CN115156142A - Psg水膜喷淋机构及光伏硅片附水膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了PSG水膜喷淋机构，包括框架，所述框架内部上端设置有用于形成水膜的成排设置的喷淋管，所述喷淋管成两排设置，所述喷淋管下方设置有用于传输光伏硅片的传送辊，所述传送辊下方设置有吹风管，所述吹风管设置于相邻的两个所述传送辊之间的间隙处。有益效果在于：本发明设置的传送辊上设置有多个凸块，吹风管上设置有多个喷气嘴，喷气嘴均匀设置在每两个凸块之间，保证吹风均匀，阻止水膜喷淋设备喷出的水进入光伏硅片的下表面，提高清洗效果。
Description
技术领域
本发明涉及喷淋设备技术领域，特别是涉及PSG水膜喷淋机构及光伏硅片附水膜方法。
背景技术
随着科技的发展，尤其是晶硅技术的发展，PERC太阳能电池片外观要求比较严格，在电池片背面刻蚀过程中，背面去除PSG时，电池片通过水膜喷淋机构，使电池片正面形成水膜保护，在电池片正面采用水膜保护的条件下对电池片背面扩散后形成的PSG进行去除，目前的水膜喷淋机构，其传输辊下方设置有吹风管道，吹风管道只有一个较大的向上的喷口，吹风不够均匀，可能导致喷出的水进入光伏硅片的下表面，清洗效果一般。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供PSG水膜喷淋机构。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
1.PSG水膜喷淋机构，包括框架，所述框架内部上端设置有水膜喷淋设备用于形成水膜的成排设置的喷淋管，所述喷淋管成两排设置，所述喷淋管下方设置有用于传输光伏硅片的传送辊，所述传送辊下方设置有吹风管，所述吹风管设置于相邻的两个所述传送辊之间的间隙处，所述传送辊上连接有多个凸块，所述凸块为圆柱形；
相邻两根所述传送辊的所述凸块错位设置；所述吹风管顶部设置有多个喷气嘴，每根所述吹风管上的所述喷气嘴设置为前后两排，所述喷气嘴开口向上，所述喷气嘴位于每两个所述凸块之间。
优选地，本发明的PSG水膜喷淋机构，所述吹风管底部连接有通气管，所述通气管将所述吹风管互相连通，所述通气管连接有供气管，所述供气管位于所述传送辊一侧。
优选地，本发明的PSG水膜喷淋机构，所述吹风管顶部设置有多个喷气嘴，每根吹风管上的喷气嘴设置为前后两排，喷气嘴开口向上，喷气嘴位于每两个凸块之间。
优选地，本发明的PSG水膜喷淋机构，所述喷气嘴分为左右两组，分别用了对两块平行的光伏硅片进行喷气。
优选地，本发明的PSG水膜喷淋机构，光伏硅片的宽边的边缘对应有喷气嘴。
6.一种光伏硅片附水膜方法，使用权利要求1-5任一项所述的PSG水膜喷淋机构，由传送辊承载光伏硅片向传输方向移动，光伏硅片的宽度方向边缘对应设置有喷气嘴，光伏硅片长度方向上至少能够覆盖个喷气嘴，宽度方向至少能够对应个喷气嘴。
优选地，本发明的光伏硅片附水膜方法，每排喷气嘴均能够单独控制开闭。
优选地，本发明的光伏硅片附水膜方法，设置传感器或者视频对光伏硅片相对于喷气嘴的位置监控，对光伏硅片传输方向前方的喷气嘴的开闭进行控制，当传感器或者视频监控监控到某排的喷气嘴距离光伏硅片小于等于设置的距离时，开启喷气嘴，以防止喷气嘴影响喷淋管喷淋出的水雾，防止水雾被吹到光伏硅片下方。
优选地，本发明的光伏硅片附水膜方法，设置的距离为1厘米。
有益效果在于：本发明设置的传送辊上设置有多个凸块，吹风管上设置有多个喷气嘴，喷气嘴均匀设置在每两个凸块之间，保证吹风均匀，阻止水膜喷淋设备喷出的水进入光伏硅片的下表面，提高清洗效果。
本发明的附加技术特征及其优点将在下面的描述内容中阐述地更加明显，或通过本发明的具体实践可以了解到。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所述PSG水膜喷淋机构的立体图；
图2是本发明所述PSG水膜喷淋机构的前视图；
图3是本发明所述PSG水膜喷淋机构的传送辊与吹风管结构立体图；
图4是本发明所述PSG水膜喷淋机构的凸块与喷气嘴位置关系俯视图；
附图标记说明如下：1、框架；2、喷淋管；3、传送辊；31、凸块；4、吹风管；41、喷气嘴；42、通风管；43、供气管；9、光伏硅片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图对本发明作进一步说明：
实施例1
如图1-图4所示，PSG水膜喷淋机构，包括框架1，框架1内部上端设置有水膜喷淋设备用于形成水膜的成排设置的喷淋管2，喷淋管2成两排设置，喷淋管2下方设置有用于传输光伏硅片的传送辊3，传送辊3下方设置有吹风管4，吹风管4设置于相邻的两个传送辊3之间的间隙处。
在本实施例中，传送辊3上连接有多个凸块31，凸块31为圆柱形。相邻两根所述传送辊3的所述凸块31错位设置。
在本实施例中，吹风管4顶部设置有多个喷气嘴41，每根吹风管4上的喷气嘴41设置为前后两排，喷气嘴41开口向上，喷气嘴41位于每两个凸块31之间，保证喷气嘴41分布均匀，从而使吹气均匀。
在本实施例中，凸块31具有两个作用，其一是减少光伏硅片的接触面积，其二是为了供喷气嘴41提供安装空间，尤其是将所述凸块31错位设置后，凸块31与凸块31之间的间隙内可以供喷气嘴放置，能够尽可能地布置到与硅片相匹配的整个面上，使气体的喷吹更加均匀。
在本实施例中，吹风管4底部连接有通气管42，通气管42将吹风管4互相连通，通气管42连接有供气管43，供气管43位于传送辊3一侧。
所述喷气嘴41分为左右两组，分别用了对两块平行的光伏硅片进行喷气。
工作原理：传送辊3传输光伏硅片9向前传输时，水膜喷淋设备启动，向传输光伏硅片的上表面喷淋形成水膜，水膜的成分由使用者自行配置，不限定为纯水的水膜，喷气嘴41向上喷气，阻止水膜喷淋设备喷出的水进入光伏硅片的下表面，提高清洗效果。
实施例2
一种光伏硅片附水膜方法，使用实施例1的PSG水膜喷淋机构，由传送辊3承载光伏硅片9向传输方向移动，光伏硅片9的宽度方向边缘对应设置有喷气嘴41，如图4所示，光伏硅片9长度方向上至少能够覆盖5个喷气嘴41，宽度方向至少能够对应3个喷气嘴41。
此外，每排喷气嘴41均能够单独控制开闭，设置传感器或者视频对光伏硅片相对于喷气嘴41的位置监控，对光伏硅片传输方向前方的喷气嘴41的开闭进行控制，当传感器或者视频监控监控到某排的喷气嘴41距离光伏硅片小于等于1厘米时，开启喷气嘴41，以防止喷气嘴41影响喷淋管2喷淋出的水雾，防止水雾被吹到光伏硅片下方。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其效物界定。
Claims (9)
1.PSG水膜喷淋机构，包括框架，其特征在于，所述框架内部上端设置有水膜喷淋设备用于形成水膜的成排设置的喷淋管，所述喷淋管成两排设置，所述喷淋管下方设置有用于传输光伏硅片的传送辊，所述传送辊下方设置有吹风管，所述吹风管设置于相邻的两个所述传送辊之间的间隙处，所述传送辊上连接有多个凸块，所述凸块为圆柱形；
相邻两根所述传送辊的所述凸块错位设置；所述吹风管顶部设置有多个喷气嘴，每根所述吹风管上的所述喷气嘴设置为前后两排，所述喷气嘴开口向上，所述喷气嘴位于每两个所述凸块之间。
2.根据权利要求1所述的PSG水膜喷淋机构，其特征在于，所述吹风管底部连接有通气管，所述通气管将所述吹风管互相连通，所述通气管连接有供气管，所述供气管位于所述传送辊一侧。
3.根据权利要求2所述的PSG水膜喷淋机构，其特征在于，所述吹风管顶部设置有多个喷气嘴，每根吹风管上的喷气嘴设置为前后两排，喷气嘴开口向上，喷气嘴位于每两个凸块之间。
4.根据权利要求1所述的PSG水膜喷淋机构，其特征在于，所述喷气嘴分为左右两组，分别用了对两块平行的光伏硅片进行喷气。
5.根据权利要求1所述的PSG水膜喷淋机构，其特征在于，光伏硅片的宽边的边缘对应有喷气嘴。
6.一种光伏硅片附水膜方法，使用权利要求1-5任一项所述的PSG水膜喷淋机构，其特征在于，由传送辊(3)承载光伏硅片(9)向传输方向移动，光伏硅片(9)的宽度方向边缘对应设置有喷气嘴(41)，光伏硅片(9)长度方向上至少能够覆盖(5)个喷气嘴(41)，宽度方向至少能够对应(3)个喷气嘴(41)。
7.根据权利要求6所述的光伏硅片附水膜方法，其特征在于，每排喷气嘴均能够单独控制开闭。
8.根据权利要求7所述的光伏硅片附水膜方法，其特征在于，设置传感器或者视频对光伏硅片相对于喷气嘴(41)的位置监控，对光伏硅片传输方向前方的喷气嘴(41)的开闭进行控制，当传感器或者视频监控监控到某排的喷气嘴(41)距离光伏硅片小于等于设置的距离时，开启喷气嘴(41)，以防止喷气嘴(41)影响喷淋管(2)喷淋出的水雾，防止水雾被吹到光伏硅片下方。
9.根据权利要求8所述的光伏硅片附水膜方法，其特征在于，设置的距离为1厘米。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 225500 No. 151, Keji Avenue, Sanshui street, Jiangyan District, Taizhou City, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Yadian Technology Co.,Ltd. Address before: 225500 No. 151, Keji Avenue, Sanshui street, Jiangyan District, Taizhou City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu Yadian Technology Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |