CN115410963B - 一种晶圆后处理装置 - Google Patents
一种晶圆后处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115410963B CN115410963B CN202211359255.8A CN202211359255A CN115410963B CN 115410963 B CN115410963 B CN 115410963B CN 202211359255 A CN202211359255 A CN 202211359255A CN 115410963 B CN115410963 B CN 115410963B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- hole
- groove
- clamping disc
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了晶圆后处理装置,其包括:夹持盘,其水平夹持晶圆;背喷组件,其同轴设置于夹持盘的中间位置;所述背喷组件包括喷头和连接于喷头下部的支撑轴,所述支撑轴为中空结构,支撑轴的内部设置有供给管路;驱动电机,其与夹持盘连接,以带动夹持盘及其上的晶圆旋转;所述背喷组件与夹持盘之间设置有间隙,所述背喷组件的外周壁配置有凹槽,使得旋转的夹持盘与所述背喷组件之间形成气封,以避免流体进入所述间隙。
Description
技术领域
本发明属于晶圆后处理技术领域,具体而言,涉及一种晶圆后处理装置。
背景技术
集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体,芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等工艺流程。
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是晶圆制造中的关键步骤,化学机械抛光后的晶圆表面会残留大量的颗粒物,因此,需要对晶圆进行清洗、干燥等后处理。晶圆湿法清洗是晶圆后处理的常见工艺。
对于晶圆湿法清洗,尤其是晶圆双面清洗来说,需要通过图1示出的晶圆清洗装置来完成。具体地,旋转驱动单元10’驱动晶圆夹持盘20’及其上的晶圆旋转,在晶圆的正面及背面设置喷射组件,以朝向晶圆喷射化学药液,实现晶圆表面的清洗。
晶圆背面清洗时,化学药液的喷射点一般选择在晶圆的中心位置,即晶圆旋转中心的位置。如此设置的原因如下:首先,晶圆中心处的线速度为零,可保证晶圆中心点可正常清洗;再者,通过晶圆的旋转可将化学药液均匀延伸至晶圆的各个区域,以保证晶圆清洗的均匀性。
背面清洗所需化学药液的输送由晶圆背喷组件30’来完成。在晶圆清洗过程中,旋转驱动单元10’带动晶圆高速旋转,而晶圆背喷组件30’为固定状态。晶圆背面清洗时,旋转驱动单元10’通过中空轴40’来带动晶圆夹持盘20’旋转,同时中空轴40’内部嵌入处于固定状态的喷淋管路,以完成化学药液的供给,实现晶圆背面的清洗。
由于旋转驱动单元10’为旋转部件,而晶圆背喷组件30’为固定部件,为完成旋转部件与固定部件之间的动静隔离,通常在旋转部件与固定部件之间设置轴承,如图1所示。具体地,轴承外圈与旋转部件连接,轴承内圈与中空轴40’连接,通过轴承外圈的可动部分与轴承内圈的静止部分来实现动静分离。图1示出的晶圆清洗装置存在以下不足:
a. 由于受到零件加工精度、装配误差等因素的影响,中空轴40’会存在安装轴心与实际轴心不一致的问题。这会导致晶圆清洗装置在运行过程中发生异响、发热等问题,同时这也会影响轴承的使用寿命;
b. 轴承转动会产生磨损颗粒,这种磨损颗粒可能会在热气流影响下进入腔室内部,进而影响腔室内部的洁净度。
c. 晶圆湿法清洗过程中,会使用大量的有机物和无机物等化学药液,这些如酸性物质的化学药液,在腔室气流的影响下会部分渗入晶圆清洗装置的轴系,腐蚀晶圆清洗装置的传动部件,进而影响其运行的稳定性。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶圆后处理装置,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例的提供了一种晶圆后处理装置,包括:
夹持盘,其水平夹持晶圆;
背喷组件,其同轴设置于夹持盘的中间位置;所述背喷组件包括喷头和连接于喷头下部的支撑轴;
驱动电机,其与夹持盘连接,以带动夹持盘及其上的晶圆旋转;
所述背喷组件与夹持盘之间设置有间隙,所述背喷组件的外周壁配置有凹槽,使得旋转的夹持盘与所述背喷组件之间形成气封,以避免流体进入所述间隙。
在一些实施例中,所述凹槽为螺旋结构,其沿背喷组件的长度方向设置。
在一些实施例中,所述喷头的外周壁配置有喷头凹槽,所述夹持盘的中间位置设置有贯通孔,所述喷头凹槽的设置位置与所述贯通孔的内侧壁相对应。
在一些实施例中,所述支撑轴可拆卸地连接于所述喷头下部,所述支撑轴的上部配置有第一凹槽和第二凹槽,其沿所述支撑轴的长度方向间隔设置。
在一些实施例中,所述第一凹槽与第二凹槽之间设置有流体孔,流体能够经由所述流体孔进入支撑轴的内部。
在一些实施例中,所述流体孔为倾斜孔,其数量为多个并沿所述支撑轴的中轴线均匀分布。
在一些实施例中,所述支撑轴配置有开口朝上的环形槽,所述流体孔与所述环形槽相连通。
在一些实施例中,所述驱动电机设置于所述固定架,所述固定架的下部设置有连接座,所述支撑轴的下端固定于所述连接座。
在一些实施例中,所述驱动电机的转子通过衔接座固定于所述夹持盘,所述衔接座配置有贯通的固定孔,所述背喷组件经由所述固定孔设置于所述夹持盘上侧。
在一些实施例中,所述衔接座的内侧配置有环形凸起,所述环形凸起与所述环形槽的设置位置相匹配,所述环形凸起插接于所述环形槽,并且,所述环形凸起能够部分封堵所述流体孔的端口。
在一些实施例中,所述环形槽的内侧壁为倾斜面,所述倾斜面平行于所述环形凸起的外侧面。
在一些实施例中,所述支撑轴为中空结构,支撑轴的内部设置有供给管路;所述供给管路包括至少一个保护管路,所述喷头的内部设置有竖向孔和出气孔,所述出气孔与竖向孔相连通,通入保护管路的气体经由竖向孔和出气孔扩散于夹持盘的上侧。
在一些实施例中,所述竖向孔偏心设置于所述喷头的内部,通入保护管路的气体包括氮气和/或惰性气体。
本发明的有益效果包括:
a. 在背喷组件与旋转部件之间设置有间隙,实现静止部件与旋转部件的隔离,摒弃了传统的轴承连接方案,解决了使用轴承带来的异响、发热以及轴承磨损衍生的污染问题;
b. 在背喷组件的外周侧配置螺旋的凹槽,夹持盘旋转后,背喷组件与旋转部件之间形成气封结构,以避免颗粒物和/或含有颗粒物的流体进入驱动电机的内部,避免化学液对驱动电机的腐蚀,有效保证晶圆后处理装置运行的稳定性;
c. 背喷组件配置保护管路,在夹持盘旋转速度不高或停止时,朝向保护管路通入保护气体,使得保护气体充满背喷组件与旋转部件之间的间隙,避免含有颗粒物的流体进入间隙;
d. 支撑轴设置有环形槽,其外周侧配置倾斜的流体孔,所述流体孔与环形槽相连通;并且,衔接座的固定孔设置有环形凸起,所述环形凸起插接于环形槽并至少部分封堵流体孔的端口,以引导流体朝向支撑轴的内部移动,减缓含有颗粒物的流体朝向衔接座及其外侧移动。
附图说明
通过结合以下附图所作的详细描述,本发明的优点将变得更清楚和更容易理解,这些附图只是示意性的,并不限制本发明的保护范围,其中:
图1是现有技术中晶圆清洗装置的示意图;
图2是本发明一实施例提供的晶圆后处理装置的示意图;
图3是图2实施例中A处的局部放大图;
图4是本发明一实施例提供的夹持盘的示意图;
图5是本发明一实施例提供的喷头的结构示意图;
图6是本发明一实施例提供的支撑轴的结构示意图;
图7是图6对应支撑轴的三维图;
图8是本发明一实施例提供的连接座的结构示意图;
图9是图2实施例中B处的局部放大图;
图10是图5实施例中C-C的剖视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例及其附图,对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式,用于说明本发明的构思;这些说明均是解释性和示例性的,不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
本说明书的附图为示意图,辅助说明本发明的构思,示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是,为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构,各附图之间并未按照相同的比例绘制,相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
在本发明中,晶圆(Wafer, W)也称基板(Substrate),其含义和实际作用等同。
图2是本发明一实施例提供的晶圆后处理装置100的结构示意图,晶圆后处理装置100包括:
夹持盘10,其水平夹持晶圆W;
背喷组件20,其同轴、竖向设置于夹持盘10的中间位置;
驱动电机30,其与夹持盘10连接,以带动夹持盘10及其上的晶圆旋转。
图2中,背喷组件20包括喷头21和支撑轴22,其中,支撑轴22连接于喷头21的下部。支撑轴22为中空结构,支撑轴22的内部设置有供给管路23。供给管路23与外部的化学药液连通,以朝向晶圆的背面喷射化学药液,实现晶圆的背面清洗。
可以理解的是,夹持盘10的上侧还设置有未示出的顶部喷射组件,以朝向晶圆的正面喷射化学药液,实现晶圆的正面清洗。
图2示出的晶圆后处理装置100的工作步骤大致如下:首先,将待处理的晶圆放置于夹持盘10,夹持盘10上的卡爪(pin)将晶圆水平夹持;接着,驱动电机30带动水平夹持的晶圆以一定速度绕夹持盘的中轴线旋转;接着,背喷组件20和/或未示出的顶部喷射组件朝向晶圆喷射化学药液,化学药液将晶圆表面的残留物剥离并在离心力作用下,含有颗粒物的液体向外飞出,以实现晶圆表面的清洗或干燥。
图3是图2中A处的局部放大图,背喷组件20与夹持盘10之间设置有间隙40,背喷组件20的外周壁配置有凹槽24,使得旋转的夹持盘10与背喷组件20之间形成气封。在晶圆后处理过程中,含有颗粒物的流体不会进入图3示出的间隙40,进而避免含有颗粒物的流体经由间隙40进入驱动电机30的内部,有效保证夹持盘10旋转的顺畅性,实现晶圆后处理装置的可靠运行。
图3所示的实施例中,凹槽24为螺旋结构,其沿背喷组件20的长度方向设置并位于背喷组件20的外周壁,使得背喷组件20与驱动电机30及其连接的旋转部件之间形成气封结构,避免颗粒物和/或含有颗粒物的流体经由间隙40进入晶圆后处理装置100的运动部件。本发明中,所述旋转部件包括:驱动电机30的转子,即为驱动电机30的旋转部件;以及与所述转子连接的其他绕晶圆后处理装置100中轴线旋转的部件,如衔接座70。
图2所示的实施例中,驱动电机30设置于固定架50,而固定架50连接于设备基座(未示出)上。固定架50的下部设置有连接座60,支撑轴22的下端固定于连接座60,支撑轴22的上端经由夹持盘10的中心位置设置。
图3 中,驱动电机30的转子通过衔接座70固定于夹持盘10,衔接座70配置有贯通的固定孔70a,背喷组件20经由固定孔70a设置于夹持盘10上侧。
图4是本发明一实施例提供的夹持盘10的示意图,夹持盘10的中间位置设置有贯通孔10a。图1示出的背喷组件20经由贯通孔10a设置,并且,背喷组件20同心设置于贯通孔10a。即背喷组件20的上端与贯通孔10a的内侧壁之间设置有间隙40。
图5是本发明一实施例提供的喷头21的纵向剖视图,喷头21的外周壁配置有喷头凹槽21a,喷头凹槽21a的设置位置与图4示出的贯通孔10a的内侧壁相对应,以在喷头21的外周壁与夹持盘10的贯通孔10a的内侧壁之间形成气封结构。图5所示的实施例中,喷头凹槽21a的深度为1-5mm,喷头凹槽21a的螺距为3-8mm,以在夹持盘10旋转时,喷头凹槽21a与贯通孔10a的内侧壁之间形成气封结构。
图3所示的实施例中,喷头凹槽21a的尺寸与间隙40的尺寸相互匹配设置,在驱动电机30带动夹持盘10以一定速度旋转后,背喷组件20的喷头21与夹持盘10的贯通孔10a的内侧壁之间形成气封结构。优选地,间隙40的径向尺寸为0.5-1mm,夹持盘10的转速不低于400rpm,喷头21与贯通孔10a的内侧壁之间形成良好密封,避免外部的颗粒物经由间隙40进入晶圆后处理装置100内的转动部件,同时,也避免转动部件内部的颗粒物溢流至晶圆后处理腔室的内部。
图2所示的实施例中,支撑轴22通过螺纹连接固定于喷头22的下部,具体地,喷头21外周壁的下部配置有图5示出的外螺纹,支撑轴22的上部配置有图6示出的内螺纹(支撑轴22的上部),喷头21的外螺纹与支撑轴22的内螺纹相互匹配,以实现两者的可靠连接。可以理解的是,喷头21与支撑轴22也可以采用其他可拆卸的连接方式,如螺栓连接、轴孔间隙配合等,以形成背喷组件20。可拆卸的连接方式,有利于定期拆卸并进行清洗维护,保证背喷组件20的可靠运行。
图6是本发明一实施例提供的支撑轴22的结构示意图,图7是图6中对应支撑轴22的三维立体图。支撑轴22为中空结构,支撑轴22的上部设置有第一凹槽22a和第二凹槽22b,第一凹槽22a和第二凹槽22b沿支撑轴22的长度方向间隔设置。支撑轴22的第一凹槽22a及第二凹槽22b的设置位置与衔接座70的设置位置相对应,即第一凹槽22a及第二凹槽22b与固定孔70a的内侧壁相对应;支撑轴22的第一凹槽22a及第二凹槽22b与衔接座70的固定孔70a之间形成气封结构。需要说明的是,本发明中,喷头凹槽21a、第一凹槽22a和第二凹槽22b统称为凹槽24。
图6中,第一凹槽22a与第二凹槽22b之间设置有流体孔22c。流体孔22c的主要作用是:若颗粒物和/或含有颗粒物的流体经由喷头21与夹持盘10之间的间隙40向下移动,则颗粒物和/或含有颗粒物的流体可以通过流体孔22c进入支撑轴22的内部,以避免颗粒物和/或含有颗粒物的流体继续沿间隙40向下传输至驱动电机30的内部,而腐蚀驱动电机30的内部器件。
图6所示的实施例中,第一凹槽22a设置于直径较小的上部轴段,而第二凹槽22b设置于直径略大的下部轴段,其中,上部轴段与下部轴段一体成型;而流体孔22c设置于上部轴段与下部轴段的连接处,以便于颗粒物和/或含有颗粒物的流体经由流体孔22c进入支撑轴22的内部。
作为本发明的一个实施例,流体孔22c为倾斜孔,如图6所示,流体孔22c连通支撑轴22的外部和内部。流体孔22c的中轴线与支撑轴22的中轴线之间存在一个夹角θ,夹角θ为15-75°,以保证含有颗粒物的流体经由倾斜的流体孔22c进入支撑轴22的内部。
图6中,流体孔22c的中轴线与支撑轴22的中轴线之间的夹角θ为30°,流体孔22c的数量为6件,其沿支撑轴22的中轴线均匀分布。可以理解的是,流体孔22c也可以为其他数量,流体孔22c大致沿支撑轴22的中轴线均匀分布即可。
图6所示的实施例中,支撑轴22的上部轴段与下部轴段之间设置有环形槽22d,环形槽22d开口朝上设置,并且,流体孔22c与环形槽22d相连通。具体地,流体孔22c的上部端口位于环形槽22d底面的内侧,含有颗粒物的流体可以经由环形槽22d进入流体孔22c,再由流体孔22c进入支撑轴22的内部,以减少或避免含有颗粒物的流体进入驱动电机30的运动部件,进而保证晶圆后处理装置100运行的稳定性。
图6中,支撑轴22的下部配置有基台22e和周向定位段22f,周向定位段22f位于基台22e的上方。其中,周向定位段22f与连接座60采用精密的轴孔配合,以实现背喷组件20与连接盘10的贯通孔10a之间的同轴连接。
本发明中,由于背喷组件20与驱动电机30的旋转部件之间设置有间隙40,这在一定程度上降低了背喷组件20与驱动电机30的旋转部件的同轴度要求,以弱化零部件加工精度及安装精度带来的同轴度误差,提升晶圆后处理装置100使用的可靠性。
图8是图1所示实施例中连接座60的结构示意图,连接座60为旋转体,其底面设置有下端面61,连接座60的中部设置有安装孔62。支撑轴22与连接座60固定时,支撑轴22的周向定位段22f卡接于连接座60的安装孔62,支撑轴22的基台22e的上表面与连接座60的下端面61抵接。安装孔62的内周面和周向定位段22f的外周面采用精密加工,连接座60的下端面61和基台22e的上表面采用精密加工,以保证支撑轴22垂直度和同轴度公差在允许范围内。
图8中,连接座60的外周侧设置有排气孔63,排气孔63的数量为多个并沿连接座60的中轴线均匀分布。当支撑轴20经由连接座60的安装孔62插接于驱动电机30的内部时,排气孔63能够及时将固定架50及连接座60内部的气体排出,以避免气体排出不畅而影响支撑轴20安装的便捷性。可以理解的是,排气孔63也可以及时散失驱动电机30运行产生的热量,有利于晶圆后处理装置运行的稳定性。
图2所示的晶圆后处理装置100中,背喷组件20与驱动电机30的旋转部件之间采用间隙配合,摒弃了现有技术中的轴承连接方案,切断了轴承磨损带来的污染源,保证晶圆后处理装置100对应腔室的洁净度,避免轴承磨损产生的颗粒物对晶圆后处理效果的影响。
图9是图2中B处的局部放大图,衔接座70的内侧配置有环形凸起71,环形凸起71与环形槽22d的设置位置相匹配;环形凸起71插接于环形槽22d,并且,环形凸起71能够部分封堵流体孔22c的端口。如此设置,大部分含有颗粒物的流体可以经由流体孔22c进入支撑轴22的内部,而仅有少部分流体经由环形凸起71的下端面与环形槽22d的底面之间的缝隙D1向外溢出。
图9中,环形槽22d的内侧壁为倾斜面,而环形凸起71的外侧面与环形槽22d的内侧壁相互平行,并且,环形凸起71的外侧面与环形槽22d的内侧壁之间设置有微小间隙,以避免背喷组件20与衔接座70之间发生干涉。
进一步地,为了减少或避免部分含有颗粒物的流体经由缝隙D2向外溢出,可以控制支撑轴22的环形槽22d外缘的顶面与衔接座70对应底面之间的缝隙D2(图9示出),缝隙D2的竖向尺寸应小于缝隙D1的竖向尺寸,使得缝隙D2处的压力较大,以减少或避免经由间隙40进入的流体朝向缝隙D2处流动,控制含有颗粒物的流体经由缝隙D2进入驱动电机30的旋转部件的数量。
同时,由于缝隙D1的竖向尺寸大于缝隙D2的竖向尺寸,若外部气流经由缝隙D2朝向缝隙D1移动,则因为气流经由的截面增加而使得流速降低,以增加紊流。如此设置能够避免或减少含有颗粒物的气流进入背喷组件20与旋转部件之间的间隙40,以控制含有颗粒物的流体对晶圆后处理腔室的影响。
本发明中,当夹持盘10旋转至设定速度(如400rpm)后,背喷组件20与驱动电机30的旋转部分的间隙40才能实现气封结构。若夹持盘10的旋转速度低于设定速度,则气封效果降低,致使少量的颗粒物和/或含有颗粒物的流体进入间隙40。
为解决上述技术问题,供给管路23包括至少一个保护管路,如图2所示,所述保护管路与间隙40相连通。保护管路可以朝向间隙40喷射保护气体,以形成密封结构,减少颗粒物对晶圆后处理装置100的影响。
图5中,喷头21的内部设置有竖向孔21b和出气孔21c,其中,出气孔21c与竖向孔21b相连通,保护管路与竖向孔21b连通。通入保护管路的气体经由竖向孔21b和出气孔21c扩散至夹持盘10上侧以及间隙40的内部。
图10是图5中C-C的剖视图,竖向孔21b偏心设置于喷头21的内部,出气孔21c的数量为三个且水平设置,出气孔21c与竖向孔21b相连通,通入保护管路的气体经由竖向孔21b和出气孔21c,进入间隙40并充满间隙40。在一些实施例中,通入保护管路的气体包括氮气和/或惰性气体,以避免含有颗粒物的气流对晶圆后处理装置100的影响。
在一些实施例中,保护管路内通入高纯氮气,并通过控制氮气的流量及流速,控制氮气的扩散速度及范围,避免含有颗粒物的流体进入晶圆后处理装置的驱动部分,保证腔室内部的洁净度。
在晶圆后处理过程中,若晶圆转速降低至设定速度(如400rpm),图2提供的密封效果就会减弱。若通过保护管路通入保护气体,则可以增强密封效果,控制外部气体对晶圆后处理装置对应腔室的影响。
图2所示的实施例中,供给管路还包括至少一个清洗管路,以朝向旋转晶圆的背面喷射清洗液,实现晶圆背面的清洗。
需要说明的是,本发明提及的背喷组件与转动部件之间的连接结构,可以推广至半导体领域的其他单腔处理装置,以在保证运行稳定性的同时,提升单腔处理装置内部的洁净度,避免或降低腔室的颗粒物对晶圆处理效果的影响。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种晶圆后处理装置,其特征在于,包括:
夹持盘,其水平夹持晶圆;
背喷组件,其同轴设置于夹持盘的中间位置;所述背喷组件包括喷头和连接于喷头下部的支撑轴;
驱动电机,其与夹持盘连接,以带动夹持盘及其上的晶圆旋转;
所述背喷组件与夹持盘之间设置有间隙,所述背喷组件的外周壁配置有凹槽,使得旋转的夹持盘与所述背喷组件之间形成气封,以避免流体进入所述间隙;所述凹槽为螺旋结构,其沿背喷组件的长度方向设置;所述喷头的外周壁配置有喷头凹槽,所述夹持盘的中间位置设置有贯通孔,所述喷头凹槽的设置位置与所述贯通孔的内侧壁相对应;所述支撑轴可拆卸地连接于所述喷头下部,所述支撑轴的上部配置有第一凹槽和第二凹槽,其沿所述支撑轴的长度方向间隔设置;所述第一凹槽与第二凹槽之间设置有流体孔,流体能够经由所述流体孔进入支撑轴的内部;所述支撑轴配置有开口朝上的环形槽,所述流体孔与所述环形槽相连通;所述驱动电机设置于固定架,所述固定架的下部设置有连接座,所述支撑轴的下端固定于所述连接座;所述驱动电机的转子通过衔接座固定于所述夹持盘,所述衔接座配置有贯通的固定孔,所述背喷组件经由所述固定孔设置于所述夹持盘上侧;所述衔接座的内侧配置有环形凸起,所述环形凸起与所述环形槽的设置位置相匹配,所述环形凸起插接于所述环形槽,并且,所述环形凸起能够部分封堵所述流体孔的端口。
2.如权利要求1所述的晶圆后处理装置,其特征在于,所述流体孔为倾斜孔,其数量为多个并沿所述支撑轴的中轴线均匀分布。
3.如权利要求1所述的晶圆后处理装置,其特征在于,所述环形槽的内侧壁为倾斜面,所述倾斜面平行于所述环形凸起的外侧面。
