JP4919082B2 - イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 - Google Patents
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Description
2 イオン源
3 処理室
4 待機室
5 基板
6 制御装置
20 真空容器
21 放電容器
21a 開口
21b 供給口
22 コイル
23 イオンガス供給装置
24 引出電極
25 スクリーングリッド
26 加速グリッド
27 減速グリッド
31 基板ホルダ
32 電子中和器
33 真空ポンプ
41 基板保持機構
42 ゲートバルブ
61 高周波電源
62 整合器
63、64 直流電源
65 パイポーラ電源
Claims (8)
- プラズマを発生させるイオン源と、
正の電圧を印加されることにより、前記イオン源において発生した前記プラズマからイオン粒子を引出す第1グリッドと、
負の電圧を印加されることにより、前記第1グリッドにより引出されたイオン粒子を加速させる第2グリッドと、
前記第2グリッドと被加工物との間に設けられ、前記第2グリッドにより加速されたイオン粒子を被加工物へと放出する第3グリッドと、
前記第3グリッドと前記被加工物との間に電子を放出可能な電子放出器と、
前記イオン源の前記プラズマ中の前記イオン粒子を引出さない状態において、前記第3グリッドに正の電圧を印加し、前記電子放出器に前記電子を放出させる制御装置と、を備えるイオンビーム処理装置。 - 前記制御装置は、前記第1グリッドに印加される電圧がイオン粒子を引出す電圧に達していないときに、前記第3グリッドに正の電圧を印加し、前記電子放出器に電子を放出させることを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム処理装置。
- 前記制御装置は、前記イオン粒子が前記第1グリッドにより引出される時には、前記第3グリッドに前記第2グリッドに印加される電圧よりも絶対値の小さな負の電圧を印加することを特徴とする請求項1又は2に記載のイオンビーム処理装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム処理装置において、
3枚の引出電極のうち最も被加工物側に位置する第3グリッドに正の電圧を印加し、電子放出器から放出される電子を衝突させることにより、前記第3グリッドを加熱する予備加熱工程と、
前記イオン源からイオンビームを引出す引出工程と、
前記イオン源から引出したイオンビームにより被加工物を加工する加工工程と、を備えることを特徴とするイオンビーム処理方法。 - 前記予備加熱工程において、前記イオン源にプラズマを発生させることにより、前記引出電極のうち最もイオン源側に位置する第1グリッドを加熱することを特徴とする請求項4に記載のイオンビーム処理方法。
- 前記引出工程において、前記第3グリッドに印加される電圧を負の電圧に切替えることを特徴とする請求項4又は5に記載のイオンビーム処理方法。
- 前記予備加熱工程において、前記第1グリッド及び前記第1グリッドと前記第3グリッドとの間に位置する第2グリッドには、イオン粒子を引出さない程度の電圧が印加されることを特徴とする請求項4乃至6のうちいずれかに記載のイオンビーム処理方法。
- 前記予備加熱工程において、前記第1グリッド及び前記第1グリッドと前記第3グリッドとの間に位置する第2グリッドは、接地されることを特徴とする請求項4乃至6のうちいずれかに記載のイオンビーム処理方法。
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