CN115106658A - 晶片和芯片的制造方法、晶片以及激光束的对位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片和芯片的制造方法、晶片以及激光束的对位方法。能够抑制芯片的强度降低，并且能够适当地调节激光束的照射位置。该晶片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕器件区域的外周剩余区域；以及激光加工槽形成步骤，从晶片的层叠体侧沿着分割预定线照射对于层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着分割预定线的激光加工槽，第1激光束的照射条件按照与器件区域相比在外周剩余区域中容易产生层叠体的熔融的方式设定。

Description

晶片和芯片的制造方法、晶片以及激光束的对位方法
技术领域
本发明涉及晶片、该晶片的制造方法、对该晶片进行分割而制造芯片的芯片的制造方法以及在该晶片的加工中使用的激光束的对位方法。
背景技术
在组装于移动电话、个人计算机等各种电子设备的芯片的制造中，使用在由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分的多个区域内分别形成有器件的晶片。通过将该晶片沿着分割预定线进行分割而得到分别具有器件的多个芯片(器件芯片)。
在晶片的分割中，使用利用环状的切削刀具对被加工物进行切削的切削装置。另一方面，近年来，也在不断开发通过激光加工对晶片进行分割的工艺。在晶片的激光加工中，使用具有对被加工物进行保持的卡盘工作台和对被加工物照射激光束的激光照射单元的激光加工装置。
例如一边使对于晶片具有透过性的波长的激光束在晶片的内部会聚，一边使激光束沿着分割预定线进行扫描，由此在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。晶片的形成有改质层的区域比其他区域脆。因此，当对形成有改质层的晶片赋予外力时，改质层作为分割起点发挥功能而将晶片沿着分割预定线分割。
用于制造器件芯片的晶片包含由硅等半导体材料形成的基板以及形成于基板的正面侧的层叠体。层叠体具有层叠了作为电极发挥功能的导电膜、作为层间绝缘膜发挥功能的绝缘膜(例如低介电常数绝缘膜(Low-k膜))等各种薄膜的构造。通过在基板的正面侧形成层叠体，构成半导体器件或用于进行半导体器件的检查的TEG(Test Element Group，测试元件组)等。
另外，若在对晶片进行分割时层叠体残留在分割预定线上，则有时会妨碍晶片的分割。因此，有时在晶片的分割前进行通过激光加工预先将层叠体沿着分割预定线断开的处理(参照专利文献1)。由此，容易适当地分割晶片，并且能够防止在晶片的分割时包含在层叠体中的薄膜剥离而使器件损伤。
层叠体的断开通过对层叠体照射激光束而形成深度到达基板的槽(激光加工槽)来进行。此时，不仅对层叠体照射激光束，而且也对基板的正面侧照射激光束，有时在基板上形成加工痕。在该情况下，担心在通过晶片的分割而得到的器件芯片上残留加工痕，使器件芯片的抗弯强度(弯曲强度)降低。
因此，提出了如下的方法：按照未将层叠体完全断开的方式在层叠体中形成深度未到达基板的激光加工槽，利用激光加工槽作为层叠体的分割起点(参照专利文献2)。通过使用该方法，能够避免在基板上形成加工痕，能够防止器件芯片的抗弯强度降低。
专利文献1：日本特开2007-173475号公报
专利文献2：日本特开2013-254867号公报
如上述那样，在层叠体上形成了激光加工槽之后，通过激光束的照射，在基板的内部形成改质层，将晶片分割。另外，在形成改质层时，为了不会由于形成在基板的正面侧的层叠体阻碍激光束的照射，从基板的背面侧照射激光束。因此，基板按照正面侧(层叠体侧)与卡盘工作台的保持面面对而背面侧向上方露出的方式配置。
另外，为了适当地分割晶片，要求在与形成于层叠体的激光加工槽重叠的位置形成改质层。因此，在对基板照射激光束之前，为了沿着激光加工槽扫描激光束，进行基板与激光束的对位(对准)。
通常，在通过卡盘工作台对基板的正面侧(层叠体侧)进行保持的情况下，通过红外线相机从背面侧拍摄基板，隔着基板而观察形成于层叠体的激光加工槽。并且，根据激光加工槽的位置，调节卡盘工作台的位置。但是，在如上述那样形成有深度未到达基板的激光加工槽的情况下，在基板与激光加工槽之间残留有层叠体的一部分(残留部)，由于残留部而妨碍激光加工槽的拍摄。其结果是，无法观察激光加工槽，难以实施对准。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供能够抑制芯片的强度降低并且能够适当地调节激光束的照射位置的晶片、该晶片的制造方法、对该晶片进行分割而制造芯片的芯片的制造方法以及在该晶片的加工中使用的激光束的对位方法。
根据本发明的一个方式，提供晶片的制造方法，其中，该晶片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；以及激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽，该第1激光束的照射条件按照与该器件区域相比在该外周剩余区域中容易产生该层叠体的熔融的方式设定。
另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的能量密度比照射至该器件区域的该第1激光束的能量密度大。另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的峰值功率比照射至该器件区域的该第1激光束的峰值功率大。另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的重叠率比照射至该器件区域的该第1激光束的重叠率大。
另外，根据本发明的另一方式，提供晶片的制造方法，其中，该晶片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；以及激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽，形成于该外周剩余区域的该激光加工槽比形成于该器件区域的该激光加工槽深。
另外，优选在该器件区域形成有深度未到达该基板的该激光加工槽，在该外周剩余区域形成有深度到达该基板的该激光加工槽。
