CN115020216A - 晶片封装体的制造方法 - Google Patents

晶片封装体的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115020216A
CN115020216A CN202210890658.9A CN202210890658A CN115020216A CN 115020216 A CN115020216 A CN 115020216A CN 202210890658 A CN202210890658 A CN 202210890658A CN 115020216 A CN115020216 A CN 115020216A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
carrier
light
functional layer
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210890658.9A
Other languages
English (en)
Inventor
林佳升
吴晖贤
陈建宏
刘沧宇
陈瑰玮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
XinTec Inc
Original Assignee
XinTec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by XinTec Inc filed Critical XinTec Inc
Publication of CN115020216A publication Critical patent/CN115020216A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02372—Disposition of the redistribution layers connecting to a via connection in the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02379—Fan-out arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05541—Structure
    • H01L2224/05548—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。

Description

晶片封装体的制造方法
(本申请是申请日为2019年10月30日、申请号为201911045389.0、发明名称为“晶片封装体的制造方法及晶片封装体”的申请的分案申请。)
技术领域
本发明有关于一种晶片封装体的制造方法，及一种晶片封装体。
背景技术
一般而言，用于感测光线的晶片封装体在制造时，可先将晶圆与功能层接合于载体上，接着对晶圆施以蚀刻制程，使晶圆可同时形成感测区的开口与用于后续切割制程的切割道。在后续制程中，可将开口中晶圆的绝缘层去除而裸露出功能层，接着执行沿切割道切割功能层与载体的步骤，以形成晶片封装体。
然而，由于切割功能层与载体时，感测区易受到损伤，例如污染，使产品良率难以提升。此外，晶圆因在蚀刻制程同时形成感测区的开口与切割道，因此晶圆朝向感测区开口的内壁面与朝向切割道的外壁面具有大致相同的倾斜角度。如此一来，上述的晶片封装体将无法应用在不同种类的光学感测器。
发明内容
本发明的一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。
根据本发明一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。
在本发明一实施方式中，上述晶片封装体的制造方法还包含：研磨晶圆背对透光功能层的表面。
在本发明一实施方式中，上述晶片封装体的制造方法还包含：形成支撑件于载体上或透光功能层上；以及接合载体与透光功能层，使得支撑件位于载体与透光功能层之间。
在本发明一实施方式中，上述沿切割道切割透光功能层与载体包含：以刀具切割透光功能层与载体的一部分，而形成凹槽；以及沿此凹槽以激光切割载体的另一部分。
在本发明一实施方式中，上述沿切割道切割透光功能层与载体包含：以第一激光切割透光功能层，而形成凹槽；以及沿凹槽以第二激光切割载体。
在本发明一实施方式中，上述沿切割道切割透光功能层与载体包含：以刀具切割透光功能层的一部分，而形成凹槽；以及沿此凹槽以激光切割该透光功能层的另一部分与载体。
在本发明一实施方式中，上述沿切割道切割透光功能层与载体是通过刀具切割或激光切割。
在本发明一实施方式中，上述晶片具有位于透光功能层上的第一绝缘层与第二绝缘层，第二绝缘层位于透光功能层与第一绝缘层之间，晶片封装体的制造方法还包含蚀刻开口中的第一绝缘层与蚀刻覆盖晶片的导电垫的第一绝缘层，使开口中的第二绝缘层裸露与导电垫裸露。
本发明的一技术态样为一种晶片封装体。
根据本发明一实施方式，一种晶片封装体包含晶片、载体与透光功能层。晶片具有导电垫、定义感测区的开口、围绕开口的内壁面与背对内壁面的外壁面。透光功能层位于晶片与载体之间。透光功能层的第一部分位于开口中。透光功能层的第二部分由晶片覆盖。透光功能层的第三部分从晶片的外壁面凸出，且导电垫位于第三部分上。晶片的外壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角。内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。
在本发明一实施方式中，上述第一夹角小于第二夹角。
在本发明一实施方式中，上述晶片具有围绕开口的第一绝缘层与第二绝缘层，第二绝缘层位于透光功能层上且从晶片的外壁面凸出，且导电垫位于第二绝缘层上。
在本发明一实施方式中，上述晶片封装体还包含支撑件。支撑件位于透光功能层与载体之间。
