JP2006237502A - 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板11を保持するテーブル部12を有する半導体基板固定手段13と、半導体基板11を回転及び昇降する回転駆動昇降手段14と、半導体基板11の表面15にエッチング液17を供給するエッチング液供給手段18を備え、テーブル部12に搭載された半導体基板11の裏面19側下方に設けられ、半導体基板11の裏面19外周部の半径方向外側に向けて斜め上方向に気体20を均一に噴出するリング状スリット21と、噴出された気体20をテーブル部12に搭載された半導体基板11の裏面19側に沿って半導体基板11の厚み方向中心位置Tの外側端部Sまで導くガイド部22とを有するリングブローノズル23を、半導体基板固定手段13と完全に独立して設けている。
【選択図】 図1
Description
図3に示す方法においては、半導体基板70の表面71をエッチング液72でエッチング処理する際、回転する半導体基板70の表面71にエッチング液72を供給しながら、エッチング液72が半導体基板70のエッジ部73 (断面が半円形)の外周74に沿って裏面75に廻り込まないように、半導体基板70の直下に配置されたリングブローノズル76に形成されたリング状スリット77から、窒素ガス等の不活性ガス78を半導体基板70の裏面75に半径方向外側に向けて吹き付けている。
エッチング液72は半導体基板70の裏面75までは廻り込まないものの、エッチング処理後の半導体基板70のエッジ部73の断面形状は、図3に示すように、外周74の下側、即ち、エッチング液72が廻り込んだ部分までエッチングされる為、片面ずつ両面をエッチングした場合に、二重エッチングされる部分ができ、エッジ部73の均一なエッチングが難しい。このように、エッチング液72の裏面75への廻り込みは防止できるが、エッジ部73におけるエッチング液72の液切れの位置は半導体基板70の裏面75の外端とエッジ部73の外周74の下端との境界位置K付近となっていた。
エッチング液72の廻り込みの原因として、エッチング液72に作用する表面張力が、エッチング液72に作用する遠心力及び重力の合力より大きいためと考えられる。特に、半導体基板70の回転速度が遅い場合には、エッチング液72が廻り込み易くなる。
本発明に係る半導体基板処理装置において、前記リングブローノズルの前記ガイド部の内側は断面円弧状の曲面に形成してもよい。
本発明に係る半導体基板処理方法において、前記気体は空気又は窒素ガスでもよい。
請求項3記載の半導体基板処理装置においては、リングブローノズルのガイド部の内側は断面円弧状の曲面に形成しているので、気体の流路が滑らかとなり、流れの乱れ(渦発生)が無いガス層を作ることができ、廻り込み防止効果が高まる。
ここで、図1は本発明の一実施の形態に係る半導体基板処理装置の模式的な構成図、図2は同半導体基板処理装置における半導体基板とリングブローノズルとの関係を示す説明図である。
真空吸引チャック13のテーブル部12に搭載された半導体基板11の外側周囲には、昇降可能なリング状のカップ26が設けられており、半導体基板11の回転による遠心力により半導体基板11の半径方向外側に飛散するエッチング液17を回収し、回収された使用済みのエッチング液17を外部に排出するようになっている。リングブローノズル23及びカップ26を内部に収納する有底のシンク27が設けられており、シンク27底部の中心部を貫通して回転駆動昇降手段14の支持部28が設けられている。
リングブローノズル23のガイド部22の内側は断面円弧状(半径R=1〜3mm、本実施の形態では、2mm)の曲面に形成されている。
真空吸引チャック13のテーブル部12に半導体基板11を搭載して、真空吸引によりテーブル部12に半導体基板11を固定する。
回転駆動昇降手段14を操作して、半導体基板11の中心軸を垂直として半導体基板11を回転速度=600rpm以下で回転する。
これにより、リング状スリット21から噴出した窒素ガス20は、ガイド部22の内側と半導体基板11の裏面19の外周部との間の微小隙間にガイドされて、ガイド部22の上端U及び半導体基板11の外側端部Sで形成される微小隙間を陽圧とするので、微小隙間にエッチング液17が流入するのを阻止することができる。
リングブローノズル23のガイド部22の内側は断面円弧状の曲面に形成したが、これに限定されず、必要に応じて、その他の形状とすることもできる。また、半導体基板の裏面外周部の半径方向外側に向けて噴出する気体を窒素ガスとしたが、空気であってもよい。
Claims (5)
- 円板状の半導体基板の中央部を真空吸引させて保持するテーブル部を有する半導体基板固定手段と、該半導体基板固定手段ごと前記半導体基板を回転させ更に昇降も行う回転駆動昇降手段と、前記半導体基板固定手段に保持された前記半導体基板の表面にノズルからエッチング液を供給するエッチング液供給手段とを備える半導体基板処理装置において、
前記テーブル部の外側位置でかつ該テーブル部に搭載された前記半導体基板の裏面側下方に設けられ、前記テーブル部に載置された前記半導体基板の裏面外周部の半径方向外側に向けて斜め上方向に気体を均一に噴出するリング状スリットと、該噴出された気体を前記テーブル部に搭載された前記半導体基板の裏面側に沿って該半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部まで導くガイド部とを有するリングブローノズルを、前記半導体基板固定手段と完全に独立して設けたことを特徴とする半導体基板処理装置。 - 請求項1記載の半導体基板処理装置において、前記リングブローノズルの前記ガイド部には、その上端位置から半径方向外側に水平に対して10〜60度の下り傾斜面が設けられていることを特徴とする半導体基板処理装置。
- 請求項1及び2のいずれか1項に記載の半導体基板処理装置において、前記リングブローノズルの前記ガイド部の内側は断面円弧状の曲面に形成されていることを特徴とする半導体基板処理装置。
- 回転する半導体基板の表面にエッチング液を供給し、該半導体基板の裏面外周部の半径方向外側に向けて斜め上方向に気体を均一に噴出しながら該半導体基板の片面ずつ両面をエッチングする方法であって、
前記半導体基板の裏面外周部に均一に噴出された気体は、前記半導体基板の裏面側に沿って該半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部まで導かれ、前記エッチング液が前記外側端部より下面側に廻り込むのを防止し、前記半導体基板の厚み方向中心位置でエッチングを止めることを特徴とする半導体基板処理方法。 - 請求項4記載の半導体基板処理方法において、前記気体は空気又は窒素ガスであることを特徴とする半導体基板処理方法。
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