CN115027943A - 基板位置控制方法和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板位置控制方法和基板处理系统。基板位置控制方法包括以下工序:第一计算工序,参照存储部来计算差分信息,存储部存储用于对向第一处理室和第二处理室搬送的基板进行位置调整的第一位置调整信息和第二位置调整信息,差分信息表示将基于第一位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置与将基于第二位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置之间的旋转方向偏移和伸缩方向偏移;第二计算工序,计算用于校正旋转方向偏移的旋转校正值;以及第三计算工序,计算伸缩校正值,该伸缩校正值用于校正伸缩方向偏移、以及由于根据旋转校正值校正基板的位置而产生的、旋转校正所引起的偏移。

Description

基板位置控制方法和基板处理系统
技术领域
本公开涉及一种基板位置控制方法和基板处理系统。
背景技术
以往,在基板处理系统设置有:搬送室,其设置有用于搬送基板的搬送装置;多个处理室,所述多个处理室配置于搬送室的周围;以及经由闸阀的加载互锁室,所述闸阀开闭自如,以使无需在每次向处理室内搬送基板和从处理室内搬出基板时将处理室从真空恢复为常压。加载互锁室能够在真空与常压之间进行切换。在基板处理系统中,搬送装置进行加载互锁室、真空搬送室、各基板处理室之间的基板的搬送。例如,在将基板搬入加载互锁室并使加载互锁室内与真空处理室同样地成为真空之后,搬送装置将基板搬送至真空处理室内。
在加载互锁室设置有用于调整基板的位置的位置调整机构。因此,提出如下一种技术:在基板处理系统中,在从加载互锁室向处理室搬送基板时,通过设置于加载互锁室的位置调整机构来进行与作为搬送目的地的处理室相应的位置调整(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-324366号公报
发明内容
发明要解决的问题
根据本公开,提供一种不经由加载互锁室地对从一个处理室向另一个处理室搬送的基板进行位置校正的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板位置控制方法是基板处理系统的基板位置控制方法,所述基板处理系统具有:搬送室,其具有搬送机构,该搬送机构通过控制旋转角度的旋转控制和控制伸缩距离的伸缩控制来进行基板的搬送;第一处理室,其与搬送室连接;第二处理室,其与搬送室连接;以及加载互锁室,其与搬送室连接,所述加载互锁室具有进行基板的位置调整的位置调整机构,所述基板位置控制方法包括以下工序:第一计算工序,参照存储部来计算差分信息,所述存储部存储用于对从加载互锁室向第一处理室搬送的基板进行位置调整的第一位置调整信息和用于对从加载互锁室向第二处理室搬送的基板进行位置调整的第二位置调整信息,所述差分信息表示将基于第一位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置与将基于第二位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置之间的、旋转方向上的旋转方向的偏移和伸缩方向上的伸缩方向的偏移;第二计算工序,计算用于校正差分信息所表示的旋转方向偏移的旋转校正值;以及第三计算工序,计算伸缩校正值,该伸缩校正值用于校正差分信息所表示的伸缩方向偏移、以及由于根据旋转校正值在旋转方向上校正基板的位置而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移。
发明的效果
根据本公开,能够不经由加载互锁室地对从一个处理室向另一个处理室搬送的基板进行位置校正。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统的结构例的立体图。
图2是第一实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。
图3是表示第一实施方式所涉及的搬送机构的结构例的立体图。
图4是例示出在第一实施方式所涉及的控制器中实现的功能结构的框图。
图5是例示出第一实施方式所涉及的定位器控制部所控制的定位器的位置的图。
图6是例示出第一实施方式所涉及的存储部所存储的保存每个工艺腔室的位置调整量的位置调整量表的图。
图7是说明通过定位器控制部的控制进行的基板S的位置调整的图。
图8是例示出第一实施方式中的将基板从第一工艺腔室直接搬送至第三工艺腔室的情况下的点A、点B以及点C的各点处的偏移量的图。
图9是表示第一实施方式中的将基板从第一工艺腔室直接搬送至第三工艺腔室的情况下的概念的说明图。
图10是说明第一实施方式所涉及的旋转校正值计算部进行的二分法检索的概念的图。
图11是例示出以不使控制器进行校正的方式将被进行了第一工艺腔室的位置调整的基板从第一工艺腔室直接搬送至第三工艺腔室的情况下的位置的图。
图12是例示出第一实施方式所涉及的旋转校正值计算部进行二分法检索的检索范围的图。
图13是例示出第一实施方式所涉及的旋转校正值计算部进行的二分法检索的运算信息的图。
图14是例示出在对被进行了第一工艺腔室的位置调整后的基板进行通过第一实施方式所涉及的旋转校正值计算部确定出的旋转方向上的校正之后将该基板从第一工艺腔室直接搬送至第三工艺腔室的情况下的位置的图。
图15是说明第一实施方式所涉及的伸缩校正值计算部进行的伸缩方向上的校正的图。
图16是例示出在对被进行了第一工艺腔室的位置调整后的基板进行旋转校正值和伸缩校正值的校正之后将该基板从第一工艺腔室直接搬送至第三工艺腔室的情况下的位置的图。
图17是表示用于获取当在加载互锁室中针对每个工艺腔室进行位置调整时使用的位置调整量并登记于存储部的、第一实施方式所涉及的基板处理系统的位置调整量表的登记过程的流程图。
图18是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统进行了直接搬送的情况下的校正值的计算过程的流程图。
图19是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统进行了直接搬送的情况下的处理过程的流程图。
图20是表示第二实施方式所涉及的基板处理系统进行了直接搬送的情况下的处理过程的流程图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在全部的附图中,对相同或对应的构件或者部件标注相同或对应的参照标记,并省略重复的说明。
(第一实施方式)
对能够实施第一实施方式所涉及的基板位置控制方法的基板处理系统的一例进行说明。图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统的结构例的立体图。图2是第一实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。
如图1和图2所示,基板处理系统100是搭载有搬送室3、加载互锁室5以及三个工艺腔室(处理室的一例)1a、1b、1c的多腔室系统,所述搬送室3具备搬送装置23,所述搬送装置23具有进行控制旋转角度的旋转控制和控制伸缩距离的伸缩控制的搬送机构23a(在后文中叙述)。基板处理系统100是用于对例如液晶显示器、有机EL显示器等FPD(Flat PanelDisplay:平板显示器)用的玻璃基板(下面称作“基板S”。)进行等离子体处理的真空处理系统。另外,通过本实施方式的基板处理系统100进行处理的基板S为矩形的基板S,例如为G4.5代的尺寸(例如730mm×920mm)的基板S、G6代的尺寸(例如1500mm×1850mm)的基板S。
在基板处理系统100中,多个大型腔室在俯视观察时连结为十字形。作为多个大型腔室,在中央部设置有搬送室3,在搬送室3的三个侧面邻接地设置有用于对基板S进行等离子体处理的三个工艺腔室1a、1b、1c(处理室的一例),在搬送室3的其余一个侧面邻接地设置有加载互锁室5。工艺腔室1a、1b、1c以及搬送室3均为始终在减压气氛(真空状态)下进行基板S的处理和搬送的真空腔室,加载互锁室5是根据需要在减压气氛与大气气氛之间进行切换的真空大气切换腔室。
在搬送室3与工艺腔室1a、1b、1c之间设置有开口部(未图示),在开口部设置有具有开闭功能的闸阀7a。在搬送室3与加载互锁室5之间设置有开口部(未图示),在开口部设置有具有开闭功能的闸阀7b。在闸阀7a、7b“关闭”的状态下,将各腔室之间气密地密封,在闸阀7a、7b“打开”的状态下,使腔室之间连通来使得能够搬送基板S。在加载互锁室5与外部的大气气氛之间也设置有闸阀7c,在该闸阀7c“关闭”的状态下,维持加载互锁室5的气密性,在该闸阀7c“打开”的状态下,能够在加载互锁室5内与外部之间搬送基板S。
工艺腔室1a、1b、1c构成为能够将其内部空间维持为规定的减压气氛。如图2所示,在工艺腔室1a、1b、1c内设置有作为用于载置基板S的载置台的基座2。基座2具有电极部2a和(未图示的)陶瓷部。电极部2a例如在俯视观察时形成为矩形状。电极部2a的外形例如比基板S的外形小。在电极部2a的上表面载置基板S。在通过等离子体对基板S进行处理时,电极部2a被施加偏压用的RF,电极部2a的作为基板载置面的顶面由电介质材料形成。可以在基板载置面设置静电吸盘来保持基板S。陶瓷部设置于电极部2a的周围。陶瓷部可以由石英等其它绝缘性材料构成。在工艺腔室1a、1b、1c中,在将基板S载置于基座2的状态下对基板S进行例如真空条件下的蚀刻处理、灰化处理、成膜处理等等离子体处理。
本实施方式为针对每个工艺腔室1a、1b、1c分别进行不同种类的处理的例子。因此,在通过工艺腔室1a对基板S进行的处理结束之后,将基板S从工艺腔室1a经由搬送室3搬送至工艺腔室1c。
搬送室3构成为能够与作为真空处理室的工艺腔室1a、1b、1c同样地保持为规定的减压气氛。如图2所示,在搬送室3内设置有搬送装置23。搬送装置23在搬送室3与工艺腔室1a、1b、1c及加载互锁室5之间搬送基板S。
图3是表示搬送装置23具有的搬送机构的结构例的立体图。如图3所示,搬送机构23a具有台座部113、以相对于台座部113可滑动的方式设置的滑动臂115、以及可滑动地设置于滑动臂115上的作为用于支承基板S的支承构件的叉部101。叉部101构成为能够相对于工艺腔室1a、1b、1c以及加载互锁室5前进和后退。叉部101具有拾取基部117以及与拾取基部117连结的作为保持部的多个支承拾取部119。在图3的例子中,叉部101具有四个支承拾取部119a、119b、119c、119d。此外,在表示工艺腔室1a、1b、1c中的任意一个以上的工艺腔室的情况下,称作工艺腔室1。
在滑动臂115的两侧的侧部设置有用于使滑动臂115相对于台座部113滑动的引导件121。在台座部113设置有将引导件121以可滑动的方式支承的滑动支承部123。
另外,在滑动臂115的两侧的侧部,与引导件121平行地设置有用于使叉部101相对于滑动臂115滑动的引导件125。而且,设置有沿引导件125滑动的滑动件127,叉部101被装设于滑动件127。
搬送机构23a通过对滑动臂115沿上述的引导件121的滑动进行滑动控制、以及对叉部101沿引导件125的的滑动进行滑动控制,能够实现在伸缩方向301上控制叉部101的伸缩距离的伸缩控制。
并且,搬送机构23a通过设置于台座部113的旋转机构,能够实现以旋转轴302为中心控制叉部101的旋转角度的旋转控制。此外,期望的是旋转轴302构成为与沿着滑动方向的叉部101的中心轴交叉。
此外,在本实施方式中说明了搬送机构23a,但并不限制设置于搬送室3的搬送机构的数量。例如,可以设置有一个搬送机构23a,也可以设置有多个(例如两层)搬送机构23a。
例如,如果在上下方向上分两层地设置有搬送机构23a,则上下的搬送机构构成为通过连结机构(未图示)连结,从而能够一体地在水平方向上旋转。另外,构成为上下两层的搬送机构与滑动臂115以及进行叉部101的滑动动作、台座部113的旋转动作及升降动作的驱动单元(未图示)连结。
返回图2,加载互锁室5构成为能够与工艺腔室1a、1b、1c及搬送室3同样地保持为规定的减压气氛。加载互锁室5为用于与处于大气气氛的(未图示的)盒、减压气氛的搬送室3之间进行基板S的交接的腔室。加载互锁室5在大气气氛与减压气氛之间重复地进行切换,因此内容积构成得较小。另外,将加载互锁室5经由排气阀(未图示)而与排气系统(未图示)连接,经由供气阀(未图示)而与气体供给系统(未图示)连接,以使加载互锁室5在大气气氛与减压气氛之间重复地进行切换。
例如,在加载互锁室5可以分上下两层地设置有基板收容部27。在基板收容部27设置有用于支承基板S的缓冲部28。缓冲部28由彼此隔开间隔的多个支承部构成。缓冲部28的间隔作为梳齿状的支承拾取部(例如叉部101的支承拾取部119)的回避槽。
在加载互锁室5内设置有与矩形状的基板S的各边抵接来进行位置对准的三个定位器(位置调整机构的一例)29。此外,在表示三个定位器29的各定位器的情况下,称作定位器29a、29b、29c。在基板S的三个点的位置调整中使用定位器29,以将基板S置于工艺腔室1的基座2的电极部2a的中央或者用于对基板S实施处理的适当位置。在后文中叙述定位器29a、29b、29c的位置。
基板处理系统100具有控制各部的动作的控制部30。控制部30具有控制器31、用户接口32以及存储部33。控制器31具备CPU,用于在基板处理系统100中控制例如工艺腔室1a、1b、1c、搬送装置23等各部的动作。用户接口32具有例如供工序管理者进行用以管理基板处理系统100的命令的输入操作等的键盘、将基板处理系统100的运转状况可视化地进行显示的显示器。在存储部33中记录有用于在控制器31的控制下实现由基板处理系统100执行的各种处理的控制程序(软件)、处理条件数据等。用户接口32及存储部33与控制器31连接。
图4是例示出在控制器31中实现的功能结构的框图。如图4所示,控制器31执行存储部33中存储的控制程序。由此,控制器31具备阀控制部401、定位器控制部402、搬送控制部403、对准获取部404、差分计算部405、旋转校正值计算部406以及伸缩校正值计算部407。
此外,关于控制程序、处理条件数据等制程,能够以被保存于计算机可读取的记录介质、例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存中的状态利用。另外,还能够从其它装置经由例如专用线路随时进行传输来在线地利用。
接着,对控制器31的具体结构进行说明。
阀控制部401进行闸阀7a、7b、7c的开闭控制、以及用于进行加载互锁室5的减压控制的加载互锁室5的排气阀及供气阀的开闭控制。
定位器控制部402针对被载置于加载互锁室5的缓冲部28的基板S控制定位器(位置调整机构的一例)29a、29b、29c,来进行与作为搬送目的地的工艺腔室1a、1b、1c相应的位置调整。
本实施方式的搬送机构23a能够如上述那样实现旋转控制和伸缩控制,定位器控制部402对基板S进行预先位置调整,以使能够对这些动作进行补充来将基板S载置于作为搬送目的地的工艺腔室1a、1b、1c的基座2的适当位置。
图5是例示出本实施方式的定位器控制部402控制的定位器29的位置的图。在图5所示的例子中,在加载互锁室5设置有三个定位器29a、29b、29c。在图5所示的例子中,将作为通过定位器29a、29b、29c进行位置调整的对象的基板S的外周的位置称作点A、点B以及点C。
在本实施方式中,搬送机构23a以用于进行旋转控制的旋转轴302为基准进行处理。因此,在本实施方式的存储部33中保存有旋转轴302与点A、B、C的各点之间的距离来作为参数。在以下的说明中,如图5所示,将旋转轴302与点A的距离LA设为“3245.06”,将旋转轴302与点B的距离LB设为“4694.51”,将旋转轴302与点C的距离LC设为“3015.91”。并且,在存储部33中保存有包括旋转轴302的基准轴501与点A、B、C的各点之间的角度来作为参数。在以下的说明中,如图5所示,将点A的角度θA设为“76.64°”,将点B的角度θB设为“80.81°”,将点C的角度θC设为“80.07°”。基准轴501设为在进行搬送机构23a的旋转控制时作为角度计算的基准的轴方向。另外,通过定位器29进行位置调整的方向也以旋转轴302为基准来决定。通过定位器29a和定位器29b进行位置调整的方向为旋转方向。通过定位器29c进行位置调整的方向是伸缩方向。
在本实施方式中,对基板S的位置控制要求较高的精度。因此,存储部33针对作为搬送目的地的每个工艺腔室1存储有点A、B、C的位置调整量。在本实施方式中,说明将存储点A、B、C的位置调整量的存储部33设置于基板处理系统100的控制部30的例子,但并不限定于该结构例。例如,控制部30可以从可通信的其它计算机的存储部中获取点A、B、C的各点的位置调整量。
图6是例示出存储部33所存储的、保存每个工艺腔室1的位置调整量的位置调整量表的图。在图6所示的位置调整量表中,针对作为搬送目的地的每个工艺腔室1保存有点A、B、C的位置调整量。
例如,位置调整量表针对每个点A、B、C存储用于对从加载互锁室5向第一工艺腔室1a(第一处理室的一例)搬送的基板S进行位置调整的位置调整量(第一位置调整信息的一例)601。并且,位置调整量表针对每个点A、B、C存储用于对从加载互锁室5向第三工艺腔室1c(第二处理室的一例)搬送的基板S进行位置调整的位置调整量(第二位置调整信息)602。如图6所示,设位置调整量的单位为(mm)。
由此,定位器控制部402读取位置调整量表,根据与作为搬送目的地的工艺腔室1对应的每个点A、B、C的位置调整量来控制定位器29a、29b、29c,由此能够实现与基板S的搬送目的地相应的位置调整。
图7是说明通过控制部30具有的控制器31所具备的定位器控制部402的控制进行的基板S的位置调整的图。在附图中简略地仅示出控制部30。如图7的(A)所示,在载置了基板S的情况下,控制部30的控制器31确定该基板S的搬送目的地。而且,控制器31的定位器控制部402从存储部33读出与作为搬送目的地的工艺腔室1对应的每个点A、B、C的位置调整量。
如图7的(B)所示,定位器控制部402对与点A对应的定位器29a、与点B对应的定位器29b以及与点C对应的定位器29c的各定位器进行使之移动所读出的位置调整量的控制。具体地说,定位器29a使基板S沿旋转方向701移动。定位器29b使基板S沿旋转方向702移动。定位器29c使基板S沿伸缩方向703移动。
像这样,在本实施方式中,定位器控制部402通过点A、点B以及点C这三个点在旋转方向或伸缩方向上调整基板S的位置,由此能够在旋转方向及伸缩方向上进行基板S的具体调整。此外,在本实施方式中,说明定位器控制部402通过点A、点B以及点C这三个点调整基板S的位置的例子,但并不限制进行调整的位置。调整基板的位置的部位并不限制于点A、点B以及点C,只要是能够在旋转方向和伸缩方向上进行调整的三个以上的点即可。
控制器31所具备的搬送控制部403通过存在于搬送室3的搬送机构23a的旋转控制和伸缩控制来进行基板S的搬送控制。
另外,在最近所使用的基板处理系统中,倾向于在多个工艺腔室1a、1b、1c的各工艺腔室中连续地实施不同的处理。因此,例如有时在通过一个工艺腔室1进行第一处理之后将基板搬送至另一个工艺腔室1来进行第二处理。
本实施方式的基板处理系统100也通过多个工艺腔室1的各工艺腔室对基板S进行处理。如上述那样,在加载互锁室5中进行与多个工艺腔室1的各工艺腔室相应的位置调整。因此,优选的是,每当向工艺腔室1搬送基板S时在加载互锁室5中进行位置调整,以将基板S配置于多个工艺腔室1的各工艺腔室中的适当位置。例如,优选的是,在通过一个工艺腔室1进行第一处理之后暂时返回加载互锁室5,进行适于另一个工艺腔室1的位置调整并搬送至另一个工艺腔室1。
然而,还存在优选不使基板S返回加载互锁室5的情况。例如,有时在工艺腔室1中通过腐蚀性气体对基板S进行处理。在这样的情况下,当在通过在工艺腔室1中使用于处理的气体来进行该处理之后使基板S返回加载互锁室5时,加载互锁室5的内部的表面有可能被基板S上的残留气体腐蚀。
并且,不经由加载互锁室5地从一个工艺腔室1向另一个工艺腔室1进行直接搬送的方式具有生产率提高的优点。
然而,当将进行了用于一个工艺腔室1的位置对准的状态的基板S直接载置于另一个工艺腔室1时,可能会产生位置偏移。特别地,由于产生位置偏移,下部的电极部2a的基板载置面可能会露出而在等离子体处理中受损。
因此,本实施方式的基板处理系统100在进行不经由加载互锁室5地在多个工艺腔室1之间进行基板S的直接搬送的串行搬送时,对搬送机构23a的动作施加校正。基板处理系统100基于每个工艺腔室1的用于位置对准的位置调整量的差,来校正从一个工艺腔室1向另一个工艺腔室1进行搬送的搬送机构23a的动作。接着,对具体的搬送过程的例子进行说明。
在经由打开状态的大气侧的闸阀7c将基板S从加载互锁室5的外部的大气气氛搬送并载置于加载互锁室5的基板收容部27的缓冲部28的情况下,阀控制部401进行以下控制:在进行使加载互锁室5的大气侧的闸阀7c关闭的控制之后,进行使加载互锁室5的排气阀打开的控制来将加载互锁室5内进行排气从而减压至规定的真空度。并且,阀控制部401进行使搬送室3与加载互锁室5之间的闸阀7b打开的控制。
在使搬送室3与加载互锁室5之间的闸阀7b打开之后,定位器控制部402进行与作为基板S的搬送目的地的工艺腔室1相应的位置调整。此外,也可以在使闸阀7b打开之前进行位置调整。本实施方式中为从加载互锁室5向第一工艺腔室1a进行搬送的例子。
搬送控制部403控制搬送机构23a的叉部101,来接受在加载互锁室5中被进行了用于第一工艺腔室1a的位置调整之后的基板S。
接下来,搬送控制部403控制搬送机构23a的叉部101,来将基板S搬入作为搬送目的地的第一工艺腔室1a,交接至第一工艺腔室1a的基座2。
接下来,在第一工艺腔室1a内对基板S进行第一处理。第一处理只要是在第一工艺腔室1a内对基板S进行的处理即可。
搬送控制部403控制搬送机构23a的叉部101,来从第一工艺腔室1a的基座2接受被进行了第一处理之后的基板S,并从第一工艺腔室1a搬出。
搬送控制部403控制搬送机构23a的叉部101,来将从第一工艺腔室1a搬出的基板S搬入第三工艺腔室1c。
在该情况下,被搬入第三工艺腔室1c的基板S未被进行用于第三工艺腔室1c的位置调整。因此,若搬送控制部403不进行基板S的位置校正地将基板S载置于第三工艺腔室1c的基座2,则会产生位置偏移。
图8是例示出从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c进行了直接搬送的情况下的点A、点B以及点C的各点处的偏移量的图。如图8所示,加载互锁室5中的第一工艺腔室1a的位置调整量为:点A“19.670000”、点B“19.930000”、点C“20.940000”。另一方面,加载互锁室5中的第三工艺腔室1c的位置调整量为:点A“17.283333”、点B“17.466667”、点C“20.539000”。
因此,在搬送控制部403将被进行了用于第一工艺腔室1a的调整后的基板S搬送至第三工艺腔室1c的情况下,在点A产生“2.286667”的偏移量,在点B产生“2.463333”的偏移量,在点C产生“0.401000”的偏移量。
因此,本实施方式的搬送控制部403在从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c直接搬送基板S时,在搬送机构23a的旋转方向和伸缩方向上校正基板S的位置。
图9是表示从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c直接搬送基板S的情况下的概念的说明图。如图9的(A)所示,搬送控制部403控制搬送机构23a来接受基板S。之后,搬送控制部403将基板S从第一工艺腔室1a搬出。
如图9的(B)所示,搬送控制部403控制搬送机构23a来将基板S搬入第三工艺腔室1c。搬送控制部403以同第一工艺腔室1a与第三工艺腔室1c之间的偏移量(参照图8)对应的方式通过旋转控制和伸缩控制进行了校正,之后将基板S载置于第三工艺腔室1c的基座2。
具体地说,搬送控制部403使基板S旋转与对用于从第一工艺腔室1a旋转至第三工艺腔室1c的旋转角加上旋转校正值所得到的合计角901相应的量。并且,搬送控制部403以与对用于向第三工艺腔室1c的基座2进行载置的伸缩量加上伸缩校正值所得到的合计伸缩量902相应的量,进行叉部101的伸缩控制。
旋转校正值设为用于校正在从一个工艺腔室1(例如第一工艺腔室1a)向另一个工艺腔室1(例如第三工艺腔室1c)搬送时产生的旋转方向上的偏移量的校正值。
伸缩校正值设为将以下两个校正值相加所得到的值,所述两个校正值为:用于校正在从一个工艺腔室1(例如第一工艺腔室1a)向另一个工艺腔室1(例如第三工艺腔室1c)搬送时产生的伸缩方向上的偏移量的校正值;以及用于校正由于根据旋转校正值来校正旋转方向上的基板S的位置而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移量的校正值。
本实施方式的控制部30使旋转校正值和伸缩校正值存储于存储部33。而且,搬送控制部403当在工艺腔室1之间直接搬送基板S时,从存储部33中读出与该直接搬送对应的旋转校正值及伸缩校正值,根据旋转校正值和伸缩校正值来校正偏移量,之后将基板S载置于作为搬送目的地的工艺腔室1的基座2。
返回图4,对基板处理系统100的控制部30具备的、使旋转校正值和伸缩校正值存储于存储部33所需的结构进行说明。
对准获取部404获取用于在向工艺腔室1进行搬送之前由定位器29在加载互锁室5中对基板S进行位置调整的位置调整量,并存储于存储部33。由此,图6所示的位置调整量表被更新。此外,在后文中叙述位置调整量的具体的获取方法。
差分计算部405计算将被进行了用于一个工艺腔室1的位置调整之后的基板S搬送至另一个工艺腔室1的情况下的位置与将被进行了用于另一个工艺腔室1的位置调整之后的基板S搬送至另一个工艺腔室1的情况下的位置之间的偏移量。所计算的偏移量包括旋转方向上的偏移量和伸缩方向上的偏移量。
在本实施方式中,一个工艺腔室1的点A、B的位置调整量与另一个工艺腔室1的点A、B的位置调整量之间的偏移量是旋转方向上的偏移量(表示旋转方向上的旋转方向偏移的差分信息的一例)。另外,一个工艺腔室1的点C的位置调整量与另一个工艺腔室1的点C的位置调整量之间的偏移量是伸缩方向上的偏移量(表示伸缩方向上的伸缩方向偏移的差分信息的一例)。
旋转校正值计算部406在从一个工艺腔室1向另一个工艺腔室1搬送基板S的情况下,进行在通过搬送机构23a的旋转控制能够校正旋转角度的数值范围中检索用于减少旋转方向上的偏移量的旋转角度的旋转校正值的二分法检索。此外,在本申请中,通过二分法检索求出与带来旋转方向上的位置移动的旋转运动有关的角度(°)的校正值,以校正与旋转方向上的位置有关的偏移量(mm)。即,角度(°)的校正值反映在偏移量(mm)的校正值中。
图10是说明本实施方式所涉及的旋转校正值计算部406进行的二分法检索的概念的图。图10的(A)所示的例子将最小值-2°~最大值2°设为可校正旋转角度的数值范围。此外,该范围并非在本实施方式中实际使用的范围,是为了容易进行说明而示出的例子。
而且,旋转校正值计算部406将该可校正的数值范围设为检索范围,通过二分法检索来检索使旋转方向上的偏移量变少的旋转角度(°)。首先,旋转校正值计算部406确定图10的(A)的检索范围的中央值0°。
接着,如图10的(B)所示,旋转校正值计算部406确定相对于中央值0°错开+0.1°后的暂定值0.1°。
而且,旋转校正值计算部406将通过(中央值)0°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量与通过(暂定值)0.1°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量进行比较。
旋转校正值计算部406根据比较结果来确定下一次的检索范围。下一次的检索范围设为用中央值分割本次检索范围所得到的范围中的某一方。
例如,作为比较的结果,在旋转校正值计算部406判断为通过0°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量小的情况下,将下一次的检索范围确定为最小值-2°~最大值0°。另外,旋转校正值计算部406在判断为通过0.1°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量小的情况下,将下一次的检索范围确定为最小值0°~最大值2°。此外,在后文中叙述偏移量的计算方法。
在图10的(C)所示的例子中设为旋转校正值计算部406判断为通过0.1°进行了校正的情况下的偏移量比通过0°进行了校正的情况下的偏移量小,因此将下一次的检索范围确定为最小值0°~最大值2°的例子。另外,旋转校正值计算部406还确定下一次的检索范围的中央值1°。
接着,如图10的(D)所示,旋转校正值计算部406确定相对于中央值1°错开了+0.1°的暂定值1.1°。暂定值设为用于与中央值进行二分法检索的比较的值。
而且,旋转校正值计算部406将通过(中央值)1°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量与通过(暂定值)1.1°进行了校正的情况下的基板S的旋转方向上的偏移量进行比较。旋转校正值计算部406在判断为通过1°进行了校正的情况下的偏移量比通过1.1°进行了校正的情况下的偏移量小的情况下,将下一次的检索范围确定为最小值0°~最大值1°。旋转校正值计算部406在判断为通过1.1°进行了校正的情况下的偏移量比通过1°进行了校正的情况下的偏移量小的情况下,将下一次的检索范围确定为最小值1°~最大值2°。
在图10的(E)所示的例子中设为旋转校正值计算部406判断为通过1°进行了校正的情况下的偏移量比通过1.1°进行了校正的情况下的偏移量小,因此将下一次的检索范围确定为最小值0°~最大值1°的例子。在图10的(E)所示的例子中,旋转校正值计算部406还进一步确定下一次的检索范围的中央值0.5°。
像这样,在本实施方式中,旋转校正值计算部406重复进行以中央值为基准来将检索范围缩小至一半的处理。通过重复进行该处理,能够确定使基板S的位置的偏移量变小的旋转角度。
也就是说,旋转校正值计算部406获取检索范围的最大值、检索范围的最小值、以及最大值与最小值之间的中央值,计算从中央值向最大值侧或最小值侧错开与预先决定的探索值相应的量后的暂定值。在本实施方式中,设为对中央值加上探索值“0.0001°”来计算暂定值的例子。而且,旋转校正值计算部406重复进行以下处理,该处理是:根据在基于中央值使旋转角度错开了的情况下旋转方向上的基板S的位置偏移被校正的量与在基于暂定值使旋转角度错开了的情况下旋转方向上的基板S的位置的偏移量被校正的量之间的比较结果来缩小检索范围,基于该缩小后的检索范围来更新最大值、最小值以及中央值。探索值设为在二分法检索中为了生成与中央值进行比较的暂定值而预先决定的用于与中央值相加(也可以是相减)的数值。此外,关于用于计算暂定值的探索值,当该探索值过小时检索范围的缩小花费时间,当该探索值过大时缩小的精度变差,因此需要在这之间决定适当的值。
接着,说明具体的处理。如图8所示,在将基板S从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c的情况下,在点A产生“2.286667”的偏移量,在点B产生“2.463333”的偏移量,在点C产生“0.401000”的偏移量。
图11是例示出不进行校正地将被进行了第一工艺腔室1a的位置调整之后的基板S从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c的情况下的位置的图。在图11所示的例子中,用虚线表示在进行用于第三工艺腔室1c的位置调整之后搬送基板S的情况下的基板S的区域1150。而且,在点A处,在旋转方向上产生“2.286667”的偏移量1101,在点B处,在旋转方向上产生“2.463333”的偏移量1102,在点C处,在伸缩方向上产生“0.401000”的偏移量1103。其结果是,电极部2a出现露出的部分1181、1182。此外,在图11所示的例子中,强调地表示出偏移量,以容易进行说明。
而且,旋转校正值计算部406使用二分法检索来计算旋转校正值,以减少旋转方向上的基板S的位置的偏移量,换言之,减小点A和点B处的旋转方向(x轴方向)上的偏移量。
图12是例示出本实施方式的旋转校正值计算部406进行二分法检索的检索范围的图。在图12所示的例子中,第一次的检索范围设为可校正基板S的数值范围(最小值“-0.2000°”~最大值“0.2000°”)。中央值设为“0.0000°”。此外,关于最小值、最大值、中央值以及暂定值,在表述中为了简单而表示出小数点后四位,但在偏移量的计算中根据其它数值的位数来进行计算。另外,偏移量的数值等以小数点后六位进行表述,但实际的计算本身计算至小数点后更多的位数,为了表述方便而四舍五入至小数点后六位,因此在表述上有时最后位的数字不一致。
图13是例示出本实施方式所涉及的旋转校正值计算部406进行的二分法检索的运算信息的图。在图13所示的例子中,计算通过中央值“0.0000°”进行了校正的情况下的偏移量。具体地说,根据下述的式(1)来计算通过第一次的二分法检索的中央值进行了校正的情况下的点A的x坐标(XCA)。此外,将距离“3245.06”设为旋转轴302与点A之间的距离LA。将角度“76.640000°”设为对以旋转轴302为基准时基准轴501与点A之间的角度θA加上中央值“0.0000°”所得到的角度。在此,使用加载互锁室5中的位置关系即旋转轴302与点A、点B以及点C的各点之间的距离和角度来计算第一工艺腔室1a和第三工艺腔室1c各自的位置调整量。因此,在从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c的情况下的旋转校正值的计算中,也将加载互锁室5中的位置关系用作基准。
XCA=3245.06×cos(76.640000°)……(1)
旋转校正值计算部406根据式(1)来计算中央值的点A的x坐标(XCA)“749.831865”。在该情况下,旋转校正值计算部406计算出校正量“0.000000”来作为与校正前的点A的x坐标“749.831865”的差分。旋转校正值计算部406从图8的点A的偏移量“2.286667”减去校正量“0.000000”,来计算旋转方向上的校正后偏移量“2.286667”。此外,在此为了对过程进行说明而在形式上进行了加减法,但实际上并不通过中央值“0.0000°”来进行角度校正,因此旋转方向上的偏移量没有变化。
旋转校正值计算部406根据下述的式(2)来计算第一次的二分法检索的中央值的点B的x坐标(XCB)。此外,将距离“4694.51”设为旋转轴302与点B之间的距离LB。将角度“80.810000°”设为对以旋转轴302为基准时基准轴501与点B之间的角度θB加上中央值“0.0000°”所得到的角度。
XCB=4694.51×cos(80.810000°)……(2)
旋转校正值计算部406根据式(2)来计算中央值的点B的x坐标(XCB)“749.755016”。在该情况下,旋转校正值计算部406计算出校正量“0.000000”来作为与校正前的点B的x坐标“749.755016”的差分。旋转校正值计算部406从图8的点B的偏移量“2.463333”减去校正量“0.000000”,来计算旋转方向上的校正后偏移量“2.463333”。此外,在此为了对过程进行说明而在形式上进行了加减法,但实际上并不通过中央值“0.0000°”来进行角度的校正,因此旋转方向上的偏移量没有变化。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的点A的校正后偏移量“2.286667”与中央值的点B的校正后偏移量“2.463333”进行比较,将偏移量大的“2.463333”确定为中央值的判定值。该中央值的判定值(偏移量)用于与后述的暂定值的判定值(偏移量)进行比较。
接着,关于对中央值加上探索值“0.0001°”所得到的暂定值“0.0001°”计算偏移量。具体地说,旋转校正值计算部406使用角度“76.640100°”来替代式(1)所示的角度“76.640000°”,根据下述的式(3)来计算第一次的二分法检索的暂定值的点A的x坐标(XZA)。将角度“76.640100”设为对基准轴501与点A之间的角度“76.640000°”加上暂定值“0.0001°”所得到的值。
XZA=3245.06×cos(76.640100°)……(3)
旋转校正值计算部406根据式(3)来计算暂定值的点A的x坐标(XZA1)“749.826355”。在该情况下,旋转校正值计算部406计算出校正量“-0.005510”来作为与校正前的点A的x坐标“749.831865”的差分。旋转校正值计算部406从图8的点A的偏移量“2.286667”减去校正量“-0.005510”,来计算旋转方向上的校正后偏移量“2.292177”。
接着,旋转校正值计算部406使用角度“80.810100°”来替代式(2)所示的角度“80.810000°”,根据下述的式(4)来计算第一次的二分法检索的暂定值的点B的x坐标(XZB)。将角度“80.810100°”设为对基准轴501与点B的角度“80.810000°”加上暂定值“0.0001°”所得到的值。
XZB=4694.51×cos(80.810100°)……(4)
旋转校正值计算部406根据式(4)来计算暂定值的点B的x坐标(XZB)“749.746928”。在该情况下,旋转校正值计算部406计算出校正量“-0.008088”来作为与校正前的点B的x坐标“749.755016”的差分。旋转校正值计算部406从图8的点B的偏移量“2.463333”减去校正量“-0.008088”来计算旋转方向上的校正后偏移量“2.471422”。
而且,旋转校正值计算部406将点A的校正后偏移量“2.292177”与点B的校正后偏移量“2.471422”进行比较,将偏移量大的“2.471422”确定为暂定值的判定值。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的判定值“2.463333”与暂定值的判定值“2.471422”进行比较,确定出值小的那个判定值。在第一次的二分法检索中,旋转校正值计算部406判断为中央值的判定值“2.463333”比暂定值的判定值“2.471422”小。也就是说,通过加上暂定值“0.0001°”,旋转方向上的偏移量变大,因此在下一次的检索中使用本次的检索范围中的向最小值侧缩小后的检索范围。因此,旋转校正值计算部406通过中央值来分割第一次的检索范围,将比中央值小的范围确定为下一次的检索范围。
如图12所示,最小值“-0.2000°”~最大值“0.0000°”为第二次的检索范围。而且,中央值为“-0.1000°”。
旋转校正值计算部406在使用中央值“-0.1000°”替代中央值“0.0000°”来作为校正值的情况下,点A的角度通过中央值而被校正成“76.540000”,点B的角度通过中央值而被校正成“80.710000”。而且,旋转校正值计算部406通过进行与上述相同的处理,来计算通过中央值“-0.1000°”进行了校正的情况下的点A的校正量“5.509279”和点B的校正量“8.087150”。而且,旋转校正值计算部406计算通过该校正量进行了校正的情况下的点A的校正后偏移量“-3.222612”和点B的校正后偏移量“-5.623816”。旋转校正值计算部406将计算出的多个校正后偏移量中的绝对值大的“-5.623816”确定为判定值。像这样,使用绝对值大的值来作为判定值。
接着,旋转校正值计算部406在将对中央值“-0.1000°”加上探索值“0.0001”所得到的值“-0.0999°”用作第二次的暂定值的情况下,点A的角度成为“76.540100”,点B的角度成为“80.710100”。而且,旋转校正值计算部406通过进行与上述相同的处理,来计算通过暂定值“-0.0999°”进行了校正的情况下的点A的校正量“5.503771”和点B的校正量“8.079064”。而且,旋转校正值计算部406计算通过该校正量进行了校正的情况下的点A的校正后偏移量“-3.217104”和点B的校正后偏移量“-5.615730”。旋转校正值计算部406将计算出的多个校正后偏移量中的绝对值大的“-5.615730”确定为判定值。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的判定值“-5.623816”与暂定值的判定值“-5.615730”进行比较,确定绝对值小的那个判定值。在第二次的二分法检索中,旋转校正值计算部406判断为暂定值的判定值“-5.615730”的绝对值比中央值的判定值“-5.623816”的绝对值小。因此,旋转校正值计算部406通过中央值来分割第二次的检索范围,将比中央值大的范围、即包括暂定值的范围确定为下一次的检索范围。
如通过图12所示,最小值“-0.1000°”~最大值“0.0000°”为第三次的检索范围。而且,中央值为“-0.0500°”。通过旋转校正值计算部406重复进行该处理,来使检索范围逐渐缩小。接着,对该二分法检索的结束进行说明。
在第十一次的二分法检索中,检索范围为最小值“-0.0352°”~最大值“-0.0348°”。而且,中央值为“-0.0350°”。
如图13所示,旋转校正值计算部406使用中央值“-0.0350°”进行运算,来计算点A的校正后偏移量“0.358158”和点B的校正后偏移量“-0.367430”。旋转校正值计算部406将计算出的多个校正偏移量中的绝对值大的“-0.367430”确定为判定值。
旋转校正值计算部406使用暂定值“-0.0349°”进行运算,来计算点A的校正后偏移量“0.363668”和点B的校正后偏移量“-0.359343”。旋转校正值计算部406将计算出的多个校正后偏移量中的绝对值大的“0.363668”确定为判定值。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的判定值“-0.367430”与暂定值的判定值“0.363668”进行比较,判断为暂定值的判定值的绝对值小。因此,转校正值计算部406在第十二次的二分法检索中,将最小值“-0.0350°”~最大值“-0.0348°”设为检索范围。而且,中央值为“-0.0349°”。
旋转校正值计算部406使用中央值“-0.0349°”进行运算,将“0.366668"确定为判定值。旋转校正值计算部406使用暂定值“-0.0348°”进行运算,将“0.369178”确定为判定值。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的判定值“0.366668”与暂定值的判定值“0.369178”进行比较,并判断为中央值的判定值的绝对值小。因此,旋转校正值计算部406在第十三次的二分法检索中,将最小值“-0.0350°”~最大值“-0.0349°”设为检索范围。而且,中央值为“-0.0350°”。因此,当对最小值与最大值之间的严格意义上的中央的值加上探索值时,超过最大值,因此将最小值的“-0.0350°”决定为中央值来作为第十三次的二分法检索的中央值。
旋转校正值计算部406使用中央值“-0.0350°”进行运算,将“-0.367430”确定为判定值。旋转校正值计算部406使用暂定值“-0.0349°”进行运算,将“0.363668”确定为判定值。
而且,旋转校正值计算部406将中央值的判定值“-0.367430”与暂定值的判定值“0.363668”进行比较,判断为暂定值的判定值的绝对值小。
在第十一次~第十三次的二分法检索中,判定结果依次被确定为暂定值的判定值、中央值的判定值、暂定值的判定值。像这样,尽管重复地交替使用中央值和暂定值,也未小于判定值(偏移量)“0.366668”。因此,旋转校正值计算部406在尽管重复地将暂定值和中央值交替地作为判定结果但仍判断为判定值(校正后偏移量)未变小的时间点,确定作为最后的判定结果的中央值或暂定值。而且,旋转校正值计算部406将确定出的中央值或暂定值设为旋转校正值。此外,在图13所示的例子中,旋转校正值是确定出的暂定值即“-0.0349”。
在本实施方式中说明了在即使将该检索范围向最大值侧和最小值侧缩小,旋转方向上的基板S的位置的偏移量也不再发生变化的时间点结束处理的例子。然而,并不将二分法检索的结束条件限制为这样的方法。例如,旋转校正值计算部406也可以在将二分法检索进行了规定次数(例如10次)的时间点结束处理,确定判定值(偏移量)变小的中央值或暂定值,并将确定出的中央值或暂定值设为旋转校正值。
另外,例如旋转校正值计算部406可以在判定值(偏移量)变得比规定的阈值小的时间点结束二分法检索,确定判定值(偏移量)变得比阈值小的中央值或暂定值,并将确定出的中央值或暂定值设为旋转校正值。
图14是例示出在对被进行了第一工艺腔室1a的位置调整之后的基板S进行由旋转校正值计算部406确定出的旋转角度的校正之后从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c的情况下的位置的图。在图14所示的例子中,用虚线表示在进行用于第三工艺腔室1c的位置调整之后搬送了基板S的情况下的基板S的区域1150。在图14所示的例子中,通过以“-0.0349°”(参照图13)校正旋转角度,在点A处在旋转方向上产生“0.363668”(参照图13)的偏移量1401,在点B处在旋转方向上产生“-0.359343”(参照图13)的偏移量1402。由此,相比于图11所示的情况,旋转方向上的偏移量减少了。另一方面,对点C的偏移量1403加上了由于在旋转方向上进行校正而产生的偏移量。因此,接着,伸缩校正值计算部407进行伸缩方向上的校正。
伸缩校正值计算部407在将基板S从一个工艺腔室1向另一个工艺腔室1进行搬送的情况下,计算用于校正通过差分计算部405计算出的点C的伸缩方向上的偏移量(差分信息的一例)、以及由于根据由旋转校正值计算部406确定出的旋转角度的旋转校正值在旋转方向上进行了移动而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移量。
图15是说明通过伸缩校正值计算部407进行的伸缩方向上的校正的图。如图15所示,伸缩校正值计算部407确定与未偏移的情况下的基板S的点C对应的、在旋转方向上进行校正之后的基板S上的点C1’的位置。之后,伸缩校正值计算部407确定与点C1’呈线对称的点C2’的位置。而且,伸缩校正值计算部407计算以将点C1’与点C2’连结的线为斜边的直角三角形的底边长L。计算底边长L的式子如下所示。此外,点C1’的角度为从角度θC“80.07°”减去旋转校正值“-0.0349°”所得到的角度。此外,斜边的距离“3015.91”表示距离LC
L=cos(80.07°-(-0.0349°))×3015.91×2……(5)
因此,伸缩校正值计算部407使用下述的式(6)来计算直角三角形的高Hs。能够将基板S的旋转角视作旋转校正值。
Hs=L×tan(-0.0349°)……(6)
伸缩校正值计算部407以基板S的中心为基准来校正偏移量,因此计算与旋转校正对应的伸缩方向上的偏移量(高Hs/2)。
而且,伸缩校正值计算部407计算伸缩校正值P。伸缩校正值P根据下述式(7)来计算。此外,如图8所示,偏移量“0.401000”设为通过将基板S从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c而产生的偏移量。
P=-1×(0.401000-(高Hs/2)……(7)
通过上述的处理,能够通过伸缩校正值计算部407来进行伸缩校正值P的计算。
在本实施方式中,在进行从一个工艺腔室1至另一个工艺腔室1的直接搬送之前,预先通过旋转校正值计算部406来计算旋转校正值,并通过伸缩校正值计算部407来计算伸缩校正值。而且,存储部33存储旋转校正值和伸缩校正值。而且,每当进行直接搬送时,读出与搬送出发地及搬送目的地对应的旋转校正值及伸缩校正值。
图16是例示出在对被进行了第一工艺腔室1a的位置调整后的基板S进行旋转校正值和伸缩校正值的校正之后将其从第一工艺腔室1a直接搬送至第三工艺腔室1c的情况下的位置的图。在图16所示的例子中,用虚线表示在进行了用于第三工艺腔室1c的位置调整之后搬送了基板S的情况下的基板S的区域1150。区域1150是第三工艺腔室1c的基座2上的基板S的正规位置。在图16所示的例子中,对搬送机构23a进行使旋转角度旋转与旋转校正值相应的量的校正,并且进行在伸缩方向上伸缩与伸缩校正值相应的量的校正。如图16所示,通过以使基板S的位置相对于正规位置的偏移量变小的方式进行校正,能够抑制电极部2a露出。
接着,对通过基板处理系统100进行的具体的处理过程进行说明。图17是表示用于获取当在加载互锁室5中针对各工艺腔室进行位置调整时使用的位置调整量并登记于存储部33的、通过基板处理系统100进行的位置调整量表的登记过程的流程图。图17所示的例子是第一工艺腔室1a的登记过程,但第二工艺腔室1b和第三工艺腔室1c的登记过程也是同样的,省略说明。
首先,在基板处理系统100中,将基板S设置于第一工艺腔室1a的基座2的正规位置(S1701)。
搬送控制部403控制搬送机构23a来将基板S从第一工艺腔室1a搬送至加载互锁室5,并载置于加载互锁室5的缓冲部28(S1702)。
接着,定位器控制部402对定位器29进行移动控制,以使定位器29与载置于缓冲部28的基板S接触(S1703)。此时,定位器29在与基板S抵接的时间点停止,以使基板S不移动。
对准获取部404获取S1703中的定位器29a、29b、29c各自的移动量,并设为用于对基板S进行位置调整的位置调整量(S1704)。
对准获取部404将所述位置调整量作为第一工艺腔室1a的位置调整量登记于存储部33的位置调整量表中(S1705)。
基板处理系统100在登记位置调整量之后,进行在工艺腔室1之间直接搬送基板S的情况下的校正值的计算。图18是表示通过基板处理系统100进行了直接搬送的情况下的校正值的计算过程的流程图。在图18中示出了表示从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c直接搬送的情况下的校正值的计算过程的例子,但为其它的工艺腔室1间的直接搬送的情况下的校正值的计算过程也是同样的,省略说明。
作为第一计算工序的一例,差分计算部405计算进行了用于第一工艺腔室1a的位置调整的情况下的位置调整量与进行了用于第三工艺腔室1c的位置调整的情况下的位置调整量之间的偏移量(S1801)。
旋转校正值计算部406将可校正旋转角度的数值范围确定为检索范围,并确定该检索范围的中央值(S1802)。
旋转校正值计算部406计算通过确定出的中央值校正了旋转角度的情况下的、点A的偏移量和点B的偏移量(S1803)。
旋转校正值计算部406将通过中央值进行了校正的情况下的点A的偏移量和点B的偏移量中的绝对值大的偏移量确定为中央值的判定值(S1804)。
旋转校正值计算部406确定相对于中央值错开探索值“0.0001°”后的暂定值,并计算通过暂定值校正了旋转角度的情况下的点A的偏移量和点B的偏移量(S1805)。
旋转校正值计算部406将通过暂定值进行了校正的情况下的点A的偏移量和点B的偏移量中的绝对值大的偏移量确定为暂定值的判定值(S1806)。
接着,旋转校正值计算部406判定暂定值的判定值的绝对值是否比中央值的判定值的绝对值小(S1807)。旋转校正值计算部406在判定为暂定值的判定值的绝对值比中央值的判定值的绝对值小的情况下(S1807:“是”),将中央值设为最小值来向最大值侧缩小检索范围(S1808)。
另一方面,旋转校正值计算部406在判定为暂定值的判定值的绝对值为中央值的判定值的绝对值以上(中央值的判定值的绝对值比暂定值的判定值的绝对值小或为相同值)的情况下(S1807:“否”),将中央值设为最大值来向最小值侧缩小检索范围(S1809)。
而且,旋转校正值计算部406判定是否满足用于使处理结束的规定的条件(S1810)。作为规定的条件,例如有尽管交替地向最大值侧和最小值侧缩小检索范围但判定值不变小的情况、将二分法检索重复进行了规定次数的情况等。
旋转校正值计算部406在判定为不满足规定的条件的情况下(S1810:“否”),确定缩小后的检索范围中的中央值(S1811),再次从S1803起进行处理。
另一方面,旋转校正值计算部406在判定为满足规定的条件的情况下(S1811:“是”),将在最后的S1807中用于判定的暂定值和中央值中的偏移量小的一方确定为旋转校正值(S1812)。此外,S1802~S1812为第二计算工序的一例。
之后,作为第三计算工序的一例,伸缩校正值计算部407计算用于使通过差分计算部405计算出的伸缩方向上的偏移量、以及由于根据旋转角度的旋转校正值在旋转方向上进行了校正而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移量(S1813)。
旋转校正值计算部406和伸缩校正值计算部407在存储部33中登记旋转校正值和伸缩校正值(S1814)。
接着,基板处理系统100对基板S的搬送处理进行说明。图19是表示通过基板处理系统100进行了直接搬送的情况下的处理过程的流程图。
首先,基板处理系统100将作为处理对象的基板S载置于加载互锁室5的缓冲部28(S1901)。在进行了配置时,确定作为基板S的搬送目的地的工艺腔室1。在本实施方式中,说明多个工艺腔室1作为搬送目的地的情况。
定位器控制部402从存储部33中读出作为最初的搬送目的地的第一工艺腔室1a的位置调整量(S1902)。
作为位置调整工序的一例,定位器控制部402基于所读出的位置调整量来控制定位器29,来进行作为处理对象的基板S的位置调整(S1903)。
作为第一搬送工序的一例,搬送控制部403将进行了位置调整后的基板S搬送至第一工艺腔室1a(S1904)。
作为处理工序的一例,基板处理系统100在第一工艺腔室1a内使用腐蚀性气体进行基板S的等离子体处理(S1905)。此外,在本实施方式中,设为使用腐蚀性气体进行基板S的等离子体处理的例子,但并不限制在工艺腔室1中对基板S进行的处理,只要是规定的处理即可。
搬送控制部403从存储部33中读出在从第一工艺腔室1a直接向第三工艺腔室1c进行搬送的情况下使用的旋转校正值和伸缩校正值(S1906)。
作为第二搬送工序的一例,搬送控制部403在从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c直接搬送基板S时,通过所读出的旋转校正值和伸缩校正值来进行校正(S1907)。
在本实施方式中,通过进行上述的处理,能够减少载置基板S的位置的偏移量。并且,通过预先将旋转校正值和伸缩校正值存储于存储部33中,能够减轻进行直接搬送时的运算负荷。
(第二实施方式)
在第一实施方式中,说明了预先在存储部33中存储旋转校正值和伸缩校正值并在进行直接搬送时读出该旋转校正值和伸缩校正值的例子。然而,第一实施方式并不限制于预先存储旋转校正值和伸缩校正值的方法。因此,在第二实施方式中,说明在进行直接搬送时计算旋转校正值和伸缩校正值的例子。第二实施方式设为与第一实施方式的基板处理系统100相同的结构,省略说明。
第二实施方式的基板处理系统100与第一实施方式同样地如图17所示那样登记位置调整量表。
接着,说明基板处理系统100中的基板S的搬送处理。图20是表示通过基板处理系统100进行了直接搬送的情况下的处理过程的流程图。
首先,本实施方式的基板处理系统100与图19的S1901~S1905同样地,从将基板S载置于加载互锁室5的缓冲部28起进行至在第一工艺腔室1a内使用腐蚀性气体对基板S进行处理(S2001~S2005)。
然后,旋转校正值计算部406和伸缩校正值计算部407计算旋转校正值和伸缩校正值(S2006)。关于旋转校正值和伸缩校正值的计算,设为进行与图18所示的处理过程相同的过程,省略说明。
搬送控制部403在从第一工艺腔室1a向第三工艺腔室1c直接搬送基板S时,通过计算出的旋转校正值和伸缩校正值来进行校正(S2007)。
上述的实施方式的基板处理系统100当在工艺腔室1间进行直接搬送时,使由于每个工艺腔室1的位置调整量的差而产生的偏移量减小。为了减小该偏移量,通过校正搬送机构23a的旋转方向上的旋转程度以及搬送机构23a的伸缩方向上的伸缩程度来减小偏移量。
在上述的实施方式中,在将基板S从一个工艺腔室1向另一个工艺腔室1进行搬送时,通过进行旋转方向和伸缩方向的校正,能够不经由加载互锁室5地进行基板S的位置调整。由此,能够实现基板处理系统100中的生产率的提高以及加载互锁室5的腐蚀的抑制。
在上述的实施方式的基板处理系统100中,即使在搬送机构23a中未在支承基板S的部位、例如叉部101的根部分的附近设置旋转机构的情况下,也能够通过进行上述的旋转方向和伸缩方向上的校正来减小载置基板S的位置的偏移量。
在上述的实施方式的基板处理系统100中,设为在用于校正旋转方向上的偏移量的模拟中使用用于确定旋转方向上的角度的二分法检索的例子。通过多次重复二分法检索,容易求出使偏移量减小的旋转校正值。
在上述的实施方式和变形例中说明了使用二分法检索方法来计算旋转校正值的例子。然而,只要是计算用于校正通过差分计算部405计算出的旋转方向上的偏移量的、搬送机构23a的旋转方向上的旋转校正量的方法即可,也可以使用二分法检索方法以外的任何方法。
在上述的实施方式的基板处理系统100中,对每个工艺腔室1的位置调整量的差分加上由于旋转与旋转校正值相应的量而进一步产生的伸缩方向上的校正值来计算伸缩校正值。伸缩校正值是考虑了旋转校正的情况得到的值,因此能够适当地减小偏移量。
在上述的实施方式的基板处理系统100中,通过进行上述的处理,能够减小在将基板从一个工艺腔室1载置于另一个工艺腔室1时的位置偏移。由此,在上述的实施方式的基板处理系统100中,至少能够抑制设置于基座2的电极部2a露出。
附图标记说明
100:基板处理系统;1a、1b、1c:工艺腔室;3:搬送室;5:加载互锁室;30:控制部;31:控制器;32:用户接口;33:存储部;401:阀控制部;402:定位器控制部;403:搬送控制部;404:对准获取部;405:差分计算部;406:旋转校正值计算部;407:伸缩校正值计算部。

Claims (8)

1.一种基板位置控制方法,是基板处理系统的基板位置控制方法,所述基板处理系统具有:搬送室,其具有搬送机构,该搬送机构通过控制旋转角度的旋转控制和控制伸缩距离的伸缩控制来进行基板的搬送;第一处理室,其与所述搬送室连接;第二处理室,其与所述搬送室连接;以及加载互锁室,其与所述搬送室连接,所述加载互锁室具有进行所述基板的位置调整的位置调整机构,所述基板位置控制方法包括以下工序:
第一计算工序,参照存储部来计算差分信息,所述存储部存储用于对从所述加载互锁室向所述第一处理室搬送的所述基板进行位置调整的第一位置调整信息和用于对从所述加载互锁室向所述第二处理室搬送的所述基板进行位置调整的第二位置调整信息,所述差分信息表示将基于所述第一位置调整信息被调整了位置的所述基板搬送至所述第二处理室的情况下的位置与将基于所述第二位置调整信息被调整了位置的所述基板搬送至所述第二处理室的情况下的位置之间的、旋转方向上的旋转方向偏移和伸缩方向上的伸缩方向偏移;
第二计算工序,计算用于校正所述差分信息所表示的所述旋转方向偏移的所述旋转角度的旋转校正值;以及
第三计算工序,计算伸缩校正值,该伸缩校正值用于校正所述差分信息所表示的所述伸缩方向偏移、以及由于根据所述旋转校正值在所述旋转方向上校正所述基板的位置而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移。
2.根据权利要求1所述的基板位置控制方法,其特征在于,
在所述第二计算工序中,在从所述第一处理室向所述第二处理室搬送所述基板的情况下,通过在所述旋转角度的可校正的数值范围中检索出使所述旋转方向的偏移减少的所述旋转角度的二分法检索,来计算所述旋转校正值。
3.根据权利要求2所述的基板位置控制方法,其特征在于,
在所述第二计算工序中,通过将以下的处理重复预先决定的次数来计算所述旋转校正值,该处理是:将所述可校正的数值范围设为检索范围,获取所述检索范围的最大值、所述检索范围的最小值、以及所述最大值与所述最小值之间的中央值,计算从所述中央值起在所述旋转方向上向所述最大值侧或所述最小值侧错开与预先决定出的探索值相应的量后的暂定值,根据在基于所述中央值使所述基板在所述旋转方向上错开了的情况下所述旋转方向偏移被校正的量与在基于所述暂定值使所述基板在所述旋转方向上错开了的情况下所述旋转方向偏移被校正的量之间的比较结果来缩小所述检索范围,并基于该缩小后的所述检索范围来更新所述最大值、所述最小值以及所述中央值。
4.根据权利要求2所述的基板位置控制方法,其特征在于,
在所述第二计算工序中,重复进行以下处理,该处理是:将所述可校正的数值范围设为检索范围,获取所述检索范围的最大值、所述检索范围的最小值、以及所述最大值与所述最小值之间的中央值,计算从所述中央值起在所述旋转方向上向所述最大值侧或所述最小值侧错开与预先决定出的探索值相应的量后的暂定值,根据在基于所述中央值使所述基板在所述旋转方向上错开了的情况下所述旋转方向偏移被校正的量与在基于所述暂定值使所述基板在所述旋转方向上错开了的情况下所述旋转方向偏移被校正的量之间的比较结果来缩小所述检索范围,并基于该缩小后的所述检索范围来更新所述最大值、所述最小值以及所述中央值,在所述第二计算工序中,当在重复进行以上处理时无论将所述检索范围向所述最大值侧和所述最小值侧中的哪一侧缩小,被校正的量都不再发生变化的情况下,将所述中央值和所述暂定值中的某一方计算为所述旋转校正值。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板位置控制方法,其特征在于,还包括以下工序:
位置调整工序,所述位置调整机构基于所述第一位置调整信息来调整所述基板的位置;
第一搬送工序,在进行了所述位置调整工序之后,所述搬送机构将所述基板搬送至所述第一处理室;以及
第二搬送工序,在所述搬送机构将所述基板从所述第一处理室向所述第二处理室搬送时,基于所述旋转校正值和所述伸缩校正值来校正所述基板的位置。
6.根据权利要求5所述的基板位置控制方法,其特征在于,
所述存储部所存储的所述第一位置调整信息和所述第二位置调整信息包括用于通过所述位置调整机构在三个点处调整所述基板的位置的信息,
在所述位置调整工序中,所述位置调整机构使用所述第一位置调整信息在三个点处进行位置的调整。
7.根据权利要求5或6所述的基板位置控制方法,其特征在于,
还包括处理工序,在通过所述第一搬送工序将所述基板搬送至所述第一处理室之后且通过所述第二搬送工序将所述基板从所述第一处理室向所述第二处理室搬送之前,在所述第一处理室内对所述基板实施规定的处理。
8.一种基板处理系统,具备:
搬送室,其具有搬送机构,该搬送机构通过控制旋转角度的旋转控制和控制伸缩距离的伸缩控制来进行基板的搬送;
第一处理室,其与所述搬送室连接;
第二处理室,其与所述搬送室连接;
加载互锁室,其与所述搬送室连接,所述加载互锁室具有用于进行所述基板的位置调整的位置调整机构;以及
控制部,
其中,所述控制部执行包括以下工序的处理:
第一计算工序,参照存储部来计算差分信息,所述存储部存储用于对从所述加载互锁室向所述第一处理室搬送的所述基板进行位置调整的第一位置调整信息和用于对从所述加载互锁室向所述第二处理室搬送的所述基板进行位置调整的第二位置调整信息,所述差分表示将基于所述第一位置调整信息被调整了位置的所述基板搬送至所述第二处理室的情况下的位置与将基于所述第二位置调整信息被调整了位置的所述基板搬送至所述第二处理室的情况下的位置之间的、旋转方向上的旋转方向偏移和伸缩方向上的伸缩方向偏移;
第二计算工序,在从所述第一处理室向所述第二处理室搬送所述基板的情况下,通过在所述旋转角度的可校正的数值范围中检索出使所述差分信息所表示的所述旋转方向偏移减少的所述旋转角度的二分法检索,来计算旋转校正值,该旋转校正值用于校正所述差分信息所表示的所述旋转方向偏移;以及
第三计算工序,计算伸缩校正值,该伸缩校正值用于校正所述差分信息所表示的伸缩方向偏移、以及由于根据所述旋转校正值在所述旋转方向上校正所述基板的位置而在伸缩方向上产生的、旋转校正所引起的偏移。
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