JP5073621B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Description
この場合のエッチングは、半導体基板のおもて面側に形成された配線パターン等の損傷を防止するために、ベルヌーイチャック機構により半導体基板のおもて面を非接触で保持して行われる。
図3、図4において、1は半導体装置の製造装置としてのエッチング装置である。
2はバルク基板やSOI(Silicon On Insulator)基板等の半導体基板であり、そのおもて面2aには半導体装置3(図5参照)を構成する複数の半導体素子および配線パターン等が形成されている。
5は供給管であり、その供給口6が半導体基板2の裏面2bの中心部の上方に配置されており、半導体基板2の裏面2bをエッチングにより除去するための、流体としてのエッチング液を供給する。
10はベルヌーイチャック機構の回転基台であり、流体としての窒素ガス(N2)等の噴出ガスを半導体基板2の半径方向外側に向かって、斜め上方に放射状に噴出させる円環状の噴出口11が、半導体基板2の外周縁部の半径方向内側に設けられており、図示しないモータ等の駆動機構により矢印B方向に、350〜1000rpmで回転する。
13は位置決めピンであり、樹脂材料で形成された、外径φ1.5mm〜φ2mm、高さ2〜3mmの円柱状部材であって、半導体基板2の外周面2cに接触させて複数配置されており、回転基台10上に、ベルヌーイチャック機構によりおもて面2aを非接触で保持された半導体基板2の位置ずれを防止する機能を有している。
この連続的なエッチングのときに、半導体基板2の外周端から外側に流出する膜状のエッチング液は、図5に示すように、位置決めピン13に衝突して切り裂かれ、エッチング液の飛沫を発生させる。
一方、噴出口11から噴出させた窒素ガスは、回転基台10の保持面と半導体基板2のおもて面2aとの間に導かれて半径方向外側に向かって放射状に流れ、半導体基板2の外周端を過ぎた後に、噴出口11から斜め上方に噴出したときの上方に向かう速度成分により、大部分は半径方向外側に向かって斜め上方に流れていく。
上記のような、ベルヌーイチャック機構を用いたエッチング装置における、エッチング液の半導体基板のおもて面への付着を防止するために、従来のベルヌーイチャック機構を用いたエッチング装置は、上記と同様のベルヌーイチャック機構の回転基台の円環状の噴出口と、回転基台に立設された複数の円柱状の位置決めピンとの間に、位置決めピンに向けてエアジェットを吹き付けるノズルを設け、このノズルから吹き付けられるエアジェットにより、半導体基板に裏面の端部から半導体基板のおもて面と回転基台との間に流れ込もうとするエッチング液を吹き飛ばして、半導体基板のおもて面の位置決めピンの近傍に形成されるピンマークの発生を防止している(例えば、特許文献1参照。)。
なお、上記図3ないし図5と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。また図1は図5と同様の断面で示してある。
図1において、20は位置決めピンであり、その外周面には、三角状の断面形状を有する円環溝である案内溝21が、その溝筋を半導体基板2の裏面2bと平行にして複数形成されており、上記した円柱状の位置決めピン13と同様の材料および外形寸法(外径および高さ)で形成されている。
なお、以下に示す流れの状態は、上記と同様に相対系から見た場合の流れの状態を用いて説明する。
上記した連続的なエッチングのときに、半導体基板2の外周端から外側に流出する膜状のエッチング液は、図2に示すように、位置決めピン20に衝突して切り裂かれ、エッチング液の飛沫を発生させる。
また、位置決めピン20への衝突により運動エネルギを失った飛沫は、一部は位置決めピン20の案内溝21に付着した状態で、他は位置決めピン20の近傍に浮遊した状態で滞留する。
また、位置決めピン20の近傍を通過する窒素ガスは、位置決めピン20の外周面に形成された案内溝21に沿って、位置決めピン20の案内溝21に付着したエッチング液を吹き飛ばしながら更に半径方向外側に導かれ、位置決めピン20を回り込んだ後に、半導体基板2の半径方向外側に向かって斜め上方に流れていく。
なお、本実施例では、案内溝21は、溝筋を半導体基板2の裏面2bと平行に形成した三角状の断面形状を有する円環溝であるとして説明したが、溝筋を螺旋状に形成した三角状の断面形状を有する螺旋溝、つまりねじ形状の溝であってもよい。
このようにすれば、円環溝の場合と同様の効果に加えて、案内溝21に付着したエッチング液を、回転基台10の方向に更に容易に流下させることができる。
以上説明したように、本実施例では、半導体基板のおもて面を非接触で保持するベルヌーイチャック機構の回転基台に設けられた位置決めピンの外周面に、流体の流れを案内する案内溝を設けたことによって、案内溝で半導体基板のおもて面を非接触で保持するための噴出ガス(本実施例では、窒素ガス)を案内して、半導体基板の外周縁部の位置決めピンの近傍に生ずる半径方向内側に向かう渦流の発生を簡素な構造で抑制することができ、半導体基板のおもて面側へ巻き込まれるエッチング液の量を大幅に低減して、半導体基板の外周縁部の過剰エッチングによるクラックの発生を抑制することができると共に、半導体基板に形成した半導体装置の外観異常や配線パターン不良による歩留りの低下や信頼性の低下を防止することができる。
2 半導体基板
2a おもて面
2b 裏面
2c 外周面
3 半導体装置
5 供給管
6 供給口
10 回転基台
11 噴出口
12 回転軸
13、20 位置決めピン
21 案内溝
Claims (4)
- 半導体基板を、噴出口から前記半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、前記回転基台に設けられ、前記半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、
前記位置決めピンの外周面に、前記噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1において、
前記回転基台は、前記半導体基板のおもて面を保持することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記案内溝が、三角状の断面形状を有する円環溝であることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記案内溝が、三角状の断面形状を有する螺旋溝であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
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