CN115197121A - 发光装置及用于发光装置的含氮化合物 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及发光装置，所述发光装置包括：第一电极；设置在所述第一电极上的空穴传输区；设置在所述空穴传输区上的发射层；设置在所述发射层上的电子传输区；以及设置在所述电子传输区上的第二电极，其中所述空穴传输区包含式1的化合物：式1
Figure DDA0003579338380000011
其中在所述式1中，变量在本文中描述。

Description

发光装置及用于发光装置的含氮化合物
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年4月5日提交的第10-2021-0044251号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方案一般涉及显示装置，并且更具体地涉及发光装置以及用于发光装置的含氮化合物。
背景技术
近来，正在积极地开发有机电致发光显示器作为图像显示器的用途。有机电致发光显示器不同于液晶显示器并且是所谓的自发光显示器，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光以实现显示。
需要有机电致发光装置作为显示器的用途，有机电致发光装置的驱动电压的降低，以及有机电致发光装置的发射效率和使用寿命的增加。因此，还需要用于可以稳定地实现这些特性的有机电致发光装置的材料。
本背景技术章节中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。
发明内容
当发光装置包含根据本发明的原理和示例性实施方式制备的含氮化合物时，所述发光装置具有高发射效率。因此，根据本发明的原理和示例性实施方式制备的含氮化合物能够改善在发光装置的空穴传输区中包含此类含氮化合物的发光装置的发射效率和使用寿命。
本发明构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；设置在所述第一电极上的空穴传输区；设置在所述空穴传输区上的发射层；设置在所述发射层上的电子传输区；以及设置在所述电子传输区上的第二电极，其中所述空穴传输区包含式1的化合物：
式1
Figure BDA0003579338360000021
其中在所述式1中，变量在本文中描述。
所述空穴传输区可以包括：设置在所述第一电极上的空穴注入层；以及设置在所述空穴注入层上的空穴传输层，以及所述式1的所述化合物可以被包含在所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个中。
所述空穴传输区可以包括：设置在所述第一电极上的空穴传输层；设置在所述空穴传输层上的电子阻挡层，以及所述电子阻挡层可以包含所述式1的所述化合物。
基团X可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，包括呋喃环、噻吩环、吡咯环和噻咯环中的任一个。
所述式1的所述基团X可以具有如本文描述的式3-1或式3-2。
所述式2的所述环B可以是取代或未取代的具有6个至18个成环碳原子的芳基环或者包括呋喃环、噻吩环、吡咯环和噻咯环中的任一个的取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基环。
所述式2可以具有如本文描述的式4。
所述式1的变量L可以是直连键或者取代或未取代的具有6个至18个碳原子的亚芳基基团。
所述式1可以具有如本文描述的式5。
所述式1的所述变量Ar1和Ar2可以相同。
所述式5可以具有如本文描述的式6-1。
所述式5可以具有如本文描述的式6-2。
所述式1的所述化合物可以是如本文描述的化合物组1中的至少一种化合物。
根据本发明的另一方面，化合物由式1表示：
式1
Figure BDA0003579338360000031
其中在所述式1中，变量在本文中描述。
所述式1可以具有如本文描述的式3-1或式3-2。
所述式2可以具有如本文描述的式4。
所述式1可以具有如本文描述的式5。
所述式5可以具有如本文描述的式6-1。
所述式5可以具有如本文描述的式6-2。
所述式1的所述化合物可以是如本文描述的化合物组1中的至少一种化合物。
应理解，前述一般描述和以下详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本发明的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的实施方案的平面图。
图2是沿图1的线I-I'截取的横截面视图。
图3是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。
图4是根据本发明的原理构造的发光装置的另一个实施方案的示意性横截面视图。
图5是根据本发明的原理构造的发光装置的另一个实施方案的示意性横截面视图。
图6是根据本发明的原理构造的发光装置的又一个实施方案的示意性横截面视图。
图7是包括根据本发明的原理构造的发光装置的显示设备的另一个实施方案的横截面视图。
图8是包括根据本发明的原理构造的发光装置的显示设备的另一个实施方案的横截面视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见地，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中使用或实施。
除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以阐明相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述性目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方案可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。同样，相同的参考数字表示相同的元件，并且省略重复的解释以避免冗余。
当诸如层的元件被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件、或者“联接至”另一个元件时，其可以直接在另一个元件上、直接连接至另一个元件、或者直接联接至另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件、或者“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴不局限于直角坐标系的三个轴，例如x-轴、y-轴和z-轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种)或多于两个(种)的任意组合，例如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性目的，并且由此，以描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向之外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符被相应地解释。
本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、数字、整数、步骤、操作、元件、部件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、数字、整数、步骤、操作、元件、部件、组件和/或其群组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
参考截面图示和/或分解图示在本文描述各种实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方案不应必须被解释为局限于区的具体例示的形状，而应包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必旨在限制。
除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文明确如此定义。
定义
如本文使用，术语“原子”可以意指元素或者键合至一个或多于一个的其它原子的其相应基团。
术语“氢”和“氘”是指它们各自的原子和相应的基团，其中氘基团缩写为“-D”，并且缩写“-F、-Cl、-Br和-I”分别是氟、氯、溴和碘的基团。
如本文描述，术语“取代或未取代的”对应于被选自由氘原子、卤素原子、氰基基团、硝基基团、氨基基团、甲硅烷基基团、氧基基团、硫基基团、亚磺酰基基团、磺酰基基团、羰基基团、硼基团、氧化膦基团、硫化膦基团、烷基基团、烯基基团、炔基基团、烷氧基基团、烃环基团、芳基基团和杂环基团组成的组中的至少一个取代基取代的,或未取代的。此外，例示的取代基中的每一个可以是取代或未取代的。例如，联苯基基团可以被解释为芳基基团或者被苯基基团取代的苯基基团。
如本文使用，术语“经由与相邻基团结合形成环”可以意指经由与相邻基团结合形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以是单环或多环。此外，经由与相邻基团结合而形成的环可以与另一个环结合以形成螺结构。
如本文使用，术语“相邻基团”可以意指对与被相应取代基取代的原子直接结合的原子进行取代的取代基、对被相应取代基取代的原子进行取代的另一个取代基、或者空间定位在与相应取代基最近位置处的取代基。例如，在1,2-二甲基苯中，两个甲基基团可以解释为彼此“相邻基团”，并且在1,1-二乙基环戊烷中，两个乙基基团可以解释为彼此“相邻基团”。此外，在4,5-二甲基菲中，两个甲基基团可以解释为彼此“相邻基团”。
如本文使用，卤素原子可以是氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
如本文使用，烷基基团可以是直链、支链或环状的类型。烷基基团的碳数可以是1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基基团的实例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，而不受限制。
如本文使用，烃环基团意指衍生自脂肪族烃环的任选的官能团或取代基。烃环基团可以是具有5个至20个成环碳原子的饱和的烃环基团。
如本文使用，芳基基团意指衍生自芳香族烃环的任选的官能团或取代基。芳基基团可以是单环芳基基团或多环芳基基团。用于形成芳基基团的碳数可以是6至30、6至20或6至15。芳基基团的实例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、
Figure BDA0003579338360000082
基等，而不受限制。
如本文使用，芴基基团可以是取代的，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。取代的芴基基团的实例如下。然而，实施方案不限于此。
Figure BDA0003579338360000081
如本文使用，杂环基团可以意指衍生自包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为一个或多于一个的杂原子的环的任选的官能团或取代基。杂环基团包括脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团。芳香族杂环基团可以是杂芳基基团。脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团可以是单环或多环。
如本文使用，杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。在其中杂环基团包含两个或多于两个的杂原子的情况下，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂环基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团，并且具有包括杂芳基基团的概念。杂环基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。