在本发明一实施方式中，上述支撑件与透光功能层的第二部分、第三部分重叠。
在本发明一实施方式中，上述载体从透光功能层的侧面凸出。
在本发明一实施方式中，上述透光功能层的侧面具有倾斜部，且倾斜部与从透光功能层的侧面凸出的载体之间夹钝角。
在本发明一实施方式中，上述载体与透光功能层共同具有弧面，此弧面邻接透光功能层的侧面与载体的侧面。
在本发明一实施方式中，上述透光功能层的侧面大致平行载体的侧面。
在本发明一实施方式中，上述透光功能层的侧面与载体的侧面共面。
在本发明上述实施方式中，由于先图案化晶圆以形成切割道，接着沿切割道切割透光功能层与载体，之后才图案化晶片以形成定义感测区的开口，因此可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，进而提升产品良率。此外，晶圆形成切割道的步骤与晶片形成开口的步骤非同时执行，因此晶片围绕开口的内壁面与背对内壁面的外壁面(即朝向切割道的外壁面)的倾斜角度可依设计者需求而定。如此一来，晶片封装体的制造方法与晶片封装体可应用在不同种类的光学感测器。
本发明的一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。
根据本发明一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包含：将封装结构的一侧贴附于第一胶带上，其中封装结构具有背对该侧的载体，且载体具有平面；以改质激光从载体的平面切割封装结构；将第二胶带贴附于载体的平面；移除第一胶带；以及扩展第二胶带，使封装结构分开成多个晶片封装体。
在本发明一实施方式中，上述封装结构还包含晶圆与位于晶圆与载体之间的支撑件，以改质激光从载体的平面切割封装结构还包含：以改质激光切割晶圆与支撑件。
在本发明一实施方式中，上述封装结构还包含晶圆与位于晶圆与该载体之间的透光功能层，以改质激光从载体的该平面切割封装结构还包含：以该改质激光切割透光功能层。
在本发明一实施方式中，上述以改质激光从载体的平面切割封装结构使载体的侧面形成内应力层与从内应力层上下延伸的裂痕，使透光功能层的侧面形成线痕迹。
附图说明
图1至图11绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法各步骤的剖面图。
图12绘示图11沿线段11-11的上视图。
图13绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的剖面图。
图14绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的剖面图。
图15至图18绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法各步骤的剖面图。
图19至图22绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法各步骤的剖面图。
图23绘示图22的载体的侧面的侧视图。
图24绘示图22的透光功能层的侧面的侧视图。
图25至图28绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法各步骤的剖面图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100、100a～100h：晶片封装体；102：切割道；104、104a、104b、104c：凹槽；106、106a、106b：间隙；110：晶片；110a：晶圆；111：表面；112a：第一绝缘层；112b：第二绝缘层；113：表面；114：导电垫；115：外壁面；118：内壁面；120、120a：透光功能层；121：倾斜部；122：侧面；123：第一部分；124：第二部分；125：第三部分；130：载体；132：侧面；140：支撑件；11-11：线段；200、200a、200b：封装结构；201：侧；202：导电结构；203：内应力层；204：裂痕；205：导电垫；206a、206b：绝缘层；207：重布线层；208：保护层；209：线痕迹；210、210a、210b：晶圆；230：载体；232：顶面；234：侧面；240：支撑件；L：改质激光；O：开口；S：弧面；T1：第一胶带；T2：第二胶带；θ：钝角；θ1：第一夹角；θ2：第二夹角。
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
图1至图11绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法各步骤的剖面图。参阅图1，晶圆110a与透光功能层120接合于载体130上，使得透光功能层120位于晶圆110a与载体130之间。待晶圆110a与透光功能层120接合于载体130后，可研磨晶圆110a背对透光功能层120的表面113。在本实施方式中，晶圆110a具有位于透光功能层120上的第一绝缘层112a与第二绝缘层112b，且具有位于第二绝缘层112b中的导电垫114。第一绝缘层112a与第二绝缘层112b可以为相同的材料。晶圆110a的材质可以为硅。透光功能层120的材质可以为聚合物(Polymer)，例如高分子材料。载体130的材质可以为玻璃。
参阅图2，接着，可图案化晶圆110a以形成切割道102，例如对晶圆110a施以蚀刻制程。第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、导电垫114与透光功能层120位于切割道102中。晶圆110a具有朝向切割道102的外壁面115，且外壁面115与晶圆110a朝向透光功能层120的表面111之间具有第一夹角θ1。
参阅图3与图4，接着，可沿切割道102切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、透光功能层120与载体130，以形成晶片封装体100。在本实施方式中，可先以刀具切割透光功能层120与载体130的一部分，而形成凹槽104。接着，沿此凹槽104以激光切割载体130的另一部分，也就是以激光切割凹槽104下方的载体130，而形成间隙106。经由以上步骤，载体130从透光功能层120的侧面122凸出。载体130与透光功能层120共同具有弧面S，此弧面S邻接切割后的透光功能层120的侧面132与载体130的侧面132。间隙106的宽度小于凹槽104的宽度。
此外，晶片封装体100包含晶片110及切割后的第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、透光功能层120与载体130。在本文中，晶片110是指晶圆110a切割后的一部分。
参阅图5，在另一实施方式中，可沿切割道102先以第一激光切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b与透光功能层120，而形成凹槽104a，接着沿凹槽104a以第二激光切割载体130，以形成晶片封装体100a。第一激光与第二激光可具有不同的参数，例如不同的功率，以形成宽度不同的凹槽104a与间隙106。间隙106的宽度小于凹槽104a的宽度。在本实施方式中，晶片封装体100a的透光功能层120的侧面122大致平行于载体130的侧面132。
参阅图6，在另一实施方式中，可在图1的步骤前先形成支撑件140于载体130上或透光功能层120上，接着才接合载体130与透光功能层120，使得支撑件140位于载体130与透光功能层120之间。与图5实施方式不同的地方在于，以第一激光沿切割道102切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、透光功能层120与支撑件140，而形成凹槽104b，接着沿凹槽104b以第二激光切割载体130，以形成晶片封装体100b。也就是说，凹槽104b进一步延伸至支撑件140。
参阅图7，在另一实施方式中，可沿切割道102用刀具切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b与透光功能层120的一部分，而形成凹槽104c。此时，透光功能层120仍有另一部分位于凹槽104c中的载体130上。接着，沿凹槽104c以激光切割前述透光功能层120的另一部分与载体130，而得到图7的晶片封装体100c。晶片封装体100c的透光功能层120的侧面122具有倾斜部121，且倾斜部121与从透光功能层120的侧面122凸出的载体130之间夹钝角θ。
参阅图8，在另一实施方式中，可沿切割道102以刀具切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、透光功能层120与载体130，形成间隙106a，而得到图8的晶片封装体100d。晶片封装体100d的透光功能层120的侧面122与载体130的侧面132共面，为连续的垂直面。
参阅图9，在另一实施方式中，可沿切割道102以激光切割第一绝缘层112a、第二绝缘层112b、透光功能层120与载体130，形成间隙106b，而得到图9的晶片封装体100e。晶片封装体100e的透光功能层120的侧面122与载体130的侧面132共面，为连续的垂直面。图9的间隙106b的宽度小于图8的间隙106a的宽度。
在以下叙述中，将以图4的晶片封装体100为例，作后续制程的说明。图5至图9的晶片封装体100a～100e后续的制程步骤与图4的晶片封装体100后续的制程步骤雷同，不重复赘述。
参阅图4与图10，待载体130的间隙106形成后，可图案化晶片110以形成定义感测区的开口O，例如对晶片110施以蚀刻制程。第一绝缘层112a、第二绝缘层112b与透光功能层120位于开口O中，第一绝缘层112a从开口O裸露。经由此步骤，晶片110具有围绕开口O的内壁面118，且内壁面118背对外壁面115。晶片110的内壁面118与表面111之间具有第二夹角θ2，且第一夹角θ1与第二夹角θ2可以是不同的。在本实施方式中，第一夹角θ1小于第二夹角θ2，但不以此为限。在其他实施方式中，第一夹角θ1可等于或大于第二夹角θ2，并不用以限制本发明。由于晶片110的第一夹角θ1与第二夹角θ2分别在两个图案化步骤(例如两个蚀刻步骤)产生的，因此设计者可依产品需求，改变制程参数来弹性调整第一夹角θ1与第二夹角θ2。
参阅图11与图12，其中图11为图12沿线段11-11的上视图。待晶片110的开口O形成后，可蚀刻开口O中的第一绝缘层112a与蚀刻覆盖导电垫114的第一绝缘层112a，使开口O中的第二绝缘层112b裸露与导电垫114裸露。接着，可进一步蚀刻开口O中的第二绝缘层112b，而得到图11的晶片封装体100。
图13绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体100的剖面图。晶片封装体100包含晶片110、载体130与透光功能层120。晶片110具有导电垫114、定义感测区的开口O、围绕开口O的内壁面118与背对内壁面118的外壁面115。透光功能层120位于晶片110与载体130之间。透光功能层120的第一部分123位于开口O中。透光功能层120的第二部分124由晶片110覆盖。透光功能层120的第三部分125从晶片110的外壁面115凸出，且导电垫114位于第三部分125上。晶片110的外壁面115与晶片110朝向透光功能层120的表面111之间具有第一夹角θ1。内壁面118与晶片110的表面111之间具有第二夹角θ2，且第一夹角θ1与第二夹角θ2可以是不同的。
晶片封装体100的透光功能层120可感测由导电垫114灌入的电压，可产生形变进而改变光路径。
此外，晶片110还具有围绕开口O的第一绝缘层112a与第二绝缘层112b，第二绝缘层112b位于透光功能层120上且从晶片110的外壁面115凸出。导电垫114位于第二绝缘层112b上而裸露，可经打线制程电性连接其他电子装置(例如电路板)。
综上所述，由于先图案化晶圆110a以形成切割道102，接着沿切割道102切割透光功能层120与载体130，之后才图案化晶片110以形成定义感测区的开口O，因此可避免晶片110的感测区在执行切割制程时受到损伤，进而提升产品良率。此外，晶圆110a形成切割道102的步骤与晶片110形成开口O的步骤非同时执行，因此晶片110围绕开口O的内壁面118与背对内壁面118的外壁面115(即朝向切割道102的外壁面115)的倾斜角度可依设计者需求而定。如此一来，晶片封装体100的制造方法与晶片封装体100可应用在不同种类的光学感测器。
图14绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体100b的剖面图。与图13实施方式不同的地方在于，晶片封装体100b还包含支撑件140。支撑件140位于透光功能层120与载体130之间。此外，支撑件140与透光功能层120的第二部分124、第三部分125重叠。晶片封装体100b的透光功能层120的侧面122大致平行于载体130的侧面132。图14的晶片封装体100b可从图6的晶片封装体100b经过图10形成开口O的步骤与图11蚀刻第一绝缘层112a与第二绝缘层112b的步骤而形成。
图15至图18绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体100f(见图18)的制造方法各步骤的剖面图。如图15所示，首先，将封装结构200的一侧201贴附于第一胶带T1上，其中封装结构200可具有背对此侧201的载体230，且载体230具有朝外的顶面232，顶面232为平面，以供后续改质激光(Modified laser)直接照射。
在本实施方式中，载体230的材质可以为玻璃，例如载体230可以为光学玻璃，但并不以此为限。封装结构200还包含位于此侧201的导电结构202、尚未切割的晶圆210、支撑件240、导电垫205、绝缘层206a、206b、重布线层207与保护层208。封装结构200为晶圆级封装(Wafer level package)，待切割为晶片封装体。封装结构200的下侧201(如导电结构202)黏于第一胶带T1上。此外，支撑件240位于晶圆210与载体230之间。
参阅图16，以改质激光L从载体230的顶面232切割封装结构200。改质激光L与一般激光不同的地方在于，并非使用破坏性的加工，而是利用加工物内应力释放的机制造成裂痕，所以会相较于传统切割有更少的污染以及提高可靠度。改质激光L对焦于待切割物的内部，并以水平方向扫描使待切割物产生内部裂痕，易于在后续制程受力分开。由于改质激光L可用来切割复合材料，因此除了可切割载体230外，还可进一步切割其下方的支撑件240与晶圆210。改质激光L是以烧结方式(Sintering)来达到切割的目的，并对焦待切割物的一深度范围，以在待切割物的内部形成裂痕。
如图23所示，以改质激光L切割载体230后，载体230的内部(即切割后的侧面234)可形成内应力层203及从内应力层203上下延伸的裂痕204。改质激光L的调整参数可依据激光波长与待切割物的种类、厚度决定。改质激光L可节省切割晶圆级封装的制程步骤，并减少被切除的材料体积，避免浪费。此外，改质激光L的优点还包含较少的热影响区(Heataffect zone；HAZ)、较少的碎片(Chipping)、较小的碎屑(Debris)、较少的污染(Contamination)、较高的切割速度、较少的划线(Scribe line)区域。其中，碎屑的尺寸可小于10μm。
参阅图16与图17，执行改质激光L的切割制程后，将第二胶带T2贴附于载体230的顶面232，接着翻转180度并移除贴附于导电结构202的第一胶带T1。
参阅图18，接着，可扩展第二胶带T2(例如对第二胶带T2以相反方向D1、D2的力拉紧)。由于晶圆210、支撑件240与载体230已被改质激光L烧结过，因此当扩展第二胶带T2时，可轻易将封装结构200分开成多个晶片封装体100f。
图19至图22绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体100g(见图22)的制造方法各步骤的剖面图。如图19所示，将封装结构200a的一侧201贴附于第一胶带T1上，其中封装结构200a具有背对此侧201的载体230，且载体230具有朝外的顶面232，顶面232为平面，以供后续改质激光(Modified laser)直接照射。
在本实施方式中，载体230的材质可以为玻璃，但并不以此为限。封装结构200a还包含尚未切割但具有开口O的晶圆210a与透光功能层120a。透光功能层120a的材质可以为聚合物(Polymer)，但并不以此为限。封装结构200a为晶圆级封装，待切割为晶片封装体。封装结构200a的下侧201(如晶圆210a)黏于第一胶带T1上。此外，透光功能层120a位于晶圆210a与载体230之间。图19的配置可避免朝向开口O的透光功能层120a与晶圆210a接触制程用水(例如冷却用水)，省略涂布防水层的成本。
参阅图20，以改质激光L从载体230的顶面232切割封装结构200a。改质激光L的特性与优点不再重复赘述。由于改质激光L可用来切割复合材料，因此除了可切割载体230外，还可进一步切割透光功能层120a。在本实施方式中，以改质激光L切割载体230后，载体230的内部(即切割后的侧面234)具有如图23所示的内应力层203及从内应力层203上下延伸的裂痕204，且透光功能层120a的内部(即切割后的侧面122)形成如图24中的线痕迹209。
参阅图20与图21，执行改质激光L的切割制程后，将第二胶带T2贴附于载体230的顶面232，接着翻转180度并移除贴附于晶圆210a的第一胶带T1。
参阅图22，接着，可扩展第二胶带T2(例如对第二胶带T2以相反方向D1、D2的力拉紧)。由于透光功能层120a与载体230已被改质激光L烧结过，因此当扩展第二胶带T2时，可轻易将封装结构200a分开成多个晶片封装体100g。
