CN115734841A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115734841A
CN115734841A CN202280003970.XA CN202280003970A CN115734841A CN 115734841 A CN115734841 A CN 115734841A CN 202280003970 A CN202280003970 A CN 202280003970A CN 115734841 A CN115734841 A CN 115734841A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
liquid supply
polishing liquid
polishing pad
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280003970.XA
Other languages
English (en)
Inventor
寺田哲也
外崎宏
森浦拓也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN115734841A publication Critical patent/CN115734841A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/04—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of solid grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明在一边使具有多个研磨液供给口的研磨液供给头在研磨垫上移动一边供给研磨液时，使研磨液的供给范围的均匀性提高。本发明的研磨装置(1)包含：用于支撑研磨垫(100)的研磨台；用于保持对象物的研磨头(30)；及用于向研磨垫100与对象物之间供给研磨液的研磨液供给装置(40)。研磨液供给装置(40)包含：具有多个研磨液供给口(414)的研磨液供给头(41)；构成位使研磨液供给头(41)沿着研磨垫(100)的研磨面移动的连杆机构(60)；及构成为驱动连杆机构(60)的驱动机构(90)。驱动机构90构成为，以在研磨液供给头(41)与研磨垫(100)的中央侧相对配置的第一状态(450)下，多个研磨液供给口(414)沿着研磨垫(100)的径向排列，并在与第一状态(450)相比研磨液供给头(41)与研磨垫(100)的外缘相对配置的第二状态(460)下，多个研磨液供给口(414)沿着研磨垫100的径向排列的方式，驱动连杆机构(60)。

Description

研磨装置
技术领域
本申请关于一种研磨装置。
背景技术
在半导体组件的制造工序中，半导体组件表面的平坦化技术愈来愈重要。以平坦化技术来说，周知有化学机械研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))。该化学机械研磨是使用研磨装置将含有二氧化硅(SiO2)及/或二氧化铈(CeO2)等的研磨粒的研磨液(浆液)供给至研磨垫，并使半导体晶片等基板与研磨垫滑动接触来进行研磨。
进行CMP处理的研磨装置具备：用于支撑研磨垫的研磨台；用于保持基板等对象物的研磨头；及用于向研磨垫与基板之间供给研磨液的研磨液供给装置。该研磨装置从研磨液供给装置供给研磨液至研磨垫，并对研磨垫的表面(研磨面)以指定的压力按压基板，通过使研磨台与研磨头旋转而将基板的表面研磨成平坦。
专利文献1中揭示有用于向研磨垫上供给研磨液的研磨液供给装置。该研磨液供给装置备有通过多个铰链连结接头而连结的多个臂，并构成为经由设于臂的顶端的喷嘴供给研磨液。由于可分别以希望的自由度活动通过铰链连结接头所连结的多个臂，因此，该研磨液供给装置可向研磨垫上的希望区域供给研磨液。
专利文献2中揭示有用于向研磨垫上供给研磨液的研磨液供给装置。该研磨液供给装置通过直线驱动具有沿着研磨垫的半径方向排列的多个喷嘴的分配器臂，可向研磨垫的更大区域供给研磨液。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特表2011-530422号公报
[专利文献2]日本特表2011-530422号公报
发明内容
(发明所要解决的问题)
但是，专利文献1等的现有技术在一边使具有多个研磨液供给口的研磨液供给头在研磨垫上移动一边供给研磨液时，并未考虑使研磨液的供给范围的均匀性提高。
即，一般的研磨液供给装置是通过使保持研磨液供给头的臂在研磨台上回转，而一边使研磨液供给头在研磨垫上移动一边供给研磨液。此时，例如，由于在研磨垫的中央侧多个研磨液供给口沿研磨垫的径向排列，因此研磨液的供给范围广。相对而言，在使臂回转而使研磨液供给头移动至研磨垫的外缘侧时，由于多个研磨液供给口的排列方向从研磨垫的径向向周向偏移，因此研磨液的供给范围变窄。
关于这一点，揭示于专利文献1的研磨液供给装置是以希望的自由度活动通过多个铰链连结接头所连结的多个臂，不过，并未考虑到使研磨液的供给范围的均匀性提高。
因此，本发明的一个目的为在一边使具有多个研磨液供给口的研磨液供给头在研磨垫上移动一边供给研磨液时，使研磨液的供给范围的均匀性提高。
此外，专利文献2等的现有技术关于使对研磨垫供给研磨液的范围的均匀性提高，且抑制因为从研磨垫溅起的研磨液而在基板上产生瑕疵方面仍有改善的余地。
即，一般的研磨液供给装置是以臂保持具有多个研磨液供给口的研磨液供给头，并通过使臂在研磨台上回转，而使研磨液供给头一边在研磨垫上移动一边供给研磨液。此时，例如，由于在研磨垫的中央侧有研磨液供给头的多个研磨液供给口沿着研磨垫的径向排列，因此研磨液的供给范围广。相对而言，在使臂回转而使研磨液供给头移动至研磨垫的外缘侧时，由于多个研磨液供给口的排列方向从研磨垫的径向向周向偏移，因此研磨液的供给范围变窄。
关于这一点，记载于专利文献2的技术是在研磨垫的径向上直线驱动研磨液供给头，不过并未考虑到研磨液从研磨垫溅起。换言之，由于记载于专利文献2是在相同高度配置研磨液供给头与臂，因此，从研磨液供给头供给并碰撞到研磨垫的研磨面而在研磨垫上喷溅的研磨液容易附着于臂。臂上附着研磨液时，附着于臂的研磨液干燥而变成粉尘后会掉落到研磨垫上，其结果为，可能在基板上产生刮痕等瑕疵。
因此，本发明的一个目的为使研磨液对研磨垫的供给范围的均匀性提高，且抑制因为从研磨垫溅起的研磨液而在基板上产生瑕疵。
(用于解决问题的手段)
一个实施方式揭示一种研磨装置，包含：工作台，其用于支撑研磨垫；研磨头，其用于保持对象物；及研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；连杆机构，其构成为使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的研磨面移动；及驱动机构，其构成为驱动所述连杆机构，所述驱动机构构成为，以在所述研磨液供给头与所述研磨垫的中央侧相对配置的第一状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列，并在与所述第一状态相比所述研磨液供给头与所述研磨垫的外缘侧相对配置的第二状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列的方式，驱动所述连杆机构。
一个实施方式揭示一种研磨装置，包含：工作台，其用于支撑研磨垫；研磨头，其用于保持对象物；及研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；臂，其构成为在比所述研磨液供给头高的位置沿着所述研磨垫的研磨面延伸，并保持所述研磨液供给头；及直动驱动机构，其构成为在所述多个研磨液供给口与所述研磨垫相对并沿着所述研磨垫的径向排列的状态下，使所述研磨液供给头在所述研磨垫的中央与外缘之间沿着所述研磨垫的径向直动。
附图说明
图1是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的立体图。
图2是概略显示研磨液供给头的构成的剖视图。
图3是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图。
图4是显示比较例的研磨装置的概略构成的俯视图。
图5A是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的侧视图，且显示供给清洗流体时的雾化器的状态。
图5B是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的侧视图，且显示不供给清洗流体时的雾化器的状态。
图6A是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的底视图。
图6B是图6A的雾化器在B-B线的剖视图。
图7A是显示变形例的雾化器的概略构成的剖视图。
图7B是显示变形例的雾化器的概略构成的剖视图。
图8是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的立体图。
图9A是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的立体图，且显示伸出臂的状态。
图9B是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的侧视图，且显示伸出臂的状态。
图9C是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的立体图，且显示缩回臂的状态。
图9D是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的侧视图，且显示缩回臂的状态。
图10A是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示研磨液供给头配置于研磨垫的中央侧的状态。
图10B是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示研磨液供给头配置于研磨垫的外缘侧的状态。
图10C是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示研磨液供给头配置于研磨台的外侧的状态。
具体实施方式
以下，参考附图说明本发明的实施方式。在附图中，对相同或类似的要素注记相同或类似的参考符号，并省略各种实施方式的说明中关于相同或类似的组件的重复说明。此外，各种实施方式显示的特征只要彼此不矛盾，亦可适用于其他实施方式。
本说明书中，所谓「基板」，除了半导体基板、玻璃基板、液晶基板、印刷电路基板之外，还包含：磁性记录介质、磁性记录传感器、反射镜、光学元件、微小机械元件或是局部制作的集成电路、及其他任意被处理对象物。基板包含多边形、圆形的任意形状的基板。此外，本说明书中，会使用「前面」、「后面」、「前方」、「后方」、「上」、「下」、「左」、「右」、「铅直」、「水平」等的表达方式，不过，此等是为了方便说明而指示在例示的附图的纸面上的位置、方向，使用装置时等的实际配置会有不同。
(研磨装置之概略构成)
图1是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的立体图。本实施形态的研磨装置1构成为能够使用具有研磨面102的研磨垫100，来进行作为研磨对象物的半导体晶片等的圆板形状的基板WF的研磨。如图示，研磨装置1具备：用于支撑圆板形状的研磨垫100的研磨台20；及用于保持基板WF并使其接触研磨垫100的研磨面102的研磨头30。再者，研磨装置1具备：用于向研磨垫100与基板WF之间供给研磨液(浆液)的研磨液供给装置40；用于对回旋到研磨垫100之外的研磨液供给装置40供给清洗液的清洗机构300；及用于向研磨面102上喷射清洗流体(纯水等液体及/或氮等气体)，冲洗使用后的研磨液、研磨残渣等的雾化器50。研磨液供给装置40相对于基板WF配置于研磨垫100的旋转上游侧。另外，图1的实施方式是显示将清洗机构300配置于研磨液供给装置40的上部的例子，不过不限于此，例如，亦可以构成为在研磨液供给装置40的上部及下部分别配置清洗机构300，并从上下方向清洗研磨液供给装置40。另外，本说明书中，上游及下游表示在图1中从上方观看研磨台20(研磨垫100)时，研磨台20(研磨垫100)顺时钟旋转的情况下的上游及下游。
(研磨台)
研磨台20形成圆盘状，并构成为能够将其中心轴作为旋转轴线旋转。研磨台20上，通过贴合等安装研磨垫100。研磨垫100的表面形成研磨面102。通过无图示的马达使研磨台20旋转，而研磨垫100与研磨台20一体地旋转。
(研磨头)
研磨头30在其下表面通过真空吸附等而保持基板WF。研磨头30构成为通过来自无图示的马达的动力可与基板一起旋转。研磨头30的上部经由轴杆31而连接于支撑臂34。研磨头30可通过无图示的气缸、经由滚珠螺杆的马达驱动在上下方向上移动，并可调整与研磨台20的距离。由此，研磨头30可将保持的基板WF与研磨面102接触。此外，研磨头30在其内部具有分割成多个区域的气囊，不过无图示，通过向各气囊区域供给任意的空气等的流体压力，而对基板WF从背面加压。再者，支撑臂34通过通过无图示的马达可回转，而使研磨头30在与研磨面102平行的方向上移动。本实施方式的研磨头30构成为，可在无图示的基板的接收位置与研磨垫100的上方位置移动，并且可变更基板WF相对于研磨垫100的接触位置。
(研磨液供给装置)
研磨液供给装置40包含用于向研磨垫100上供给研磨液的研磨液供给头41。图2是概略显示研磨液供给头的构成的剖视图。如图2所示，研磨液供给头41包含：供给构件主体410；及经由衬垫440而与供给构件主体410连结的护盖构件430。供给构件主体410形成矩形的板状，中央有凹陷处。在供给构件主体410的凹陷处部分形成有沿着长度方向排列的多个研磨液供给口414。
另外，关于研磨液供给口414的形状，相对于供给构件主体410是形成孔，不过不限于此，亦可是相对于供给构件主体410的下表面突出的喷嘴。作为研磨液供给口414的喷嘴更优选为顶端的角度是锐角的圆锥状。
