CN115784747A

CN115784747A - 聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法

Info

Publication number: CN115784747A
Application number: CN202211518539.7A
Authority: CN
Inventors: 王海龙; 符潆心; 刘雯; 王海亮; 李明亮; 宋博; 邵刚; 张锐
Original assignee: Zhengzhou University
Current assignee: Zhengzhou University
Priority date: 2022-11-29
Filing date: 2022-11-29
Publication date: 2023-03-14
Anticipated expiration: 2042-11-29
Also published as: CN115784747B

Abstract

本申请涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括：以聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解生成无机陶瓷，通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高；经球磨将高温裂解产物与微米级碳化硅粉体混合；结合放电等离子体烧结技术得到碳化硅陶瓷靶材。本申请实施例中得到的碳化硅陶瓷靶材致密度高，纯度高，电导率可调，在功率器件和微波射频器件领域具有广泛应用，此外方法操作简单，能耗低，适用范围广。

Description

聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法

技术领域

本申请属于非氧化物陶瓷靶材制备技术领域，具体涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法。

背景技术

碳化硅(Silicon Carbide，SiC)具有抗氧化、耐腐蚀、热膨胀系数小、热导率高、禁带宽度大、电子迁移率高等优异性能，在国防军工、光学应用、半导体和核工业等领域得到了广泛的应用。碳化硅靶材的未来应用包括在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G通讯、雷达等领域。

现有技术公开了一些制备SiC陶瓷靶材的方法，例如CN 109678514 A公布了“ITO板状靶材高温烧结用高纯度重结晶碳化硅陶瓷的生产方法”，其在重结晶碳化硅原材料的基础上，添加占原材料总质量比0.1％～5.0％的硅溶胶；利用石膏模具注浆成型获得所需形状的坯体；坯体干燥后，通过高温烧结得到陶瓷制品，高温炉内烧成温度为2500℃。该发明具有如下优点：在烧制成型过程中，硅溶胶中超细SiO₂与重结晶碳化硅原材料中杂质碳发生化学反应，生成碳化硅；整个除杂过程是在重结晶碳化硅烧成过程中自然形成，不需要增加生产工序，不仅去除了原材料中的杂质碳，同时提高了重结晶碳化硅陶瓷的纯度。但制得的靶材结构不均匀、通常有杂质残余、制备温度高、能耗高，难以满足大批量生产的需求。CN 113004040 A公布了“一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途”，通过将碳粉和碳化硅粉混合后经二次球磨，并在二次球磨之间进行干燥处理，后续再经装模、烧结和冷却，得到所述碳碳化硅靶材。所述制备方法虽然通过二次球磨结合烧结工艺能够制得致密度≥99.0％的碳碳化硅靶材，所得碳碳化硅靶材的微观组织均匀致密且靶材溅射性能优良但是所述制备方法仍存在工艺复杂、生产周期长等缺点，不利于工业化生产。

杂质的去除以及纯度的提高目前是摆在靶材行业内的一道难题。采用传统高温烧结炉制备碳化硅靶材，烧结温度通常高达2500℃、高温保温时间通常≥1h,能耗高，不能满足碳达峰与碳中和的战略需求。聚合物转化陶瓷技术(Polymer Derived Ceramics，PDCs)区别于传统碳化硅的制备技术，是一种将有机物前驱体进行交联固化、高温裂解、烧结等过程来获得无机或纳米陶瓷材料的技术。此外，PDC转化的陶瓷结构中通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高，因此，利用PDC技术可以提高碳化硅靶材的导电性和导热性。CN 114349516 A公布了“一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法”，该方法主要利用聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解，造粒，采用高真空热压烧结技术，真空度10^–2–10^–3Pa，烧结温度1800℃，压力为30MPa，烧结时间为1h，实现碳化硅晶粒之间的紧密堆积，获得体积密度为2.62–3.20g/cm³，开气孔率为0.02–7.99％的碳化硅陶瓷产品。但所述方法成本高、能耗高、并且还引入了烧结助剂，导致纯度下降。碳化硅陶瓷靶材通常采用热压制备技术，虽然可以提高纯度，满足致密度的基本要求，但普遍存在着工艺流程复杂、生产周期长、能耗高等问题。放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering，SPS)是通过脉冲电流对模具和粉体进行加热，在短时间内烧结陶瓷的一种方法。与传统烧结方法相比，其主要特点是通过烧结过程中瞬时产生的放电等离子使被烧结体内部颗粒表面活化，加快物质的迁移速率，实现快速烧结，同时使碳化硅陶瓷靶材达到致密。为了进一步促进SPS烧结，改善碳化硅靶材的导电性，本申请采取了以下措施：①采用高纯碳化硅粉体原料，减少颗粒表面杂质；②采用球磨降低碳化硅原料颗粒粒度，提高比表面能；③利用PDC技术，自由碳残余，提高材料整体的导电性，使材料具有更好的加工性。

综上所述，如何在实现快速烧结(降低能耗)的同时对靶材的性能进行调控(提高纯度、减少靶材中的气孔等内部缺陷、提高靶材的导电性)，是采用碳化硅颗粒杂化聚合物转化陶瓷的工艺制备碳化硅陶瓷靶材的关键问题之一。

发明内容

本申请的目的在于提供聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，采用杂化工艺，微米级高纯SiC粉体(≥99.9％，3N)，可以在降低成本同时保证最终获得的陶瓷靶材整体具有高纯度；聚合物转化陶瓷技术，可以生成纳米级SiC陶瓷和残余的自由碳，高温裂解使自由碳石墨化程度提高，使碳化硅陶瓷靶材的导电性和导热性可调；放电等离子烧结，作为一种场辅助烧结工艺具有加热均匀、升温速率高、烧结温度低、烧结时间短、组织结构可控、生产效率高等优势。因此本申请实施例能够实现快速烧结，降低能耗，使制备得到的SiC靶材的致密度91.06％–96.38％、纯度≥99.5％、电导率可调6.52×10^-12S/cm–1.03×10^-5S/cm，能够满足商用高性能SiC靶材的要求，且具有可操作性强、易于推广等优点。

有鉴于此，本申请提出了聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，用于制备碳化硅陶瓷靶材，包括以下步骤：

保护氛围下在SiC陶瓷的前驱体中加入交联剂低温交联固化后1000–1400℃高温裂解并保温2–5h；所述SiC陶瓷的前驱体包括聚碳硅烷；所述交联剂为所述SiC陶瓷的前驱体的0.5–2wt.％

将碳化硅粉体和裂解产物混合后球磨得到复合原料粉体；其中以裂解产物和所述碳化硅粉体总质量为基准，所述裂解产物为0–30wt.％；

将所述复合原料粉体在真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度1950–2100℃，压力为65–75MPa，保温时间为10–25min条件下放电等离子烧结；

对样品脱模后表面处理并清洗、烘干。

在一些实施例中，交联固化方法为：将SiC陶瓷的前驱体与交联剂常温下混合30–60min，并在保护氛围下150-200℃固化3–8h。

本申请实施例中先将液态含乙烯基全氢聚碳硅烷(VHPCS，C/Si原子比1.05，数分子量Mn＝1050-1600)与交联剂于常温下搅拌混合30–60min，然后置于真空(例如置于真空干燥箱)或氩气环境(例如置于通有氩气的管式炉中)中，于150-200℃固化3–8h。

固化后的产物置于管式炉中，在高纯氩气保护下以≤5℃/min升温速率升温至1000–1400℃，并在该温度下保温2–5h，进行高温裂解处理，材料逐渐由有机物转变为无机陶瓷，自由碳石墨化程度提高。而后随炉冷却至室温取出进行下一步。

在一些实施例中，所述SiC陶瓷的前驱体中加入二乙烯基苯；其中以所述二乙烯基苯和聚碳硅烷总质量为基准，所述二乙烯基苯为0–30wt.％。

本申请实施例中优选的向聚碳硅烷中加入二乙烯基苯(Divinylbenzene，DVB)，加入的DVB提供额外碳源，调控合成材料中的碳相比例及界面结构，也是交联剂，能够加速陶瓷先驱体的固化，降低其固化温度。

在一些实施例中，所述交联剂选自过氧化二异丙苯、乙烯基三乙氧基硅烷和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯中的一种。

具体的可选用的交联剂范围包括过氧化二异丙苯(Dicumyl Peroxide，DCP)、乙烯基三乙氧基硅烷(Vinyltriethoxysilane,VTES)和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(Trimethylolpropanetrimethacrylate,TMPTMA)等；交联剂的使用量为SiC陶瓷的前驱体质量的0.5–2wt.％；交联固化工艺主要有热氧化固化法(通过加热)、紫外及电子束辐照固化法(通过添加光引发剂，辐照改变结构)。

在一些实施例中，所述碳化硅粉体为粒径为1–4μm，纯度≥99.9％。

在一些实施例中，所述保护氛围为真空或氩气环境。

在一些实施例中，球磨方法为利用行星球磨机，球料比10:1，转速为250–450rpm，球磨时间为18–24h。

本实施例中的球磨方法通过球磨降低了粉体的粒度，提高烧结活性；选用聚四氟乙烯罐和SiC磨球，避免了杂质的引入，确保了材料的纯度。

在一些实施例中，所述复合原料粉体放入石墨模具中，在放电等离子烧结炉中烧结；其中石墨模具为东洋炭素，内径10–50mm；石墨模具外包裹碳毡。

本实施例中石墨模具外包裹碳毡目的是起到保温、隔热作用，使温度和位移曲线更接近实际值。

在一些实施例中，提出了一种碳化硅陶瓷靶材，根据上述任一实施例中的方法制备得到；所述碳化硅陶瓷靶材的致密度91.06％–96.38％、纯度≥99.5％、电导率6.52×10^-12S/cm–1.03×10^-5S/cm。

通过以上技术方案，本申请与现有技术相比，具有以下有益效果：

(1)本申请采用碳化硅颗粒杂化聚合物转化陶瓷法，PDC转化的陶瓷结构中通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高，因此，利用PDC技术与碳化硅粉杂化可以提高碳化硅陶瓷靶材的导电性和导热性，使材料有更好的加工性能。

(2)本申请采用放电等离子烧结工艺，具有升温速率高、烧结温度低、烧结时间短等优势，能够在实现快速烧结的同时使碳化硅靶材达到致密。

(3)本申请所提供的制备方法使制备得到的碳化硅陶瓷靶材的致密度91.06％–96.38％、纯度≥99.5％、电导率6.52×10^-12S/cm–1.03×10^-5S/cm，能够满足商用SiC靶材对致密度、纯度和导电性能的要求。

(4)本申请所提供的合成高纯碳化硅陶瓷靶材的方法，操作简单，生产周期短，适用范围广，是制作氮化镓射频器件衬底的主流选择。

附图说明

图1为本申请碳化硅陶瓷靶材的碳化硅颗粒杂化聚合物转化陶瓷的工艺流程图。

图2为实施例1和4制备的高纯SiC陶瓷靶材XRD图谱。

图3为实施例1和4制备的高纯SiC陶瓷靶材的低倍断口SEM图(放大500倍)；其中(a)对应实施例1，(b)对应实施例4。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例1

本实施例提供了聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：

(1)称取4μm碳化硅粉，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10：1，300rpm转速，行星球磨18h。

(2)将步骤(1)得到的粉料置于圆柱状尺寸Ф20mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材(记为SiC00)；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2000℃，压力75MPa，保温20min。

(3)使用磨床抛去步骤(2)得到的SiC靶材表面石墨纸，随后对合格产品依次进行抛光、清洗、烘干和包装操作。制得的碳化硅靶材产品相对密度96.38％、电导率6.52×10^- ¹²S/cm。

实施例2

如图1所示，本实施例提供了聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：

(1)选择液态聚碳硅烷VHPCS作为SiC陶瓷的前驱体，加入DCP交联剂(DCP交联剂添加量为聚碳硅烷重量的1wt.％)，充分搅拌使其均匀混合后(40min)放入真空干燥箱(真空度<0.09MPa)中于180℃固化3h。

(2)将步骤(1)固化后的产物置于管式炉中，在高纯氩气保护下以5℃/min升温速率升温至1000℃，并在该温度下保温4h，进行高温裂解处理。

(3)按质量比为9：1将4μm碳化硅与步骤(2)中获得的裂解产物混合，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10：1，300rpm转速，行星球磨18h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф20mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材(记为SiC10–1)；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2000℃，压力75MPa，保温20min。

(5)使用磨床抛去步骤(4)得到的SiC靶材表面石墨纸，随后对合格产品依次进行抛光、清洗、烘干和包装操作。制得的碳化硅靶材产品相对密度94.63％、电导率1.03×10^- ⁵S/cm。

实施例3

(3)按质量比为8：2将4μm碳化硅与步骤(2)中获得的裂解产物混合，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10：1，300rpm转速，行星球磨18h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф20mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材(记为SiC10–2)；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2000℃，压力75MPa，保温20min。

(5)使用磨床抛去步骤(4)得到的SiC靶材表面石墨纸，随后对合格产品依次进行抛光、清洗、烘干和包装操作。制得的碳化硅靶材产品相对密度93.46％、电导率1.16×10^- ⁵S/cm。

实施例4

(1)选择液态聚碳硅烷VHPCS和二乙烯基苯DVB作为富碳SiC陶瓷的前驱体，VHPCS与DVB的质量比为7:3，加入DCP交联剂(DCP交联剂添加量为SiC陶瓷的前驱体重量的1wt.％)，充分搅拌使其均匀混合后(40min)放入真空干燥箱(真空度<0.09MPa)中于180℃固化3h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф20mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材(记为SiC91)；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2000℃，压力75MPa，保温20min。

(5)使用磨床抛去步骤(4)得到的SiC靶材表面石墨纸，随后对合格产品依次进行抛光、清洗、烘干和包装操作。制得的碳化硅靶材产品相对密度91.06％、电导率1.69×10^- ⁵S/cm。

实施例5

(1)选择液态聚碳硅烷VHPCS作为SiC陶瓷的前驱体，加入DCP交联剂(DCP交联剂添加量为SiC陶瓷的前驱体重量的1wt.％)，充分搅拌使其均匀混合后(40min)放入真空干燥箱(真空度<0.09MPa)中于200℃固化3h。

(2)将步骤(1)固化后的产物置于管式炉中，在高纯氩气保护下以5℃/min升温速率升温至1400℃，并在该温度下保温2h，进行高温裂解处理。

(3)按质量比为8：2将1μm碳化硅与步骤(2)中获得的裂解产物混合，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10:1，450rpm转速，行星球磨18h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф50mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2100℃，压力75MPa，保温25min。

(5)使用磨床抛去步骤(4)得到的SiC靶材表面石墨纸，随后对合格产品依次进行抛光、清洗、烘干和包装操作。

实施例6

(1)选择液态聚碳硅烷VHPCS作为SiC陶瓷的前驱体，加入DCP交联剂(DCP交联剂添加量为SiC陶瓷的前驱体重量的1wt.％)，充分搅拌使其均匀混合后(40min)放入真空干燥箱(真空度<0.09MPa)中于150℃固化8h。

(2)将步骤(1)固化后的产物置于管式炉中，在高纯氩气保护下以5℃/min升温速率升温至1000℃，并在该温度下保温5h，进行高温裂解处理。

(3)按质量比为8：2将4μm碳化硅与步骤(2)中获得的裂解产物混合，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10：1，250rpm转速，行星球磨24h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф10mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度1950℃，压力65MPa，保温10min。

实施例7

(2)将步骤(1)固化后的产物置于管式炉中，在高纯氩气保护下以5℃/min升温速率升温至1200℃，并在该温度下保温3h，进行高温裂解处理。

(3)按质量比为7:3将3μm碳化硅与步骤(2)中获得的裂解产物混合，然后采用碳化硅磨球、聚四氟乙烯罐，按照球料比10：1，350rpm转速，行星球磨20h。

(4)将步骤(3)得到的混合粉料置于圆柱状尺寸Ф30mm的石墨模具中并使用石墨纸将粉体与模具隔开，在模具外套两层碳毡后放入放电等离子烧结炉中进行烧结得到块状SiC靶材；烧结条件为：真空度≤5×10^-2Pa，烧结温度2000℃，压力75MPa，保温20min。

对实施例1至实施例4所制备的高纯SiC陶瓷靶材进行XRD测试，测试结果如图2所示，从图2可以看出，通过本申请提供方法制备的高纯SiC陶瓷靶材主晶相为β–SiC，有微量α–SiC生成。并对实施例1和实施例4所制备的高纯SiC陶瓷靶材断口进行SEM测试，测试结果如图3所示，从图中可以看出，通过本申请提供的高纯SiC陶瓷靶材微观组织均匀致密，气孔少。其中实施1，微观组织均匀致密；实施例4(SiC91陶瓷)，微观组织均匀能够观察到微量气孔。

将上述实施例所得的碳化硅陶瓷靶材进行相对密度、显气孔率、内部组织均匀性、纯度和电导率的相关测试，具体结果见表1。

表1实施例1–实施例4的性能参数

从表1中可以看出，实施例1至4能够制得高质量碳化硅靶材主要得益于SPS烧结过程中采用了高压，高压能够抑制原子扩散和晶粒粗化，促进排气，使碳化硅靶材致密。实施例1至4制备的碳化硅陶瓷靶材致密度91.06％–96.38％、显气孔率0.10％–1.30％；尤其是采用杂化工艺使碳化硅粉体中获得残余自由碳，同时烧结时会发生高温裂解使自由碳石墨化程度提高，碳化硅靶材的电导率从6.52×10^-12S/cm提高到了1.03×10^-5S/cm，实现了对碳化硅靶材导电性的调控。所制靶材纯度高，样品中杂质元素含量，Ca：0.05％、K：0.04％、B：0.02％、Fe：0.02％、Li：0.01％。

在实施例2至4中由于利用PDC技术，自由碳残余，高温裂解使自由碳石墨化程度提高，所以碳化硅靶材的导电性较实施例1提高。实施例4中，DVB的加入能够调碳硅比以及陶瓷的微观结构，进而对碳化硅靶材的电导率进行调控。

实施例5–7与实施例1－4主要的不同之处在于SPS参数改变，高温、高压均可促进碳化硅靶材的烧结，但是由于实施例5的尺寸大，烧结不均匀性较明显；实施例6的温度和压力降低，不利于晶粒长大和气孔排出；实施例7与实施例4相比密度有所下降。

综上所述，本申请制备得到的高纯碳化硅陶瓷靶材致密度高，电导率可调，在功率器件和微波射频器件领域具有广泛应用。本申请所述方法操作简单，生产周期短，适用范围广。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请。应当理解的是，对于本领域的技术人员来说，无需创造性劳动就可以根据本申请的构思作出诸多修改和变化，根据本申请构思加以改进和变换，所作的任何修改、等同替换、改进等，所有的这些改进和变换都应属于本申请所附权利的要求的保护范围。因此，凡依本申请的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims

1.聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，用于制备碳化硅陶瓷靶材，包括以下步骤：

保护氛围下在SiC陶瓷的前驱体中加入交联剂低温交联固化后，1000–1400 ^oC高温裂解并保温2–5 h；所述SiC陶瓷的前驱体包括聚碳硅烷；所述交联剂为所述SiC陶瓷的前驱体的0.5–2 wt.%；

将碳化硅粉体和裂解产物混合后球磨得到复合原料粉体；其中以裂解产物和所述碳化硅粉体总质量为基准，所述裂解产物为0–30 wt.%；

将所述复合原料粉体在真空度≤5×10^–2 Pa，烧结温度1950–2100 ^oC，压力为65–75MPa，保温时间为10–25 min条件下放电等离子烧结；

对样品脱模后表面处理并清洗、烘干。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，交联固化方法为：将SiC陶瓷的前驱体与交联剂常温下混合30–60 min，并在保护氛围下150-200 ^oC固化3–8 h。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiC陶瓷的前驱体中加入二乙烯基苯；其中以所述二乙烯基苯和聚碳硅烷总质量为基准，所述二乙烯基苯为0–30 wt.%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交联剂选自过氧化二异丙苯、乙烯基三乙氧基硅烷和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化硅粉体为粒径为1–4 μm，纯度≥99.9%。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护氛围为真空或氩气环境。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，球磨方法为利用行星球磨机，球料比10：1，转速为250–450 rpm，球磨时间为18–24 h。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合原料粉体放入石墨模具中，在放电等离子烧结炉中烧结；其中石墨模具为东洋炭素，内径10–50 mm；石墨模具外包裹碳毡。

9.一种碳化硅陶瓷靶材，其特征在于，根据权利要求1–8中任一方法制备得到；所述碳化硅陶瓷靶材的致密度91.06%–96.38%、纯度≥99.5%、电导率6.52×10^-12S/cm–1.03×10^-5S/cm。