CN114855139A - 处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够提高处理性能的处理装置。等离子体生成部(18)通过基于等离子体放电的辐射热(H)(参考图2)进行加热，以去除真空腔室(10)内的水分。如此，通过使用等离子体生成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H)，能够去除真空腔室(10)内的水分。因此，通过降低真空腔室(10)内的真空的极限压力，能够达到高真空度。由此，当在真空腔室(10)内进行成膜处理的情况下，能够通过提高膜质来提高处理性能。

Description

处理装置

技术领域

本申请主张基于2021年2月4日申请的日本专利申请第2021-016577号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种处理装置。

背景技术

作为对对象物进行规定的处理的处理装置，如专利文献1中所示，已知一种使成膜材料的粒子附着而形成膜的成膜装置。该处理装置使用等离子枪在腔室内生成等离子体，在腔室内使成膜材料蒸发。成膜材料附着在基板，由此在该基板上形成膜。

专利文献1：日本特开2016-141856号公报

在此，如上所述，对于在腔室内生成等离子体而进行成膜的处理装置，要求提高对象物的膜的膜质。并且，对于进行负离子照射的处理的处理装置，也要求通过提高负离子的照射效率来提高膜质。综上所述，对于在腔室内生成等离子体而进行规定的处理的处理装置，要求提高成膜处理或负离子照射处理等的处理性能。

发明内容

因此，本发明的课题在于提供一种能够提高处理性能的处理装置。

本发明所涉及的处理装置为对对象物进行规定的处理的处理装置，并且具备：腔室，用于容纳对象物，并在内部进行处理；及等离子体生成部，在腔室内生成等离子体，等离子体生成部通过基于等离子体生成的辐射热进行加热，以去除腔室内的水分。

例如，当为了维护等而将腔室向大气开放的情况下，有时大气中的水分会吸附在腔室内。这样吸附的水分仅通过腔室的真空抽气无法被去除，有时会妨碍达到高真空度。相对于此，等离子体生成部通过基于等离子体生成的辐射热进行加热，以去除腔室内的水分。如此，通过使用等离子体生成部中的基于等离子体生成的辐射热，能够去除腔室内的水分。因此，通过降低腔室内的真空的极限压力，能够达到高真空度。由此，当在腔室内进行成膜处理、负离子照射等的规定的处理的情况下，能够通过提高膜质来提高处理性能。

等离子体生成部可以根据用于去除水分的专用的运行模式生成等离子体。如此，仅通过追加专用的运行模式，无需新增设加热装置就能够使用已有的等离子体生成部进行水分的去除。

处理装置还具备在进行处理时对腔室进行冷却的冷却机构，冷却机构可以在等离子体生成部进行加热时停止冷却。此时，由于腔室易于加热，因此即使不将等离子体生成的生成能量设得过高，也能够有效地去除腔室内的水分。

处理装置还具备在进行处理时对腔室进行冷却的冷却机构，腔室可以具有覆盖内壁面的保护板，冷却机构可以对保护板进行冷却。此时，保护板覆盖腔室的内壁面，由此能够抑制物质直接附着在内壁面。这种保护板在进行处理时容易变得高温，但通过冷却机构对该保护板进行冷却，能够抑制因高温引起的塑性变形、熔融。

等离子体生成部可以具有压力梯度型等离子枪。此时，基于等离子体生成的加热变得容易进行。

处理可以为使成膜材料的粒子附着在对象物而形成膜的成膜处理。通过等离子体生成部去除腔室内的水分，能够在高真空度下进行成膜处理，因此能够提高形成于对象物的膜的膜质。

处理装置还具备：阳极，将成膜材料保持在保持位置；及退避机构，使成膜材料从保持位置退避，等离子体生成部可以在通过退避机构使成膜材料从保持位置退避的状态下，在与阳极之间生成等离子体而进行加热。此时，在去除水分时，能够抑制成膜材料因等离子体而升华。由此，在去除水分时，无需将等离子体从阳极移至辅助阳极，因此能够省略辅助阳极。

处理装置还具备：阳极，将成膜材料保持在保持位置，等离子体生成部可以利用成膜材料不升华的生成能量，在与阳极之间生成等离子体而进行加热。此时，在去除水分时，能够抑制成膜材料因等离子体而升华。由此，在去除水分时，无需将等离子体从阳极移至辅助阳极，因此能够省略辅助阳极。