图25至图28绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体100h的制造方法各步骤的剖面图。如图25所示，首先，将封装结构200b的一侧201贴附于第一胶带T1上，其中封装结构200b可具有背对此侧201的载体230，且载体230具有朝外的顶面232，顶面232为平面，以供后续改质激光(Modified laser)直接照射。
在本实施方式中，载体230的材质可以为玻璃，例如载体230可以为光学玻璃，但并不以此为限。封装结构200b还包含位于此侧201的导电结构202、尚未切割的晶圆210b、导电垫205、绝缘层206c、重布线层207与保护层208。封装结构200b为晶圆级封装，待切割为晶片封装体。封装结构200b的下侧201(如导电结构202与保护层208)黏于第一胶带T1上。
参阅图26，以改质激光L从载体230的顶面232切割封装结构200b。改质激光L的特性与优点不再重复赘述。由于改质激光L可用来切割复合材料，因此除了可切割载体230外，还可进一步切割晶圆210b。在本实施方式中，以改质激光L切割载体230后，载体230的内部(即切割后的侧面234)具有如图23所示的内应力层203及从内应力层203上下延伸的裂痕204。
参阅图26与图27，执行改质激光L的切割制程后，将第二胶带T2贴附于载体230的顶面232，接着翻转180度并移除贴附于晶圆210b的第一胶带T1。
参阅图28，接着，可扩展第二胶带T2(例如对第二胶带T2以相反方向D1、D2的力拉紧)。由于载体230与晶圆210b已被改质激光L烧结过，因此当扩展第二胶带T2时，可轻易将封装结构200b分开成多个晶片封装体100h。
上述的改质激光L亦可应用于前述图1至图14提及的激光。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：
将封装结构的一侧贴附于第一胶带上，其中该封装结构具有背对该侧的载体，且该载体具有顶面，该顶面为平面；
以改质激光从该载体的该顶面切割该封装结构；
将第二胶带贴附于该载体的该顶面；
移除该第一胶带；以及
扩展该第二胶带，使该封装结构分开成多个晶片封装体。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该封装结构还包含晶圆与位于该晶圆与该载体之间的支撑件，以该改质激光从该载体的该顶面切割该封装结构还包含：
以该改质激光切割该晶圆与该支撑件。
3.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该封装结构还包含晶圆与位于该晶圆与该载体之间的透光功能层，以该改质激光从该载体的该顶面切割该封装结构还包含：
以该改质激光切割该透光功能层。
4.根据权利要求3所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，以该改质激光从该载体的该顶面切割该封装结构，使该载体的侧面形成内应力层与从该内应力层上下延伸的裂痕，使该透光功能层的侧面形成线痕迹。
5.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：
在将该第二胶带贴附于该载体的该顶面之后，翻转该封装结构180度。
6.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：
在移除该第一胶带之前，翻转该封装结构180度。
7.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，扩展该第二胶带包含：
以相反方向的力拉紧该第二胶带。
8.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该封装结构还包含具有开口的晶圆与位于该晶圆与位于该晶圆与该载体之间的透光功能层，以该改质激光从该载体的该顶面切割该封装结构还包含：
以该改质激光切割该开口上方的该载体与该透光功能层。
9.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，将该封装结构的该侧贴附于该第一胶带上使得该透光功能层的表面通过该开口面对该第一胶带。
10.根据权利要求9所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：
在将该第二胶带贴附于该载体的该顶面之后，翻转该封装结构180度，使得在移除该第一胶带后，该透光功能层的该表面从该开口露出。
CN202210890658.9A 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法 Pending CN115020216A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862754349P 2018-11-01 2018-11-01
US62/754,349 2018-11-01
US201962900949P 2019-09-16 2019-09-16
US62/900,949 2019-09-16
CN201911045389.0A CN111146083B (zh) 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法及晶片封装体

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911045389.0A Division CN111146083B (zh) 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法及晶片封装体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115020216A true CN115020216A (zh) 2022-09-06

Family

ID=70458921

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210890658.9A Pending CN115020216A (zh) 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法
CN201911045389.0A Active CN111146083B (zh) 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法及晶片封装体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911045389.0A Active CN111146083B (zh) 2018-11-01 2019-10-30 晶片封装体的制造方法及晶片封装体

Country Status (3)

Country Link
US (3) US11121031B2 (zh)
CN (2) CN115020216A (zh)
TW (1) TWI714328B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111916529B (zh) * 2020-07-17 2022-07-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池的切割方法及电池片

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822332B2 (en) * 2002-09-23 2004-11-23 International Business Machines Corporation Fine line circuitization
JP5356742B2 (ja) * 2008-07-10 2013-12-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体パッケージの製造方法
CN102307699B (zh) * 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
TWI541968B (zh) * 2010-05-11 2016-07-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體
US8952501B2 (en) * 2010-05-11 2015-02-10 Xintec, Inc. Chip package and method for forming the same
US8575758B2 (en) 2011-08-04 2013-11-05 Texas Instruments Incorporated Laser-assisted cleaving of a reconstituted wafer for stacked die assemblies
CN103890908B (zh) 2011-10-18 2016-08-24 富士电机株式会社 固相键合晶片的支承基板的剥离方法及半导体装置的制造方法
US10884551B2 (en) * 2013-05-16 2021-01-05 Analog Devices, Inc. Integrated gesture sensor module
US9640683B2 (en) * 2013-11-07 2017-05-02 Xintec Inc. Electrical contact structure with a redistribution layer connected to a stud
TWI540655B (zh) * 2013-11-07 2016-07-01 精材科技股份有限公司 半導體結構及其製造方法
TWI569427B (zh) * 2014-10-22 2017-02-01 精材科技股份有限公司 半導體封裝件及其製法
TWI591764B (zh) * 2015-01-12 2017-07-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
US9525094B2 (en) * 2015-03-27 2016-12-20 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Proximity and ranging sensor
US10020264B2 (en) * 2015-04-28 2018-07-10 Infineon Technologies Ag Integrated circuit substrate and method for manufacturing the same
US9633960B2 (en) * 2015-06-30 2017-04-25 Sunasic Technologies Inc. Chip with I/O pads on peripheries and method making the same
TWI585911B (zh) * 2015-08-12 2017-06-01 精材科技股份有限公司 一種感應器封裝體及其製造方法
WO2017024994A1 (zh) * 2015-08-13 2017-02-16 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装结构及封装方法
US10672937B2 (en) * 2015-09-02 2020-06-02 Pixart Imaging Inc. Optical sensor module and sensor chip thereof
US9847258B2 (en) 2015-09-30 2017-12-19 Nxp B.V. Plasma dicing with blade saw patterned underside mask
TWI628725B (zh) * 2015-11-23 2018-07-01 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
TWI595606B (zh) * 2015-11-23 2017-08-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
US9997473B2 (en) * 2016-01-19 2018-06-12 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same
TWM520196U (zh) * 2016-01-27 2016-04-11 精材科技股份有限公司 一種晶片尺寸等級的感測晶片封裝體
US10424540B2 (en) 2016-10-06 2019-09-24 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same
US10948734B2 (en) * 2016-10-28 2021-03-16 3M Innovative Properties Company Light control film with varied viewing angle
US11355659B2 (en) * 2019-11-27 2022-06-07 Xintec Inc. Chip package and manufacturing method thereof
TWI788907B (zh) * 2021-07-07 2023-01-01 隆達電子股份有限公司 檢測裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US11121031B2 (en) 2021-09-14
CN111146083B (zh) 2022-08-19
US20200144116A1 (en) 2020-05-07
TW202036658A (zh) 2020-10-01
CN111146083A (zh) 2020-05-12
US20210343591A1 (en) 2021-11-04
TWI714328B (zh) 2020-12-21
US11705368B2 (en) 2023-07-18
US11942563B1 (en) 2024-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5608521B2 (ja) 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置
JP3530158B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN1819159B (zh) 半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件
JP6061726B2 (ja) 半導体装置および半導体ウェハ
US20060220183A1 (en) Semiconductor wafer having multiple semiconductor elements and method for dicing the same
CN101930943B (zh) 半导体器件的制造方法
JP3795040B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN109545742B (zh) 半导体装置的制造方法及半导体装置
JP4342832B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH03204954A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102420195A (zh) 设有背面保护膜的半导体装置及其制造方法
JP2001035972A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US11942563B1 (en) Manufacturing method of chip package and chip package
TW200524066A (en) Process for packaging components, and packaged components
US20020086137A1 (en) Method of reducing wafer stress by laser ablation of streets
JPH09306872A (ja) 半導体装置
US11804446B2 (en) Semiconductor device
US11646392B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device
US20210210440A1 (en) Integrated circuit with metal stop ring outside the scribe seal
US11551973B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2001196332A (ja) レーザ光を用いた硬質非金属膜の切断方法
JP2009208136A (ja) 半導体チップの製造方法
US20230290684A1 (en) Structures and methods for dicing semiconductor devices
KR100681264B1 (ko) 전자소자 패키지 및 그의 제조 방법
CN118231222A (zh) 半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination