CN115053333A - 基板的spm处理 - Google Patents

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Abstract

一种用于从多个基板移除颗粒的基板清洁系统，包括：用于将清洁液施加至基板的第一容器；用于将冲洗液施加至基板的第二容器；以及机器人系统。第一容器包括：位于第一容器的顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口；以及用于将基板保持在第一容器中的相应边缘处的多个支撑件。第二容器具有用于将基板保持在第二容器中的相应边缘处的多个支撑件。机器人系统通过第一容器顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口来传送基板，并将基板传送穿过第二容器的顶部。

Description

基板的SPM处理
技术领域
本公开内容涉及基板的线上抛光后清理。
背景技术
集成电路通常通过在硅晶片上顺序沉积导电层、半导电层或绝缘层，并通过后续处理这些层而形成于基板(例如，半导体晶片)上。
一个制造步骤涉及在非平面表面之上沉积填料层，并平坦化填料层直至此非平面表面暴露为止。例如，导电填料层可沉积于图案化绝缘层上以填充此绝缘层中的沟槽或孔。随后抛光填料层，直到暴露此绝缘层的凸起图案。
化学机械抛光(Chemical mechanical polishing；CMP)为一种公认的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。基板的暴露表面通常靠着旋转的抛光垫放置。承载头对基板提供可控负载以推动基板抵靠住抛光垫。将抛光液(诸如具有研磨颗粒的浆料)供应至抛光垫的表面。例如，可在CMP中铜填料层的抛光中将二氧化铈用作研磨颗粒。
研磨颗粒的浆料可包括二氧化铈颗粒及有机酸添加剂，并可包括来自抛光工艺的其他碳基残余物。为了移除这些颗粒，基板可进行清洁工艺，此清洁工艺可包括使用强氧化溶剂。例如，硫酸和过氧化氢混合物(mixture of sulfuric acid and hydrogenperoxide；SPM)可用于在抛光后从基板表面移除二氧化铈颗粒。SPM清洁可按其中每个基板位于单独容器中的浴中的并行分离模式来执行。
发明内容
在一个方面中，用于从多个基板移除颗粒的基板清洁系统包括：用于将清洁液施加至基板的第一容器；用于将冲洗液施加至基板的第二容器；以及机器人系统。第一容器包括：位于第一容器的顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口；以及用于将基板保持在第一容器中相应边缘处的多个支撑件。第二容器具有用于将基板保持在第二容器中相应边缘处的多个支撑件。机器人系统通过第一容器的顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口传送基板，并将基板传送穿过第二容器的顶部。
在另一方面中，用于在抛光后处理基板的清洁系统包括：硫酸和过氧化氢混合物(SPM)模块；至少两个清洁元件；以及多个机器人。SPM模块包括：硫酸和过氧化氢混合物(SPM)清洁器；具有用于保持硫酸和过氧化氢混合物液体的第一容器；以及用于将五至二十个基板保持在第一容器中的液体中的五至二十个第一支撑件；以及冲洗站，具有用于保持冲洗液的第二容器及用于将五至二十个基板保持在第二容器中的液体中的五至二十个第二支撑件。至少两个清洁元件选自由以下各者组成的群组：超声波清洁器、旋转刷清洁器、抛光垫清洁器、喷射清洁器、化学物旋涂清洁器、离心式脱水器、及马兰各尼(marangoni)干燥器，并且至少两个清洁元件中的每一者经配置以一次处理单个基板。多个机器人经配置以通过第一容器的顶部中的至少两个端口中的第一者将基板传送至第一容器中的支撑件上，通过第一容器的顶部中的至少两个端口中的第一者或第二者从第一容器移除基板，将基板传送穿过第二容器的顶部至第二容器中的支撑件上，从第二容器移除基板，将基板传送到至少两个清洁元件中的第一者，并将基板传送到至少两个清洁元件中的第二者。
在另一方面中，一种从多个基板移除颗粒的方法，包括：在保持清洁液浴的第一容器的顶部中打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第一进出端口；通过第一进出端口插入第一基板并将第一基板输送至清洁液浴中的多个支撑件中的一个支撑件上；关闭第一进出端口；在第一容器的顶部中打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第二进出端口；通过第二进出端口插入第二基板并将基板输送至清洁液浴中的多个支撑件中的第二支撑件上；关闭第二进出端口；在第一容器的顶部中打开第一进出端口；通过第一进出端口移除第一基板并将第一基板输送进冲洗站中；关闭第一进出端口；在第一容器的顶部中打开第二进出端口；通过第二进出端口移除第二基板并将第二基板输送进冲洗站中；以及关闭第二进出端口。
在另一方面中，一种用于从多个基板移除颗粒的方法，包括：在保持清洁液浴的第一容器的顶部中打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第一进出端口；通过第一进出端口插入第一基板并将第一基板输送至清洁液浴中的第一位置上；关闭第一进出端口；将第一基板从清洁液浴中的第一位置传送至第二位置；在第一容器的顶部中打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第二进出端口；通过第二进出端口移除第一基板并将第一基板输送进冲洗站中；以及关闭第二进出端口。
实施方式可包括以下特性中的一者或多者。
传送带可包括多个夹持器，用于保持多个基板及在支撑件之间同时移动多个基板。至少一个夹持器可经垂直致动以将至少一个基板提升远离支撑件。第一容器或第二容器的多个支撑件中的每一者可进一步包括垂直致动器，以将基板提升至由至少一个夹持器夹紧的升高位置。至少一个夹持器的支撑臂可延伸高于或低于多个支撑件。第一容器及第二容器的传送带可经配置以将支撑件在容器内侧向移动。
控制器可经配置以致使机器人系统通过端口输送基板及从同一端口取回基板。至少两个能打开且能关闭的进出端口可单独致动。共用致动器可一致开启及关闭至少两个能打开且能关闭的进出端口。
清洁液可为约3份硫酸与约1份过氧化氢的混合物。冲洗液可包括大体上去离子水。第一容器可包括再循环流体路径，包括用于清洁液的加热器和过滤器。第二容器可包括再循环流体路径，包括用于冲洗液的加热器和过滤器。第二容器可具有多个喷嘴，用于在第二容器的内部容积内喷洒冲洗液。
基板可以先进先出(first in,first out；FIFO)模式从第一容器被传送。多个支撑件中的每个支撑件可在通过第一进出端口插入第一基板与通过第一进出端口移除第一基板之间的时间段内从多个基板接收基板。
至少两个清洁元件可包括旋转刷清洁器、缓冲垫清洁器、或喷射清洁器。
一旦第一基板已移动远离第一位置并在从清洁液浴移除第一基板之前，可打开第一进出端口，可通过第一进出端口插入第二基板，可将第二基板输送至清洁液浴中的第一位置，可关闭第一进出端口。用于在清洁液浴中处理第一基板的时间段可在8分钟至12分钟的范围内。将第一基板从第一位置传送至第二位置可包括：将基板放置在第一固定支撑件上；以及用第一容器中的机器人将第一基板从第一固定支撑件移动至第二固定支撑件。将第一基板从第一位置传送至第二位置可包括：将第一基板放置在支撑件上；以及将支撑件从第一位置移动至第二位置。
某些实施方式可包括但不限于以下可能的优势中的一个或多个。线上SPM处理系统可执行若干基板的批量处理。SPM处理可整合至CMP系统，由此无需将基板盒传送至单独SPM系统并减少移动基板花费的时间，因此改进循环时间。线上SPM处理系统还可再循环及过滤处理容器内的溶液，以减少每基板所需的处理化学物的数量，从而降低每基板成本。通过以先进先出方式操作线上SPM处理系统，基板可位于SPM浴中达较长时间段，以确保清洁度而无需减少整个系统的处理量以及减少集成CMP机器的占地面积。
在附图及下文的描述中阐述了一个或多个实施方式的细节。其他方面、特征及优点将从说明书及附图、以及权利要求而显而易见。
附图说明
图1为化学机械抛光系统的示意俯视图。
图2为线上硫酸和过氧化氢混合物清洁槽的示意剖面侧视图。
图3A至图3D为基板清洁的拾取及放置FIFO方法的示意图。
图4A至图4D为基板清洁的连续FIFO方法的示意图。
图5A至图5F为步进梁系统的示意图。
图6A至图6F为运行梁系统的示意图。
图7为传送带系统的示意图。
各附图中的相同参考符号指示相似元件。
具体实施方式
SPM清洁可按其中每个基板位于单独处理腔室中的浴中的并行分离模式来执行。尽管这允许并行处理多个基板，但使用分隔的容器可增加处理化学物(例如硫酸和过氧化氢)的使用。进一步地，化学物不可重复使用；每个基板可需要新化学物。此化学物可为一笔重要花费。
此外，SPM处理所需的时间相对于抛光时间可能相当长，例如，为抛光时间的10倍或更多。因此，为了匹配抛光系统的处理量，以便SPM工艺不控制处理量，需要通过SPM并行处理大量基板。然而，由于成本、清洁室中可用占地面积或化学物花费，可能不可行的是包括多个SPM腔室，其中每个腔室处理单个基板。
可解决这些问题中的一个或多个的方法为具有SPM处理系统，其中在同一贮槽(tank)中处理多个基板。
图1示出了化学机械抛光(CMP)系统100的内部视图。系统100通常包括工厂界面模块102、输入模块104、抛光器模块106、和清洁模块108。四个主要部件通常设置在CMP系统100内。
工厂界面102包括用于保持多个基板盒110的支撑件、包围腔室的壳体111、和一个或多个界面机器人112。工厂界面机器人112通常提供在盒110与系统100的其他模块中的一个或多个之间传送基板所需的运动范围。
未处理的基板通常通过界面机器人112从盒110传送至输入模块104。输入模块104通常促进基板在界面机器人112与传送机器人114之间传送。传送机器人114在输入模块104与抛光器102之间传送基板。
抛光器106通常包括传送站116及一个或多个抛光站118。传送站116设置在抛光模块106内并经配置以从传送机器人114接受基板。传送站116将基板传送至抛光站118的承载头120，承载头120在抛光期间保持基板。
抛光站118包括抛光垫120位于其上的可旋转盘形平台24。可操作平台以绕轴旋转。抛光垫120可为具有外抛光层及较软背衬层的双层抛光垫。抛光站118进一步包括分配臂122，用于将例如研磨浆料之类的抛光液分配至抛光垫120上。在研磨浆料中，研磨颗粒可为氧化硅，但对于一些抛光工艺，使用二氧化铈研磨颗粒。抛光站118还可包括调节器头123，用于以一致表面粗糙度维持抛光垫120。
抛光站118包括至少一个承载头124。承载头124可经操作以在抛光操作期间将基板10保持抵靠住抛光垫110。在对基板执行抛光操作之后，承载头124将基板传送回至传送站116。
随后传送机器人114通过开口将基板从抛光模块106移除，此开口连接抛光模块106与CMP系统100的其余部分。传送机器人114将基板沿水平方向从抛光模块106移除，并将基板垂直地重新定向以置于清洁模块108中。
清洁模块108通常包括可独立地操作或同时地操作的一个或多个清洁装置。例如，在图1中自上而下，清洁模块108可包括SPM模块128(下文进一步描述)、输入模块129、一个或多个刷子或缓冲垫清洁器131、132、超声清洁器133、和干燥器134。其他可能的清洁装置包括化学物旋涂清洁器和喷射清洁器。输送系统(例如，支撑机械臂的吊挂传送带130)可在装置之间步进或运送基板。简而言之，一个或多个清洁器131、132为其中可放置基板的装置，并且基板的表面与旋转刷或旋涂缓冲垫接触以移除任何剩余颗粒。随后将基板传送至超声清洁器133，其中高频振动在清洁液中产生可控空化以清洁基板。或者，超声清洁器可放置在刷子或缓冲垫清洁器131、132之前。在传送至干燥模块134之前，可在冲洗模块中执行最后冲洗。
尽管图1示出SPM模块128作为序列中的第一清洁装置，但这并非清洁操作的实际物理位置或顺序所必须的(尽管使清洁装置以与操作顺序相同的物理顺序对于处理量来说将为更有效的)。例如，基板可通过刷子或缓冲垫清洁器(例如，缓冲垫)，随后通过SPM模块，随后通过另一刷子或缓冲垫清洁器(例如，旋转刷)，且随后通过喷射清洁器而被处理。
如上文描述，CMP系统100将基板从抛光模块106传送至清洁模块108。来自抛光工艺的碎片(例如，来自抛光垫或浆料的研磨颗粒或有机材料)可粘到基板。这些材料中的一些(例如二氧化铈颗粒)以及来自抛光模块106的有机添加剂难以使用上文列举的清洁器131、132、133移除。因此，将基板移至清洁模块108内的线上硫酸和过氧化氢混合物(SPM)模块128。图1中示出的SPM模块为允许同时线上SPM清洁若干基板的模块。SPM模块128包括两个容器，清洁容器124和冲洗容器126。
图2中示出SPM模块128的剖面侧视图。SPM模块128包括清洁容器124、冲洗容器126、和用于在SPM模块128内传送基板的一个或多个专用机械臂137的机器人系统。SPM模块128的壳体通常可由适于与硫酸和过氧化氢的混合物一起使用(例如，非反应性)的任何材料组成。图2示出清洁容器124和冲洗容器126相邻放置并连接在基座处，但通常地容器可以适合工艺的任意方式设置在CMP系统100内的任何地方。
描绘在清洁容器124左侧的为接收站180，传送机器人114在接收站180处放置待清洁的基板10a。清洁模块的机械臂(例如，SPM模块128的机械臂137)随后抓紧基板10a并将其从接收站180移除。
描绘在冲洗容器126右侧的为输出站182，传送机器人114在输出站182处放置已经被清洁并冲洗过的基板10a。清洁模块的机械臂(例如，吊挂输送机)随后抓紧基板10a并将其从输出站182移除。
置于清洁容器124和冲洗容器126中的每一者的顶表面处的为多个可操作的进出端口150。进出端口150可关闭以减少烟雾和液体从贮槽逸出，此举可提高清洁度并降低操作者风险。通常，每个容器具有至少两个可操作的进出端口150；然而，在一些实施例中，冲洗槽可具有敞开式顶部，例如在机械臂137的内缩位置与贮槽中的液体之间没有盖子。图2描绘了每个容器上方具有两个可操作的进出端口150，但通常可存在多于两个进出端口。在一些实施方式中，每个容器中的多个进出端口150可达到40个端口。进出端口150可由独立控制器或集成控制器操作以响应于来自机器人系统的命令打开或关闭进出端口150。每个容器的进出端口150可一致操作或它们可独立地操作。进出端口150的示例为狭缝阀。
清洁容器124和冲洗容器126包括能够保持液体的内部隔室。清洁容器124填充有清洁液134，例如，硫酸和过氧化氢混合物。在一些实施方式中，清洁液134可为包括约3份硫酸至约1份过氧化氢的混合物。至少一个溢流槽(overflow basin)136邻近于被填充的清洁隔室。
槽136可为大致围绕内部隔室的任何容积。当清洁液134在内部隔室内再循环时，从内部隔室溢流出的任何清洁液134被捕捉至溢流槽136中，引导至过滤、加热和补充系统138，并返回至内部隔室。
在从系统控制器接收信号时，例如，当由机械臂137抓紧基板10a时，打开至少一个进出端口150。随后将机械臂137通过敞开的端口150插入基板10a并且将基板10a放置在支撑件140中。
基板支撑件140沿基座设置并沿清洁容器124和冲洗容器126的长度间隔开。每个支撑件140可沿边缘夹紧基板10并能够保持基板10固定。通常，每个容器具有至少一个支撑件。图2描绘在清洁容器124和冲洗容器126中的每一者中的五个支撑件，但通常可具有多达四十个支撑件140。图2进一步描绘了置于支撑件140中的基板10b。
机械臂137随后从进出端口150缩回并关闭端口150。步进梁系统142邻近于支撑件140的线放置，用于使用基板夹持器172将基板从一个固定支撑件140顺序地输送至下一个支撑件。图2的步进梁系统142示出具有四个夹持器172，但通常可比支撑件140数量少一个。步进梁基板输送系统的轨道沿内部隔室的长度延伸，与支撑件140平行地延伸。步进梁142系统的更多细节在图5A至图5F中描绘。
当基板10已经在清洁容器124内完成清洁时间段时，例如已从初始支撑件140a移动至最终支撑件140b，则打开基板10上的可操作的进出端口150并经由机械臂137移除基板10。随后端口150关闭且机械臂将基板10传送至冲洗容器126的进出端口150上方的位置。随后控制器系统确定基板10可放置在冲洗容器126内的位置并且打开支撑件140上方的关联端口150。机械臂通过敞开的端口150插入基板10a并且将基板10a放置在支撑件140中。机械臂137随后从进出端口150缩回并关闭端口150。
冲洗容器126包括填充有高温冲洗液135的内部隔室。例如，液体135可为去离子水。冲洗容器126内的冲洗液135在操作SPM模块128期间循环，以在置于容器126中时从基板移除剩余清洁液134。可允许任何溢流冲洗液135从容器排出。替代地，基板可用冲洗容器126中的冲洗液135喷淋。
冲洗容器126可利用本文所述的任何基板10输送机构，例如，步进梁、运行梁、或传送带，以在冲洗时间段的持续时间内输送基板10。
以批量模式处理基板(例如图2的SPM模块128)实现了若干基板的效率及材料用法的益处。以先进先出(FIFO)模式执行清洁或冲洗可允许在SPM模块中的控制器指定的时间内处理每个基板，此时间可比其他系统模块中的时间长，而不影响系统100的整体处理量。
图3A至图3D示出SPM模块128的另一实施方式。此实施方式并不利用容器中基板输送系统。简而言之，实施方式并不利用步进梁或运行梁系统用于在容器内输送基板10。相反，(多个)机械臂(未示出)在清洁容器125和冲洗容器126内的固定支撑件140之间输送基板10。SPM模块128的实施方式还包括清洁容器124和冲洗容器126内的较少功能部分，从而防止高苛性碱溶液内的可操作部分的磨蚀。
图3A至图3D的清洁容器125和冲洗容器126被示出具有沿容器底部设置的固定支撑件140和相等数目的可操作的进出端口150，即一个端口150用于一个支撑件140，沿顶表面的进出端口150的数目与支撑件140的数目相等。
尽管图3A至图3D示出进出端口150一致地操作，但每个端口可具有单独的致动器，以便端口150可独立地打开及关闭。前者允许所有端口由共用致动器驱动，此举可降低成本。后者仅允许与支撑件140相关联的端口150被打开，基板正被放置到此端口或基板正从此端口被移除，这可以减少烟雾或液体的逸出。
SPM模块128的这种实施方式可以“拾取及放置”方法操作，当(多个)机械臂执行夹持单个基板的工作时，将基板放置在由控制器指定的位置，且随后从同一位置拾取基板。特别地，SPM模块128的此实施方式可执行先进先出方法，其中置于清洁容器124中的第一基板为从清洁容器124移除的第一基板。然而，SPM模块128的此实施方式能够任意定时；基板可以任何顺序移除以为每个基板提供受控的处理时间。
在图3A中，描绘了SPM模块与三个基板10a、10b、及10c。基板10a被示出为在由传送机器人114放置之后在清洁容器124的接收站中。基板10b被示出为位于清洁容器124中。基板10c被示出为在清洁容器124中完成清洁时间段之后，位于冲洗容器126中。
图3B描绘了固定先进先出工艺中的第一步。基板10a由机械臂从接收站取出，打开清洁容器124的进出端口150，并将基板10a置于空支撑件140中。随后机械臂从进出端口150缩回，并且SPM控制器记录基板10a的清洁时间段的开始时间。
清洁时间段通常为确定足以移除或溶解颗粒的任何时间，但在一些实施方式中，时间段可为约8分钟至约12分钟(例如，约9分钟至约11分钟，或约10分钟)。
图3C描绘了基板10b的清洁时间段的结束。打开清洁容器124的进出端口150，且机械臂从支撑件140移除基板10b，并通过进出端口150缩回机械臂。随后控制器系统打开冲洗容器126中与空支撑件140对应的进出端口150。基板10b通过进出端口150插入并置于支撑件140中。随后机械臂通过端口150缩回，并且控制器记录基板10a的冲洗时间段的开始时间。
冲洗时间段通常为确定足以稀释残余SPM的任何时间，但在一些实施方式中，时间段可为约8分钟至约12分钟(例如，约9分钟至约11分钟，或约10分钟)。
图3D描绘了基板10c的冲洗时间段的结束。打开清洁容器124的进出端口150，且机械臂从支撑件140移除基板10c，并通过进出端口150缩回机械臂。随后机械臂将基板10c插入右侧的输出站的支撑件内。SPM系统的传送机器人可随后从SPM模块移除基板10c。
图4A至图4D中示出图3A至图3D中描绘的替代先进先出方法。图4A至图4D中的先进先出操作模式描绘一种方法，其中基板10以连续或定时方式输送，并可使用本文所述的各种容器内输送系统，例如图5A至图5F的步进梁系统142，图6A至图6F的运行梁系统144，图7的传送带，或另一容器内输送系统。不同于图3A至图3D中示出的系统(其中每个支撑件具有一进出端口150)，图4A至图4D中示出的配置仅具有两个进出端口150，其中第一者用于插入基板，并且其中第二者用于移除基板。
在图4A中，描绘SPM模块与若干基板10，包括示例性基板10a、10b、和10c。基板10a被示出在由传送机器人114放置之后在清洁容器124的接收站中。基板10b被示出位于清洁容器124中。基板10c被示出为在清洁容器124中完成清洁时间段之后，位于冲洗容器126中。
在将基板10a置于SPM模块100的接收站中时，则控制器引导步进梁142将清洁容器124内的多个基板向前输送一距离。此距离可为清洁容器124的总长度的一部分。通常，第一和最后能打开的进出端口150之间的距离可除以支撑件的数目，以确定从清洁容器124设置或移除每个基板所需的行进距离。
在图4B中，步进梁系统142的夹持器172朝向清洁容器124和冲洗容器126的顶部上的最后进出端口150输送基板10b和10c。图4B描绘了沿容器124和126的底部的步进梁142，但一般而言，基板可通过本文所述的任何输送机构来移动，例如运行梁、步进梁或传送带。
当基板10b及10c的清洁时间段已经完成并且它们位于清洁容器124及冲洗容器126中最后进出端口下方时，控制器打开进出端口150。随后机械臂(未示出)从清洁容器124移除基板10b，并通过冲洗容器126的第一敞开式进出端口插入此基板。基板10b置于第一支撑件140中，并且机械臂从冲洗容器126的第一进出端口撤回。
机械臂随后从冲洗容器126移除基板10c，并将基板10c置于输出站中。
基板10a通过机械臂从接收站移除并通过清洁容器126的第一开启的进出端口插入此基板10a。基板10a置于第一支撑件140中，并且机械臂从清洁容器126的第一进出端口退出。
如图4D示出，CMP系统的传送机器人随后可将另一基板10d置于SPM模块的接收站中，并从待移动至CMP系统的下一模块的终端站取回基板10c。
图5A至图5F为描绘步进梁系统142及其操作的示意图。如图5A示出，将基板10垂直地置于清洁容器124或冲洗容器126内的支撑件140中。图5B示出支撑件140中基板10的图5A的左侧的边视图。为简明起见，未示出步进梁。再次参看图5A，两个步进梁轨道170a及170b在相对侧上与基板10相邻。夹持装置172a及172b分别耦接至每个步进梁轨道170a及170b。夹持装置172可彼此相对布置并与基板10对齐。
一旦从控制器接收到信号，如图5C示出，可致动夹持器172a及172b以移动朝向基板10，从而接触相对侧的边缘。图5D示出支撑件140中与左侧夹持器172a接触的基板10的边视图。
如图5E示出，步进梁系统142随后提升夹持器172，从而将基板10从支撑件140提升至一高度，所述高度处，基板10的底边缘高于支撑件140的上边缘。或者，(多个)支撑件140可下降，以便将基板置于夹持器172中。夹持器172随后沿步进梁170轴向移动，以将基板10传送至下一顺序支撑件140n，如图5F示出。当在清洁容器124及冲洗容器126内操作时，步进梁夹持器172协同操作以将容器中的基板10同时传送至下一个顺序支撑件140。
作为步进梁系统142的替代，图6A至图6F描绘运行梁系统144的细节，其中SPM系统128的清洁容器124及冲洗容器126可用于控制基板10的移动。图6A描绘运行梁系统144，其中轨道170沿容器顶部纵向延伸。夹持器172从轨道170向下延伸，沿基板10的相对侧对准。图6B示出支撑件140中基板10的图6A的左侧的边视图。为简明起见，未示出运行梁。在此参看图6A，运行梁系统142包括与步进梁140系统相同的部件，包括轨道170及夹紧装置172。
一旦从控制器接收到信号，如图6C示出，可致动夹持器172a及172b以移动朝向基板10，从而接触相对侧的边缘。图6D示出支撑件140中与左侧夹持器172a接触的基板10的边视图。
如图6E示出，夹持器172在夹紧基板10之后向上缩回，从而将基板10从支撑件140提升至一高度，所述高度处，基板10的底边缘高于支撑件140的上边缘。夹持器172随后沿运行梁170轴线移动，以将基板10传送至下一顺序支撑件，如图6F示出。虽然步进梁系统142同时移动清洁容器124或冲洗容器126中的所有基板10，但运行梁系统144单独地移动基板。运行梁系统144将最靠近清洁容器124或冲洗容器126的出口的基板10移动至下一顺序的支撑件140，并将连续基板10朝向容器的出口移动。
作为图5A至图5F及图6A至图6F中示出的步进梁142及运行梁144系统的替代方案，图7描绘可用于通过SPM模块128的清洁容器124及冲洗容器126移动基板10的传送带系统700。传送带700包括附着至传动皮带710的多个支撑件140。一般而言，皮带710可具有至少一个支撑件140。在一些实施方式中，背衬710可包括多达80个支撑件140。
传送带系统700还包括与皮带710的内表面接触的驱动机构720，例如，两个驱动轮。图7描绘两个驱动轮，但通常，可以存在与承载清洁容器124及冲洗容器126内所需的支撑件数量一样多的数量。驱动机构720可经由局部SPM控制器或CMP控制器来控制。驱动机构720可以是可在容器124和126内操作，或者它们可以是可在容器外部操作，例如磁驱动系统。
通常，传送带上的支撑件可沿背衬710的外表面均匀间隔开。背衬710上的支撑件140的数目可为使得背衬710的上表面上的支撑件数目等于在容器124和126中正在处理的基板的数目。驱动机构720可连续或间断地输送保持在背衬710中的基板。驱动机构720间歇地操作，使得机械臂137取回基板10并将基板10放置在支撑件140中，而驱动机构720不操作，例如静止。驱动机构720的输送率可使得置于第一进出端口处支撑件中的基板在确定时间段之后到达最后进出端口。
已描述了本发明的多个实施例。然而，将理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改。因此，其他实施例在所附权利要求的范围内。

Claims (25)

1.一种用于从多个基板移除颗粒的基板清洁系统，所述系统包括：
第一容器，所述第一容器用于将清洁液施加至基板，所述第一容器进一步包括：位于所述第一容器的顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口；以及用于将所述基板保持在所述第一容器中的所述基板的相应边缘处的多个支撑件；
第二容器，所述第二容器用于将冲洗液施加至基板，所述第二容器包括用于将所述基板保持在所述第二容器中的所述基板的相应边缘处的多个支撑件；以及
机器人系统，所述机器人系统用于通过所述第一容器的所述顶部中的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口来传送基板，并且将基板传送穿过所述第二容器的顶部。
2.如权利要求1所述的系统，其中所述第二容器具有顶部和位于所述第二容器的所述顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口，或者所述第二容器具有敞开顶部。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述第一容器进一步包括位于所述第一容器内的传送带，所述传送带用于传送置于所述第一容器内的基板。
4.如权利要求3所述的系统，其中所述第一容器中的进出端口的数量大于所述第一容器中的支撑件的数量。
5.如权利要求3所述的系统，其中所述至少两个能打开且能关闭的进出端口由入口端口和出口端口组成，并且其中所述支撑件按位置的序列来布置，所述入口端口位于所述序列的第一位置之上，并且所述出口端口位于所述序列的最后位置之上。
6.如权利要求3所述的系统，其中所述第一容器的所述传送带包括步进梁，所述步进梁具有至少一个夹持器，所述至少一个夹持器用于将至少一个基板保持远离所述支撑件并在支撑件之间移动至少一个基板。
7.如权利要求3所述的系统，其中所述传送带包括：皮带，所述皮带用于固定所述支撑件；和驱动辊，所述驱动辊用于驱动所述皮带。
8.如权利要求1所述的系统，其中进出端口的数量等于支撑件的数量，每个进出端口位于对应的支撑件上方。
9.如权利要求8所述的系统，其中所述支撑件被支撑在所述第一容器中的固定侧向位置中。
10.如权利要求1所述的系统，所述装置进一步包括机械臂，所述机械臂用于通过所述第一容器的所述顶部中的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口以及所述第二容器的所述顶部中的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口中的第二者来传送基板。
11.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包括第一机械臂，所述第一机械臂用于通过所述第二容器的所述顶部中的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口中的第一者传送所述基板；和第二机械臂，所述第二机械臂用于通过所述第二容器的所述顶部中的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口中的第二者来传送基板。
12.如权利要求1所述的系统，其中所述第一容器包括用于保持所述清洁液的浴的贮槽，并且所述机器人系统经配置以将所述基板下降至所述浴中。
13.如权利要求1所述的系统，其中所述第二容器包括用于保持所述冲洗液的浴的贮槽，并且所述机器人系统经配置以将所述基板下降至所述浴中。
14.如权利要求1所述的系统，其中所述第一容器的所述至少两个能打开且能关闭的进出端口包括二至二十个能打开且能关闭的进出端口。
15.一种用于在抛光后处理基板的清洁系统，所述系统包括：
硫酸和过氧化氢的混合物(SPM)模块，包括：
硫酸和过氧化氢混合物(SPM)清洁器，所述硫酸和过氧化氢混合物(SPM)清洁器具有用于保持硫酸和过氧化氢混合物液体的第一容器、以及用于将五至二十块基板保持在所述第一容器中的所述液体中的五至二十个第一支撑件，以及
冲洗站，所述冲洗站具有用于保持冲洗液的第二容器、以及用于将五至二十块基板保持在所述第二容器中的所述液体中的五至二十个第二支撑件；
至少两个清洁元件，所述至少两个清洁元件从由以下项组成的群组中选出：超声波清洁器、旋转刷清洁器、抛光垫清洁器、喷射清洁器、化学物旋涂清洁器、离心式脱水器、和马兰各尼干燥器，所述至少两个清洁元件中的每一者经配置以一次处理单个基板；以及
多个机器人，所述多个机器人经配置以通过所述第一容器的所述顶部中的所述至少两个端口中的第一者将一基板传送至所述第一容器中的支撑件上，通过所述第一容器的所述顶部中的所述至少两个端口中的第一者或第二者从所述第一容器移除所述基板，将所述基板传送穿过所述第二容器的顶部至所述第二容器中的支撑件上，从所述第二容器移除所述基板，将所述基板传送至所述至少两个清洁元件中的第一者，并且将所述基板传送至所述至少两个清洁元件中的第二者。
16.如权利要求15所述的系统，包括基板输入站和控制器，所述控制器经配置以致使所述机器人将所述基板从所述输入站传送至所述SPM模块，从所述SPM模块传送至所述至少两个清洁元件中的所述第一者，并且从所述至少两个清洁元件中的所述第一者传送至所述至少两个清洁元件中的所述第二者。
17.如权利要求15所述的系统，包括基板输入站和控制器，所述控制器经配置以致使所述机器人将所述基板从所述输入站传送至所述至少两个清洁元件中的所述第一者，将所述基板从所述至少两个清洁元件中的所述第一者传送至所述SPM模块，并且从所述SPM模块传送至所述至少两个清洁元件中的所述第二者。
18.如权利要求15所述的系统，其中所述机器人包括第一机器人，所述机器人的臂能沿第一轴移动。
19.如权利要求18所述的系统，其中所述SPM模块、所述至少两个清洁元件中的所述第一者、以及所述至少两个清洁元件中的所述第二者沿所述第一轴按上述顺序布置。
20.如权利要求18所述的系统，其中所述至少两个清洁元件中的所述第一者、所述SPM模块、以及所述至少两个清洁元件中的所述第二者沿所述第一轴按上述顺序布置。
21.如权利要求18所述的系统，其中所述硫酸和过氧化氢混合物(SPM)清洁器以及所述冲洗站沿垂直于所述第一轴的第二轴并排布置。
22.如权利要求21所述的系统，其中所述机器人包括第二机器人，所述第二机器人用于将所述基板从所述SPM清洁器传送至所述冲洗站。
23.如权利要求22所述的系统，其中所述机器人包括第三机器人，所述第三机器人用于将所述基板从所述输入站传送至所述SPM模块。
24.一种用于从多个基板移除颗粒的方法，所述方法包括：
在保持清洁液浴的第一容器的顶部中，打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第一进出端口；
通过所述第一进出端口插入第一基板，并且将所述第一基板传送至所述清洁液浴中的多个支撑件中的支撑件上；
关闭所述第一进出端口；
在所述第一容器的所述顶部中，打开所述能打开且能关闭的进出端口中的第二进出端口；
通过所述第二进出端口插入第二基板，并且将所述基板传送至所述清洁液浴中的多个支撑件中的第二支撑件上；
关闭所述第二进出端口；
在所述第一容器的所述顶部中打开所述第一进出端口；
通过所述第一进出端口移除所述第一基板，并且将所述第一基板输送进冲洗站中；
关闭所述第一进出端口；
在所述第一容器的所述顶部中打开所述第二进出端口；
通过所述第二进出端口移除所述第二基板，并且将所述第二基板输送进冲洗站中；以及
关闭所述第二进出端口。
25.一种用于从多个基板移除颗粒的方法，所述方法包括：
在保持清洁液浴的第一容器的顶部中，打开多个能打开且能关闭的进出端口中的第一进出端口；
通过所述第一进出端口插入第一基板，并且将所述第一基板输送至所述清洁液浴中的第一位置上；
关闭所述第一进出端口；
将所述第一基板从所述清洁液浴中的所述第一位置传送至第二位置；
在所述第一容器的所述顶部中，打开所述能打开且能关闭的进出端口中的第二进出端口；
通过所述第二进出端口移除所述第一基板，并且将所述第一基板输送进冲洗站中；
关闭所述第二进出端口。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210407824A1 (en) 2020-06-30 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Spm processing of substrates
CN114951081A (zh) * 2022-04-29 2022-08-30 徐州医科大学 一种新型口腔医学教学用清洗设备
CN114932111B (zh) * 2022-05-31 2023-04-07 中南大学湘雅二医院 一种急诊科护理用品快速预清洁装置
CN116936348B (zh) * 2023-09-07 2024-01-30 浙江晶越半导体有限公司 一种晶片表面的清洗方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
US5158616A (en) * 1988-07-22 1992-10-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning a substrate
JP3162704B2 (ja) * 1990-11-28 2001-05-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH07176507A (ja) 1993-12-20 1995-07-14 Hitachi Ltd ウエット処理装置およびウエット処理方法
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5740053A (en) * 1995-07-31 1998-04-14 Tokyo Electron Limited Method of controlling monitor used in cleaning machine and object processing machine and monitor apparatus
US6036426A (en) * 1996-01-26 2000-03-14 Creative Design Corporation Wafer handling method and apparatus
US6942738B1 (en) * 1996-07-15 2005-09-13 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
TW402756B (en) * 1997-09-29 2000-08-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for polishing and cleaning semiconductor wafers
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US6253907B1 (en) * 1999-05-07 2001-07-03 Eisenmann Corporation Conveying system for work pieces
AU5173100A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for drying batches of wafers
EP1068936A1 (en) * 1999-07-10 2001-01-17 Applied Materials, Inc. Grippers with ability to change wafer orientation
FR2797405B1 (fr) * 1999-08-12 2001-10-26 Coillard Sa Ets Bac de rincage a liquide ultra propre
US6413145B1 (en) 2000-04-05 2002-07-02 Applied Materials, Inc. System for polishing and cleaning substrates
US6645550B1 (en) * 2000-06-22 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of treating a substrate
US6461441B1 (en) * 2001-05-09 2002-10-08 Speedfam-Ipec Corporation Method of removing debris from cleaning pads in work piece cleaning equipment
JP4296090B2 (ja) * 2001-11-02 2009-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法
US7743928B2 (en) 2002-09-07 2010-06-29 Timothy Crowley Integrated apparatus and methods for treating liquids
US20040200409A1 (en) * 2002-12-16 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with integrated vertical marangoni drying
JP4219799B2 (ja) * 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4462146B2 (ja) 2004-09-17 2010-05-12 栗田工業株式会社 硫酸リサイクル型洗浄システムおよび硫酸リサイクル型過硫酸供給装置
US20060201532A1 (en) 2005-03-14 2006-09-14 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning system
JP2006253552A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体洗浄装置および半導体洗浄方法
KR100637401B1 (ko) 2005-12-28 2006-10-23 주식회사 케이씨텍 로봇 척 세정조 겸용 기판 린스조, 이를 포함하는 습식세정 장치 및 기판 세정 방법
US20070221254A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Akira Izumi Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20080156359A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Olgado Donald J K Systems and methods for modular and configurable substrate cleaning
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
CN101990703B (zh) 2008-04-25 2012-11-21 应用材料公司 高产量化学机械抛光系统
US20100326797A1 (en) * 2009-04-23 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Carrier for transporting solar cell substrates
JP5454108B2 (ja) * 2009-11-30 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20120308346A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing system loader
US8322766B1 (en) * 2011-11-02 2012-12-04 Gintech Energy Corporation Wafer gripper
JP5705095B2 (ja) * 2011-11-29 2015-04-22 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用熱処理方法および熱処理炉
DE102012210618A1 (de) * 2012-01-26 2013-08-01 Singulus Stangl Solar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von plattenförmigem Prozessgut
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法
CN104813438B (zh) * 2012-11-28 2017-07-25 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体硅片的清洗方法和装置
JP6285305B2 (ja) * 2014-07-22 2018-02-28 住友化学株式会社 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP6472693B2 (ja) * 2015-03-24 2019-02-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置
TWM547751U (zh) * 2016-03-08 2017-08-21 應用材料股份有限公司 晶圓處理器
US10358715B2 (en) * 2016-06-03 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Integrated cluster tool for selective area deposition
JP6971756B2 (ja) * 2017-02-01 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN108933097B (zh) * 2017-05-23 2023-06-23 东京毅力科创株式会社 真空输送组件和基片处理装置
CN111095512B (zh) 2017-09-08 2024-01-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置
US20210249257A1 (en) * 2018-06-07 2021-08-12 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers
JP2020031181A (ja) 2018-08-24 2020-02-27 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体
TWI685058B (zh) * 2018-10-22 2020-02-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理系統
DE102019102492A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
US20210407824A1 (en) 2020-06-30 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Spm processing of substrates
JP2022081065A (ja) * 2020-11-19 2022-05-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法

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