处理装置还具备：阳极，将成膜材料保持在保持位置；及辅助阳极，设置成围绕阳极，等离子体生成部可以在与辅助阳极之间生成等离子体而进行加热。此时，即使不在阳极退避成膜材料，也能够抑制在去除水分时成膜材料因等离子体而升华。

处理可以为将在腔室内所生成的负离子照射在对象物的负离子照射处理。通过等离子体生成部去除腔室内的水分，能够在高真空度下进行负离子照射处理，因此能够提高负离子照射的效率。其结果，能够提高被照射负离子的对象物的膜的膜质。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种能够提高处理性能的处理装置。

附图说明

图1是表示作为本发明的实施方式所涉及的处理装置的成膜装置的结构的示意剖视图。

图2是示意性表示主炉缸、环炉缸及等离子体的放大示意剖视图。

图3是记载变形例所涉及的成膜装置的放大示意剖视图。

图4是记载负离子照射装置的放大示意剖视图。

符号的说明

1-处理装置，6-环炉缸(辅助阳极)，7-等离子枪，10-真空腔室(腔室)，11-基板(对象物)，18-等离子体生成部，17-主炉缸(阳极)，30-冷却机构，35-保护板，Ma-成膜材料，Mb-粒子。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的一实施方式所涉及的处理装置进行说明。另外，在附图说明中对相同要件标注相同符号并省略重复说明。

首先，参考图1对本发明的实施方式所涉及的处理装置1的结构进行说明。图1是表示作为本实施方式所涉及的处理装置1的成膜装置100的结构的示意剖视图。处理装置1为对基板11(对象物)进行规定的处理的装置。在本实施方式中，规定的处理为使成膜材料Ma的粒子Mb附着在基板11而形成膜的成膜处理。即，处理装置1由成膜装置100构成。如图1所示，本实施方式的成膜装置100为在所谓的离子镀法中使用的离子镀装置。另外，为了方便说明，图1中示出XYZ坐标系。Y轴方向为输送基板11的方向。Z轴方向为基板11与后述的炉缸机构相对置的方向。X轴方向为与Y轴方向和Z轴方向正交的方向。

成膜装置100为以基板11的板厚方向成为大致铅垂方向的方式将基板11配置在真空腔室10内并进行输送的所谓卧式成膜装置。此时，X轴及Y轴方向为水平方向，Z轴方向成为铅垂方向且是板厚方向。另外，成膜装置100也可以为如下的所谓立式成膜装置：以基板11的板厚方向成为水平方向(图1及图2中为Z轴方向)的方式，在使基板11直立或从直立的状态倾斜的状态下，将基板11配置在真空腔室10内并进行输送。此时，Z轴方向为水平方向且是基板11的板厚方向，Y轴方向为水平方向，X轴方向成为铅垂方向。

成膜装置100通过向基板11供给成膜材料Ma的粒子Mb而在基板11的表面形成膜。成膜装置100具备：真空腔室10(腔室)、输送机构3、成膜机构14、冷却机构30、气体供给部40、电流供给部80及控制部90。

真空腔室10为用于容纳基板11并进行成膜处理的部件。真空腔室10具有：输送室10a，用于输送形成成膜材料Ma的膜的基板11；成膜室10b，使成膜材料Ma扩散；及等离子口10c，将从等离子枪7以束状照射的等离子体P接收到真空腔室10中。输送室10a、成膜室10b及等离子口10c彼此连接。输送室10a在规定的输送方向(图中的箭头A)上沿着Y轴设定。输送室10a具有在Z轴方向上相对置的长尺寸的壁部10d、10e和在X轴方向上相对置的壁部。并且，真空腔室10由导电性材料构成，与地电位连接。

成膜室10b中，作为壁部10W，具有：沿着输送方向(箭头A)的一对侧壁；沿着与输送方向(箭头A)相交的方向(Z轴方向)的一对侧壁10h、10i；及沿着X轴方向配置的底面壁10j。

输送机构3将在与成膜材料Ma相对置的状态下保持基板11的基板保持部件16，沿输送方向(箭头A)进行输送。例如，基板保持部件16为保持基板11的外周缘的框体。输送机构3由设置在输送室10a内的多个输送辊15构成。输送辊15沿输送方向(箭头A)等间隔地配置，在支承基板保持部件16的同时沿输送方向(箭头A)进行输送。另外，基板11例如使用玻璃基板、塑料基板等板状部件。

接着，对成膜机构14的结构进行详细说明。成膜机构14通过离子镀法使成膜材料Ma的粒子附着在基板11。成膜机构14具有等离子生成部18、转向线圈5、炉缸机构2及环炉缸6。

等离子体生成部18在真空腔室10内生成等离子体。等离子体生成部18例如具有压力梯度型等离子枪7。等离子枪7经由其主体部分设置于成膜室10b的侧壁的等离子口10c与成膜室10b连接。等离子枪7在真空腔室10内生成等离子体P。在等离子枪7中所生成的等离子体P以束状从等离子口10c向成膜室10b内射出。由此，在成膜室10b内生成等离子体P。

等离子枪7的一端被阴极60封闭。在阴极60与等离子口10c之间同心地配置有第1中间电极(栅极)61和第2中间电极(栅极)62。在第1中间电极61内内置有用于使等离子体P收束的环状永久磁铁61a。在第2中间电极62内也为了使等离子体P收束而内置有电磁线圈62a。

转向线圈5设置在安装有等离子枪的等离子口10c的周围。转向线圈5将等离子体P引导至成膜室10b内。转向线圈5由转向线圈用电源(未图示)励磁。

炉缸机构2保持成膜材料Ma。炉缸机构2设置在真空腔室10的成膜室10b内，从输送机构3观察时配置在Z轴方向的负方向上。炉缸机构2具有将从等离子枪7射出的等离子体P引导至成膜材料Ma的主阳极或从等离子枪7射出的等离子体P被引导到的主阳极即主炉缸17(阳极)。

主炉缸17具有：筒状的填充部17a，填充有成膜材料Ma且向Z轴方向的正方向延伸；及凸缘部17b，从填充部17a突出。主炉缸17相对于真空腔室10所具有的地电位被保持在正电位，因此主炉缸17成为放电时的阳极，吸引等离子体P。在该等离子体P所入射的主炉缸17的填充部17a中，形成有用于填充成膜材料Ma的贯穿孔17c。而且，成膜材料Ma的前端部分在该贯穿孔17c的一端部露出于成膜室10b。如此，主炉缸17通过向填充部17a填充成膜材料Ma，能够保持该成膜材料Ma。并且，贯穿孔17c的一端部成为用于保持成膜材料Ma的保持位置，以使成膜材料Ma升华。

关于成膜材料Ma，并无特别限定，能够根据所希望的膜而适当地选择，例如可例示出ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、ZnO等透明导电材料、金属材料、SiON等绝缘密封材料。当成膜材料Ma由绝缘性物质构成的情况下，若对主炉缸17照射等离子体P束，则主炉缸17被来自等离子体P束的电流加热，成膜材料Ma的前端部分蒸发，被等离子体P束离子化的粒子Mb向成膜室10b内扩散。并且，当成膜材料Ma由导电性物质构成的情况下，若对主炉缸17照射等离子体P束，则等离子体P束直接入射到成膜材料Ma，成膜材料Ma的前端部分被加热而蒸发，被等离子体P束离子化的粒子Mb向成膜室10b内扩散。向成膜室10b内扩散的粒子Mb向成膜室10b的Z轴正方向移动，并在输送室10a内附着在基板11的表面。另外，成膜材料Ma为成型为规定长度的圆柱形状的固体物质，且多个成膜材料Ma被一次性填充到炉缸机构2中。而且，根据成膜材料Ma的消耗，从炉缸机构2的Z轴负方向侧依次挤压成膜材料Ma，以使最前端侧的成膜材料Ma的前端部分与主炉缸17的上端保持规定的位置关系。

