CN115516607A - 液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

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CN115516607A CN202180033454.7A CN202180033454A CN115516607A CN 115516607 A CN115516607 A CN 115516607A CN 202180033454 A CN202180033454 A CN 202180033454A CN 115516607 A CN115516607 A CN 115516607A
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Abstract

液供给机构具有：喷嘴，其对基板喷出处理液；供给流路，其向所述喷嘴供给所述处理液；阀，其对所述供给流路中的流动进行调整；以及缓冲部，其在从所述阀朝向所述喷嘴的中途将所述处理液暂时积存在该缓冲部的内部空间中。

Description

液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开了经由供给路和喷嘴向基板供给抗蚀液的技术。在供给路中，从上游侧朝向下游侧依次设置有作为开闭阀的气动阀和回吸阀。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-139665号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种防止由于阀的动作而产生的微粒向基板附着的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的液供给机构具有：喷嘴，其对基板喷出处理液；供给流路，其向所述喷嘴供给所述处理液；阀，其对所述供给流路中的流动进行调整；以及缓冲部，其在从所述阀朝向所述喷嘴的中途将所述处理液暂时积存在该缓冲部的内部空间中。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够防止由于阀的动作而产生的微粒向基板附着。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。
图2是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图3是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的时序图。
图4是示出一个实施方式所涉及的微粒的位置的图，(A)是示出步骤S2开始时的位置的图，(B)是示出步骤S2结束时的位置的图，(C)是示出图3的步骤S5的中途的位置的图。
图5是示出一个实施方式所涉及的缓冲部的状态的图，(A)是示出步骤S2中的状态的图，(B)是示出步骤S5中的状态的图。
图6是示出第一变形例所涉及的缓冲部的状态的图，(A)是示出步骤S2中的状态的图，(B)是示出步骤S5中的状态的图。
图7是示出第二变形例所涉及的缓冲部的状态的图，(A)是示出步骤S2中的状态的图，(B)是示出步骤S5中的状态的图。
图8是示出第三变形例所涉及的缓冲部的图。
图9是示出第四变形例所涉及的缓冲部的图。
图10是示出一个实施方式所涉及的回收流路和返回流路的图。
图11是示出变形例所涉及的缓冲部的图。
具体实施方式
下面参照附图来说明本公开的实施方式。此外，有时在各附图中对于相同或对应的结构标注相同的附图标记并省略说明。
首先，参照图1来说明基板处理装置1。基板处理装置1通过处理液L来对基板W进行处理。基板W例如包括硅圆晶或化合物半导体圆晶等。此外，基板W也可以是玻璃基板。基板处理装置1具备液处理单元2和控制部9。
