CN115074115A - 一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用，涉及量子点处理技术领域。本申请提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：先将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，再将混合液进行第一阶段的混合加热，得到第一溶液；然后将第一溶液与具有p‑π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；最后采用非极性溶剂和极性溶剂对第二溶液进行清洗。本申请的一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品以及应用，能够修饰量子点表面的缺陷，提高量子点的发光效率，将制备得到的量子点产品用于形成量子点发光器件中的量子点发光层，能够提高器件性能。
Description
技术领域
本申请涉及量子点处理技术领域，具体而言，涉及一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用。
背景技术
目前，量子点已经被广泛的应用于细胞成像、荧光探针、量子点敏化太阳能电池、发光二极管等领域。量子点由于其尺寸非常小，比表面积大，因此特别容易团聚在一起；另外量子点的表面有大量未被电子占据的空轨道，受到激发的电子很容易被其表面的空轨道捕获，导致电子不会回迁发出光子，进一步导致量子点荧光淬灭。
针对量子点的表面存在大量的空轨道而影响发光效率的问题，通常采用以无机物或有机物作为配体来钝化量子点的表面缺陷，消除受到激发的电子容易被表面空轨道俘获的状态。通过无机物或有机物配体对量子点的表面缺陷进行修饰可以显著提高量子点的产率，但是使用无机物配体不可避免的会引入杂质离子，增加了后续后处理的难度；而使用的有机物配体通常其末端位阻较大，难以钝化量子点表面的全部缺陷。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用，能够修饰量子点表面的缺陷，提高量子点的发光效率，将制备得到的量子点产品用于形成量子点发光器件中的量子点发光层，能够提高器件性能。
第一方面，本申请实施例提供了一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：
将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，将混合液进行第一阶段的混合加热得到第一溶液；
再将第一溶液与具有p-π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；
采用非极性溶剂和极性溶剂对第二溶液进行清洗。
在上述实现过程中，通过有机配体对量子点表面的缺陷进行第一阶段的修饰；再通过具有p-π共轭结构的卤代物对第一阶段修饰过的量子点表面上还未修饰以及第一阶段修饰后脱落的位置进行第二阶段的修饰，进一步钝化量子点表面的缺陷，从而提高量子点的发光效率。量子点表面的缺陷主要是指在量子点的表面存在大量未被电子占据的空轨道，受到激发的电子很容易被表面的空轨道捕获，导致电子不会回迁发出光子，进而导致荧光淬灭。本申请实施例以有机物和无机物作为配体来钝化量子点的表面，能够很好的消除受到激发的电子容易被表面空轨道俘获的状态。
在一种可能的实现方式中，量子点溶液中的量子点选自包括ZnSe、CdSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge组成的组合中至少一种。
在上述实现过程中，可以根据生产情况选择不同的量子点进行制备，能够通过对其施加一定的电场或光压，便会发出特定频率的光。
在一种可能的实现方式中，有机配体选自包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸和十八烷基磷酸组成的组合中至少一种。
在上述实现过程中，有机配体可以钝化量子点表面的缺陷，进一步消除受到激发的电子容易被量子点表面的空轨道捕获的情况。
在一种可能的实现方式中，具有p-π共轭结构的卤代物选自包括1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、反式-1,3-二氯-1-丙烯和1,3-二氯丙烯组成的组合中至少一种；可选地，卤代物选自1,2-二氯乙烯、1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、1,3-二氯丙烯中的至少一种。
在上述实现过程中，具有p-π共轭结构的卤代物可以对已经用有机配体修饰的量子点表面还未修饰以及修饰后脱落的位置进行进一步的修饰，从而提高量子点的发光效率，同时相较于卤素无机盐，不会引入杂质离子，对后续量子点的提纯有利。
在一种可能的实现方式中，非极性溶剂选自包括氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷和正辛烷组成的组合中至少一种；和/或，极性溶剂选自包括甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸和乙腈组成的组合中至少一种。
在上述实现过程中，将已经修饰过的量子点加入非极性溶剂使其溶解，再加入极性溶剂使其沉淀，然后离心分离进行清洗提纯。
在一种可能的实现方式中，第一阶段的混合加热的温度为10-350℃；和/或，第一阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。
在上述实现过程中，控制有机配体与量子点混合加热的温度与时间，使有机配体修饰量子点表面缺陷的效果更好。
在一种可能的实现方式中，第二阶段的混合加热的温度为10-350℃；和/或，第二阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。
在上述实现过程中，控制具有p-π共轭结构的卤代物与第一阶段修饰后的量子点混合加热的温度和时间，使具有p-π共轭结构的卤代物对量子点表面缺陷的进一步修饰的效果更好。
在一种可能的实现方式中，混合液中有机配体的浓度为量子点溶液的浓度的1-300％；和/或，混合液中具有p-π共轭结构的卤代物的浓度为量子点溶液的浓度的1-300％。
在上述实现过程中，控制有机配体的加入量以及具有p-π共轭结构的卤代物的加入量在一定范围内，能够保证对量子点表面缺陷的修饰效果，同时也节约成本。
在一种可能的实现方式中，一种量子点产品由上述用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到。
在上述实现过程中，使用用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到的量子点产品，其发光效率得到有效提高。
在一种可能的实现方式中，一种量子点产品用于形成量子点发光器件中的量子点发光层。
在上述实现过程中，使用该方法对量子点表面的缺陷进行修饰，提高量子点的发光效率，可以将其应用于量子点发光器件中，提高器件的性能。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请实施例提供的用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用进行具体说明。
本申请实施例提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：
(1)将量子点溶液与有机配体进行混合得到混合液，将混合液进行第一阶段的混合加热得到第一溶液；
(2)再将第一溶液与具有p-π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；
(3)采用非极性溶剂和极性溶剂对第二溶液进行清洗。
在一些实施方式中，量子点溶液中的量子点选自包括ZnSe、CdSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge组成的组合中至少一种。可选地，量子点为InP、ZnSe/CdSe混合物(ZnSe和CdSe的混合物)、CdSe/ZnS混合物(CdSe和ZnS的混合物)或InP/ZnSe/ZnS混合物(InP、ZnSe和ZnS的混合物)。
在一些实施方式中，有机配体选自包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸和十八烷基磷酸组成的组合中至少一种。可选地，有机配体为油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸、十八烷基磷酸、油胺和辛胺的混合物、三辛基磷和三辛基氧磷的混合物或十四烷基磷酸和十八烷基磷酸的混合物。
在一些实施方式中，具有p-π共轭结构的卤代物选自包括1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、反式-1,3-二氯-1-丙烯和1,3-二氯丙烯组成的组合中至少一种。可选地，具有p-π共轭结构的卤代物选自分子链较短卤代物：1,2-二氯乙烯、1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、1,3-二氯丙烯等中的至少一种。作为一种实施方式，具有p-π共轭结构的卤代物为1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、反式-1,3-二氯-1-丙烯、1,3-二氯丙烯、1-氯-1-丁烯和1-溴-1-丁烯的混合物、反式-1,3-二氯-1-丙烯和1,3-二氯丙烯的混合物、1-氯-1-丁烯和反式-1,3-二氯-1-丙烯的混合物、1-氯-1-丁烯和1,3-二氯丙烯的混合物、1-溴-1-丁烯和反式-1,3-二氯-1-丙烯的混合物或1-溴-1-丁烯和1,3-二氯丙烯的混合物。
在一些实施方式中，非极性溶剂选自包括氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷和正辛烷组成的组合中至少一种；和/或，极性溶剂选自包括甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸和乙腈组成的组合中至少一种。可选地，非极性溶剂为氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷、正辛烷、甲苯和二甲苯的混合物、甲苯和氯苯的混合物、二甲苯和氯苯的混合物、环己烷和正庚烷的混合物、正己烷和正辛烷的混合物、环己烷和正己烷的混合物、环己烷和正辛烷的混合物、正庚烷和正己烷的混合物或正庚烷和正辛烷的混合物；极性溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸、乙腈、甲醇和乙醇的混合物、甲醇和异丙醇的混合物、甲醇和正丁醇的混合物、乙醇和异丙醇的混合物、乙醇和正丁醇的混合物或异丙醇和正丁醇的混合物。
在一些实施方式中，第一阶段的混合加热的温度为10-350℃；第一阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。可选地，第一阶段的混合加热的温度为100-300℃，示例性地，第二阶段的混合加热的温度为100℃、150℃、180℃、200℃、230℃、250℃、280℃或300℃，第一阶段的混合加热的时间为30min、40min、50min、1h或1.5h。
在一些实施方式中，第二阶段的混合加热的温度为10-350℃；第二阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。可选地，第二阶段的混合加热的温度为室温-250℃，示例性地，第二阶段的混合加热的温度为100℃、150℃、180℃、200℃、230℃、250℃、280℃或300℃，第二阶段的混合加热的时间为30min、40min、50min、1h或1.5h。
在一些实施方式中，混合液中有机配体的浓度为量子点溶液的浓度的1-300％，即有机配体的用量为量子点用量的1-300％；混合液中具有p-π共轭结构的卤代物的浓度为量子点溶液的浓度的1-300％，即卤代物的用量为量子点用量的1-300％。可选地，混合液中有机配体的浓度为量子点溶液的浓度的10-200％，示例性地，混合液中有机配体的浓度为量子点溶液的浓度的10％、50％、100％、130％、150％、170％、190％、200％、210％、220％、230％、240％或250％；可选地，混合液中具有p-π共轭结构的卤代物的浓度为量子点溶液的浓度的5-50％，示例性地，混合液中具有p-π共轭结构的卤代物的浓度为量子点溶液的浓度的5％、10％、20％、30％、40％、50％、67％、90％、100％、120％、140％、160％、180％或200％。
本申请实施例提供一种量子点产品，由上述用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到，制备得到的量子点产品表面的缺陷修饰效果好，从而提高了量子点产品的发光效率。
本申请实施例提供一种量子点发光器件，由上述用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到的量子点产品组成，使用该量子点产品作为量子点发光器件中制备量子点发光层的材料，例如用于形成量子点发光层，能够有效提高量子点发光器件的性能。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlCdSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入30mg的1,3-二氯丙烯，在80℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例2
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入30mg的1,3-二氯丙烯，在80℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例3
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入20mg的1-氯-1-丁烯，在80℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例4
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入10mg的1-氯-1-丁烯和20mg的1,3-二氯丙烯，在80℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例5
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入60mg的三辛基氧磷和60mg的三辛基磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入30mg的1,3-二氯丙烯，在80℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例6
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在300℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入30mg的1,3-二氯丙烯，在150℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例7
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入60mg的1,3-二氯丙烯，在300℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例8
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在300℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入60mg的1,3-二氯丙烯，在300℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例9
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入9mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入4.5mg的1,3-二氯丙烯，在150℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例10
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入180mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入45mg的1,3-二氯丙烯，在150℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实施例11
本实施例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在400℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入60mg的1,3-二氯丙烯，在400℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
对比例1
本对比例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlCdSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
对比例2
本对比例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
对比例3
本对比例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入329mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
对比例4
本对比例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入94.5mg的1,3-二氯丙烯，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
对比例5
本对比例提供一种量子点产品，其制备过程如下：
先向3mlInP/ZnSe/ZnS的量子点溶液(浓度30mg/ml)中加入120mg的三辛基氧磷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第一溶液；再向第一溶液加入35mg的氯乙烷，在150℃的条件下混合加热30min后得到第二溶液；最后向第二溶液加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇沉淀，4000rpm/min离心1.5min；弃去上清后再加入3ml甲苯溶解，再加入6ml乙醇，6000rpm/min离心1.5min；弃去上清后加入5ml甲苯溶解，即得到量子点产品。
实验例
分别将上述实施例1-9和对比例1-6制备得到的量子点产品采用相同的测试方法测定其产率。其结果如表1所示。
表1量子点的产率测试结果表
对比实施例1-2制备得到的量子点的产率与对比例1-2对应制备得到的量子点的产率可知，使用具有p-π共轭结构的卤代物对已经用有机配体修饰过的量子点进行修饰后制备得到的量子点的产率显著高于没有使用p-π共轭结构的卤代物对已经用有机配体修饰过的量子点进行修饰后制备得到的量子点的产率，表明使用具有p-π共轭结构的卤代物对已经用有机配体修饰过的量子点进行修饰后其产率能有效提高。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，将所述混合液进行第一阶段的混合加热，得到第一溶液；
再将所述第一溶液与具有p-π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；
采用非极性溶剂和极性溶剂对所述第二溶液进行清洗。
2.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点选自包括ZnSe、CdSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge组成的组合中至少一种。
3.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述有机配体选自包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸和十八烷基磷酸组成的组合中至少一种。
4.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述具有p-π共轭结构的卤代物选自包括1,2-二氯乙烯、1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、反式-1,3-二氯-1-丙烯、1,3-二氯丙烯、2-氯-1-辛烯、2,9-二氯-1-辛烯组成的组合中至少一种；可选地，所述卤代物选自1,2-二氯乙烯、1-氯-1-丁烯、1-溴-1-丁烯、1,3-二氯丙烯中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述非极性溶剂选自包括氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷和正辛烷组成的组合中至少一种；
和/或，所述极性溶剂选自包括甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸和乙腈组成的组合中至少一种。
6.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述第一阶段的混合加热的温度为10-350℃；和/或，所述第一阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。
7.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述第二阶段的混合加热的温度为10-350℃；和/或，所述第二阶段的混合加热的时间为0.5-1.5h。
8.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述混合液中有机配体的浓度为所述量子点溶液的浓度的1-300％；
和/或，所述混合液中具有p-π共轭结构的卤代物的浓度为所述量子点溶液的浓度的1-300％。
9.一种量子点产品，其特征在于，由权利要求1-8任意一项所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到。
10.一种如权利要求9所述的量子点产品的应用，其特征在于，所述量子点产品用于形成量子点发光器件的量子点发光层。
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