环炉缸6(辅助阳极)为具有用于诱导等离子体P的电磁铁的辅助阳极。环炉缸6设置成围绕主炉缸17。环炉缸6配置在保持成膜材料Ma的主炉缸17的填充部17a的周围。环炉缸6具有环状的线圈9、环状的永久磁铁部20及环状的容器12，线圈9及永久磁铁部20容纳于容器12。在本实施方式中，从输送机构3观察时沿Z轴负方向依次设置有线圈9及永久磁铁部20，但也可以沿Z轴负方向依次设置有永久磁铁部20及线圈9。环炉缸6根据流过线圈9的的电流的大小来控制入射到成膜材料Ma的等离子体P的方向、或者入射到主炉缸17的等离子体P的方向。另外，主炉缸17及环炉缸6的电位根据来自控制部90的控制信号进行控制。

冷却机构30为在进行成膜处理时，对真空腔室10进行冷却的机构。在本实施方式中，腔室10具有覆盖内壁面10k的保护板35。保护板35为通过使粒子Mb附着来防止粒子Mb附着在内壁面10k的板状部件。保护板35覆盖在Y轴方向上相对置的侧壁10h、10i和在X轴方向上相对置的侧壁。另外，覆盖侧壁10h的保护板35在与等离子枪7及气体供给口41对应的部位开口。

冷却机构30对保护板35进行冷却。冷却机构30具备冷却配管31、冷却板32。冷却板32设置于保护板35的背面侧(内壁面10k侧)。冷却板32具有与保护板35大致相同的形状。冷却配管31设置于冷却板32的背面侧(内壁面10k侧)。冷却配管31配置成遍布冷却板32的背面的整个面。冷却配管31为用于使冷却水等冷却介质流动的配管。冷却配管31能够通过基于冷却介质的热传导及热辐射对冷却板32进行冷却。由此，保护板35经由冷却板32被冷却配管31冷却。

气体供给部40向真空腔室10内供给载气及氧气。作为载气中所含有的物质，例如采用氩气、氦气等稀有气体。气体供给部40配置在真空腔室10的外部，通过设置在成膜室10b的侧壁(例如，侧壁10h)的气体供给口41向真空腔室10内供给原料气体。气体供给部40供给基于来自控制部90的控制信号的流量的载气及氧气。

电流供给部80向等离子枪7供给用于进行成膜材料的离子化的电流。电流供给部80向等离子枪7的阴极60供给电流。由此，等离子枪7以规定值的放电电流进行放电。电流供给部80供给基于来自控制部90的控制信号的电流值的电流。

控制部90为控制成膜装置100整体的装置，其由CPU、RAM、ROM及输入输出接口等构成。控制部90配置在真空腔室10的外部。控制部90在进行成膜处理时，通过用于进行该成膜处理的控制内容来控制成膜装置100。并且，控制部90在进行成膜装置100的维护时，通过用于进行该维护的控制内容来控制成膜装置100。在进行成膜处理时，控制部90根据成膜条件，控制成膜装置100。控制部90控制由气体供给部40供给的气体的流量及由电流供给部80供给的电流。并且，控制部90调整主炉缸17的电位，以在等离子枪7与主炉缸17之间进行放电的方式进行控制。此时，控制部90设定等离子枪的输出，以获得仅成膜材料Ma升华的放电能量(生成能量)。并且，控制部90在进行成膜处理时，进行基于冷却机构30的冷却。因此，能够抑制保护板35因成膜时的基于等离子体放电(等离子体生成)的放电能量的辐射热而塑性变形或熔融。

在进行维护时，将真空腔室10向大气开放。此时，大气中的水分吸附在保护板35。若真空腔室10被密封，则进行真空腔室10的真空抽气。此时，等离子枪7通过基于等离子体放电(等离子体生成)的辐射热进行加热，以去除真空腔室10内的水分。控制部90通过与进行成膜处理时不同的控制内容来进行控制。由此，等离子枪7基于用于去除水分的专用的运行模式来生成等离子体P。

图2是示意性表示主炉缸17、环炉缸6及等离子体P的放大图。如图2中所示，在进行水分去除的加热时，控制部90以等离子体P被引导至环炉缸6的方式进行控制。等离子枪7在与环炉缸6之间进行放电(等离子体生成)，从而进行用于水分去除的加热。此时，控制部90以等离子体P不被引导至主炉缸17的方式进行控制。由此，抑制成膜材料Ma升华。控制部90在进行水分去除的加热时，以停止对冷却配管31供给冷却介质的方式进行控制。由此，冷却机构30在等离子枪7进行加热时停止冷却。此时，控制部90设定等离子枪7的输出，以便即使在冷却机构30的冷却被停止的状态下，保护板35也不会由于基于等离子体放电的放电能量的辐射热而塑性变形或熔融。控制部90调整等离子枪7的输出，以成为适于水分去除的加热温度。

对本实施方式所涉及的处理装置1的作用·效果进行说明。

例如，当为了维护等而将真空腔室10向大气开放的情况下，有时大气中的水分会吸附在真空腔室10内(例如保护板35)。这样吸附的水分仅通过真空腔室10的真空抽气无法被去除，有时会妨碍达到高真空度。对此，等离子体生成部18通过基于等离子体放电的辐射热H(参考图2)进行加热，以去除真空腔室10内的水分。此时，吸附在保护板35的水分通过辐射热H蒸发，并通过真空抽气从真空腔室10内去除。如此，通过使用等离子体生成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H)，能够去除真空腔室(10)内的水分。因此，通过降低真空腔室(10)内的真空的极限压力，能够达到高真空度。由此，当在真空腔室(10)内进行成膜处理的情况下，能够通过提高膜质来提高处理性能。

等离子体生成部18可以基于用于去除水分的专用的运行模式来生成等离子体P。如此，仅通过追加专用的运行模式，无需新增设加热装置就能够使用已有的等离子体生成部18来进行水分的去除。

处理装置1还具备在进行处理时对真空腔室10进行冷却的冷却机构30，冷却机构30可以在等离子体生成部18进行加热时停止冷却。此时，由于真空腔室10易于加热，因此即使不将等离子体放电的放电能量设得过高，也能够有效地去除真空腔室10内的水分。

处理装置1还具备在进行处理时对真空腔室10进行冷却的冷却机构30，真空腔室10可以具有覆盖内壁面10k的保护板35，冷却机构30可以对保护板35进行冷却。此时，保护板35覆盖真空腔室10的内壁面10k，由此能够抑制粒子Mb等物质直接附着在内壁面10k。这种保护板35在进行处理时容易变得高温，但通过冷却机构30对该保护板35进行冷却，能够抑制因高温引起的塑性变形、熔融。

等离子体生成部18可以具有压力梯度型等离子枪7。此时，基于等离子体放电的加热变得容易进行。

处理可以为使成膜材料Ma的粒子Mb附着在基板11而形成膜的成膜处理。通过等离子体生成部18去除真空腔室10内的水分，能够在高真空度下进行成膜处理，因此能够提高形成于基板11的膜的膜质。

处理装置1还具备：主炉缸17，将成膜材料Ma保持在保持位置；及环炉缸6，设置成围绕主炉缸17，等离子体生成部18可以在与环炉缸6之间进行放电而进行加热。此时，即使在主炉缸17中不使成膜材料Ma退避，也能够抑制在去除水分时成膜材料Ma因等离子体P而升华。

本发明并不限定于上述实施方式。

在上述实施方式中，设置有环炉缸6，但如图3所示，该环炉缸6可以省略。此时，处理装置1可还具备：主炉缸17，将成膜材料Ma保持在填充部17a的前端的保持位置；及退避机构50，使成膜材料Ma从保持位置退避。此时，等离子体生成部18可以在通过退避机构50使成膜材料Ma从保持位置退避的状态下，在与主炉缸17之间进行放电而进行加热。退避机构50具备退避部51、操作部52、驱动部53。退避部51为在填充部17a的下侧将成膜材料Ma预先储存在退避位置的部分。填充部17a及退避部51具有彼此连通的贯穿孔17c。操作部52为操作贯穿孔17c内的成膜材料Ma的位置的部分。操作部52为以从下方操作成膜材料Ma的方式进行伸缩的销状的部件。驱动部53为赋予用于使操作部52伸缩的驱动力的部分。在去除水分时，退避机构50使成膜材料Ma预先退避到退避部51。在进行成膜处理时，退避机构50使成膜材料Ma移动到填充部17a的前端。

根据图3所示的结构，在去除水分时，成膜材料Ma从填充部17a的前端部退避，因此能够抑制成膜材料Ma因等离子体P而升华。由此，在去除水分时，无需将等离子体P从主炉缸17移至环炉缸6，因此能够省略环炉缸6。

并且，处理装置1还具备：主炉缸17，将成膜材料Ma保持在填充部17a的前端的保持位置，等离子体生成部18可以利用成膜材料Ma不升华的放电能量，在与主炉缸之间进行放电而进行用于去除水分的加热。此时，在去除水分时，能够抑制成膜材料Ma因等离子体而升华。由此，在去除水分时，无需将等离子体P从主炉缸17移至环炉缸6，因此能够省略环炉缸6及退避机构50。

并且，处理装置1并不限定于上述那样的成膜装置100。例如，如图4所示，作为处理装置1，可以采用负离子照射装置200。此时，作为处理，进行将在真空腔室10内所生成的负离子照射在基板11的负离子照射处理。如图4所示，负离子照射装置200具备等离子体生成部18、阳极201、基板配置部202。阳极201设置于与等离子体生成部18相对置的侧壁10i。等离子体生成部18在与阳极201之间进行等离子体放电。基板配置部202为配置进行成膜的基板11的部分。基板配置部202设置于底面壁10j。并且，相对于侧壁10h、10i设置有冷却机构30及保护板35。另外，保护板35也可以省略。此时，冷却机构30可以设置于真空腔室10的各壁部，对这些壁部进行冷却。

如上所述，在真空腔室10内，通过等离子体P而生成负离子，该负离子照射于基板11的膜。并且，等离子体生成部18通过在与阳极201之间进行等离子体放电，通过基于等离子体放电的辐射热进行加热，以去除真空腔室10内的水分。通过等离子体生成部18去除真空腔室10内的水分，能够在高真空度下进行负离子照射处理，因此能够提高负离子照射的效率。其结果，能够提高被照射负离子的基板11的膜的膜质。

另外，在上述的实施方式及变形例中，设置有保护板35，但也可以省略。并且冷却机构30也可以省略。并且，作为等离子体生成部18采用了压力梯度型等离子枪7，但只要是能够生成等离子体的机构，则并没有特别限定。

另外，使用了等离子体的成膜方法并不限定于上述的实施方式，例如，也可以采用ECR等离子体CVD、电感耦合型等离子体CVD、表面波等离子体CVD及螺旋波等离子体CVD等的等离子体CVD等成膜装置。

Claims (10)

1.一种处理装置，对对象物进行规定的处理，所述处理装置具备：

腔室，用于容纳所述对象物，并在内部进行所述处理；及

等离子体生成部，在所述腔室内生成等离子体，

所述等离子体生成部通过基于等离子体生成的辐射热进行加热，以去除所述腔室内的水分。

2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，

所述等离子体生成部根据用于去除水分的专用的运行模式生成等离子体。

3.根据权利要求1或2所述的处理装置，其中，

还具备在进行所述处理时对所述腔室进行冷却的冷却机构，

所述冷却机构在所述等离子体生成部进行所述加热时停止冷却。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理装置，其中，

还具备在进行所述处理时对所述腔室进行冷却的冷却机构，

所述腔室具有覆盖内壁面的保护板，

所述冷却机构对所述保护板进行冷却。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理装置，其中，

所述等离子体生成部具有压力梯度型等离子枪。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理装置，其中，

所述处理是使成膜材料的粒子附着在所述对象物而形成膜的成膜处理。

7.根据权利要求6所述的处理装置，其还具备：

阳极，将所述成膜材料保持在保持位置；及

退避机构，使所述成膜材料从所述保持位置退避，

所述等离子体生成部在通过所述退避机构使所述成膜材料从所述保持位置退避的状态下，在与所述阳极之间生成等离子体而进行所述加热。

8.根据权利要求6所述的处理装置，其还具备：

阳极，将所述成膜材料保持在保持位置，

所述等离子体生成部利用所述成膜材料不升华的生成能量，在与所述阳极之间生成等离子体而进行所述加热。

9.根据权利要求6所述的处理装置，其还具备：

阳极，将所述成膜材料保持在保持位置；及

辅助阳极，设置成围绕所述阳极，

所述等离子体生成部在与所述辅助阳极之间生成等离子体而进行所述加热。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的处理装置，其中，

所述处理是将在所述腔室内所生成的负离子照射在所述对象物的负离子照射处理。

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