液处理单元2具有：处理容器21，其用于收容基板W；保持盘22，其在处理容器21的内部保持基板W；旋转机构23，其使保持盘22旋转；以及液供给机构24，其对由保持盘22保持的基板W供给处理液L。
保持盘22例如使基板表面Wa朝向上方并水平地保持基板W。保持盘22在图1中是机械保持盘，但也可以是真空保持盘或静电保持盘等。
旋转机构23使保持盘22旋转。保持盘22的旋转轴22a铅垂地配置。保持盘22以使基板表面Wa的中心与保持盘22的旋转中心线一致的方式保持基板W。
液供给机构24具有用于对基板W喷出处理液L的喷嘴25。喷嘴25对由保持盘22保持的基板W喷出处理液L。喷嘴25配置在保持盘22的上方，并从上方对基板W喷出处理液L。处理液L被供给到旋转的基板表面Wa的中心，通过离心力向基板表面Wa的整个径向扩散来形成液膜。
此外，在本实施方式中向基板表面Wa供给一种处理液L，但也可以以预定的顺序对基板W供给多种处理液L。例如，作为处理液L，依次供给药液、冲洗液以及干燥液。首先，在基板表面Wa形成药液的液膜，接着，药液的液膜被替换为冲洗液的液膜，之后，冲洗液的液膜被替换为干燥液的液膜。
药液被供给到旋转的基板表面Wa的中心，通过离心力向基板表面Wa的整个径向扩散来对基板表面Wa的整体进行处理。作为药液，不被特别限定，例如能够举出DHF(稀氢氟酸)、SC-1(包含氢氧化氨和过氧化氢的水溶液)、SC-2(包含氯化氢和过氧化氢的水溶液)等。药液既可以是碱性的，也可以是酸性的。也可以按顺序供给多种药液，在该情况下，在第一药液的液膜的形成与第二药液的液膜的形成之间也进行冲洗液的液膜的形成。
冲洗液被供给到旋转的基板表面Wa的中心，通过离心力向基板表面Wa的整个径向扩散来冲洗残留在基板表面Wa的药液，并在基板表面Wa形成冲洗液的液膜。作为冲洗液，例如使用DIW(去离子水)等纯水。
干燥液被供给到旋转的基板表面Wa的中心，通过离心力向基板表面Wa的整个径向扩散来冲洗残留在基板表面Wa的冲洗液，并在基板表面Wa形成干燥液的液膜。作为干燥液，使用具有表面张力比冲洗液的表面张力低的干燥液。能够抑制由表面张力引起的凹凸图案的倒塌。干燥液例如是IPA(异丙醇)等有机溶剂。
在干燥液的液膜的形成之后，也可以使干燥液的供给位置从基板表面Wa的中心朝向周缘移动。在干燥液的液膜的中心形成开口，该开口从基板表面Wa的中心朝向周缘逐渐扩大。
多种处理液L既可以由多个喷嘴25喷出，也可以由同一喷嘴25喷出。
液供给机构24具有用于对喷嘴25供给处理液L的供给流路26。在供给流路26的下游端设置有喷嘴25。另外，液供给机构24例如具有开闭阀27和流量调整阀28作为对供给流路26中的流动进行调整的阀。
当开闭阀27使供给流路26开放时，喷嘴25喷出处理液L。其流量通过流量调整阀28来控制。另一方面，当开闭阀27将供给流路26闭合时，喷嘴25停止处理液L的喷出。
流量调整阀28例如是恒压阀。通过恒压阀的处理液的流量被从电动气动调节器向恒压阀的操作端口供给的压力所控制。在供给流路26设置有流量计29，控制流量调整阀28以使得流量计29的检测值变为目标值。
开闭阀27和流量调整阀28可以一体化。将一体化的多个阀称为阀单元。此外，开闭阀27和流量调整阀28也可以单独设置，在该情况下，也可以在开闭阀27与流量调整阀28之间设置流量计29。开闭阀27、流量调整阀28以及流量计29的顺序并无特别限定。
在供给流路26中如上所述那样设置有各种阀27、28。在这些阀27、28动作时，构成阀27、28的机械要素之间发生滑动，产生图4的(A)所示的微粒P1。所产生的微粒P1与处理液L一起流动并从喷嘴25喷出。
此外，设置在供给流路26的中途的阀的数量不限定为两个，也可以是一个，还可以是三个以上。另外，设置在供给流路26的中途的阀的种类不限定于开闭阀和流量调整阀。例如也可以设置方向切换阀或压力调整阀等。任一个阀都可能成为微粒P1的产生源。
因此，本实施方式的液供给机构24具有在从阀27、28朝向喷嘴25的中途暂时积存处理液L的缓冲部30。缓冲部30通过将处理液L暂时积存在内部空间31中，如图4的(B)所示那样将微粒P1暂时捕获到内部空间31中。因此，能够在微粒P1从喷嘴25喷出之前结束对基板W的处理液L的喷出。因而，能够抑制微粒P1对基板W的附着。
此外，在阀的数量为多个的情况下，如果在比至少一个阀靠下游处设置缓冲部30，则能够抑制微粒P1对基板W的附着。但是，在阀的数量为多个的情况下，以在比所有阀都靠下游处设置缓冲部30为优选。缓冲部30的详情在后面记述。
如图1所示，液处理单元2具有用于回收供给到基板W的处理液L的杯40。杯40收容由保持盘22保持的基板W，并回收被从基板W甩落的处理液L。在杯40的底部设置有排液管41和排气管42。排液管41排出积存在杯40的内部的液体。另外，排气管42排出杯40的内部的气体。
另外，液处理单元2具有供喷嘴25待机的喷嘴槽45。喷嘴槽45设置在杯40的外部，接收从喷嘴25喷出的处理液L。由于阀27、28的动作而产生的微粒P1与处理液L一起从喷嘴25向喷嘴槽45喷出。
另外，液处理单元2具有用于使喷嘴25移动的移动机构46。移动机构46使喷嘴25沿基板W的径向移动。移动机构46例如具有保持喷嘴25的回转臂46a和使回转臂46a回转的回转机构(未图示)。回转机构也可以兼用为使回转臂46a升降的机构。回转臂46a水平地配置，在其长边方向的一端部保持喷嘴25，并使该喷嘴25以从其长边方向的另一端部向下方延伸的回转轴为中心进行回转。此外，移动机构46也可以具有导轨和直动机构来代替回转臂46a和回转机构。导轨水平地配置，直动机构使喷嘴25沿着导轨移动。移动机构46只要使喷嘴25在对基板W喷出处理液L的处理位置NP1(例如在图1中由实线表示的位置)与对喷嘴槽45喷出处理液的待机位置NP0(例如在图1中由点划线表示的位置)之间移动即可。
控制部9控制旋转机构23、液供给机构24、移动机构46等。控制部9例如是计算机，如图2所示，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91以及存储器等存储介质92。在存储介质92中保存用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部9通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序，来控制基板处理装置1的动作。
接着，参照图2和图3来说明基板处理方法。图2和图3所示的基板处理方法在控制部9的控制下实施。图2所示的步骤S1～S5被重复实施。下面将由步骤S1～S5构成的一系列处理称为周期。
首先，在步骤S1中，未图示的搬送装置将基板W搬入到处理容器21的内部。搬送装置在将基板W载置于保持盘22之后，从处理容器21的内部退出。保持盘22从搬送装置接收基板W并保持基板W。
接着，旋转机构23使基板W与保持盘22一起旋转，另外，移动机构46使喷嘴25从待机位置NP0移动到处理位置NP1。在此期间，喷嘴25不喷出处理液L。
接着，在步骤S2中，喷嘴25向旋转的基板表面Wa的中心供给处理液L，在基板表面Wa的整体形成处理液L的液膜。具体地说，在图3的时刻t1，开闭阀27使供给流路26开放，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为预先设定的流量FR1。如图4的(A)所示，有时由于这些阀27、28的动作而产生微粒P1。
此外，微粒P1也可以是在前一个周期的步骤S5结束时产生的。在步骤S5结束时，开闭阀27将供给流路26闭合，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为零。由于这些阀27、28的动作也产生微粒P1。直到本次的周期的步骤S2开始时为止，在前一个周期的步骤S5结束时产生的微粒P1不移动。这是由于在那之前，处理液L不沿着供给流路26流动。
在步骤S2开始时(时刻t1)，当开闭阀27使供给流路26开放时，处理液L开始沿着供给流路26流动。其结果，微粒P1被处理液L冲走并开始从阀27、28朝向喷嘴25移动。在从阀27、28朝向喷嘴25的中途设置有缓冲部30。
缓冲部30通过将处理液L暂时积存在内部空间31中来将微粒P1暂时捕获到内部空间31中。能够在该状态下对基板W喷出处理液L，能够抑制微粒P1对基板W的喷出。因而，能够抑制微粒P1对基板W的附着。
在步骤S2结束时(时刻t2)，开闭阀27将供给流路26闭合，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为零。此时，如图4的(B)所示，微粒P1没有到达喷嘴25，例如被捕获到缓冲部30的内部空间31中。
内部空间31的容积例如比在一个周期的步骤S2中从喷嘴25喷出的处理液L的总量大。总量能够对流量进行时间积分来求出。内部空间31的容积大，能够利用在步骤S2开始前积存在内部空间31中的清洁的处理液L来对基板W进行处理。此外，如图4的(A)所示，在步骤S2开始时，微粒P1位于比缓冲部30靠上游处。
缓冲部30的内部空间31例如是圆柱形。缓冲部30的内径比供给流路26的内径大。与缓冲部30的内径和供给流路26的内径相同的情况相比能够使每单位长度的容积大。此外，如果缓冲部30的长度长，则缓冲部30的内径也可以与供给流路26的内径相同。缓冲部30只要具有比在一个周期的步骤S2中从喷嘴25喷出的处理液L的总量大的容积即可。
接着，在步骤S3中，旋转机构23使基板W与保持盘22一起旋转，通过离心力使处理液L从基板W甩落来使基板W干燥。在图3中步骤S3的转速与步骤S2的转速相同，但也可以比步骤S2的转速大。在步骤S3结束时，旋转机构23使保持盘22的旋转停止。
接着，在步骤S4中，未图示的搬送装置进入处理容器21的内部，从保持盘22接收基板W，将接收到的基板W搬出到处理容器21的外部。由此，基板W的处理结束。
如图3所示，在进行上述步骤S3、S4期间，也可以进行下述步骤S5。如果同时实施多个处理，则能够提高生产率。下述步骤S5在移动机构46使喷嘴25从处理位置NP1移动到待机位置NP0之后进行。喷嘴25在移动的期间不喷出处理液L。
在步骤S5中，喷嘴25对喷嘴槽45喷出处理液L。具体地说，在图3的时刻t3，开闭阀27使供给流路26开放，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为预先设定的流量FR2。
当开闭阀27使供给流路26开放时，处理液L开始沿着供给流路26流动。其结果，微粒P1被处理液L冲走并开始从缓冲部30朝向喷嘴25移动。然后，如图4的(C)所示，微粒P1从喷嘴25喷出到喷嘴槽45。
在步骤S5中，不仅是上述微粒P1，微粒P2也从喷嘴25喷出到喷嘴槽45。如图4的(B)所示，微粒P2是在步骤S2结束时(时刻t2)产生的。
在步骤S2结束时，开闭阀27将供给流路26闭合，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为零。由于这些阀27、28的动作而产生微粒P2。直到步骤S5开始时，在步骤S2结束时产生的微粒P2不移动。这是由于在那之前，处理液L不沿着供给流路26流动。
此外，微粒P2也可以是在步骤S5开始时(时刻t3)产生的。在步骤S5开始时，开闭阀27使供给流路26开放，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为预先设定的流量FR2。由于这些阀27、28的动作也产生微粒P2。
在步骤S5开始时(时刻t3)，当开闭阀27使供给流路26开放时，处理液L开始沿着供给流路26流动。其结果，微粒P2被处理液L冲走并开始从阀27、28朝向喷嘴25移动。然后，在步骤S5的结束时之前，微粒P2从喷嘴25喷出到喷嘴槽45。
在一个周期的步骤S5中从喷嘴25喷出的处理液L的总量比从最上游的阀28的出口到喷嘴25的出口为止的容积大。能够在步骤S5的结束时之前将微粒P2从喷嘴25喷出到喷嘴槽45，从而能够在缓冲部30中积存清洁的处理液L。在此积存的清洁的处理液L能够在下一个周期的步骤S2中对基板W供给。
在步骤S5结束时(时刻t4)，开闭阀27将供给流路26闭合，流量调整阀28将喷嘴25的喷出流量调整为零。
此外，在本实施方式中，在本次的周期结束后开始下一个周期，但也可以在本次的周期结束前开始下一个周期。本次的周期的步骤S5与下一个周期的步骤S1也可以同时实施。步骤S1与步骤S5都是在喷嘴25在喷嘴槽45待机的状态下实施的。如果同时实施本次的周期的一部分与下一个周期的一部分，则能够提高生产率。
接着，参照图3和图5来说明处理液L的流量的设定。如图3所示，控制部9也可以控制液供给机构24，使得步骤S5的流量FR2比步骤S2的流量FR1大。在步骤S2中喷嘴25向基板W喷出处理液L，在步骤S5中喷嘴25向喷嘴槽45喷出处理液L。
根据本实施方式，步骤S5中的流量比步骤S2中的流量大，因此流速大，处理液L推动微粒P1的力也大。因而，在步骤S5中，能够高效地冲走微粒P1来高效地清洗缓冲部30的内壁面。另一方面，在步骤S2中，能够抑制预先附着于缓冲部30的内壁面的微粒P1的剥离，能够抑制微粒P1对基板W的附着。
如图5的(A)所示，在步骤S2中，喷嘴25对基板W喷出处理液L。因此，步骤S2的流量FR1也可以设定为在缓冲部30的内部不产生紊流而产生层流。在产生层流的情况下，流速随着从流动的中心朝向周缘而减小。在缓冲部30的内壁面处流速大致为零，因此能够防止附着于缓冲部30的内壁面的微粒P1的剥离。
另一方面，如图5的(B)所示，在步骤S5中，喷嘴25对喷嘴槽45喷出处理液L。因此，步骤S5的流量FR2也可以设定为在缓冲部30的内部不产生层流而产生紊流。通过产生紊流，能够将附着于缓冲部30的内壁面的微粒P1剥离，能够抑制微粒P1的堆积。
接着，参照图6来说明第一变形例所涉及的缓冲部30。缓冲部30也可以具有用于向该缓冲部30的内部空间31导入氮气等气体的气体导入部32。气体导入部32例如包括与气体的配管连接的端口32a。通过气体的导入来形成气泡B，气泡B用于吸附微粒P1。能够将微粒P1与气泡B一起高效地排出。
如图6的(A)所示，在步骤S2中，喷嘴25对基板W喷出处理液L。因此，在步骤S2中，气体导入部32不向缓冲部30的内部空间31导入气体。禁止气泡B的形成，因此能够防止附着于缓冲部30的内壁面的微粒P1的剥离。
另一方面，如图6的(B)所示，在步骤S5中，喷嘴25对喷嘴槽45喷出处理液L。因此，在步骤S5中，气体导入部32向缓冲部30的内部空间31导入气体。形成气泡B，因此能够将附着于缓冲部30的内壁面的微粒P1剥离，能够抑制微粒P1的堆积。
此外，在本变形例中，也可以与上述实施方式同样地，使处理液L的流量在步骤S2与步骤S5中产生差异。
接着，参照图7来说明第二变形例所涉及的缓冲部30。缓冲部30也可以具有用于在该缓冲部30的内部空间31中形成电场E的电极33、34。电极33、34沿与处理液L的流动方向直交的方向或相对于处理液L的流动方向倾斜的方向形成电场E。在微粒P1带电的情况下，能够通过电场E捕获微粒P1。此外，在大部分的微粒P1只带正负电中的某一种的情况下，电极33、34也可以沿处理液L的流动方向形成电场E。
如图7的(A)所示，在步骤S2中，喷嘴25对基板W喷出处理液L。因此，在步骤S2中，电极33、34形成电场E。能够通过电场E捕获带电的微粒P1，从而能够防止微粒P1对基板W的附着。
另一方面，如图7的(B)所示，在步骤S5中，喷嘴25对喷嘴槽45喷出处理液L。因此，在步骤S5中，电极33、34不形成电场E。能够将带电的微粒P1直接冲走，能够高效地从缓冲部30排出带电的微粒P1。
此外，在本变形例中，也可以与上述实施方式同样地使处理液L的流量在步骤S2与步骤S5中产生差异。另外，本变形例的电极33、34与上述第一变形例的气体导入部32也可以并用。
在缓冲部30具有电极33、34的情况下，液供给机构24也可以具有除电部35，该除电部35用于将处理液L的电荷在通过缓冲部30之后且从喷嘴25喷出之前去除。除电部35例如包括将喷嘴25接地的布线35a。布线35a也可以使将缓冲部30和喷嘴25连接的配管接地。能够对基板W喷出去除了电荷的处理液L，从而能够抑制基板W的损伤。另外，能够抑制基板W的带电，能够抑制微粒对基板W的附着。
接着，参照图8来说明第三变形例所涉及的缓冲部30。本变形例准备有多个缓冲部30，一个缓冲部30与其它缓冲部30之间能够连结。在处理液L的种类改变而缓冲部30的容积不足的情况下，能够增加缓冲部30的数量来扩大缓冲部30的内部空间31的容积。也可以设置将相邻的两个缓冲部30连接的接头36。
接着，参照图9来说明第四变形例所涉及的缓冲部30。本变形例的缓冲部30包括形成内部空间31的挠性的管37、以及在管37的周围形成减压室的壳体38。当通过真空泵39等对减压室进行减压时，管37膨胀而内部空间31的容积扩大。在本变形例中，也与上述第三变形例同样地，在处理液L的种类改变而缓冲部30的容积不足的情况下，能够扩大缓冲部30的内部空间31的容积。
接着，参照图10来说明液处理单元2的外部的处理液L的流动。基板处理装置1具有回收流路5和返回流路6，该回收流路5回收从喷嘴25喷出到喷嘴槽45的处理液L，该返回流路6使处理液L从回收流路5返回到液供给机构24的供给流路26。在返回流路6设置有过滤器61。通过过滤器61，能够捕集由于阀27、28的动作而产生的微粒P1、P2，从而能够对处理液L进行再利用，能够减少处理液L的废弃量。
回收流路5与返回流路6经由罐7连接。返回流路6是将从罐7取出的处理液L送回到罐7的循环流路6。循环流路6的上游端与罐7连接，且循环流路6的下游端也与罐7连接。液供给机构24的供给流路26的上游端与循环流路6连接。能够从循环流路6对多个液处理单元2供给处理液L。
在循环流路6的中途设置有：温度计62，其用于检测处理液L的温度；泵63，其用于将处理液L送出；以及温度调节器64，其用于调节处理液L的温度。温度调节器64包括对处理液L进行加热的加热器。温度调节器64在控制部9的控制下，对处理液L进行加热，使得温度计62的检测温度变为设定温度。处理液L被加热，以比室温高的温度对基板W进行处理。温度调节器64也可以包括对处理液L进行冷却的冷却器。此外，处理液L也可以以室温对基板W进行处理。在该情况下，不需要温度计62和温度调节器64。
回收流路5包括按每个液处理单元2设置的独立流路51、以及多个液处理单元2共用的共用流路52。独立流路51的上游端与喷嘴槽45连接，独立流路51的下游端与共用流路52连接。共用流路52的下游端与罐7连接。
接着，参照图11来说明变形例所涉及的液供给机构24。本变形例的液供给机构24在缓冲部30具有用于调节处理液L的温度的温度调节器65。处理液L通过缓冲部30需要花费时间，温度调节器65抑制在此期间处理液L自然冷却。因此，能够对基板W喷出期望的温度的处理液L。
温度调节器65例如是循环流路6的一部分，且是包围缓冲部30的配管。缓冲部30的外径比循环流路6的内径小，缓冲部30配置在循环流路6的内部。通过在循环流路6中流动的处理液L的热量，能够抑制在缓冲部30中流动的处理液L的冷却。缓冲部30的内径也可以与供给流路26的内径为相同程度，使得易于将缓冲部30配置在循环流路6的内部。
此外，温度调节器65也可以不是循环流路6的一部分，而与循环流路6独立地设置，也可以包括例如电加热器等。另外，温度调节器65也可以设置在缓冲部30的内部而非缓冲部30的外部。
上面说明了本公开所涉及的液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法的实施方式等，但本公开不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范畴内进行各种变更、修正、替换、附加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。
本申请主张2020年5月14日向日本专利局申请的特愿2020-085338号的优先权，并将特愿2020-085338号的全部内容引用至本申请中。
附图标记说明
24：液供给机构；25：喷嘴；26：供给流路；27：开闭阀(阀)；28：流量调整阀(阀)；30：缓冲部；31：内部空间。

Claims (15)

1.一种液供给机构，具有：
喷嘴，其对基板喷出处理液；
供给流路，其向所述喷嘴供给所述处理液；
阀，其对所述供给流路中的流动进行调整；以及
缓冲部，其在从所述阀朝向所述喷嘴的中途将所述处理液暂时积存在该缓冲部的内部空间中。
2.根据权利要求1所述的液供给机构，其中，
所述缓冲部的所述内部空间是圆柱形，
所述缓冲部的内径比所述供给流路的内径大。
3.根据权利要求1或2所述的液供给机构，其中，
所述缓冲部包括用于向所述内部空间导入气体的气体导入部。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的液供给机构，其中，
所述缓冲部具有用于在所述内部空间形成电场的电极。
5.根据权利要求4所述的液供给机构，其中，
还具有除电部，所述除电部用于将所述处理液的电荷在通过所述缓冲部之后且从所述喷嘴喷出之前去除。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的液供给机构，其中，
所述缓冲部能够扩大所述内部空间的容积。
7.根据权利要求6所述的液供给机构，其中，
准备有多个所述缓冲部，一个所述缓冲部与其它所述缓冲部之间能够连结。
8.根据权利要求6所述的液供给机构，其中，
所述缓冲部包括形成所述内部空间的挠性的管、以及在所述管的周围形成减压室的壳体。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的液供给机构，其中，
在所述缓冲部具有用于调节所述处理液的温度的温度调节器。
10.一种基板处理装置，具有：
根据权利要求1～9中的任一项所述的液供给机构；
喷嘴槽，所述喷嘴在该喷嘴槽待机；
回收流路，其用于回收从所述喷嘴喷出到所述喷嘴槽的所述处理液；
返回流路，其用于使所述处理液从所述回收流路返回到所述液供给机构的所述供给流路；以及
过滤器，其设置在所述返回流路。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述回收流路与所述返回流路经由罐连接，
所述返回流路是将从所述罐取出的所述处理液送回到所述罐的循环流路，
所述液供给机构的所述供给流路的上游端与所述循环流路连接。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
还具有控制部，所述控制部控制所述液供给机构，
所述控制部控制所述液供给机构，使得在所述喷嘴在所述喷嘴槽待机的期间从所述喷嘴向所述喷嘴槽喷出所述处理液。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述控制部控制所述液供给机构，使得从所述喷嘴向所述喷嘴槽喷出的所述处理液的流量比从所述喷嘴向所述基板喷出的所述处理液的流量大。
14.一种基板处理方法，包括：
从喷嘴向基板喷出处理液；
从供给流路向所述喷嘴供给所述处理液；
通过阀来调整所述供给流路中的流动；以及
在设置于从所述阀朝向所述喷嘴的中途的缓冲部的内部空间暂时积存所述处理液。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，还包括：
使所述喷嘴在喷嘴槽待机；
在使所述喷嘴在所述喷嘴槽待机的期间，从所述喷嘴向所述喷嘴槽喷出所述处理液；以及
控制从所述喷嘴向所述喷嘴槽喷出所述处理液的流量，使其比从所述喷嘴向所述基板喷出所述处理液的流量大。
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