CN114830367A - 有机电场发光元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种效率高且实现低电压特性的有机EL元件。包括发光层，所述发光层包含(1)、(2)的化合物与掺杂剂。X为N或CR3且至少一个为N。R1为(1b)，R2为(1c)，R3为烷基等。Y为O、S、NR4、CR5R6，R4～R6为烷基等，R7～R14的一个与(1)的环键结。*为与(1)的环的键结位置，环C、环D为与邻接环缩合的芳香族环。R15、R16及R17与R3为相同含义(a、b为取代数)。R19与R4为相同含义，R20～R27为CR3、CR28或N，至少一个为CR28，R28为式(2b)。Z为O、S、NR37、CR38R39，R37～R39与R4为相同含义，R29～R36的一个与(2)的环键结，其他为CR3或N。
Figure DDA0003697202790000011

Description

有机电场发光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机电场发光元件(以下，称为有机EL元件)，详细而言涉及一种包含特定的混合主体材料的有机EL元件。
背景技术
通过对有机EL(电致发光，electroluminescence)元件施加电压，而分别自阳极将空穴注入至发光层，自阴极将电子注入至发光层。而且，在发光层中，所注入的空穴与电子再结合而生成激子。此时，根据电子自旋(electron spin)的统计法则，以1：3的比例生成单重态激子及三重态激子。关于使用由单重态激子产生的发光的荧光发光型有机EL元件，认为内部量子效率的极限为25％。另一方面，已知使用由三重态激子产生的发光的磷光发光型有机EL元件在自单重态激子有效率地进行系间跨越(intersystem crossing)的情况下，将内部量子效率提高至100％。
进而，最近正在开发利用延迟荧光的高效率的有机EL元件。例如在专利文献1中公开有一种有机EL元件，其利用了作为延迟荧光的机制之一的三重态-三重态融合(Triplet-Triplet Fusion，TTF)机制。TTF机制利用通过两个三重态激子的碰撞而生成单重态激子的现象，认为理论上将内部量子效率提高至40％。但是，与磷光发光型有机EL元件相比较，效率低，因此要求进一步的效率的改良、及低电压特性。
另外，在专利文献2中公开有一种有机EL元件，其利用了热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)机制。TADF机制是利用如下现象的机制：在单重态能级与三重态能级的能量差小的材料中，产生自三重态激子向单重态激子的逆系间跨越；认为理论上将内部量子效率提高至100％。
但是，在任一机制中，效率、寿命均有提高的余地，此外对于驱动电压的降低，也要求改善。
另一方面，在专利文献3、专利文献4中，关于对缩合杂环进行了取代的吲哚并咔唑化合物，公开有作为主体材料的用途。
在专利文献5、专利文献6中，公开有使用吲哚并咔唑化合物作为混合主体。
但是，任一者均不可谓充分，期望效率、电压的进一步的改良。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：WO2010/134350号
专利文献2：WO2011/070963号
专利文献3：WO2013/137001号
专利文献4：WO2013/122402号
专利文献5：WO2016/023608号
专利文献6：WO2018/198844号
发明内容
发明所要解决的问题
为了将有机EL元件应用于平板显示器(flat panel display)等显示元件中，需要在改善元件的发光效率的同时充分确保驱动时的稳定性。鉴于所述现状，本发明的目的在于提供一种效率高且实现低电压特性的实用上有用的有机EL元件。
本发明者等人进行了努力研究，结果发现，在发光层中使用了特定的混合主体材料的有机电场发光元件可解决所述课题，从而完成了本发明。
本发明为一种有机电场发光元件，其为在相向的阳极与阴极之间具有多个有机层的有机电场发光元件，并且有机层包含至少一个发光层，所述发光层包含通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物以及掺杂剂。
[化1]
Figure BDA0003697202770000021
此处，X表示N或CR3，X中的至少一个表示N。R1由下述式(1b)表示，R2由下述式(1c)表示。R3独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代。
[化2]
Figure BDA0003697202770000022
此处，Y表示O、S、NR4、CR5R6。R4～R6分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代。R7～R14中的任一个为与所述通式(1)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N，R3为如上所述，在R3存在多个的情况下可相同也可不同。
[化3]
Figure BDA0003697202770000031
此处，*表示与所述通式(1)的环键结的位置，环C表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(C1)所表示的芳香族环。环D表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(D1)所表示的五元环。R15、R16及R17分别独立地与R3为相同含义，各者在存在多个的情况下，可相同也可不同。a、b、c表示取代数，a、b分别独立地表示1～4的整数，c表示1～2的整数。R18与R4为相同含义。
[化4]
Figure BDA0003697202770000032
此处，R19与R4为相同含义。R20～R27分别独立地表示CR3、CR28或N，R3为如上所述，但至少一个由CR28表示，R28由下述式(2b)表示。在R3、R28分别存在多个的情况下，可相同也可不同。
[化5]
Figure BDA0003697202770000041
此处，Z表示O、S、NR37、CR38R39，R37～R39分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代。R29～R36中的任一个为与所述通式(2)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N。R3为如上所述，在R3存在多个的情况下可相同也可不同。
优选为式(1b)通过R7、或R8的任一者而与通式(1)的环连结。进而优选为通过R8而与通式(1)的环连结。
式(1b)中，Y优选为O、或S。
关于式(1c)，优选为由以下的式(11)～式(15)的任一者表示。
[化6]
Figure BDA0003697202770000051
此处，R15～R18与式(1c)的R15～R18为相同含义。
另外，关于通式(2)，优选为由以下的通式(21)～通式(29)的任一者表示。
[化7]
Figure BDA0003697202770000061
此处，R19与通式(2)为相同含义，R37及R38与式(2b)为相同含义。
关于通式(2)，更优选为由通式(21)～通式(23)的任一者表示。
通式(21)～通式(23)中，优选为R19、R37及R38为经取代或未经取代的碳数6～10的芳香族烃基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
以下示出本发明的有机电场发光元件的优选的形态。即，本发明所涉及的有机电场发光元件包括发光层，所述发光层在具有包含两种化合物的混合主体的同时具有掺杂剂。其中，作为混合主体，相对于通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物的合计，通式(1)所表示的化合物的比例优选为10wt％以上且小于70wt％，更优选为20wt％以上且小于60wt％。另外，更优选为发光性的掺杂剂为包含选自由钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金所组成的群组中的至少一种金属的有机金属络合物，或者为热活化延迟荧光发光掺杂剂。
另外，在制造所述有机电场发光元件时，适宜的是具有将通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物混合而制成预混合物后，蒸镀包含所述预混合物的主体材料而形成发光层的工序。
在所述有机电场发光元件的制造方法中，适合的是第一主体与第二主体的50％重量减少温度的差为20℃以内。
发明的效果
为了提高元件特性，需要有机层中使用的材料对电荷的耐久性高，特别是在发光层中，重要的是抑制激子及电荷向周边层的泄漏。在抑制所述电荷/激子的泄漏时，有效的是改善发光层中的发光区域的偏移，因此需要将向发光层的两电荷(电子/空穴)注入量或发光层中的两电荷传输量控制为优选的范围。
此处，本发明中所使用的通式(1)所表示的化合物具有在含氮六元环上键结有两种以上的不同的缩合芳香族基的结构。由此，电荷的传输性、及对电荷的耐久性提高，可制作为低电压且稳定地驱动的有机EL元件。另一方面，通式(2)所表示的咔唑化合物中，特别是空穴注入传输能力高，通过改变咔唑环的键结样式或对所述骨架的取代基的种类、数量，可以高水平控制空穴注入传输性。因此，通过组合通式(1)所表示的化合物，可将向有机层的两电荷注入量调整为优选的范围，可改善发光层中的发光区域的偏移。特别是，在延迟荧光发光EL元件或磷光发光EL元件的情况下，由于具有对于封入发光层中生成的激发能量而言充分高的最低激发三重态能量，因此不会自发光层内流出能量，可制作为低电压且效率高、寿命长的有机EL元件。
附图说明
图1是表示有机EL元件的一例的示意剖面图。
具体实施方式
本发明的有机EL元件具有在基板上层叠有阳极、有机层及阴极的结构，且在所述有机层的至少一层包括使用规定的有机电场发光元件用材料形成的发光层。即，所述有机EL元件在相向的阳极与阴极之间具有包含多层的有机层，但多层的至少一层为发光层，发光层也可为多个。而且，发光层的至少一个为包含含有通式(1)所表示的化合物(以下，称为第一主体)、通式(2)所表示的化合物(以下，称为第二主体)、以及发光性的掺杂剂的蒸镀层的发光层。
即，所述发光层中所含的第一主体选自通式(1)所表示的化合物中，第二主体选自通式(2)所表示的化合物中。
其中，通式(1)中，X表示N或CR3，X中的至少一个表示N。X中的至少一个表示N，优选为X中的两个以上为N，更优选为X全部为N。另外，R1由式(1b)表示，R2由式(1c)表示。
通式(1)中，R3独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代，优选为经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，更优选为经取代或未经取代的碳数6～18的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～12的芳香族杂环基、或者这些的芳香族烃基及芳香族杂环基的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
再者，在本说明书中，连结芳香族基是指芳香族烃基和/或芳香族杂环基的芳香族环通过单键进行连结而成的基。具体而言，表示经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基的芳香族环的2个～5个连结、或者经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基的芳香族环的2个～5个连结、或者这些芳香族烃基的芳香族环与芳香族杂环基的芳香族环的2个～5个连结而成的基。这些可以直链状连结，也可以分支状连结，芳香族环可相同，也可不同。
式(1b)中，Y表示O、S、NR4、CR5R6。Y优选为O、S、或NR4，更优选为O或S。
R4～R6分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代，优选为经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，更优选为经取代或未经取代的碳数6～18的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～12的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
R7～R14中的任一个为与通式(1)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N，R3为如上所述，在R3存在多个的情况下可相同也可不同。R7～R14中，优选为N为两个以下，更优选为N为0或1。
式(1b)中，优选为通过R7、或R8的任一者而与通式(1)的环连结，更优选为R8与通式(1)的环连结。
式(1c)中，*表示与通式(1)键结的位置，环C表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(C1)所表示的芳香族环。环D表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(D1)所表示的五元环。
R15、R16及R17分别独立地与R3为相同含义，于在式(1c)中R15、R16及R17分别存在多个的情况下，各者可相同也可不同。
式(D1)中，R18与R4为相同含义。
式(1c)中的a及b与式(C1)中的c均表示取代数，a、b分别独立地表示1～4的整数，c表示1～2的整数。优选为a、b为1～2的整数，c为1。
第二主体由所述通式(2)表示。
通式(2)中，R19与R3为相同含义。
另外，通式(2)中，R20～R27分别独立地表示CR3、CR28或N，R3为如上所述，但至少一个由CR28表示。R20～R27中，优选为N为两个以下，更优选为N为0或1。
其中，R28由式(2b)表示。在R、R28分别存在多个的情况下，可相同也可不同。
式(2b)中，Z表示O、S、NR37、CR38R39，R37～R39分别独立地与R4为相同含义。R29～R36中的任一个为与通式(2)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N。R29～R36中，优选为N为两个以下，更优选为N为0或1。再者，R3为如上所述，在R3存在多个的情况下可相同也可不同。
式(21)～式(23)中，R19、及R37分别独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代，优选为经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，更优选为经取代或未经取代的碳数6～10的芳香族烃基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
式(21)～式(29)优选为具有至少一个p-BiPh(联苯)基，更具体而言，优选为在式(21)～式(29)中的R19、R37及R38的任一者中具有p-BiPh基。
式(21)～式(23)中，R38分别独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，优选为氢、重氢、碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，更优选为氢、重氢、经取代或未经取代的碳数6～10的芳香族烃基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
作为R19、R37及R38为碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基时的具体例，可列举：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、环戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等烷基，苯基甲基、苯基乙基、苯基二十烷基、萘基甲基、蒽基甲基、菲基甲基、芘基甲基等芳烷基，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、癸烯基、二十烯基等烯基，乙炔基、炔丙基、丁炔基、戊炔基、癸炔基、二十炔基等炔基，二甲基氨基、乙基甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二戊炔基氨基、二癸基氨基、二-二十烷基氨基等二烷基氨基，二苯基氨基、萘基苯基氨基、二萘基氨基、二蒽基氨基、二菲基氨基、二芘基氨基等二芳基氨基，二苯基甲基氨基、二苯基乙基氨基、苯基甲基苯基乙基氨基、二萘基甲基氨基、二蒽基甲基氨基、二菲基甲基氨基等二芳烷基氨基，乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基、苯甲酰基等酰基，乙酰基氧基、丙酰基氧基、丁酰基氧基、戊酰基氧基、苯甲酰基氧基等酰基氧基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基等烷氧基羰基，甲氧基羰基氧基、乙氧基羰基氧基、丙氧基羰基氧基、丁氧基羰基氧基、戊氧基羰基氧基等烷氧基羰基氧基，甲基磺酰基、乙基磺酰基、丙基磺酰基、丁基磺酰基、戊基磺酰基等烷基磺酸氧基，氰基，硝基，氟基，甲苯磺酰基等。优选为可列举碳数1～12的烷基、碳数7～20的芳烷基、碳数1～10的烷氧基、具有两个碳数6～15的芳香族烃基的二芳基氨基、氰基、氟基、或甲苯磺酰基。
作为R19、R37及R38为芳香族烃基、或芳香族杂环基时的具体例，可列举：自苯、萘、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、异噻唑、噻唑、哒嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、异恶唑、恶唑、恶二唑、喹啉、异喹啉、喹恶啉、喹唑啉、苯并三嗪、酞嗪、四唑、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并恶唑、苯并噻唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并异噻唑、苯并噻二唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒酚、或者咔唑中取出一个H而生成的芳香族基。优选为可列举：由苯、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、异噻唑、噻唑、哒嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、异恶唑、恶唑、恶二唑、喹啉、异喹啉、喹恶啉、喹唑啉、苯并三嗪、酞嗪、四唑、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并恶唑、苯并噻唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并异噻唑、或苯并噻二唑生成的芳香族基。更优选为可列举：由苯、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、异噻唑、噻唑、哒嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、异恶唑、恶唑、或恶二唑生成的芳香族基。
以下示出通式(1)所表示的化合物的具体例，但并不限定于此。
[化8]
Figure BDA0003697202770000111
[化9]
Figure BDA0003697202770000121
[化10]
Figure BDA0003697202770000131
[化11]
Figure BDA0003697202770000141
[化12]
Figure BDA0003697202770000151
[化13]
Figure BDA0003697202770000161
[化14]
Figure BDA0003697202770000171
[化15]
Figure BDA0003697202770000181
[化16]
Figure BDA0003697202770000191
[化17]
Figure BDA0003697202770000201
[化18]
Figure BDA0003697202770000211
[化19]
Figure BDA0003697202770000221
[化20]
Figure BDA0003697202770000231
以下示出通式(2)所表示的化合物的具体例，但并不限定于此。
[化21]
Figure BDA0003697202770000241
[化22]
Figure BDA0003697202770000251
[化23]
Figure BDA0003697202770000261
本发明的有机电场发光元件的发光层包含通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物以及掺杂剂，也可包含脂肪族有机化合物、芳香族烃化合物、芳香族杂环化合物、有机金属络合物等作为其他成分。在包含其他成分的情况下，其他化合物在发光层中所占的合计比例优选为小于30wt％，更优选为小于10wt％。
相对于通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物的合计，通式(1)所表示的化合物的比例优选为10wt％以上且小于70wt％，更优选为20wt％以上且小于60wt％。
关于发光性的掺杂剂，优选为包含选自由钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金所组成的群组中的至少一种金属的有机金属络合物，或者为热活化延迟荧光发光性的掺杂剂材料。
关于本发明的有机电场发光元件的发光层，可自蒸镀源进行蒸镀来形成，也可溶解或分散于溶剂中并利用旋涂法、棒涂法、喷雾法、喷墨法、印刷法等形成。
在利用蒸镀法形成本发明的有机电场发光元件的发光层的情况下，也可自各自不同的蒸镀源进行蒸镀来使用，优选为在蒸镀前进行预混合而制成预混合物，并自一个蒸镀源同时蒸镀所述预混合物来形成发光层。所述情况下，也可在预混合物中，混合形成发光层所需的发光性掺杂剂材料或视需要使用的其他主体，但于在成为所期望的蒸气压的温度下存在大的差异的情况下，也可自其他蒸镀源进行蒸镀。
在利用印刷法形成本发明的有机电场发光元件的发光层的情况下，可通过将通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物以及掺杂剂溶解或分散于溶媒中并制成发光层油墨，而利用所述印刷法进行制膜。
接下来，参照附图对本发明的有机EL元件的结构进行说明，但本发明的有机EL元件的结构并不限定于此。
图1是表示本发明中所使用的通常的有机EL元件的结构例的剖面图，1表示基板，2表示阳极，3表示空穴注入层，4表示空穴传输层，5表示发光层，6表示电子传输层，7表示阴极。本发明的有机EL元件可与发光层邻接而具有激子阻挡层，另外也可在发光层与空穴注入层之间具有电子阻挡层。激子阻挡层可插入至发光层的阳极侧、阴极侧的任一侧，也可同时插入至两侧。在本发明的有机EL元件中，具有阳极、发光层以及阴极作为必需的层，但除了具有必需的层以外，也可具有空穴注入传输层、电子注入传输层，进而也可在发光层与电子注入传输层之间具有空穴阻挡层。再者，空穴注入传输层是指空穴注入层与空穴传输层的任一者或两者，电子注入传输层是指电子注入层与电子传输层的任一者或两者。
也可为与图1相反的结构，即在基板1上依序层叠阴极7、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4、阳极2，在所述情况下，也可视需要对层进行追加、省略。
-基板-
本发明的有机EL元件优选为支撑于基板上。所述基板并无特别限制，只要为自之前便用于有机EL元件的基板即可，例如可使用包含玻璃、透明塑料、石英等的基板。
-阳极-
作为有机EL元件中的阳极材料，可优选地使用包含功函数(work function)大(4eV以上)的金属、合金、电传导性化合物或这些的混合物的材料。作为此种电极材料的具体例，可列举：Au等金属；CuI、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、SnO2、ZnO等导电性透明材料。另外，也可使用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶质、且可制成透明导电膜的材料。阳极可利用蒸镀或溅射等方法，使这些电极材料形成薄膜，并利用光刻法形成所期望的形状的图案，或者在并不很需要图案精度的情况下(100μm以上左右)，也可在所述电极材料的蒸镀或溅射时，介隔所期望的形状的掩模来形成图案。或者在使用有机导电性化合物那样的能够涂布的物质的情况下，也可使用印刷方式、涂布方式等湿式成膜法。在自所述阳极取出发光的情况下，理想的是使透过率大于10％，另外，作为阳极的片电阻优选为数百Ω/Υ以下。膜厚也取决于材料，通常以10nm～1000nm、优选为10nm～200nm的范围来选择。
-阴极-
另一方面，作为阴极材料，可使用包含功函数小(4eV以下)的金属(电子注入性金属)、合金、电传导性化合物或这些的混合物的材料。作为此种电极材料的具体例，可列举：钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、铟、锂/铝混合物、稀土金属等。这些中，就电子注入性及对氧化等的耐久性的方面而言，适宜的是电子注入性金属与作为功函数的值比其大且稳定的金属的第二金属的混合物，例如镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝混合物、锂/铝混合物、铝等。阴极可通过如下方式而制作：利用蒸镀或溅射等方法使这些阴极材料形成薄膜。另外，作为阴极，片电阻优选为数百Ω/Υ以下，膜厚通常以10nm～5μm、优选为50nm～200nm的范围选择。再者，为了使所发出的光透过，若有机EL元件的阳极或阴极的任一者为透明或半透明，则发光亮度提高，从而合适。
另外，在阴极上以1nm～20nm的膜厚形成所述金属后，在其上形成在阳极的说明中所列举的导电性透明材料，由此可制作透明或半透明的阴极，通过应用所述方法，可制作阳极与阴极两者具有透过性的元件。
-发光层-
发光层为在通过分别自阳极及阴极所注入的空穴及电子进行再结合而生成激子后，进行发光的层，且发光层包含通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物以及发光性掺杂剂材料。
通式(1)所表示的化合物及通式(2)所表示的化合物可适宜地用作发光层的主体材料。通式(1)所表示的化合物可使用一种，也可使用两种以上。同样地，通式(2)所表示的化合物可使用一种，也可使用两种以上。
视需要，也可并用一种或多种已知的主体材料，其使用量相对于将通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物加以合计的主体材料的合计，可设为50wt％以下、优选为25wt％以下。
在将通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物预先混合来使用的情况下，为了再现性良好地制作具有良好的特性的有机EL元件，理想的是各化合物的50％重量减少温度(T50)的差小。50％重量减少温度是指在氮气流减压(1Pa)下的热重-差热分析(Thermogravimetry-Differential Thermal Analysis，TG-DTA)测定中，自室温以每分钟10℃的速度升温至550℃时，重量减少50％时的温度。认为在所述温度附近，蒸发或升华所引起的气化最激烈地产生。
通式(1)所表示的化合物与通式(2)所表示的化合物优选为所述50％重量减少温度的差为30℃以内，更优选为20℃以内。作为预混合方法，可采用粉碎混合等已知的方法，理想的是尽可能地均匀地混合。再者，50％重量减少温度的差是指绝对值。
在使用多种主体的情况下，可自不同的蒸镀源蒸镀各主体，也可在蒸镀前进行预混合而制成预混合物，由此自一个蒸镀源同时蒸镀多种主体。
作为预混合的方法，理想的是可尽可能地均匀地混合的方法，可列举粉碎混合、或者在减压下或氮气那样的惰性气体环境下进行加热熔融的方法、或升华等，但并不限定于这些方法。
在使用磷光发光掺杂剂作为发光性掺杂剂材料的情况下，作为磷光发光掺杂剂，可含有包含选自钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金中的至少一种金属的有机金属络合物。具体而言，可适宜地使用《美国化学会志(J.Am.Chem.Soc.)》(2001，123，4304)或日本专利特表2013-53051号公报中所记载的铱络合物，但并不限定于这些。
磷光发光掺杂剂材料可在发光层中含有仅一种，也可含有两种以上。磷光发光掺杂剂材料的含量相对于主体材料而优选为0.1wt％～30wt％，更优选为1wt％～20wt％。
磷光发光掺杂剂材料并无特别限定，具体而言，可列举以下那样的例子。
[化24]
Figure BDA0003697202770000291
[化25]
Figure BDA0003697202770000301
在使用荧光发光掺杂剂作为发光性掺杂剂材料的情况下，作为荧光发光掺杂剂，并无特别限定，例如可列举：苯并恶唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯基衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、香豆素衍生物、缩合芳香族化合物、紫环酮(perinone)衍生物、恶二唑衍生物、恶嗪衍生物、醛连氮(aldazine)衍生物、吡咯烷衍生物、环戊二烯衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、芳香族二次甲基化合物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或吡咯亚甲基衍生物的金属络合物、稀土络合物、过渡金属络合物所代表的各种金属络合物等，聚噻吩、聚苯、聚苯亚乙烯等聚合物化合物，有机硅烷衍生物等。优选为可列举缩合芳香族衍生物、苯乙烯基衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、恶嗪衍生物、吡咯亚甲基金属络合物、过渡金属络合物、或镧系元素络合物，更优选为可列举萘、芘、1,2-苯并菲、三亚苯、苯并[c]菲、苯并[a]蒽、并五苯、苝、荧蒽、苊并荧蒽、二苯并[a,j]蒽、二苯并[a,h]蒽、苯并[a]萘、并六苯、萘并[2,1-f]异喹啉、α-萘菲啶(α-naphthaphenanthridine)、菲并恶唑、喹啉并[6,5-f]喹啉、苯并萘并[2,3-b]噻吩等。这些也可具有烷基、芳基、芳香族杂环基、或二芳基氨基作为取代基。
荧光发光掺杂剂材料可在发光层中含有仅一种，也可含有两种以上。荧光发光掺杂剂材料的含量相对于主体材料而优选为0.1％～20％，更优选为1％～10％。
在使用热活化延迟荧光发光掺杂剂作为发光性掺杂剂材料的情况下，作为热活化延迟荧光发光掺杂剂，并无特别限定，可列举：锡络合物或铜络合物等金属络合物、或者WO2011/070963号公报中记载的吲哚并咔唑衍生物、《自然(Nature)》(2012，492，234)中记载的氰基苯衍生物、咔唑衍生物、《自然光子(Nature Photonics)》(2014，8，326)中记载的吩嗪衍生物、恶二唑衍生物、三唑衍生物、砜衍生物、吩恶嗪衍生物、吖啶衍生物等。
热活化延迟荧光发光掺杂剂材料并无特别限定，具体而言，可列举以下那样的例子。
[化26]
Figure BDA0003697202770000311
[化27]
Figure BDA0003697202770000321
热活化延迟荧光发光掺杂剂材料可在发光层中含有仅一种，也可含有两种以上。另外，热活化延迟荧光发光掺杂剂可与磷光发光掺杂剂或荧光发光掺杂剂混合使用。热活化延迟荧光发光掺杂剂材料的含量相对于主体材料而优选为0.1％～50％，更优选为1％～30％。
-注入层-
所谓注入层，是为了降低驱动电压或提高发光亮度而设置于电极与有机层间的层，有空穴注入层与电子注入层，可存在于阳极与发光层或空穴传输层之间、及阴极与发光层或电子传输层之间。注入层可视需要而设置。
-空穴阻挡层-
所谓空穴阻挡层，广义而言，具有电子传输层的功能，包含具有传输电子的功能且传输空穴的能力明显小的空穴阻挡材料，可通过传输电子且阻挡空穴来提高发光层中的电子与空穴的再结合概率。
在空穴阻挡层中可使用已知的空穴阻挡层材料，优选为含有通式(1)所表示的化合物。
-电子阻挡层-
所谓电子阻挡层，广义而言，具有空穴传输层的功能，可通过传输空穴且阻挡电子而提高发光层中的电子与空穴再结合的概率。
作为电子阻挡层的材料，可使用已知的电子阻挡层材料，另外可视需要使用后述的空穴传输层的材料。电子阻挡层的膜厚优选为3nm～100nm，更优选为5nm～30nm。
-激子阻挡层-
所谓激子阻挡层，为用于阻挡因在发光层内空穴与电子再结合而生成的激子扩散至电荷传输层的层，通过插入本层而可将激子有效率地封入发光层内，可使元件的发光效率提高。激子阻挡层可在两个以上的发光层邻接的元件中，插入至邻接的两个发光层之间。
作为激子阻挡层的材料，可使用已知的激子阻挡层材料。例如，可列举1,3-二咔唑基苯(mCP)、或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚铝(III)(BAlq)。
-空穴传输层-
所谓空穴传输层，包含具有传输空穴的功能的空穴传输材料，空穴传输层可设置单层或多层。
作为空穴传输材料，为具有空穴的注入或传输、电子的障壁性的任一者的材料，可为有机物、无机物的任一者。在空穴传输层中，可自以前已知的化合物中选择任意者而使用。作为所述空穴传输材料，例如可列举：卟啉衍生物、芳基胺衍生物、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙(hydrazone)衍生物、二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺系共聚物、以及导电性高分子寡聚物、特别是噻吩寡聚物等，优选为使用卟啉衍生物、芳基胺衍生物及苯乙烯基胺衍生物，更优选为使用芳基胺化合物。
-电子传输层-
所谓电子传输层，包含具有传输电子的功能的材料，电子传输层可设置单层或多层。
作为电子传输材料(有时也兼作空穴阻挡材料)，只要具有将自阴极所注入的电子传达至发光层的功能即可。电子传输层可自以前已知的化合物中选择任意者而使用，例如可列举：萘、蒽、菲咯啉等多环芳香族衍生物、三(8-羟基喹啉)铝(III)衍生物、氧化膦衍生物、硝基取代芴衍生物、二苯基醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、碳二酰亚胺、甲烷衍生物、二甲烷及蒽酮衍生物、联吡啶衍生物、喹啉衍生物、恶二唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物等。进而，也可使用将这些材料导入至高分子链或将这些材料作为高分子的主链的高分子材料。
实施例
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例，只要不超出其主旨，则能够以各种形态来实施。
以下，将实施例及比较例中使用的化合物示于以下。
[化28]
Figure BDA0003697202770000341
在表1中记述化合物(1)-1、化合物(1)-3等的50％重量减少温度(T50)。此处，50％重量减少温度是在氮气流减压(1Pa)下的TG-DTA测定中，自室温以每分钟10℃的速度升温至550℃时，求出重量减少了50％时的温度。
[表1]
化合物 T<sub>50</sub>[℃]
(1)-1 290
(1)-2 310
(1)-3 280
(1)-7 270
(1)-16 296
(2)-2 317
(2)-3 284
(2)-19 267
(2)-21 296
化合物A 271
实施例1
在形成有膜厚110nm的包含ITO的阳极的玻璃基板上，利用真空蒸镀法以真空度4.0×10-5Pa来层叠各薄膜。首先，在ITO上，将HAT-CN形成为25nm的厚度作为空穴注入层，接下来，将NPD形成为30nm的厚度作为空穴传输层。接下来，将HT-1形成为10nm的厚度作为电子阻挡层。接下来，自分别不同的蒸镀源共蒸镀作为第一主体的化合物(1)-1、作为第二主体的化合物(2)-1、作为发光掺杂剂的Ir(ppy)3，将发光层形成为40nm的厚度。此时，使Ir(ppy)3的浓度成为10wt％、使包含第一主体与第二主体的混合主体的浓度成为90wt％，其是在第一主体与第二主体的重量比成为30：70的蒸镀条件下进行共蒸镀。接下来，将ET-1形成为20nm的厚度作为电子传输层。进而，在电子传输层上，将LiF形成为1nm的厚度作为电子注入层。最后，在电子注入层上，将Al形成为70nm的厚度作为阴极，从而制作有机EL元件。
实施例2～8
在实施例1中，第一主体及第二主体是使用表1所示的化合物，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例9～10
在实施例1中，将第一主体及第二主体事先混合而制成预混合物后，对所述预混合物自一个蒸镀源进行蒸镀，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例11
在实施例1中，以第一主体与第二主体的重量比成为40：60的方式进行共蒸镀，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例12
在实施例9中，以第一主体与第二主体的重量比成为50：50的方式事先进行混合而制成预混合物后，对所述预混合物自一个蒸镀源进行蒸镀，除此以外，与实施例9同样地制作有机EL元件。
比较例1～2
在实施例1中，单独使用表1记载的化合物作为主体，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。发光层的厚度、发光掺杂剂浓度与实施例1相同。
比较例3
在实施例1中，第一主体使用化合物A，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
比较例4
在将第一主体与第二主体事先混合而制成预混合物的实施例9～10中，第一主体使用化合物A，第二主体使用化合物(2)-3，除此以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
将所制作的有机EL元件的评价结果示于表1中。
表中，亮度、驱动电压、发光效率为驱动电流20mA/cm2时的值，为初始特性。LT70为初始亮度衰减至70％所花费的时间，表示寿命特性。
[表2]
Figure BDA0003697202770000361

Claims (14)

1.一种有机电场发光元件，为在阳极与阴极之间具有多个有机层的有机电场发光元件，并且有机层包含至少一个发光层，所述发光层包含下述通式(1)所表示的化合物、下述通式(2)所表示的化合物以及掺杂剂，
[化1]
Figure FDA0003697202760000011
〔此处，X表示N或CR3，X中的至少一个表示N；R1由下述式(1b)表示，R2由下述式(1c)表示；R3独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基；再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代〕
[化2]
Figure FDA0003697202760000012
〔此处，Y表示O、S、NR4、CR5R6；R4～R6分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基；再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代；R7～R14中的任一个为与所述通式(1)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N，R3为如上所述，在R3存在多个的情况下可相同也可不同〕
[化3]
Figure FDA0003697202760000021
〔此处，*表示与所述通式(1)的环键结的位置，环C表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(C1)所表示的芳香族环；环D表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(D1)所表示的五元环；R15、R16及R17分别独立地与R3为相同含义，各者在存在多个的情况下，可相同也可不同；a、b、c表示取代数，a、b分别独立地表示1～4的整数，c表示1～2的整数；R18与R4为相同含义〕
[化4]
Figure FDA0003697202760000022
〔此处，R19与R4为相同含义；R20～R27分别独立地表示CR3、CR28或N，R3为如上所述，但至少一个由CR28表示，R28由下述式(2b)表示；在R3、R28分别存在多个的情况下，可相同也可不同〕
[化5]
Figure FDA0003697202760000023
〔此处，Z表示O、S、NR37、CR38R39，R37～R39分别独立地与R4为相同含义；R29～R36中的任一个为与所述通式(2)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N；R3为如上所述，在R3存在多个的情况下，可相同也可不同〕。
2.根据权利要求1所述的有机电场发光元件，其中所述式(1b)通过R7、或R8的任一者而与所述通式(1)的环连结。
3.根据权利要求1所述的有机电场发光元件，其中所述式(1b)通过R8而与所述通式(1)的环连结。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电场发光元件，其中所述式(1b)中，Y为O、或S。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电场发光元件，其中所述式(1c)由以下的式(11)～式(15)的任一者表示，
[化6]
Figure FDA0003697202760000031
〔此处，R15～R18与式(1c)的R15～R18为相同含义〕。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电场发光元件，其中所述通式(2)由以下的通式(21)～通式(29)的任一者表示，
[化7]
Figure FDA0003697202760000041
〔此处，R19与所述通式(2)为相同含义，R37、及R38与所述式(2b)为相同含义〕。
7.根据权利要求6所述的有机电场发光元件，其中所述通式(2)由所述通式(21)～通式(23)的任一者表示。
8.根据权利要求6或7所述的有机电场发光元件，其中所述通式(21)～通式(23)中，R19、及R37为经取代或未经取代的碳数6～10的芳香族烃基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的有机电场发光元件，其中所述掺杂剂为磷光发光性的掺杂剂或延迟荧光发光性的掺杂剂。
10.一种混合组合物，包含下述通式(1)所表示的化合物、以及下述通式(2)所表示的化合物，
[化8]
Figure FDA0003697202760000051
〔此处，X表示N或CR3，X中的至少一个表示N；R1由下述式(1b)表示，R2由下述式(1c)表示；R3分别独立地表示氢、重氢、卤素、氰基、硝基、碳数1～20的烷基、碳数7～38的芳烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数2～40的二烷基氨基、碳数12～44的二芳基氨基、碳数14～76的二芳烷基氨基、碳数2～20的酰基、碳数2～20的酰基氧基、碳数1～20的烷氧基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数2～20的烷氧基羰基氧基、碳数1～20的烷基磺酰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基；再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代〕
[化9]
Figure FDA0003697202760000052
〔此处，Y表示O、S、NR4、CR5R6；R4～R6分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基；再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代；R7～R14中的任一个为与所述通式(1)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N，R3为如上所述，在R3存在多个的情况下，可相同也可不同〕
[化10]
Figure FDA0003697202760000061
〔此处，*表示与所述通式(1)的环键结的位置，环C表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(C1)所表示的芳香族环；环D表示在两个邻接环的任意位置缩合的式(D1)所表示的五元环；R15、R16及R17分别独立地与R3为相同含义，各者在存在多个的情况下，可相同也可不同；a、b、c表示取代数，a、b分别独立地表示1～4的整数，c表示1～2的整数；R18与R4为相同含义〕
[化11]
Figure FDA0003697202760000062
〔此处，R19与R4为相同含义；R20～R27分别独立地表示CR3、CR28或N，R3为如上所述，但至少一个由CR28表示，R28由下述式(2b)表示；在R3、R28分别存在多个的情况下，可相同也可不同〕
[化12]
Figure FDA0003697202760000063
〔此处，Z表示O、S、NR37、CR38R39，R37～R39分别独立地表示氢、重氢、碳数1～20的烷基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个～5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基；再者，在这些基具有氢原子的情况下，所述氢原子也可经重氢或卤素取代；R29～R36中的任一个为与所述通式(2)的环键结的碳原子，其以外分别独立地表示CR3、或N；R3为如上所述，在R3存在多个的情况下，可相同也可不同〕。
11.根据权利要求10所述的混合组合物，其中所述通式(1)为通过所述式(1b)的R7、或R8的任一者进行键结而成的化合物。
12.根据权利要求10所述的混合组合物，其中所述通式(1)为通过所述式(1b)的R8进行键结而成的化合物。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的混合组合物，其特征在于：所述通式(1)所表示的化合物与所述通式(2)所表示的化合物的50％重量减少温度的差为20℃以内。
14.一种有机电场发光元件的制造方法，其特征在于：使用如权利要求10至13中任一项所述的混合组合物来制作发光层。
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