在护盖构件430连接有研磨液供给管线120。在护盖构件430与供给构件主体410之间形成缓冲空间420。在研磨液供给管线120的基端部连接有用于调整从研磨液供给装置40供给的研磨液的流量的流量调整机构125。研磨液供给管线120的顶端部连接于缓冲空间420。缓冲空间420通过暂时贮存从研磨液供给管线120供给的研磨液，而具有使对多个研磨液供给口414供给的研磨液的背压均匀化的作用。由此，从研磨液供给管线120供给的研磨液贮存于缓冲空间420后，从多个研磨液供给口414滴在研磨垫100上。滴在研磨垫100上的研磨液通过研磨台20的旋转而供给至基板WF的被研磨面。
图3是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图。如图1及图3所示，研磨液供给装置40具备：研磨液供给头41；构成为使研磨液供给头41沿着研磨垫100的研磨面102移动的连杆机构60；及构成为驱动连杆机构60的驱动机构90。
连杆机构60具备：构成为经由从研磨液供给头41沿铅直方向延伸的连接构件61而保持研磨液供给头41的第一臂60-1；及连结于第一臂60-1的第二臂60-2。第一臂60-1及第二臂60-2是沿水平方向延伸。此外，研磨液供给装置40具备与研磨台20邻接而配置，并沿铅直方向延伸的轴杆92。连杆机构60具备：将第一臂60-1相对于第二臂60-2连结成能够旋转的第一连结构件(第一接头)60-3；及将第二臂60-2相对于轴杆92连结成能够旋转的第二连结构件(第二接头)60-4。第一连结构件60-3与第二连结构件60-4皆配置于研磨台20的外侧。研磨液供给装置40具备构成为使研磨液供给头41、连杆机构60及驱动机构90一并升降的升降机构80。升降机构80例如可通过马达等周知的机构来实现。另外，本实施方式的连杆机构60是显示具备两只臂及两个连结构件的例子，不过不限定于此，可使用可使研磨液供给头41沿着研磨垫100的研磨面102移动的各种连杆机构。
驱动机构90包含第一旋转机构90-1，该第一旋转机构90-1用于使第一臂60-1绕第一连结构件60-3旋转，以使研磨液供给头41沿着研磨垫100的研磨面102回转。此外，驱动机构90包含第二旋转机构90-2，该第二旋转机构90-2用于使第二臂60-2绕第二连结构件60-4旋转，以使第一臂60-1回转。第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2例如可通过马达等周知的机构来实现。第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2构成为以使研磨液供给头41沿着研磨垫100的研磨面102在水平方向上移动的方式使第一臂60-1及第二臂60-2旋转。在进行研磨处理时，第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2将研磨液供给头41配置于研磨垫100上，在研磨处理结束后，第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2使研磨液供给头41向研磨台20的外侧退开。
本实施方式的第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2构成为，以在向研磨垫100上供给研磨液时，始终使研磨液供给头41的多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列的方式，使第一臂60-1及第二臂60-2旋转。另外，本说明书中所谓研磨垫100的径向，不仅严格而言是指研磨垫100的径向，就连±10°范围内的角度亦视为径向。
具体而言，如图3所示，第一旋转机构90-1及第二旋转机构90-2构成为，以在第一状态450、第二状态460及第三状态470之间移动的方式使第一臂60-1及第二臂60-2旋转，第一状态450是研磨液供给头41与研磨垫100的中央侧相对配置的状态，第二状态460是相比第一状态450研磨液供给头41与研磨垫100的外缘侧相对配置的状态，第三状态470是研磨液供给头41配置于研磨台20的外侧的状态。如图3所示，驱动机构90构成为，在第一状态450下以多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列的方式使第一臂60-1及第二臂60-2旋转。此外，驱动机构90构成为，在第二状态460下也以多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列的方式使第一臂60-1及第二臂60-2旋转。因此，根据本实施方式，在一边使研磨液供给头41在研磨垫100上移动一边供给研磨液时，可使研磨液的供给范围的均匀性提高。这一点说明如下。
图4是显示比较例的研磨装置的概略构成的俯视图。比较例的研磨装置具备：与本实施方式同样的研磨液供给头1041；保持研磨液供给头1041的臂1060；将臂1060保持为能够旋转的轴杆1092；及用于使臂1060绕轴杆1092旋转的无图示的旋转机构。在该比较例的研磨装置中，在研磨液供给头1041配置于研磨垫1000的中央侧的状态1100下，多个研磨液供给口1414沿着研磨垫1000的径向配置。因此，研磨液的供给范围1112在研磨垫的径向上的宽度广。另外，在使臂1060绕轴杆1092旋转并研磨液供给头1041配置于研磨垫1000的外缘的状态1200下，多个研磨液供给口1414的排列方向从研磨垫1000的径向向周向偏移。因此，研磨液的供给范围1110在研磨垫的径向上的宽度比供给范围1112窄。其结果为，由于对基板WF的指定半径方向宽度的浆液供给量不同，会变得难以对基板WF均匀地供给研磨液，因此会难以均匀地有效研磨基板WF。
相对而言，根据本实施方式的研磨装置1，即使研磨液供给头41为在研磨垫100上的第一状态450或第二状态460的状态，仍是多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列。因此，由于第一状态450下的研磨液的供给范围在研磨垫的径向上的宽度、与第二状态460下的研磨液的供给范围在研磨垫的径向上的宽度大致相等，因此可对基板WF均匀地供给研磨液，其结果为，可均匀地有效研磨基板WF。
另外，图3中如虚线480所示，优选在第一状态450下，多个研磨液供给口414中的至少一个(换言之，为最内侧的研磨液供给口)的浆液滴下位置与研磨垫上的基板WF所接触的区域的内侧缘一致。此外，图3中如虚线490所示，优选在第二状态460下，多个研磨液供给口414中的至少一个(换言之，为最外侧的研磨液供给口)的浆液滴下位置与研磨垫上的基板WF所接触的区域的外侧缘一致。
此外，根据本实施方式的研磨装置1，可抑制因为研磨液供给装置40产生的粉尘而损伤基板WF的被研磨面。即，如第一连结构件60-3或第二连结构件60-4那样不同的两个构件(第一臂60-1与第二臂60-2、第二臂60-2与轴杆92)被连结的部分可能因为构件彼此滑动而产生磨耗粉等粉尘。粉尘掉落到研磨垫100上时，粉尘通过研磨台20的旋转而进入基板WF与研磨垫100之间，而可能损伤基板WF的被研磨面。相对而言，本实施方式的第一连结构件60-3及第二连结构件60-4配置于研磨台20的外侧。因此，即使第一连结构件60-3或第二连结构件60-4中因为构件间滑动而产生粉尘，仍可抑制掉落到研磨垫100上，其结果为，可抑制基板WF的被研磨面损伤。
(雾化器)
其次，说明本实施方式的研磨装置1的雾化器50。图5A是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的侧视图，且显示供给清洗流体时的雾化器的状态。图5B是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的侧视图，且显示不供给清洗流体时的雾化器的状态。
如图5A及图5B所示，雾化器50具备构成为对研磨垫100供给清洗流体的雾化器主体52。清洗流体例如是纯水与气体(例如氮(N2))的混合流体。雾化器主体52是与研磨垫100相对配置的矩形板状构件。在雾化器主体52形成有从雾化器主体52的基端52-2延伸至顶端52-1附近的流路52d。雾化器50具备用于将清洗流体供给至雾化器主体52的流体源55。流体源55连接于流路52d。在雾化器主体52形成有连通雾化器主体52的底面52a与流路52d的多个孔52b。多个孔52b沿着雾化器主体52的长度方向隔开指定间隔而形成。雾化器主体52构成为经由流路52d及多个孔52b向研磨垫100上供给清洗流体。
雾化器50具备用于以雾化器主体52的顶端52-1比基端52-2高的方式倾斜雾化器主体52的倾斜机构59。倾斜机构59具备：连接于雾化器主体52的连杆机构51；及用于通过驱动连杆机构51而倾斜雾化器主体52的驱动机构53。
具体而言，连杆机构51具备：第一连杆构件54-1；连结于第一连杆构件54-1的第二连杆构件54-2；及连结于第二连杆构件54-2的第三连杆构件54-3。第一连杆构件54-1是具有弯曲部的棒状构件。第一连杆构件54-1通过在与雾化器主体52的长度方向水平地正交的方向上延伸的第一旋转轴56-1支撑弯曲部。第一旋转轴56-1通过无图示的轴承支撑而固定位置。由此，第一连杆构件54-1可绕第一旋转轴56-1转动。第一连杆构件54-1的第一端部连结于雾化器主体52的基端52-2，夹着第一旋转轴56-1而相反侧的第二端部经由第二旋转轴56-2而连结于第二连杆构件54-2。
第二连杆构件54-2的第一端部经由第二旋转轴56-2而连结于第一连杆构件54-1，第二端部经由第三旋转轴56-3而连结于第三连杆构件54-3。第三连杆构件54-3是在铅直方向上延伸的棒状构件，且第一端部经由第三旋转轴56-3而连结于第二连杆构件54-2，第二端部连结于驱动机构53。
驱动机构53构成为使第三连杆构件54-3升降。驱动机构53例如可通过马达或汽缸等周知的机构来实现。如图5A所示，在将清洗流体向研磨垫100供给时，雾化器主体52沿水平方向延伸。换言之，在将清洗流体向研磨垫100供给时，雾化器主体52的顶端52-1与基端52-2在大致相同高度。此处，当雾化器50在图5A所示的状态下，使研磨液供给头41在研磨垫100上移动时，雾化器主体52可能与研磨液供给头41接触。因而，本实施方式的雾化器50如图5B所示，在不将清洗流体向研磨垫100供给时，是以雾化器主体52的顶端52-1比基端52-2高的方式抬起顶端52-1，倾斜雾化器主体52。
即，驱动机构53在供给清洗流体结束时，如图5B所示，使第三连杆构件54-3下降。由于伴随于此第二连杆构件54-2下降，因此压下第一连杆构件54-1的第二端部。其结果为，由于第一连杆构件54-1绕第一旋转轴56-1旋转，而第一连杆构件54-1的第一端部上升，因此抬起雾化器主体52的顶端52-1。由此，由于在雾化器主体52的顶端52-1的下方产生用于配置研磨液供给头41的空间，因此可防止雾化器主体52与研磨液供给头41接触。
在不进行使用清洗流体的清洗处理时，如图5B所示，在雾化器主体52配置于研磨垫100上的情况下，应避免在后续的研磨处理中，清洗流体从雾化器主体52掉落到研磨垫100而混入研磨液。因而，本实施方式的雾化器50具备用于向雾化器主体52的流路52d及多个孔52b喷射气体(例如氮(N2))而加以净化的气体供给源57。气体供给源57构成为在使用清洗流体的清洗处理结束后且在抬起雾化器主体52的顶端52-1之前，向流路52d及多个孔52b喷射气体加以净化。由此，可抑制在研磨处理中，清洗流体掉落到研磨垫100而混入研磨液。
除此之外，本实施方式的雾化器50采用清洗流体不易从雾化器主体52掉落的构造。图6A是显示一种实施方式的雾化器的概略构成的底视图。图6B是图6A的雾化器在B-B线的剖视图。如图6A及图6B所示，在雾化器主体52的底面52a形成有将多个孔52b彼此连通并且连通于雾化器主体52的基端52-2的槽52c。
在抬起雾化器主体52的顶端52-1的状态下，槽52c可使残留于多个孔52b的清洗流体引导至雾化器主体52的基端52-2，并掉落到研磨台20的外侧。因此，根据本实施方式的雾化器50，可抑制在研磨处理中，清洗流体掉落到研磨垫100而混入研磨液。
另外，上述实施方式是说明相对于底面52a垂直地形成有多个孔52b的雾化器主体52，不过不限定于此。图7A是显示变形例的雾化器的概略构成的剖视图。图7B是显示变形例的雾化器的概略构成的剖视图。图7A及图7B显示与图6B相同的剖面。如图7A及图7B所示，多个孔52b以连通雾化器主体52的底面52a与形成于雾化器主体52内部的流路52d的方式形成。此处，多个孔52b以对流路52d的开口52b-2比对底面52a的开口52b-1位于基端52-2侧的方式倾斜形成。此外，多个孔52b以直线地连结底面52a的开口52b-1与流路52d的开口52b-2的方式形成。
根据本变形例的雾化器50，如图7B所示，在抬起雾化器主体52的顶端52-1的状态下，多个孔52b大致沿水平方向延伸。因此，由于残留于多个孔52b的清洗流体不易掉落，因此可抑制在研磨处理中，清洗流体掉落到研磨垫100而混入研磨液。
另外，上述实施方式是显示连杆机构60具备两只臂及两个连结构件的例子，不过不限定于此。例如，连杆机构60亦可具备三只以上的臂及三个以上的连结构件。由此，可微调整研磨液供给头41的位置及角度。此外，上述实施形态是显示使研磨液供给头41沿着研磨垫100的研磨面102而平面地移动的例子，不过不限定于此，连杆机构60亦可以构成为使研磨液供给头41三维地移动。由此，可避免研磨液供给头41与研磨装置1的其他零件干扰，或是避开与研磨装置1的其他零件的干扰而绕过并向希望的位置供给研磨液。
(研磨装置的概略构成)
接着，说明研磨装置的其他实施方式。图8是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的立体图。本实施方式的研磨装置1构成为能够使用具有研磨面102的研磨垫100，进行作为研磨对象物的半导体晶片等的圆板形状的基板WF的研磨。如图示，研磨装置1具备：用于支撑圆板形状的研磨垫100的研磨台20；及用于保持基板WF并使其与研磨垫100的研磨面102接触的研磨头30。再者，研磨装置1具备：用于向研磨垫100与基板WF之间供给研磨液(浆液)的研磨液供给装置40；用于对回旋到研磨垫100之外的研磨液供给装置40供给清洗液的清洗机构300；及用于向研磨面102上喷射清洗流体(纯水等液体及/或氮等气体)，来冲洗使用后的研磨液、研磨残渣等的雾化器50。研磨液供给装置40相对于基板WF配置于研磨垫100的旋转上游侧。另外，图8的实施方式是显示将清洗机构300配置于研磨液供给装置40的上部的例子，不过不限于此，例如亦可构成为在研磨液供给装置40的上部及下部分别配置清洗机构300，而从上下方向清洗研磨液供给装置40。另外，本说明书中所谓上游及下游，是在图8中从上方观看研磨台20(研磨垫100)时，研磨台20(研磨垫100)顺时钟旋转的情况下的上游及下游。
由于本实施方式的研磨装置1中的研磨台20、研磨头30及雾化器50与使用图1至图7而说明的上述实施方式同样，因此省略重复说明。
(研磨液供给装置)
研磨液供给装置40包含用于向研磨垫100上供给研磨液的研磨液供给头41。由于本实施方式的研磨装置1中的研磨液供给头41与使用图2而说明的上述实施方式同样，因此省略重复说明。
图9A是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的立体图，且显示伸出臂的状态。图9B是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的侧视图，且显示伸出臂的状态。图9C是显示一种实施方式的研磨液供给装置的概略构成的立体图，且显示缩回臂的状态。图9D是显示一种实施形态的研磨液供给装置的概略构成的侧视图，且显示缩回臂的状态。
如图9A至图9D所示，研磨液供给装置40具备构成为保持研磨液供给头41的臂160。臂160以可绕轴杆192旋转的方式支撑于轴杆192，该轴杆192与研磨台20相邻配置，并沿铅直方向延伸。臂160包含：沿着研磨垫100的研磨面102而延伸地构成的臂主体161；及构成为连接研磨液供给头41的上表面与臂主体161的连接构件163。臂主体161在比研磨液供给头41高的位置沿着研磨垫100的研磨面102而延伸。具体而言，臂主体161的底面配置于比研磨液供给头41的底面高的位置。
研磨液供给装置40具备构成为使臂160绕轴杆192旋转的旋转机构190。旋转机构190例如可通过马达等周知的机构来实现。此外，研磨液供给装置40具备构成为使研磨液供给头41、臂160、旋转机构190及后述的直动驱动机构70一并升降的升降机构180。升降机构180例如可通过汽缸或马达等周知的机构来实现。
研磨液供给装置40具备构成为使研磨液供给头41沿着研磨垫100的径向直动的直动驱动机构70。具体而言，在臂主体161的侧面，沿着臂主体161的延伸方向形成有槽162，连接构件163沿着槽162可移动地保持于臂主体161。直动驱动机构70构成为通过使连接构件163沿着臂主体161的槽162移动，而使研磨液供给头41沿着研磨垫100的径向直动。直动驱动机构70例如可通过汽缸或马达等周知的机构来实现。
本实施方式的直动驱动机构70构成为，以在向研磨垫100上供给研磨液时，始终使研磨液供给头41的多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列的方式，使研磨液供给头41直动。换言之，直动驱动机构70是在多个研磨液供给口414与研磨垫100相对而沿着研磨垫100的径向排列的状态下，使研磨液供给头41在研磨垫100的中央侧与外缘侧之间沿着研磨垫100的径向直动。另外，本说明书中所谓研磨垫100的径向，不仅严格而言是指研磨垫100的径向，就连±10°范围内的角度亦视为径向。
图10A是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示将研磨液供给头配置于研磨垫的中央侧的状态。图10B是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示将研磨液供给头配置于研磨垫的外缘侧的状态。图10C是显示一种实施方式的研磨装置的概略构成的俯视图，且显示将研磨液供给头配置于研磨台的外侧的状态。
如图10A及图10B所示，直动驱动机构70是在第一状态450与第二状态460之间使研磨液供给头41沿着研磨垫100的径向直动，第一状态450是研磨液供给头41与研磨垫100的中央侧相对配置的状态，第二状态460是与第一状态450相比研磨液供给头41与研磨垫100的外缘侧相对配置的状态。在第一状态450下，多个研磨液供给口414沿着研磨垫100的径向排列，在第二状态460下，多个研磨液供给口414亦沿着研磨垫100的径向排列。因此，根据本实施方式，在一边使研磨液供给头41在研磨垫100上移动一边供给研磨液时，可使研磨液对研磨垫100的供给范围的均匀性提高。就这一点说明如下。
在上述图4所示的比较例的研磨装置中，在研磨液供给头1041配置于研磨垫1000的中央侧的状态1100下，多个研磨液供给口1414沿着研磨垫1000的径向配置。因此，研磨液的供给范围1112在研磨垫的径向上的宽度广。另外，在使臂1060沿轴杆1092旋转并研磨液供给头1041配置于研磨垫1000的外缘侧的状态1200下，多个研磨液供给口1414的排列方向从研磨垫1000的径向向周向偏移。因此，研磨液的供给范围1110在研磨垫在径向上的宽度比供给范围1112窄。其结果为，由于对基板WF的指定半径方向宽度的浆液供给量不同，对基板WF均匀地供给研磨液困难，因此均匀地有效研磨基板WF困难。
相对而言，根据本实施方式的研磨装置1，即使研磨液供给头41为在研磨垫100上的第一状态450或第二状态460的状态，多个研磨液供给口414仍沿着研磨垫100的径向排列。因此，由于第一状态450下的研磨液的供给范围在研磨垫的径向上的宽度与第二状态460下的研磨液的供给范围在研磨垫的径向上的宽度大致相等，因此可对基板WF均匀地供给研磨液，其结果为，可均匀地有效研磨基板WF。
另外，图10A中如虚线480所示，优选在第一状态450下，多个研磨液供给口414中的至少一个(换言之，为最内侧的研磨液供给口)的浆液滴下位置与研磨垫上的基板WF所接触的区域的内侧缘一致。此外，图10B中如虚线490所示，优选在第二状态460下，多个研磨液供给口414中的至少一个(换言之，为最外侧的研磨液供给口)的浆液滴下位置与研磨垫上的基板WF所接触的区域的外侧缘一致。
此外，如图10A所示，直动驱动机构70使研磨液供给头41直动，以在第一状态450下，研磨液供给头41的顶端配置在比臂主体161的顶端远离轴杆192的位置。因此，即使臂主体161的长度短，仍可向研磨垫100的中央供给研磨液。除此之外，如图10C所示，旋转机构190在研磨液供给头41配置于研磨垫100的外缘侧的第二状态460下，通过使臂160旋转，而使研磨液供给头41退开到研磨台20的外侧。在研磨液供给头41移动至接近轴杆192的位置的状态下通过使臂160旋转，而使研磨液供给头41退开到研磨台20的外侧时，可防止研磨液供给头41与雾化器50等在研磨台上或在研磨台周围的构造物碰撞。此外，如图10A至图10C所示，由于臂主体161具有弯曲部，因此可使臂160及研磨液供给头41以小的旋转半径旋转，其结果为，可防止臂160及研磨液供给头41与雾化器50等周边零件碰撞。
此外，本实施方式是将臂主体161配置于比研磨液供给头41高的位置。因此，从研磨液供给头41供给至研磨垫100的研磨液即使碰撞研磨面102而飞散到研磨垫100上，仍然不易附着于臂主体161。万一研磨液附着于臂主体161时，研磨液会从臂主体161掉落到研磨垫100上的不希望的位置，或是附着于臂主体161的研磨液干燥而变成粉尘后掉落到研磨垫100上，其结果为，会导致基板WF的研磨轮廓不均匀及形成瑕疵的原因。相对而言，根据本实施方式，由于可抑制从研磨垫100溅起的研磨液附着于臂主体161，因此可抑制因为从研磨垫100溅起的研磨液造成基板WF的研磨轮廓不均匀，或是在基板WF上产生瑕疵。
此外，如图9A至图9D所示，研磨液供给装置40具备用于覆盖研磨液供给头41的上表面及臂主体161的护盖构件42。护盖构件42包含：从研磨液供给头41的顶端向上延伸的前壁42a；从研磨液供给头41的两侧部向上延伸的侧壁42b；及连接前壁42a及侧壁42b的顶部的上壁42c。研磨液供给头41的上表面及臂主体161通过前壁42a、侧壁42b及上壁42c而覆盖。
护盖构件42安装于研磨液供给头41。因此，护盖构件42构成为随着研磨液供给头41的直动可沿着臂主体161移动。如图9A及图9B所示，护盖构件42在研磨液供给头41配置于研磨垫100的中央侧时，覆盖研磨液供给头41的上表面及臂主体161的包含顶端的第一部分161-1。另外，如图9C及图9D所示，护盖构件42构成为，在研磨液供给头41配置于研磨垫100的外缘侧时，覆盖研磨液供给头41的上表面、臂主体161的第一部分161-1及臂主体161的比第一部分161-1靠基端的第二部分161-2。
因此，根据本实施方式的研磨装置1，由于在多个研磨液供给口414的正上方且容易产生研磨液喷溅的区域的研磨液供给头41的上表面及臂主体161通过护盖构件42覆盖，因此可抑制从研磨垫100溅起的研磨液附着。应避免研磨液附着于研磨液供给头41的上表面及臂主体161，这是因为可能造成附着的研磨液干燥成为粉尘的状态而掉落到研磨垫100上而成为基板WF的研磨轮廓不均匀及形成瑕疵的原因。关于这一点，考虑当研磨液附着于研磨液供给头41的上表面及臂主体161时，如图10C所示，在使研磨液供给头41退开到研磨台20的外侧的状态下，使用清洗机构300来清洗研磨液供给头41及臂主体161。但是，由于研磨液供给头41及臂主体161配置有具有凹陷处的形状的零件，再者，在多个零件的连接部分产生间隙，因此，可能无法彻底清洗进入凹陷处或间隙的研磨液。相对而言，由于护盖构件42的表面平坦且圆滑，因此在护盖构件42上附着了研磨液的情况下，通过在使研磨液供给头41退开到研磨台20的外侧的状态下进行清洗处理，即可冲洗附着于护盖构件42的研磨液。
另外，在使用图1至图10而说明的研磨装置1中，显示使研磨液供给头41在虚线480与虚线490之间的固定范围移动，并向整个基板WF供给研磨液的例子，不过不限定于此。研磨装置1亦可使研磨液供给头41在任意的范围移动。例如，研磨装置1想向研磨垫100中央附近的基板WF的指定区域重点地供给研磨液的情况下，可使研磨液供给头41在虚线480附近的范围移动。如此，研磨装置1可依基板WF及研磨液的种类等，以希望的分布供给研磨液。
此外，在使用图1至图10而说明的研磨装置1中，显示使研磨液供给头41以一定速度移动的例子，不过不限定于此。例如，研磨装置1可将研磨液供给头41的移动范围区分成多个区域，并使各区域的研磨液供给头41的移动速度不同。研磨装置1可以希望的分布供给研磨液，例如提高研磨液供给头41在研磨垫100的中央侧的移动速度而减少研磨液供给量，并降低研磨液供给头41在研磨垫100的外缘侧的移动速度而增加研磨液供给量等。
以上，说明了本发明的几个实施方式，不过上述发明的实施方式是为了容易理解本发明，而并非限定本发明。本发明在不脱离其旨趣下可变更及改良，并且本发明中当然包含其等效物。此外，在可解决上述问题的至少一部分的范围、或是可达成效果的至少一部分的范围内，申请专利范围及说明书中记载的各构成组件可任意组合或省略。
本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，包含：工作台，其用于支撑研磨垫；研磨头，其用于保持对象物；及研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；连杆机构，其构成为使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的研磨面移动；及驱动机构，其构成为驱动所述连杆机构，所述驱动机构构成为，以在所述研磨液供给头与所述研磨垫的中央侧相对配置的第一状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列，并在与所述第一状态相比所述研磨液供给头与所述研磨垫的外缘侧相对配置的第二状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列的方式，驱动所述连杆机构。
再者，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述连杆机构包含：第一臂，其构成为保持所述研磨液供给头；及第二臂，其连结于所述第一臂，所述驱动机构包含：第一旋转机构，其用于使所述第一臂旋转以使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的研磨面回转；及第二旋转机构，其用于使所述第二臂旋转以使所述第一臂回转，所述第一旋转机构及所述第二旋转机构构成为，以在所述第一状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列，并在所述第二状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列的方式，使所述第一臂及所述第二臂旋转。
再者，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，进一步包含轴杆，其与所述工作台相邻配置，并沿铅直方向延伸，所述连杆机构进一步包含：第一连结构件，其将所述第一臂相对于所述第二臂连结成能够旋转；及第二连结构件，其将所述第二臂相对于所述轴杆连结成能够旋转，所述第一连结构件及所述第二连结构件配置于所述工作台的外侧。
再者，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述驱动机构构成为，以使所述研磨液供给头在所述第一状态、所述第二状态、及所述研磨液供给头配置于所述工作台外侧的第三状态之间移动的方式，驱动所述连杆机构。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，包含：工作台，其用于支撑研磨垫；研磨头，其用于保持对象物；及研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；臂，其构成为在比所述研磨液供给头高的位置沿着所述研磨垫的研磨面延伸，并保持所述研磨液供给头；及直动驱动机构，其构成为在所述多个研磨液供给口与所述研磨垫相对并沿着所述研磨垫的径向排列的状态下，使所述研磨液供给头在所述研磨垫的中央侧与外缘侧之间沿着所述研磨垫的径向直动。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述臂包含：臂主体，其沿着所述研磨垫的研磨面延伸；及连接构件，其构成为连接所述研磨液供给头的上表面与所述臂主体，所述直动驱动机构构成为通过使所述连接构件沿着所述臂主体移动，而使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的径向直动，所述臂主体的底面配置于比所述研磨液供给头的底面高的位置。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述研磨液供给装置进一步包含：轴杆，其与所述工作台相邻配置，并沿铅直方向延伸；及旋转机构，其构成为使所述臂绕所述轴杆旋转，所述直动驱动机构以在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的中央侧时，所述研磨液供给头的顶端配置于比所述臂的顶端远离所述轴杆的位置的方式使所述研磨液供给头直动。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述研磨液供给装置进一步包含护盖构件，其用于覆盖所述研磨液供给头的上表面及所述臂主体，所述护盖构件安装于所述研磨液供给头，并构成为随所述研磨液供给头的直动而可沿着所述臂主体移动，在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的中央侧时，所述护盖构件覆盖所述研磨液供给头的上表面及所述臂主体的包括顶端的第一部分，在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的外缘侧时，所述护盖构件覆盖所述研磨液供给头的上表面、所述臂主体的所述第一部分及所述臂主体的比所述第一部分靠基端的第二部分。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，进一步包含雾化器，其构成为对所述研磨垫供给清洗流体，所述雾化器包含：雾化器主体，其与所述研磨垫相对配置；及倾斜机构，其用于以所述雾化器主体的顶端比基端高的方式倾斜所述雾化器主体。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，所述倾斜机构包含：连杆机构，其连接于所述雾化器主体；及驱动机构，其用于通过驱动所述连杆机构而倾斜所述雾化器主体。
此外，本申请的一个实施方式揭示一种研磨装置，在所述雾化器主体形成有：流路，其从所述雾化器主体的基端延伸至顶端附近；及多个孔，其连通所述雾化器主体的底面与所述流路，在所述雾化器主体的底面形成有槽，其将所述多个孔彼此连通，并且连通于所述雾化器主体的基端。
符号说明
1：研磨装置
20：研磨台
30：研磨头
40：研磨液供给装置
41：研磨液供给头
42：护盖构件
51：连杆机构
52：雾化器主体
52-1：顶端
52-2：基端
52a：底面
52b：孔
52c：槽
52d：流路
53：驱动机构
59：倾斜机构
60：连杆机构
60-1：第一臂
60-2：第二臂
60-3：第一连结构件
60-4：第二连结构件
61：连接构件
80：升降机构
90：驱动机构
90-1：第一旋转机构
90-2：第二旋转机构
92：轴杆
100：研磨垫
160：臂
161：臂主体
161-1：第一部分
161-2：第二部分
162：槽
163：连接构件
410：供给构件主体
414：研磨液供给口
450：第一状态
460：第二状态
470：第三状态
WF：基板

Claims (11)

1.一种研磨装置，包含：
工作台，其用于支撑研磨垫；
研磨头，其用于保持对象物；及
研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，
在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，其中，
所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；连杆机构，其构成为使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的研磨面移动；及驱动机构，其构成为驱动所述连杆机构，
所述驱动机构构成为，以在所述研磨液供给头与所述研磨垫的中央侧相对配置的第一状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列，并在与所述第一状态相比所述研磨液供给头与所述研磨垫的外缘侧相对配置的第二状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列的方式，驱动所述连杆机构。
2.如权利要求1所述的研磨装置，其中，所述连杆机构包含：第一臂，其构成为保持所述研磨液供给头；及第二臂，其连结于所述第一臂，
所述驱动机构包含：第一旋转机构，其用于使所述第一臂旋转以使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的研磨面回转；及第二旋转机构，其用于使所述第二臂旋转以使所述第一臂回转，
所述第一旋转机构及所述第二旋转机构构成为，以在所述第一状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列，并在所述第二状态下，所述多个研磨液供给口沿着所述研磨垫的径向排列的方式，使所述第一臂及所述第二臂旋转。
3.如权利要求2所述的研磨装置，其中，进一步包含轴杆，其与所述工作台相邻配置，并沿铅直方向延伸，
所述连杆机构进一步包含：第一连结构件，其将所述第一臂相对于所述第二臂连结成能够旋转；及第二连结构件，其将所述第二臂相对于所述轴杆连结成能够旋转，
所述第一连结构件及所述第二连结构件配置于所述工作台的外侧。
4.如权利要求3所述的研磨装置，其中，所述驱动机构构成为，以使所述研磨液供给头在所述第一状态、所述第二状态及所述研磨液供给头配置于所述工作台的外侧的第三状态之间移动的方式，驱动所述连杆机构。
5.一种研磨装置，包含：
工作台，其用于支撑研磨垫；
研磨头，其用于保持对象物；及
研磨液供给装置，其用于向所述研磨垫与所述对象物之间供给研磨液，
在研磨液存在下，通过使所述研磨垫与所述对象物接触并彼此旋转运动来进行所述对象物的研磨，其中，
所述研磨液供给装置包含：研磨液供给头，其具有多个研磨液供给口；臂，其构成为在比所述研磨液供给头高的位置沿着所述研磨垫的研磨面延伸，并保持所述研磨液供给头；及直动驱动机构，其构成为在所述多个研磨液供给口与所述研磨垫相对并沿着所述研磨垫的径向排列的状态下，使所述研磨液供给头在所述研磨垫的中央侧与外缘侧之间沿着所述研磨垫的径向直动。
6.如权利要求5所述的研磨装置，其中，所述臂包含：臂主体，其沿着所述研磨垫的研磨面延伸；及连接构件，其构成为连接所述研磨液供给头的上表面与所述臂主体，
所述直动驱动机构构成为通过使所述连接构件沿着所述臂主体移动，而使所述研磨液供给头沿着所述研磨垫的径向直动，
所述臂主体的底面配置于比所述研磨液供给头的底面高的位置。
7.如权利要求6所述的研磨装置，其中，所述研磨液供给装置进一步包含：
轴杆，其与所述工作台相邻配置，并沿铅直方向延伸；及
旋转机构，其构成为使所述臂绕所述轴杆旋转，
所述直动驱动机构以在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的中央侧时，所述研磨液供给头的顶端配置于比所述臂的顶端远离所述轴杆的位置的方式，使所述研磨液供给头直动。
8.如权利要求7所述的研磨装置，其中，所述研磨液供给装置进一步包含护盖构件，其用于覆盖所述研磨液供给头的上表面及所述臂主体，
所述护盖构件安装于所述研磨液供给头，并构成为随所述研磨液供给头的直动而能够沿着所述臂主体移动，在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的中央侧时，所述护盖构件覆盖所述研磨液供给头的上表面及所述臂主体的包含顶端的第一部分，在所述研磨液供给头配置于所述研磨垫的外缘侧时，所述护盖构件覆盖所述研磨液供给头的上表面、所述臂主体的所述第一部分、及所述臂主体的比所述第一部分靠基端的第二部分。
9.如权利要求1至8中任一项所述的研磨装置，其中，进一步包含雾化器，其构成为对所述研磨垫供给清洗流体，
所述雾化器包含：雾化器主体，其与所述研磨垫相对配置；及倾斜机构，其用于以所述雾化器主体的顶端比基端高的方式倾斜所述雾化器主体。
10.如权利要求9所述的研磨装置，其中，所述倾斜机构包含：连杆机构，其连接于所述雾化器主体；及驱动机构，其用于通过驱动所述连杆机构而倾斜所述雾化器主体。
11.如权利要求10所述的研磨装置，其中，在所述雾化器主体形成有：流路，其从所述雾化器主体的基端延伸至顶端附近；及多个孔，其连通所述雾化器主体的底面与所述流路；
在所述雾化器主体的底面有形成有槽，其将所述多个孔彼此连通，并且连通于所述雾化器主体的基端。
CN202280003970.XA 2021-06-11 2022-05-19 研磨装置 Pending CN115734841A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021098188 2021-06-11
JP2021-098188 2021-06-11
JP2021098177 2021-06-11
JP2021-098177 2021-06-11
PCT/JP2022/020822 WO2022259833A1 (ja) 2021-06-11 2022-05-19 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115734841A true CN115734841A (zh) 2023-03-03

Family

ID=84424830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280003970.XA Pending CN115734841A (zh) 2021-06-11 2022-05-19 研磨装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2022259833A1 (zh)
KR (1) KR20240018342A (zh)
CN (1) CN115734841A (zh)
TW (1) TW202247941A (zh)
WO (1) WO2022259833A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133269A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置
WO2010019264A2 (en) 2008-08-14 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
JP6717691B2 (ja) * 2016-07-06 2020-07-01 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022259833A1 (ja) 2022-12-15
KR20240018342A (ko) 2024-02-13
JPWO2022259833A1 (zh) 2022-12-15
TW202247941A (zh) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102326734B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4065650B2 (ja) 化学機械的研磨装置及び研磨ヘッド内部の汚染物質洗浄方法
US10170345B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100524054B1 (ko) 폴리싱 장치와 이에 사용되는 대상물 홀더 및 폴리싱 방법 및 웨이퍼제조방법
KR20060008952A (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 그 방법에 사용되는프로그램을 기록한 매체
US20140120725A1 (en) Polishing apparatus and polishing method
TW201620676A (zh) 處理模組、處理裝置、及處理方法
KR102307209B1 (ko) 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치
CN115734841A (zh) 研磨装置
JP7320358B2 (ja) 加工装置及び洗浄方法
US11541502B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6578040B2 (ja) 基板処理装置
US20230182262A1 (en) Substrate cleaning device and substrate polishing device
US20240139909A1 (en) Substrate processing apparatus
US11626299B2 (en) Cover for swing member of substrate processing apparatus, swing member of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
JP2024025260A (ja) スピンナ洗浄装置
JP2022134856A (ja) チャックテーブルの洗浄方法
JP2022180712A (ja) 研削装置、研削装置の制御方法、及び記憶媒体
JP2023139675A (ja) 加工装置
JP2023041150A (ja) ロボットハンド
JP2023101963A (ja) 洗浄装置
JP2022043941A (ja) 構造物、研磨装置
KR20230061244A (ko) 연삭 장치
JP2024064482A (ja) 基板処理装置
KR20220064298A (ko) 연삭 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination