CN115135813A - 镀覆装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够抑制由整体上滞留于膜的下表面的气泡引起的基板的镀覆品质恶化的技术。镀覆装置(1000)具备镀覆槽(10)、基板保持架(20)以及膜模块(40),膜模块具备第一膜(41)和第二膜(42),第二膜具有用于供比第二膜靠下方的第一区域(R1)的镀覆液流入至比第二膜靠上方且比第一膜靠下方的第二区域(R2)的流入口(42c)、和相对于水平方向倾斜并且以随着从阳极室的中央侧朝向阳极室的外缘侧而位于上方的方式倾斜的倾斜部位(42b)。
Description
技术领域
本发明涉及镀覆装置。
背景技术
以往,作为对基板实施镀覆处理的镀覆装置,公知有所谓的杯式镀覆装置(例如参照专利文献1、专利文献2)。这样的镀覆装置具备:镀覆槽,配置了阳极;和基板保持架,配置于比阳极靠上方的位置,将作为阴极的基板保持为该基板的镀覆面与阳极对置。另外,这样的镀覆装置在镀覆槽的内部的比阳极靠上方且比基板靠下方的部位具有离子交换膜等膜。该膜将镀覆槽的内部划分为比膜靠下方的阳极室、和比膜靠上方的阴极室。上述的阳极配置于阳极室。在对基板的镀覆处理时,基板配置于阴极室。
专利文献1:日本特开2008-19496号公报
专利文献2:美国专利第6821407号说明书
在如上所述的具有膜的杯式镀覆装置中,由于某些原因,有时会在阳极室产生气泡。像这样在阳极室产生气泡,而该气泡整体上滞留于膜的下表面的情况下,存在由该气泡引起的基板的镀覆品质恶化的担忧。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的之一在于提供一种能够抑制由整体上滞留于膜的下表面的气泡引起的基板的镀覆品质恶化的技术。
(形态1)
为了达成上述目的,本发明的一个形态所涉及的镀覆装置具备:镀覆槽,具有底壁、和从上述底壁的外缘向上方延伸的外周壁,贮存镀覆液,并且配置有阳极;基板保持架,配置于比上述阳极靠上方的位置,将作为阴极的基板保持为该基板与上述阳极对置;以及膜模块,配置于比上述阳极靠上方且比上述基板靠下方的位置,上述膜模块具备:第一膜,将上述镀覆槽的内部划分为阳极室、和比该阳极室靠下方的阴极室;和第二膜,以不与上述第一膜接触的形态配置于比上述第一膜靠下方且比上述阳极靠上方的部位,上述第二膜具有:流入口,用于供比上述第二膜靠下方的第一区域的镀覆液流入至比上述第二膜靠上方且比上述第一膜靠下方的第二区域;和倾斜部位,相对于水平方向倾斜,并且以随着从上述阳极室的中央侧朝向上述阳极室的外缘侧而位于上方的方式倾斜。
根据该形态,具备如上所述的第二膜,因此即使是在阳极室产生了气泡的情况下,也能够使该气泡利用浮力沿着第二膜的倾斜部位移动而移动至第二膜的倾斜部位的外缘。由此,能够抑制阳极室中产生的气泡整体上滞留于第一膜及第二膜的下表面。其结果是,能够抑制由整体上滞留于第一膜及第二膜的下表面的气泡引起的基板的镀覆品质恶化。
(形态2)
也可以构成为,在上述形态1中,上述第一膜具备:延伸部位,在水平方向上延伸;和倾斜部位,以该延伸部位为起点在从该延伸部位远离的方向上向一侧及另一侧延伸,并且以随着从该延伸部位远离而位于上方的方式倾斜。
(形态3)
也可以构成为,上述的形态2在上述镀覆槽的上述外周壁设置有用于将上述阴极室的镀覆液从上述阴极室排出的泄放口,上述泄放口设置为从上述第一膜的上述延伸部位到上述泄放口的高度为20mm以内。
根据该形态,能够容易地将阴极室的镀覆液从阴极室排出。
(形态4)
也可以构成为,在上述形态1~3中的任意一个形态中,上述膜模块还具备支承上述第二膜的第二膜用支撑部件。
(形态5)
也可以构成为,在上述形态1~4中的任意一个形态中,上述膜模块还具备支承上述第一膜的第一膜用支撑部件。
(形态6)
也可以构成为,对于上述形态1~5中的任意一个形态而言,上述镀覆装置还具备以沿着上述第二膜的上述倾斜部位的外缘的方式形成于上述镀覆槽的上述外周壁的收容槽,上述收容槽构成为:暂时收容已移动至上述第二膜的上述倾斜部位的外缘的气泡,并且供上述第一区域的镀覆液及上述第二区域的镀覆液在上述收容槽合流,上述镀覆装置还具备阳极室用排出口,上述阳极室用排出口构成为:与上述收容槽连通,将已收容至上述收容槽的气泡与在上述收容槽流动的镀覆液一起吸入并向上述镀覆槽的外部排出。
根据该形态,能够使已移动至第二膜的倾斜部位的外缘的气泡暂时收容于收容槽,将该已收容的气泡与第一区域及第二区域的镀覆液一起经由阳极室用排出口向镀覆槽的外部排出。由此,能够有效地抑制气泡滞留于第二膜的下表面。另外,通过气泡暂时收容于收容槽,从而多个较小的气泡能够在该收容槽结合而成为较大的气泡。由此,能够容易地使气泡从阳极室用排出口排出。
(形态7)
也可以构成为,在上述形态1~6中的任意一个形态中,在上述阴极室中的比上述基板靠下方的位置配置有离子阻抗体,在上述阴极室中的比上述离子阻抗体靠下方且比上述膜模块靠上方的位置,配置有用于调整上述阴极室中的电场的环状的电场调整块,在上述离子阻抗体设置有多个以贯通上述离子阻抗体的下表面与上表面的方式设置的贯通孔,上述电场调整块的内径小于上述离子阻抗体中的设置有多个上述贯通孔的区域亦即冲孔区域的外径。
根据该形态,通过离子阻抗体,能够实现形成于基板的镀覆皮膜的膜厚的均匀化。另外,通过电场调整块,能够调整阴极室中的电场,因此能够有效地实现镀覆皮膜的膜厚的均匀化。
(形态8)
也可以构成为,上述形态1~7中的任意一个形态还具备构成为抑制上述第一区域的气泡流入至上述流入口的抑制部件。
根据该形态,能够抑制第一区域的气泡从流入口流入至第二区域。
(形态9)
也可以构成为,在上述形态8中,上述抑制部件具备配置于比上述第二膜的上述流入口靠下方的位置并在水平方向上延伸的抑制板。
(形态10)
也可以构成为,在上述形态8中,上述抑制部件具备:筒部件,配置于比上述第二膜的上述流入口靠下方的位置,并在水平方向上延伸;和连结部件,将上述筒部件的内部与上述流入口连结。
(形态11)
也可以构成为,对于上述形态1~10中的任意一个形态而言,上述镀覆装置还具备镀覆液流通模块,上述镀覆液流通模块构成为:在对上述基板执行镀覆处理时,使镀覆液在上述阳极室与阳极室用的储液罐之间流通,并且使镀覆液在上述阴极室与阴极室用的储液罐之间流通。
(形态12)
也可以构成为,在上述形态11中,上述镀覆液流通模块具备压力调整阀,上述压力调整阀配置于使上述阳极室的镀覆液向上述阳极室用的储液罐流通的流路,调整上述阳极室的压力以使上述阳极室的压力成为与上述阴极室的压力相同的值。
根据该形态,能够通过简单的结构将阳极室的压力控制为与阴极室的压力相同的值。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示实施方式1所涉及的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是示意性地表示实施方式1所涉及的镀覆模块的结构的图。
图4是用于对实施方式1所涉及的供给泄放口的详情进行说明的示意图。
图5是实施方式1所涉及的膜模块的示意性的分解立体图。
图6是图3的A1部分的示意性的放大剖视图。
图7是实施方式1所涉及的第一膜的示意性的俯视图。
图8是实施方式1所涉及的第一支撑部件的示意性的俯视图。
图9是实施方式1所涉及的第二膜及第二支撑部件的示意性的俯视图。
图10是示意性地表示图9的B1-B1线剖面的剖视图。
图11是实施方式1所涉及的第一密封部件的示意性的俯视图。
图12是实施方式1所涉及的第二密封部件或者第三密封部件的示意性的俯视图。
图13是图3的A2部分的示意性的放大剖视图。
图14是图13的A4部分的示意性的放大图。
图15是示意性地表示实施方式2所涉及的镀覆装置的第二膜的周边结构的剖视图。
图16是示意性地表示实施方式2的变形例所涉及的镀覆装置的第二膜的周边结构的剖视图。
图17是用于对实施方式3所涉及的镀覆液流通模块进行说明的示意图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下,参照附图对本发明的实施方式1进行说明。此外,附图为了使特征容易理解而示意性地进行图示,各构成要素的尺寸比率等不一定与实际的相同。另外,在若干附图中,图示有X-Y-Z的正交坐标作为参考用。该正交坐标中,Z方向相当于上方,-Z方向相当于下方(重力作用的方向)。
图1是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的俯视图。如图1及图2所示,镀覆装置1000具备:装载埠100、搬运机器人110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转干燥机600、搬运装置700以及控制模块800。
装载埠100是用于将未图示的FOUP等盒中所收容的基板搬入至镀覆装置1000、从镀覆装置1000将基板搬出至盒的模块。在本实施方式中,在水平方向上排列配置有4台装载埠100,但装载埠100的数量及配置是任意的。搬运机器人110是用于搬运基板的机器人,构成为在装载埠100、对准器120、预湿模块200以及旋转干燥机600之间交接基板。搬运机器人110及搬运装置700当在搬运机器人110与搬运装置700之间交接基板时,能够经由临时放置台(未图示)进行基板的交接。
对准器120是用于将基板的定向平面、凹口等位置对准于规定的方向的模块。在本实施方式中,在水平方向上排列配置有2台对准器120,但对准器120的数量及配置是任意的。预湿模块200用纯水或者脱气水等处理液将镀覆处理前的基板的被镀覆面润湿,从而将形成于基板表面的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为:实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液从而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中,在上下方向上排列配置有2台预湿模块200,但预湿模块200的数量及配置是任意的。
预浸模块300构成为:实施例如将镀覆处理前的基板的被镀覆面处所形成的晶种层表面等处所存在的电阻较大的氧化膜用硫酸、盐酸等处理液蚀刻去除来对镀覆基底表面进行清洗或者活性化的预浸处理。在本实施方式中,在上下方向上排列配置有2台预浸模块300,但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中,在上下方向上排列配置3台并且在水平方向上排列配置4台的12台镀覆模块400的机组有两个,设置有合计24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量及配置是任意的。
清洗模块500构成为:为了将残留于镀覆处理后的基板的镀覆液等去除而对基板实施清洗处理。在本实施方式中,在上下方向上排列配置有2台清洗模块500,但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转干燥机600是用于使清洗处理后的基板高速旋转来使其干燥的模块。在本实施方式中,在上下方向上排列配置有2台旋转干燥机600,但旋转干燥机600的数量及配置是任意的。搬运装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块间搬运基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块,例如能够由具备与操作人员之间的输入输出界面的一般计算机或者专用计算机构成。
对由镀覆装置1000进行的一系列的镀覆处理的一个例子进行说明。首先,向装载埠100搬入已被收容于盒的基板。接着,搬运机器人110从装载埠100的盒取出基板,并将基板搬运至对准器120。对准器120将基板的定向平面、凹口等位置对准于规定的方向。搬运机器人110向预湿模块200交接已由对准器120对准了方向的基板。
预湿模块200对基板实施预湿处理。搬运装置700将已实施了预湿处理的基板向预浸模块300搬运。预浸模块300对基板实施预浸处理。搬运装置700将已实施了预浸处理的基板向镀覆模块400搬运。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
搬运装置700将已实施了镀覆处理的基板向清洗模块500搬运。清洗模块500对基板实施清洗处理。搬运装置700将已实施了清洗处理的基板向旋转干燥机600搬运。旋转干燥机600对基板实施干燥处理。搬运机器人110从旋转干燥机600接收基板,将已实施了干燥处理的基板向装载埠100的盒搬运。最后,从装载埠100搬出已收容了基板的盒。
此外,在图1、图2中说明的镀覆装置1000的结构不过是一个例子,镀覆装置1000的结构并不限定于图1、图2的结构。
接着,对镀覆模块400进行说明。此外,本实施方式所涉及的镀覆装置1000所具有的多个镀覆模块400具有同样的结构,因此对一个镀覆模块400进行说明。
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的镀覆装置1000中的一个镀覆模块400的结构的图。本实施方式所涉及的镀覆装置1000是杯式镀覆装置。本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400具备:镀覆槽10、基板保持架20、旋转机构22、升降机构24、电场调整块30以及膜模块40。
镀覆槽10由在上方具有开口的有底的容器构成。具体而言,镀覆槽10具有底壁10a、和从该底壁10a的外缘向上方延伸的外周壁10b,该外周壁10b的上部开口。此外,镀覆槽10的外周壁10b的形状并不特别限定,但作为一个例子,本实施方式所涉及的外周壁10b具有圆筒形状。在镀覆槽10的内部贮存有镀覆液Ps。在镀覆槽10的外周壁10b的外侧配置有用于贮存从外周壁10b的上端溢流了的镀覆液Ps的溢流槽19。
作为镀覆液Ps,只要是包含构成镀覆皮膜的金属元素的离子的溶液即可,其具体例并不特别限定。在本实施方式中,使用铜镀覆处理作为镀覆处理的一个例子,使用硫酸铜溶液作为镀覆液Ps的一个例子。
另外,在本实施方式中,镀覆液Ps中包含有规定的镀覆添加剂。在本实施方式中,使用有“非离子类的镀覆添加剂”作为该规定的镀覆添加剂的具体例。此外,非离子类的镀覆添加剂是指在镀覆液Ps中不显示离子性的添加剂。
在镀覆槽10的内部配置有阳极13。另外,阳极13配置为在水平方向上延伸。阳极13的具体种类并不特别限定,可以是不溶解阳极,也可以是溶解阳极。在本实施方式中,使用不溶解阳极作为阳极13的一个例子。该不溶解阳极的具体种类并不特别限定,能够使用白金、氧化铱等。此外,在阳极13与后述的膜模块40的第二膜42之间也可以配置有阳极罩。
在镀覆槽10的内部中的后述的阴极室12配置有离子阻抗体14。具体而言,离子阻抗体14设置于阴极室12中的比膜模块40靠上方并且比基板Wf靠下方的部位。离子阻抗体14是能够成为阴极室12中的离子的移动的阻抗的部件,为了实现形成在阳极13与基板Wf之间的电场的均匀化而设置。
离子阻抗体14由具有以贯通离子阻抗体14的下表面与上表面的方式设置的多个贯通孔15的板部件构成。该多个贯通孔15设置于离子阻抗体14的冲孔区域PA(俯视时为圆形的区域)的部分。离子阻抗体14的具体材质并不特别限定,但在本实施方式中,使用聚醚醚酮等树脂作为一个例子。
通过镀覆模块400具有离子阻抗体14,而能够实现形成于基板Wf的镀覆皮膜(镀覆层)的膜厚的均匀化。
电场调整块30由环状的部件构成。另外,电场调整块30配置于阴极室12中的比离子阻抗体14靠下方且比膜模块40靠上方的位置。具体而言,本实施方式所涉及的电场调整块配置于后述的第一支撑部件43的上表面。
如后述的图13所示,电场调整块30的内周壁的内径D2是小于离子阻抗体14的冲孔区域PA的外径D1的值。换言之,对于电场调整块30的内周壁而言,与在离子阻抗体14的径向上配置于最外侧的贯通孔15相比,在离子阻抗体14的径向上位于内侧。
电场调整块30具有调整阴极室12中的电场的功能。具体而言,电场调整块30调整阴极室12的电场,以抑制电场集中于基板Wf的外缘,而使得形成于基板Wf的镀覆皮膜的膜厚变得均匀。电场调整块30的具体材质并不特别限定,但在本实施方式中,使用聚醚醚酮等树脂作为一个例子。
通过镀覆模块400具备电场调整块30,而能够调整阴极室12中的电场,因此能够有效地实现镀覆皮膜的膜厚的均匀化。
此外,优选为预先准备具有不同内径D2的多个种类的电场调整块30。该情况下,只要从该多个种类的电场调整块30之中选择具有所希望的内径D2的电场调整块30,将该选择出的电场调整块30配置于镀覆槽10即可。
上述的离子阻抗体14、电场调整块30并非是本实施方式所必需的部件,镀覆模块400也能够是不具备这些部件的结构。
参照图3,膜模块40在镀覆槽10的内部配置于阳极13与基板Wf(阴极)之间的部位(具体而言,在本实施方式中为阳极13与离子阻抗体14之间的部位)。在镀覆槽10的内部,将比膜模块40的后述的第一膜41靠下方的区域称为阳极室11,将比第一膜41靠上方的区域称为阴极室12。上述的阳极13配置于阳极室11。该膜模块40的详情后文叙述。
基板保持架20将作为阴极的基板Wf保持为基板Wf的被镀覆面(下表面)与阳极13对置。基板保持架20与旋转机构22连接。旋转机构22是用于使基板保持架20旋转的机构。旋转机构22与升降机构24连接。升降机构24由在上下方向上延伸的支柱26支承。升降机构24是用于使基板保持架20及旋转机构22升降的机构。此外,基板Wf及阳极13与通电装置(未图示)电连接。通电装置是用于在执行镀覆处理时向基板Wf与阳极13之间通电的装置。
在镀覆槽10设置有:用于向阳极室11供给镀覆液Ps的阳极室用供给口16;和用于从阳极室11向镀覆槽10的外部排出镀覆液Ps的阳极室用排出口17。作为一个例子,本实施方式所涉及的阳极室用供给口16配置于镀覆槽10的底壁10a。作为一个例子,阳极室用排出口17配置于镀覆槽10的外周壁10b。另外,阳极室用排出口17设置于镀覆槽10的两处。此外,阳极室用排出口17的详情后文叙述。
从阳极室用排出口17排出的镀覆液Ps在阳极室用的储液罐暂时贮存后,再次从阳极室用供给口16供给至阳极室11。关于该镀覆液Ps的流通形态的详情,在后述的另一实施方式(实施方式3)中进行说明。
在镀覆槽10设置有阴极室12用的供给泄放口18。供给泄放口18是“阴极室12用的镀覆液Ps的供给口”与“阴极室12用的镀覆液Ps的泄放口”合体而成的。
即,在向阴极室12供给镀覆液Ps时,该供给泄放口18作为“阴极室12用的镀覆液Ps的供给口”发挥功能,从该供给泄放口18向阴极室12供给镀覆液Ps。另一方面,在从阴极室12排出镀覆液Ps时,该供给泄放口18作为“阴极室12用的镀覆液Ps的泄放口”发挥功能,从该供给泄放口18排出阴极室12的镀覆液Ps。
具体而言,在本实施方式所涉及的供给泄放口18连接有流路切换阀(未图示)。通过由该流路切换阀进行的流路的切换,供给泄放口18选择性地进行向阴极室12供给镀覆液Ps、和将阴极室12的镀覆液Ps向镀覆槽10的外部排出。
图4是用于对供给泄放口18的详情进行说明的示意图。具体而言,在图4中图示有镀覆槽10的示意性的俯视图,并且在图4的一部分(A3部分)中还图示有供给泄放口18的周边结构的示意性的主视图。此外,在图4中省略了离子阻抗体14、电场调整块30、后述的第一支撑部件43以及第一密封部件45的图示。
如图4所示,本实施方式所涉及的供给泄放口18设置于镀覆槽10的外周壁10b。另外,供给泄放口18设置为从后述的第一膜41的延伸部位41a到供给泄放口18的高度(H)为20mm以内。即,该高度(H)可以为0mm(该情况下,供给泄放口18配置于第一膜41的延伸部位41a的正上方),或者也可以为20mm,或者也可以为从大于0mm且小于20mm的范围选择出的任意的值。
根据该结构,能够容易地将阴极室12的镀覆液Ps从阴极室12排出。
此外,供给泄放口18的结构并不限定于上述结构。举出另一个例子,镀覆模块400也可以分别独立地具备“阴极室12用的镀覆液Ps的供给口”及“阴极室12用的镀覆液Ps的泄放口”来取代供给泄放口18。
在对基板Wf执行镀覆处理时,首先,旋转机构22使基板保持架20旋转,并且升降机构24使基板保持架20向下方移动,使基板Wf浸渍于镀覆槽10的镀覆液Ps(阴极室12的镀覆液Ps)。接下来,通过通电装置,向阳极13与基板Wf之间通电。由此,在基板Wf的被镀覆面形成镀覆皮膜。
此外,在对基板Wf执行镀覆处理时,供给泄放口18不作为“阴极室12用的镀覆液Ps的泄放口”发挥功能。具体而言,在执行镀覆处理时,阴极室12的镀覆液Ps从镀覆槽10的外周壁10b的上端溢流而暂时贮存于溢流槽19。在镀覆处理结束后,将阴极室12的镀覆液Ps从阴极室12排出,使阴极室12的镀覆液Ps变空的情况下,供给泄放口18成为开阀状态而作为“阴极室12用的镀覆液Ps的泄放口”发挥功能,从供给泄放口18排出镀覆液Ps。
然而,在如本实施方式的杯式镀覆装置1000中,由于某些原因,有时会在阳极室11产生气泡Bu(该附图标记记载于后述的图13)。具体而言,如本实施方式那样,在使用不溶解阳极作为阳极13的情况下,在执行镀覆处理时(通电时),基于以下的反应式而在阳极室11产生氧(O2)。该情况下,该产生的氧成为气泡Bu。
2H2O→O2+4H++4e-
另外,假设在使用溶解阳极作为阳极13的情况下,不发生如上所述的反应式,但例如在最初向阳极室11供给镀覆液Ps时,存在空气与镀覆液Ps一起流入至阳极室11的担忧。因此,即使在使用溶解阳极作为阳极13的情况下,也有可能在阳极室11产生气泡Bu。
如上所述,当在阳极室11产生了气泡Bu的情况下,在假设该气泡Bu整体上滞留于膜模块40的下表面(具体而言,后述的第二膜42的下表面)的情况下,存在该气泡Bu截断电场的担忧。该情况下,存在基板Wf的镀覆品质恶化的担忧。因此,在本实施方式中,为了应对这样的问题,使用以下说明的技术。
图5是膜模块40的示意性的分解立体图。图6是图3的A1部分的示意性的放大剖视图。本实施方式所涉及的膜模块40具备:第一膜41、第二膜42、第一支撑部件43(即“第一膜用支撑部件”)、第二支撑部件44(即“第二膜用支撑部件”)、第一密封部件45、第二密封部件46以及第三密封部件47。膜模块40的这些构成部件使用螺栓等紧固部件固定于镀覆槽10的外周壁10b的规定部位(即供膜模块40固定的被固定部位)。
图7是第一膜41的示意性的俯视图。图8是第一支撑部件43的示意性的俯视图。图9是第二膜42及第二支撑部件44的示意性的俯视图。图10是示意性地表示图9的B1-B1线剖面的剖视图。图11是第一密封部件45的示意性的俯视图。图12是第二密封部件46(或者第三密封部件47)的示意性的俯视图。图13是图3的A2部分的示意性的放大剖视图。
第一膜41是构成为允许镀覆液Ps中包含的离子种(其包含有金属离子)通过第一膜41、并且抑制镀覆液Ps中包含的非离子类的镀覆添加剂通过第一膜41的膜。具体而言,第一膜41具有多个微小的孔(微小孔)(省略该微小孔的图示)。该多个孔的平均直径为纳米尺寸(即1nm以上、999nm以下的尺寸)。由此,允许包含金属离子的离子种(其为纳米尺寸)通过第一膜41的多个微小孔,另一方面,抑制非离子类的镀覆添加剂(其大于纳米尺寸)通过第一膜41的多个微小孔。例如能够使用离子交换膜作为这样的第一膜41。举出第一膜41的具体产品名,例如可以举出科慕公司产的全氟磺酸膜(Nafion膜)等。
如本实施方式,通过镀覆模块400具备第一膜41,而能够抑制阴极室12的镀覆液Ps中包含的非离子类的镀覆添加剂向阳极室11移动。由此,能够实现阴极室12的镀覆添加剂的消耗量的减少。
如图7所示,第一膜41具备延伸部位41a和倾斜部位41b。延伸部位41a在水平方向上延伸。具体而言,延伸部位41a通过阳极室11的中心,并在水平方向(作为一个例子为Y方向)上延伸。另外,延伸部位41a由具有规定的宽度(X方向的长度)的面构成。
倾斜部位41b以延伸部位41a为起点在从延伸部位41a离开的方向上向一侧(X方向侧)及另一侧(-X方向侧)延伸,并且以随着从延伸部位41a远离而位于上方的方式倾斜。其结果是,本实施方式所涉及的第一膜41在正面观察时(在从Y方向目视确认的情况下)具有“V字状”的外观形状。此外,本实施方式所涉及的倾斜部位41b的外缘为圆弧状。具体而言,倾斜部位41b的外缘是该外缘的一部分与延伸部位41a的两端(Y方向侧的端部及-Y方向侧的端部)连接的圆弧状。其结果是,第一膜41在俯视观察时为大致圆形。
此外,举出第一膜41的倾斜部位41b相对于水平方向的倾斜角度的一个例子,例如能够使用2度以上的值作为该倾斜角度,具体而言,能够使用2度以上、45度以下的值。
如图8所示,第一支撑部件43是用于支承第一膜41的部件。具体而言,第一支撑部件43具备:第一部位43a,支承第一膜41的延伸部位41a;和第二部位43b,支承第一膜41的倾斜部位41b的外缘。第一部位43a在水平方向上延伸。具体而言,第一部位43a通过阳极室11的中心,并且在水平方向(作为一个例子为Y方向)上延伸。另外,第二部位43b由环状的部件构成,并且以随着从第一部位43a离开而位于上方的方式倾斜。
另外,本实施方式所涉及的第一部位43a位于第一膜41的上方,从上方侧支承第一膜41。
如图5所示,第一密封部件45是夹持在第一膜41与第一支撑部件43之间的密封部件。这样,通过在第一膜41与第一支撑部件43之间配置有第一密封部件45,而第一膜41与第一支撑部件43成为相互不接触的状态。
如图11所示,第一密封部件45具备延伸密封部位45a和外缘密封部位45b。延伸密封部位45a在水平方向上延伸,夹持在第一膜41的延伸部位41a与第一支撑部件43的第一部位43a之间。外缘密封部位45b夹持在第一膜41的倾斜部位41b的外缘与第一支撑部件43的第二部位43b之间。
参照图5及图6,第二膜42以不与第一膜41接触的形态配置于比第一膜41靠下方且比阳极13靠上方的部位。将比第二膜42靠下方的区域称为“第一区域R1”,将比第二膜42靠上方且比第一膜41靠下方的区域(第二膜42与第一膜41之间的区域)称为“第二区域R2”。第二区域R2形成为镀覆液Ps能够在该区域流通。
参照图5、图6、图9以及图10,本实施方式所涉及的第二膜42与第二支撑部件44接合。具体而言,作为一个例子,本实施方式所涉及的第二膜42与第二支撑部件44的下表面接合。
第二膜42是构成为允许镀覆液Ps中包含的离子种(包含金属离子的离子种)通过第二膜42、并且抑制气泡Bu通过第二膜42的膜。具体而言,第二膜42具有多个微小孔(省略该微小孔的图示)。该多个微小孔的平均直径为纳米尺寸。由此,允许包含金属离子的离子种通过第二膜42的微小孔,另一方面,抑制气泡Bu(其大于纳米尺寸)通过第二膜42的微小孔。
优选为第二膜42使用与第一膜41不同的种类的膜。例如,第二膜42能够是材质、表面特性(疏水性、亲水性等)、表面粗糙度、微小孔的尺寸、密度等与第一膜41不同的膜。作为一个实施方式,作为第一膜41,能够使用抑制镀覆液Ps中所能够包含的镀覆添加剂的移动的性能优异的膜,作为第二膜42,能够使用气泡Bu难以附着的气泡Bu的流动特性优异的膜。此外,该第二膜42的微小孔的平均直径的大小也可以大于第一膜41的微小孔的平均直径。
此外,举出第二膜42的微小孔的平均直径的大小的一个例子,可以举出从数十nm~数百nm的范围选择出的值(举出该一个例子,例如从10nm~300nm的范围选择出的值)。另外,在气泡Bu难以附着这一点,优选第二膜42的表面粗糙度较小。另外,在气泡Bu难以附着这一点,第二膜42的表面为亲水性的情况比为疏水性的情况优选(气泡Bu一般为疏水性)。举出第二膜42的具体产品名,例如可以举出汤浅膜系统有限公司产的“镀覆用电解隔膜”等。
借助本实施方式的镀覆模块400使用第一膜41及第二膜42这两种离子透过性的膜。根据膜的种类,离子透过性、添加剂的透过性、气泡的附着性等分别不同,存在仅用一个种类的膜难以发挥镀覆模块400所期望的功能的情况。因此,在借助本实施方式的镀覆模块400中,通过使用性质不同的两种离子透过性的膜而能够实现镀覆模块400的整体功能的提升。
参照图3、图9以及图10,第二膜42具备倾斜部位42b,该倾斜部位42b相对于水平方向倾斜,并且以随着从阳极室11的中央侧朝向阳极室11的外缘侧而位于上方的方式倾斜。
具体而言,本实施方式所涉及的第二膜42具备:上述倾斜部位42b,和在水平方向上延伸的延伸部位42a。倾斜部位42b以延伸部位42a为起点在从延伸部位42a离开的方向上向一侧(X方向侧)及另一侧(-X方向侧)延伸,并且以随着从延伸部位42a离开而位于上方的方式倾斜。其结果是,本实施方式所涉及的第二膜42在正面观察时(在从Y方向目视确认的情况下)具有“V字状”的外观形状。
此外,举出第二膜42的倾斜部位42b相对于水平方向的倾斜角度的一个例子,例如能够使用2度以上的值作为该倾斜角度,具体而言,能够使用2度以上、45度以下的值。
此外,本实施方式所涉及的倾斜部位42b的外缘为圆弧状。具体而言,倾斜部位42b的外缘是该外缘的一部分与延伸部位42a的两端(Y方向侧的端部及-Y方向侧的端部)连接的圆弧状。其结果是,第二膜42在俯视观察时为大致圆形。另外,本实施方式所涉及的第二膜42的倾斜部位42b与第一膜41的倾斜部位41b大致平行。
延伸部位42a通过阳极室11的中心,并且在水平方向(作为一个例子为Y方向)上延伸。另外,延伸部位42a由具有规定的宽度(X方向的长度)的面构成。延伸部位42a与第二支撑部件44的后述的第一部位44a的下表面接合。
另外,在第二膜42的延伸部位42a设置有流入口42c(例如图示于图6、图10),该流入口42c用于使比第二膜42靠下方的镀覆液Ps流入至比第二膜42靠上方且比第一膜41靠下方的区域。具体而言,本实施方式所涉及的流入口42c在第二膜42的延伸部位42a的延伸方向上设置有多个。
此外,流入口42c的尺寸(即开口尺寸)优选为最小尺寸为2mm以上且最大尺寸为15mm以下。具体而言,在流入口42c例如为圆形的情况下,直径优选为2mm以上、15mm以下。在流入口42c例如为矩形的情况下,矩形的边的长度优选为2mm以上、15mm以下。另外,具有这样的适当的尺寸的流入口42c的个数可以是一个,也可以是多个。阳极室11的第一区域R1与第二区域R2通过流入口42c而流体连接。
此外,优选为第二膜42的倾斜部位42b的下表面比第一膜41的倾斜部位41b的下表面平滑。换言之,优选为第二膜42的倾斜部位42b的下表面的表面粗超度(Ra)小于第一膜41的倾斜部位41b的下表面的表面粗糙度(Ra)。根据该结构,能够有效地使气泡Bu沿着第二膜42的倾斜部位42b的下表面移动。由此能够有效地抑制由气泡Bu引起的基板Wf的镀覆品质恶化。
第二支撑部件44是用于支承第二膜42的部件。具体而言,第二支撑部件44具备:第一部位44a,支承第二膜42的延伸部位42a;和第二部位44b,支承第二膜42的倾斜部位42b的外缘。第一部位44a在水平方向上延伸。具体而言,第一部位44a通过阳极室11的中心,并且在水平方向(作为一个例子为Y方向)上延伸。第二部位44b由环状的部件构成,并且以随着从第一部位44a远离而位于上方的方式倾斜。
另外,在第一部位44a中的与第二膜42的流入口42c对应的位置设置有以与流入口42c连通的方式配置的孔44c。由此,流入口42c不由于第一部位44a而闭塞。
如图5及图12所示,第二密封部件46是以夹持在第一膜41与第二支撑部件44之间的方式配置的密封部件。第三密封部件47是以夹持在第二支撑部件44与镀覆槽10的外周壁10b的被固定部位之间的方式配置的密封部件。
在本实施方式中,第二密封部件46及第三密封部件47的形状相同。具体而言,如图12所示,第二密封部件46及第三密封部件47在俯视观察时整体上具有圆环状的形状。第二密封部件46夹持在第一膜41的倾斜部位41b的外缘与第二支撑部件44的第二部位44b之间。另外,第三密封部件47夹持在第二支撑部件44的第二部位44b与镀覆槽10的外周壁10b的被固定部位之间。
根据如以上说明的本实施方式,具备如上所述的第二膜42,因此如图13所示,即使是在阳极室11产生了气泡Bu的情况下,也能够使该气泡Bu利用浮力沿着第二膜42的倾斜部位42b移动,而移动至第二膜42的外缘。由此,能够抑制在阳极室11产生的气泡Bu整体上滞留于第一膜41及第二膜42的下表面。其结果是,能够抑制由整体上滞留于第一膜41及第二膜42的下表面的气泡Bu引起的基板Wf的镀覆品质恶化。
图14是图13的A4部分的示意性的放大图。参照图13及图14,在镀覆槽10的外周壁10b设置有收容槽50。收容槽50以沿着第二膜42的倾斜部位42b的外缘的方式形成于镀覆槽10的外周壁10b。具体而言,本实施方式所涉及的收容槽50以沿着第二膜42的倾斜部位42b的外缘的方式形成于外周壁10b的周方向的整周。
该收容槽50构成为:暂时收容已移动至第二膜42的倾斜部位42b的外缘的气泡Bu,并且供第一区域R1的镀覆液Ps及第二区域R2的镀覆液Ps在收容槽50合流。
具体而言,如图14所示,本实施方式所涉及的收容槽50形成为:上侧槽壁50a位于比第二膜42靠上方的位置,与上侧槽壁50a对置的下侧槽壁50b位于比第二膜42靠下方的位置。由此,收容槽50能够有效地收容已沿着第二膜42的倾斜部位42b移动至该倾斜部位42b的外缘的气泡Bu,并且能够容易地在收容槽50将第一区域R1及第二区域R2的镀覆液Ps合流。
此外,上侧槽壁50a与下侧槽壁50b的间隔(即槽宽度W1)并不特别限定,但在本实施方式中,作为一个例子,是从2mm以上、30mm以下的范围选择出的值。
参照图13,收容槽50与后述的阳极室用排出口17由连通路51连通。具体而言,连通路51将收容槽50的上端与阳极室用排出口17的上游端连通。
阳极室用排出口17经由设置于镀覆槽10的外周壁10b的连通路51而与收容槽50连通。阳极室用排出口17构成为:将第一区域R1的镀覆液Ps及第二区域R2的镀覆液Ps与已收容至收容槽50的气泡Bu一起吸入并向镀覆槽10的外部排出。
具体而言,本实施方式所涉及的阳极室用排出口17经由设置于镀覆槽10的外周壁10b的连通路51而与位于收容槽50的最上方的部分连通。另外,在第二支撑部件44的第二部位44b的一部分设置有用于供沿着第二膜42的上表面流动了的第二区域R2的镀覆液Ps流入至连通路51的槽44d(或者也可以是孔)。第一区域R1的镀覆液Ps和第二区域R2的镀覆液Ps沿着第二膜42流动后,合流并流入至连通路51,接下来从阳极室用排出口17排出。此外,本实施方式所涉及的阳极室用排出口17合计设置有两个。
根据本实施方式,能够使已移动至第二膜42的倾斜部位42b的外缘的气泡Bu暂时收容于收容槽50,将该已收容的气泡Bu与第一区域R1及第二区域R2的镀覆液Ps一起从阳极室用排出口17向镀覆槽10的外部排出。由此,能够有效地抑制气泡Bu滞留于第二膜42的下表面。
另外,根据本实施方式,通过气泡Bu暂时收容于收容槽50,从而多个较小的气泡Bu能够在该收容槽50结合而成为较大的气泡Bu。由此,能够容易地使气泡Bu从阳极室用排出口17排出。
此外,如图13所示,连通路51也可以构成为其剖面积越朝向下游侧越变小。根据该结构,气泡Bu容易暂时滞留于收容槽50,因此能够使多个较小的气泡Bu在收容槽50有效地结合而成为较大的气泡Bu。由此,能够使气泡Bu有效地从阳极室用排出口17排出。
(实施方式2)
接着,对本发明的实施方式2进行说明。此外,在以下说明中,对与上述的实施方式1同样的结构,标注同样的附图标记,省略说明(这在后述的实施方式3中也同样)。图15是示意性地表示本实施方式所涉及的镀覆装置1000A的第二膜42的周边结构的剖视图。此外,在图15中省略第二支撑部件44等的图示。
在还具备抑制部件60这一点,本实施方式所涉及的镀覆装置1000A与上述的实施方式1所涉及的镀覆装置1000不同,该抑制部件60构成为抑制阳极室11的第一区域R1中存在的气泡Bu流入至第二膜42的流入口42c。
具体而言,本实施方式所涉及的抑制部件60具备抑制板61,该抑制板61配置于比第二膜42的流入口42c靠下方的位置,由在水平方向上延伸的板部件构成。本实施方式所涉及的抑制板61由具有大于流入口42c的面积的板部件构成。由此,在从下方侧目视确认抑制板61的情况下,流入口42c整体上隐藏于抑制板61。此外,抑制板61例如也可以经由连接部件(未图示)而与第二支撑部件44连接从而固定其位置。
根据本实施方式,通过上述的抑制部件60,能够抑制第一区域R1的气泡Bu流入至流入口42c。具体而言,通过朝向流入口42c上升了的气泡Bu碰触抑制板61的下表面,而能够抑制该气泡Bu流入至流入口42c。由此,能够抑制第一区域R1的气泡Bu从流入口42c流入至第二区域R2。
(实施方式2的变形例)
图16是示意性地表示实施方式2的变形例所涉及的镀覆装置1000B的第二膜42的周边结构的剖视图。此外,在图16中省略第二支撑部件44等的图示。本变形例所涉及的镀覆装置1000B具备抑制部件60B来取代抑制部件60。
抑制部件60B具备筒部件62与连结部件63。筒部件62配置于比第二膜42的流入口42c靠下方的位置,由在水平方向(在图16中为X轴的方向)上延伸的筒状的部件构成。连结部件63是构成为将筒部件62的内部与流入口42c连结的筒状的部件。如图16所例示,连结部件63的下端也可以贯通筒部件62的筒侧壁而向筒部件62的内部突出。此外,阳极室11的镀覆液Ps依次通过筒部件62的内部及连结部件63的内部后,流入至流入口42c。
根据本变形例,通过朝向流入口42c上升了的气泡Bu碰触筒部件62的下表面(筒外壁的下表面)、筒内壁的上表面,而能够抑制该气泡Bu流入至流入口42c。由此,能够抑制第一区域R1的气泡Bu从流入口42c流入至第二区域R2。
另外,根据本变形例,如上所述,连结部件63的下端向筒部件62的内部突出,因此假设即使是气泡Bu侵入至筒部件62的内部的情况下,该气泡Bu碰触连结部件63中的向筒部件62的内部突出了的部分,从而也能够抑制该气泡Bu侵入至连结部件63的内部。由此,能够有效地抑制筒部件62的内部的气泡Bu流入至第二区域R2。
(实施方式3)
接着,对本发明的实施方式3所涉及的镀覆装置1000C进行说明。图17是用于对本实施方式所涉及的镀覆装置1000C所具备的镀覆液流通模块70进行说明的示意图。此外,图17的镀覆液流通模块70也可以应用于实施方式1所涉及的镀覆模块400,也可以应用于实施方式2所涉及的镀覆模块400。
本实施方式所涉及的镀覆液流通模块70主要具备储液罐72a、72b,泵73a、73b,压力计74a、74b,压力调整阀75以及流路80a、80b、80c、80d等。对于镀覆液流通模块70的动作而言,控制模块800进行控制。此外,在本实施方式中,控制模块800的控制功能中的控制镀覆液流通模块70的功能部分包含于镀覆液流通模块70的构成要素的一部分。
控制镀覆液流通模块70的控制模块800具备处理器801和非暂时性的存储装置802。在存储装置802中存储有程序、数据等。在控制模块800中,处理器801基于存储装置802中存储的程序的指令,控制镀覆液流通模块70。
储液罐72a是用于暂时贮存阳极室11用的镀覆液Ps的罐。即、储液罐72a是“阳极室11用的储液罐”。储液罐72b是构成为暂时贮存阴极室12用的镀覆液Ps的罐。即、储液罐72b是“阴极室12用的储液罐”。
流路80a是用于使储液罐72a的镀覆液Ps向阳极室11流通的流路。流路80b是用于使阳极室11的镀覆液Ps向储液罐72a流通(返回)的流路。流路80c是用于使储液罐72b的镀覆液Ps向阴极室12流通的流路。流路80d是用于将从阴极室12溢流而流入至溢流槽19的镀覆液Ps从溢流槽19返回至储液罐72b的流路。
泵73a是用于朝向阳极室11压送储液罐72a的镀覆液Ps的泵。本实施方式所涉及的泵73a配置于流路80a的中途部位。泵73b是用于朝向阴极室12压送储液罐72b的镀覆液Ps的泵。本实施方式所涉及的泵73b配置于流路80c的中途部位。泵73b及泵73a的动作由控制模块800控制。
压力计74a检测阳极室11的压力(具体而言,阳极室11的镀覆液Ps的压力),并将检测结果传送至控制模块800。压力计74b检测阴极室12的压力(具体而言,阴极室12的镀覆液Ps的压力),并将检测结果传送至控制模块800。
至少在对基板Wf执行镀覆处理时,镀覆液流通模块70使镀覆液Ps在阳极室11与储液罐72a之间流通,并且使镀覆液Ps在阴极室12与储液罐72b之间流通。
具体而言,本实施方式所涉及的控制模块800至少在执行镀覆处理时使泵73a及泵73b运行。通过泵73a运行,储液罐72a的镀覆液Ps在流路80a流通而供给至阳极室11。从阳极室11排出的镀覆液Ps在流路80b而返回至储液罐72a。另外,通过泵73b运行,储液罐72b的镀覆液Ps在流路80c流通而供给至阴极室12。从阴极室12溢流而流入至溢流槽19的镀覆液Ps在流路80d流通而返回至储液罐72b。
压力调整阀75配置于流路80b的中途部位。压力调整阀75通过调整在流路80b流通的镀覆液Ps的压力(Pa),来调整阳极室11的压力(Pa)。具体而言,在压力调整阀75使在流路80b流通的镀覆液Ps的压力上升了的情况下,阳极室11的压力上升。另一方面,在压力调整阀75使在流路80b流通的镀覆液Ps的压力下降了的情况下,阳极室11的压力也下降。
本实施方式所涉及的压力调整阀75调整阳极室11的压力以使阳极室11的压力成为与阴极室12的压力相同的值。此外,该情况下,泵73a在执行镀覆处理时,并非反馈阳极室11的压力、阴极室12的压力地运转,而是以恒定的转速持续压送镀覆液Ps。
根据该结构,能够通过压力调整阀75的调整这样的简单的结构,而在执行镀覆处理时将阳极室11的压力调整为与阴极室12的压力相同的值。
此外,通常在执行镀覆处理时,阴极室12的压力成为比大气压高一些的压力(恒定值)。因此,镀覆液流通模块70也能够是不具备压力计74b的结构。具体而言,该情况下,使用预先设定的规定压力作为阴极室12的压力即可。
以上,对本发明的实施方式进行了详述,但本发明并不限定于该特定的实施方式,能够在权利要求所记载的本发明的范围内进行进一步的各种变形/变更。
附图标记说明
10...镀覆槽;10a...底壁;10b...外周壁;11...阳极室;12...阴极室;13...阳极;14...离子阻抗体;17...阳极室用排出口;18...供给泄放口(“泄放口”);20...基板保持架;30...电场调整块;40...膜模块;41...第一膜;41a...延伸部位;41b...倾斜部位;42...第二膜;42a...延伸部位;42b...倾斜部位;42c...流入口;43...第一支撑部件(“第一膜用支撑部件”);44...第二支撑部件(“第二膜用支撑部件”);50...收容槽;60...抑制部件;61...抑制板;62...筒部件;63...连结部件;70...镀覆液流通模块;72a、72b...储液罐;75...压力调整阀;80a~80d...流路;800...控制模块;1000...镀覆装置;Wf...基板;Ps...镀覆液;Bu...气泡;R1...第一区域;R2...第二区域。
Claims (12)
1.一种镀覆装置,其特征在于,具备:
镀覆槽,具有底壁、和从所述底壁的外缘向上方延伸的外周壁,对镀覆液进行贮存,并且配置有阳极;
基板保持架,配置于比所述阳极靠上方的位置,将作为阴极的基板保持为该基板与所述阳极对置;以及
膜模块,配置于比所述阳极靠上方且比所述基板靠下方的位置,
所述膜模块具备:第一膜,将所述镀覆槽的内部划分为阳极室、和比该阳极室靠下方的阴极室;和第二膜,以不与所述第一膜接触的形态配置于比所述第一膜靠下方且比所述阳极靠上方的部位,
所述第二膜具有:流入口,用于供比所述第二膜靠下方的第一区域的镀覆液流入至比所述第二膜靠上方且比所述第一膜靠下方的第二区域;和倾斜部位,相对于水平方向倾斜,并且以随着从所述阳极室的中央侧朝向所述阳极室的外缘侧而位于上方的方式倾斜。
2.根据权利要求1所述的镀覆装置,其特征在于,
所述第一膜具备:延伸部位,在水平方向上延伸;和倾斜部位,以该延伸部位为起点在从该延伸部位离开的方向上向一侧及另一侧延伸,并且以随着从该延伸部位离开而位于上方的方式倾斜。
3.根据权利要求2所述的镀覆装置,其特征在于,
在所述镀覆槽的所述外周壁设置有用于将所述阴极室的镀覆液从所述阴极室排出的泄放口,
所述泄放口设置为从所述第一膜的所述延伸部位到所述泄放口的高度为20mm以内。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述膜模块还具备支承所述第二膜的第二膜用支撑部件。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述膜模块还具备支承所述第一膜的第一膜用支撑部件。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述镀覆装置还具备以沿着所述第二膜的所述倾斜部位的外缘的方式形成于所述镀覆槽的所述外周壁的收容槽,
所述收容槽构成为:暂时收容已移动至所述第二膜的所述倾斜部位的外缘的气泡,并且供所述第一区域的镀覆液及所述第二区域的镀覆液在所述收容槽合流,
所述镀覆装置还具备阳极室用排出口,所述阳极室用排出口构成为:与所述收容槽连通,将已收容至所述收容槽的气泡与在所述收容槽中流动的镀覆液一起吸入并向所述镀覆槽的外部排出。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
在所述阴极室中的比所述基板靠下方的位置配置有离子阻抗体,
在所述阴极室中的比所述离子阻抗体靠下方且比所述膜模块靠上方的位置,配置有用于调整所述阴极室中的电场的环状的电场调整块,
在所述离子阻抗体设置有多个以贯通所述离子阻抗体的下表面与上表面的方式设置的贯通孔,
所述电场调整块的内径小于所述离子阻抗体中的设置有多个所述贯通孔的区域亦即冲孔区域的外径。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述镀覆装置还具备构成为抑制所述第一区域的气泡流入所述流入口的抑制部件
9.根据权利要求8所述的镀覆装置,其特征在于,
所述抑制部件具备配置于比所述第二膜的所述流入口靠下方的位置并在水平方向上延伸的抑制板。
10.根据权利要求8所述的镀覆装置,其特征在于,
所述抑制部件具备:
筒部件,配置于比所述第二膜的所述流入口靠下方的位置,并在水平方向上延伸;和
连结部件,将所述筒部件的内部与所述流入口连结。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述镀覆装置还具备镀覆液流通模块,所述镀覆液流通模块构成为:在对所述基板执行镀覆处理时,使镀覆液在所述阳极室与阳极室用的储液罐之间流通,并且使镀覆液在所述阴极室与阴极室用的储液罐之间流通。
12.根据权利要求11所述的镀覆装置,其特征在于,
所述镀覆液流通模块具备压力调整阀,所述压力调整阀配置于使所述阳极室的镀覆液向所述阳极室用的储液罐流通的流路,调整所述阳极室的压力以使所述阳极室的压力成为与所述阴极室的压力相同的值。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001020096A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP2001024307A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP2002004099A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-01-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板メッキ装置 |
JP2002275693A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 電解メッキ装置用セパレート膜体およびその製造方法と電解メッキ装置 |
CN1610769A (zh) * | 2002-07-18 | 2005-04-27 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置 |
JP6936420B1 (ja) * | 2020-12-08 | 2021-09-15 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき処理方法 |
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JP4822858B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2011-11-24 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | めっき装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001020096A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP2001024307A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP2002004099A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-01-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板メッキ装置 |
JP2002275693A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 電解メッキ装置用セパレート膜体およびその製造方法と電解メッキ装置 |
CN1610769A (zh) * | 2002-07-18 | 2005-04-27 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置 |
JP6936420B1 (ja) * | 2020-12-08 | 2021-09-15 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき処理方法 |
JP6951609B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2021-10-20 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
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