4.如权利要求1所述的晶圆后处理装置,其特征在于,所述支撑轴为中空结构,支撑轴的内部设置有供给管路;所述供给管路包括至少一个保护管路,所述喷头的内部设置有竖向孔和出气孔,所述出气孔与竖向孔相连通,通入保护管路的气体经由竖向孔和出气孔扩散于夹持盘的上侧。
5.如权利要求4所述的晶圆后处理装置,其特征在于,所述竖向孔偏心设置于所述喷头的内部,通入保护管路的气体包括氮气和/或惰性气体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211359255.8A CN115410963B (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种晶圆后处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211359255.8A CN115410963B (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种晶圆后处理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115410963A CN115410963A (zh) | 2022-11-29 |
CN115410963B true CN115410963B (zh) | 2023-01-03 |
Family
ID=84169271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211359255.8A Active CN115410963B (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种晶圆后处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115410963B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116274096A (zh) * | 2023-04-28 | 2023-06-23 | 苏州冠礼科技有限公司 | 一种夹持式晶圆清洗装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06337073A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Makino Milling Mach Co Ltd | 回転軸のシール装置 |
JPH07239039A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Ntn Corp | 回転軸の密封装置 |
JPH11233474A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 板状部品の流体処理装置 |
RU2165554C1 (ru) * | 1997-11-21 | 2001-04-20 | Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. | Бесконтактное газовое уплотнение с использованием статического давления |
JP2008258330A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Pre-Tech Co Ltd | 枚葉式洗浄装置 |
EP2372749B1 (de) * | 2010-03-31 | 2021-09-29 | Levitronix GmbH | Behandlungsvorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche eines Körpers |
JP6464775B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2019-02-06 | 株式会社ジェイテクト | エアシール構造、及びエアシール構造が適用された主軸装置 |
SG11201913857YA (en) * | 2017-08-30 | 2020-01-30 | Kokusai Electric Corp | Protective plate, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
CN208014670U (zh) * | 2018-03-01 | 2018-10-26 | 德淮半导体有限公司 | 一种晶圆清洗机台 |
CN112750688B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-12-20 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗方法 |
CN114975222A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-08-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗设备的卡盘装置及清洗设备 |
CN114999993A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-09-02 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
-
2022
- 2022-11-02 CN CN202211359255.8A patent/CN115410963B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115410963A (zh) | 2022-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9620394B2 (en) | Liquid treatment apparatus | |
US6669808B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101042666B1 (ko) | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 | |
CN115410963B (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
JP6049183B2 (ja) | 研削装置 | |
JP3517263B2 (ja) | 静圧気体軸受スピンドル | |
CN109478524B (zh) | 基板支撑装置 | |
JP2014179490A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10569442B2 (en) | Cutting blade mounting mechanism | |
JP5073621B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
CN113910072B (zh) | 吸盘转台和晶圆加工系统 | |
TWI534881B (zh) | 晶圓背面清洗裝置 | |
JP5036415B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
CN114975222A (zh) | 清洗设备的卡盘装置及清洗设备 | |
CN113770913B (zh) | 一种吸盘转台和加工系统 | |
CN115410964B (zh) | 一种晶圆水平清洗装置 | |
CN109411402B (zh) | 湿法清洗设备 | |
JPH09122558A (ja) | 回転式塗布装置 | |
WO2020090399A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5932319B2 (ja) | スピンドルユニット | |
JPH04201203A (ja) | ダイシング装置 | |
JPH1050645A (ja) | 基板処理装置 | |
CN219357174U (zh) | 一种晶圆清洗腔装置 | |
JP2006186117A (ja) | 基板保持装置および基板回転式処理装置 | |
JP4594031B2 (ja) | 基板保持装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |