CN115917650A - 用于存储器装置的错误控制 - Google Patents

Abstract

描述用于存储器装置的错误控制的方法、系统和装置。存储器装置可被配置成执行包含错误控制操作的存储器管理操作。举例来说，存储器装置可被配置成对存储于与存储器阵列的源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作。所述存储器装置可被配置成基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器阵列的所述目标行耦合的第二存储器单元，并且至少部分地基于所述第一存储器单元的所述第一列地址来确定所述管理操作是否完成。所述存储器装置还可基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。

Description

用于存储器装置的错误控制

交叉引用

本专利申请案主张山本(YAMAMOTO)等人2020年6月8日申请的标题为“用于存储器装置的错误控制(ERROR CONTROL FOR MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第16/895,960号的优先权，其让渡给本受让人并且以引用的方式明确并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体来说，涉及用于存储器装置的错误控制。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。FeRAM可能够实现类似于易失性存储器的密度，但可具有非易失性特性，这是因为使用铁电电容器作为存储装置。

附图说明

图1说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的系统的实例。

图2说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器裸片的实例。

图3说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器装置电路系统的实例。

图4说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器装置电路系统的实例。

图5说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的定时图的实例。

图6说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的定时图的实例。

图7示出根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器装置的框图。

图8和9示出说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

一些存储器装置可使用一或多个存储器管理操作管理存储于存储器装置中的数据。举例来说，存储器装置可使用损耗均衡、行复制操作或其它类型的操作来分布耗损和/或延长存储器装置的功能性寿命。这些操作中的一些可不包含错误控制方面，这可在存储器管理操作期间致使错误传播和/或将新错误引入到数据中。这些操作中的一些可被配置成在存储器装置的同一区段内传送数据，这可限制数据耗损均衡和其它分布的可能性。

描述在存储器管理操作中使用错误控制操作的系统、装置和技术。在一些情况下，存储器管理操作(例如行复制操作)可被配置成包含错误控制操作。列地址计数器可用以跟踪存储器源行的每一存储器单元是否已被施加错误控制并且已经存储于目标行中。在一些情况下，存储器管理操作(例如感测复制操作)可被配置成在存储器装置的不同区段之间传送数据。错误校正组件可被配置成在源区段与目标区段之间双态切换以便于正在传送的信息的传送和错误控制。

一开始在参考图1-2所描述的存储器系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3到6所描述的存储器装置电路系统和定时图的上下文中描述本公开的特征。参考与如参考图7到9所描述的用于存储器装置的错误控制有关的设备图和流程图进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但所述一或多个存储器装置110的方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述。

系统100可包含如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统的电子装置的部分。举例来说，系统100可说明计算机、手提式计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴装置、联网装置、车辆控制器等的方面。存储器装置110可以是可操作以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。

系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，例如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(SoC)或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例内。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。

存储器装置110可以是可操作以提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的以与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。

存储器装置110可为可操作的以存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应和执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。

主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。

处理器125可为可操作的以提供用于系统100的至少部分或主机装置105的至少部分的控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在这类实例中，处理器125可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或芯片上系统(SoC)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。

BIOS组件130可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储于只读存储器(ROM)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的期望容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)以及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个组、一个或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一位数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。

装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，且可为可操作的以接收、发射或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可为可操作的以与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。

在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或这两者。例如，存储器装置110可接收指示存储器装置110存储用于主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110将存储于存储器裸片160中的数据提供到主机装置105的读取命令。

本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可为可操作的以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可为可操作的以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。由此，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于发射信号(例如，发射到外部存储器控制器120)的发射器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待发射的信号的编码器，或可操作以用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的所描述操作的各种其它电路或控制器。

外部存储器控制器120可为可操作的以使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传送信息、数据或命令中的一或多个。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100的其它组件或主机装置105或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100的其它组件或主机装置105实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦可。

主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可为可操作的以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可为在主机装置105与存储器装置之间运载信息的发射媒体的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或发射媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作以运载信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，其包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫以及在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可为可操作的以充当信道的部分。

信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(SDR)信令或双倍数据速率(DDR)信令在信道115上传送信令。在SDR信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升或下降沿上的)每个时钟周期登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在DDR信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上的)每个时钟周期登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。

存储器装置110可被配置成在存储器管理操作中执行错误控制操作。举例来说，存储器装置110可被配置成执行存储器管理操作，包含其中存储器源行的每一存储器单元复制并存储到存储器目标行的行复制操作。行复制操作(例如，存储器管理操作)可包含用以校正位错误以免从源行传播到目标行的错误控制操作。行复制操作可另外包含列地址计数器，其跟踪源行的每一存储器单元是否已经复制，已经由错误控制操作施加错误控制，并存储于目标行中。

另外或替代地，存储器装置110可被配置成在存储器管理操作中执行错误控制操作，例如感测复制操作。举例来说，存储器装置110可被配置成执行存储器管理操作，包含其中在存储器装置110的不同区段之间(例如，在存储器阵列170的区段之间、存储器阵列170之间等等)传送数据的感测复制操作。在感测复制操作(例如，存储器管理操作)期间，数据可从存储器装置110的第一区段内的第一存储器单元读取到第一感测组件中。错误组件可被配置成在第一感测组件和第二感测组件之间双态切换以便执行错误控制操作并将数据从第一感测组件传送到第二感测组件。所述数据接着可从第二感测组件转移到存储器装置的第二区段内的第二存储器单元。

图2说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，其可各自可编程以存储不同逻辑状态(例如，经编程到一组两个或更多个可能的状态中的一个)。举例来说，存储器单元205可为可操作的以一次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多层级存储器单元)可为可操作的以每次存储多于一位的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，如参考图1所描述的存储器阵列170。

存储器单元205可存储表示电容器中的可编程状态的状态(例如，偏振状态或介电电荷)。在FeRAM架构中，存储器单元205可包含电容器240，其包含铁电材料以存储表示可编程状态的电荷和/或极化。存储器单元205可包含逻辑存储组件，例如电容器240和开关组件245。电容器240可以是铁电电容器的实例。电容器240的第一节点可与开关组件245耦合，且电容器240的第二节点可与板线220耦合。开关组件245可以是选择性地建立或取消建立两个组件之间的电子通信的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。

存储器裸片200可包含布置成例如网格状图案的图案的存取线(例如，字线210、数字线215和板线220)。存取线可以是与存储器单元205耦合的导线，并且可以用于对存储器单元205执行存取操作。在一些实例中，字线210可以被称为行线。在一些实例中，数字线215可称作列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线、位线或板线或其类似物的引用可互换，而不损失理解或操作。存储器单元205可定位在字线210、数字线215和/或板线220的相交点处。

可通过激活或选择例如字线210、数字线215和/或板线220等存取线而对存储器单元205执行例如读取和写入等操作。通过对字线210、数字线215和板线220加偏压(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)，可在其相交点处存取单个存储器单元205。激活或选择字线210、数字线215或板线220可包含将电压施加到相应线。

可通过行解码器225、列解码器230和板驱动器235来控制对存储器单元205的存取。举例来说，行解码器225可从本地存储器控制器265接收行地址，且基于所接收的行地址激活字线210。列解码器230从本地存储器控制器265接收列地址，且基于所接收的列地址而激活数字线215。板驱动器235可从本地存储器控制器265接收板地址，且基于所接收的板地址而激活板线220。

选择或解除选择存储器单元205可通过激活或解除激活开关组件245而实现。电容器240可使用开关组件245与数字线215电子连通。举例来说，当开关组件245被解除激活时电容器240可与数字线215隔离，且当开关组件245被激活时电容器240可与数字线215耦合。

感测组件250可确定存储在存储器单元205的电容器240上的状态(例如，极化状态或电荷)且基于检测到的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件250可包含一或多个感测放大器以放大存储器单元205的信号输出。感测组件250可将跨越数字线215从存储器单元205接收的信号与参考255(例如，参考电压)进行比较。存储器单元205的检测到的逻辑状态可作为感测组件250的输出提供(例如，提供给输入/输出260)，且可向包含存储器裸片200的存储器装置110的另一组件指示检测到的逻辑状态。

本地存储器控制器265可通过各种组件(例如，行解码器225、列解码器230、板驱动器235和感测组件250)控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器265可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器225、列解码器230和感测组件235以及感测组件250中的一或多个可以与本地存储器控制器265处于相同位置。本地存储器控制器265可为可操作的以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个，将命令或数据(或这两者)转译成存储器裸片200可使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且基于执行一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到主机装置105。本地存储器控制器265可产生行信号和列地址信号以激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220。本地存储器控制器265也可产生和控制在存储器裸片200的操作期间使用的各个电压或电流。一般来说，本文中所论述的所施加电压或电流的幅值、形状或持续时间可变化且对于在操作存储器裸片200时论述的各种操作可以是不同的。

本地存储器控制器265可为可操作的以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些实例中，可由本地存储器控制器265响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)而执行或以其它方式协调存取操作。本地存储器控制器265可为可操作的以执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作有关的不与存取存储器单元205直接相关的其它操作。

本地存储器控制器265可为可操作的以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可被编程为存储所要逻辑状态。本地存储器控制器265可识别将在上面执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数字线215和目标板线220。本地存储器控制器265可激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)，以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器265可在写入操作期间将特定信号(例如，写入脉冲)施加到数字线215以将特定状态(例如，电荷)存储在存储器单元205的电容器240中。用作写入操作的部分的脉冲可包含持续时间内的一或多个电压电平。

本地存储器控制器265可为可操作的以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可以确定存储在存储器裸片200的存储器单元205上的逻辑状态。本地存储器控制器265可识别上面将执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数字线215和目标板线220。本地存储器控制器265可激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)，以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可以响应于施偏压于存取线而将信号传送到感测组件250。感测组件250可放大所述信号。本地存储器控制器265可激活感测组件250(例如，锁存感测组件)并且进而将从存储器单元205接收的信号与参考255进行比较。基于所述比较，感测组件250可确定存储于存储器单元205上的逻辑状态。

存储器裸片200(例如，本地存储器控制器265)可被配置成在存储器管理操作中执行错误控制操作。举例来说，本地存储器控制器265可被配置成执行存储器管理操作，包含其中源行的每一存储器单元205复制并存储到目标行的存储器单元205的行复制操作。行复制操作(例如，存储器管理操作)可包含用以校正位错误以免从源行传播到目标行的错误控制操作。在这方面，本地存储器控制器265可包含或以通信方式耦合到错误控制组件，所述错误控制组件在行复制操作期间对每一存储器单元205执行错误控制操作。行复制操作可包含列地址计数器以跟踪源行的每一存储器单元205是否已经复制，已经由错误控制操作施加错误控制，并且存储于目标行的存储器单元205中。

存储器裸片200(例如，本地存储器控制器265)可另外或替代地被配置成在存储器管理操作中执行错误控制操作，例如感测复制操作。举例来说，本地存储器控制器265可被配置成执行存储器管理操作，包含感测复制操作，其中在存储器裸片200的不同区段之间或第一存储器裸片200和第二存储器裸片200之间传送数据。在存储器管理操作(例如，感测复制操作)期间，本地存储器控制器265可将从第一区段内的第一存储器单元205数据读取到感测组件250中。错误组件可被配置成在感测组件250和额外感测组件250(例如，存储器裸片的额外感测组件，或额外存储器裸片的感测组件250)之间双态切换以便执行错误控制操作并将数据从感测组件250传送所述额外感测组件250。所述数据接着可从额外感测组件250传送到存储器装置的第二区段内的第二存储器单元205。在这方面，存储器裸片200的第一区段内的第一存储器单元205的数据可被复制，已经由错误控制操作施加错误控制，并且存储于存储器裸片200的第二区段内的存储器单元205中。另外或替代地，第一存储器裸片200内的第一存储器单元205的数据可被复制，已经由错误控制操作施加错误控制，并且存储于第二存储器裸片200内的存储器单元205中。

图3说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器装置电路系统300的实例。在一些实例中，存储器装置电路300可包含存储器裸片200的电路系统，或其某一部分(例如，本地存储器控制器265的某一部分、存储器阵列170的某一部分)。

一些存储器装置可使用一或多个存储器管理操作管理存储于存储器装置中的数据。存储器管理操作的实例可包含行复制操作、感测复制操作、垃圾收集操作、耗损均衡操作，或其它用以分布耗损和/或延长存储器装置的功能性寿命的操作。在行复制操作期间，存储于存储器阵列的一个行(例如，源行)中的数据可复制并写入到存储器阵列的第二行(例如，目标行)。然而，一些行复制操作可不包含错误控制方面，这可在行复制操作期间致使错误传播和/或将新错误引入到数据中。举例来说，在DRAM刷新或行复制操作的上下文中，当执行刷新或行复制操作时，源行的存储器单元中的数据可能已经包含一或多个错误。在此类实例中，一些行复制操作可能无法检测或校正数据中的一或多个错误，并且因而可将不正确的存储器状态传播到目标行。类似地，无错误控制操作下的行复制操作还可在信息传送期间将新错误引入到数据中。传播错误和/或引入新错误可致使存储器管理操作更低效率。

因此，本文中描述的用于在存储器管理操作中使用错误控制操作(例如行复制操作、至复制操作、垃圾收集操作、耗损均衡操作、其它操作或其组合)的技术。在一些情况下，行复制操作可包含错误控制操作，其被配置成识别源行所存储所述信息的一或多个错误并且在将所述数据写入到目标行的存储器单元之前校正所确定的错误。行复制操作可另外包含用于跟踪源行的每一存储器单元是否已经复制、施加有错误控制操作并且写入到目标行的技术举例来说，存储器装置电路300可说明实例电路系统，其通过跟踪列地址计数器以确定源行的每一存储器单元是否已经复制、已经由错误控制操作施加错误控制并且存储于目标行的存储器单元中来确定行复制操作何时完成。此类技术可实现行复制操作的改进，这防止在整个存储器装置110(例如，存储器裸片200)中传播位错误，进而实现耗损均衡和存储器管理操作的改进。为了在存储器管理操作期间实施错误控制操作，可使用列计数器和其它控制逻辑识别何时已经读取源行的每个列。

存储器装置电路300可接收用于执行行复制操作的输入信号集。举例来说，存储器装置电路300可接收写入状态信号、列选择信号、刷新信号和全局命令地址信号。用于存储器装置电路300的输入信号可从主机装置105(例如，在CA信道上)接收，或可包含或以其它方式基于存储器装置110(例如，从装置存储器控制器155或本地存储器控制器265)发出的命令。存储器装置电路300可另外包含被配置成组合逻辑命令并对存储器装置电路系统300的输入信号执行逻辑命令的逻辑组件集(例如，AND门、反转门等等)。

存储器装置电路系统300可包含可被配置成确定存储器管理操作是否完成的计数器305。特定来说，计数器305可被配置成跟踪(例如，递增)存储器管理操作(例如，行复制操作)的源行的列地址以跟踪源行的每个列(且因此每一存储器单元205)是否已经复制，已经由错误控制操作施加错误控制，并且写入到目标行。在这方面，计数器305可接收信号、命令或其它与存储器管理操作(例如，行复制操作)有关的指示或触发。举例来说，计数器305可包含输入时钟(CLK)信号、输入设置信号和输入重置信号。设置信号和重置信号可用与行复制操作相关联的初始列地址加载计数器305，CLK信号可周期性地脉冲以递增列地址计数器305，进而提供新列锁存器值直到行复制操作完成为止。

存储器装置电路系统300可另外包含锁存器310。锁存器310可为被配置成接收最后添加信号、激活信号和重置信号的三输入式锁存器的实例。激活信号可基于写入状态信号和列选择信号，并且可指示当下一擦除可能开始时下一时间段的开头。激活信号可被配置成致使锁存器输出正在通过最后添加信号输入到锁存器的值。最后添加输入信号可从计数器305接收，并且可指示行复制操作的源行的最后一列是否已经定址。锁存器310可被配置成产生行复制操作的输出信号。举例来说，锁存器310的输出可用以产生下一擦除信号以在源行的下一列上触发行复制操作，并且可用以当行复制操作完成时(例如，在行复制操作的最后一列已经定址之后)产生行复制终止信号。特定来说，最后添加信号可在列地址并非源行中的最后一个列地址时具有第一值并且可在列地址是源行的最后一个列地址时具有第二值，这指示行操作何时完成。在这方面，锁存器310可产生行复制终止信号，指示当最后添加输入信号指示源行的最后一列时行复制操作结束。

为了发起行复制操作，主机装置105(例如，在CA信道上)和/或存储器装置110(例如，从装置存储器控制器155或本地存储器控制器265)可确定用于行复制操作的源行和目标行。主机装置105、装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器265可发起行复制操作(例如，管理操作)以将信息从源行传送到存储器裸片200的目标行。主机装置105、装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器265可通过产生一或多个命令信号来发起行复制操作。用于发起行复制操作的一或多个命令信号可包含与源行相关联的第一行地址和与目标行相关联的第二行地址的指示。一或多个命令信号可另外包含第一列地址的指示，其指示将开始行复制操作所处的源地址的第一列。

用以发起行复制操作(例如，管理操作)的一或多个命令信号可包含列选择信号、写入状态信号、tRCDdoneRfsh信号和全局命令地址(CA)信号。全局CA信号可包含指示目前正在存取的源行的列地址(例如，第一列地址)的多个地址位。可基于产生在写入状态信号为低且列选择信号为高的情况下为高的tRCDdoneRfsh信号而发起行复制操作。tRCDdoneRfsh信号可指示源行数据感测完成且复制数据锁存于源行中。当tRCDdoneRfsh信号从低转变为高时，可释放锁存器310的重置状态，同时锁存器310的输出保持为低。tRCDdoneRfsh信号可供应给触发H组件355的输入。

触发H组件355可包含通常为低且脉冲为高的单触发脉冲产生器。触发H组件355可检测上升沿输入并在供应给组件325和组件330(例如，AND组件325和AND组件330)的输出上产生高脉冲。组件325和组件330可表示多个装置(例如，多个全局地址位中的每一个都有一个装置供使用，这可经由全局CA信号指示)。每个高全局CA位与来自组件325处的触发H 355的高脉冲结合可致使对应设设置将来自计数器305的相关联输出位设置为高以表示全局CA位的状态。每个低全局CA位与来自组件330处的触发H组件355的高脉冲结合可致使对应重设置将来自计数器305的相关联输出位重置为低以表示全局CA位的状态。因此，tRCDdoneRfsh信号的从低到高转变可致使通过来自计数器305的参考命令地址信号输出来指示来自全局CA信号的开始列地址信息。参考命令地址信号可供应给组件335和列锁存器(例如，锁存器310)。可将源行的第一列读取给错误控制逻辑，且写入状态输入变高并将第一列数据从错误控制逻辑写入到目标行。

写入状态信号和列选择信号可经由AND门350或其它逻辑组件组合，且可进一步输入到触发L组件320中，其中触发L组件320输出锁存信号以在激活输入处提供到锁存器310。触发L组件320可包含通常为高且脉冲为低的脉冲产生器，如将在本文中更详细地描述。激活输入处发到锁存器310的脉冲低可允许通过组件335从参考命令地址信号解码的最后添加输出被锁存器310接受并在锁存器输出处呈现。组件350的输出可另外与锁存器310真输出组合以在经由参考命令地址信号发到锁存器310的最后添加输入为高的情况下激发行复制终止信号。组件350的输出可进一步与锁存器310补足输出组合以在经由参考命令地址信号发到锁存器310的最后添加信号输入为低的情况下激发下一擦除信号。如果下一擦除信号高指示另一擦除循环开始，那么信号写入状态信号将转变到低状态。反转的写入状态信号可与组件315处列选择信号的持续高状态组合以在发到计数器305的CLK输入上形成高边沿。此高CLK边沿可致使计数器305输出经由参考命令地址信号计数到下一个列地址。

参考命令地址信号可输出为列锁存信号，这会触发用于目前正在存取的所选存储器单元205的行复制操作。列锁存信号可包含目前针对行复制操作正在存取的存储器单元205的列地址的指示。在这方面，存储器装置的感测组件250可读取经由列锁存信号中指示的第一列地址所识别的源行的第一存储器单元205的数据。错误控制组件可被配置成基于列锁存信号，对存储于第一存储器单元205中的数据执行错误控制操作。在错误控制操作期间，错误控制组件可确定第一存储器单元205的数据中与第一行地址和第一列地址相关联的错误，并且在存在错误的情况下校正错误。随后，源行的第一存储器单元205的数据可写入到与存储器裸片200的目标行耦合的存储器单元205。源行的第一存储器单元205的数据可基于执行错误控制操作而写入到目标行的存储器单元205。

可通过处理计数器305的输出来产生最后添加信号。计数器305可输出列地址以用于当前复制操作或下一复制操作。组件335(例如，AND门)可被配置成识别何时正在存取源行的最后一列。在一些实例中，AND门可被配置成组合列地址位的至少一部分。当列地址位是第一值(例如，逻辑‘1’)时，AND门可输出第一值，否则AND门可输出第二值(例如，逻辑‘0’)。用于确定是否正在存取或已经存取最后一个列地址的组件335可以是用以将信息与参考或阈值进行比较的任何类型的组件。AND门仅为这类类型的组件的单个实例。参考命令地址信号可另外输入到组件335或其它被配置成基于正在存取的列地址(例如，第一列地址)确定行复制操作是否完成的逻辑组件中。特定来说，组件335可被配置成确定列地址是否满足与源行相关联的阈值。与源行相关联的阈值可基于源行的最后一个列地址。举例来说，当存取经由第一列地址指示的第一存储器单元205时，组件335可被配置成将第一列地址的一或多个位组合成值，并将所述值与关联于源行的阈值进行比较。

在这方面，组件335可被配置成接收参考命令地址信号并输出最后添加信号。最后添加信号可包含行复制操作是否完成的指示。举例来说，当通过组合第一列地址的一或多个位产生的值满足与源行相关联的阈值时，最后添加信号可包含逻辑‘1’的指示，其指示行复制操作完成。相反地，当通过组合第一列地址的一或多个位产生的值不满足与源行相关联的阈值时，最后添加信号可包含逻辑‘0’的指示，其指示行复制操作未完成。

锁存器310可接收最后添加信号，包含行复制操作是否完成的指示。锁存器310可另外接收输入锁存信号。可基于装置存储器控制器155或本地存储器控制器265产生的列选择信号产生输入锁存信号。特定来说，包含目前正在存取的源行的列地址的指示的列选择信号可输入到触发L组件320，其中触发L组件320产生激活信号。

锁存器310可输出信号以提供给AND门340和AND门345。AND门340可被配置成接收来自锁存器310的输出信号和基于写入状态信号和列选择信号的另一信号。在其中锁存器310的输出信号指示行复制操作完成(例如，源行的最后一列已经复制并写入到目标行)的情况下，AND门340可产生行复制终止信号以终止行复制操作。这将在本文中更详细地进行论述。AND门345可被配置成接收来自锁存器310的输出信号和基于写入状态信号和列选择信号的信号。在其中锁存器310的输出信号指示行复制操作并非完成(例如，源行的最后一列尚未复制和写入到目标行)的情况下，AND门345可产生下一擦除信号。

下一擦除信号可被配置成触发写入状态信号以对与源行相关联的不同列地址再次执行。另外或替代地，下一擦除信号可被配置成致使与源行相关联的列地址计数器(例如，计数器305)递增。特定来说，下一擦除信号可被配置成递增经由列选择信号指示的列地址计数器。在这方面，下一擦除信号可被配置成触发行复制操作以当确定行复制操作并非完成时继续到源地址的下一列。举例来说，当第一列地址不满足与源行相关联的阈值时，组件335产生的最后添加信号可指示“0”，其指示行复制操作并非完成，这可致使锁存器310产生输出信号，触发AND门345输出下一擦除信号。在此实例中，下一擦除信号可被配置成激发写入状态信号，并且使经由列选择信号指示的列地址计数器递增到源行的下一列地址。举例来说，下一擦除信号可使列地址计数器递增到源行的第二列地址。

重新断言写入状态信号和列地址计数器递增到(经由列选择信号指示的)第二列地址可致使针对源行的与源行地址和第二列地址相关联的下一存储器单元发起行复制操作。列选择信号可通过AND门315与写入状态信号组合并且作为CLK信号输入到计数器305。可另外通过AND门350组合写入状态信号和列选择信号，其中AND门350产生提供给触发L组件320和AND门340的信号。

计数器305可基于CLK信号和设置信号来输出参考命令地址信号(可包含用于当前列或下一列的列地址，将为行复制操作的部分)。参考命令地址信号可包含目前正在存取的源行的存储器单元205的列地址的指示。举例来说，当对源行的由第二列地址计数指示的第二存储器单元205执行行复制操作时，参考命令地址信号可包含第二列地址的指示。

存储器裸片200的感测组件250可读取存储于源行地址和第二列地址处的第二存储器单元205中的数据。错误控制组件可被配置成对存储于第二存储器单元205中的数据执行错误控制操作。在错误控制操作期间，错误控制组件可确定与第一行地址和第二列地址相关联的第二存储器单元205的数据中是否存在错误，并且在存在错误的情况下校正错误。随后，源行的第二存储器单元205的数据可写入到与存储器裸片200的目标行耦合的第二存储器单元205。源行的第二存储器单元205的数据可基于执行错误控制操作而写入到目标行的存储器单元205。

参考命令地址信号可另外输入到组件335或其它被配置成基于正在存取的列地址(例如，第二列地址)确定行复制操作是否完成的逻辑组件中。组件335可被配置成确定由参考命令地址信号指示的列地址是否满足与源行相关联的阈值。与源行相关联的阈值可基于源行的最后一个列地址。举例来说，当存取经由第二列地址指示的第二存储器单元205时，组件335可被配置成将第二列地址的一或多个位组合成值，并且比较与源行相关联的值。在这方面，组件335可被配置成接收参考命令地址信号并输出最后添加信号。最后添加信号可用以指示行复制操作是否完成。举例来说，当通过组合第二列地址的一或多个位产生的值满足与源行相关联的阈值时，最后添加信号可包含指示“1”，其指示行复制操作完成。相反地，当通过组合第二列地址的一或多个位产生的值不满足与源行相关联的阈值时，最后添加信号可包含指示“0”，其指示行复制操作并非完成。

锁存器310可接收最后添加信号，包含行复制操作是否完成的指示。锁存器310可另外接收激活信号，所述激活信号可基于列选择信号。特定来说，包含目前正在存取的源行的列地址的指示的列选择信号可输入到触发L组件320，其中触发L组件320产生激活信号。锁存器310可产生输出信号以供提供给AND门340和AND门345。

AND门345可被配置成接收来自锁存器310的输出信号和基于写入状态信号和列选择信号的信号。在其中锁存器310的输出指示行复制操作并非完成(例如，源行的最后一列尚未复制和写入到目标行)的情况下，AND门345可产生下一擦除信号。举例来说，在其中第二列地址并非源行的最后一个列地址的情况下，锁存器310可产生输出信号以致使AND门345产生下一擦除信号。下一擦除信号可被配置成再次重新断言写入状态信号，并且递增与源行相关联的列地址计数器。特定来说，下一擦除信号可被配置成经由列选择信号致使列地址计数器递增。在这方面，下一擦除信号可被配置成触发行复制操作当确定行复制操作并非完成时继续到源行的下一列。举例来说，当第二列地址不满足与源行相关联的阈值时，AND门335产生的最后添加信号可指示“0”，其指示行复制操作并非完成，这可致使锁存器310产生输出信号以便触发AND门345输出下一擦除信号。在此实例中，下一擦除信号可被配置成激发写入状态信号，并且使经由列选择信号指示的列地址计数器递增到源行的下一列地址。举例来说，下一擦除信号可使列地址计数器递增到源行的第三列地址。

AND门340可被配置成接收来自锁存器310的输出信号和基于写入状态信号和列选择信号的另一信号。在其中锁存器310的输出信号指示行复制操作完成(例如，源行的最后一列已经复制并写入到目标行)的情况下，AND门340可产生行复制终止信号以终止行复制操作。举例来说，当第二列地址满足与源行相关联的阈值时，最后添加信号可指示“1”，其指示行复制操作完成，这可致使锁存器310产生输出信号以便触发AND门340输出行复制终止信号。

行复制终止信号可指示已经通过行复制操作将源行的每列定址。在这方面，行复制终止信号可指示用于源行的行复制操作结束。行复制终止信号可触发刷新信号(例如，tRCD完成信号)激发。刷新信号可发送到本地存储器控制器165以终止行复制操作。

可在行复制操作完成之后将目标行预充电。在一些情况下，装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器265可产生被配置成基于确定存储器管理操作(例如，行复制操作)完成将目标行预充电的信号。

本文中关于存储器装置电路系统300所描述的技术可实现存储器管理操作的改进。更具体地说，存储器装置电路系统300可启用行复制操作，包含被配置成防止行复制操作将错误从源行传播到目标行的错误控制操作。另外或替代地，存储器装置电路系统300可启用源行的列地址计数器的跟踪以确保对源行的每一存储器单元205(例如，每一列地址)执行行复制操作(和错误控制操作)。

图4说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的存储器装置电路系统400的实例。在一些实例中，存储器装置电路系统300可包含存储器裸片200的电路系统，或其某一部分(例如，本地存储器控制器265的某一部分、存储器阵列170的某一部分)。

一些存储器装置可执行存储器管理操作，例如感测复制操作，以便实施耗损均衡并且管理存储于存储器装置中的数据。在感测复制操作期间，来自第一存储器单元的数据可读取到感测组件中，并且传送到不同于第一存储器单元的第二存储器单元。然而，一些感测复制操作可不包含错误控制方面，这可在感测复制操作期间致使错误传播和/或将新错误引入到数据中。此外，通过单个感测组件执行一些感测复制操作，并且能够在同一区段内的存储器单元之间传送数据。举例来说，一些感测复制操作可能不能够将数据从存储器装置的第一区段中的第一存储器单元传送到存储器装置的第二区段中的第二存储器单元。如在本文中所使用，术语“区段”可用以指代所属领域中已知的存储器装置的任何子集。举例来说，在一些情况下，第一区段可指代相对于第二感测放大器集可独立地定址的第一感测放大器集。第二感测放大器集可处于第二区段中。借助于另一实例，第一区段可指代存储器裸片内的第一区，且第二区段可指代存储器裸片内的第二区。

本文中描述用于使用错误控制操作和感测组件集在存储器装置的区段之间执行感测复制操作的技术。举例来说，可执行感测复制操作以在存储器裸片200的不同区段之间或第一存储器裸片200和第二存储器裸片200之间传送数据。在一些情况下，感测复制操作可包含被配置成在将第一存储器单元的数据复制到第二存储器单元之前确定和校正第一存储器单元内的错误的错误控制操作。在感测复制操作(例如，存储器管理操作)期间，本地存储器控制器265可将数据从第一区段内的第一存储器单元205读取到感测组件250中。错误组件可被配置成在感测组件250和与数据的目标地址相关联的额外感测组件250(例如，存储器裸片200的额外感测组件，或额外存储器裸片200的感测组件250)之间双态切换。错误控制组件可被配置成执行错误控制操作以在将数据传送到额外感测组件250之前确定和校正第一存储器单元205数据数据中的位错误。数据接着可从额外感测组件250传送到存储器装置的第二区段内的第二存储器单元205。此类技术可实现感测复制操作的改进，这防止在整个存储器装置110(例如，存储器裸片200)中传播位错误，进而实现耗损均衡和存储器管理操作的改进。此外，本公开的技术可使得能够在存储器装置的两个不同区段之间执行感测复制操作，进而提高耗损均衡和数据管理的灵活性。

存储器装置电路系统400可包含第一存储器单元集405和第二存储器单元集435。第一存储器单元集405可包含存储器单元405-a、405-b、405-c和405-d且第二存储器单元集435可包含存储器单元435-a、435-b、435-c和435-d。第一存储器单元集405可与第一字线440(例如，源字线440)相关联(例如，耦合)，且第二存储器单元集435可与第二字线445(例如，目标字线445)相关联。在一些情况下，存储器装置110的第一区段可包含第一存储器单元集405，且存储器装置110的第二区段可包含第二存储器单元集435。举例来说，第一区段可包含第一存储器单元集405，且第二区段可包含第二存储器单元集435。在一些方面中，第一区段可与第一区段地址相关联，且第二区段可与第二区段地址相关联。

感测复制操作可被配置成将数据从第一存储器单元集405传送到第二存储器单元集435。在其中第一存储器单元集405和第二存储器单元集435安置于存储器装置110的不同区段(例如，存储器阵列170的不同区段)中的情况下，感测复制操作可被配置成将数据从存储器装置110的一个区段传送到存储器装置110的另一区段。存储器装置电路系统400可接收用于发起感测复制操作的一或多个输入信号。被配置成发起感测复制操作的一或多个输入信号可从主机装置105(例如，在CA信道上)接收，或可包含或以其它方式基于由存储器装置110(例如，从装置存储器控制器155或本地存储器控制器265)发出的命令。

在感测复制操作期间，可将来自第一存储器单元405-a的数据读取到第一感测组件415-a中。在一些情况下，第一存储器单元405-a和/或第一感测组件415-a可包含于存储器装置的第一区段内。举例来说，第一存储器单元405-a和第一感测组件415-a可包含于存储器装置和/或存储器阵列的第一区段和/或存储器阵列内。数据可经由与第一区段相关联的第一数字线410-a从第一存储器单元405-a传送到第一感测组件415-a。另外，可通过激活第一区段的第一感测组件415-a，将数据从第一存储器单元405-a读取到第一感测组件415-a。在一些情况下，主机装置105、装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器265可激活第一感测组件415-a。

接着可将数据从第一感测组件415-a传送到错误控制组件420-a。错误控制组件420-a可被配置成对数据执行错误控制操作。错误控制组件420-a可基于数据传送到错误控制组件420-a而对数据执行错误控制操作。在错误控制操作期间，错误控制组件420-a可确定第一存储器单元集的数据包含一或多个错误，并且在存在错误的情况下校正错误。错误控制组件420-a可安置于存储器装置或存储器阵列的第一区段或第二区段内。举例来说，在一些情况下，错误控制组件420-a可与第一存储器单元405-a和第一感测组件415-a一起包含于第一区段内。借助于另一实例，在其它情况下，错误控制组件420-a可包含于第二区段内。在其它情况下，错误控制组件420可定位于存储器装置的任一部分中并且可能并不具体地与第一区段或第二区段相关联。

在一些情况下，数据可经由数据线从第一区段中的第一感测组件415-a传送到错误控制组件420-a。数据线可布设在整个存储器装置和/或存储器阵列中，并且可从第一区段横移到第二区段。在这方面，数据可经由从第一区段布设到第二区段的数据线从第一区段中的第一感测组件415-a传送到第二区段中的错误控制组件420-a。

在一些情况下，可基于将第一感测组件415-a的区段地址锁存于第一锁存器中，将数据从第一感测组件415-a传送到错误控制组件420-a。举例来说，与第一区段相关联的第一区段地址(例如，与第一区段内的第一感测组件415-a相关联的第一区段地址)可存储于第一锁存器中。在此实例中，可基于将与第一感测组件415-a相关联的第一区段地址存储于第一锁存器中，将数据从第一感测组件415-a传送到错误控制组件420-a。

数据可从错误控制组件420-a传送到第二感测组件425-a，如图4中所示。第二感测组件425-b可与存储器装置或存储器阵列的第二区段相关联。在一些情况下，可经由数据线将数据从错误控制组件420-a传送到第二区段中的第二感测组件425-a。数据线可布设在整个存储器装置110和/或存储器阵列170中，并且可从第一区段横移到第二区段。

在一些方面中，错误控制组件420-a可被配置成在第一感测组件415-a和第二感测组件425-a之间双态切换以便在第一感测组件415-a和第二感测组件425-a之间传送数据。举例来说，可通过激活与第一区段相关联的第一感测组件415-a，将数据从第一存储器单元405-a读取到第一感测组件415-a。在此实例中，可维持第一感测组件的激活以便将数据从第一感测组件415-a传送到错误控制组件420-a，并且从错误控制组件420-a传送到与第二区段相关联的第二感测组件425-a。在这方面，错误控制组件420-a可被配置成在第一感测组件415-a和第二感测组件415-b之间双态切换以基于维持第一感测组件415-a的激活而在第一感测组件415-a和第二感测组件415-b之间传送数据。

可激活第二感测组件425-a以将数据从错误控制组件420-a传送到第二感测组件425-b。在这方面，可基于激活第二感测组件425-a，使数据从错误控制组件420-a传送到第二感测组件425-a。在一些情况下，可基于错误控制组件420-a执行错误控制操作而激活第二感测组件25-a。在一些情况下，可通过主机装置105、装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器265激活第二感测组件425-a。

在一些情况下，可基于将第二感测组件425-a的区段地址锁存于第二锁存器中，将数据从错误控制组件420-a传送到第二感测组件425-a。举例来说，与第二区段相关联的第二区段地址(例如，与第二区段内的第二感测组件425-a相关联的第二区段地址)可存储于第二锁存器中。在此实例中，可基于将与第二感测组件425-a相关联的第二区段地址存储于第二锁存器中，将数据从错误控制组件420-a传送到第二感测组件425-a。

可将数据从第二感测组件425-a传送到存储器单元435-a。存储器单元435-a可与存储器装置110或存储器阵列170的第二区段相关联(例如，安置于所述第二区段内)。在一些情况下，可经由与第二区段相关联的第二数字线430-a将数据从第二感测组件425-a传送到存储器单元435-a。

存储在存储器单元405-b、405-c和405-d内的数据可在整个感测复制操作中类似地传送到存储器单元435-b、435-c和435-d。在这方面，与将数据从存储器单元405-a传送到存储器单元435-a相关联的任何描述可另外理解为适用于存储器单元405-b、405-c和405-d与存储器单元435-b、435-c和435-d之间的数据传送。举例来说，存储器单元405-b的数据可经由数字线410-b、感测组件415-b、错误控制组件420-b、感测组件425-b和数字线430-b传送到存储器单元435-b。

虽然感测组件415-a、415-b、415-c和415-b、感测组件425-a、425-b、425-c和425-d以及错误控制组件420-a、420-b、420-c和420-d被示出并描述为包含单独组件，但除非在本文中以其它方式指出，否则这不应被视为对本公开的限制。在这方面，两个或更多个组件可组合成单个组件。举例来说，在一些情况下，错误控制组件420-a、420-b、420-c和420-d可包含被配置成执行用于在第一存储器单元集405和第二存储器单元集435的每个相应存储器单元之间传送数据的错误控制操作的单个错误控制组件。类似地，在一些情况下，感测组件415-a、415-b、415-c和415-b可包含与第一区段相关联的单个感测组件，且感测组件425-a、425-b、425-c和425-d可包含与第二区段相关联的单个感测组件。

图5说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的定时图500的实例。定时图500说明可与感测复制操作相关联的电压源依序停用和启用的实例。另外，定时图500说明可与存储器裸片200的组件或操作相关联的电压源依序停用和启用的实例。在一个实例中，定时图500的电压可与参考图4所描述的存储器装置电路系统400相关联。然而，所描述的技术适用于存储器裸片200的电压源的其它组件、配置和数量。

在执行感测复制操作以将第一区段内的源行的存储器单元205(例如，存储器单元405)复制到目标区段中目标行的存储器单元205(例如，存储器单元435)时，存储器裸片200可通过产生源行地址信号来激活与源行相关联的源行地址。在源行地址变得有效(例如，被激活)之后，可通过产生WordLineEnable信号来激活与源行相关联的源字线。源行地址信号和WordLineEnable信号可被配置成允许存储器裸片200存取源行的将在感测复制操作期间复制的存储器单元。

在源行地址和存储器单元205的字线均被激活(例如，源行地址信号和WordLineEnable信号均被激活)之后，存储器裸片200可通过产生SenseAmpEnable来激活与源行(例如，感测组件415)相关联的感测组件。可在激活源行之后的某一时间激活与源行相关联的感测组件(例如，感测组件415)以便读取(例如，感测)源行的目前正被存取的存储器单元205内的数据。随后，存储器裸片200可通过产生SourceSenseAmpLat信号来锁存源行。

可维持感测组件的激活(例如，SenseAmpEnable信号保持激活)以使得可从维持于感测组件(例如，感测组件415)中的数据来回执行擦除。相对地，一旦源行已经锁存且源行内的存储器单元205的数据已经读取到感测组件中，WordLineEnable信号便可变低，进而释放源字线的激活。在这方面，WordLineEnable信号可脉冲为低以便允许存储器裸片200解除激活源行地址并且激活目标行地址。在目标行地址已经激活之后，可再次激活WordLineEnable信号。另外，在目标行地址和字线均被激活之后，存储器裸片200可产生TargetSenseAmpLat信号以便激活和锁存与目标行相关联的感测组件(例如，感测组件425)。

存储器裸片200可维持源感测组件(例如，感测组件415)和目标感测组件(例如，感测组件425)的激活，如由SenseAmpEnable信号和TargetSenseAmpLat信号所说明，以便针对错误控制组件420在源感测组件415和目标感测组件425之间来回擦除(例如，双态切换)。在这方面，错误控制组件可在源感测组件和目标感测组件之间双态切换以便将数据从源感测组件传送到目标感测组件。

图6说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的定时图600的实例。定时图600说明可与感测复制操作相关联的电压源依序停用和启用的实例。另外，定时图600说明可与存储器裸片(例如，存储器裸片200)的组件或操作相关联的电压源依序停用和启用的实例。在一个实例中，定时图600的电压可与参考图4所描述的存储器装置电路系统400和参考图5所描述的定时图500相关联。然而，所描述的技术适用于存储器裸片的电压源的其它组件、配置和数量。

当执行感测复制操作时，存储器裸片可产生源行的字线(例如，源字线440)的激活。在源行的字线激活之后的某一时间，存储器裸片200可激活与第一行相关联的感测组件(例如，感测组件415)。可在当源字线和源感测组件两者均被激活时的时间执行源行内的一或多个存储器单元205(例如，存储器单元405)到错误控制组件(例如，错误控制组件420)的第一读取。

随后，可释放源字线的激活，且存储器裸片可激活目标字线(例如，目标字线445)。存储器裸片可另外激活目标感测组件(例如，感测组件425)。存储器裸片可维持源感测组件(例如，感测组件415)的激活以及目标感测组件(例如，目标感测组件425)的激活以便针对错误控制组件(例如，错误控制组件420)在源感测组件和目标感测组件之间来回擦除。在这方面，错误控制组件可在源感测组件和目标感测组件之间双态切换以便将数据从源感测组件传送到目标感测组件。在擦除时段期间，存储器裸片可维持目标字线(例如，目标字线445)的激活以使得数据可在整个擦除时段中从错误控制组件传送到目标感测组件。因此，擦除时段内的粗体部分可另外或替代地说明将数据传送到目标感测组件，并且将数据从目标感测组件写入到目标存储器单元的写入脉冲。

图7示出根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制一存储器装置705的框图700。存储器装置705可为如参考图1-6所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置705可包含错误控制组件710、操作管理器715、命令地址管理器720和预充电组件725。这些组件中的每一个可彼此直接或间接(例如，经由一或多个总线)通信。

错误控制组件710可基于发起管理操作，对存储于与存储器装置的源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处。在一些实例中，错误控制组件710可基于将数据传送到错误控制组件，通过错误控制组件对数据执行错误控制操作。在一些实例中，错误控制组件710可读取第一存储器单元的数据。在一些实例中，错误控制组件710可确定第一存储器单元的数据中的错误。在一些实例中，错误控制组件710可基于确定错误而校正所述错误。

在一些实例中，错误控制组件710可基于将数据传送到第二存储器单元，通过错误控制组件在第一区段的第一感测组件和第二区段的第二感测组件之间双态切换以在第一感测组件和第二感测组件之间传送数据集。在一些实例中，错误控制组件710可在将所述数据从第一感测组件传送到错误控制组件之后维持第一感测组件的激活，其中第一区段的第一感测组件和第二区段的第二感测组件之间的双态切换是基于维持第一感测组件的激活。在一些实例中，错误控制组件710可将所述数据从错误控制组件传送到与存储器装置的第二区段相关联的第二感测组件。在一些情况下，第一区段包含第一存储器单元。在一些情况下，第二区段包含第二存储器单元。

操作管理器715可发起管理操作以将信息从存储器装置的源行传送到目标行。在一些实例中，操作管理器715可基于对所述数据执行错误控制操作，将所述数据写入到与存储器装置的目标行耦合的第二存储器单元。

在一些实例中，操作管理器715可基于第一存储器单元的第一列地址，确定管理操作是否完成。在一些实例中，操作管理器715可基于确定管理操作是否完成，产生输出信号以对与源行耦合的第三存储器单元执行错误控制操作。在一些实例中，作为将信息从存储器装置的第一区段传送到第二区段的管理操作的部分，操作管理器715可将第一存储器单元的数据读取到第一感测组件中。在一些实例中，操作管理器715可产生写入状态信号和全局命令地址信号，包含用于命令地址计数器的指示。

在一些实例中，操作管理器715可激活第一区段的第一感测组件，其中读取数据是基于激活第一感测组件。在一些实例中，操作管理器715可基于执行错误控制操作，激活第二区段的第二感测组件，其中将数据从错误控制组件传送到第二感测组件是基于激活第二感测组件。在一些实例中，操作管理器715可经由与存储器装置的第一区段相关联的第一数字线将数据从第一存储器单元传送到第一感测组件。

命令地址管理器720可确定第一列地址是否满足与源行相关联的阈值。在一些实例中，命令地址管理器720可将第一列地址的一或多个位组合成值。在一些实例中，命令地址管理器720可将所述值与关联于源行的阈值进行比较，其中确定所述第一列地址是否满足所述阈值是基于将所述值与所述阈值进行比较。在一些实例中，命令地址管理器720可基于产生所述输出信号，递增与所述源行相关联的列地址计数器。在一些实例中，命令地址管理器720可基于递增所述列地址计数器，识别所述第三存储器单元的第二列地址。在一些实例中，命令地址管理器720可基于与所述第三存储器单元相关联的第三列地址，确定所述管理操作完成。在一些实例中，命令地址管理器720可确定所述第三列地址满足与所述源行相关联的阈值。

预充电组件725可基于确定管理操作完成，将目标行预充电。

图8示出说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的一或多种方法800的流程图。可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施方法800的操作。举例来说，可由如参考图7所描述的存储器装置执行方法800的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在805处，存储器装置可发起管理操作以将信息从存储器装置的源行传送到目标行。可根据本文中所描述的方法执行805的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的操作管理器执行805的操作的方面。

在810处，所述存储器装置可基于发起所述管理操作，对存储于与所述存储器装置的所述源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处。可根据本文中所描述的方法来执行810的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的错误控制组件执行810的操作的方面。

在815处，所述存储器装置可基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器装置的所述目标行耦合的第二存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行815的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的操作管理器执行815的操作的方面。

在820处，所述存储器装置可基于所述第一存储器单元的所述第一列地址，确定所述管理操作是否完成。可根据本文中所描述的方法执行820的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的操作管理器执行820的操作的方面。

在825处，存储器装置可基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。可根据本文中所描述的方法执行825的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的操作管理器执行825的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法800。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：发起管理操作以将信息从存储器装置的源行传送到目标行；基于发起所述管理操作，对存储于与所述存储器装置的所述源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处；基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器装置的所述目标行耦合的第二存储器单元；基于所述第一存储器单元的所述第一列地址，确定所述管理操作是否完成；和基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。

在本文中描述的方法800和设备的一些实例中，确定所述管理操作是否完成可包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的阈值。

本文中描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：将所述第一列地址的一或多个位组合成值；和将所述值与关联于所述源行的所述阈值进行比较，其中确定所述第一列地址是否满足所述阈值可基于将所述值与所述阈值进行比较。

在本文中描述的方法800和设备的一些实例中，对存储于所述第一存储器单元中的所述数据执行所述错误控制操作可包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：读取所述第一存储器单元的所述数据；确定所述第一存储器单元的所述数据中的错误；和基于确定所述错误来校正所述错误。

本文中描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于产生所述输出信号，递增与所述源行相关联的列地址计数器；和基于递增所述列地址计数器，识别所述第三存储器单元的第二列地址。

本文中描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于与所述第三存储器单元相关联的第三列地址，确定所述管理操作可完成。

在本文中描述的方法800和设备的一些实例中，确定所述管理操作完成可完成可包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定所述第三列地址满足与所述源行相关联的阈值。

本文中描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于确定所述管理操作可完成，将所述目标行预充电。

在本文中描述的方法800和设备的一些实例中，发起所述管理操作以将所述信息从所述源行传送到所述目标行可包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：产生写入状态信号和全局命令地址信号，包含用于命令地址计数器的指示。

图9示出说明根据本文所公开的实例的支持用于存储器装置的错误控制的一或多种方法900的流程图。可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施方法900的操作。举例来说，可由如参考图7所描述的存储器装置执行方法900的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在905处，作为将信息从存储器装置的第一区段传送到第二区段的管理操作的部分，存储器装置可将第一存储器单元的数据读取到第一感测组件中。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的操作管理器执行905的操作的方面。

在910处，所述存储器装置可将所述数据从所述第一感测组件传送到错误控制组件。可根据本文中所描述的方法执行910的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的感测组件管理器执行910的操作的方面。

在915处，所述存储器装置可基于将所述数据传送到所述错误控制组件，通过所述错误控制组件对所述数据执行错误控制操作。可根据本文中所描述的方法执行915的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的错误控制组件执行915的操作的方面。

在920处，存储器装置可将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二感测组件。可根据本文中所描述的方法执行920的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的错误控制组件执行920的操作的方面。

在925处，所述存储器装置可将所述数据从所述第二感测组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行925的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的感测组件管理器执行925的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法900。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：作为将信息从存储器装置的第一区段传送到第二区段的管理操作的部分，将第一存储器单元的数据读取到第一感测组件中；将所述数据从所述第一感测组件传送到错误控制组件；基于将所述数据传送到所述错误控制组件，通过所述错误控制组件对所述数据执行错误控制操作；将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二感测组件；和将所述数据从所述第二感测组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二存储器单元。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于将所述数据传送到所述第二存储器单元，通过所述错误控制组件在所述第一区段的所述第一感测组件与所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换以在所述第一感测组件和所述第二感测组件之间传送多个数据。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：在将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件之后，维持所述第一感测组件的激活，其中在所述第一区段的所述第一感测组件和所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换可基于维持所述第一感测组件的所述激活。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：激活所述第一区段的所述第一感测组件，其中读取所述数据可基于激活所述第一感测组件；和基于执行所述错误控制操作，激活所述第二区段的所述第二感测组件，其中将所述数据从所述错误控制组件传送到所述第二感测组件可基于激活所述第二感测组件。

在本文中描述的方法900和设备的一些实例中，所述第一区段包含所述第一存储器单元，且所述第二区段包含所述第二存储器单元。在本文中描述的方法900和设备的一些实例中，所述第一区段包含所述第一感测组件，且所述第二区段包含所述第二感测组件。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：将所述数据从所述第一感测组件传送到与所述存储器装置的所述第一区段相关联的所述错误控制组件；和将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的所述第二感测组件。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：经由与所述存储器装置的所述第一区段相关联的第一数字线将所述数据从所述第一存储器单元传送到所述第一感测组件；和经由与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二数字线将所述数据从所述第二感测组件传送到所述第二存储器单元。

本文中描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：将与所述第一感测组件相关联的第一区段地址存储于第一锁存器中，其中将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件可基于将所述第一区段地址存储于所述第一锁存器中；和将与所述第二感测组件相关联的第二区段地址存储于第二锁存器中，其中将所述数据从所述错误控制组件传送到所述第二感测组件可基于将所述第二区段地址存储于所述第二锁存器中。

应注意，本文中所描述的方法是可能的实施方案，且操作和步骤可以重新排列或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两个或更多个的部分。

描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列，其包含第一区段和第二区段；和控制组件，其与所述存储器阵列相关联且被配置成致使所述设备：基于发起管理操作，对存储于与存储器阵列的源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处；基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器阵列的所述目标行耦合的第二存储器单元；基于所述第一存储器单元的所述第一列地址，确定所述管理操作是否完成；和基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。

一些实例可另外包含确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的阈值，其中确定所述管理操作是否可完成可基于确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的所述阈值。

一些实例可另外包含将所述第一列地址的一或多个位组合成值；和将所述值与关联于所述源行的所述阈值进行比较，其中确定所述第一列地址是否满足所述阈值可基于将所述值与所述阈值进行比较。

一些实例可另外包含读取所述第一存储器单元的所述数据；确定所述第一存储器单元的所述数据中的错误；和基于确定所述错误来校正所述错误，其中对存储于所述第一存储器单元中的所述数据执行所述错误控制操作可基于读取所述第一存储器单元的所述数据，确定所述第一存储器单元的所述数据中的所述错误，并且校正所述错误。

描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列，其包含第一区段和第二区段；和控制组件，其与所述存储器阵列相关联且被配置成致使所述设备：将数据从第一感测组件传送到错误控制组件；基于将所述数据传送到所述错误控制组件，通过所述错误控制组件对所述数据执行错误控制操作；将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二感测组件；和将所述数据从所述第二感测组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二存储器单元。

一些实例可另外包含基于将所述数据传送到所述第二存储器单元，通过所述错误控制组件在所述第一区段的所述第一感测组件与所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换以在所述第一感测组件和所述第二感测组件之间传送数据集。

一些实例可另外包含在将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件之后，维持所述第一感测组件的激活，其中在所述第一区段的所述第一感测组件和所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换可基于维持所述第一感测组件的所述激活。

可使用多种不同技术和技艺中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。

术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号可通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器将两个组件彼此隔离时，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

如本文所用，术语“大体上”意指经修饰特征(例如由术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但要足够接近以便获得特征的优点。

如本文所使用，术语“电极”可指电导体，且在一些实例中，可用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电接触件。电极可包含迹线、导线、导电线、导电层等，其提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路径。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的且可包括经重掺杂(例如，简并)半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型的(即，大部分载流子是电子)，那么FET可被称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则FET可被称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“解除激活”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，与第二参考标记无关。

可使用多种不同技术和技艺中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。

结合本文中本公开所描述的各种说明性块和组件可使用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器，或任何其它这类配置)。

本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以发射。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“……中的至少一个”或“……中的一或多个”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体与包含促进计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字影音光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

Claims (25)

1.一种方法，其包括：

发起管理操作以将信息从存储器装置的源行传送到目标行；

至少部分地基于发起所述管理操作，对存储于与所述存储器装置的所述源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处；

至少部分地基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器装置的所述目标行耦合的第二存储器单元；

至少部分地基于所述第一存储器单元的所述第一列地址，确定所述管理操作是否完成；和

至少部分地基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述管理操作是否完成包括：

确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的阈值。

3.根据权利要求2所述的方法，其另外包括：

将所述第一列地址的一或多个位组合成值；和

将所述值与关联于所述源行的所述阈值进行比较，其中确定所述第一列地址是否满足所述阈值至少部分地基于将所述值与所述阈值进行比较。

4.根据权利要求1所述的方法，其中对存储于所述第一存储器单元中的所述数据执行所述错误控制操作包括：

读取所述第一存储器单元的所述数据；

确定所述第一存储器单元的所述数据中的错误；和

至少部分地基于确定所述错误来校正所述错误。

5.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：

至少部分地基于产生所述输出信号，递增与所述源行相关联的列地址计数器；和

至少部分地基于递增所述列地址计数器，识别所述第三存储器单元的第二列地址。

6.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：

至少部分地基于与所述第三存储器单元相关联的第三列地址，确定所述管理操作完成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中确定所述管理操作完成包括：

确定所述第三列地址满足与所述源行相关联的阈值。

8.根据权利要求6所述的方法，其另外包括：

至少部分地基于确定所述管理操作完成，将所述目标行预充电。

9.根据权利要求1所述的方法，其中发起所述管理操作以将所述信息从所述源行传送到所述目标行包括：

产生写入状态信号和全局命令地址信号，包含用于命令地址计数器的指示。

10.一种方法，其包括：

作为将信息从存储器装置的第一区段传送到第二区段的管理操作的部分，将第一存储器单元的数据读取到第一感测组件中；

将所述数据从所述第一感测组件传送到错误控制组件；

至少部分地基于将所述数据传送到所述错误控制组件，通过所述错误控制组件对所述数据执行错误控制操作；

将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二感测组件；和

将所述数据从所述第二感测组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二存储器单元。

11.根据权利要求10所述的方法，其另外包括：

至少部分地基于将所述数据传送到所述第二存储器单元，通过所述错误控制组件在所述第一区段的所述第一感测组件与所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换以在所述第一感测组件和所述第二感测组件之间传送多个数据。

12.根据权利要求11所述的方法，其另外包括：

在将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件之后，维持所述第一感测组件的激活，其中在所述第一区段的所述第一感测组件和所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换至少部分地基于维持所述第一感测组件的所述激活。

13.根据权利要求10所述的方法，其另外包括：

激活所述第一区段的所述第一感测组件，其中读取所述数据至少部分地基于激活所述第一感测组件；和

至少部分地基于执行所述错误控制操作，激活所述第二区段的所述第二感测组件，其中将所述数据从所述错误控制组件传送到所述第二感测组件至少部分地基于激活所述第二感测组件。

14.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述第一区段包含所述第一存储器单元；且

所述第二区段包含所述第二存储器单元。

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

所述第一区段包含所述第一感测组件；且

所述第二区段包含所述第二感测组件。

16.根据权利要求10所述的方法，其另外包括：

将所述数据从所述第一感测组件传送到与所述存储器装置的所述第一区段相关联的所述错误控制组件；和

将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的所述第二感测组件。

17.根据权利要求10所述的方法，其另外包括：

经由与所述存储器装置的所述第一区段相关联的第一数字线将所述数据从所述第一存储器单元传送到所述第一感测组件；和

经由与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二数字线将所述数据从所述第二感测组件传送到所述第二存储器单元。

18.根据权利要求10所述的方法，其另外包括：

将与所述第一感测组件相关联的第一区段地址存储于第一锁存器中，其中将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件至少部分地基于将所述第一区段地址存储于所述第一锁存器中；和

将与所述第二感测组件相关联的第二区段地址存储于第二锁存器中，其中将所述数据从所述错误控制组件传送到所述第二感测组件至少部分地基于将所述第二区段地址存储于所述第二锁存器中。

19.一种设备，其包括：

存储器阵列，其包括第一区段和第二区段；和

控制组件，其与所述存储器阵列相关联且被配置成致使所述设备：

发起管理操作以将信息从所述存储器阵列的源行传送到目标行；

至少部分地基于发起所述管理操作，对存储于与所述存储器阵列的所述源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作，所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处；

至少部分地基于对所述数据执行所述错误控制操作，将所述数据写入到与所述存储器阵列的所述目标行耦合的第二存储器单元；

至少部分地基于所述第一存储器单元的所述第一列地址，确定所述管理操作是否完成；和

至少部分地基于确定所述管理操作是否完成，产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述控制组件被进一步配置成致使所述设备：

确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的阈值，其中确定所述管理操作是否完成至少部分地基于确定所述第一列地址是否满足与所述源行相关联的所述阈值。

21.根据权利要求20所述的设备，其中与所述存储器阵列相关联的所述控制组件被进一步配置成致使所述设备：

将所述第一列地址的一或多个位组合成值；和

将所述值与关联于所述源行的所述阈值进行比较，其中确定所述第一列地址是否满足所述阈值至少部分地基于将所述值与所述阈值进行比较。

22.根据权利要求19所述的设备，其中所述控制组件被进一步配置成致使所述设备：

读取所述第一存储器单元的所述数据；

确定所述第一存储器单元的所述数据中的错误；和

至少部分地基于确定所述错误来校正所述错误，其中对存储于所述第一存储器单元中的所述数据执行所述错误控制操作至少部分地基于读取所述第一存储器单元的所述数据，确定所述第一存储器单元的所述数据中的所述错误，并且校正所述错误。

23.一种设备，其包括：

存储器阵列，其包括第一区段和第二区段；和

控制组件，其与所述存储器阵列相关联且被配置成致使所述设备：

作为将信息从存储器装置的所述第一区段传送到所述第二区段的管理操作的部分，将第一存储器单元的数据读取到第一感测组件中；

将所述数据从所述第一感测组件传送到错误控制组件；

至少部分地基于将所述数据传送到所述错误控制组件，通过所述错误控制组件对所述数据执行错误控制操作；

将所述数据从所述错误控制组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二感测组件；和

将所述数据从所述第二感测组件传送到与所述存储器装置的所述第二区段相关联的第二存储器单元。

24.根据权利要求23所述的设备，其中与所述存储器装置相关联的所述控制组件被进一步配置成致使所述设备：

至少部分地基于将所述数据传送到所述第二存储器单元，通过所述错误控制组件在所述第一区段的所述第一感测组件与所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换以在所述第一感测组件和所述第二感测组件之间传送多个数据。

25.根据权利要求24所述的设备，其中与所述存储器装置相关联的所述控制组件被进一步配置成致使所述设备：

在将所述数据从所述第一感测组件传送到所述错误控制组件之后，维持所述第一感测组件的激活，其中在所述第一区段的所述第一感测组件和所述第二区段的所述第二感测组件之间双态切换至少部分地基于维持所述第一感测组件的所述激活。

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