另外，根据本发明的又一方式，提供芯片的制造方法，其中，该芯片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽；改质层形成步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，将对于该基板具有透过性的波长的第2激光束的会聚位置定位于该基板的内部，从该基板的背面侧沿着该分割预定线照射该第2激光束，形成沿着该分割预定线的改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对该晶片赋予外力而将该晶片沿着该分割预定线进行分割，该第1激光束的照射条件按照与该器件区域相比在该外周剩余区域中容易产生该层叠体的熔融的方式设定。
另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的能量密度比照射至该器件区域的该第1激光束的能量密度大。另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的峰值功率比照射至该器件区域的该第1激光束的峰值功率大。另外，优选照射至该外周剩余区域的该第1激光束的重叠率比照射至该器件区域的该第1激光束的重叠率大。
另外，根据本发明的又一方式，提供芯片的制造方法，其中，该芯片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽；改质层形成步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，将对于该基板具有透过性的波长的第2激光束的会聚位置定位于该基板的内部，从该基板的背面侧沿着该分割预定线照射该第2激光束，形成沿着该分割预定线的改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对该晶片赋予外力而将该晶片沿着该分割预定线进行分割，形成于该外周剩余区域的该激光加工槽比形成于该器件区域的该激光加工槽深。
另外，优选在该器件区域形成有深度未到达该基板的该激光加工槽，在该外周剩余区域形成有深度到达该基板的该激光加工槽。另外，优选该芯片的制造方法还包含如下的对位步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该改质层形成步骤之前，从该基板的背面侧观察形成于该外周剩余区域的该激光加工槽，按照该第2激光束照射至与该激光加工槽重叠的区域的方式调节该晶片与该第2激光束的位置关系。
另外，根据本发明的又一方式，提供晶片，其包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，在该层叠体上设置有沿着该分割预定线的槽，设置于该外周剩余区域的该槽比设置于该器件区域的该槽深。
另外，优选在该器件区域设置有深度未到达该基板的该槽，在该外周剩余区域设置有深度到达该基板的该槽。
另外，根据本发明的又一方式，提供激光束的对位方法，其中，该激光束的对位方法包含如下的步骤：有槽晶片准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片在该层叠体上设置有沿着该分割预定线的槽；以及对位步骤，从该基板的背面侧观察形成于该外周剩余区域的该槽，按照激光束照射至与该槽重叠的区域的方式调节该晶片与该激光束的位置关系，设置于该外周剩余区域的该槽比设置于该器件区域的该槽深。
另外，优选在该器件区域设置有深度未到达该基板的该槽，在该外周剩余区域设置有深度到达该基板的该槽。
根据本发明的一个方式，在晶片的器件区域形成有深度未到达基板的激光加工槽。由此，能够避免在基板上残留加工痕而使芯片的抗弯强度降低，并且能够形成作为层叠体的分割起点发挥功能的激光加工槽。另外，在晶片的外周剩余区域形成有比形成于器件区域的激光加工槽深的激光加工槽。由此，容易从基板的背面侧观察外周剩余区域的激光加工槽，容易根据激光加工槽的位置而进行晶片和第2激光束的对位(对准)。其结果是，能够抑制芯片的强度降低，并且能够适当地调节第2激光束的照射位置。
附图说明
图1的(A)是示出晶片的立体图，图1的(B)是示出晶片的一部分的剖视图。
图2是示出被环状的框架支承的晶片的立体图。
图3是示出激光加工装置的局部剖视主视图。
图4的(A)是示出对外周剩余区域的一端部照射激光束时的晶片的一部分的剖视图，图4的(B)是示出对器件区域照射激光束时的晶片的一部分的剖视图，图4的(C)是示出对外周剩余区域的另一端部照射激光束时的晶片的一部分的剖视图。
图5的(A)是示出晶片的外周剩余区域的一部分的剖视图，图5的(B)是示出晶片的器件区域的一部分的剖视图。
图6的(A)是示出对位步骤中的激光加工装置的局部剖视主视图，图6的(B)是示出通过拍摄单元进行拍摄的晶片的剖视图。
图7是示出改质层形成步骤中的激光加工装置的局部剖视主视图。
图8的(A)是示出形成有改质层的晶片的外周剩余区域的一部分的剖视图，图8的(B)是示出形成有改质层的晶片的器件区域的一部分的剖视图。
图9是示出磨削装置的立体图。
图10的(A)是示出扩展装置的局部剖视主视图，图10的(B)是示出对带进行扩展的扩展装置的局部剖视主视图。
标号说明
11：晶片；11a：正面(第1面)；11b：背面(第2面)；13：基板；13a：正面(第1面)；13b：背面(第2面)；15：层叠体；17：分割预定线(间隔道)；19：器件；21：器件区域；23：外周剩余区域；25：带；27：框架；27a：开口；29、29a、29b：激光加工槽；31：带；33：框架；35：改质层(变质层)；37：改质区域；39：裂纹(龟裂)；41：保护片；43：带；45：框架；47：芯片；2：激光加工装置；4：卡盘工作台(保持工作台)；4a：保持面；6：夹具；8：激光照射单元；10：头；12：激光束(第1激光束)；14：拍摄单元；16：激光束(第2激光束)；20：磨削装置；22：卡盘工作台；22a：保持面；24：磨削单元；26：主轴；28：安装座；30：磨削磨轮；32：基台；34：磨削磨具；40：扩展装置；42：鼓；44：滚轮；46：支承部件；48：台；50：夹具。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先，对能够在本实施方式的晶片的制造方法和芯片的制造方法中使用的晶片的结构例进行说明。图1的(A)是示出晶片11的立体图。
晶片11包含圆盘状的基板13。例如基板13由硅等半导体材料形成，其具有相互大致平行的正面(第1面)13a和背面(第2面)13b。不过，对于基板13的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如基板13可以是由硅以外的半导体(GaAs、SiC、InP、GaN等)、蓝宝石、玻璃、陶瓷、树脂、金属等形成的基板。另外，基板13的背面13b相当于晶片11的背面(第2面)11b。
在基板13的正面13a侧设置有包含所层叠的多个薄膜的层叠体15。层叠体15包含作为电极发挥功能的导电膜、作为层间绝缘膜发挥功能的绝缘膜(例如低介电常数绝缘膜(Low-k膜))等各种薄膜，形成于基板13的整个正面13a侧。另外，层叠体15的正面(上表面)相当于晶片11的正面(第1面)11a。
晶片11由按照相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)17划分成多个矩形状的区域。并且，在由分割预定线17划分的多个区域内分别形成有IC(Integrated circuit，集成电路)、LSI(Large Scale Integration，大规模集成)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)器件等器件19。不过，对于器件19的种类、数量、形状、构造、大小、配置等没有限制。
晶片11具有形成有多个器件19的大致圆形的器件区域21以及围绕器件区域21的外周剩余区域23。外周剩余区域23相当于包含基板13和层叠体15的外周缘的规定宽度(例如2mm左右)的环状区域。在图1的(A)中，用虚线示出器件区域21与外周剩余区域23的边界。
图1的(B)是示出晶片11的一部分的剖视图。层叠体15中的分割预定线17所围绕的多个区域分别构成器件19。例如通过基板13的正面13a侧和层叠体15所包含的薄膜构成半导体元件。另外，层叠体15所包含的薄膜的一部分也形成于分割预定线17上。层叠体15中的位于分割预定线17上的区域可以构成例如在器件19的检查中使用的TEG等。
通过沿着分割预定线17对晶片11进行分割，制造分别具有器件19的多个芯片(器件芯片)。例如晶片11通过使用激光加工装置的激光加工进行分割。以下，对将晶片11分割而制造芯片的芯片的制造方法的具体例进行说明。
首先，准备晶片11(准备步骤)。如上所述，晶片11包含基板13以及设置于基板13的正面13a侧的层叠体15。另外，晶片11具有器件区域21和外周剩余区域23(参照图1的(A)和图1的(B))。
晶片11通过环状的框架进行支承。图2是示出被环状的框架27支承的晶片11的立体图。在基板13的背面13b侧粘贴有直径比基板13大的圆形的带25。例如带25包含形成为圆形的膜状的基材以及设置于基材上的粘接层(糊料层)。基材由聚烯烃、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂形成。另外，粘接层由环氧系、丙烯酸系或橡胶系的粘接剂等形成。另外，粘接层可以是通过紫外线的照射而发生硬化的紫外线硬化型的树脂。
带25的外周部粘贴于由SUS(不锈钢)等金属形成的环状的框架27。在框架27的中央部设置有在厚度方向上贯通框架27的圆形的开口27a。另外，开口27a的直径大于基板13的直径。在将基板13配置于开口27a的内侧的状态下，将带25的中央部粘贴于基板13的背面13b侧，并且当将带25的外周部粘贴于框架27时，晶片11借助带25而被框架27支承。
接着，从晶片11的层叠体15侧沿着分割预定线17照射对于层叠体15具有吸收性的波长的激光束(第1激光束)，形成沿着分割预定线17的槽(激光加工槽)(激光加工槽形成步骤)。在本实施方式中，使用激光加工装置对晶片11实施第1激光加工，形成激光加工槽。
图3是示出激光加工装置2的局部剖视主视图。另外，在图3中，X轴方向(加工进给方向、第1水平方向)与Y轴方向(分度进给方向、第2水平方向)是相互垂直的方向。另外，Z轴方向(铅垂方向、上下方向、高度方向)是与X轴方向和Y轴方向垂直的方向。
激光加工装置2具有对晶片11进行保持的卡盘工作台(保持工作台)4。卡盘工作台4的上表面是与水平方向(XY平面方向)大致平行的圆形的平坦面，构成对晶片11进行保持的保持面4a。保持面4a经由形成于卡盘工作台4的内部的流路(未图示)、阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。
在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4沿着X轴方向移动的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。另外，在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4绕与保持面4a大致垂直的旋转轴旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。另外，在卡盘工作台4的周围设置有对框架27进行把持而固定的多个夹具6。
另外，激光加工装置2具有照射激光束的激光照射单元8。激光照射单元8包含YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器等激光振荡器(未图示)以及配置于卡盘工作台4的上方的头10。在头10中内置有将从激光振荡器射出的脉冲振荡的激光束导入晶片11的光学系统，光学系统包含使激光束会聚的聚光透镜等光学元件。通过从激光照射单元8照射的激光束(第1激光束)12，对晶片11进行加工。
在激光加工槽形成步骤中，首先通过卡盘工作台4对晶片11进行保持。具体而言，晶片11按照背面11b侧(基板13的背面13b侧、带25侧)与保持面4a面对而正面11a侧(层叠体15侧)向上方露出的方式配置在卡盘工作台4上。另外，框架27通过多个夹具6进行固定。当在该状态下对保持面4a作用吸引源的吸引力(负压)时，晶片11隔着带25而被卡盘工作台4吸引保持。
接着，使卡盘工作台4旋转，使分割预定线17(参照图1的(A)等)的长度方向与加工进给方向(X轴方向)一致。另外，按照照射激光束12的区域(被照射区域)和分割预定线17的宽度方向的两端的内侧的区域(例如分割预定线17的宽度方向的中央)的Y轴方向的位置一致的方式调节卡盘工作台4的分度进给方向(Y轴方向)的位置。另外，按照激光束12的会聚位置定位于与层叠体15的正面或内部相同的高度位置(Z轴方向的位置)的方式调节头10的位置或光学系统的配置。
并且，一边从激光照射单元8照射激光束12一边使卡盘工作台4沿着加工进给方向(X轴方向)移动。由此，卡盘工作台4和激光束12沿着加工进给方向(X轴方向)以规定的速度(加工进给速度)相对地移动，从晶片11的正面11a侧(层叠体15侧)沿着分割预定线17照射激光束12。
另外，激光束12的照射条件按照对层叠体15实施烧蚀加工的方式设定。具体而言，激光束12的波长设定成至少激光束12的一部分被层叠体15吸收。即，激光束12是对于层叠体15具有吸收性的波长的激光束。另外，激光束12的其他照射条件也按照对层叠体15适当地实施烧蚀加工的方式设定。
当沿着分割预定线17对层叠体15照射激光束12时，层叠体15中的照射激光束12的区域通过烧蚀加工被去除。其结果是，在层叠体15上形成沿着分割预定线17的激光加工槽29。
这里，在激光加工槽形成步骤中，按照与器件区域21相比在外周剩余区域23中容易产生层叠体15的熔融的方式设定激光束12的照射条件。即，照射至外周剩余区域23的激光束12的照射条件(第1照射条件)和照射至器件区域21的激光束12的照射条件(第2照射条件)不同。并且，第1照射条件设定成与第2照射条件相比容易产生层叠体15的熔融且容易形成激光加工槽29的条件。
例如在第1照射条件和第2照射条件中，将激光束12的能量密度、重叠率设定为不同的值。当将激光束12的平均输出设为P(W)、激光束12的重复频率设为F(kHz)、激光束12的照射面积(会聚位置的面积)设为S(cm2)时，激光束12的脉冲能量E(mJ)和能量密度I(mJ/cm2)分别由式(1)、式(2)表示。
【式1】
Figure BDA0003534050910000101
【式2】
Figure BDA0003534050910000102
另外，当将激光束12的照射时的加工进给速度设为V(mm/s)、激光束的光斑直径(会聚位置的直径)设为d(mm)时，激光束12的重叠率OL(％)由式(3)表示。
【式3】
Figure BDA0003534050910000103
并且，照射至外周剩余区域23的激光束12的照射条件(第1照射条件)例如如下设定。
波长 ：355nm
平均输出 ：2W
重复频率 ：200kHz
加工进给速度 ：400mm/s
另外，照射至器件区域21的激光束12的照射条件(第2照射条件)例如如下设定。
波长 ：355nm
平均输出 ：1W
重复频率 ：200kHz
加工进给速度 ：400mm/s
当如上述那样设定第1照射条件和第2照射条件时，照射至外周剩余区域23的激光束12的平均输出比照射至器件区域21的激光束12的平均输出大。由此，照射至外周剩余区域23的激光束12的能量密度比照射至器件区域21的激光束12的能量密度大。其结果是，与器件区域21相比，在外周剩余区域23中容易产生层叠体15的熔融。
另外，第1照射条件和第2照射条件的设定方法不限于上述方法。例如在第1照射条件和第2照射条件中，可以仅使激光束12的峰值功率不同。激光束12的峰值功率相当于用激光束12的脉冲能量除以激光束12的脉冲宽度而得的值，给层叠体15的熔融带来影响。
当第1照射条件的峰值功率设定成大于第2照射条件的峰值功率的值时，照射至外周剩余区域23的激光束12的峰值功率比照射至器件区域21的激光束12的峰值功率大。在该情况下，即使在第1照射条件和第2照射条件中激光束12的能量密度相等，与器件区域21相比在外周剩余区域23中也容易产生层叠体15的熔融。
另外，在第1照射条件和第2照射条件中，可以仅使加工进给速度不同。在该情况下，将第1照射条件的加工进给速度设定成小于第2照射条件的加工进给速度的值。即，对外周剩余区域23照射激光束12时的加工进给速度小于对器件区域21照射激光束12时的加工进给速度。由此，照射至外周剩余区域23的激光束12的重叠率比照射至器件区域21的激光束12的重叠率大。其结果是，与器件区域21相比在外周剩余区域23中容易产生层叠体15的熔融。
另外，可以在第1照射条件和第2照射条件中将激光束12的其他参数(光斑直径、照射面积、重复频率等)设定为不同的值，由此，与器件区域21相比，在外周剩余区域23中容易产生层叠体15的熔融。另外，在第1照射条件和第2照射条件中，可以将两个以上的参数设定为不同的值。
当进行卡盘工作台4的加工进给时，激光束12依次照射至外周剩余区域23的一端部、器件区域21、外周剩余区域23的另一端部。并且，在从激光束12照射至外周剩余区域23的一端部的状态向照射至器件区域21的状态转换的时机，将激光束12的照射条件从第1照射条件切换成第2照射条件。另外，在从激光束12照射至器件区域21的状态向照射至外周剩余区域23的另一端部的状态转换的时机，将激光束12的照射条件从第2照射条件切换成第1照射条件。
图4的(A)是示出对外周剩余区域23的一端部照射激光束12时的晶片11的一部分的剖视图。首先，在将激光束12的照射条件设定为第1照射条件的状态下，将激光束12照射至外周剩余区域23的一端部。由此，在层叠体15上沿着分割预定线17形成深度到达基板13的正面13a的激光加工槽29(激光加工槽29a)。
并且，当照射激光束12的区域到达外周剩余区域23与器件区域21的边界时，将激光束12的照射条件从第1照射条件切换成第2照射条件。然后，在将激光束12的照射条件设定为第2照射条件的状态下，将激光束12照射至器件区域21。
图4的(B)是示出对器件区域21照射激光束12时的晶片11的一部分的剖视图。如上所述，第2照射条件是与第1照射条件相比不容易产生层叠体15的熔融的激光束12的照射条件。因此，当以第2照射条件将激光束12照射至器件区域21时，在层叠体15上沿着分割预定线17形成深度未到达基板13的正面13a的激光加工槽29(激光加工槽29b)。
并且，当照射激光束12的区域到达器件区域21与外周剩余区域23的边界时，将激光束12的照射条件从第2照射条件切换成第1照射条件。然后，在将激光束12的照射条件设定为第1照射条件的状态下，将激光束12照射至外周剩余区域23的另一端部。
图4的(C)是示出对外周剩余区域23的另一端部照射激光束12时的晶片11的一部分的剖视图。当以第1照射条件将激光束12照射至外周剩余区域23的另一端部时，在层叠体15上沿着分割预定线17形成深度到达基板13的正面13a的激光加工槽29(激光加工槽29a)。
然后，重复同样的顺序，沿着其他分割预定线17照射激光束12。其结果是，在晶片11的外周剩余区域23中，沿着分割预定线17形成将层叠体15断开的激光加工槽29a。另一方面，在晶片11的器件区域21中，沿着分割预定线17呈格子状形成未将层叠体15断开的激光加工槽29b。
另外，激光束12也可以沿着各分割预定线17分别照射多次。例如激光束12可以按照沿着各分割预定线17往复的方式进行照射。在该情况下，在往路(或返路)上，以第1照射条件将激光束12照射至外周剩余区域23，在返路(或往路)上，以第2照射条件将激光束12照射至器件区域21。
图5的(A)是示出晶片11的外周剩余区域23的一部分的剖视图，图5的(B)是示出晶片11的器件区域21的一部分的剖视图。当以上述条件对晶片11照射激光束12时，形成于外周剩余区域23的激光加工槽29a比形成于器件区域21的激光加工槽29b深。并且，在外周剩余区域23的分割预定线17上，层叠体15被去除，基板13的正面13a侧露出。另一方面，在器件区域21的分割预定线17上，在基板13与激光加工槽29a之间残留层叠体15的一部分，基板13的正面13a侧未露出。
另外，激光加工槽29a未必需要在整个外周剩余区域23形成得比激光加工槽29b深(按照到达基板13的方式形成)。即，激光加工槽29a只要至少一部分形成得比激光加工槽29b深(按照到达基板13的方式形成)即可。另一方面，激光加工槽29b优选在整个器件区域21中按照未到达基板13的方式形成。
例如可以在激光束12的照射区域到达外周剩余区域23的一端部与器件区域21的边界之前，将激光束12的照射条件从第1照射条件切换成第2照射条件。另外，可以在激光束12的照射区域到达器件区域21与外周剩余区域23的另一端部的边界之后，将激光束12的照射条件从第2照射条件切换成第1照射条件。在该情况下，激光加工槽29a的一部分形成为与激光加工槽29b同等的深度。
另外，形成于外周剩余区域23的激光加工槽29a可以仅形成于分割预定线17上的一部分的区域。例如在外周剩余区域23中，可以沿着分割预定线17形成多个点状的激光加工槽29a。在该情况下，存在激光加工槽29a的区域和不存在激光加工槽29a的区域沿着分割预定线17交替地排列。
另外，形成于外周剩余区域23的激光加工槽29a未必需要沿着所有的分割预定线17形成。例如可以按照每规定的条数(两条以上)的分割预定线17形成一个激光加工槽29a。
另外，可以代替对外周剩余区域23照射激光束12而使环状的切削刀具切入外周剩余区域23。在该情况下，代替激光加工槽29a而形成切削槽。并且，形成于外周剩余区域23的切削槽和形成于器件区域21的激光加工槽29b连结。另外，形成切削槽的区域、切削槽的深度、形状、数量等可以与激光加工槽29a同样地设定。另外，切削槽的形成可以在激光加工槽29b的形成前和形成后中的任意时机实施。
通过实施上述的准备步骤和激光加工槽形成步骤，得到在层叠体15上设置有沿着分割预定线17的槽(激光加工槽29)的晶片11(有槽晶片)(有槽晶片准备步骤)。即，有槽晶片准备步骤相当于有槽晶片的制造方法。
接着，对基板13实施第2激光加工。例如通过对基板13照射激光束16(参照图7)，在基板13的内部形成作为分割起点(分割的开端)发挥功能的改质层35(参照图7)。另外，以下对在基板13的加工中使用激光加工装置2的情况进行说明，但也可以在基板13的激光加工中使用其他激光加工装置。
在对基板13实施激光加工时，首先调节晶片11与激光束16的位置关系(对位步骤)。图6的(A)是示出对位步骤中的激光加工装置2的局部剖视主视图。以下，对激光束16的对位方法的具体例进行说明。
激光加工装置2具有设置于卡盘工作台4的上方的拍摄单元14，使用拍摄单元14进行晶片11与激光束16的对位。例如拍摄单元14是具有接受红外线并转换成电信号的拍摄元件的红外线相机。
在对位步骤中，首先从在层叠体15上设置有激光加工槽29的晶片11(有槽晶片)将带25(参照图2)剥离，然后将晶片11借助带31而支承于环状的框架33。另外，带31、框架33的构造和材质分别与带25、框架27(参照图2等)相同。并且，带31的中央部粘贴于晶片11的正面11a侧(层叠体15侧)，并且带31的外周部粘贴于框架33。不过，也可以省略框架33对晶片11的支承。在该情况下，无需将带31粘贴于框架33。
接着，通过卡盘工作台4对晶片11进行保持。具体而言，晶片11按照正面11a侧(层叠体15侧、带31侧)与保持面4a面对而背面11b侧(基板13的背面13b侧)向上方露出的方式配置于卡盘工作台4上。另外，框架33通过多个夹具6进行固定。当在该状态下对保持面4a作用吸引源的吸引力(负压)时，晶片11隔着带31而被卡盘工作台4吸引保持。
接着，从基板13的背面13b侧观察形成于外周剩余区域23的激光加工槽29。具体而言，首先按照拍摄单元14定位于晶片11的外周剩余区域23的正上方的方式调节卡盘工作台4与拍摄单元14的位置关系。并且，利用拍摄单元14对晶片11的外周剩余区域23进行拍摄。
图6的(B)是示出通过拍摄单元14进行拍摄的晶片11的剖视图。在外周剩余区域23中，到达基板13的激光加工槽29a形成于层叠体15，在激光加工槽29a的内侧，基板13部分地露出。因此，在外周剩余区域23中的存在激光加工槽29a的区域和不存在激光加工槽29a的区域中，光(红外线)的透过率不同。其结果是，在通过拍摄单元14获取的图像中显示出与激光加工槽29a的轮廓对应的图像。
当像这样按照到达基板13的方式形成激光加工槽29a时，能够从基板13的背面13b侧明确地观察激光加工槽29a。由此，即使在晶片11的正面11a侧(层叠体15侧)被卡盘工作台4的保持面4a覆盖的状态下，也能够准确地把握激光加工槽29a的位置。
另外，在图6的(B)中，图示出按照到达基板13的方式形成有激光加工槽29a的情况，但激光加工槽29a的深度可以小于层叠体15的厚度。即，可以在基板13的正面13a与激光加工槽29a之间略微地残留层叠体15的一部分(残留部)。
若残留部充分薄，则光(红外线)透过残留部，在通过拍摄单元14获取的图像中隐约地示出激光加工槽29a的轮廓。在该情况下，即使激光加工槽29a未到达基板13，也能够确认激光加工槽29a的位置。
为了在通过拍摄单元14获取的图像中明确地显示出激光加工槽29a的轮廓，优选残留部的厚度为层叠体15的厚度的1/5以下，更优选为1/10以下。更具体而言，残留部的厚度优选为2μm以下，更优选为1μm以下。
接着，调节晶片11与激光束16(参照图7)的位置关系。另外，激光束16是在后述的改质层形成步骤中照射至晶片11的激光束。
具体而言，首先根据拍摄单元14所获取的图像，确定激光加工槽29a的位置。并且，在后述的改质层形成步骤中，按照激光束16照射至与激光加工槽29重叠的区域的方式调节晶片11与激光束16的位置关系。
更具体而言，根据拍摄单元14所获取的图像，调节卡盘工作台4的角度，使激光加工槽29的长度方向与加工进给方向(X轴方向)一致。另外，按照照射激光束16的区域(被照射区域)与激光加工槽29a的宽度方向的两端的内侧的区域(例如激光加工槽29的宽度方向的中央)的Y轴方向的的位置一致的方式调节卡盘工作台4的分度进给方向(Y轴方向)的位置。
接着，从基板13的背面13b侧沿着分割预定线17照射对于基板13具有透过性的波长的激光束(第2激光束)16，形成沿着分割预定线17的改质层(改质层形成步骤)。图7是示出改质层形成步骤中的激光加工装置2的局部剖视主视图。
在改质层形成步骤中，按照将激光束16的会聚位置定位于与基板13的内部(正面13a与背面13b之间)相同的高度位置的方式调节头10的位置或光学系统的配置。并且，一边从激光照射单元8朝向晶片11照射激光束16一边使在对位步骤中调节了位置的卡盘工作台4沿着加工进给方向(X轴方向)移动。由此，卡盘工作台4和激光束16沿着加工进给方向(X轴方向)以规定的速度(加工进给速度)相对地移动，从基板13的背面13b侧沿着分割预定线17照射激光束16。
另外，激光束16的照射条件按照基板13的被照射了激光束16的区域通过多光子吸收发生改质而变质的方式设定。具体而言，激光束16的波长按照至少激光束16的一部分透过基板13的方式设定。即，激光束16是对于基板13具有透过性的波长的激光束。另外，激光束16的其他照射条件也设定成基板13可适当地改质。能够使基板13改质的激光束16的照射条件的例子如下。
波长 ：1064nm
平均输出 ：1W
重复频率 ：100kHz
加工进给速度 ：800mm/s
当将激光束16照射至基板13时，基板13的内部通过多光子吸收发生改质而变质，沿着分割预定线17和激光加工槽29形成改质层(变质层)35。另外，从基板13的背面13b侧照射激光束16，因此不会因层叠体15而阻碍对基板13的内部照射激光束16。然后，以同样的顺序沿着其他分割预定线17和激光加工槽29照射激光束16，在基板13的内部形成格子状的改质层35。
图8的(A)是示出形成有改质层35的晶片11的外周剩余区域23的一部分的剖视图，图8的(B)是示出形成有改质层35的晶片11的器件区域21的一部分的剖视图。改质层35包含通过多光子吸收发生改质而变质的多个改质区域(变质区域)37。改质区域37形成于激光束16(参照图7)的会聚位置，沿着分割预定线17和激光加工槽29排列。另外，当形成改质区域37时，在改质区域37产生裂纹(龟裂)39，并从改质区域37朝向基板13的正面13a和背面13b进展。
基板13中的形成有改质层35和裂纹39的区域比基板13的其他区域脆。因此，当对晶片11赋予外力时，基板13以改质层35和裂纹39为起点而沿着分割预定线17和激光加工槽29被分割。即，改质层35和裂纹39作为分割起点(分割的开端)发挥功能。
另外，根据激光束16(参照图7)的照射条件或改质区域37的位置，裂纹39有时到达基板13的正面13a。在该情况下，在外周剩余区域23(参照图8的(A))中，裂纹39与激光加工槽29a连接。另外，在器件区域21(参照图8的(B))中，有时裂纹39也进展到层叠体15的内部，到达激光加工槽29b。
另外，可以在基板13的内部沿基板13的厚度方向形成多层改质层35。例如在基板13为厚度200μm以上的硅晶片等的情况下，通过形成两层以上的改质层35，容易适当地分割基板13。在形成多个改质层35的情况下，一边改变基板13的厚度方向的激光束16的会聚位置，一边沿着各分割预定线17分别照射多次激光束16。
接着，对晶片11赋予外力而将晶片11沿着分割预定线17进行分割(分割步骤)。在分割步骤中，首先通过对晶片11进行磨削而使其薄化。在晶片11的磨削中，使用磨削装置。
图9是示出磨削装置20的立体图。磨削装置20具有：对晶片11进行保持的卡盘工作台(保持工作台)22；以及对晶片11进行磨削的磨削单元24。
卡盘工作台22的上表面是沿着水平方向形成的平坦面，构成对晶片11进行保持的保持面22a。保持面22a经由形成于卡盘工作台22的内部的流路(未图示)、阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。
在卡盘工作台22上连结有使卡盘工作台22沿着水平方向移动的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。另外，在卡盘工作台22上连结有使卡盘工作台22绕与保持面22a大致垂直的旋转轴旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
在卡盘工作台22的上方配置有磨削单元24。磨削单元24具有沿着铅垂方向配置的圆筒状的主轴26。在主轴26的前端部(下端部)固定有由金属等形成的圆盘状的安装座28。另外，在主轴26的基端部(上端部)连结有使主轴26旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
在安装座28的下表面侧安装有对晶片11进行磨削的磨削磨轮30。磨削磨轮30具有环状的基台32，该环状的基台32由不锈钢、铝等金属形成，形成为与安装座28大致相同直径。在基台32的下表面侧固定有多个磨削磨具34。例如多个磨削磨具34形成为长方体状，沿着基台32的外周大致等间隔地排列。
磨削磨具34是通过利用金属结合剂、树脂结合剂、陶瓷结合剂等结合材料固定由金刚石、cBN(cubic Boron Nitride，立方氮化硼)等形成的磨粒而形成的。不过，对于磨削磨具34的材质、形状、构造、大小等没有限制，根据基板13的材质等适当地选择。另外，磨削磨具34的数量也可以任意地设定。
磨削磨轮30通过从旋转驱动源经由主轴26和安装座28而传递的动力绕与保持面22a大致垂直的旋转轴旋转。另外，在磨削单元24上连结有使磨削单元24沿着与保持面22a大致垂直的方向升降的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。另外，在磨削单元24的内部或附近设置有向晶片11和磨削磨具34提供纯水等液体(磨削液)的磨削液提供路(未图示)。
通过磨削装置20对晶片11的背面11b(基板13的背面13b侧)侧进行磨削。具体而言，首先在晶片11的正面11a侧(层叠体15侧)粘贴由树脂等形成的保护片41。由此，层叠体15通过保护片41覆盖而进行保护。
并且，通过卡盘工作台22对晶片11进行保持。晶片11按照正面11a侧(保护片41侧)与保持面22a面对而背面11b侧(基板13的背面13b侧)向上方露出的方式配置在卡盘工作台22上。当在该状态下对保持面22a作用吸引源的负压时，晶片11隔着保护片41而被卡盘工作台22吸引保持。
然后，将卡盘工作台22配置在磨削单元24的下方。并且，一边使卡盘工作台22和磨削磨轮30分别在规定的方向上以规定的转速旋转一边使磨削磨轮30朝向卡盘工作台22下降。按照磨削磨具34以适当的力推抵于晶片11的方式调节此时的磨削磨轮30的下降速度。
当磨削磨具34与基板13的背面13b侧接触时，对基板13的背面13b侧进行磨削，将基板13薄化。并且，当从改质层35进展的裂纹39(参照图8的(A)和图8的(B))在基板13的背面13b侧露出时，将晶片11沿着分割预定线17进行分割。
另外，在晶片11中形成有改质层35的阶段，有时裂纹39未到达基板13的正面13a。在该情况下，磨削磨具34推抵于晶片11，对晶片11赋予外力，从而裂纹39朝向基板13的正面13a进展。其结果是，裂纹39到达激光加工槽29a、29b，将晶片11分割。
优选晶片11的磨削持续至将形成于基板13的内部的改质层35去除为止。由此，能够避免在磨削后的晶片11中残留改质层35，能够防止通过晶片11的分割而得到的芯片的抗弯强度降低。
如上所述，通过对晶片11进行磨削，并且对晶片11赋予外力，能够将晶片11分割成薄化的多个芯片。不过，有时即使在磨削加工中将磨削磨具34推抵于晶片11，也不会对晶片11赋予充分的外力，晶片11的分割不充分。在该情况下，优选对磨削后的晶片11进一步赋予外力。
例如在从晶片11剥离保护片41之后，将晶片11借助带43(参照图10的(A))而支承于环状的框架45(参照图10的(A))。带43、框架45的构造和材质分别与带25、框架27(参照图2等)相同。并且，带43的中央部粘贴于晶片11的背面11b侧(基板13的背面13b侧)，并且带43的外周部粘贴于框架45。
另外，带43是能够通过被赋予外力而扩展的扩展带。并且，当通过将粘贴于晶片11的带43朝向半径方向外侧拉拽而扩展时，对晶片11赋予外力。其结果是，将晶片11沿着分割预定线17断开，分割成多个芯片。
带43的扩展可以由作业者手动进行，也可以通过专用的扩展装置实施。图10的(A)是示出扩展装置40的局部剖视主视图。
扩展装置40具有圆筒状的鼓42。在鼓42的上端部沿着鼓42的周向设置有多个滚轮44。另外，在鼓42的外侧配置有多个支承部件46。在支承部件46的下端部分别连结有使支承部件46沿着铅垂方向移动(升降)的气缸(未图示)。
在多个支承部件46的上端部固定有环状的台48。在台48的中央部设置有在厚度方向上贯通台48的圆形的开口。另外，台48的开口的直径大于鼓42的直径，鼓42的上端部能够插入至台48的开口。并且，在台48的外周部配置有对支承晶片11的框架45进行把持而固定的多个夹具50。
在对晶片11进行分割时，首先通过气缸(未图示)使支承部件46移动，将滚轮44的上端和台48的上表面配置于大致相同的高度位置。并且，在台48上配置框架45，通过多个夹具50将框架45固定。此时，晶片11配置成与鼓42的内侧的区域重叠。
接着，通过气缸(未图示)使支承部件46下降，将台48下拉。由此，带43在通过滚轮44支承的状态下朝向半径方向外侧被拉拽。其结果是，带43呈放射状扩展。
图10的(B)是示出对带43进行扩展的扩展装置40的局部剖视主视图。当将带43扩展时，对粘贴有带43的晶片11赋予外力。其结果是，基板13以裂纹39为起点而断开。另外，在晶片11的器件区域21(参照图8的(B)等)中，在层叠体15上形成有激光加工槽29b。并且，当对晶片11赋予外力时，激光加工槽29b作为分割起点发挥功能，层叠体15沿着激光加工槽29b断开。
当基板13和层叠体15分别沿着分割预定线17断开时，晶片11被分割成分别具有器件19(参照图1的(A)等)的多个芯片47。并且，将芯片47从带43剥离并拾取，例如安装于规定的安装基板。另外，当对带43进行扩展时，在芯片47彼此之间形成间隙，因此容易拾取芯片47。
如上所述，在本实施方式中，在晶片11的分割前，通过激光束12的照射沿着分割预定线17形成激光加工槽29。并且，激光束12的照射条件按照与器件区域21相比在外周剩余区域23中容易产生层叠体15的熔融的方式设定。
根据本实施方式，在晶片11的器件区域21形成深度未到达基板13的激光加工槽29b。由此，能够避免在基板13上残留加工痕而使芯片47的抗弯强度降低，并且能够形成作为层叠体15的分割起点发挥功能的激光加工槽29b。另外，在晶片11的外周剩余区域23形成比形成于器件区域21的激光加工槽29b深的激光加工槽29a。由此，容易从基板13的背面13b侧观察外周剩余区域23的激光加工槽29a，容易根据激光加工槽29a的位置而进行晶片11与激光束16的对位(对准)。其结果是，能够抑制芯片47的强度降低，并且能够适当地调节激光束16的照射位置。
另外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。

Claims (17)

1.一种晶片的制造方法，其特征在于，
该晶片的制造方法包含如下的步骤：
准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；以及
激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽，
该第1激光束的照射条件按照与该器件区域相比在该外周剩余区域中容易产生该层叠体的熔融的方式设定。
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的能量密度比照射至该器件区域的该第1激光束的能量密度大。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的峰值功率比照射至该器件区域的该第1激光束的峰值功率大。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的重叠率比照射至该器件区域的该第1激光束的重叠率大。
5.一种晶片的制造方法，其特征在于，
该晶片的制造方法包含如下的步骤：
准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；以及
激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽，
形成于该外周剩余区域的该激光加工槽比形成于该器件区域的该激光加工槽深。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，
在该器件区域形成有深度未到达该基板的该激光加工槽，
在该外周剩余区域形成有深度到达该基板的该激光加工槽。
7.一种芯片的制造方法，其特征在于，
该芯片的制造方法包含如下的步骤：
准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；
激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽；
改质层形成步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，将对于该基板具有透过性的波长的第2激光束的会聚位置定位于该基板的内部，从该基板的背面侧沿着该分割预定线照射该第2激光束，形成沿着该分割预定线的改质层；以及
分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对该晶片赋予外力而将该晶片沿着该分割预定线进行分割，
该第1激光束的照射条件按照与该器件区域相比在该外周剩余区域中容易产生该层叠体的熔融的方式设定。
8.根据权利要求7所述的芯片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的能量密度比照射至该器件区域的该第1激光束的能量密度大。
9.根据权利要求7或8所述的芯片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的峰值功率比照射至该器件区域的该第1激光束的峰值功率大。
10.根据权利要求7至9中的任意一项所述的芯片的制造方法，其特征在于，
照射至该外周剩余区域的该第1激光束的重叠率比照射至该器件区域的该第1激光束的重叠率大。
11.一种芯片的制造方法，其特征在于，
该芯片的制造方法包含如下的步骤：
准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；
激光加工槽形成步骤，从该晶片的该层叠体侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着该分割预定线的激光加工槽；
改质层形成步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，将对于该基板具有透过性的波长的第2激光束的会聚位置定位于该基板的内部，从该基板的背面侧沿着该分割预定线照射该第2激光束，形成沿着该分割预定线的改质层；以及
分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对该晶片赋予外力而将该晶片沿着该分割预定线进行分割，
形成于该外周剩余区域的该激光加工槽比形成于该器件区域的该激光加工槽深。
12.根据权利要求7至11中的任意一项所述的芯片的制造方法，其特征在于，
在该器件区域形成有深度未到达该基板的该激光加工槽，
在该外周剩余区域形成有深度到达该基板的该激光加工槽。
13.根据权利要求7至12中的任意一项所述的芯片的制造方法，其特征在于，
该芯片的制造方法还包含如下的对位步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该改质层形成步骤之前，从该基板的背面侧观察形成于该外周剩余区域的该激光加工槽，按照该第2激光束照射至与该激光加工槽重叠的区域的方式调节该晶片与该第2激光束的位置关系。
14.一种晶片，其包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，其特征在于，
在该层叠体上设置有沿着该分割预定线的槽，
设置于该外周剩余区域的该槽比设置于该器件区域的该槽深。
15.根据权利要求14所述的晶片，其特征在于，
在该器件区域设置有深度未到达该基板的该槽，
在该外周剩余区域设置有深度到达该基板的该槽。
16.一种激光束的对位方法，其特征在于，
该激光束的对位方法包含如下的步骤：
有槽晶片准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于该基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片在该层叠体上设置有沿着该分割预定线的槽；以及
对位步骤，从该基板的背面侧观察形成于该外周剩余区域的该槽，按照激光束照射至与该槽重叠的区域的方式调节该晶片与该激光束的位置关系，
设置于该外周剩余区域的该槽比设置于该器件区域的该槽深。
17.根据权利要求16所述的激光束的对位方法，其特征在于，
在该器件区域设置有深度未到达该基板的该槽，
在该外周剩余区域设置有深度到达该基板的该槽。
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