CN115784173B - 一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于新能源功能材料技术领域,公开了一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,首次通过湿化学法合成了CsAg5Te3这种具有复杂结构的三元化合物。制备过程:将NaOH、PVP、Cs2CO3、Na2TeO3和AgNO3依次加入溶液中分散均匀;采用湿化学法,将溶液在水热反应釜中加热至设定温度,反应一段时间后得到黑色浑浊物;用无水乙醇和去离子水交替对混合物进行多次洗涤,最后放入干燥箱中干燥,得到CsAg5Te3粉末。制备得到的CsAg5Te3纳米热电材料呈一维纳米结构,该制备方法操作简单,反应时间短,成本低,能耗小,且能通过调整溶剂、反应时间、温度、NaOH和表面活性剂PVP的量合成形貌可控的CsAg5Te3纳米热电材料。

Description

一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法
技术领域
本发明属于新能源功能材料技术领域,具体涉及一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法。
背景技术
能源与环境问题是当今世界面临的两大问题。目前我们以各种形式所获得的的能量中有超过一半以废热损失掉。热电材料能够将热能与电能直接相互转化,在废热回收及绿色制冷领域中具有巨大的应用潜力,因此引起了广泛的关注。热电材料的性能一般用无量纲常数ZT来评价,表达式为ZT提高热电性能的方向主要有两个,一是提高材料的功率因子PF(PF=S2σ),二是寻找具有本征低热导率的材料。CsAg5Te3纳米热电材料是一种具有超低热导率的新型热电材料,表现出优异的热电性能。目前合成CsAg5Te3纳米热电材料的方法主要是高温固相法,这种方法成本高,能耗大,且所得产物尺寸不可控。
发明内容
为了克服上述现有技术中的问题,本发明提供一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,解决现有技术中反应时间长、成本高,产物微观结构不明确的问题。
为了实现本发明目的,所采用的技术方案为:一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,包括如下步骤:
(1)将NaOH和表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)依次加入乙二醇溶剂中,剧烈搅拌至完全溶解,体系中NaOH浓度为0.25~0.5mol/L,聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.016~0.04g/mL;
(2)将Cs2CO3、Na2TeO3和AgNO3依次加入上述溶液中分散均匀,所述的Cs2CO3、Na2TeO3和AgNO3质量分别控制在0.7~0.8g∶0.2~0.3g∶0.3~0.4g;
(3)将混合溶液在水热反应釜中加热至180~230℃,反应至少10h得到黑色的浑浊物;
(4)反应结束后,反应釜自然冷却至室温,倒出反应产物,用去离子水和乙醇交替洗涤,将产物与无水乙醇的混合溶液装入离心管,放入高速离心机中离心至上清液澄清透明,收集沉淀物,真空干燥(优选干燥条件:干燥温度为60℃,干燥时间为12h),得到粉末状的一维CsAg5Te3纳米热电材料。
作为优选,所述Na2TeO3、AgNO3和Cs2CO3的摩尔比为3∶5∶12。
作为优选,步骤(1)体系中NaOH浓度为0.25mol/L,聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.03g/L;步骤(3)反应时间为20h。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
(1)本发明首次通过低能耗的湿化学法,得到可调控一维纳米纤维状的CsAg5Te3热电材料,该结构能很好地降低CsAg5Te3材料的热导率,提高材料的热电性能。
采用湿化学法制备纳米材料,操作简单,反应时间短,成本低,能耗小,得到的纳米材料形貌结构可控,为提高CsAg5Te3热电性能提供了一种新思路。
附图说明
附图用来对本发明提供进一步说明和解释,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。
图1为本发明实施例1制得的粉体1、粉体2和粉体3的扫描电镜图;
图2为本发明实施例2制得的粉体4、粉体5和粉体6的扫描电镜图;
图3为本发明实施例3制得的粉体7、粉体8和粉体9的扫描电镜图;
图4为本发明实施例4制得的粉体5、粉体10和粉体11的扫描电镜图;
图5为本发明实施例5制得的粉体12、粉体11和粉体13的扫描电镜图
图6为本发明实施例5制得的粉体11的X射线衍射分析图谱与CsAg5Te3标准衍射峰的对比图,其中a为粉体11的X射线衍射分析图谱,b为CsAg5Te3粉末的标准衍射图谱(PDF#83-0130);
图7为本发明实施例6制得的块体及文献报道中块体的总热导率与温度的关系的对比图,其中a为本实施例6的热导率,b为文献(Angew.Chem.Int.Ed.2016,55,1-7)所获得热导率。
具体实施方式
下面通过实施例详述本发明,但本发明并不局限于这些实施例。
下列实施例中所用的材料、试剂等,如无特殊说明均可从商业途径得到。
实施例1:调整NaOH的用量。
将一定量的(0.5g、1.0g、1.5g)NaOH、0.8g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入50mL乙二醇中剧烈搅拌至彻底溶解。再将0.7820g Cs2CO3、0.2659g Na2TeO3和0.3397g AgNO3依次加入上述溶液中,在室温下磁力搅拌至完全溶解。所得溶液在水热反应釜中加热至200℃,反应10h。反应结束后待冷却至室温。将得到的产物装入离心管中,依次用去离子水和无水乙醇多次离心清洗,将离心后的产物放于真空干燥箱中,在60℃下干燥12h。收集得到的粉末样品。CsAg5Te3晶体材料粉体样品的编号、原料及用量如表1所示。
表1
实施例2
调整表面活性剂PVP的用量。
将0.5g NaOH、一定量的(0g、1.5g、2.0g)PVP加入50mL乙二醇中剧烈搅拌至彻底溶解。再将0.7820g Cs2CO3、0.2659g Na2TeO3和0.3397g AgNO3依次加入上述溶液中,在室温下磁力搅拌至完全溶解。所得溶液在水热反应釜中加热至200℃,反应10h。反应结束后待冷却至室温。将得到的产物装入离心管中,依次用去离子水和无水乙醇多次离心清洗,将离心后的产物放于真空干燥箱中,在60℃下干燥12h。收集得到的粉末样品。CsAg5Te3晶体材料粉体样品的编号、原料及用量如表2所示。
表2
实施例3
调整溶剂。
将一定量的(10mL、5mL、2mL)乙二胺溶剂和乙二醇溶剂配置为50mL的混合溶液。将0.5g NaOH、1.5gPVP加入混合溶液中剧烈搅拌至彻底溶解。再将0.7820g Cs2CO3、0.2659gNa2TeO3和0.3397g AgNO3依次加入上述溶液中,在室温下磁力搅拌至完全溶解。所得溶液在水热反应釜中加热至200℃,反应10h。反应结束后待冷却至室温。将得到的产物装入离心管中,依次用去离子水和无水乙醇多次离心清洗,将离心后的产物放于真空干燥箱中,在60℃下干燥12h。收集得到的粉末样品。CsAg5Te3晶体材料粉体样品的编号、原料及用量如表3所示。
表3
实施例4
调整反应时间。
将0.5g NaOH、1.5gPVP加入50mL乙二醇中剧烈搅拌至彻底溶解。再将0.7820gCs2CO3、0.2659g Na2TeO3和0.3397g AgNO3依次加入上述溶液中,在室温下磁力搅拌至完全溶解。所得溶液在水热反应釜中加热至200℃,反应一定时间(10h、15h、20h)。反应结束后待冷却至室温。将得到的产物装入离心管中,依次用去离子水和无水乙醇多次离心清洗,将离心后的产物放于真空干燥箱中,在60℃下干燥12h。收集得到的粉末样品。CsAg5Te3晶体材料粉体样品的编号、原料用量及反应时间如表4所示。
表4
实施例5
调整反应温度。
将0.5g NaOH、1.5g PVP加入50mL乙二醇中剧烈搅拌至彻底溶解。再将0.7820gCs2CO3、0.2659g Na2TeO3和0.3397g AgNO3依次加入上述溶液中,在室温下磁力搅拌至完全溶解。所得溶液在水热反应釜中加热至一定温度(180℃、200℃、230℃),反应20h。反应结束后待冷却至室温。将得到的产物装入离心管中,依次用去离子水和无水乙醇多次离心清洗,将离心后的产物放于真空干燥箱中,在60℃下干燥12h。收集得到的粉末样品。CsAg5Te3晶体材料粉体样品的编号、原料及用量、反应温度如表5所示。
表5
对上述所有实施例进行形貌结构表征,各实施例中的粉体结果分别如图1~图5所示。对比可知,实施例5制得的粉体11形貌规则度较高,呈一维纳米棒状结构。对实施例5的粉体11进行X射线衍射分析,结果如图6所示,所制备的粉末X射线衍射图谱与CsAg5Te3粉末的标准衍射图谱(PDF#83-0130)高度一致,说明所制备的样品为高纯的CsAg5Te3粉末。本发明通过调整NaOH与表面活性剂PVP的量、反应时间、溶剂和反应温度可以合成结构规整且形貌可控的一维CsAg5Te3纳米热电材料。
实施例6
将实施例5制得的粉体11样品用放电等离子烧结(SPS)技术热压成圆片块状材料。其工艺参数设置为压强50MPa,升温程序设置为5min升温至400℃,1min由400℃升温至450℃,在450℃下保温10min。所得圆片状块体的直径和厚度分别磨至12.62mm和1.66mm进行性能测试。
图7为本发明实施例6制得的CsAg5Te3块体及文献报道中CsAg5Te3块体的总热导率与温度的关系的对比图,其中a为本实施例6的热导率,b为文献(Angew.Chem.Int.Ed.2016,55,1-7)所获得热导率。对比可知本实施例在300~350K及420~525K的温度范围内获得的热导率低于文献中的报道,且在424K时获得最低热导率为0.16W·m-1K-1。说明本发明采用湿化学法制备CsAg5Te3热电材料可以有效降低其热导率,且与固相法相比,操作简单,反应时间短,成本低,能耗小,所获得的材料微观结构明确可控。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,并不用以限制本发明,本领域的普通技术人员应当理解,对本发明的技术方案进行修改或同等替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围内。

Claims (3)

1.一种一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,其特征在于:包括下列步骤:
(1)将NaOH和表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮依次加入乙二醇溶剂中,剧烈搅拌至完全溶解,体系中NaOH浓度为0.25~0.5 mol/L,聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.016~0.04 g/mL;
(2)将Cs2CO3、Na2TeO3和AgNO3依次加入上述溶液中分散均匀,所述的Cs2CO3、Na2TeO3和AgNO3质量分别控制在0.7~0.8 g:0.2~0.3 g:0.3~0.4 g;
(3)将混合溶液在水热反应釜中加热至180~230℃,反应至少10 h得到黑色的浑浊物;
(4)反应结束后,反应釜自然冷却至室温,倒出反应产物,用去离子水和乙醇交替洗涤,将产物与无水乙醇的混合溶液装入离心管,放入高速离心机中离心至上清液澄清透明,收集沉淀物,真空干燥,得到粉末状的一维CsAg5Te3纳米热电材料。
2.根据权利要求1所述的一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,其特征在于:步骤(1)体系中NaOH浓度为0.25 mol/L,聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.03 g/mL;步骤(3)反应时间为20 h。
3.根据权利要求1所述的一维CsAg5Te3纳米热电材料的可控制备方法,其特征在于:步骤(4)中真空干燥温度为60℃,干燥时间为12 h。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011060149A2 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Alphabet Energy, Inc. Uniwafer thermoelectric modules
CN103474567A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 东华大学 一种低维纳米银/ Bi2Te3基热电复合材料及其制备方法
WO2016106514A1 (zh) * 2014-12-29 2016-07-07 中国科学院福建物质结构研究所 一种热电材料、其制备方法及应用
CN105803532A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 中国科学院福建物质结构研究所 一种热电材料、其制备方法及应用
CN107611247A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 林宗宏 成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置
CN107910432A (zh) * 2017-11-15 2018-04-13 上海应用技术大学 一种粉末状纳米复合热电材料的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011060149A2 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Alphabet Energy, Inc. Uniwafer thermoelectric modules
CN103474567A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 东华大学 一种低维纳米银/ Bi2Te3基热电复合材料及其制备方法
WO2016106514A1 (zh) * 2014-12-29 2016-07-07 中国科学院福建物质结构研究所 一种热电材料、其制备方法及应用
CN105803532A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 中国科学院福建物质结构研究所 一种热电材料、其制备方法及应用
CN107611247A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 林宗宏 成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置
CN107910432A (zh) * 2017-11-15 2018-04-13 上海应用技术大学 一种粉末状纳米复合热电材料的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Concerted Rattling in CsAg5Te3 Leading to Ultralow Thermal Conductivity and High Thermoelectric Performance;Lin Hua;《 Angewandte Chemie 》;第55卷(第38期);第11431-11436页 *
Two-Dimensional CsAg5Te3–xSx Semiconductors: Multi-anion Chalcogenides with Dynamic Disorder and Ultralow Thermal Conductivity;Hodges James M.;《Chemistry of Materials》;第7245-7254页 *

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