CN115360279A - 半导体发光元件以及半导体发光装置 - Google Patents

半导体发光元件以及半导体发光装置 Download PDF

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广木均典
林茂生
粂雅博
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Abstract

半导体发光装置，具有半导体发光元件。半导体发光元件(20)，具有：半导体层叠体(30)，具有n型层(32)、以及p型层(36)，并且具有作为n型层(32)露出的凹部的一个以上的n露出部(30e)；被配置在p型层(36)上的p布线电极层(42)；绝缘层(44)，连续地覆盖一个以上的n露出部(30e)的内侧面(30s)、以及p布线电极层(42)的上方的一部分，具有使n型层(32)露出的开口部(44a)；n布线电极层(46)，在开口部(44a)与n型层(32)接触，被配置在p型层(36)以及p布线电极层(42)的上方；以及一个以上的第一n连接部件(51)，一个以上的第一n连接部件(51)，分别在一个以上的第一n端子区域(51r)与n布线电极层(46)连接，在一个以上的第一n端子区域(51r)的下方，配置n布线电极层(46)以及p型层(36)。

Description

半导体发光元件以及半导体发光装置
本申请是申请日为2020/05/14、申请号为202080003367.2、发明名称为“半导体发光元件以及半导体发光装置”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及，半导体发光元件以及半导体发光装置。
背景技术
以往，经由凸块倒装片安装到被形成在安装衬底的布线图案的半导体发光元件为人所知(例如，参照专利文献1等)。专利文献1所记载的半导体发光元件具有，在衬底上，第一半导体层、发光层以及第二半导体层依次层叠的结构，形成有第一半导体层从第二半导体层露出的露出部。进一步，专利文献1所记载的半导体发光元件，第二电极以及绝缘膜依次层叠在第二半导体层上，第一电极层叠在露出部以及绝缘膜上。如此，专利文献1所记载的半导体发光元件具有，所谓双层布线结构。进一步，在专利文献1所记载的半导体发光元件中，在发光元件的正下面以高密度配置凸块，从而将热经由凸块散发，并且，不使露出部与凸块重叠，从而不使倒装片安装时的绝缘膜的破裂发生。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1：日本特开2018-107371号公报
专利文献1所记载的半导体发光元件的发光层附近发生的热，经由凸块散发到安装衬底。在专利文献1所记载的半导体发光元件中，在发光层附近发生的热，经由热导率低的绝缘膜传导到凸块，因此，散热性低。因此，在专利文献1所记载的半导体发光元件中，尤其，在向半导体发光元件提供大电流的情况下，可靠性会降低。
发明内容
为了解决这样的问题，本公开的目的在于，提供散热性高的半导体发光元件以及半导体发光装置。
为了解决所述问题，本公开涉及的半导体发光元件的一个形态，具有：半导体层叠体，具有n型层、被配置在所述n型层的上方的发光层、以及被配置在所述发光层的上方的p型层，该半导体层叠体具有作为所述n型层露出的凹部的一个以上的n露出部；p布线电极层，被配置在所述p型层上；绝缘层，连续地覆盖所述一个以上的n露出部的内侧面、以及所述p布线电极层的上方的一部分，具有在所述一个以上的n露出部的底面使所述n型层露出的开口部；n布线电极层，在所述开口部与所述n型层接触，经由所述绝缘层被配置在所述p型层以及所述p布线电极层的上方；以及作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第一n连接部件，所述一个以上的第一n连接部件，分别在一个以上的第一n端子区域与所述n布线电极层连接，在平面视中所述一个以上的第一n端子区域，包括所述开口部的上方的区域的至少一部分，在与所述半导体层叠体的层叠方向平行的截面，在所述一个以上的第一n端子区域的下方，配置所述n布线电极层以及所述p型层。
如此，第一n连接部件被配置在没有形成热导率低的绝缘层的开口部的上方，从而能够形成不经由绝缘层的散热路径。因此，与第一n连接部件被配置在绝缘层的上方的情况相比，能够提高半导体发光元件的散热性。并且，半导体发光元件的n露出部的内侧面附近的发热量大，但是，在内侧面的上方配置第一n连接部件，从而能够将n露出部的内侧面附近发生的热经由第一n连接部件散发。因此，能够更提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，还具有作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第二n连接部件，所述一个以上的第二n连接部件，分别在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的一个以上的第二n端子区域，与所述n布线电极层连接。
如此，具有第二n连接部件，从而能够形成进一步的散热路径，因此，能够更提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，所述一个以上的第一n连接部件与所述一个以上的第二n连接部件相离。
如此，第一n连接部件与第二n连接部件相离，从而能够使纵方向的安装负荷分散，抑制绝缘层的破裂。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，所述一个以上的第一n连接部件的粒径，比所述n布线电极层的粒径大。
如此，将一个以上的第一n连接部件的粒径设为比n布线电极层大，从而能够将一个以上的第一n连接部件的硬度设为，比n布线电极层的硬度低。因此，在将半导体发光元件安装在安装衬底时，能够由一个以上的第一n连接部件吸收施加到半导体发光元件的力量。因此，在本公开涉及的半导体发光元件中，与一个以上的第一n连接部件的粒径与n布线电极层相同的情况相比，能够减轻安装时施加到n露出部的内侧面附近的绝缘层的力量，因此，能够减少绝缘层的破裂。
并且，本公开涉及的半导体发光元件的一个形态也可以是，具有：p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及种子金属层，被配置在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间，以及所述p连接部件与p布线电极层之间，所述种子金属层的离所述半导体层叠体远的一侧的表面由Au构成，所述一个以上的第一n连接部件以及所述p连接部件由Au构成。
并且，本公开涉及的半导体发光元件的一个形态也可以是，具有：p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及空洞部，被形成在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间。
并且，本公开涉及的半导体发光元件的一个形态也可以是，具有p连接部件，所述p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域，所述一个以上的第一n连接部件分别包括一组元件侧n连接部件以及安装衬底侧n连接部件，所述p连接部件包括，一组元件侧p连接部件以及安装衬底侧p连接部件，所述元件侧n连接部件，被配置在比所述安装衬底侧n连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置，所述元件侧p连接部件，被配置在比所述安装衬底侧p连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置。
并且，为了解决所述问题，本公开涉及的半导体发光装置的一个形态，具有：所述半导体发光元件；以及安装衬底，具有第一布线电极以及第二布线电极，所述一个以上的第一n连接部件，与所述安装衬底的所述第一布线电极接合，所述p布线电极层，在从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域，经由作为导电性部件的p连接部件与所述安装衬底的第二布线电极接合。
如此，第一n连接部件被配置在没有形成热导率低的绝缘层的开口部的上方，第一n连接部件，经由第一布线电极与安装衬底连接，据此，能够形成不经由绝缘层从n型层到安装衬底的散热路径。因此，与第一n连接部件被配置在绝缘层的上方的情况相比，能够提高半导体发光元件的散热性。并且，半导体发光元件的n露出部的内侧面附近的发热量大，但是，在内侧面的上方配置第一n连接部件，从而能够将n露出部的内侧面附近发生的热经由第一n连接部件散发到安装衬底。因此，能够更提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光装置的一个形态中也可以是，所述一个以上的第一n连接部件的与所述第一布线电极的接合面的端部，相对于所述安装衬底的所述第一布线电极的端部，在所述第一布线电极的内侧被配置为分离。
如此，在第一布线电极的端部不配置第一n连接部件，从而能够抑制第一n连接部件，与相邻的第二布线电极以及p连接部件短路。
并且，在本公开涉及的半导体发光装置的一个形态中也可以是，在与所述层叠方向平行的截面，所述一个以上的第一n连接部件的所述开口部上的粒径，比所述p型层上的粒径大。
第一n连接部件的这样的粒径分布是，例如，在将半导体发光元件安装在安装衬底时形成的。在本公开的半导体发光元件的安装中，利用例如FCB安装。FCB安装，由负荷步骤、以及负荷步骤之后施加超声波的步骤构成。在负荷步骤中压缩时开口部比周边的p型层低(即凹陷)，因此，与开口部上相比周边的p型层上的第一n连接部件的压缩率高。因此，与开口部上相比周边的p型层上的第一n连接部件硬。因此，在施加超声波的步骤中第一n连接部与安装衬底接合时，硬化的周边的第一n连接部件成为障碍，第一n连接部难以向与层叠面平行的方向扩展。因此，能够抑制第一n连接部件与相邻的p连接部件短路。
并且，在本公开涉及的半导体发光装置的一个形态中也可以是，在与所述层叠方向平行的截面，所述一个以上的第一n连接部件，在所述n布线电极层侧，越接近所述n布线电极层，侧壁就越向外侧扩展。
如此，第一n连接部件的侧壁扩展，据此，与侧壁不扩展的情况相比，能够扩大第一n端子区域的面积。因此，能够由第一n连接部件进行更宽的区域的散热。因此，能够提高半导体发光元件的散热性。
并且，为了解决所述问题，本公开涉及的半导体发光元件的一个形态，具有：半导体层叠体，具有n型层、被配置在所述n型层的上方的发光层、以及被配置在所述发光层的上方的p型层，并且，该半导体层叠体具有作为所述n型层露出的凹部的一个以上的n露出部；p布线电极层，被配置在所述p型层上；绝缘层，连续地覆盖所述一个以上的n露出部的内侧面、以及所述p布线电极层的上方的一部分，具有在所述一个以上的n露出部的底面使所述n型层露出的开口部；以及n布线电极层，在所述开口部与所述n型层接触，经由所述绝缘层被配置在所述p型层以及所述p布线电极层的上方，在所述n布线电极层设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域，在平面视中所述一个以上的第一n端子区域，包括所述开口部的上方的区域的至少一部分，在与所述半导体层叠体的层叠方向平行的截面，在所述一个以上的第一n端子区域的下方，配置所述n布线电极层以及所述p型层。
如此，在没有形成热导率低的绝缘层的开口部的上方设置用于配置导电性部件的第一n端子区域，据此，在将导电性部件配置在第一n端子区域的情况下，能够形成不经由绝缘层的散热路径。因此，与导电性部件被配置在绝缘层的上方的情况相比，能够提高半导体发光元件的散热性。并且，半导体发光元件的n露出部的内侧面附近的发热量大，但是，在内侧面的上方配置第一n端子区域，据此，在将导电性部件配置在第一n端子区域的情况下，能够将n露出部的内侧面附近发生的热经由导电性部件散发。因此，能够更提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，所述一个以上的第一n端子区域的总面积，比被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的总面积大。
如此，扩大第一n端子区域的总面积，据此，在将导电性部件配置在第一n端子区域的情况下，能够增大散热路径，因此，能够提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，关于所述一个以上的第一n端子区域各自的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述第一n端子区域更大。
在半导体发光元件的中央部，在全方向上存在会成为散热路径的连接部件，对此，在半导体发光元件的边缘部，仅在内侧方向上存在会成为散热路径的连接部件，因此，在半导体发光元件的边缘部会导致散热性变低。然而，在本公开涉及的半导体发光元件中，扩大与端部近的第一n端子区域的面积，从而能够增大散热路径，因此，能够提高边缘部的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，关于所述开口部的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述开口部更大。
如上所述，在半导体发光元件的边缘部，会导致散热性变低。然而，在本公开涉及的半导体发光元件中，扩大与端部近的开口部的面积，从而能够使发热分散并且增大散热路径，因此，能够提高边缘部的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，所述一个以上的第一n端子区域的中心，位于所述开口部的区域内。
如此，将第一n端子区域的中心配置在开口部的区域内，据此，配置在第一n端子区域的第一n连接部件等那样的导电性部件的中央部被配置在开口部。因此，安装时施加到导电性部件的许多力量施加到没有配置绝缘层的开口部。因此，能够减少安装时施加到绝缘层的力量，据此，能够抑制绝缘层的破裂。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，所述一个以上的第一n端子区域的中心，与所述开口部的中心一致。
如此，使第一n端子区域的中心与开口部的中心一致，据此，配置在第一n端子区域的第一n连接部件等那样的导电性部件的中央部被配置在开口部的中心。因此，安装时施加到导电性部件的许多力量施加到没有配置绝缘层的开口部。因此，能够减少安装时施加到绝缘层的力量，据此，能够抑制绝缘层的破裂。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第二n端子区域。
如此，设定第二n端子区域，据此，在将导电性部件配置在第二n端子区域的情况下，能够形成进一步的散热路径，因此，能够更提高半导体发光元件的散热性。
并且，在本公开涉及的半导体发光元件的一个形态中也可以是，在所述n布线电极层的平面视中，所述一个以上的第一n端子区域以及所述一个以上的第二n端子区域的面积的总和，比被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的面积的总和大。
如此，扩大第一n端子区域以及第二n端子区域的面积，据此，在将导电性部件配置在第一n端子区域以及第二n端子区域的情况下，能够增大散热路径，因此，能够提高半导体发光元件的散热性。
根据本公开，能够提供散热性高的半导体发光元件以及半导体发光装置。
附图说明
图1是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的平面图。
图2A是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图2B是示出实施方式1的变形例涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图3是示出实施方式1涉及的半导体发光元件的结构的示意性的平面图。
图4是示出实施方式1涉及的配置在n露出部以外的n布线电极层的平面图。
图5是示出实施方式1涉及的第一n端子区域的平面图。
图6A是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第一工序的示意性的截面图。
图6B是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第二工序的示意性的截面图。
图6C是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第三工序的示意性的截面图。
图6D是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第四工序的示意性的截面图。
图6E是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第五工序的示意性的截面图。
图6F是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第六工序的示意性的截面图。
图6G是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第七工序的示意性的截面图。
图6H是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的制造方法的第八工序的示意性的截面图。
图7是示出Au的平均粒径与硬度的关系的图表。
图8是用于说明粒径的测量方法的图。
图9是示出实施方式1涉及的压碎第一n连接部件时的粒径与厚度的关系的图表。
图10是示出实施方式1涉及的半导体发光装置的第一n连接部件的结构的示意性的截面图。
图11A是示出实施方式1涉及的第一n端子区域与开口部的第一位置关系的平面图。
图11B是示出实施方式1涉及的第一n端子区域与开口部的第二位置关系的平面图。
图12是示出实施方式1的变形例1涉及的半导体发光元件的结构的平面图。
图13是示出实施方式1的变形例1涉及的半导体发光元件的结构的截面图。
图14是示出实施方式1的变形例2涉及的半导体发光元件的结构的平面图。
图15是示出实施方式1的变形例2涉及的半导体发光元件的结构的截面图。
图16是示出实施方式2涉及的半导体发光元件的全体结构的示意性的平面图。
图17是示出实施方式2涉及的半导体发光元件的全体结构的示意性的截面图。
图18是示出实施方式2涉及的配置在n露出部以外的n布线电极层的平面图。
图19是示出实施方式2涉及的第一n端子区域以及第二n端子区域的平面图。
图20A是示出模拟中利用的实施方式2涉及的半导体发光元件的结构的示意性的平面图。
图20B是示出模拟中利用的比较例涉及的半导体发光元件的结构的示意性的平面图。
图21是示出实施方式2以及比较例涉及的各个半导体发光元件的发热分布以及发光层的温度Tj的温度分布的模拟结果的图。
图22是示出实施方式2以及比较例涉及的各个半导体发光元件的发光层的温度Tj的最大值与电流量的关系的模拟结果的图表。
图23A是示出实施方式2涉及的半导体发光元件的制造方法的第一工序的示意性的截面图。
图23B是示出实施方式2涉及的半导体发光元件的制造方法的第二工序的示意性的截面图。
图23C是示出实施方式2涉及的半导体发光元件的制造方法的第三工序的示意性的截面图。
图24是示出实施方式3涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图25A是示出实施方式3涉及的半导体发光装置的制造方法的第一工序的示意性的截面图。
图25B是示出实施方式3涉及的半导体发光装置的制造方法的第二工序的示意性的截面图。
图25C是示出实施方式3涉及的半导体发光装置的制造方法的第三工序的示意性的截面图。
图26A是示出实施方式3的变形例涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图26B是示出实施方式3的其他的变形例涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图27是示出实施方式4涉及的半导体发光装置的全体结构的示意性的截面图。
图28A是示出实施方式4涉及的半导体发光装置的制造方法的第一工序的示意性的截面图。
图28B是示出实施方式4涉及的半导体发光装置的制造方法的第二工序的示意性的截面图。
图28C是示出实施方式4涉及的半导体发光装置的制造方法的第三工序的示意性的截面图。
具体实施方式
以下，对于本公开的实施方式，参照附图进行说明。而且，以下说明的实施方式，都示出本公开的一个具体例子。因此，以下的实施方式示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接形态等是一个例子而不是限定本公开的宗旨。
并且，各个图是示意图，并不一定是严密示出的图。因此，各个图中的缩尺等并不一定一致。而且，在各个图中，对实质上相同的结构添加相同的符号，省略或简化重复的说明。
并且，在本说明书中，“上方”以及“下方”的术语，并不指示绝对空间识别的上方向(铅垂上方)以及下方向(铅垂下方)，而作为由以层叠结构的层叠顺序为基础的相对位置规定的术语利用。并且，“上方”以及“下方”的术语，不仅适用于隔开配置两个构成要素且两个构成要素间存在其他的构成要素的情况，也适用于以彼此接触的状态配置两个构成要素的情况。
(实施方式1)
说明实施方式1涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置。
[1-1.全体结构]
首先，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置的全体结构，利用图1至图3进行说明。图1以及图2A分别是示出本实施方式涉及的半导体发光装置10的全体结构的示意性的平面图以及截面图。图1示出半导体发光元件20以及安装衬底11的平面视的平面图。图2A示出图1的II-II线的半导体发光装置10的截面的一部分。而且，在图1、图2A以及以下的各个图中，将与安装衬底11的主面垂直的方向设为Z轴方向，将与Z轴方向垂直且彼此垂直的两个方向设为X轴方向以及Y轴方向。
半导体发光装置10是，具备半导体发光元件20的发光装置，如图1以及图2A所示，具有安装衬底11、以及半导体发光元件20。
安装衬底11是，安装半导体发光元件20的基体，如图2A示出，具有衬底12、第一布线电极15、以及第二布线电极16。
衬底12是，安装衬底的基体，例如，由AlN的烧结体构成的陶瓷衬底。第一布线电极15以及第二布线电极16是，被形成在衬底12上的导电层，例如，由Au形成。第一布线电极15与第二布线电极16彼此绝缘。
半导体发光元件20是，利用半导体层的发光元件，具有生长衬底22、半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、以及n布线电极层46。在本实施方式中，半导体发光元件20还具有，多个种子金属层56、一个以上的第一n连接部件51、以及p连接部件60。
生长衬底22是，半导体层叠体30层叠的衬底。在本实施方式中，对于生长衬底22，作为透光性衬底，利用蓝宝石衬底以及GaN衬底。
如图2A示出，半导体层叠体30具有，n型层32、发光层34、以及p型层36。半导体层叠体30具有，作为n型层32露出的凹部的一个以上的n露出部30e。n露出部30e具有，作为n露出部30e的底部的底面30b、以及作为从底面30b向层叠方向延伸的面的内侧面30s。在此，层叠方向是，与生长衬底22的主面垂直的方向(即，各个图的Z轴方向)。在本实施方式中，n露出部30e是，直径70μm左右的圆形状的凹部。而且，n露出部30e的形状，不仅限于圆形状，也可以是矩形状等。并且，n露出部30e的个数，若是一个以上，则没有特别的限定。例如，n露出部30e的个数也可以是多个。
n型层32是，被配置在生长衬底22的上方的包括n型半导体层的层。在本实施方式中，对于n型层32，作为n型半导体层，利用n型GaN系层。n型层32也可以包括，n型包覆层等的多个层。
发光层34是，被配置在n型层32的上方的活性层。在本实施方式中，对于发光层34，利用InGaN系层。
p型层36是，被配置在发光层34的上方的包括p型半导体层的层。
在本实施方式中，对于p型层36，作为p型半导体层，利用p型GaN系层。p型层36也可以包括，p型包覆层等的多个层。
p布线电极层42是，被配置在p型层36上的导电层。在本实施方式中，p布线电极层42是，具有在p型层36上依次层叠的厚度0.2μm的Ag层、厚度0.7μm的Ti层、以及厚度0.3μm的Au层的层叠体。p布线电极层42，在从n布线电极层46以及绝缘层44露出的区域，经由作为导电性部件的p连接部件60，与安装衬底11的第二布线电极16接合。
绝缘层44是，连续地覆盖一个以上的n露出部30e的内侧面30s、以及p布线电极层42的上方的一部分、且具有在一个以上的n露出部30e的底面使n型层32露出的开口部44a的由绝缘材料构成的层。在本实施方式中，绝缘层44是，由厚度1.0μm的SiO2构成的层。并且，开口部44a是，直径60μm左右的圆形状的开口。而且，开口部44a的形状，不仅限于圆形状，也可以是矩形状等。
n布线电极层46是，在开口部44a与n型层32接触，经由绝缘层44被配置在p型层36以及p布线电极层42的上方的导电层。在本实施方式中，n布线电极层46是，具有从半导体层叠体30侧依次层叠的厚度0.3μm的Al层、厚度0.3μm的Ti层、以及厚度1.0μm的Au层的层叠体。
种子金属层56是，成为第一n连接部件51以及p连接部件60的基底的导电层，被配置在第一n连接部件51与n布线电极层46间、以及p连接部件60与p布线电极层42间。在本实施方式中，种子金属层56的离半导体层叠体30远的一侧的表面由Au构成。更具体而言，种子金属层56是，从半导体层叠体30侧依次层叠0.1μm厚的Ti层以及0.3μm厚的Au层的层叠体。
一个以上的第一n连接部件51分别是，用于与外部电连接的导电性部件。在本实施方式中，一个以上的第一n连接部件51，与安装衬底11的第一布线电极15接合。一个以上的第一n连接部件51，分别在一个以上的第一n端子区域51r与n布线电极层46接合。换而言之，在n布线电极层46，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域51r。一个以上的第一n连接部件51也可以是，热导率100W/m·K以上的金属。在本实施方式中，作为一个以上的第一n连接部件51，利用了由热导率为300W/m·K以上的Au构成的凸块。而且，对于热导率为100W/m·K以上的第一n连接部件，也可以利用Au、Ag、Al、Cu的任意一个、或由其组合构成的合金。并且，第一n连接部件51以及第一n端子区域51r的个数，若是一个以上，则没有特别的限定。例如，第一n连接部件51以及第一n端子区域51r分别也可以是多个。
一个以上的第一n端子区域51r的每一个包括，开口部44a的上方的区域的至少一部分。并且，如图2A示出，在与半导体层叠体30的层叠方向平行的截面，在一个以上的第一n端子区域51r的下方，配置n布线电极层46以及p型层36。
p连接部件60是，用于与外部电连接的导电性部件。在本实施方式中，p连接部件60，与安装衬底11的第二布线电极16接合。p连接部件60，在p端子区域60r与p布线电极层42连接。换而言之，在p布线电极层42，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域60r。在本实施方式中，p连接部件60是，由Au构成的凸块。
[1-2.作用以及效果]
接着，说明本实施方式涉及的半导体发光元件20以及半导体发光装置10的作用以及效果。
如上所述，在本实施方式涉及的半导体发光元件20的n布线电极层46，设定配置作为用于与外部电连接的导电性部件的第一n连接部件51的区域即一个以上的第一n端子区域51r。一个以上的第一n端子区域51r的每一个包括，开口部44a的上方的区域的至少一部分。
换而言之，包括如图2A所示在开口部44a的上方的全区域存在第一n端子区域51r的情况、以及仅在开口部44a的上方的一部分的区域存在第一n端子区域51r的情况。在此，对于仅在开口部44a的上方的一部分的区域存在第一n端子区域51r的情况，利用图2B进行说明。图2B是示出本实施方式的变形例涉及的半导体发光装置10b的全体结构的示意性的截面图。
如图2B示出，半导体发光装置10b，与半导体发光装置10不同之处是，第一n端子区域51r以及第一n连接部件51的结构，其他的结构一致。在半导体发光装置10b中，仅在开口部44a的上方的一部分区域存在第一n端子区域51r。换而言之，第一n连接部件51，仅被配置在开口部44a的上方的区域之中的一部分的区域。
如此，在没有形成热导率低的绝缘层44的开口部44a的上方设置用于配置导电性部件的第一n端子区域51r，据此，在第一n端子区域51r配置导电性部件的情况下，能够形成不经由绝缘层44的散热路径。因此，与将导电性部件配置在绝缘层44的上方的情况相比，能够提高半导体发光元件20的散热性。
并且，即使在半导体发光元件20的一个以上的第一n端子区域51r中，开口部44a的一部分露出的情况下，也能够将在n露出部30e的内侧面(图2B的n露出部30e的右侧面)附近发生的热，经由第一n连接部件51散发，因此，能够提高半导体发光元件20的散热性。
并且，在本实施方式中，在与半导体层叠体30的层叠方向平行的截面中，在一个以上的第一n端子区域51r的下方，配置n布线电极层46以及p型层36。在此，在半导体发光元件20的n露出部30e的内侧面30s附近发热量大，但是，在内侧面30s的上方设置第一n端子区域51r，据此，在第一n端子区域配置作为导电性部件的第一n连接部件51的情况下，能够将在n露出部30e的内侧面30s附近发生的热，经由第一n连接部件51散发。因此，能够更提高半导体发光元件20的散热性。
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光元件20的一个以上的第一n端子区域51r的结构，利用图3至图5进行详细说明。图3是示出本实施方式涉及的半导体发光元件20的结构的示意性的平面图。在图3中示出，半导体发光元件20的n布线电极层46的平面视的平面图。图4是示出本实施方式涉及的配置在n露出部30e以外的n布线电极层46的平面图。图5是示出本实施方式涉及的第一n端子区域51r的平面图。
在本实施方式中，在n布线电极层46的平面视中，图5所示的一个以上的第一n端子区域51r的总面积，比图4所示的配置在n露出部30e以外的n布线电极层46的总面积大。
如此，扩大第一n端子区域51r的总面积，据此，在第一n端子区域51r配置第一n连接部件51的情况下，能够增大散热路径，因此，能够提高半导体发光元件20的散热性。
[1-3.制造方法]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光装置10的制造方法，利用图6A至图6H进行说明。图6A至图6H是示出本实施方式涉及的半导体发光装置10的制造方法的各个工序的示意性的截面图。
首先，如图6A示出，准备生长衬底22，在生长衬底22的一方的主面层叠半导体层叠体30。在本实施方式中，通过基于MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法的外延生长技术，在由蓝宝石衬底以及GaN衬底构成的生长衬底22的一方的主面，依次层叠包括n型GaN系层的n型层32、包括InGaN系层的发光层34、以及包括p型GaN系层的p型层36。接着，除去p型层36、发光层34以及n型层32的一部分，从而形成作为n型层32露出的凹部的一个以上的n露出部30e。在本实施方式中，利用干式蚀刻，除去p型层36、发光层34以及n型层32的一部分。
接着，如图6B示出，在p型层36上形成规定形状的p布线电极层42。在本实施方式中，通过光刻技术，形成在配置p型层36的区域设置开口的抗蚀图案。接着，通过溅射法，形成厚度0.2μm的Ag膜，通过剥离法除去抗蚀膜以及抗蚀膜上的Ag，从而形成作为图案化为规定形状的反射金属的Ag层。接着，通过溅射法，形成由覆盖Ag层的厚度0.7μm的Ti膜以及厚度0.3μm的Au膜构成的层叠膜。接着，通过光刻技术形成覆盖p型层36的抗蚀图案，通过湿式蚀刻除去形成在p型层36上以外的区域的多余的层叠膜，通过有机洗涤除去抗蚀膜。如此，形成由Ag层、Ti层以及Au层构成的p布线电极层42。
接着，如图6C示出，形成绝缘层44。在本实施方式中，在半导体层叠体30以及p布线电极层42上的全面形成由厚度1.0μm的SiO2构成的氧化膜。接着，形成n型层32以及p型层36的一部分开口的抗蚀图案，通过湿式蚀刻除去没有形成抗蚀图案的部分的氧化膜之后，除去抗蚀膜。如此，形成n型层32露出的开口部44a、以及形成有p布线电极层42露出的开口的绝缘层44。
接着，如图6D示出，在绝缘层44以及开口部44a上形成规定形状的n布线电极层46。在本实施方式中，形成覆盖p布线电极层42露出的区域的抗蚀图案，利用EB(electronbeam)蒸镀法，形成由厚度0.3μm的Al膜、厚度0.3μm的Ti膜以及厚度1.0μm的Au膜构成的层叠膜之后，通过剥离法除去抗蚀膜以及抗蚀膜上的层叠膜，从而形成由Al层、Ti层以及Au层构成的n布线电极层46。在此，在n布线电极层46，设定配置作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第一n连接部件51的区域即一个以上的第一n端子区域51r。并且，在p布线电极层42的露出区域，设定配置作为用于与外部电连接的导电性部件的p连接部件60的区域即p端子区域60r。
接着，如图6E示出，形成覆盖一个以上的第一n端子区域51r以及p端子区域60r的种子金属膜56M。在本实施方式中，在包括一个以上的第一n端子区域51r以及p端子区域60r的半导体层叠体30的上方全面，利用EB法或溅射法，依次形成Ti膜以及Au膜，从而形成种子金属膜56M。
接着，如图6F示出，在一个以上的第一n端子区域51r分别形成一个以上的第一n连接部件51。并且，在p端子区域60r形成p连接部件60。在本实施方式中，利用光刻技术，形成一个以上的第一n端子区域51r以及p端子区域60r开口的抗蚀图案，通过DC电解镀金法，在抗蚀图案的开口部形成Au镀金之后，除去抗蚀膜。
接着，如图6G示出，除去种子金属膜56M的没有配置第一n连接部件51以及p连接部件60的区域，从而形成种子金属层56。在本实施方式中，有选择地分别蚀刻形成种子金属膜56M的Au膜以及Ti膜，从而除去种子金属膜56M。如此，形成种子金属层56。
接着，如图6H示出，准备安装衬底11，在安装衬底11对半导体发光元件20进行倒装片接合。在本实施方式中，在衬底12上形成由Au层构成的第一布线电极15以及第二布线电极16，从而准备安装衬底11。而且，将作为半导体发光元件20的Au凸块的一个以上的第一n连接部件51以及p连接部件60，分别与安装衬底11的第一布线电极15以及第二布线电极16接合。更具体而言，将半导体发光元件20按压到安装衬底11，施加负荷，并且，将半导体发光元件加热到150℃左右，超声波振动发生作用。据此，一个以上的第一n连接部件51以及p连接部件60、与第一布线电极15以及第二布线电极16分别固态接合来成为一体。
如上所述，制造本实施方式涉及的半导体发光装置10。
[1-4.第一n连接部件以及第一n端子区域的结构]
接着，说明由上述的制造方法制造的半导体发光装置10的第一n连接部件51以及第一n端子区域51r的结构。首先，对于第一n连接部件51的粒径以及硬度，利用图7至图9进行说明。图7是示出Au的平均粒径与硬度的关系的图表。图8是用于说明粒径的测量方法的图。图9是示出本实施方式涉及的压碎第一n连接部件51时的粒径与厚度的关系的图表。
如图7示出，第一n连接部件51的硬度，平均粒径越大就越降低。一般而言，金属的粒径与硬度具有负相关。
该情况，起因于金属的硬度，取决于施加负荷时的金属的塑性变形量。并且，塑性变形量，受到转移的移动、增殖以及相对于移动的障碍物、滑面的长度以及金属晶体的方向的影响。
粒径大的金属晶体，滑线的长度长，若应力被施加，则应力集中于晶体边界，在此附近容易发生塑性变形。也就是说，粒径大的金属晶体，柔软。
在此，以下示出本实施方式中利用的第一n连接部件51的粒径的测量方法。在本实施方式中，在形成第一n连接部件51的截面之后，针对由扫描电子显微镜的Scanning IonMicroscopy像(SIM像)中观察的观察区域适用截断法测量粒径。
此时，如图8示出，在一边为L的正方形中具有平均粒径d的晶体按每一边存在n个的情况下，正方形的面积成为L2，一个晶粒的面积成为π(d/2)2。而且，在观察区域相对于晶粒大的情况下，正方形中存在n2个晶粒，因此，晶粒全部占有的面积成为n2×π(d/2)2，成为正方形的面积＝晶粒全部占有的面积，因此，成为L2＝n2×π(d/2)2。若以d表示它，则能够以d＝2L/n/(π)1/2的关系式表示。利用该关系式，在观察区域L×L划直线(图8的点划线)，将与该直线交叉的晶界的数量作为晶体的数量n，求出第一n连接部件51的平均粒径d。而且，在图8中，点划线的直线与六个晶界交叉，因此，成为n＝6。
如图9示出，在针对第一n连接部件51的负荷为0N的状态的厚度为8μm左右、粒径为2.6μm左右的情况下，在负荷为10N的状态下，厚度成为5μm左右，粒径成为1.6μm左右。进一步，在针对第一n连接部件51的负荷为35N的状态下，厚度成为3.8μm左右，粒径成为0.9μm左右。如此，第一n连接部件51，随着负荷增大，粒径缩小。根据图7所示的图表，在第一n连接部件51的粒径缩小的情况下，硬度上升。如此，在安装时压碎第一n连接部件51，据此，第一n连接部件51的粒径缩小，硬度上升。在本实施方式中，如图6F示出，在与层叠方向平行的截面，在安装时，一个以上的第一n连接部件51的开口部44a上的高度，比p型层36上的高度低。也就是说，一个以上的第一n连接部件51，在开口部44a上凹陷。因此，在将半导体发光元件20安装在安装衬底11时，一个以上的第一n连接部件51的p型层36上的区域的粒径，比一个以上的第一n连接部件51的开口部44a上的区域的粒径小。因此，在本实施方式涉及的半导体发光元件20中，在与层叠方向平行的截面，一个以上的第一n连接部件51的、开口部44a上的粒径，比p型层36上的粒径大。
并且，在本实施方式涉及的半导体发光元件20中，作为Au镀金层的一个以上的第一n连接部件51的粒径，比由通过EB蒸镀法形成的Au层构成的n布线电极层46的粒径大。
如此，将一个以上的第一n连接部件51的粒径设为比n布线电极层46大，据此，能够将一个以上的第一n连接部件51的硬度设为，比n布线电极层46的硬度低。因此，在将半导体发光元件20安装在安装衬底11时，能够由一个以上的第一n连接部件51吸收，施加到半导体发光元件20的力量。因此，在本实施方式涉及的半导体发光元件20中，能够与一个以上的第一n连接部件51的粒径与n布线电极层46同等的情况相比，减轻在安装时向n露出部30e的内侧面附件的绝缘层44施加的力量，因此，能够抑制绝缘层44的破裂。
接着，对于本实施方式涉及的一个以上的第一n连接部件51的结构，利用图10进行说明。图10是示出本实施方式涉及的半导体发光装置10的第一n连接部件51的结构的示意性的截面图。
如图10示出，第一n连接部件51的与第一布线电极15的接合面中的端部51e，相对于安装衬底11的第一布线电极15的端部15e，在第一布线电极15的内侧被配置为分离。换而言之，第一n连接部件51的与第一布线电极15的接合面中的端部51e，不延伸到第一布线电极15的端部15e。
如此，第一n连接部件51，不被配置在第一布线电极15的端部15e，据此，能够抑制第一n连接部件51，与相邻的第二布线电极16以及p连接部件60短路。
第一n连接部件51的这样的结构是，如上所述压碎第一n连接部件51来与第一布线电极15接合，从而能够实现的。另一方面，例如，在作为第一n连接部件51利用熔点低的焊料，融解第一n连接部件51来与第一布线电极15接合的情况下，融解的第一n连接部件51扩展到第一布线电极15的端部15e。因此，第一n连接部件51，与第二布线电极16以及p连接部件60容易短路。
并且，如图10示出，在与层叠方向平行的截面，一个以上的第一n连接部件51也可以，在n布线电极层46侧，越接近n布线电极层46，侧壁51w就越向外侧扩展。也就是说，一个以上的第一n连接部件51也可以，在n布线电极层46侧，形成圆角。
如此，第一n连接部件51的侧壁51w扩展，据此，与侧壁51w不扩展的情况相比，能够扩大第一n端子区域51r的面积。因此，能够由第一n连接部件51，进行更宽的区域的散热。因此，能够提高半导体发光装置10的散热性。
在此，例如，由如下制造方法能够形成，图10所示的第一n连接部件51的侧壁51w的形状。
首先，在形成图6G所示的半导体发光元件之后，在大气气氛中以150℃对半导体发光元件进行一个小时的热处理。据此，第一n连接部件51n以及布线电极层46分别再结晶，据此，粒径扩大。在将执行了这样的热处理的第一n连接部件51按压到安装衬底11并接合的情况下，第一n连接部件51的n布线电极层46侧的粒径大的区域的硬度，比安装衬底11侧的区域小，因此，大幅度地被压碎。因此，第一n连接部件51的n布线电极层46侧的区域的侧壁51w，比安装衬底11侧的区域的侧壁51w更向外侧扩大。如此，能够实现图10所示的第一n连接部件51的侧壁51w的形状。
接着，对于本实施方式涉及的n布线电极层46中的配置一个以上的第一n连接部件51的区域即一个以上的第一n端子区域51r，利用图11A以及图11B进行说明。图11A以及图11B是示出本实施方式涉及的第一n端子区域51r与开口部44a的各个位置关系的平面图。在图11A以及图11B中示出，n布线电极层46的平面视中的第一n端子区域51r以及开口部44a的平面图。
如图11A示出，在n布线电极层46的平面视中，第一n端子区域51r的中心51rc，处于开口部44a的区域内。
如此，将第一n端子区域51r的中心51rc配置在开口部44a的区域内，据此，被配置在第一n端子区域51r的第一n连接部件51等那样的导电性部件的中央部被配置在开口部44a。因此，在安装时向导电性部件施加的力量之中的许多力量施加到没有配置绝缘层44的开口部44a。据此，能够减少在安装时向绝缘层44施加的力量，因此，能够抑制绝缘层44的破裂。而且，在此，在第一n端子区域51r的形状为圆形的情况下，第一n端子区域51r的中心51rc是，该圆的中心。并且，在第一n端子区域51r的形状不是圆形的情况下，例如，也可以将第一n端子区域51r的重心设定为第一n端子区域51r的中心51rc。
并且，如图11B示出，在n布线电极层46的平面视中也可以，第一n端子区域51r的中心51rc，与开口部44a的中心44ac一致。
如此，使第一n端子区域51r的中心51rc与开口部44a的中心44ac一致，据此，被配置在第一n端子区域51r的第一n连接部件51等那样的导电性部件的中央部被配置在开口部44a的中心44ac。因此，在安装时向导电性部件施加的力量之中的许多力量施加到没有配置绝缘层44的开口部44a。据此，能够减少在安装时向绝缘层44施加的力量，因此，能够抑制绝缘层44的破裂。
而且，在此，对于开口部44a的中心44ac，与第一n端子区域51r的中心51rc同样，在开口部44a的形状不是圆形的情况下，也可以将开口部44a的重心设定为中心44ac。并且，中心51rc与中心44ac一致的记载所规定的状态，不仅包括中心51rc与中心44ac完全一致的状态，也包括实质上一致的状态。例如，中心51rc与中心44ac一致的记载所规定的状态包括，中心51rc与中心44ac之间的距离为开口部44a的最大尺寸的5％以下左右的状态。
[1-5.变形例1]
接着，对于本实施方式的变形例1涉及的半导体发光元件，利用图12以及图13进行说明。图12以及图13是示出，本变形例涉及的半导体发光元件20a的结构的平面图以及截面图。图12示出，半导体发光元件20a的n布线电极层46的平面视中的平面图。图13示出，图12的XIII-XIII线的截面的一部分。
如图12以及图13示出，本变形例涉及的半导体发光元件20a，与实施方式1涉及的半导体发光元件20不同之处是，具有大小不同的第一n连接部件51b以及51s。在半导体发光元件20a中，在第一n连接部件51b以及51s设定，分别对应的第一n端子区域51rb以及51rs。在半导体发光元件20a中，在n布线电极层46的平面视中，一个以上的第一n端子区域的各个面积，与半导体发光元件20a的端部20ae近的一方更大。在图12以及图13中，与半导体发光元件20a的端部20ae近的第一n端子区域51rb的面积，比相对于第一n端子区域51rb离端部20ae远的第一n端子区域51rs的面积大。
在半导体发光元件20a的中央部，会成为散热路径的连接部件在全方向上存在，对此，在半导体发光元件20a的边缘部，会成为散热路径的连接部件仅在内侧方向上存在，因此，在半导体发光元件20a的边缘部会导致散热性变低。然而，在本变形例涉及的半导体发光元件20a中，扩大与端部20ae近的第一n端子区域51rb的面积，从而能够增大散热路径，因此，能够提高边缘部的散热性。
[1-6.变形例2]
接着，对于本实施方式的变形例2涉及的半导体发光元件，利用图14以及图15进行说明。图14以及图15是示出，本变形例涉及的半导体发光元件20b的结构的平面图以及截面图。图14示出，半导体发光元件20b的n布线电极层46的平面视中的平面图。图15示出，图14的XV-XV线的截面的一部分。
如图14以及图15示出，本变形例涉及的半导体发光元件20b，与实施方式1涉及的半导体发光元件20不同之处是，具有大小不同的开口部44ab以及44as。
在半导体发光元件20b中，在n布线电极层46的平面视中，开口部的面积，与半导体发光元件20b的端部20be近的一方更大。在图14以及图15中，与半导体发光元件20b的端部20be近的开口部44ab的面积，比相对于开口部44ab离端部20be远的开口部44as大。因此，在本变形例中，与半导体发光元件20b的端部20be近的n露出部30eb的面积，比相对于n露出部30eb离端部20be远的n露出部30es大。
如本实施方式的变形例1中说明，在半导体发光元件20b的边缘部，会导致散热性变低。然而，在本变形例涉及的半导体发光元件20b中，扩大与端部20be近的开口部44ab的面积，从而能够分散发热源，并且，能够增大散热路径，因此，能够提高边缘部的散热性。
(实施方式2)
说明实施方式2涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置。本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置，与实施方式1涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置不同之处是，除了第一n端子区域以外，还具有配置第二n连接部件的第二n端子区域。以下，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置，以与实施方式1涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置不同之处为中心进行说明。
[2-1.全体结构]
首先，对于本实施方式涉及的半导体发光元件的结构，利用图16以及图17进行说明。图16以及图17分别是示出本实施方式涉及的半导体发光元件120的全体结构的示意性的平面图以及截面图。图16示出半导体发光元件120n的布线电极层46的平面视中的平面图。图17示出图16的XVII-XVII线的半导体发光元件120的截面的一部分。
如图17示出，本实施方式涉及的半导体发光元件120具有，生长衬底22、半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、以及n布线电极层46。在本实施方式中，半导体发光元件120还具有，多个种子金属层56、一个以上的第一n连接部件51、一个以上的第二n连接部件152、以及p连接部件60。
一个以上的第二n连接部件152是，用于与外部电连接的导电性部件。一个以上的第二n连接部件152分别，在被配置在n露出部30e以外的n布线电极层46的一个以上的第二n端子区域152r，与n布线电极层46连接。换而言之，在被配置在n露出部30e以外的n布线电极层46上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第二n端子区域152r。而且，在本实施方式中，在第二n连接部件152与n布线电极层46之间，也配置种子金属层56。并且，第二n连接部件152的个数，若一个以上，则没有特别的限定。例如，第二n连接部件152的个数，也可以是多个。
而且，图中未示出，但是，将本实施方式涉及的半导体发光元件120安装到实施方式1涉及的安装衬底11，从而能够形成半导体发光装置。
[2-2.作用以及效果]
接着，说明本实施方式涉及的半导体发光元件120的作用以及效果。
如上所述，在本实施方式涉及的被配置在半导体发光元件120n的露出部30e以外的n布线电极层46上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第二n端子区域152r。而且，第二n端子区域152r的个数，若一个以上，则没有特别的限定。例如，第二n端子区域152r的个数，也可以是多个。
如此，设定第二n端子区域152r，据此，在第二n端子区域152r上配置第二n连接部件152那样的导电性部件的情况下，能够还形成实施方式1涉及的半导体发光元件20的散热路径以外的散热路径，因此，与实施方式1涉及的半导体发光元件20相比，能够更提高半导体发光元件120的散热性。
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光元件120的一个以上的第一n端子区域51r以及一个以上的第二n端子区域152r的结构，利用图18以及图19进行详细说明。图18是示出本实施方式涉及的配置在n露出部30e以外的n布线电极层46的平面图。图19是示出本实施方式涉及的第一n端子区域51r以及第二n端子区域152r的平面图。
在本实施方式中，在n布线电极层46的平面视中，图19示出的一个以上的第一n端子区域51r以及一个以上的第二n端子区域152r的面积的总和，比图18示出的配置在n露出部30e以外的n布线电极层46的面积的总和大。
如此，扩大第一n端子区域51r以及第二n端子区域152r的面积，据此，在第一n端子区域51r以及第二n端子区域152r配置导电性部件的情况下，能够增大散热路径，因此，能够提高半导体发光元件120的散热性。
并且，在本实施方式中，如图16以及图17示出，一个以上的第一n连接部件51与一个以上的第二n连接部件152相离。如此，第一n连接部件51与第二n连接部件152相离，据此，在安装时能够分散安装负荷，能够抑制绝缘层44的破裂。
[2-3.模拟结果]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光元件120的散热性，利用模拟结果进行说明。
图20A以及图20B分别是示出模拟中利用的本实施方式以及比较例涉及的半导体发光元件的结构的示意性的平面图。如图20A示出，本模拟中利用的半导体发光元件120具有，42个第一n连接部件51、36个第二n连接部件152、以及8个p连接部件60。而且，为了说明本实施方式涉及的半导体发光元件120的效果，对比较例涉及的半导体发光元件也一起进行模拟。比较例涉及的半导体发光元件1120，如图20B示出，与本实施方式涉及的半导体发光元件120不同之处是，不具有第一n连接部件51a，其他之处一致。
对于图20A以及图20B示出的各个半导体发光元件的模拟结果，利用图21以及图22进行说明。图21是示出本实施方式以及比较例涉及的各个半导体发光元件的发热分布以及温度分布的模拟结果的图。在图21中也一起示出发热量的最大值、以及温度的最大值及平均值。图22是示出本实施方式以及比较例涉及的各个半导体发光元件的发光层34的温度Tj的最大值与电流量的关系的模拟结果的图表。
本模拟，利用半导体层中的一维能带结构、和能够计算三维的电流分布以及温度分布的软件，进行了GaN系LED的发光输出、电压、以及温度分布的计算。将本实施方式以及比较例涉及的各个半导体发光元件的生长衬底22设为厚度100μm、热导率50W/m/K的蓝宝石衬底，将半导体层叠体30设为厚度12μm、热导率120W/m/K的GaN，将第一n连接部件51、第二n连接部件152以及p连接部件60设为厚度15μm、热导率300W/m/K的Au。并且，将安装各个半导体发光元件的安装衬底11的衬底12设为厚度300μm、热导率170W/m/K的AlN。进一步，在安装衬底11的不安装各个半导体发光元件的一侧的主面的全面使厚度2mm、热导率400W/m/K的Cu且温度Tc为105℃的散热板接触的条件下进行了模拟。并且，求出向各个半导体发光元件的半导体层叠体30的发光层34施加电压，提供1A至6A的电流时的发光层34的温度Tj。
如图21的上段示出，在本实施方式以及比较例涉及的各个半导体元件中，在哪个情况下发热都集中于n露出部30e。每单位时间的发热量的平均值，比较例中为7.7×105W/cm3，本实施方式中为7.9×105W/cm3那样同等。并且，每单位时间的发热量的最大值，比较例为3.9×106W/cm3，本实施方式为4.0×106W/cm3那样也同等。
然而，与比较例涉及的半导体发光元件1120相比，本实施方式涉及的半导体发光元件120的温度被抑制。
具体而言，如图21的下段示出，在比较例涉及的半导体发光元件1120中，发光层的温度Tj在n露出部30e附近高，成为150℃至165℃，在半导体发光元件1120的边缘部，超过170℃。
另一方面，在本实施方式涉及的半导体发光元件120中，n露出部30e附近的温度Tj为115℃，边缘部的温度也被抑制到135℃以下。如此，本实施方式涉及的半导体发光元件120中温度被抑制，这是因为，经由配置在发热量大的n露出部30e的第一n连接部件51，从n露出部30e向安装衬底11以及散热板高效率地散热的缘故。
并且，如图22示出，本实施方式涉及的半导体发光元件120能够，与比较例涉及的半导体发光元件相比，更抑制各个电流提供的发光层的温度Tj。在此，已知的是，在半导体发光元件中，若发光层34的温度Tj超过150℃，则可靠性显著被损坏。在比较例涉及的半导体发光元件中，若提供的电流量成为4A左右以上，则发光层34的温度Tj超过150℃，因此，可靠性被损坏。另一方面，在本实施方式涉及的半导体发光元件120中，在提供的电流量为0A至6A的任何情况下，发光层的温度Tj也都被抑制到150℃以下。如此，根据本实施方式涉及的半导体发光元件120，具备一个以上的第一n连接部件51，据此，能够抑制发光层34的温度上升。
[2-4.制造方法]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光元件120的制造方法，利用图23A至图23C进行说明。图23A至图23C是示出本实施方式涉及的半导体发光元件120的制造方法的各个工序的示意性的截面图。
首先，与实施方式1涉及的半导体发光元件20的制造方法同样，如图23A示出，在生长衬底22上，依次形成半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、n布线电极层46以及种子金属膜56M。在此，在n布线电极层46上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域51r以及一个以上的第二n端子区域152r。并且，在p布线电极层42上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域60r。
接着，如图23B示出，在一个以上的第一n端子区域51r分别形成一个以上的第一n连接部件51，在一个以上的第二n端子区域152r分别形成一个以上的第二n连接部件152。并且，在p端子区域60rp形成连接部件60。在本实施方式中，利用光刻技术形成一个以上的第一n端子区域51r、一个以上的第二n端子区域152r以及p端子区域60r开口的抗蚀图案，通过DC电解镀金法在抗蚀图案的开口部形成Au镀金之后，除去抗蚀膜。
接着，如图23C示出，除去种子金属膜56M的没有配置第一n连接部件51、第二n连接部件152以及p连接部件60的区域，从而形成种子金属层56。在本实施方式中，有选择地分别蚀刻形成种子金属膜56M的Au膜以及Ti膜，从而除去种子金属膜56M。如此，形成种子金属层56。
如上所述，制造本实施方式涉及的半导体发光元件120。而且，将半导体发光元件120安装在安装衬底11，从而能够制造本实施方式涉及的半导体发光装置。而且，在本实施方式中，除了一个以上的第一n连接部件51以外，一个以上的第二n连接部件152，也与安装衬底11的第一布线电极15接合。
(实施方式3)
说明实施方式3涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置。本实施方式涉及的半导体发光装置，与实施方式1涉及的半导体发光装置主要不同之处是，第一n连接部件以及p连接部件，被配置在安装衬底之后与半导体发光元件接合。以下，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置，以与实施方式1涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置不同之处为中心进行说明。
[3-1.全体结构]
首先，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置的结构，利用图24进行说明。图24是示出本实施方式涉及的半导体发光装置210的全体结构的示意性的截面图。图24示出半导体发光装置210的与图2A同样的截面。
如图24示出，本实施方式涉及的半导体发光装置具备，安装衬底11、以及半导体发光元件220。
半导体发光元件220具有，生长衬底22、半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、以及n布线电极层46。在本实施方式中，半导体发光元件220还具有，一个以上的第一n连接部件251、以及p连接部件260。在本实施方式中，一个以上的第一n连接部件251以及p连接部件260，被形成在安装衬底11之后，与半导体发光元件220接合，因此，不具有种子金属层56。
一个以上的第一n连接部件251分别是，用于与外部电连接的导电性部件。一个以上的第一n连接部件251分别，在一个以上的第一n端子区域251r与n布线电极层46连接。换而言之，在n布线电极层46，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域251r。而且，第一n连接部件251以及第一n端子区域251r的个数，若一个以上，则没有特别的限定。例如，第一n连接部件251以及第一n端子区域251r的个数，分别也可以是多个。
p连接部件260是，用于与外部电连接的导电性部件。p连接部件260，在p端子区域260r与p布线电极层42连接。换而言之，在p布线电极层42，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域260r。
在本实施方式涉及的半导体发光装置210中，也能够获得与实施方式1涉及的半导体发光装置10同样的效果。
[3-2.制造方法]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光装置210的制造方法，利用图25A至图25C进行说明。图25A至图25C是示出本实施方式涉及的半导体发光装置210的制造方法的各个工序的示意性的截面图。
首先，与实施方式1涉及的半导体发光装置10的制造方法同样，如图25A示出，在生长衬底22上，依次形成半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44以及n布线电极层46。在此，在n布线电极层46上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域251r。并且，在p布线电极层42上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域260r。
接着，如图25B示出，准备安装衬底11。在本实施方式中，在安装衬底11的第一布线电极15以及第二布线电极16，分别形成一个以上的第一n连接部件251以及p连接部件260。
接着，如图25C示出，将形成在安装衬底11的一个以上的第一n连接部件251以及p连接部件260，分别与n布线电极层46的一个以上的第一n端子区域251r、以及p布线电极层42的p端子区域260r接合。
如上所述，制造本实施方式涉及的半导体发光元件220以及半导体发光装置210。
[3-3.变形例]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置的变形例，利用图26A以及图26B进行说明。图26A是示出本变形例涉及的半导体发光装置210a的全体结构的示意性的截面图。
如图26A示出，本变形例涉及的半导体发光装置210a具有，安装衬底11、以及半导体发光元件220a。
半导体发光元件220a具有，生长衬底22、半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、以及n布线电极层46。在本变形例中，半导体发光元件220a还具有，一个以上的第一n连接部件251a、以及p连接部件260。
一个以上的第一n连接部件251a分别是，用于与外部电连接的导电性部件。一个以上的第一n连接部件251a分别，在一个以上的第一n端子区域251ar与n布线电极层46连接。换而言之，在n布线电极层46，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域251ar。而且，第一n连接部件251a以及第一n端子区域251ar的个数，若一个以上，则没有特别的限定。例如，第一n连接部件251a以及第一n端子区域251ar的个数，分别也可以是多个。
在本变形例涉及的一个以上的第一n连接部件251a、与n布线电极层46之间，如图26A示出，形成空洞部251av。这样的空洞部251av是，在安装衬底11形成第一n连接部件251a之后，将第一n连接部件251a与n布线电极层46接合时会形成的。例如，将第一n连接部件251a与n布线电极层46接合时的安装负荷设定为，比将实施方式3涉及的半导体发光装置210的第一n连接部件251接合时低，从而形成空洞部251av。
如上所述，在半导体发光元件220a的一个以上的第一n端子区域251ar，也可以存在一个以上的第一n连接部件251a不连接的区域。
并且，形成在本变形例涉及的一个以上的第一n连接部件251a、与n布线电极层46之间的空洞的形状，不仅限于图26A所示的例子。例如，也可以将空洞，形成在开口部44a的上方的全区域。对于这样的空洞的例子，利用图26B进行说明。图26B是示出本实施方式的其他的变形例涉及的半导体发光装置210b的全体结构的示意性的截面图。
如图26B示出，半导体发光装置210b具备的半导体发光元件220b具有，一个以上的第一n连接部件251b。一个以上的第一n连接部件251b分别，在一个以上的第一n端子区域251br与n布线电极层46连接。
在半导体发光元件220b中，在一个以上的第一n连接部件251b与n布线电极层46之间，形成空洞部251bv。半导体发光装置210b，与半导体发光装置210a不同之处是，一个以上的第一n连接部件251b以及空洞部251bv的结构，其他的结构一致。在半导体发光装置210b中，在开口部44a的上方的全区域，形成空洞部251bv。这样的空洞部251bv是，在安装衬底11形成第一n连接部件251b之后，将第一n连接部件251b与n布线电极层46接合时会形成的。例如，将第一n连接部件251b与n布线电极层46接合时的安装负荷设定为，比将实施方式3涉及的半导体发光装置210的第一n连接部件251接合时低，从而在开口部44a的上方的全区域形成空洞部251bv。
如上所述，即使在半导体发光元件220b的一个以上的第一n端子区域251br，存在一个以上的第一n连接部件251b不与n布线电极层46连接的区域，也能够将在n露出部的内侧面附近发生的热经由一个以上的第一n连接部件251b扩散，因此，能够提高半导体发光元件的散热性。
在本变形例涉及的半导体发光装置210a以及210b中，也能够获得与实施方式1涉及的半导体发光装置10同样的效果。
(实施方式4)
说明实施方式4涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置。本实施方式涉及的半导体发光装置，与实施方式1涉及的半导体发光装置主要不同之处是，第一n连接部件以及p连接部件，被配置在半导体发光元件以及安装衬底的双方之后彼此接合。以下，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置，以与实施方式1涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置不同之处为中心进行说明。
[4-1.全体结构]
首先，对于本实施方式涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置的结构，利用图27进行说明。图27是示出本实施方式涉及的半导体发光装置310的全体结构的示意性的截面图。图27示出与图2A的半导体发光装置10同样的截面。
如图27示出，本实施方式涉及的半导体发光装置具备，安装衬底11、以及半导体发光元件320。
半导体发光元件320具有，生长衬底22、半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、以及n布线电极层46。在本实施方式中，半导体发光元件320还具有，种子金属层56、一个以上的第一n连接部件351、以及p连接部件360。
一个以上的第一n连接部件351分别是，用于与外部电连接的导电性部件。一个以上的第一n连接部件351分别，在一个以上的第一n端子区域351r与n布线电极层46连接。换而言之，在n布线电极层46，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域351r。而且，第一n连接部件351以及第一n端子区域351r的个数，若一个以上，则没有特别的限定。例如，第一n连接部件351以及第一n端子区域351r的个数，分别也可以是多个。
在本实施方式中，第一n连接部件351包括，一组元件侧n连接部件51n以及安装衬底侧n连接部件251n。
元件侧n连接部件51n具有，与实施方式1涉及的第一n连接部件51同样的结构。安装衬底侧n连接部件251n具有，与实施方式3涉及的第一n连接部件251同样的结构。元件侧n连接部件51n，被配置在比安装衬底侧n连接部件251n更靠近半导体层叠体30的位置。
p连接部件360是，用于与外部电连接的导电性部件。p连接部件360，在p端子区域360r与p布线电极层42连接。换而言之，在p布线电极层42，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域360r。
在本实施方式中，p连接部件360包括，一组元件侧p连接部件60p以及安装衬底侧p连接部件260p。
元件侧p连接部件60p具有，与实施方式1涉及的p连接部件60同样的结构。安装衬底侧p连接部件260p具有，与实施方式3涉及的p连接部件260同样的结构。元件侧p连接部件60p，被配置在比安装衬底侧p连接部件260p更靠近半导体层叠体30的位置。
在本实施方式涉及的半导体发光装置310中，也能够获得与实施方式1涉及的半导体发光装置10同样的效果。
[4-2.制造方法]
接着，对于本实施方式涉及的半导体发光装置310的制造方法，利用图28A至图28C进行说明。图28A至图28C是示出本实施方式涉及的半导体发光装置310的制造方法的各个工序的示意性的截面图。
首先，与实施方式1涉及的半导体发光装置10的制造方法同样，如图28A示出，在生长衬底22上，依次形成半导体层叠体30、p布线电极层42、绝缘层44、n布线电极层46、种子金属层56、一个以上的元件侧n连接部件51n以及元件侧p连接部件60p。在此，在n布线电极层46上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第一n端子区域351r。并且，在p布线电极层42上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的p端子区域360r。接着，将一个以上的元件侧n连接部件51n以及元件侧p连接部件60p，分别形成在n布线电极层46的一个以上的第一n端子区域351r、以及p布线电极层42的p端子区域360r。
接着，如图28B示出，准备安装衬底11。在本实施方式中，与实施方式3涉及的半导体发光装置210的制造方法同样，在安装衬底11的第一布线电极15以及第二布线电极16，分别形成一个以上的安装衬底侧n连接部件251n以及安装衬底侧p连接部件260p。
接着，将形成在安装衬底11的一个以上的安装衬底侧n连接部件251n以及安装衬底侧p连接部件260p，分别与一个以上的元件侧n连接部件51n、以及元件侧p连接部件60p接合。据此，如图28C示出，形成一个以上的第一n连接部件351以及p连接部件360。在此，一个以上的第一n连接部件351分别包括，一组元件侧n连接部件51n以及安装衬底侧n连接部件251n，p连接部件360包括，一组元件侧p连接部件60p以及安装衬底侧p连接部件260p。
如上所述，制造本实施方式涉及的半导体发光元件320以及半导体发光装置310。
(变形例等)
以上，对于本公开涉及的半导体发光元件以及半导体发光装置，根据各个实施方式进行了说明，但是，本公开，不仅限于所述各个实施方式。
例如，在所述各个实施方式中，n布线电极层46上设定的第一n端子区域，与n布线电极层46上配置第一n连接部件的区域一致，但是，它们并不一定需要一致。例如，也可以不在第一n端子区域的全体配置第一n连接部件，也可以在第一n端子区域以外的区域配置第一n连接部件的一部分。
并且，在半导体发光元件中，在配置第一n连接部件、第二n连接部件以及p连接部件之前的状态下，设定的第一n端子区域、第二n端子区域以及p端子区域，例如，也可以标记在半导体发光元件的n布线电极层以及p布线电极层，也可以表示在半导体发光元件的说明书等中。
并且，对所述各个实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态，或在不脱离本公开的宗旨的范围内任意组合所述各个实施方式的构成要素以及功能来实现的形态，也包含在本公开中。
本公开的半导体发光元件以及半导体发光装置也可以，作为例如高输出且高效率的光源应用于投影仪等。
符号说明
10、10b、210、210a、210b、310 半导体发光装置
11 安装衬底
12 基板
15 第一布线电极
15e、20ae、20be、51e 端部
16 第二布线电极
20、20a、20b、120、220、220a、220b、320、1120 半导体发光元件
22 生长衬底
30 半导体层叠体
30b 底面
30e、30eb、30es n露出部
30s 内侧面
32 n型层
34 发光层
36 p型层
42 p布线电极层
44 绝缘层
44a、44ab、44as 开口部
44ac、51rc 中心
46 n布线电极层
51、51b、51s、251、251a、251b、351 第一n连接部件
51n 元件侧n连接部件
51r、51rb、51rs、251ar、251br、251r、351r 第一n端子区域
51w 侧壁
56 种子金属层
56M 种子金属膜
60、260、360 p连接部件
60p 元件侧p连接部件
60r、260r、360r p端子区域
152 第二n连接部件
152r 第二n端子区域
251av、251bv 空洞部
251n 安装衬底侧n连接部件
260p 安装衬底侧p连接部件

Claims (19)

1.一种半导体发光装置，具有半导体发光元件和具有第一布线电极及第二布线电极的安装衬底，
所述半导体发光元件，具有：
半导体层叠体，具有n型层、被配置在所述n型层的上方的发光层、以及被配置在所述发光层的上方的p型层，该半导体层叠体具有作为所述n型层露出的凹部的一个以上的n露出部；
p布线电极层，被配置在所述p型层上；
绝缘层，连续地覆盖所述一个以上的n露出部的内侧面、以及所述p布线电极层的上方的一部分，具有在所述一个以上的n露出部的底面使所述n型层露出的开口部；
n布线电极层，在所述开口部与所述n型层接触，经由所述绝缘层被配置在所述p型层以及所述p布线电极层的上方；以及
作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第一n连接部件，
所述一个以上的第一n连接部件，是由Au构成的凸块，分别在一个以上的第一n端子区域与所述n布线电极层连接，
在平面视图中所述一个以上的第一n端子区域，包括所述开口部的上方的区域的至少一部分，
在与所述半导体层叠体的层叠方向平行的截面，在所述一个以上的第一n端子区域的下方，配置所述n布线电极层以及所述p型层，
所述一个以上的第一n连接部件，与所述安装衬底的所述第一布线电极接合，
所述p布线电极层，在从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域，经由作为导电性部件的p连接部件与所述安装衬底的第二布线电极接合。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，
还具有作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第二n连接部件，
所述一个以上的第二n连接部件，分别在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的一个以上的第二n端子区域，与所述n布线电极层连接。
3.如权利要求2所述的半导体发光装置，
所述一个以上的第一n连接部件与所述一个以上的第二n连接部件相离。
4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光装置，
所述一个以上的第一n连接部件的粒径，比所述n布线电极层的粒径大。
5.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光装置，
具有：
p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及
种子金属层，被配置在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间，以及所述p连接部件与p布线电极层之间，所述种子金属层的离所述半导体层叠体远的一侧的表面由Au构成，
所述一个以上的第一n连接部件以及所述p连接部件由Au构成。
6.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光装置，
具有：
p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及
空洞部，被形成在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间。
7.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光装置，
具有p连接部件，该p连接部件被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域，
所述一个以上的第一n连接部件分别包括一组元件侧n连接部件以及安装衬底侧n连接部件，
所述p连接部件包括一组元件侧p连接部件以及安装衬底侧p连接部件，
所述元件侧n连接部件，被配置在比所述安装衬底侧n连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置，
所述元件侧p连接部件，被配置在比所述安装衬底侧p连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置。
8.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
所述一个以上的第一n连接部件的与所述第一布线电极的接合面的端部，相对于所述安装衬底的所述第一布线电极的端部，在所述第一布线电极的内侧被配置为分离。
9.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在与所述层叠方向平行的截面，所述一个以上的第一n连接部件的所述开口部上的粒径，比所述p型层上的粒径大。
10.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在与所述层叠方向平行的截面，所述一个以上的第一n连接部件，在所述n布线电极层侧，越接近所述n布线电极层，侧壁就越向外侧扩展。
11.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在所述n布线电极层的平面视图中，所述一个以上的第一n端子区域的总面积，比被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的总面积大。
12.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在所述n布线电极层的平面视图中，关于所述一个以上的第一n端子区域各自的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述第一n端子区域更大。
13.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在所述n布线电极层的平面视图中，关于所述开口部的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述开口部更大。
14.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在所述n布线电极层的平面视图中，所述一个以上的第一n端子区域的中心，位于所述开口部的区域内。
15.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
在所述n布线电极层的平面视图中，所述一个以上的第一n端子区域的中心，与所述开口部的中心一致。
16.如权利要求11所述的半导体发光装置，
在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第二n端子区域。
17.如权利要求14所述的半导体发光装置，
在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层上，设定作为配置用于与外部电连接的导电性部件的区域的一个以上的第二n端子区域。
18.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
所述一个以上的第一n连接部件各自的与所述n布线电极层近的端部的粒径，比离所述n布线电极层远的端部的粒径大。
19.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，
所述一个以上的第一n连接部件各自的离所述n布线电极层远的端部的粒径是0.9μm以上且2.6μm以下。
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