如本文使用，脂肪族杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。脂肪族杂环基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。脂肪族杂环基团的实例可以包括氧杂环丙烷基团、硫杂环丙烷基团、吡咯烷基团、哌啶基团、四氢呋喃基团、四氢噻吩基团、硫杂环己烷基团、四氢吡喃基团、1,4-二氧杂环己烷基团等，而不受限制。
如本文使用，杂芳基基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。如果杂芳基基团包含两个或多于两个的杂原子，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂芳基基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团。杂芳基基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。杂芳基基团的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，而不受限制。
如本文使用，对芳基基团的解释可以适用于亚芳基基团，但亚芳基基团是二价基团。对杂芳基基团的解释可以适用于亚杂芳基基团，但亚杂芳基基团是二价基团。
如本文使用，甲硅烷基基团包括烷基甲硅烷基基团和芳基甲硅烷基基团。甲硅烷基基团的实例包括三甲基甲硅烷基基团、三乙基甲硅烷基基团、叔丁基二甲基甲硅烷基基团、丙基二甲基甲硅烷基基团、三苯基甲硅烷基基团、二苯基甲硅烷基基团、苯基甲硅烷基基团等，而不受限制。
如本文使用，硫基基团可以包括烷基硫基基团和芳基硫基基团。硫基基团可以意指与硫原子结合的以上定义的烷基基团或芳基基团。硫基基团的实例包括甲基硫基基团、乙基硫基基团、丙基硫基基团、戊基硫基基团、己基硫基基团、辛基硫基基团、十二烷基硫基基团、环戊基硫基基团、环己基硫基基团、苯基硫基基团、萘基硫基基团等，而不受限制。
如本文使用，烯基基团可以是直链或支链。烯基基团的碳数不受特别限制，但可以是2至30、2至20或2至10。烯基基团的实例可以包括乙烯基基团、1-丁烯基基团、1-戊烯基基团、1,3-丁二烯基基团、苯乙烯基基团、苯乙烯基乙烯基基团等，而不受限制。
如本文使用，胺基团的碳数不受特别限制，但可以是1至30、1至20或1至10。胺基团可以包括烷基胺基团、芳基胺基团或杂芳基胺基团。胺基团的实例包括甲基胺基团、二甲基胺基团、苯基胺基团、二苯基胺基团、萘基胺基团、9-甲基-蒽基胺基团等，而不受限制。
如本文使用，烷基硫基基团、烷基磺酰氧基基团、烷基芳基基团、烷基氨基基团、烷基硼基团、烷基甲硅烷基基团和烷基胺基团中的烷基基团可以与以上描述的烷基基团的实例相同。
如本文使用，芳氧基基团、芳硫基基团、芳基磺酰氧基基团、芳基氨基基团、芳基硼基团和芳基甲硅烷基基团中的芳基基团可以与以上描述的芳基基团的实例相同。
如本文使用，直连键可以意指单键。
如本文使用，“”意指待连接的位置。
在下文，参考附图解释实施方案。
图1至图2
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的实施方案的平面图。图2是沿图1的线I-I'截取的横截面视图。
显示设备DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光装置ED-1、ED-2和ED-3。显示设备DD可以包括多个发光装置ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上并且控制由外部光在显示面板DP处反射的光。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。与图2中例示的视图不同，在显示设备DD中可以省略光学层PP。
在光学层PP上，可以设置基体衬底BL。基体衬底BL可以是提供其中设置光学层PP的基体表面的构件。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本发明的实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。此外，与附图不同，在实施方案中可以省略基体衬底BL。
显示设备DD可以进一步包括封堵层。封堵层可以设置在显示装置层DP-ED与基体衬底BL之间。封堵层可以是有机层。封堵层可以包含丙烯酸树脂、基于硅酮的树脂和基于环氧的树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示装置层DP-ED。显示装置层DP-ED可以包括像素限定层PDL，设置在像素限定层PDL中的发光装置ED-1、ED-2和ED-3，以及设置在发光装置ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以是提供其中设置显示装置层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
在实施方案中，电路层DP-CL设置在基体层BS上，并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管中的每一个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示装置层DP-ED的发光装置ED-1、ED-2和ED-3的驱动晶体管。
发光装置ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以具有以下将解释的根据图3至图6的发光装置ED的结构。发光装置ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以包括第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B，电子传输区ETR和第二电极EL2。
在图2中，示出了其中设置了限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中的发光装置ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B，并且空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2在所有发光装置ED-1、ED-2和ED-3中提供为公共层的实施方案。然而，实施方案不限于此。不同于图2，在实施方案中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以图案化并且提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。例如，在实施方案中，发光装置ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区ETR可以通过喷墨印刷法图案化。
封装层TFE可以覆盖发光装置ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以封装显示装置层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是一个层或多个层的堆叠的层。封装层TFE包括至少一个绝缘层。封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文，封装无机层)。此外，封装层TFE可以包括至少一个有机层(在下文，封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层保护显示装置层DP-ED免受水分和氧气中的至少一种的影响，并且封装有机层保护显示装置层DP-ED免受诸如粉尘颗粒的外来物质的影响。封装无机层可以包含硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物或铝氧化物，而不受具体限制。封装有机层可以包含丙烯酸化合物、基于环氧的化合物等。封装有机层可以包含可光聚合的有机材料，而不受具体限制。封装层TFE可以设置在第二电极EL2上并且可以在填充开口部分OH的同时设置。
参考图1和图2，显示设备DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是分别发射由发光装置ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此分开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是由像素限定层PDL分开的区域。非发光区域NPXA可以是相邻发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域并且可以是对应于像素限定层PDL的区域。如本文描述，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可以重叠每个像素。像素限定层PDL可以分隔发光装置ED-1、ED-2和ED-3。发光装置ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以设置并且分隔在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。
根据由发光装置ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分成多个组。在图1和图2中示出的显示设备DD中，将发射红色光、绿色光和蓝色光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B例示为实施方案。例如，显示设备DD可以包括彼此分开的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在显示设备DD中，多个发光装置ED-1、ED-2和ED-3可以发射具有不同波长区的光。例如，在实施方案中，显示设备DD可以包括发射红色光的第一发光装置ED-1、发射绿色光的第二发光装置ED-2和发射蓝色光的第三发光装置ED-3。即，显示设备DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每一个可以重叠第一发光装置ED-1、第二发光装置ED-2和第三发光装置ED-3。
然而，实施方案不限于此，并且第一发光装置至第三发光装置ED-1、ED-2和ED-3可以发射相同波长区中的光，或者其中的至少一个可以发射不同波长区中的光。例如，第一发光装置至第三发光装置ED-1、ED-2和ED-3全部可以发射蓝色光。
显示设备DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以布置成大致伸长(条纹)形状。参考图1，可以沿第二方向轴DR2布置多个红色发光区域PXA-R、多个绿色发光区域PXA-G和多个蓝色发光区域PXA-B。此外，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿第一方向轴DR1交替地布置。
在图1和图2中，类似地描绘了发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积，但实施方案不限于此。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以根据发射的光的波长区而彼此不同。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以意指由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面面积。第三方向轴DR3可以垂直于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的配置不限于图1中示出的特征，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置顺序可以根据显示设备DD所需的显示品质的性质而以各种组合提供。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的配置可以是由韩国京畿道的三星显示有限公司(Samsung Display Co.,Ltd.)以商品名PenTilematrix销售的配置或者菱形配置。
此外，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施方案中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但实施方案不限于此。
图3至图6
图3是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。图4是根据本发明的原理构造的发光装置的另一个实施方案的示意性横截面视图。图5是根据本发明的原理构造的发光装置的另一个实施方案的示意性横截面视图。图6是根据本发明的原理构造的发光装置的又一个实施方案的示意性横截面视图。
在下文，图3至图6是示意性地示出发光装置的各种实施方案的横截面视图。实施方案的发光装置ED可以包括按顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML和第二电极EL2。
当与图3相比时，图4示出了发光装置ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。当与图3相比时，图5示出了实施方案的发光装置ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。当与图4相比时，图6示出了发光装置ED的横截面视图，所述发光装置ED包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL。
第一电极EL1具有导电性。可以使用金属合金或导电化合物形成第一电极EL1。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，实施方案不限于此。此外，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。如果第一电极EL1是透射电极，第一电极EL1可以包含透明金属氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO))。如果第一电极EL1是半透反射电极或反射电极，第一电极EL1可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。此外，第一电极EL1可以具有多个层的结构，所述多个层包括使用以上材料形成的反射层或半透反射层，以及使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射导电层。例如，第一电极EL1可以包括ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，实施方案不限于此。第一电极EL1的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000151
至约
Figure BDA0003579338360000152
例如，第一电极EL1的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000153
至约
Figure BDA0003579338360000154
在第一电极EL1上提供空穴传输区HTR。空穴传输区HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一种。空穴传输区HTR的厚度可以是，例如，约
Figure BDA0003579338360000155
至约
Figure BDA0003579338360000156
空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的结构，并且可以具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。另外，空穴传输区HTR可以具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或者从第一电极EL1堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲层、空穴传输层HTL/空穴缓冲层或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL的结构，而不受限制。
发光装置ED的空穴传输区HTR包含根据本发明的实施方案制备的胺化合物。实施方案的含氮化合物由以下式1表示。
式1
Figure BDA0003579338360000161
在式1中，X是包含O、S、N和Si中的任一个的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。在式1中，L是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。在式1中，环A是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基环。在式1中，“a”和“b”各自独立地是0至3的整数，如果“a”是2或大于2，多个R1基团相同或不同，并且如果“b”是2或大于2，多个R2基团相同或不同。
在式1中，R1和R2各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、硝基基团、氰基基团、羟基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫醇基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式1中，Ar1和Ar2各自独立地由以下式2表示。
式2
Figure BDA0003579338360000162
在式2中，Y是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团或者包括呋喃环、噻吩环、吡咯环和噻咯环中的任一个的取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。在式2中，环B是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基环。符号*是与相邻原子的结合位点。
在实施方案中，式1的X可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，包括呋喃环、噻吩环、吡咯环和噻咯环中的任一个。
在实施方案中，式1的L可以是直连键或者取代或未取代的具有6个至18个成环碳原子的亚芳基基团。例如，式1的L可以是取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚联苯基基团、或者取代或未取代的亚三联苯基基团。在实施方案中，式1的X可以由以下式3-1或式3-2表示。
式3-1
Figure BDA0003579338360000171
式3-2
Figure BDA0003579338360000172
在式3-1或式3-2中，R3和R4可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式3-1中，“c”是0至8的整数，如果“c”是2或大于2，多个R3基团相同或不同。在式3-2中，“d”是0至7的整数，如果“d”是2或大于2，多个R4基团相同或不同。
在式3-2中，X2可以是O、S、NAr3或SiAr4Ar5，以及Ar3至Ar5可以各自独立地是取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。符号*是与相邻原子的结合位点。
在实施方案中，式1可以由以下式5表示：
式5
Figure BDA0003579338360000181
在式5中，R5可以是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式5中，“e”是0至4的整数，如果“e”是2或大于2，多个R5基团相同或不同。在式5中，R1、R2、L、X、Ar1、Ar2、“a”和“b”与式1中定义的相同。
在实施方案中，式1的Ar1和Ar2可以相同。在实施方案中，式5可以由以下式6-1表示。
式6-1
Figure BDA0003579338360000182
在式6-1中，R3和R6可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式6-1中，“c”是0至8的整数，如果“c”是2或大于2，多个R3基团相同或不同。在式6-1中，“f”是0至4的整数，如果“f”是2或大于2，多个R6基团相同或不同。在式6-1中，“n”可以是0至3的整数。在式6-1中，R1、R2、R5、Ar1、Ar2、“a”、“b”和“e”与式5中定义的相同。
在实施方案中，式5可以由以下式6-2表示。
式6-2
Figure BDA0003579338360000191
在式6-2中，R4和R6可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式6-2中，“d”是0至7的整数，如果“d”是2或大于2，多个R4基团相同或不同。在式6-2中，“f”是0至4的整数，如果“f”是2或大于2，多个R6基团相同或不同。在式6-2中，“n”可以是0至3的整数。
在式6-2中，X2可以是O、S、NAr3或SiAr4Ar5，以及Ar3至Ar5可以各自独立地是取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。在式6-2中，R1、R2、R5、Ar1、Ar2、“a”、“b”和“e”与式5中定义的相同。在实施方案中，式2可以由以下式4表示。
式4
Figure BDA0003579338360000201
在式4中，Ra可以是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。在式4中，“g”是0至4的整数，如果“g”是2或大于2，多个Ra基团相同或不同。在式4中，Y与式2中定义的相同。符号*是与相邻原子的结合位点
实施方案的由式1表示的含氮化合物可以是选自在以下化合物组1中表示的化合物中的任一种。然而，本发明的实施方案不限于此。
化合物组1
Figure BDA0003579338360000202
Figure BDA0003579338360000211
Figure BDA0003579338360000221
Figure BDA0003579338360000231
Figure BDA0003579338360000241
Figure BDA0003579338360000251
Figure BDA0003579338360000261
再参考图3至图6，将解释根据实施方案的发光装置ED。如以上描述，空穴传输区HTR包含上述含氮化合物的实施方案。例如，空穴传输区HTR包含由式1表示的含氮化合物。
如果空穴传输区HTR具有含多个层的多层结构，所述多个层中的任一层可以包含由式1表示的含氮化合物。例如，空穴传输区HTR可以包括设置在第一电极EL1上的空穴注入层HIL和设置在空穴注入层HIL上的空穴传输层HTL，并且空穴传输层HTL可以包含由式1表示的含氮化合物。然而，实施方案不限于此，并且例如，空穴注入层HIL可以包含由式1表示的含氮化合物。
空穴传输区HTR可以包含一种或两种或多于两种的类型的由式1表示的含氮化合物。例如，空穴传输区HTR可以包含选自化合物组1中表示的化合物中的至少一种。可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett，LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成空穴传输区HTR。
空穴传输区HTR可以进一步包含由以下式H-1表示的化合物。
式H-1
Figure BDA0003579338360000271
在以上式H-1中，L1和L2可以各自独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。“a”和“b”可以各自独立地是0至10的整数。如果“a”或“b”是2或大于2的整数，多个L1和L2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
在式H-1中，Ar1和Ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。此外，在式H-1中，Ar3可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团。
由式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。另外，由式H-1表示的化合物可以是二胺化合物，其中Ar1至Ar3中的至少一个包括胺基团作为取代基。此外，由式H-1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3中的至少一个包括取代或未取代的咔唑基团的基于咔唑的化合物或者其中Ar1至Ar3中的至少一个包括取代或未取代的芴基团的基于芴的化合物。
由式H-1表示的化合物可以由以下化合物组H中的化合物中的任一种表示。然而，化合物组H中示出的化合物仅是例示，并且由式H-1表示的化合物不限于在以下化合物组H中表示的化合物。
化合物组H
Figure BDA0003579338360000281
Figure BDA0003579338360000291
空穴传输区HTR可以包含酞菁化合物(例如铜酞菁)、N1,N1'-([1,1'-联苯基]-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD)、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(1-TNATA)、4,4',4”-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、N,N'-二(1-萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]和二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)。
空穴传输区HTR可以包含例如咔唑衍生物(例如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、基于芴的衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、基于三苯胺的衍生物(例如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(1-萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)等。
空穴传输区HTR可以包含9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。空穴传输区HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包含空穴传输区的化合物。
空穴传输区HTR的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000292
至约
Figure BDA0003579338360000293
例如，约
Figure BDA0003579338360000294
至约
Figure BDA0003579338360000295
空穴注入层HIL的厚度可以是，例如，约
Figure BDA0003579338360000296
至约
Figure BDA0003579338360000297
空穴传输层HTL的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000298
至约
Figure BDA0003579338360000299
例如，电子阻挡层EBL的厚度可以是约
Figure BDA00035793383600002910
至约
Figure BDA00035793383600002911
如果空穴传输区HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足以上描述的范围，可以实现令人满意的空穴传输性质，而没有驱动电压的显著增加。
除了以上描述的材料之外，空穴传输区HTR可以进一步包含电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可以是，例如，p-掺杂剂。p-掺杂剂可以包括醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的任一种，而不受限制。例如，p-掺杂剂的非限制性实例可以包括醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(例如氧化钨和氧化钼)等，而不受限制。
如以上描述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可以进一步包括空穴缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴缓冲层可以根据由发射层EML发射的光的波长来补偿共振距离，并且尽管不希望受理论束缚，但可以增加发光效率。作为包含在空穴缓冲层中的材料，可以使用可以包含在空穴传输区HTR中的材料。电子阻挡层EBL是起阻挡从电子传输区ETR至空穴传输区HTR的电子注入的作用的层。
在空穴传输区HTR上提供发射层EML。发射层EML可以具有例如约
Figure BDA0003579338360000301
至约
Figure BDA0003579338360000302
或约
Figure BDA0003579338360000303
至约
Figure BDA0003579338360000304
的厚度。发射层EML可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
在发光装置ED的实施方案中，发射层EML可以包含蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
Figure BDA0003579338360000305
衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并菲衍生物。特别地，发射层EML可以进一步包含蒽衍生物或芘衍生物。
在图3至图6中示出的发光装置ED中，发射层EML可以包含主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包含由以下式E-1表示的化合物。由以下式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料。
式E-1
Figure BDA0003579338360000311
在式E-1中，R31至R40可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。变量R31至R40可以与相邻基团结合以形成饱和的烃环、不饱和的烃环、饱和的杂环或不饱和的杂环。
在式E-1中，“c”和“d”可以各自独立地是0至5的整数。
式E-1可以由以下化合物E1至化合物E19中的任一种表示。
Figure BDA0003579338360000312
Figure BDA0003579338360000321
发射层EML可以包含由以下式E-2a或式E-2b表示的化合物。由以下式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
式E-2a
Figure BDA0003579338360000322
在式E-2a中，a可以是0至10的整数，La可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。如果“a”是2或大于2的整数，多个La可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
此外，在式E-2a中，A1至A5可以各自独立地是N或CRi。变量Ra至Ri可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者可以与相邻基团结合以形成环。变量Ra至Ri可以与相邻基团结合以形成烃环或者包含N、O、S等作为成环原子的杂环。在式E-2a中，选自A1至A5中的两个或三个可以是N，并且余者可以是CRi。
式E-2b
Figure BDA0003579338360000331
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以各自独立地是未取代的咔唑基团、或者被具有6个至30个成环碳原子的芳基基团取代的咔唑基团。变量Lb可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。变量“b”是0至10的整数，并且如果“b”是2或大于2的整数，多个Lb可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以由以下化合物组E-2中的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组E-2中示出的化合物仅是例示，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于以下化合物组E-2中表示的化合物。
化合物组E-2
Figure BDA0003579338360000341
Figure BDA0003579338360000351
发射层EML可以进一步包含本领域中公知的常用材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包含双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(咔唑-9-基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，实施方案不限于此。例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可以用作主体材料。
发射层EML可以包含由以下式M-a或式M-b表示的化合物。由式M-a或式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
式M-a
Figure BDA0003579338360000352
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以各自独立地是CR1或N，并且R1至R4可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者可以与相邻基团结合以形成环。在式M-a中，“m”是0或1，并且“n”是2或3。在式M-a中，如果“m”是0，“n”是3，或者如果“m”是1，“n”是2。
由式M-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂。由式M-a表示的化合物可以由以下化合物M-a1至化合物M-a25中的任一种表示。然而，以下化合物M-a1至化合物M-a25是例示，并且由式M-a表示的化合物不限于由以下化合物M-a1至化合物M-a25表示的化合物。
Figure BDA0003579338360000361
Figure BDA0003579338360000371
化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3和化合物M-a4可以用作绿色掺杂剂材料。
式M-b
Figure BDA0003579338360000372
在式M-b中，Q1至Q4各自独立地是C或N，C1至C4各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。变量L21至L24各自独立地是直连键、
Figure BDA0003579338360000381
Figure BDA0003579338360000382
取代或未取代的具有1个至20个碳原子的二价烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团，并且e1至e4各自独立地是0或1。变量R31至R39各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，并且d1至d4各自独立地是0至4的整数。*是与相邻原子的结合位点。
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。由式M-b表示的化合物可以由以下化合物中的任一种表示。然而，以下化合物是例示，并且由式M-b表示的化合物不限于以下表示的化合物。
Figure BDA0003579338360000391
在以上化合物中，R、R38和R39可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
发射层EML可以包含以下式F-a至式F-c中的任一种。由以下式F-a至式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
式F-a
Figure BDA0003579338360000392
在式F-a中，选自Ra至Rj中的两个可以各自独立地被*-NAr1Ar2取代。Ra至Rj中的未被*-NAr1Ar2取代的余者可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。在*-NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。例如，Ar1和Ar2中的至少一个可以是包含O或S作为成环原子的杂芳基基团。＊是与相邻原子的结合位点。
式F-b
Figure BDA0003579338360000401
在式F-b中，Ra和Rb可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者可以与相邻基团结合以形成环。在式F-b中，U和V可以各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。Ar1至Ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可以各自独立地是0或1。例如，在式F-b中，如果U或V的数量是1，一个环在U或V的指定部分处形成稠合环，并且如果U或V的数量是0，在U或V的指定部分处不存在环。特别地，如果U的数量是0并且V的数量是1，或者如果U的数量是1并且V的数量是0，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有四个环的环化合物。此外，如果U和V两者的数量均是0，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有三个环的环化合物。此外，如果U和V两者的数量均是1，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有五个环的环化合物。
式F-c
Figure BDA0003579338360000411
在式F-c中，A1和A2可以各自独立地是O、S、Se或NRm，并且Rm可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。变量R1至R11各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硼基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
在式F-c中，A1和A2可以各自独立地与相邻环的取代基结合以形成稠合环。例如，如果A1和A2可以各自独立地是NRm，A1可以与R4或R5结合以形成环。此外，A2可以与R7或R8结合以形成环。
在实施方案中，发射层EML可以包含苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4'-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(DPAVB)和N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯和1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘))等作为已知的掺杂剂材料。
发射层EML可以包含已知的磷光掺杂剂材料。例如，磷光掺杂剂可以使用包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属络合物。特别地，双(4,6-二氟苯基吡啶根合-N,C2')吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶根合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(Ⅲ)(Fir6)或八乙基卟啉铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂。然而，实施方案不限于此。
发射层EML可以包含量子点材料。量子点的核可以选自II-VI族的化合物，III-VI族的化合物，I-III-VI族的化合物，III-V族的化合物，III-II-V族的化合物，IV-VI族的化合物、IV族的元素、IV族的化合物及其组合。
II-VI族的化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组。
III-VI族的化合物可以包括二元化合物，例如In2S3和In2Se3；三元化合物，例如InGaS3和InGaSe3；或其任选的组合。I-III-VI族的化合物可以选自三元化合物，所述三元化合物选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其混合物组成的组；或者四元化合物，例如AgInGaS2和CuInGaS2。
III-V族的化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。III-V族的化合物可以进一步包含II族的金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族的化合物。
IV-VI族的化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组。IV族的元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族的化合物可以是二元化合物，所述二元化合物选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。此外，其中一种量子点包围另一种量子点的核/壳结构可以是可能的。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。
在一些实施方案中，量子点可以具有以上描述的核-壳结构，所述核-壳结构包括包含纳米晶体的核和包裹核的壳。量子点的壳可以起到用于防止核的化学变性以保持半导体性质的保护层的作用和/或用于赋予量子点电泳性质的充电层的作用。壳可以具有单层或多层。核和壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。量子点的壳的实例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属的氧化物可以包括二元化合物，例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO；或三元化合物，例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4，但实施方案不限于此。此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但实施方案不限于此。
量子点可以具有约45nm或小于45nm，优选地约40nm或小于40nm，更优选地约30nm或小于30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在该范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，经由此类量子点发射的光在所有方向上发射，并且可以改善光视角性质。
此外，量子点的形状可以是本领域常用的形状，而不受特别限制。更特别地，可以使用大致球形、大致角锥形、大致多臂或大致立方体的形状的纳米颗粒，或者大致纳米管形状的、大致纳米线形状的、大致纳米纤维形状的、或者大致纳米板形状的颗粒等。量子点可以根据颗粒尺寸来控制发射的光的颜色，并且因此，量子点可以具有各种发射颜色，例如蓝色、红色和绿色。
在如图3至图6中示出的发光装置ED中，电子传输区ETR提供在发射层EML上。电子传输区ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一种。然而，实施方案不限于此。电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者使用电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。此外，电子传输区ETR可以具有使用多种不同材料形成的单层结构，或者从发射层EML堆叠的电子传输层ETL/电子注入层EIL或空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，而不受限制。电子传输区ETR的厚度可以是，例如，约
Figure BDA0003579338360000442
至约
Figure BDA0003579338360000443
可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成电子传输区ETR。
电子传输区ETR可以包含由以下式ET-1表示的化合物。
式ET-1
Figure BDA0003579338360000441
在式ET-1中，X1至X3中的至少一个是N，并且余者是CRa。变量Ra可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。变量Ar1至Ar3可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
在式ET-1中，“a”至“c”可以各自独立地是0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可以各自独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。如果“a”至“c”是2或大于2的整数，L1至L3可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
电子传输区ETR可以包含基于蒽的化合物。然而，实施方案不限于此，并且电子传输区ETR可以包含，例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-根合)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)及其混合物，而不受限制。
电子传输区ETR可以包含以下化合物ET1至化合物ET36中的至少一种。
Figure BDA0003579338360000461
Figure BDA0003579338360000471
Figure BDA0003579338360000481
此外，电子传输区ETR可以包含金属卤化物(例如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和KI)、镧系金属(例如Yb)或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区ETR可以包含KI:Yb、RbI:Yb等作为共沉积材料。电子传输区ETR可以使用金属氧化物，例如Li2O和BaO，或者8-羟基-喹啉锂(Liq)。然而，实施方案不限于此。电子传输区ETR还可以使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成。有机金属盐可以是具有约4电子伏特(eV)或大于4eV的能带间隙的材料。特别地，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
除了以上描述的材料之外，电子传输区ETR可以包含2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种。然而，实施方案不限于此。
电子传输区ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包含电子传输区的化合物。
如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，电子传输层ETL的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000491
至约
Figure BDA0003579338360000492
例如，约
Figure BDA0003579338360000493
至约
Figure BDA0003579338360000494
如果电子传输层ETL的厚度满足以上描述的范围，可以获得令人满意的电子传输性质，而没有驱动电压的显著增加。如果电子传输区ETR包括电子注入层EIL，电子注入层EIL的厚度可以是约
Figure BDA0003579338360000495
至约
Figure BDA0003579338360000496
或约
Figure BDA0003579338360000497
至约
Figure BDA0003579338360000498
如果电子注入层EIL的厚度满足以上描述的范围，可以获得令人满意的电子注入性质，而没有引起驱动电压的显著增加。
在电子传输区ETR上提供第二电极EL2。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但实施方案不限于此。例如，如果第一电极EL1是阳极，第二阴极EL2可以是阴极，或者如果第一电极EL1是阴极，第二电极EL2可以是阳极。
第二电极EL2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。如果第二电极EL2是透射电极，第二电极EL2可以包含透明金属氧化物，例如，ITO、IZO、ZnO、ITZO等。
如果第二电极EL2是半透反射电极或反射电极，第二电极EL2可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、Yb、W、包含其的化合物、或其混合物(例如，YbMg、AgYb或MgAg)。另外，第二电极EL2可以具有多层结构，所述多层结构包括使用以上描述的材料形成的反射层或半透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层。例如，第二电极EL2可以包含前述金属材料、选自前述金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合或者前述金属材料的氧化物。
第二电极EL2可以与辅助电极连接。如果第二电极EL2与辅助电极连接，可以减小第二电极EL2的电阻。在发光装置ED中的第二电极EL2上，可以进一步设置覆盖层CPL。覆盖层CPL可以包括多个层或单个层。
在实施方案中，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，如果覆盖层CPL包含无机材料，无机材料可以包括碱金属化合物(例如LiF)、碱土金属化合物(例如MgF2)、SiON、SiNx、SiOy等。
例如，如果覆盖层CPL包含有机材料，有机材料可以包括2,2'-二甲基-N,N'-二[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-联苯基-4,4'-二胺(α-NPD)、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、铜(II)酞菁(CuPc)、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯基-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，或者包括环氧树脂或丙烯酸酯(例如甲基丙烯酸酯)。此外，覆盖层CPL可以包含以下化合物P1至化合物P5中的至少一种，但实施方案不限于此。
Figure BDA0003579338360000501
覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或大于1.6。特别地，相对于约550nm至约660nm的波长范围中的光，覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或大于1.6。
图7是包括根据本发明的原理构造的发光装置的显示设备的另一个实施方案的横截面视图。图8是包括根据本发明的原理构造的发光装置的显示设备的另一个实施方案的横截面视图。
在图7和图8中示出的实施方案的显示设备的解释中，将不再解释与对图1至图6的解释重叠的特征的重复解释，而是将主要解释不同的特征以避免冗余。参考图7，显示设备DD可以包括包含显示装置层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。
在图7中示出的实施方案中，显示面板DP包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL以及显示装置层DP-ED，并且显示装置层DP-ED可以包括发光装置ED。发光装置ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区HTR、设置在空穴传输区HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区ETR和设置在电子传输区ETR上的第二电极EL2。图3至图6的发光装置ED的相同结构可以适用于图7中示出的发光装置ED的结构。
参考图7，发射层EML可以设置在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。例如，由像素限定层PDL分隔并且重叠发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个的发射层EML可以发射相同波长区中的光。在显示设备DD中，发射层EML可以发射蓝色光。不同于图7中示出的，在另一个实施方案中，发射层EML可以提供为所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以是量子点或磷光体。光转换器可以转换光的波长并且然后发射。即，光控制层CCL可以是包含量子点的层或包含磷光体的层。光控制层CCL可以包括多个光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。光控制部件CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分开。
参考图7，分割图案BMP可以设置在分开的光控制部件CCP1、CCP2和CCP3之间，但实施方案不限于此。在图7中，分割图案BMP显示为不重叠光控制部件CCP1、CCP2和CCP3，但光控制部件CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以重叠分割图案BMP。
光控制层CCL可以包括包含将由发光装置ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光的第一量子点QD1的第一光控制部件CCP1、包含将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子点QD2的第二光控制部件CCP2和透射第一颜色光的第三光控制部件CCP3。
在实施方案中，第一光控制部件CCP1可以提供作为第二颜色光的红色光，并且第二光控制部件CCP2可以提供作为第三颜色光的绿色光。第三颜色控制部件CCP3可以透射并且提供作为由发光装置ED提供的第一颜色光的蓝色光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，并且第二量子点QD2可以是绿色量子点。与以上描述相同的解释可以适用于量子点QD1和QD2。
此外，光控制层CCL可以进一步包含散射体SP。第一光控制部件CCP1可以包含第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部件CCP2可以包含第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部件CCP3可以不包含量子点但包含散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种，或者可以是选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或多于两种材料的混合物。
第一光控制部件CCP1、第二光控制部件CCP2和第三光控制部件CCP3中的每一个可以包含分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施方案中，第一光控制部件CCP1可以包含分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部件CCP2可以包含分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部件CCP3可以包含分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各种树脂组合物构成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是基于丙烯酸的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于硅酮的树脂、基于环氧的树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在实施方案中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以起到阻挡水分和/或氧气(在下文，将称为“湿气/氧气”)的渗透的作用。阻挡层BFL1可以设置在光控制部件CCP1、CCP2和CCP3上以阻挡光控制部件CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧气。阻挡层BFL1可以覆盖光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。此外，阻挡层BFL2可以提供在光控制部件CCP1、CCP2和CCP3与过滤器CF1、CF2和CF3之间。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。即，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包含无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包含硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物和硅氮氧化物，或确保光透射率的金属薄膜来形成。阻挡层BFL1和BFL2可以进一步包括有机层。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层或多个层构成。
在显示设备DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。在这种情况下，可以省略阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括光阻挡部件BM和过滤器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一过滤器CF1、透射第三颜色光的第二过滤器CF2和透射第一颜色光的第三过滤器CF3。例如，第一过滤器CF1可以是红色过滤器，第二过滤器CF2可以是绿色过滤器，并且第三过滤器CF3可以是蓝色过滤器。过滤器CF1、CF2和CF3中的每一个可以包含聚合物光敏树脂以及颜料或染料。第一过滤器CF1可以包含红色颜料或染料，第二过滤器CF2可以包含绿色颜料或染料，并且第三过滤器CF3可以包含蓝色颜料或染料。但实施方案不限于此，并且第三过滤器CF3可以不包含颜料或染料。第三过滤器CF3可以包含聚合物光敏树脂并且不包含颜料或染料。第三过滤器CF3可以是透明的。可以使用透明光敏树脂形成第三过滤器CF3。
此外，在实施方案中，第一过滤器CF1和第二过滤器CF2可以是黄色过滤器。第一过滤器CF1和第二过滤器CF2可以提供在一个统一体中。光阻挡部件BM可以是黑色矩阵。可以通过包含有机光阻挡材料或无机光阻挡材料(包括黑色颜料或黑色染料)来形成光阻挡部件BM。光阻挡部件BM可以防止或减少漏光现象并且限定相邻过滤器CF1、CF2和CF3之间的边界。此外，在实施方案中，光阻挡部件BM可以形成为蓝色过滤器。
第一过滤器至第三过滤器CF1、CF2和CF3中的每一个可以对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每一个而设置。在滤色器层CFL上，可以设置基体衬底BL。基体衬底BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。此外，在与附图不同的实施方案中，可以省略基体衬底BL。
特别地，在图8中，示出了对应于图7中的显示面板DP的一部分的横截面视图。在显示设备DD-TD中，发光装置ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光装置ED-BT可以包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2，以及在厚度方向上按顺序堆叠并且提供在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个可以包括发射层EML(图7)，以及发射层EML设置在其间的空穴传输区HTR和电子传输区ETR(图7)。
即，包括在显示设备DD-TD中的发光装置ED-BT可以是包括多个发射层的串联结构的发光装置。在图8中示出的实施方案中，由发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光可以全部是蓝色光。然而，实施方案不限于此，并且由发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光的波长区可以彼此不同。例如，包括发射不同波长区中的光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光装置ED-BT可以发射白色光。
在相邻发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间，可以设置电荷产生层CGL1和CGL2。电荷产生层CGL1和CGL2可以包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。
在下文，将参考示例性实施方案和比较实施方案具体地解释本发明的原理。实施方案仅是用以帮助对本发明的理解的示例，并且本发明的范围不限于此。
合成例
含氮化合物的实施方案可以例如如下合成。然而，合成方法不限于以下实施例。
1.中间体化合物A的合成
Figure BDA0003579338360000551
在氩(Ar)气氛下，向500毫升(mL)三颈烧瓶中添加26.5克(g)或56.1毫摩尔(mmol)的3,6-二([1,1'-联苯]-2-基)-9H-咔唑、7.3mL(67.3mmol)的2-溴氟苯、36.6g(112mmol)的碳酸铯(Cs2CO3)和112mL的二甲基甲酰胺(DMF)，并且在约150℃搅拌约8小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，并且通过过滤获得白色沉淀物。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得32.5g(产率92百分比(％))的化合物A的白色固体。通过快速原子轰击/质谱(FAB-MS)测量的化合物A的分子量是626。
2.中间体化合物B的合成
Figure BDA0003579338360000552
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加16.3g(26.0mmol)的中间体化合物A、9.90g(39.0mmol)的双(频哪醇)二硼、1.06g(1.3mmol)的环戊基(二苯基)膦烷:二氯化钯:铁(PdCl2(dppf))、8.24g(84.0mmol)的乙酸钾(KOAc)和130mL的二氧杂环己烷，并且在约120℃搅拌约24小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得11.7g(产率67％)的化合物B的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物B的分子量是673。
3.化合物1的合成
Figure BDA0003579338360000561
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加3.01g(4.8mmol)的中间体化合物A、3.57g(5.3mmol)的中间体化合物B、0.054g(0.24mmol)的Pd(OAc)2、0.27g(1.0mmol)的三苯基膦(PPh3)、1.99g(14.4mmol)的碳酸钾(K2CO3)、24mL的甲苯、7mL的乙醇和2mL的水，并且在约100℃搅拌约4小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得3.62g(产率69％)的化合物1的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物1的分子量是1093。此外，通过质子核磁共振(1H-NMR(三氯(氘代)甲烷(CDCl3)))测量的化合物1的化学位移值δ是8.20(2H),8.03(2H),7.91-7.77(18H),7.72-7.65(12H),7.52-7.48(8H),7.38-7.29(14H)。
4.化合物3的合成
Figure BDA0003579338360000562
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加3.76g(6.0mmol)的中间体化合物A、2.44g(6.6mmol)的9-(2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-9H-咔唑、0.067g(0.30mmol)的乙酸钯(2+)(Pd(OAc)2)、0.31g(1.2mmol)的PPh3、2.49g(18.0mmol)的K2CO3、30mL的甲苯、9mL的乙醇和3mL的水，并且在约100℃搅拌约4小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得3.41g(产率72％)的化合物3的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物3的分子量是788。此外，通过1H-NMR(CDCl3)测量的化合物3的化学位移值δ是8.45(1H),8.20(1H),8.11-8.01(2H),7.91-7.67(19H),7.52-7.23(15H),7.12-7.04(2H)。
5.化合物4的合成
Figure BDA0003579338360000571
在Ar气氛下，向300mL三颈烧瓶中添加26.5g(56.1mmol)的3,6-二([1,1'-联苯]-2-基)-9H-咔唑、2.7mL(27.5mmol)的邻二氟苯、36.0g(110mmol)的Cs2CO3和110mL的DMF，并且在约100℃搅拌约8小时，并且然后，在约150℃搅拌约24小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，并且通过过滤获得产生的白色沉淀物。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得8.11g(产率29％)的化合物4的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物4的分子量是1017。此外，通过1H-NMR(CDCl3)测量的化合物4的化学位移值δ是8.20(2H),8.03(2H),7.91-7.69(26H),7.58-7.48(10H),7.38-7.29(12H)。
6.化合物6的合成
Figure BDA0003579338360000572
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加3.76g(6.0mmol)的中间体化合物A、2.01g(12.0mmol)的咔唑、0.11g(0.60mmol)的碘化铜(I)(CuI)、0.22g(1.2mmol)的1,10-菲咯啉、0.67g(12.0mmol)的氢氧化钾(KOH)和12mL的邻二氯苯，并且在约180℃搅拌约24小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得1.67g(产率39％)的化合物6的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物6的分子量是712。此外，通过1H-NMR(CDCl6)测量的化合物6的化学位移值δ是8.45(1H),8.20(1H),8.11-8.01(2H),7.91-7.65(15H),7.52-7.23(15H),7.12-7.04(2H)。
7.化合物8的合成
Figure BDA0003579338360000581
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加3.76g(6.0mmol)的中间体化合物A、1.40g(6.6mmol)的二苯并[b,d]呋喃-4-基硼酸、0.067g(0.30mmol)的Pd(OAc)2、0.31g(1.2mmol)的PPh3、2.49g(18.0mmol)的K2CO3、30mL的甲苯、9mL的乙醇和3mL的水，并且在约100℃搅拌约4小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得3.38g(产率79％)的化合物8的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物8的分子量是713。此外，通过1H-NMR(CDCl3)测量的化合物8的化学位移值δ是8.20(1H),8.05-7.79(13H),7.72-7.65(6H),7.52-7.19(15H)。
8.化合物7的合成
Figure BDA0003579338360000582
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加4.04g(6.0mmol)的中间体化合物B、1.63g(6.6mmol)的1-溴二苯并[b,d]呋喃、0.067g(0.30mmol)的Pd(OAc)2、0.31g(1.2mmol)的PPh3、2.49g(18.0mmol)的K2CO3、30mL的甲苯、9mL的乙醇和3mL的水，并且在约100℃搅拌约4小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得3.51g(产率82％)的化合物7的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物7的分子量是713。此外，通过1H-NMR(CDCl3)测量的化合物7的化学位移值δ是8.20(1H),8.03(1H),7.91-7.65(17H),7.59(1H),7.52-7.19(15H)。
9.化合物14的合成
Figure BDA0003579338360000591
在Ar气氛下，向100mL三颈烧瓶中添加4.04g(6.0mmol)的中间体化合物B、3.13g(6.6mmol)的3-([1,1'-联苯]-2-基)-6-溴-9-苯基-9H-咔唑、0.067g(0.30mmol)的Pd(OAc)2、0.31g(1.2mmol)的PPh3、2.49g(18.0mmol)的K2CO3、30mL的甲苯、9mL的乙醇和3mL的水，并且在约100℃搅拌约4小时。在空气中冷却之后，将水添加至反应溶液中，分离有机层，并且蒸馏出溶剂。通过柱色谱(硅胶)分离由此获得的粗产物，并且获得4.80g(产率85％)的化合物14的白色固体。通过FAB-MS测量的化合物14的分子量是941。此外，通过1H-NMR(CDCl3)测量的化合物14的化学位移值δ是8.22-8.18(2H),8.05-8.01(2H),7.91-7.77(14H),7.72-7.65(9H),7.52-7.29(21H)。
制造装置的实例
使用以下实例化合物和比较化合物作为用于空穴传输区的材料来制造发光装置。
实例化合物
Figure BDA0003579338360000601
比较化合物
Figure BDA0003579338360000602
通过以下方法制造实施例和比较例的发光装置。在玻璃衬底上，将具有约150nm的厚度的化合物ITO图案化，用超纯水洗涤并且用紫外线(UV)臭氧处理约10分钟，以形成第一电极。然后，将化合物HAT-CN沉积至约10nm的厚度，将化合物NPB沉积至约40nm的厚度，并且将实例化合物或比较化合物沉积至约5nm的厚度，以形成空穴传输区。此后，使用掺杂有8％双(4,6-二氟苯基吡啶根合-N,C2')吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)的9-[3-(3-咔唑-9-基苯基)苯基]咔唑(mCBP)至约20nm的厚度来形成发射层。在发射层上，使用9-萘-1-基-10-萘-2-基蒽(BmPyPhB)形成具有约10nm的厚度的层，使用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)形成具有约30nm的厚度的层，并且使用Liq形成具有约2纳米(nm)的厚度的层，以形成电子传输区。然后，使用铝(Al)形成具有约100nm的厚度的第二电极。通过真空沉积法形成所有层。
根据实施例1至实施例7以及比较例1至比较例9测量的值显示在以下表1中。在约10mA/cm2下测量电流效率，并且通过在约1000cd/m2的初始亮度下测量半小时所达到的亮度来测量半衰期。所有以基于比较例1的％显示。
表1
空穴传输区 电流效率(％) 使用寿命(％)
实施例1 实施例化合物1 110％ 180％
实施例2 实施例化合物3 115％ 130％
实施例3 实施例化合物4 120％ 160％
实施例4 实施例化合物6 110％ 120％
实施例5 实施例化合物7 125％ 190％
实施例6 实施例化合物8 120％ 210％
实施例7 实施例化合物14 130％ 170％
比较例1 比较化合物R-1 100％ 100％
比较例2 比较化合物R-2 105％ 90％
比较例3 比较化合物R-3 95％ 20％
比较例4 比较化合物R-4 105％ 80％
比较例5 比较化合物R-5 100％ 60％
比较例6 比较化合物R-6 105％ 110％
比较例7 比较化合物R-7 80％ 10％
比较例8 比较化合物R-8 75％ 10％
比较例9 比较化合物R-9 30％ 15％
表1显示，与比较例1至比较例9相比，实施例1至实施例7在长使用寿命和高效率方面均表现出显著且出乎意料的优异特性。根据本发明的原理和实施方案制备的含氮化合物用于空穴传输区以有助于增加发光装置的效率和使用寿命。根据本发明的原理制备的含氮化合物的实施方案具有高空穴传输性质和稳定性，并且根据三重态能量(T1)水平的增加，如果用于与发蓝色磷光的装置的发射层相邻的空穴传输层中，实现高效率和长使用寿命。尽管不希望受理论束缚，但在咔唑的高反应性3位引入在邻位处具有取代基的芳基基团，以确保稳定性并且进一步扭转以增加T1水平。此外，在咔唑的N上包含在邻位处具有杂芳基基团的稠合单元作为取代基，并且可以改善对电子的耐受性并且可以实现使用寿命的增加。在比较例2中，在咔唑的3/6位处不存在取代基，并且认为在这些部分的反应性高并且使用寿命降低。
在比较例3中，均三甲基基团存在于咔唑的3/6位处，并且取代基存在于邻位处，但因为化合物在均三甲基的情况下是不稳定的，所以认为使用寿命降低。在比较例4中，在咔唑的3/6位处不存在取代基，并且认为在这些部分的反应性高并且使用寿命降低。在比较例5中，在咔唑的3/6位处不存在取代基，并且认为在这些部分的反应性高并且使用寿命降低。在比较例6中，由于杂芳基基团直接连接至咔唑，所以杂芳基基团与咔唑之间的键容易断裂，并且认为使用寿命降低。
在比较例7至比较例9中，在分子中包含受电子单元，例如吡啶环、三嗪环和氰基基团，最低未占据分子轨道(LUMO)是深的，没有执行作为电子阻挡层的功能，并且装置的载流子平衡很大程度上崩溃，从而显著地降低效率和使用寿命。
根据本发明的原理和实施方案构造的发光装置具有优异的效率。根据本发明的原理制备的实施方案的含氮化合物可以用作发光装置的空穴传输区的材料，并且从而改善发光装置的效率。
尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改从本说明书中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。

Claims (10)

1.式1的化合物：
式1
Figure FDA0003579338350000011
其中在所述式1中，
X是包含O、S、N和Si中的任一个的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，
L是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团，
环A是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基环，
a和b各自彼此独立地是0至3的整数，
R1和R2各自彼此独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、硝基基团、氰基基团、羟基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫醇基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，以及
Ar1和Ar2各自彼此独立地由式2表示：
式2
Figure FDA0003579338350000012
其中在所述式2中，
Y是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团或者包括呋喃环、噻吩环、吡咯环和噻咯环中的任一个的取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，以及
环B是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基环，
*是与相邻原子的结合位点。
2.如权利要求1所述的化合物，其中所述式1中的X由式3-1或式3-2表示：
式3-1
Figure FDA0003579338350000021
式3-2
Figure FDA0003579338350000022
其中在所述式3-1或所述式3-2中，
R3和R4各自彼此独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，
c是0至8的整数，
d是0至7的整数，
X2是O、S、NAr3或SiAr4Ar5，以及
Ar3至Ar5各自彼此独立地是取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
3.如权利要求1所述的化合物，其中所述式2由式4表示：
式4
Figure FDA0003579338350000031
其中在所述式4中，
Ra是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，
g是0至4的整数，以及
Y具有与权利要求1的所述式2中相同的含义，
*是与相邻原子的结合位点。
4.如权利要求1所述的化合物，其中所述式1由式5表示：
式5
Figure FDA0003579338350000032
其中在所述式5中，
R5是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，
e是0至4的整数，以及
R1、R2、L、X、Ar1、Ar2、a和b彼此独立地具有与权利要求1的所述式1中相同的含义。
5.如权利要求4所述的化合物，其中所述式5由式6-1表示：
式6-1
Figure FDA0003579338350000041
其中在所述式6-1中，
R3和R6各自彼此独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，
c是0至8的整数，
f是0至4的整数，
n是0至3的整数，以及
R1、R2、R5、Ar1、Ar2、a、b和e彼此独立地具有与权利要求4的所述式5中相同的含义。
6.如权利要求4所述的化合物，其中所述式5由式6-2表示：
式6-2
Figure FDA0003579338350000042
其中在所述式6-2中，
R4和R6各自彼此独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，
d是0至7的整数，
f是0至4的整数，
n是0至3的整数，
X2是O、S、NAr3或SiAr4Ar5，
Ar3至Ar5各自彼此独立地是取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，以及
R1、R2、R5、Ar1、Ar2、a、b和e彼此独立地具有与权利要求4的所述式5中相同的含义。
7.如权利要求1所述的化合物，其中所述式1的所述化合物是化合物组1中的至少一种化合物：
化合物组1
Figure FDA0003579338350000051
Figure FDA0003579338350000061
Figure FDA0003579338350000071
Figure FDA0003579338350000081
Figure FDA0003579338350000091
Figure FDA0003579338350000101
Figure FDA0003579338350000111
8.发光装置，包括：
第一电极；
设置在所述第一电极上的空穴传输区；
设置在所述空穴传输区上的发射层；
设置在所述发射层上的电子传输区；以及
设置在所述电子传输区上的第二电极，
其中所述空穴传输区包含根据权利要求1至7中任一项所述的化合物。
9.如权利要求8所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括：
设置在所述第一电极上的空穴注入层；
设置在所述空穴注入层上的空穴传输层，以及
根据权利要求1至7中任一项所述的化合物被包含在所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个中。
10.如权利要求8所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括：
设置在所述第一电极上的空穴传输层；
设置在所述空穴传输层上的电子阻挡层，以及
所述电子阻挡层包含根据权利要求1至7中任一项所述的化合物。
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