板10上。
接着，在将芯片部件30以及器件20安装在有机基板10上之后，通过回流/清洗工序(步骤S403)，关于芯片部件30以及器件20，对安装有芯片部件30以及器件20的有机基板进行清洗。
接下来，如图3中的(b)所示，通过芯片焊接/固化工序(步骤S404)将散热块40隔着粘合剂搭载在器件20上，并通过进行热处理来固定。
接着，如图3中的(c)所示，在通过密封工序(步骤S405)将有机基板10上的芯片部件30以及器件20用模制树脂50密封之后，通过切割单片化工序(步骤S406)将有机基板10单片化为各模块。
最后，如图3中的(d)所示，通过磨削工序(步骤S407)磨削模制树脂50的表面，使散热块40露出之后，通过电磁屏蔽工序(步骤S408)根据电的必要性实施电磁屏蔽而完成。
如上所述，根据本实施方式1所涉及的半导体装置模块101，具备：器件20，其设置在有机基板10的表面；散热块40，其被粘合、固定于器件20的表面；以及模制树脂50，其以使散热块40的至少一面露出的方式密封器件20，散热块40包含第一部分40a和第二部分40b，它们为材质的硬度不同的部分，散热块40的材质从自模制树脂50露出的一侧的第一部分40a至与器件20粘合的一侧的第二部分40b具有梯度，第一部分40a比第二部分40b材质硬，另外，根据本实施方式1所涉及的半导体装置模块101的制造方法，包括如下工序：在有机基板10的表面安装器件20；在器件20的表面固定散热块40；用模制树脂50密封在表面固定有散热块40的器件20；以及将模制树脂50磨削至散热块40的至少一面露出为止，散热块40包含材质的硬度不同的两个部分，散热块40从自模制树脂50露出的一侧的第一部分40a至与器件20接触的一侧的第二部分40b硬度(硬的程度)具有梯度，第一部分40a比第二部分40b材质硬，因此不会损害从器件的散热性，且通过磨削材质硬的部分而不会使金刚石砂轮发生孔眼堵塞，能够维持砂轮的良好的磨削性。另外，也不会产生毛刺以及模制树脂的缺损等品质不良，且也不需要频繁地对金刚石砂轮进行修整作业，因此能够获得品质稳定、生产率提高的效果。
实施方式2
在实施方式1中，散热块40的第一部分40a与第二部分40b的材质具有梯度，但在实施方式2中，对交替重叠的情况进行说明。
图5中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式2所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图5中的(a)是立体图，图5中的(b)是图5中的(a)的AA向视剖视图。
如图5中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式2所涉及的散热块40成为将硬且金刚石砂轮的磨削性良好的第一部分40a和热传导率良好且软的第二部分40b在与器件20的表面平行的方向上交替重叠那种形态。实施方式2所涉及的半导体装置模块的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，由于同时磨削软的部分和硬的部分，所以在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，能够保持砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
如上所述，根据本实施方式2所涉及的半导体装置模块，由于将散热块40形成为，材质的硬度不同的两个第一部分40a和第二部分40b与器件20的表面平行地交替重叠，所以通过同时磨削软的部分和硬的部分，在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够确保砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
实施方式3
在实施方式2中，交替重叠地形成散热块40的材质的硬度不同的两个部分，但在实施方式3中，对设为筒状形状的情况进行说明。
图6中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式3所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图6中的(a)是立体图，图6中的(b)是图6中的(a)的AA向视剖视图。
如图6中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式3所涉及的散热块40成为热传导率好且软的第二部分40b形成为筒状并在其中插入有硬且金刚石砂轮的磨削性良好的第一部分40a那种形态。实施方式3所涉及的半导体装置模块的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，由于同时磨削软的部分和硬的部分，所以在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
如上所述，根据本实施方式3所涉及的半导体装置模块，散热块40形成为，第二部分40b在相对于器件20的表面垂直的方向形成为筒状，且在第二部分40b的筒状的内部形成有第一部分40a，第一部分40a比第二部分40b材质硬，因此通过同时磨削软的部分和硬的部分，在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
此外，在本实施方式3中，将筒状的部分形成为材质软的第二部分40b，但不限于此。图7中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式3所涉及的半导体装置模块的主要部分的其他结构的图。图7中的(a)是立体图，图7中的(b)是图7中的(a)的AA向视剖视图。如图7中的(a)及(b)所示，散热块40也可以为，将筒状的部分形成为材质硬的第一部分40a，并在第一部分40a的筒状的内部形成材质软的第二部分40b。在该情况下，也能够获得与上述实施方式3的效果相同的效果。
实施方式4
在实施方式3中，将散热块40的第二部分40b形成为筒状，但在实施方式4中，对形成为格子状的情况进行说明。
图8中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式4所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图8中的(a)是立体图，图8中的(b)是图8中的(a)的AA向视剖视图。
如图8中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式4所涉及的散热块40成为热传导率好且软的第二部分40b形成为格子状并在其中插入有硬且金刚石砂轮的磨削性良好的第一部分40a那种形态。实施方式4所涉及的半导体装置模块的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，由于同时磨削软的部分和硬的部分，所以在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
如上所述，根据本实施方式4所涉及的半导体装置模块，散热块40形成为，第二部分40b在相对于器件20的表面垂直的方向形成为格子状，且在第二部分40b的格子状的内部形成有第一部分40a，第一部分40a比第二部分40b材质硬，因此通过同时磨削软的部分和硬的部分，在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，还能够使热传导率良好的材料露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。
此外，在本实施方式4中，虽然将格子状的部分设为材质软的第二部分40b，但不限于此。图9中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式4所涉及的半导体装置模块的主要部分的其他结构的图。图9中的(a)是立体图，图9中的(b)是图9中的(a)的AA向视剖视图。如图9中的(a)及(b)所示，散热块40也可以为，将格子状的部分形成为材质硬的第一部分40a，并在第一部分40a的格子状的内部形成材质软的第二部分40b。在该情况下，也能够获得与上述实施方式4的效果相同的效果。
实施方式5
在实施方式4中，虽然将散热块40的第二部分40b形成为格子状，但在实施方式5中，对进行了镀敷的情况进行说明。
图10中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式5所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图10中的(a)是立体图，图10中的(b)是图10中的(a)的AA向视剖视图。
如图10中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式5所涉及的散热块40成为在热传导率好且软的第二部分40b的表面通过镀敷而形成有硬且金刚石砂轮的磨削性良好的第一部分40a那种形态。实施方式5所涉及的半导体装置模块的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，由此能够保持砂轮的磨削性。另外，在磨削完成后，散热块露出面的镀敷部分通过磨削而被除去，因此热传导率良好的材料露出至模块表面，从而还能够确保器件的散热性。
如上所述，根据本实施方式5所涉及的半导体装置模块的制造方法，散热块40形成为，在固定于器件20表面的第二部分40b的侧面以及表面，通过镀敷而形成有第一部分40a，第一部分40a比第二部分40b材质硬，在磨削工序中，除去散热块40表面的第一部分40a，因此通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，由此能够保持砂轮的磨削性。另外，在磨削完成后，散热块露出面的镀敷部分通过磨削而被除去，因此热传导率良好的材料露出至模块表面，由此还能够确保器件的散热性。
实施方式6
在实施方式5中，在散热块40的第二部分40b的表面镀敷有第一部分40a，但在实施方式6中，对在散热块的上端部形成有材质硬的部分的情况进行说明。
图11中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式6所涉及的半导体装置模块的主要部分的结构的图。图11中的(a)是立体图，图11中的(b)是图11中的(a)的AA向视剖视图。
如图11中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式6所涉及的散热块40成为在热传导率好且软的第二部分40b的上部重叠有硬且金刚石砂轮的磨削性良好的第一部分40a那种形态。实施方式6所涉及的半导体装置模块的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，由此能够保持砂轮的磨削性。另外，在磨削完成后，散热块表面的硬的材料不残留地被磨削而露出至模块表面，由此还能够确保器件的散热性。
如上所述，根据本实施方式6所涉及的半导体装置模块的制造方法，散热块40形成为，在设置于器件20表面的第二部分40b的表面形成有第一部分40a，第一部分40a比第二部分40b材质硬，在磨削工序中，除去散热块40表面的第一部分40a，因此通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，在磨削完成后，散热块表面的硬的材料不残留地被磨削而露出至模块表面，由此还能够确保器件的散热性。
实施方式7
在实施方式6中，在第二部分40b的表面形成有第一部分40a，但在实施方式7中，对形成有虚设块的情况进行说明。
图12是表示本申请的实施方式7所涉及的半导体装置模块的结构的俯视图(模制树脂未图示)。如图12所示，本申请的实施方式7所涉及的半导体装置模块102成为，在模块的四角且在有机基板10上的未安装有器件以及芯片部件的区域，配置有距有机基板10的高度与散热块40相等并且硬且金刚石砂轮的磨削性良好的虚设块41那种形态。实施方式7所涉及的半导体装置模块102的其他结构及制造方法与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
由此，由于同时磨削软的材料和硬的材料，所以在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，通过使热传导率良好的散热块露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。另外，散热块能够使用现有形态。
如上所述，根据本实施方式7所涉及的半导体装置模块102，具备：器件20以及虚设块41，它们设置在有机基板10的表面；散热块40，其被粘合、固定于器件20的表面；以及模制树脂50，其以使散热块40的至少一面露出的方式密封器件20，虚设块41距有机基板10的高度与散热块40相等，材质比散热块40硬，另外，根据本实施方式7所涉及的半导体装置模块102的制造方法，包括如下工序：在有机基板10的表面安装器件20；在器件20的表面固定散热块40；在有机基板10的表面形成虚设块41；用模制树脂50密封在表面固定有散热块40的器件20；以及将模制树脂50磨削至散热块40的至少一面露出为止，虚设块41距有机基板10的高度与散热块40相等或比散热块40高，材质比散热块40硬，因此同时磨削软的材料和硬的材料，因此通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，通过使热传导率良好的散热块露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。另外，散热块能够使用现有形态。
此外，在实施方式1至实施方式7中，虽然在切割单片化工序(图4的步骤S406)之后，实施了磨削工序(图4的步骤S407)，但不限于此。也可以在磨削工序(图4的步骤S407)之后实施切割单片化工序(图4的步骤S406)。在这些情况下，也能够分别获得在各实施方式中记载的效果。
实施方式8
在实施方式7中，在有机基板10的表面设置有虚设块，但在实施方式8中，对在当单片化时供切断的余量部分形成有虚设块的情况进行说明。
图13中的(a)及(b)是表示本申请的实施方式8所涉及的半导体装置模块的结构的图(模制树脂未图示)，是单片化前的半导体装置模块。图13中的(a)是俯视图，图13中的(b)是图13中的(a)的BB向视剖视图。
如图13中的(a)及(b)所示，本申请的实施方式8所涉及的半导体装置模块103成为在单片化之前的有机基板10的切割线(切断区域)上配置有距有机基板10的高度与散热块40相等并且硬且金刚石砂轮的磨削性良好的虚设块42那种形态。实施方式7所涉及的半导体装置模块的其他结构与实施方式1的半导体装置模块101相同，对对应的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
除在磨削工序(图4的步骤S407)之后实施切割单片化工序(图4的步骤S406)以外，本申请的实施方式8所涉及的半导体装置模块103的制造方法与实施方式1的半导体装置模块101的制造方法相同。
由此，由于同时磨削软的材料和硬的材料，所以在磨削硬的部分时进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，通过使热传导率良好的散热块露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。另外，散热块能够使用现有形态，且也无需确保在模块内配置磨削性良好的虚设散热块的空间。
如上所述，根据本实施方式8所涉及的半导体装置模块103的制造方法，包括如下工序：在有机基板10的表面安装器件20；在器件20的表面固定散热块40；在有机基板10的表面的切割线形成虚设块42；用模制树脂50密封在表面固定有散热块40的器件20；以及将模制树脂50磨削至散热块40的至少一面露出为止，虚设块42形成为，距有机基板10的高度与散热块40相等或比上述散热块40高，材质比散热块40硬，因此同时磨削软的材料和硬的材料，因此通过磨削硬的部分而进行砂轮的修锐(自锐)，从而能够保持砂轮的磨削性。另外，通过使热传导率良好的散热块露出至模块表面，还能够确保器件的散热性。另外，散热块能够使用现有形态，且也无需确保在模块内配置磨削性良好的虚设散热块的空间。
本申请记载了各种例示的实施方式以及实施例，但在1个或多个实施方式中记载的各种特征、方式以及功能不限于在特定的实施方式中应用，而是能够单独或通过各种组合应用于实施方式。因此，在本申请说明书中公开的技术范围内能够想到未例示的无数个变形例。例如包括对至少1个构成要素进行变形的情况、进行追加的情况或进行省略的情况，并且包括提取至少1个构成要素并与其他实施方式的构成要素组合的情况。
附图标记说明：
10...有机基板；20...器件；40...散热块；50...模制树脂；41、42...虚设块；101、102、103...半导体装置模块。

Claims (19)

1.一种半导体装置模块，其特征在于，
具备：
器件，其设置在基板的表面；
散热块，其设置在所述器件的表面；以及
模制树脂，其以使所述散热块的至少一面露出的方式密封所述器件，
所述散热块包含材质的硬度不同的两个部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块从自所述模制树脂露出的一侧的第一部分至与所述器件接触的一侧的第二部分硬度具有梯度，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
3.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块形成为，所述材质的硬度不同的两个部分与所述器件的表面平行地交替重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块的第一部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为筒状，且在所述第一部分的内部形成有第二部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
5.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块的第二部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为筒状，且在所述第二部分的内部形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
6.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块的第一部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为格子状，且在所述第一部分的内部形成有第二部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
7.根据权利要求1所述的半导体装置模块，其特征在于，
所述散热块的第二部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为格子状，且在所述第二部分的内部形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
8.一种半导体装置模块，其特征在于，
具备：
器件以及虚设块，它们设置在基板的表面；
散热块，其设置在所述器件的表面；以及
模制树脂，其以使所述散热块的至少一面露出的方式密封所述器件，
所述虚设块距所述基板的高度与所述散热块距所述基板的高度相等，且所述虚设块的材质比所述散热块的材质硬。
9.一种半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
包括如下工序：
在基板的表面安装器件；
在所述器件的表面固定散热块；
用模制树脂密封在表面固定有所述散热块的所述器件；以及
将所述模制树脂磨削至所述散热块的至少一面露出为止，
所述散热块包含材质的硬度不同的两个部分。
10.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块从自所述模制树脂露出的一侧的第一部分至与所述器件接触的一侧的第二部分硬度具有梯度，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
11.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块形成为，所述材质的硬度不同的两个部分与所述器件的表面平行地交替重叠。
12.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块的第一部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为筒状，且在所述第一部分的内部形成有第二部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
13.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块的第二部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为筒状，且在所述第二部分的筒状的内部形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
14.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块的第一部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为格子状，且在所述第一部分的内部形成有第二部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
15.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块的第二部分在相对于所述器件的表面垂直的方向形成为格子状，且在所述第二部分的内部形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬。
16.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块在固定于所述器件的表面的第二部分的侧面以及表面通过镀敷而形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬，在进行所述磨削的工序中，除去所述散热块的表面的所述第一部分。
17.根据权利要求9所述的半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
所述散热块在设置于所述器件的表面的第二部分的表面端部形成有第一部分，所述第一部分的材质比所述第二部分的材质硬，在进行所述磨削的工序中，除去所述散热块的表面的所述第一部分。
18.一种半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
包括如下工序：
在基板的表面安装器件；
在所述器件的表面固定散热块；
在所述基板的表面形成虚设块；
用模制树脂密封在表面固定有所述散热块的所述器件；以及
将所述模制树脂磨削至所述散热块的至少一面露出为止，
所述虚设块距所述基板的高度与所述散热块距所述基板的高度相等或比所述散热块距所述基板的高度高，且所述虚设块的材质比所述散热块的材质硬。
19.一种半导体装置模块的制造方法，其特征在于，
包括如下工序：
在基板的表面安装器件；
在所述器件的表面固定散热块；
在所述基板的表面的切割线形成虚设块；
用模制树脂密封在表面固定有所述散热块的所述器件；以及
将所述模制树脂磨削至所述散热块的至少一面露出为止，
所述虚设块距所述基板的高度与所述散热块距所述基板的高度相等或比所述散热块距所述基板的高度高，且所述虚设块的材质比所述散热块的材质硬。
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