CN115679254A - 一种掩膜板、显示基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供一种掩膜板、显示基板、显示装置。掩膜板包括掩膜板主体，掩膜板主体上设有多个掩膜开口，至少一个掩膜开口中设有遮挡结构和连接结构；遮挡结构，与显示基板上的挖孔区对应设置，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置；连接结构，与掩膜板主体和对应的遮挡结构连接，用于将对应的遮挡结构固定于掩膜板主体。本公开实施例提供的掩膜板、显示基板、显示装置，在很大程度上可以避免显示面板出现GDSH不良。
Description
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种掩膜板、显示基板、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)屏幕具有亮度高、画质好、节能等优点，已经成为面板行业的发展趋势，更是面板行业的高端产品，随着显示技术的发展，对OLED屏幕的要求也越来越高。现有的有机发光二极管(OLED)显示基板的制作过程中，通常利用mask(掩膜板)作为掩膜采用蒸镀(EV，Evaporate)工艺形成有机发光层。
EV Mask(蒸镀用掩膜板)根据功能的不同可分为FMM Mask(Fine MetalMask，高精度金属掩模板)、Open/Common Mask(开放/普通掩模板)，根据Pixel(像素)设计类型的不同可分为Slot Mask(槽状掩膜板)、Stripe Mask(条状掩膜板)。
采用Open/Common Mask(开放/普通掩模板)制备的显示面板存在黑斑(GDSH)不良的现象。
发明内容
本申请实施例所要解决的问题是，提供一种掩膜板、显示基板、显示装置，以解决显示面板出现GDSH不良的技术问题。
为了解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种掩膜板，掩膜板包括掩膜板主体，所述掩膜板主体上设有多个掩膜开口，至少一个掩膜开口中设有遮挡结构和连接结构；
所述遮挡结构，与显示基板上的挖孔区对应设置，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置；
所述连接结构，与所述掩膜板主体和对应的遮挡结构连接，用于将对应的遮挡结构固定于所述掩膜板主体。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构的形状与显示基板上对应的挖孔区的形状相匹配。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构的形状为圆形，或者为矩形，或者为椭圆形，或者为至少一组对边为圆弧形的方形。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构的面积大于第一边界围成的面积并小于或等于第二边界围成的面积，所述第一边界为所述显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，所述第二边界为所述显示基板上围绕所述挖孔区的显示区域的闭环边界。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构的中部区域为镂空结构。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构为中部镂空的圆环形结构或者为中部镂空的胶囊状环形结构；所述环形结构包括内边界和外边界；
所述圆环形结构的内边界与外边界的形状为同心圆；所述胶囊状环形结构的内边界与外边界的形状均为一组对边为弧形的方形，且弧形的圆心位于弧形的一组对边之间，内边界与外边界所围成的两个几何形状的中心重叠。
在示例性实施方式中，所述内边界所围成的面积小于或等于第一边界所围成的面积，或者，所述内边界所围成的面积大于第一边界所围成的面积且小于所述外边界所围成的面积；所述外边界所围成的面积大于第一边界围成的面积，并且小于第二边界围成的面积；所述第一边界为所述显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，所述第二边界为所述显示基板上围绕所述挖孔区的显示区域的闭环边界。
在示例性实施方式中，所述内边界与所述外边界之间的距离大于或等于50微米。
在示例性实施方式中，所述连接结构包括一条或多条连接线。
在示例性实施方式中，所述连接结构中连接线的数量为大于或者等于2的偶数，在所述掩膜板所在的平面上，多条连接线沿第一中线延伸的方向排列，并且相对于第二中线对称设置；所述第一中线为所述遮挡结构沿第一方向延伸的中线，所述第二中线为所述遮挡结构沿第二方向延伸的中线，所述第一方向与所述第二方向相交。
在示例性实施方式中，所述连接线的形状与显示基板中像素定义层的间隙相对应。
在示例性实施方式中，所述遮挡结构、所述连接结构与所述掩膜板主体为一体成型结构。
在示例性实施方式中，所述掩膜开口形状为矩形，所述矩形的掩膜开口由四个侧壁围成，所述四个侧壁中包括连接侧壁以及与所述连接侧壁相对设置的对边侧壁，所述连接结构与所述连接侧壁连接，所述遮挡结构与所述连接侧壁的距离小于与所述对边侧壁的距离。
本公开还提供了一种显示基板，在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板包括基底，以及依次设置在所述基底上的驱动电路层、发光结构层，所述发光结构层包括有机发光层；在平行于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括显示区、过渡区和挖孔区，所述过渡区位于所述挖孔区和所述显示区之间，所述过渡区在所述基底上的正投影与所述有机发光层在所述基底上的正投影不存在重叠区域。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括支撑结构，所述发光结构层还包括像素定义层，所述像素定义层位于所述驱动电路层与所述有机发光层之间，所述支撑结构设置于所述像素定义层远离所述基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述支撑结构包括多个支撑柱，位于所述过渡区的支撑柱与位于所述显示区的支撑柱的高度保持一致。
在示例性实施方式中，在平行于所述显示基板的平面上，位于所述过渡区的多个支撑柱沿第二方向相对于第三中线对称设置，并沿第一方向相对于第四中线对称设置；所述第三中线为所述过渡区沿第一方向延伸的中线，所述第四中线为所述过渡区沿第二方向延伸的中线，所述第一方向与所述第二方向相交。
本公开还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例提供的掩膜板，掩膜开口中设有与显示基板上的挖孔区对应设置的遮挡结构，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置，在制备显示基板有机发光层的蒸镀工序中，遮挡结构所遮挡的区域不会沉积有机发光材料，可以在挖孔区的周边位置形成未沉积有机发光材料的过渡区，在挖孔区切割线位置水汽无法沿有机发光层延伸至显示区域，在很大程度上可以避免GDSH不良。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1所示为一种显示装置的结构示意图；
图2所示为一种示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；
图3为一种显示基板中显示区域的剖面结构示意图；
图4所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的结构示意图；
图5所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图6所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图7所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图8所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图9所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图10所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图11所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图12所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板的放大结构示意图；
图13所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板遮挡结构的示意图；
图14所示为本公开一种示例性实施例提供的掩膜板遮挡结构的示意图；
图15所示为本公开一种示例性实施例提供的显示基板的平面结构示意图；
图16所示为本公开一种示例性实施例提供的显示基板的剖面结构示意图；
图17所示为本公开一种示例性实施例提供的显示基板的挖孔区和过渡区的结构示意图；
图18所示为本公开一种示例性实施例提供的显示基板的挖孔区和过渡区的结构示意图；
图19所示为一种显示基板的剖面结构示意图；
图20所示为本公开一种示例性实施例提供的显示基板的局部剖面结构示意图。
具体实施方式
本公开中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系可根据描述的构成要素的方向进行适当地改变。因此，不局限于在文中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
图1所示为一种显示装置的结构示意图，显示基板可以包括时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器、发光信号驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据信号驱动器、扫描信号驱动器和发光信号驱动器连接，数据信号驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描信号驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光信号驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器，可以将适合于发光信号驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光信号驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，本公开在此不做限定。
图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底101上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离基底101一侧的发光结构层103以及设置在发光结构层103远离基底101一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。发光结构层103可以包括阳极301、像素定义层302、有机发光层303和阴极304，阳极301通过过孔与驱动晶体管210的漏电极连接，有机发光层303与阳极301连接，阴极304与有机发光层303连接，有机发光层303在阳极301和阴极304驱动下出射相应颜色的光线。封装层104可以包括叠设的第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可以采用无机材料，第二封装层402可以采用有机材料，第二封装层402设置在第一封装层401和第三封装层403之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层103。
在示例性实施方式中，如图3所示，像素定义层(pixel define layer，简写为PDL)302可以根据子像素排列结构形成对应每一个子像素的开口3020，像素定义层302可以包括多个开口3020以限定多个子像素的有效发光区，各子像素的有效发光区的形状可以由像像素定义层302的开口3020来定义。相邻子像素之间的像素定义层302的宽度也可以为相邻子像素之间的像素定义层302的间隙(PDL GAP)，在显示基板包括触控层(TSP)的情况下，触控层的触控走线可以设置于PDL GAP的居中位置，从而避开像素定义层302的开口3020位置，防止对有效发光区产生遮挡，以避免影响显示效果。
在示例性实施方式中，有机发光层303可以包括叠设的空穴注入层(HoleInjection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、发光层(Emitting Layer，简称EML)、空穴阻挡层(HoleBlock Layer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的，相邻子像素的电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。
随着显示技术的不断发展，提升显示屏的屏占比越来越受到人们的关注，目前，为了实现更高的屏占比，一般会在显示屏上为一些附加部件(例如摄像头、传感器等等)预留一些挖孔区域(例如开孔)。但在屏内挖孔区域附近，水氧会在挖孔边界的切割线处，沿显示屏中的发光功能层渗入到显示屏内部对显示屏内部造成侵蚀，并由此导致黑斑(GDSH)不良，甚至出现显示失效的现象。
在OLED显示面板的制作过程中，采用掩膜板对显示基板的表面进行遮挡，通过蒸镀工艺使得镀膜材料穿过掩膜板上的掩膜开口部分，得到图形化的有机发光膜层，即通过蒸镀的方式在基板上形成OLED器件。制备OLED显示面板的Open/Common Mask(开放/普通掩模板)上设置有多个矩形的掩膜开口，掩膜开口通常设置为矩形结构，在蒸镀过程中，每一个掩膜开口对应一个显示基板，这样可以使用一个Open/Common Mask同时制备多个显示基板，从而实现显示基本的批量生产。由于显示基板上通常会设有挖孔区，例如与摄像头位置对应的挖孔区，在使用Open/Common Mask蒸镀有机发光层(例如，有机发光层可以包括HTL/HBL/ETL/CPL/LiF/Cathode等有机膜层)的过程中，有机发光层会将挖孔区的位置覆盖，由于有机膜层具有吸水性，有机发光层覆盖挖孔区的位置后，挖孔区边界的切割线位置为水汽入侵提供了路径，也因此导致显示面板在挖孔区的位置以及挖孔区附近的位置经常出现GDSH不良，严重影响显示面板的质量。
为解决现有显示面板出现GDSH不良的技术问题，本公开实施例提供了一种掩膜板，如图4至图12所示，掩膜板可以包括掩膜板主体10，掩膜板主体10上设有多个掩膜开口11，至少一个掩膜开口11中设有遮挡结构12和连接结构13；
遮挡结构12，与显示基板上的挖孔区对应设置，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置；
连接结构13，与掩膜板主体10和对应的遮挡结构12连接，用于将对应的遮挡结构12固定于掩膜板主体10。
本公开实施例提供的掩膜板，掩膜开口中设有与显示基板上的挖孔区对应设置的遮挡结构，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置，在制备显示基板有机发光层的蒸镀工序中，遮挡结构所遮挡的区域不会沉积有机发光材料，可以在挖孔区的周边位置形成未沉积有机发光材料的过渡区，在挖孔区切割线位置水汽无法沿有机发光层延伸至显示区域，在很大程度上可以避免GDSH不良。
在示例性实施方式中，遮挡结构12的形状与显示基板上对应的挖孔区的形状相匹配。
在示例性实施方式中，如图5所示，遮挡结构12的形状为圆形；或者如图6所示，遮挡结构12的形状为矩形；或者如图7所示，遮挡结构12的为椭圆形；或者如图8所示，遮挡结构12的形状为至少一组对边为圆弧形的方形，在图8所示的遮挡结构12中，遮挡结构12的形状也可以称为胶囊状。
在示例性实施方式中，如图5至图8所示的遮挡结构12中，遮挡结构12的面积大于第一边界围成的面积并小于或等于第二边界围成的面积，第一边界为显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，第二边界为显示基板上围绕挖孔区的显示区域的闭环边界，使得在蒸镀工序中，遮挡结构12在掩膜板上的正投能够影覆盖遮挡结构12对应的挖孔区在掩膜板上的正投影，并且使得挖孔区切割线的边界所围成的几何图形在掩膜板上的正投影落入遮挡结构12在掩膜板上的正投影范围之内，以在显示基板的挖孔区与显示区之间形成未沉积有机发光材料的过渡区，过渡区未设置有机发光材料可以阻断水汽沿有机发光材料从切割线位置渗入显示面板，避免显示面板出现GDSH不良。
在示例性实施方式中，在显示基板上沿挖孔区切割线切割后形成的挖孔区的边界可以与挖孔区的切割线的边界重叠。
在示例性实施方式中，在蒸镀工序中，遮挡结构12的边界在掩膜板上的正投影与第一边界在掩膜板上的正投影之间的距离大于或等于50微米，使得显示基板上挖孔区与显示区之间形成大于或等于50微米未沉积有机发光材料的过渡区。
在示例性实施方式中，如图9至图12所示，遮挡结构12的中部区域为镂空结构。
在示例性实施方式中，如图9所示，遮挡结构12为中部镂空的圆环形结构；或者如图10所示，遮挡结构12为中部镂空的矩形环形结构；或者如图11所示，遮挡结构12为中部镂空的椭圆状环形结构；或者如图12所示，遮挡结构12为中部镂空的胶囊状环形结构。
在示例性实施方式中，如图9至图14所示，环形结构包括内边界L1和外边界L2，且内边界L1与外边界L2所围成的几何形状的中心重叠。
在示例性实施方式中，在图9和图14所示结构中，圆环形结构的内边界L1与外边界L2的形状为同心圆；在图12和图13所示结构中，所述胶囊状环形结构的内边界L1与外边界L2的形状均为一组对边为弧形的方形，且弧形的圆心位于弧形的一组对边之间，内边界L1与外边界L2所围成的两个几何形状的中心重叠。
在示例性实施方式中，如图9至图14所示，内边界L1所围成的面积小于或等于第一边界所围成的面积，或者，内边界L1所围成的面积大于第一边界所围成的面积且小于外边界L2所围成的面积；外边界L2所围成的面积大于第一边界围成的面积，并且小于第二边界围成的面积；第一边界为显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，第二边界为显示基板上围绕挖孔区的显示区域的闭环边界。
在示例性实施方式中，如图9至图14所示，内边界L1与外边界L2之间的距离D1大于或等于50微米，使得在制备显示基板有机发光层的蒸镀工序中，在挖孔区周边(挖孔区与显示区之间)形成至少50微米以上的过渡区未沉积有机发光材料。D1的距离不限于大于50微米，例如，可以小于50微米，能够阻断水汽沿有机发光层渗入挖孔区切割线位置的通路即可。例如距离D1的值可以为20微米、30微米、50微米、60微米、100微米等。
在示例性实施方式中，如图8至图12所示，连接结构13包括一条或多条连接线131。
在示例性实施方式中，如图8至图12所示，连接结构13中连接线131的数量为大于或者等于2的偶数，在掩膜板所在的平面上，多条连接线131沿第一中线Q1-Q1延伸的方向排列，并且相对于第二中线Q2-Q2对称设置；第一中线Q1-Q1为遮挡结构12沿第一方向X延伸的中线，第二中线Q2-Q2为遮挡结构12沿第二方向Y延伸的中线，第一方向X与第二方向Y相交。例如，连接同一个遮挡结构12的连接线131的数量可以为2、4、6、8等。
在示例性实施方式中，为了增大对遮挡结构12的支撑力度，避免在蒸镀工序中遮挡结构12变形，提高蒸镀精度及稳定性，同一个遮挡结构12可以设置多条连接线131，并且多条连接线131对称设置可以防止受力不均。
在示例性实施方式中，连接线131的形状与显示基板中像素定义层的间隙PDL GAP相对应，以避免连接线131对显示基板的有效发光区域产生遮挡，在蒸镀工序中不会因为连接线131的存在而导致对有效发光区域沉积有机发光材料产生遮挡。在示例性实施方式中，连接结构13中的连接线131与显示基板中触控层的触控走线相对应，例如，连接结构13中的连接线131在显示基板上的正投影可以与显示基板中触控层的触控走线在显示基板上的正投影存在重叠区域。
在示例性实施方式中，如图4所示，遮挡结构12、连接结构13与掩膜板主体10为一体成型结构。
在示例性实施方式中，如图4至图12所示，掩膜开口11形状为矩形，矩形的掩膜开口11由四个侧壁围成，四个侧壁中包括连接侧壁R1以及与连接侧壁相对设置的对边侧壁R2，连接结构13与连接侧壁R1连接，遮挡结构12与连接侧壁R1之间的距离M1小于与对边侧壁R2之间的距离M2，以减小连接线的长度，提高连接线的支撑强度。
本公开实施例还提供了一种显示基板，如图15和图16所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板包括基底101，以及依次设置在基底上的驱动电路层102、发光结构层103，发光结构层103包括有机发光层303；在平行于显示基板的平面上，显示基板包括显示区21、过渡区22和挖孔区23，过渡区22位于挖孔区23和显示区21之间，过渡区22在基底101上的正投影与有机发光层303在基底101上的正投影不存在重叠区域。
在示例性实施方式中，如图16所示，显示基板还包括支撑结构50，发光结构层103还包括像素定义层302，像素定义层302位于驱动电路层102与有机发光层303之间，支撑结构50设置于像素定义层302远离基底101的一侧。
在示例性实施方式中，支撑结构50包括多个支撑柱501，位于过渡区22的支撑柱501与位于显示区21的支撑柱501的高度H保持一致。即，位于过渡区22的支撑柱501与位于显示区21的支撑柱501在远离基底101一侧的表面保持齐平，以更好的支撑掩膜板，使掩膜板在多个支撑柱501的支撑作用下，能够精准对位，提高蒸镀精度，从而提高显示基板的质量。
在示例性实施方式中，支撑柱501也可以称为隔垫柱(PS)，用于在蒸镀有机发光层的蒸镀工艺中支撑掩膜板。支撑柱501的设置可以以降低挖孔区23对应遮挡结构的形变量，提高掩膜板蒸镀精度。
在示例性实施方式中，如图17和图18所示，在平行于显示基板的平面上，位于过渡区22的多个支撑柱501沿第二方向Y相对于第三中线Q3-Q3对称设置，并沿第一方向X相对于第四中线Q4-Q4对称设置；第三中线Q3-Q3为过渡区22沿第一方向X延伸的中线，第四中线Q4-Q4为过渡区22沿第二方向Y延伸的中线，第一方向X与第二方向Y相交。在示例性实施方式中，位于过渡区22的支撑柱501的数量可以为2个、4个、6个、8个等。
在示例性实施方式中，如图17和图18所示，挖孔区23的形状可以为圆形、胶囊状形状，但不限于如图17和18所示的结构，比如可以为矩形、椭圆形等形状。过渡区的形状可以为环状结构，例如，过渡区可以为圆环状结构、胶囊状环形结构、方形环状结构、椭圆形的环状结构等。
在本公开实施例中，由于显示基板设置了未沉积有机发光材料的过渡区22，能够很好的阻隔外界的水汽，不必在挖孔区23周边设置阻隔坝和隔离柱，在很大程度上减小了挖孔区23的边框，有利于挖孔区窄边框的实现。
如图19所示，为现有技术中在挖孔区23设置隔离柱601和阻隔坝602的结构示意图，现有技术中通常在阻隔坝602靠近挖孔区23的一侧设置4个隔离柱601，在阻隔坝602远离挖孔区23的一侧设置7个隔离柱601，在实际应用中，C1的尺寸约为40微米，C2和C3的尺寸约为30微米，C4的尺寸约为120微米，C5的尺寸约为100微米，本公开实施例中节省了隔离柱601和阻隔坝602的空间，可以节省约320微米，在很大程度上减小挖孔区的边框。
在示例性实施方式中，为了进一步阻挡外界水汽，本公开实施例中挖孔区的周边可以设置两个阻隔坝602和两个隔离柱601，如图20所示，C6的尺寸约为40微米，C7和C9的尺寸约为30微米。图20中C6至C10的总长度比图19中C1至C5的总长度减少约200微米，在很大程度上减小了挖孔区的边框尺寸。
在示例性实施方式中，本公开实施例提供的显示基板可以采用上述任一实施例所述的掩膜板制备得到。
本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：显示基板。
显示基板为前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，显示装置可以为有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，简称OLED)、电子纸、有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organiclight emitting diode，简称AMOLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开实施例提供的掩膜板、显示基板、显示装置，掩膜板上的掩膜开口中设有与显示基板上的挖孔区对应设置的遮挡结构，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置，在制备显示基板有机发光层的蒸镀工序中，遮挡结构所遮挡的区域不会沉积有机发光材料，可以在挖孔区的周边位置形成未沉积有机发光材料的过渡区，在挖孔区切割线位置水汽无法沿有机发光层延伸至显示区域，在很大程度上可以避免显示面板出现GDSH不良。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (18)
1.一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板主体，所述掩膜板主体上设有多个掩膜开口，至少一个掩膜开口中设有遮挡结构和连接结构；
所述遮挡结构，与显示基板上的挖孔区对应设置，用于在蒸镀工序中遮挡显示基板上挖孔区的周边位置；
所述连接结构，与所述掩膜板主体和对应的遮挡结构连接，用于将对应的遮挡结构固定于所述掩膜板主体。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构的形状与显示基板上对应的挖孔区的形状相匹配。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构的形状为圆形，或者为矩形，或者为椭圆形，或者为至少一组对边为圆弧形的方形。
4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构的面积大于第一边界围成的面积并小于或等于第二边界围成的面积，所述第一边界为所述显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，所述第二边界为所述显示基板上围绕所述挖孔区的显示区域的闭环边界。
5.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构的中部区域为镂空结构。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构为中部镂空的圆环形结构或者为中部镂空的胶囊状环形结构；所述环形结构包括内边界和外边界；
所述圆环形结构的内边界与外边界的形状为同心圆；所述胶囊状环形结构的内边界与外边界的形状均为一组对边为弧形的方形，且弧形的圆心位于弧形的一组对边之间，内边界与外边界所围成的两个几何形状的中心重叠。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述内边界所围成的面积小于或等于第一边界所围成的面积，或者，所述内边界所围成的面积大于第一边界所围成的面积且小于所述外边界所围成的面积；所述外边界所围成的面积大于第一边界围成的面积，并且小于第二边界围成的面积；所述第一边界为所述显示基板上挖孔区切割线所形成的闭环边界，所述第二边界为所述显示基板上围绕所述挖孔区的显示区域的闭环边界。
8.根据权利要求6或7所述的掩膜板，其特征在于，所述内边界与所述外边界之间的距离大于或等于50微米。
9.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述连接结构包括一条或多条连接线。
10.根据权利要求9所述的掩膜板，其特征在于，所述连接结构中连接线的数量为大于或者等于2的偶数，在所述掩膜板所在的平面上，多条连接线沿第一中线延伸的方向排列，并且相对于第二中线对称设置；所述第一中线为所述遮挡结构沿第一方向延伸的中线，所述第二中线为所述遮挡结构沿第二方向延伸的中线，所述第一方向与所述第二方向相交。
11.根据权利要求9或10所述的掩膜板，其特征在于，所述连接线的形状与显示基板中像素定义层的间隙相对应。
12.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡结构、所述连接结构与所述掩膜板主体为一体成型结构。
13.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜开口形状为矩形，所述矩形的掩膜开口由四个侧壁围成，所述四个侧壁中包括连接侧壁以及与所述连接侧壁相对设置的对边侧壁，所述连接结构与所述连接侧壁连接，所述遮挡结构与所述连接侧壁的距离小于与所述对边侧壁的距离。
14.一种显示基板，其特征在于，在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板包括基底，以及依次设置在所述基底上的驱动电路层、发光结构层，所述发光结构层包括有机发光层；在平行于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括显示区、过渡区和挖孔区，所述过渡区位于所述挖孔区和所述显示区之间，所述过渡区在所述基底上的正投影与所述有机发光层在所述基底上的正投影不存在重叠区域。
15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括支撑结构，所述发光结构层还包括像素定义层，所述像素定义层位于所述驱动电路层与所述有机发光层之间，所述支撑结构设置于所述像素定义层远离所述基底的一侧。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构包括多个支撑柱，位于所述过渡区的支撑柱与位于所述显示区的支撑柱的高度保持一致。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，在平行于所述显示基板的平面上，位于所述过渡区的多个支撑柱沿第二方向相对于第三中线对称设置，并沿第一方向相对于第四中线对称设置；所述第三中线为所述过渡区沿第一方向延伸的中线，所述第四中线为所述过渡区沿第二方向延伸的中线，所述第一方向与所述第二方向相交。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14至17任一项所述的显示基板。
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